JPH0514964B2 - - Google Patents
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- JPH0514964B2 JPH0514964B2 JP19767084A JP19767084A JPH0514964B2 JP H0514964 B2 JPH0514964 B2 JP H0514964B2 JP 19767084 A JP19767084 A JP 19767084A JP 19767084 A JP19767084 A JP 19767084A JP H0514964 B2 JPH0514964 B2 JP H0514964B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- inductance
- signal
- recording
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/455—Arrangements for functional testing of heads; Measuring arrangements for heads
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘツドの選別方法に関し、例えば
ビデオテープレコーダ（VTR）に用いるヘツド
について、製造した磁気ヘツドから合格ヘツドを
選別する場合に適用して好適なものである。
ビデオテープレコーダ（VTR）に用いるヘツド
について、製造した磁気ヘツドから合格ヘツドを
選別する場合に適用して好適なものである。
磁気テープの最適記録深さｄはヘツドを流れる
記録電流の波長λにより定まり、ほぼλ／４の深
さになる。ところがVTRにおいては、磁気テー
プの記録効率の点から、クロマ信号を低減変換し
て輝度信号より低い低域に割当てると共に、他の
信号を映像信号に重畳して記録する場合には、低
域のうちクロマ信号がない帯域に割当るような記
録方式が提案されている。例えば音声信号をFM
変調して映像信号に重畳して記録するいわゆる
AFM方式が提案されており、また再生時のヘツ
ドのトラツキングに用いるパイロツト信号を映像
信号に重畳して記録するいわゆるATF
（Automatic Tracking Follow）方式が提案さ
れている。
記録電流の波長λにより定まり、ほぼλ／４の深
さになる。ところがVTRにおいては、磁気テー
プの記録効率の点から、クロマ信号を低減変換し
て輝度信号より低い低域に割当てると共に、他の
信号を映像信号に重畳して記録する場合には、低
域のうちクロマ信号がない帯域に割当るような記
録方式が提案されている。例えば音声信号をFM
変調して映像信号に重畳して記録するいわゆる
AFM方式が提案されており、また再生時のヘツ
ドのトラツキングに用いるパイロツト信号を映像
信号に重畳して記録するいわゆるATF
（Automatic Tracking Follow）方式が提案さ
れている。
このような、低減の信号を磁気テープに記録す
る際には、記録信号の波長λが長くなるから、テ
ープに対する最適記録深さｄが深くなる。従つて
ヘツドに流す記録電流を大きくして、記録磁界を
強くしなければならない。
る際には、記録信号の波長λが長くなるから、テ
ープに対する最適記録深さｄが深くなる。従つて
ヘツドに流す記録電流を大きくして、記録磁界を
強くしなければならない。
従つてVTRに用いる磁気ヘツドとしては、飽
和特性における直線部の範囲ができるだけ広いも
のが必要となる。因に磁気ヘツドは飽和特性を有
するため強い磁界を生じさせるように大きな記録
電流を流してもそれによる磁界は第６図にST１
に示すように、記録電流が小さく飽和していない
場合の磁界ST２に比べて等磁界面が押しつぶさ
れたように歪んだものとなる。飽和特性を示し始
める電流値が十分大きく記録電流に対する必要な
最適記録深さｄを確保できるヘツドならば問題な
いが、飽和特性を示し始める値が小さいヘツドの
場合には記録電流の大きな値の範囲では飽和特性
の影響を受け再生された信号レベルは低下して波
形再現性を劣化させる。
和特性における直線部の範囲ができるだけ広いも
のが必要となる。因に磁気ヘツドは飽和特性を有
するため強い磁界を生じさせるように大きな記録
電流を流してもそれによる磁界は第６図にST１
に示すように、記録電流が小さく飽和していない
場合の磁界ST２に比べて等磁界面が押しつぶさ
れたように歪んだものとなる。飽和特性を示し始
める電流値が十分大きく記録電流に対する必要な
最適記録深さｄを確保できるヘツドならば問題な
いが、飽和特性を示し始める値が小さいヘツドの
場合には記録電流の大きな値の範囲では飽和特性
の影響を受け再生された信号レベルは低下して波
形再現性を劣化させる。
そこで、従来、実際のヘツドの使用態様に近い
態様でテーブルに信号を記録、再生し、再生され
たクロマ信号の出力レベルを検出してヘツドの合
否を判定する方法が採用されていた。すなわち、
第７図に示すように被検査磁気ヘツド１によりテ
ープ２に所定の映像信号を記録し、それを再生ヘ
ツド３で再生して再生信号VPBのクロマ信号成
分の出力レベルを検出して選別していた。その
際、記録に用いられる映像信号は全ての被検査ヘ
ツド１に対して同一になるように標準化され、例
えば被検査ヘツド１が用いられるVTRについて
定められている最適レベルの輝度信号と、この輝
度信号より−12〔dB〕レベルが低いクロマ信号と
の重畳信号でなる。また、再生ヘツド３は全ての
被検査ヘツド１に共通に用いられる。
態様でテーブルに信号を記録、再生し、再生され
たクロマ信号の出力レベルを検出してヘツドの合
否を判定する方法が採用されていた。すなわち、
第７図に示すように被検査磁気ヘツド１によりテ
ープ２に所定の映像信号を記録し、それを再生ヘ
ツド３で再生して再生信号VPBのクロマ信号成
分の出力レベルを検出して選別していた。その
際、記録に用いられる映像信号は全ての被検査ヘ
ツド１に対して同一になるように標準化され、例
えば被検査ヘツド１が用いられるVTRについて
定められている最適レベルの輝度信号と、この輝
度信号より−12〔dB〕レベルが低いクロマ信号と
の重畳信号でなる。また、再生ヘツド３は全ての
被検査ヘツド１に共通に用いられる。
このようにすると、記録映像信号、再生条件は
各被検査ヘツド１に対して同一であるので、再生
されたクロマ信号成分の出力レベルの差異は被検
査ヘツド１の記録特性の違いを表すことになる。
そこで、所定の判断レベルをもつて被検査ヘツド
１の合否を判定することができる。
各被検査ヘツド１に対して同一であるので、再生
されたクロマ信号成分の出力レベルの差異は被検
査ヘツド１の記録特性の違いを表すことになる。
そこで、所定の判断レベルをもつて被検査ヘツド
１の合否を判定することができる。
かくするにつきクロマ信号成分に基づき被検査
ヘツド１を選別し、改めてATF信号、AFM信号
に基づきヘツド１の選別判断を行なわないのはク
ロマ信号の出力レベルとATF信号の出力レベル
との間、及びクロマ信号の出力レベルとAFM信
号の出力レベルとの間に相関があるからである。
ヘツド１を選別し、改めてATF信号、AFM信号
に基づきヘツド１の選別判断を行なわないのはク
ロマ信号の出力レベルとATF信号の出力レベル
との間、及びクロマ信号の出力レベルとAFM信
号の出力レベルとの間に相関があるからである。
しかしながら、上述のヘツドの選別方法によれ
ば、ヘツドが実際に使われるのと同様な態様での
検査により選別するという利点を有するけれど
も、多数の被検査ヘツドを選別するのに、各ヘツ
ドごとに記録再生検査工程を経なければならない
ので、選別動作にかかる時間が長大になると共
に、手間も煩雑になる問題点がある。
ば、ヘツドが実際に使われるのと同様な態様での
検査により選別するという利点を有するけれど
も、多数の被検査ヘツドを選別するのに、各ヘツ
ドごとに記録再生検査工程を経なければならない
ので、選別動作にかかる時間が長大になると共
に、手間も煩雑になる問題点がある。
また、選別の可否を決定するクロマ信号の出力
レベルは輝度信号の出力レベルに比べて低く、ク
ロマ信号成分を抽出し増幅するために用いるフイ
ルタ、増幅回路等の条件を厳しくしなければなら
なず、選別装置が高価なものとならざるを得な
い。
レベルは輝度信号の出力レベルに比べて低く、ク
ロマ信号成分を抽出し増幅するために用いるフイ
ルタ、増幅回路等の条件を厳しくしなければなら
なず、選別装置が高価なものとならざるを得な
い。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
全ての磁気ヘツドについて、記録再生検査工程を
経ることなく、簡易かつ正確に磁気ヘツドの合否
を選別することのできる磁気ヘツドの選別方法を
提供しようとするものである。
全ての磁気ヘツドについて、記録再生検査工程を
経ることなく、簡易かつ正確に磁気ヘツドの合否
を選別することのできる磁気ヘツドの選別方法を
提供しようとするものである。
かかる目的を達成するため、被検査磁気ヘツド
１０にバイアスされた低周波電流信号iRを流し、
その際のヘツド１０のインダクタンスＬを測定
し、バイアス値iHFを可変してインダクタンスＬ
の変曲点を検出し、そのインダクタンスの変曲点
を与えるバイアス値iHFSに基づき被検査磁気ヘツ
ド１０を選別する。
１０にバイアスされた低周波電流信号iRを流し、
その際のヘツド１０のインダクタンスＬを測定
し、バイアス値iHFを可変してインダクタンスＬ
の変曲点を検出し、そのインダクタンスの変曲点
を与えるバイアス値iHFSに基づき被検査磁気ヘツ
ド１０を選別する。
ヘツドの飽和特性を不飽和領域HRと飽和領域
HSとの間の変曲点VARで代表させ、その変曲点
VARを検出してヘツドを選別する。ところで、
不飽和領域HRと飽和領域HSとではヘツドのイ
ンダクタンスＬが急激に変化する。従つて、イン
ダクタンスＬの変曲点を検出することによつて選
別判断を行なうことができる。
HSとの間の変曲点VARで代表させ、その変曲点
VARを検出してヘツドを選別する。ところで、
不飽和領域HRと飽和領域HSとではヘツドのイ
ンダクタンスＬが急激に変化する。従つて、イン
ダクタンスＬの変曲点を検出することによつて選
別判断を行なうことができる。
インダクタンスＬの変曲点の検出は、振幅変化
の小さい低周波信号iLFにバイアスiHFをかけ、そ
の低周波信号iLFの振幅に応ずる微小範囲Hcのイ
ンダクタンスＬを測定し、そのバイアス量iHFを
変化させて行なう。そして、インダクタンスＬの
変曲点を与えるバイアス量iHFSに基づき、このバ
イアス量iHFSが合否判断基準より大きいときに磁
気ヘツド１０を合格と判定する。
の小さい低周波信号iLFにバイアスiHFをかけ、そ
の低周波信号iLFの振幅に応ずる微小範囲Hcのイ
ンダクタンスＬを測定し、そのバイアス量iHFを
変化させて行なう。そして、インダクタンスＬの
変曲点を与えるバイアス量iHFSに基づき、このバ
イアス量iHFSが合否判断基準より大きいときに磁
気ヘツド１０を合格と判定する。
以下図面について本発明による磁気ヘツドの選
別方法の一実施例を詳述する。
別方法の一実施例を詳述する。
磁気ヘツドは軟磁性体で構成されているため、
ヘツドのＢ−Ｈ特性は、第２図Ａに示すように、
ほとんど履歴に関係なく、非飽和領域HRでは磁
界の強さＨの変化に伴ない大きな傾きμ1で磁束
密度Ｂが変化し、飽和領域HSでは磁界の強さＨ
の変化に伴ないほぼ０に近い傾きμ2で磁束密度
Ｂが変化する。
ヘツドのＢ−Ｈ特性は、第２図Ａに示すように、
ほとんど履歴に関係なく、非飽和領域HRでは磁
界の強さＨの変化に伴ない大きな傾きμ1で磁束
密度Ｂが変化し、飽和領域HSでは磁界の強さＨ
の変化に伴ないほぼ０に近い傾きμ2で磁束密度
Ｂが変化する。
そこで、このＢ−Ｈ特性における傾きの変曲
点、すなわち、傾きμ1からμ2に変化する点VAR
で飽和特性を代表させ、この変曲点VARを検出
してヘツドの選別を行なう。
点、すなわち、傾きμ1からμ2に変化する点VAR
で飽和特性を代表させ、この変曲点VARを検出
してヘツドの選別を行なう。
変曲点VARを検出するためには磁界の強さＨ
を変化させ、それに対応する傾きμを検出しなけ
ればならない。このうち磁界の強さＨは記録電流
iRに比例するので記録電流iRを変えることにより
磁界の強さＨを変化させることができる。これに
対して、傾きμは μ＝Ｂ／Ｈ ……(1) に示すように磁界の強さＨに対する磁束密度Ｂの
割合を表わしており、透磁率を意味する。ここで
透磁率μは μ∝Ｌ ……(2) に示すようにヘツドのインダクタンスＬに比例す
る。そこで、Ｂ−Ｈ特性における傾きμの変化は
インダクタンスＬを検出することで検出できる。
を変化させ、それに対応する傾きμを検出しなけ
ればならない。このうち磁界の強さＨは記録電流
iRに比例するので記録電流iRを変えることにより
磁界の強さＨを変化させることができる。これに
対して、傾きμは μ＝Ｂ／Ｈ ……(1) に示すように磁界の強さＨに対する磁束密度Ｂの
割合を表わしており、透磁率を意味する。ここで
透磁率μは μ∝Ｌ ……(2) に示すようにヘツドのインダクタンスＬに比例す
る。そこで、Ｂ−Ｈ特性における傾きμの変化は
インダクタンスＬを検出することで検出できる。
従つて、Ｂ−Ｈ特性の傾きの変曲点VARを検
出するためには記録電流iRを変化させ、インダク
タンスＬの変曲点として検出すれば良い。
出するためには記録電流iRを変化させ、インダク
タンスＬの変曲点として検出すれば良い。
ところで、記録電流iRに対するインダクタンス
Ｌの変曲点を検出する方法としては、第１に、記
録電流iRの微小範囲ごとのインダクタンスＬを検
出し、その検出用微小範囲を変化させてインダク
タンスＬの変曲点を検出する方法と、第２に、記
録電流iRを徐々に大きくして行きその都度インダ
クタンスＬを検出してインダクタンスＬの変曲点
を検出する方法が考えられる。
Ｌの変曲点を検出する方法としては、第１に、記
録電流iRの微小範囲ごとのインダクタンスＬを検
出し、その検出用微小範囲を変化させてインダク
タンスＬの変曲点を検出する方法と、第２に、記
録電流iRを徐々に大きくして行きその都度インダ
クタンスＬを検出してインダクタンスＬの変曲点
を検出する方法が考えられる。
しかしながら、第２の方法によれば、記録電流
iRの変化に対してインダクタンスＬの変化が緩や
かに表われ、インダクタンスＬの変曲点が弁別し
難く、未だ不十分である。
iRの変化に対してインダクタンスＬの変化が緩や
かに表われ、インダクタンスＬの変曲点が弁別し
難く、未だ不十分である。
第２図Ａに示すように、記録電流iRの微小範囲
に対応する磁界の強さの微小範囲HcでＢ−Ｈ特
性を眺めると、インダクタンスＬは第３図に示す
ように、透磁率μ1で変化する不飽和範囲HRに微
小範囲Hcがあるときには透磁率μ1に比例する値
L1をとり、透磁率μ2で変化する飽和範囲HSに微
小範囲Hcがあるときには透磁率μ2に比例する値
L2をとり、微小範囲Hcが不飽和範囲HR及び飽
和範囲HSの両範囲に亘るときにはL1及びL2の中
間の値L3をとる。
に対応する磁界の強さの微小範囲HcでＢ−Ｈ特
性を眺めると、インダクタンスＬは第３図に示す
ように、透磁率μ1で変化する不飽和範囲HRに微
小範囲Hcがあるときには透磁率μ1に比例する値
L1をとり、透磁率μ2で変化する飽和範囲HSに微
小範囲Hcがあるときには透磁率μ2に比例する値
L2をとり、微小範囲Hcが不飽和範囲HR及び飽
和範囲HSの両範囲に亘るときにはL1及びL2の中
間の値L3をとる。
第１の方法に従がうインダクタンスＬの変曲点
の検出は第１図の構成により実現し得る。第１図
において、被検査ヘツド１０はコイルの一端がア
ースされると共に、コイルの他端が記録電流発生
回路２０に接続されて記録電流iRが流されるよう
になされている。
の検出は第１図の構成により実現し得る。第１図
において、被検査ヘツド１０はコイルの一端がア
ースされると共に、コイルの他端が記録電流発生
回路２０に接続されて記録電流iRが流されるよう
になされている。
記録電流発生回路２０は、低周波信号発振回路
２１が出力した例えば100〔ＫHz〕の信号を低周波
信号増幅回路２２が例えばピーク間２〔ｍＡ〕に
増幅した低周波信号iLFと、高周波信号発振回路
２３が出力した例えば〔ＭHz〕の信号を高周波信
号増幅回路２４が増幅した高周波信号iHFとを重
畳して記録電流iRを生成する。
２１が出力した例えば100〔ＫHz〕の信号を低周波
信号増幅回路２２が例えばピーク間２〔ｍＡ〕に
増幅した低周波信号iLFと、高周波信号発振回路
２３が出力した例えば〔ＭHz〕の信号を高周波信
号増幅回路２４が増幅した高周波信号iHFとを重
畳して記録電流iRを生成する。
ここで、低周波信号iLFに映像信号の低域にお
ける記録特性を検出するために適切な周波数を有
し、その振幅はインダクタンスＬを検出するため
の微小範囲を与える。これに対して、高周波信号
iHFは低周波信号iLFのバイアス信号として働らき、
検出用微小範囲を変動させるものであり、そのバ
イアスの変化は高周波信号増幅回路２４の増幅率
を変えることで与えられる。高周波信号増幅回路
２４は高周波信号iHFのピーク間をインダクタン
スＬの変曲点を検出するのに十分な例えば０〜40
〔ｍＡ〕の範囲で可変できるように発振信号を増
幅することができる。
ける記録特性を検出するために適切な周波数を有
し、その振幅はインダクタンスＬを検出するため
の微小範囲を与える。これに対して、高周波信号
iHFは低周波信号iLFのバイアス信号として働らき、
検出用微小範囲を変動させるものであり、そのバ
イアスの変化は高周波信号増幅回路２４の増幅率
を変えることで与えられる。高周波信号増幅回路
２４は高周波信号iHFのピーク間をインダクタン
スＬの変曲点を検出するのに十分な例えば０〜40
〔ｍＡ〕の範囲で可変できるように発振信号を増
幅することができる。
被検査ヘツド１０は記録電流iRが流れると、そ
れに応じた磁界Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３（第２図Ｂ，
Ｃ，Ｄ）を発生させる。このときのヘツド１０の
インダクタンスＬはヘツド１０のコイル両端間の
電圧降下vLで検出することができる。
れに応じた磁界Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３（第２図Ｂ，
Ｃ，Ｄ）を発生させる。このときのヘツド１０の
インダクタンスＬはヘツド１０のコイル両端間の
電圧降下vLで検出することができる。
ローパスフイルタ３０はインダクタンスＬの変
曲点を検出するためには記録電流iRの微小範囲内
の変動に対する電圧降下成分を検出すれば良いの
で、電圧降下vLの成分からバイアス信号（高周波
信号）成分を除去する。そこで、ローパスフイタ
３０のカツトオフ周波数は低周波信号成分は
（100〔ＫHz〕）を通し、高周波信号成分（５〔Ｍ
Hz〕）をカツトできるように例えば１〔ＭHz〕に選
定される。
曲点を検出するためには記録電流iRの微小範囲内
の変動に対する電圧降下成分を検出すれば良いの
で、電圧降下vLの成分からバイアス信号（高周波
信号）成分を除去する。そこで、ローパスフイタ
３０のカツトオフ周波数は低周波信号成分は
（100〔ＫHz〕）を通し、高周波信号成分（５〔Ｍ
Hz〕）をカツトできるように例えば１〔ＭHz〕に選
定される。
電圧測定回路４０はオシロスコープ４１及びス
ペクトラムアナライザ４２とを具えてなり、ロー
パスフイルタ３０からの電圧信号vLLを測定する
ものであり、その測定精度は例えば0.3〜1.0〔dB〕
の電圧変動を測定できるように選定されている。
ペクトラムアナライザ４２とを具えてなり、ロー
パスフイルタ３０からの電圧信号vLLを測定する
ものであり、その測定精度は例えば0.3〜1.0〔dB〕
の電圧変動を測定できるように選定されている。
この第１図の構成において、高周波信号増幅回
路２４の増幅の度合が小さく、記録電流iR中のバ
イアス量が小さい範囲では、その記録電流iRによ
る磁界は第２図Ｂに示すＨ１のように不飽和領域
HR内だけで変化する。従つて、ローパスフイル
タ３０で低周波成分、すなわち磁界Ｈ１のエンペ
ロープ成分について取り出されたインダクタンス
に対応する電圧vLLは透磁率μ1に対応する一定値
vLL１（第３図）を呈する。
路２４の増幅の度合が小さく、記録電流iR中のバ
イアス量が小さい範囲では、その記録電流iRによ
る磁界は第２図Ｂに示すＨ１のように不飽和領域
HR内だけで変化する。従つて、ローパスフイル
タ３０で低周波成分、すなわち磁界Ｈ１のエンペ
ロープ成分について取り出されたインダクタンス
に対応する電圧vLLは透磁率μ1に対応する一定値
vLL１（第３図）を呈する。
高周波信号増幅回路２４の増幅率を大きくして
行き、記録電流iRのバイアス量を大きくして行く
と、やがて、記録電流ｉＲによる磁界は第２図Ｃ
に示すＨ２のように不飽和領域HR及び飽和領域
HSに亘つて変化する。このとき、電圧vLLは透磁
率μ1及びμ2の中間値に対応する値vLL３（第３図）
に低下する。
行き、記録電流iRのバイアス量を大きくして行く
と、やがて、記録電流ｉＲによる磁界は第２図Ｃ
に示すＨ２のように不飽和領域HR及び飽和領域
HSに亘つて変化する。このとき、電圧vLLは透磁
率μ1及びμ2の中間値に対応する値vLL３（第３図）
に低下する。
そこで、このvLL１からvLL３の低下を電圧測定
回路４０で測定し、その低下量が例えば0.3〔dB〕
のバイアス電流のiHFSにより被検査ヘツド１０の
記録特性を特定することができる。
回路４０で測定し、その低下量が例えば0.3〔dB〕
のバイアス電流のiHFSにより被検査ヘツド１０の
記録特性を特定することができる。
第４図に、第１図の構成においてバイアス電流
iHFのピーク間の値を変化させたときの３個の被
検査ヘツド１０ａ，１０ｂ，１０ｃにおける電圧
信号vLLの変化を示す。第４図に示すように、ヘ
ツド１０ａについては15〔ｍＡ〕、ヘツド１０ｂに
ついては26.6〔ｍＡ〕、ヘツド１０ｃについては
33.2〔ｍＡ〕がヘツドの記録特性を示す値iHFSとな
る。従つて、この値に基づき各被検査ヘツド１０
を選別することができる。
iHFのピーク間の値を変化させたときの３個の被
検査ヘツド１０ａ，１０ｂ，１０ｃにおける電圧
信号vLLの変化を示す。第４図に示すように、ヘ
ツド１０ａについては15〔ｍＡ〕、ヘツド１０ｂに
ついては26.6〔ｍＡ〕、ヘツド１０ｃについては
33.2〔ｍＡ〕がヘツドの記録特性を示す値iHFSとな
る。従つて、この値に基づき各被検査ヘツド１０
を選別することができる。
42個の被検査ヘツド１０について、このように
して求めた変曲点バイアス電流値iHFSと、従来の
記録再生方式（第７図）によるクロマ信号成分の
出力レベルeOUTとの関係を第５図に示す。第５図
に示すように変曲点バイアス電流値iHFSと出力レ
ベルeOUTとは大きな相関があり、変曲点バイアス
電流値iHFSに基づきヘツド１０を選別しても出力
レベルeOUTに基づいてヘツド１０を選別してもほ
ぼ同じ結果を得る。
して求めた変曲点バイアス電流値iHFSと、従来の
記録再生方式（第７図）によるクロマ信号成分の
出力レベルeOUTとの関係を第５図に示す。第５図
に示すように変曲点バイアス電流値iHFSと出力レ
ベルeOUTとは大きな相関があり、変曲点バイアス
電流値iHFSに基づきヘツド１０を選別しても出力
レベルeOUTに基づいてヘツド１０を選別してもほ
ぼ同じ結果を得る。
例えば、従来方法で出力レベル−15〔dB〕以上
あるヘツドを良品（すなわち合格）と判断してい
た場合、第１図の構成により同様の選別を行う
と、第５図の特性図では出力レベル−15〔dB〕に
対する変曲点バイアス電流値iMFSはヘツドのばら
つきによりある幅をもつが、なるべく大きな値を
とるのが品質管理上望ましいので、出力レベル−
15〔dB〕を示すヘツドの中で上限の変曲点バイア
ス電流値であるiMFSが16.6〔ｍＡ〕を基準として判
断すればよい。この基準により第４図に示す３個
のヘツド１０ａ，１０ｂ，１０ｃを選別判断した
場合にはヘツド１０ａは不良品（すなわち不合
格）として判断され、ヘツド１０ｂ及び１０ｃは
良品として判断される。
あるヘツドを良品（すなわち合格）と判断してい
た場合、第１図の構成により同様の選別を行う
と、第５図の特性図では出力レベル−15〔dB〕に
対する変曲点バイアス電流値iMFSはヘツドのばら
つきによりある幅をもつが、なるべく大きな値を
とるのが品質管理上望ましいので、出力レベル−
15〔dB〕を示すヘツドの中で上限の変曲点バイア
ス電流値であるiMFSが16.6〔ｍＡ〕を基準として判
断すればよい。この基準により第４図に示す３個
のヘツド１０ａ，１０ｂ，１０ｃを選別判断した
場合にはヘツド１０ａは不良品（すなわち不合
格）として判断され、ヘツド１０ｂ及び１０ｃは
良品として判断される。
このように、第１図の構成を用い、インダクタ
ンスＬの変化に基づきヘツドを選別すれば、テー
プへの記録再生検査過程を経るまでもなく、容易
に被検査ヘツドを選別することができる。
ンスＬの変化に基づきヘツドを選別すれば、テー
プへの記録再生検査過程を経るまでもなく、容易
に被検査ヘツドを選別することができる。
なお、第１図の構成において、低周波信号iLF
の周波数は100〔ＫHz〕に限定されず高周波信号
iHFの周波数（５〔ＭHz〕）に対して十分にゆつく
り変化する周波数であれば良い。しかしながら、
例えば、20〔ＫHz〕のようにかなり小さい値に選
定すると、ヘツド１０のインダクタンスＬによる
インピーダンスωLが周波数に比例しているため
そのインピーダンスによる電圧降下vLの値が小さ
くなりノイズから区別することが困難となり電圧
測定回路４０における測定感度が悪くなる。逆
に、低周波信号iLFの周波数を大きくすると、高
周波信号iHFの周波数との関係で電圧信号vLLに歪
が生じ、この場合にも測定感度が低下する。従つ
て、第１図の構成におけるように100〔ＫHz〕前後
が適切である。
の周波数は100〔ＫHz〕に限定されず高周波信号
iHFの周波数（５〔ＭHz〕）に対して十分にゆつく
り変化する周波数であれば良い。しかしながら、
例えば、20〔ＫHz〕のようにかなり小さい値に選
定すると、ヘツド１０のインダクタンスＬによる
インピーダンスωLが周波数に比例しているため
そのインピーダンスによる電圧降下vLの値が小さ
くなりノイズから区別することが困難となり電圧
測定回路４０における測定感度が悪くなる。逆
に、低周波信号iLFの周波数を大きくすると、高
周波信号iHFの周波数との関係で電圧信号vLLに歪
が生じ、この場合にも測定感度が低下する。従つ
て、第１図の構成におけるように100〔ＫHz〕前後
が適切である。
因に、低周波信号iLFの周波数を約700〔ＫHz〕、
高周波信号iHFの周波数を５〔ＭHz〕に選定する
と、記録電流iRはVTRにおける映像信号と対応
させることができ、記録特性の判断には望ましい
が、上述したように低周波信号iLFの周波数が大
きく歪が生じて感度は悪くならざる得ない。
高周波信号iHFの周波数を５〔ＭHz〕に選定する
と、記録電流iRはVTRにおける映像信号と対応
させることができ、記録特性の判断には望ましい
が、上述したように低周波信号iLFの周波数が大
きく歪が生じて感度は悪くならざる得ない。
なおまた、上述の実施例においては、交流バイ
アスをかけて記録電流の検出用微小範囲を変動さ
せてインダクタンスの変曲点を検出するようにし
たが、直流バイアスをかけて記録電流の検出用微
小範囲を変動させても良く、同様の効果が得られ
る。
アスをかけて記録電流の検出用微小範囲を変動さ
せてインダクタンスの変曲点を検出するようにし
たが、直流バイアスをかけて記録電流の検出用微
小範囲を変動させても良く、同様の効果が得られ
る。
以上のように本発明によれば、被検査磁気ヘツ
ドを実際に記録再生動作させる煩雑な手間をかけ
ることなく、バイアスされた低周波電流信号をヘ
ツドに流してインダクタンスを検出するだけの簡
易な手間で、容易、かつ、短時間でヘツドの合否
を判断することができる。
ドを実際に記録再生動作させる煩雑な手間をかけ
ることなく、バイアスされた低周波電流信号をヘ
ツドに流してインダクタンスを検出するだけの簡
易な手間で、容易、かつ、短時間でヘツドの合否
を判断することができる。
第１図は本発明による磁気ヘツドの選別方法を
実施するための構成を示すブロツク図、第２図は
ヘツドのＢ−Ｈ特性を示す略線図、第３図は磁界
の強さとインダクタンスとの関係を示す略線図、
第４図は記録電流の変化に対するインダクタンス
の変化の実験結果を示すグラフ、第５図は従来の
選別方法と本発明の選別方法との相関を示すグラ
フ、第６図は飽和特性の記録特性に及ぼす影響の
説明に供する略線図、第７図は従来の磁気ヘツド
の選別方法の説明に供する略線図である。 １０……被検査ヘツド、２１……低周波信号発
振回路、２３……高周波信号発振回路、２４……
高周波信号増幅回路、３０……ローパスフイル
タ、４０……電圧測定回路、iLF……低周波信号、
iHF……高周波信号（バイアス）、vL……インダク
タンスによる電圧降下。
実施するための構成を示すブロツク図、第２図は
ヘツドのＢ−Ｈ特性を示す略線図、第３図は磁界
の強さとインダクタンスとの関係を示す略線図、
第４図は記録電流の変化に対するインダクタンス
の変化の実験結果を示すグラフ、第５図は従来の
選別方法と本発明の選別方法との相関を示すグラ
フ、第６図は飽和特性の記録特性に及ぼす影響の
説明に供する略線図、第７図は従来の磁気ヘツド
の選別方法の説明に供する略線図である。 １０……被検査ヘツド、２１……低周波信号発
振回路、２３……高周波信号発振回路、２４……
高周波信号増幅回路、３０……ローパスフイル
タ、４０……電圧測定回路、iLF……低周波信号、
iHF……高周波信号（バイアス）、vL……インダク
タンスによる電圧降下。
Claims (1)
- １ 被検査磁気ヘツドにバイアスされた低周波電
流信号を流して上記被検査磁気ヘツドのインダク
タンスを測定し、上記低周波電流信号のバイアス
量を変化させて上記インダクタンスの変曲点を検
出し、当該変曲点を与える上記バイアス量に基づ
き上記被検査磁気ヘツドの合否を選別する磁気ヘ
ツドの選別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767084A JPS6174126A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツドの選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19767084A JPS6174126A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツドの選別方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6174126A JPS6174126A (ja) | 1986-04-16 |
| JPH0514964B2 true JPH0514964B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16378377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19767084A Granted JPS6174126A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 磁気ヘツドの選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6174126A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440792B1 (ko) * | 1997-05-09 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크드라이브의헤드테스트방법 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19767084A patent/JPS6174126A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6174126A (ja) | 1986-04-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |