JPH0515218B2 - - Google Patents
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- JPH0515218B2 JPH0515218B2 JP10071286A JP10071286A JPH0515218B2 JP H0515218 B2 JPH0515218 B2 JP H0515218B2 JP 10071286 A JP10071286 A JP 10071286A JP 10071286 A JP10071286 A JP 10071286A JP H0515218 B2 JPH0515218 B2 JP H0515218B2
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば煙道の排気ガスの脱硝プラン
ト等において排気ガス中に亜硫酸ガスと混同して
含まれるアンモニアガスのガス濃度を瞬間的に、
かつ、連続して自動測定できる紫外線吸収式アン
モニアガス分析計に関する。
ト等において排気ガス中に亜硫酸ガスと混同して
含まれるアンモニアガスのガス濃度を瞬間的に、
かつ、連続して自動測定できる紫外線吸収式アン
モニアガス分析計に関する。
現在、大型の脱硝装置においては、排気カス中
にアンモニア(NH3)を注入して触媒を用いて
窒素酸化物(NOx)を無害な窒素(N2)と水
(H2O)に還元する。この場合未反応のアンモニ
アガスの濃度が約5ppm以上になると、脱硝装置
の後段にあるエヤーヒータで、排気ガス中の無水
硫酸(SO3)とこの未反応のアンモニアとが反応
して酸性硫安または硫安の結晶が析出し、エアー
ヒータが閉塞する。この閉塞現象はアンモニアガ
ス濃度が5ppmを越えると急速に進行する。した
がつて、このアンモニアガス濃度を正確に制御す
ることか非常に重要になる。
にアンモニア(NH3)を注入して触媒を用いて
窒素酸化物(NOx)を無害な窒素(N2)と水
(H2O)に還元する。この場合未反応のアンモニ
アガスの濃度が約5ppm以上になると、脱硝装置
の後段にあるエヤーヒータで、排気ガス中の無水
硫酸(SO3)とこの未反応のアンモニアとが反応
して酸性硫安または硫安の結晶が析出し、エアー
ヒータが閉塞する。この閉塞現象はアンモニアガ
ス濃度が5ppmを越えると急速に進行する。した
がつて、このアンモニアガス濃度を正確に制御す
ることか非常に重要になる。
一方、火力発電所や各種工場等のボイラに使用
する燃料には石油が主であるが、近年埋蔵量の少
ない石油に代つて石炭を使用するようにしたプラ
ントもある。石炭を燃料とする場合、石炭中には
大量の硫黄(S)が含まれるので、排気ガス中の無水
硫酸(SO3)の濃度も高くなる。したがつて、未
反応のアンモニアの濃度を1〜2ppmの範囲内に
収まるように制御することが上記エヤーヒータの
閉塞現象を防止する上で必要となる。この未反応
のアンモニアガス濃度は排気ガス中のNOxの量、
排気ガスの量(体積)、還元触媒の活性、注入ア
ンモニアの量等によつて大きく変動する。したが
つて、この未反応アンモニアガスの濃度を常時連
続してしかも正確に測定する必要がある。
する燃料には石油が主であるが、近年埋蔵量の少
ない石油に代つて石炭を使用するようにしたプラ
ントもある。石炭を燃料とする場合、石炭中には
大量の硫黄(S)が含まれるので、排気ガス中の無水
硫酸(SO3)の濃度も高くなる。したがつて、未
反応のアンモニアの濃度を1〜2ppmの範囲内に
収まるように制御することが上記エヤーヒータの
閉塞現象を防止する上で必要となる。この未反応
のアンモニアガス濃度は排気ガス中のNOxの量、
排気ガスの量(体積)、還元触媒の活性、注入ア
ンモニアの量等によつて大きく変動する。したが
つて、この未反応アンモニアガスの濃度を常時連
続してしかも正確に測定する必要がある。
このように排気ガス中のアンモニアガス濃度を
正確に、かつ、連続して直接測定する装置として
アンモニアガスによる特定波長における紫外線吸
収作用を利用したアンモニアガス分析計が提案さ
れている(特公昭57−17462号公報)。
正確に、かつ、連続して直接測定する装置として
アンモニアガスによる特定波長における紫外線吸
収作用を利用したアンモニアガス分析計が提案さ
れている(特公昭57−17462号公報)。
すなわち、アンモニアガスに紫外線を照射する
と、この紫外線のスペクトル中に207nm乃至
211nm波長で顕著な吸収スペクトルが生じる。し
たがつて、この吸収スペクトルの強度を測定する
ことによつて、アンモニアガス濃度を測定でき
る。しかしながら、上記207乃至211nm波長は亜
硫酸ガスの吸収スペクトルに含致する。そこでこ
の亜硫酸ガス単独の300nm近傍の吸収スペクトル
の強度を同時に測定する。亜硫酸ガス単独の207
乃至211nmの吸収スペクトル強度と300nm近傍に
おける吸収スペクトル強度との相対関係は既知で
あるので、300nm近傍の吸収スペクトル強度から
207乃至211nmにおけるアンモニアガス濃度に対
する干渉値を算出できる。したがつて、測定され
た207乃至211nmの吸収スペクトル強度から同時
に測定された300nm近傍の吸収スペクトル強度お
よび干渉値を減算することによつて、亜硫酸ガス
の干渉を除去したアンモニアガス単独の正確なガ
ス濃度を測定することが可能である。
と、この紫外線のスペクトル中に207nm乃至
211nm波長で顕著な吸収スペクトルが生じる。し
たがつて、この吸収スペクトルの強度を測定する
ことによつて、アンモニアガス濃度を測定でき
る。しかしながら、上記207乃至211nm波長は亜
硫酸ガスの吸収スペクトルに含致する。そこでこ
の亜硫酸ガス単独の300nm近傍の吸収スペクトル
の強度を同時に測定する。亜硫酸ガス単独の207
乃至211nmの吸収スペクトル強度と300nm近傍に
おける吸収スペクトル強度との相対関係は既知で
あるので、300nm近傍の吸収スペクトル強度から
207乃至211nmにおけるアンモニアガス濃度に対
する干渉値を算出できる。したがつて、測定され
た207乃至211nmの吸収スペクトル強度から同時
に測定された300nm近傍の吸収スペクトル強度お
よび干渉値を減算することによつて、亜硫酸ガス
の干渉を除去したアンモニアガス単独の正確なガ
ス濃度を測定することが可能である。
参考のために第11図にアンモニアガスおよび
亜硫酸ガスの吸収スペクトルを示した。亜硫酸ガ
スの測定において、300nm近傍という意味は第1
1図から理解できるように280nm乃至320nmの範
囲の吸収値もしくは吸収極小値に波長変調の中心
波長に合わせれば良いという意味である。
亜硫酸ガスの吸収スペクトルを示した。亜硫酸ガ
スの測定において、300nm近傍という意味は第1
1図から理解できるように280nm乃至320nmの範
囲の吸収値もしくは吸収極小値に波長変調の中心
波長に合わせれば良いという意味である。
第8図は前述のアンモニアガス分析計を示すブ
ロツク図である。すなわち、光源1から照射され
た紫外線の光束は、光吸収セル2内で外部から導
入された排気ガスに照射された後、入口スリツト
3を介して分光器4内のコレクタ5で反射され、
回折格子6へ照射される。光束は、この回折格子
6で分散スペクトルに回折されて、コレクタ7へ
入射される。コレクタ7にて反射された207乃至
211nm波長の分散スペクトルは出口スリツト8a
を介して光電変換器9aで電気信号に変換され
る。コレクタ7にて反射された300nm近傍波長の
分散スペクトルは平面鏡9および出口スリツト8
bを介して光電変換器9bで電気信号に変換され
る。そして、演算回路10にて各光電変換器9
a,9bにて得られた各スペクトル強度に対応す
る電気信号からアンモニアガス濃度を算出する。
ロツク図である。すなわち、光源1から照射され
た紫外線の光束は、光吸収セル2内で外部から導
入された排気ガスに照射された後、入口スリツト
3を介して分光器4内のコレクタ5で反射され、
回折格子6へ照射される。光束は、この回折格子
6で分散スペクトルに回折されて、コレクタ7へ
入射される。コレクタ7にて反射された207乃至
211nm波長の分散スペクトルは出口スリツト8a
を介して光電変換器9aで電気信号に変換され
る。コレクタ7にて反射された300nm近傍波長の
分散スペクトルは平面鏡9および出口スリツト8
bを介して光電変換器9bで電気信号に変換され
る。そして、演算回路10にて各光電変換器9
a,9bにて得られた各スペクトル強度に対応す
る電気信号からアンモニアガス濃度を算出する。
この場合、周囲のバツクグラウンドスペクトル
から分離して目的とする吸収スペクトル強度を正
確に測定するために、各出口スリツト8a,8b
を第9図のU字形音叉11を用いて一定周波数で
振動させて、各出口スリツト8a,8bから各光
電変換器9a,9bへ入力する光を変調させる。
そして、音叉駆動回路12から得られる振動周波
数の2倍の周波数で各光電変換器9a,9bから
出力される電気信号を同期検波している。
から分離して目的とする吸収スペクトル強度を正
確に測定するために、各出口スリツト8a,8b
を第9図のU字形音叉11を用いて一定周波数で
振動させて、各出口スリツト8a,8bから各光
電変換器9a,9bへ入力する光を変調させる。
そして、音叉駆動回路12から得られる振動周波
数の2倍の周波数で各光電変換器9a,9bから
出力される電気信号を同期検波している。
なお、U字形音叉11は電磁コイル13aで加
振されるとともにその振動振幅は別の電磁コイル
13bで検出され、振動振幅が常に一定値になる
ように音叉駆動回路12にて制御されている。
振されるとともにその振動振幅は別の電磁コイル
13bで検出され、振動振幅が常に一定値になる
ように音叉駆動回路12にて制御されている。
しかしながら、第8図および第9図のように構
成されたアンモニアガス分析計においても、まだ
解消すべき次のような問題があつた。すなわち、
出口スリツト8aを介して光電変換器9aへ入力
される分散スペクトルを前述した207乃至211nm
波長に亘つて得るためには、出口スリツト8aを
分散スペクトルの結像面で207nmから211nmの波
長領域に亘つて振動させる必要がある。この振幅
値は、回折格子6とコレクタ7との間の距離およ
びコレクタ7から出口スリツト8aまでの距離に
応じて変化するが、一定以上の測定精度を得るに
は最低1mm以上に設定する必要がある。例えばU
字形音叉11における片方の脚を、長さ:100mm、
断面:4×5mmの角棒で構成したとすると、この
容積に相当する重量の金属を1mmの振幅で振動さ
せるためにこの振動エネルギは大きくなるので、
U字形音叉11のみならず、分光器4全体に振動
が伝播して測定精度が低下する問題があつた。
成されたアンモニアガス分析計においても、まだ
解消すべき次のような問題があつた。すなわち、
出口スリツト8aを介して光電変換器9aへ入力
される分散スペクトルを前述した207乃至211nm
波長に亘つて得るためには、出口スリツト8aを
分散スペクトルの結像面で207nmから211nmの波
長領域に亘つて振動させる必要がある。この振幅
値は、回折格子6とコレクタ7との間の距離およ
びコレクタ7から出口スリツト8aまでの距離に
応じて変化するが、一定以上の測定精度を得るに
は最低1mm以上に設定する必要がある。例えばU
字形音叉11における片方の脚を、長さ:100mm、
断面:4×5mmの角棒で構成したとすると、この
容積に相当する重量の金属を1mmの振幅で振動さ
せるためにこの振動エネルギは大きくなるので、
U字形音叉11のみならず、分光器4全体に振動
が伝播して測定精度が低下する問題があつた。
また、前述したようにアンモニアガス濃度を
207乃至211nmの波長範囲にある吸収スペクトル
強度および300nm波長近傍の吸収スペクトル強度
から算出するようにしているので、前述の測定精
度を得るためには、各スペクトル強度測定におけ
る測定波長λの設定精度を±0.01nmの誤差範囲
に収める必要がある。すなわち、この測定波長の
安定性が悪いと、前述した亜硫酸ガスによる補正
値が変動する。例えば、測定波長が0.02nm変動
すると、前記補正値は1〜2ppmも変動する。そ
の結果、この補正値を用いて算出されるアンモニ
アガス濃度も大きく変動して正確な測定値が得ら
れない問題がある。
207乃至211nmの波長範囲にある吸収スペクトル
強度および300nm波長近傍の吸収スペクトル強度
から算出するようにしているので、前述の測定精
度を得るためには、各スペクトル強度測定におけ
る測定波長λの設定精度を±0.01nmの誤差範囲
に収める必要がある。すなわち、この測定波長の
安定性が悪いと、前述した亜硫酸ガスによる補正
値が変動する。例えば、測定波長が0.02nm変動
すると、前記補正値は1〜2ppmも変動する。そ
の結果、この補正値を用いて算出されるアンモニ
アガス濃度も大きく変動して正確な測定値が得ら
れない問題がある。
また、第10図は300nm波長近傍で検出された
排気ガス中の亜硫酸ガス(SO2)濃度が207乃至
211nm波長におけるアンモニアガス濃度と亜硫酸
ガス濃度との合成濃度値に対する割合い、すなわ
ちアンモニアガス濃度に対する亜硫酸ガス濃度の
干渉度合を示す干渉補正曲線図である。この図か
らも明らかなように、亜硫酸ガス濃度の干渉度合
はU字形音叉11の振幅、すなわち、この振幅に
含まれる波長範囲の大きさによつて大きく変化す
る。したがつて、測定中はU字形音叉11の振幅
を常に一定値に制御する必要がある。
排気ガス中の亜硫酸ガス(SO2)濃度が207乃至
211nm波長におけるアンモニアガス濃度と亜硫酸
ガス濃度との合成濃度値に対する割合い、すなわ
ちアンモニアガス濃度に対する亜硫酸ガス濃度の
干渉度合を示す干渉補正曲線図である。この図か
らも明らかなように、亜硫酸ガス濃度の干渉度合
はU字形音叉11の振幅、すなわち、この振幅に
含まれる波長範囲の大きさによつて大きく変化す
る。したがつて、測定中はU字形音叉11の振幅
を常に一定値に制御する必要がある。
しかしながら、第9図に示したU字形音叉11
の振動振幅は電磁コイル13bで検出している。
このようにU字形音叉11の振動振幅を磁気的に
検出すると、雰囲気温度が変化した場合、U字形
音叉11の材料特性が変化するのみならず、U字
形音叉11と電磁コイル13bとの間の磁気ギヤ
ツプに存在する空気の磁気抵抗が変化する。した
がつて、この磁気コイル13bによつてU字形音
叉11の正確な振幅を検出することが困難であ
る。その結果、U字形音叉11の振幅を常に一定
値に正確に制御できないので、アンモニアガス濃
度の測定精度が低下する。
の振動振幅は電磁コイル13bで検出している。
このようにU字形音叉11の振動振幅を磁気的に
検出すると、雰囲気温度が変化した場合、U字形
音叉11の材料特性が変化するのみならず、U字
形音叉11と電磁コイル13bとの間の磁気ギヤ
ツプに存在する空気の磁気抵抗が変化する。した
がつて、この磁気コイル13bによつてU字形音
叉11の正確な振幅を検出することが困難であ
る。その結果、U字形音叉11の振幅を常に一定
値に正確に制御できないので、アンモニアガス濃
度の測定精度が低下する。
また、207乃至211nm波長の分散スペクトル検
出用と300nm波長の分散スペクトル検出用との2
個のU字形音叉11が必要であつた。したがつ
て、装置全体が大型化する問題もある。
出用と300nm波長の分散スペクトル検出用との2
個のU字形音叉11が必要であつた。したがつ
て、装置全体が大型化する問題もある。
本発明はこのような事情に基づいてなされたも
のであり、その目的とするところは、光吸収セル
を通過して回折格子へ入力する直前の光束を振動
子で所定の周波数、振幅で変調し、かつ振動子の
振幅を光学的に検出して一定値に制御することに
より、たとえ周囲温度が大きく変化したとしても
高い測定精度を維持でき、かつ振動子の設置数を
低減できるので装置全体の小型軽量化を図れる紫
外線吸収式アンモニアガス分析計を提供すること
にある。
のであり、その目的とするところは、光吸収セル
を通過して回折格子へ入力する直前の光束を振動
子で所定の周波数、振幅で変調し、かつ振動子の
振幅を光学的に検出して一定値に制御することに
より、たとえ周囲温度が大きく変化したとしても
高い測定精度を維持でき、かつ振動子の設置数を
低減できるので装置全体の小型軽量化を図れる紫
外線吸収式アンモニアガス分析計を提供すること
にある。
本発明の紫外線吸収式アンモニアガス分析計
は、光源から出力された紫外線の光束を、アンモ
ニアガスおよび亜硫酸ガスを含む被測定媒質が導
入された光吸収セル内を通過させ、この通過した
光束を、振動子駆動制御装置によつて振幅を光学
的に検出することにより一定の振幅および周波数
で振動されている振動子の平面鏡で反射させるこ
とによつて、一定の振幅および周波数の振動をさ
せ、振動された反射光束を回折格子で回析・分散
させて分散スペクトルを出力させる。そして、回
折格子から出力された振動する分散スペクトルの
うちアンモニアガスおよび亜硫酸ガスの吸収スペ
クトルに対応する207nm乃至211nm波長の振動す
る分散スペクトルを受光する位置に第1の出口ス
リツトを配置して、この分散スペクトルを波長変
調し、この第1の出口スリツトから出射された波
長変調により光強度変調信号に変換された光を電
気信号に変換する第1の光電変換器を配設し、回
折格子から出力された振動する分散スペクトルの
うち亜硫酸ガスの吸収スペクトルに対応する
300nm波長及びその近傍波長の振動する分散スペ
クトルを受光する位置に第2の出口スリツトを設
け、この第2の出口スリツトから出射された波長
変調により光強度変調信号に変換された光を電気
信号に変換する第2の光電変換器を配設し、第1
の信号処理回路でもつて、第1の光電変換器から
出力された電気信号を振動子の振動周波数の2倍
の周波数で同期検波して207nm乃至211nm波長の
吸収スペクトルの大きさに対応する第1の光強度
変調信号の振幅の大きさを算出し、第2の信号処
理回路でもつて、第2の光電変換器から出力され
た電気信号を振動子の振動周波数の2倍の周波数
で同期検波して300nm波長及びその近傍波長の吸
収スペクトルの大きさに対応する光強度変調信号
の大きさを算出する。そして、減算回路によつ
て、第1の振幅から第2の振幅と干渉補正曲線か
ら求まる干渉値とを減算することによつて、被測
定媒質中の正しいアンモニアガス濃度を算出する
ようにしている。
は、光源から出力された紫外線の光束を、アンモ
ニアガスおよび亜硫酸ガスを含む被測定媒質が導
入された光吸収セル内を通過させ、この通過した
光束を、振動子駆動制御装置によつて振幅を光学
的に検出することにより一定の振幅および周波数
で振動されている振動子の平面鏡で反射させるこ
とによつて、一定の振幅および周波数の振動をさ
せ、振動された反射光束を回折格子で回析・分散
させて分散スペクトルを出力させる。そして、回
折格子から出力された振動する分散スペクトルの
うちアンモニアガスおよび亜硫酸ガスの吸収スペ
クトルに対応する207nm乃至211nm波長の振動す
る分散スペクトルを受光する位置に第1の出口ス
リツトを配置して、この分散スペクトルを波長変
調し、この第1の出口スリツトから出射された波
長変調により光強度変調信号に変換された光を電
気信号に変換する第1の光電変換器を配設し、回
折格子から出力された振動する分散スペクトルの
うち亜硫酸ガスの吸収スペクトルに対応する
300nm波長及びその近傍波長の振動する分散スペ
クトルを受光する位置に第2の出口スリツトを設
け、この第2の出口スリツトから出射された波長
変調により光強度変調信号に変換された光を電気
信号に変換する第2の光電変換器を配設し、第1
の信号処理回路でもつて、第1の光電変換器から
出力された電気信号を振動子の振動周波数の2倍
の周波数で同期検波して207nm乃至211nm波長の
吸収スペクトルの大きさに対応する第1の光強度
変調信号の振幅の大きさを算出し、第2の信号処
理回路でもつて、第2の光電変換器から出力され
た電気信号を振動子の振動周波数の2倍の周波数
で同期検波して300nm波長及びその近傍波長の吸
収スペクトルの大きさに対応する光強度変調信号
の大きさを算出する。そして、減算回路によつ
て、第1の振幅から第2の振幅と干渉補正曲線か
ら求まる干渉値とを減算することによつて、被測
定媒質中の正しいアンモニアガス濃度を算出する
ようにしている。
このように構成された紫外線吸収式アンモニア
ガス分析計であれば、光源から出力された紫外線
の光束は光吸収セル内で207nm乃至211nm波長及
び300nm波長近傍に吸収スペクトルが形成されて
いる。2箇所に吸収スペクトルが形成された光束
は振動子により一定の振幅および周波数で変調さ
れる。そして、変調された光束はそのまま回折格
子で各波長を有する振動する分散スペクトルに分
光される。そして、振動する分散スペクトルが照
射される中心波長が207乃至211nmの位置に第1
の出口スリツトおよびこ出口スリツトから出射さ
れた光強度変調された光を受光する第1の光電変
換器が配設され、中心波長が300nm近傍の位置に
第2の出口スリツトおよびこの出口スリツトから
出射された光強度変調された光を受光する第2の
光電変換器が配設されている。その結果、第1お
よび第2の信号処理回路でもつて207乃至211nm
における第1の光強度変調信号の振幅および
300nm近傍の第2の光強度変調信号の振幅が算出
され、減算回路にて第1の振幅から第2の振幅と
干渉補正曲線から求まる干渉値とを減算すること
によつて、亜硫酸ガスの干渉を除去したアンモニ
アガス単独の濃度が検出される。
ガス分析計であれば、光源から出力された紫外線
の光束は光吸収セル内で207nm乃至211nm波長及
び300nm波長近傍に吸収スペクトルが形成されて
いる。2箇所に吸収スペクトルが形成された光束
は振動子により一定の振幅および周波数で変調さ
れる。そして、変調された光束はそのまま回折格
子で各波長を有する振動する分散スペクトルに分
光される。そして、振動する分散スペクトルが照
射される中心波長が207乃至211nmの位置に第1
の出口スリツトおよびこ出口スリツトから出射さ
れた光強度変調された光を受光する第1の光電変
換器が配設され、中心波長が300nm近傍の位置に
第2の出口スリツトおよびこの出口スリツトから
出射された光強度変調された光を受光する第2の
光電変換器が配設されている。その結果、第1お
よび第2の信号処理回路でもつて207乃至211nm
における第1の光強度変調信号の振幅および
300nm近傍の第2の光強度変調信号の振幅が算出
され、減算回路にて第1の振幅から第2の振幅と
干渉補正曲線から求まる干渉値とを減算すること
によつて、亜硫酸ガスの干渉を除去したアンモニ
アガス単独の濃度が検出される。
以下本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
第2図は実施例の紫外線吸収式アンモニアガス
分析計を示す外観図である。図中21は各光学部
材が配列固定された光学ベースであり、この光学
ベース21上に紫外線を放射する光源22、この
光源22から放射された光束23を光吸収セル2
4へ導くコリメータレンズ25、光吸収セル2
4、およびこの光吸収セル24を通過した光束2
3の光軸を直角に屈折させる平面鏡26が光束2
3の光軸に沿つて配列されている。平面鏡26に
て屈折された光束23は集光レンズ27にて集光
されて分光器の入口スリツト28を介して分光器
のケース29内へ導入される。
分析計を示す外観図である。図中21は各光学部
材が配列固定された光学ベースであり、この光学
ベース21上に紫外線を放射する光源22、この
光源22から放射された光束23を光吸収セル2
4へ導くコリメータレンズ25、光吸収セル2
4、およびこの光吸収セル24を通過した光束2
3の光軸を直角に屈折させる平面鏡26が光束2
3の光軸に沿つて配列されている。平面鏡26に
て屈折された光束23は集光レンズ27にて集光
されて分光器の入口スリツト28を介して分光器
のケース29内へ導入される。
前記光源22はプラズマ・エミツシヨン型の重
水素放電管で形成されており、その発光スポツト
の直径は約2mmである。この光源22から出力さ
れる紫外線のスペクトルは200nmから300nmまで
の測定範囲内では平坦であるのが理想であるが、
平坦に近いゆるやかな曲線を描く。したがつて、
実際のアンモニアガス濃度測定開始前には不純ガ
スを含まないガスを使用して各波長における測定
値を校正しておく。
水素放電管で形成されており、その発光スポツト
の直径は約2mmである。この光源22から出力さ
れる紫外線のスペクトルは200nmから300nmまで
の測定範囲内では平坦であるのが理想であるが、
平坦に近いゆるやかな曲線を描く。したがつて、
実際のアンモニアガス濃度測定開始前には不純ガ
スを含まないガスを使用して各波長における測定
値を校正しておく。
前記光吸収セル24には図示しない煙道から高
温の排気ガスを導入するための導入管31と導入
された排気ガスを排出するための排出管32が取
付けられている。なお、導入管31は図示しない
ヒータと断熱材33で約300℃の高温に維持され
ている。また、この光吸収セル24は図示しない
ヒータにて約300℃の高温に維持されている。
温の排気ガスを導入するための導入管31と導入
された排気ガスを排出するための排出管32が取
付けられている。なお、導入管31は図示しない
ヒータと断熱材33で約300℃の高温に維持され
ている。また、この光吸収セル24は図示しない
ヒータにて約300℃の高温に維持されている。
第1図はこの紫外線吸収式アンモニアガス分析
計の概略構成を示す模式図である。光源22から
出力された紫外線はコリメータレンズ25で平行
光束になり、光吸収セル24内を通過した後、集
光レンズ27で分光器のケース29の入口スリツ
ト28に集光する。ケース29内に入射した光束
23は振動子駆動制御装置34にて駆動制御され
る振動子としてのU字形音叉35の一方の自由端
に取付けられた第1の平面鏡36に入射される。
そして、この第1の平面鏡36にて反射されてコ
リメータ37へ入射される。なお、U字形音叉3
5は音叉の内側に配設された電磁コイル38によ
り音叉の形状、重量等で定まる一定周波数Fおよ
び一定振幅Wで振動されている。したがつて、第
1の平面鏡36にて反射された光束23は一定周
波数F、一定振幅Wの振動光になる。
計の概略構成を示す模式図である。光源22から
出力された紫外線はコリメータレンズ25で平行
光束になり、光吸収セル24内を通過した後、集
光レンズ27で分光器のケース29の入口スリツ
ト28に集光する。ケース29内に入射した光束
23は振動子駆動制御装置34にて駆動制御され
る振動子としてのU字形音叉35の一方の自由端
に取付けられた第1の平面鏡36に入射される。
そして、この第1の平面鏡36にて反射されてコ
リメータ37へ入射される。なお、U字形音叉3
5は音叉の内側に配設された電磁コイル38によ
り音叉の形状、重量等で定まる一定周波数Fおよ
び一定振幅Wで振動されている。したがつて、第
1の平面鏡36にて反射された光束23は一定周
波数F、一定振幅Wの振動光になる。
コリメータ37にて反射された振動光はブレー
ズ型の回折格子39へ入射される。この回折格子
39にて回折された分散スペクトルがコレクタ4
0へ入射される。コレレクタ40にて反射された
振動する分散スペクトルが結像する位置に第1お
よび第2のの出口スリツト41a,41bが配設
されており、この第1および第2の出口スリツト
41a,41bの裏面に隣接して、第1および第
2の光電変換器42a,42bが配設されてい
る。前記第1の出口スリツト41aは振動する分
散スペクトルの中心波長が207乃至211nmの中心
である209nm波長の光が照射される位置に配設さ
れている。すなわち、第1の平面鏡36の振動に
よつて、結像面上の光束(すなわち分散スペクト
ル)が振動する出口スリツト41aから出射する
光束は、209nmを中心とする約±1.5nmの範囲で
波長変調された光となる。
ズ型の回折格子39へ入射される。この回折格子
39にて回折された分散スペクトルがコレクタ4
0へ入射される。コレレクタ40にて反射された
振動する分散スペクトルが結像する位置に第1お
よび第2のの出口スリツト41a,41bが配設
されており、この第1および第2の出口スリツト
41a,41bの裏面に隣接して、第1および第
2の光電変換器42a,42bが配設されてい
る。前記第1の出口スリツト41aは振動する分
散スペクトルの中心波長が207乃至211nmの中心
である209nm波長の光が照射される位置に配設さ
れている。すなわち、第1の平面鏡36の振動に
よつて、結像面上の光束(すなわち分散スペクト
ル)が振動する出口スリツト41aから出射する
光束は、209nmを中心とする約±1.5nmの範囲で
波長変調された光となる。
一方、第2の出口スリツト41bは振動する分
散スペクトルの中心波長が300nmの光が照射され
る位置に配設されており、この出口スリツト41
bから300nmを中心とする約±1.2nmの範囲で波
長変調された光が出力される。そして、第1の光
電変換器42aは第1の出口スリツト41a上に
結像したアンモニアガスと亜硫酸ガスの吸収特性
によつて生じた光強度変調信号を第1の電気信号
f1に変換するものであり、第2の光電変換器42
bは第2の出口スリツト41b上に結像した亜硫
酸ガスの吸収特性によつて生じた光強度変調信号
を第2の電気信号f2に変換するものである。
散スペクトルの中心波長が300nmの光が照射され
る位置に配設されており、この出口スリツト41
bから300nmを中心とする約±1.2nmの範囲で波
長変調された光が出力される。そして、第1の光
電変換器42aは第1の出口スリツト41a上に
結像したアンモニアガスと亜硫酸ガスの吸収特性
によつて生じた光強度変調信号を第1の電気信号
f1に変換するものであり、第2の光電変換器42
bは第2の出口スリツト41b上に結像した亜硫
酸ガスの吸収特性によつて生じた光強度変調信号
を第2の電気信号f2に変換するものである。
第1および第2の光電変換器42a,42bか
ら出力された直流成分および交流成分を含んだ第
1および第2の電気信号f1,f2はそれぞれ第1お
よび第2の信号処理回路43a,43bへ入力さ
れる。第1および第2の信号処理回路43a,4
3bは第3図に示すように構成されている。すな
わち、入力した電気信号f1,f2は直流増幅器45
で増幅され、第6図aにおける直流成分cに相当
する出力が次段の除算器46へ入力される。ま
た、前記電気信号f1,f2はコンデンサ47からな
るハイパスフイルタで直流成分cが除去された
後、同期検波回路48にて前記振動子駆動制御装
置34の音叉駆動回路49から送出されるU字形
音叉35の振動周波数Fの2倍の周波数2Fで同
期検波されて、第6図aにおける測定スペクトル
の吸収によつて生じた窪みの深さaに相当する出
力が除算器46へ入力される。除算器46内では
(a/c)の除算が実施され、その結果が吸収ス
ペクトル値に対応した直流電圧gとして出力され
る。
ら出力された直流成分および交流成分を含んだ第
1および第2の電気信号f1,f2はそれぞれ第1お
よび第2の信号処理回路43a,43bへ入力さ
れる。第1および第2の信号処理回路43a,4
3bは第3図に示すように構成されている。すな
わち、入力した電気信号f1,f2は直流増幅器45
で増幅され、第6図aにおける直流成分cに相当
する出力が次段の除算器46へ入力される。ま
た、前記電気信号f1,f2はコンデンサ47からな
るハイパスフイルタで直流成分cが除去された
後、同期検波回路48にて前記振動子駆動制御装
置34の音叉駆動回路49から送出されるU字形
音叉35の振動周波数Fの2倍の周波数2Fで同
期検波されて、第6図aにおける測定スペクトル
の吸収によつて生じた窪みの深さaに相当する出
力が除算器46へ入力される。除算器46内では
(a/c)の除算が実施され、その結果が吸収ス
ペクトル値に対応した直流電圧gとして出力され
る。
なお、同期検波回路48の出力段には図示しな
いローパスフイルタが内蔵されており、このロー
パスフイルタの時定数τの値は、同期検波周波数
2Fに対して、最低τ>200/2F以上の関係にな
るように設定されている。これは、測定された吸
収スペクトルの強度aのS/N比を一定水準以上
に維持させるために発明者等が行なつた実験結果
による。したがつて、測定の応答速度を低下する
ことなくS/N比を上昇させるためには、上記時
定数τをできるかぎり小さくする必要があるの
で、U字形音叉35の振動周波数Fを高く設定す
ればよい。実施例では後述するようにこの振動周
波数Fを2kHz程度の高い値に設定している。
いローパスフイルタが内蔵されており、このロー
パスフイルタの時定数τの値は、同期検波周波数
2Fに対して、最低τ>200/2F以上の関係にな
るように設定されている。これは、測定された吸
収スペクトルの強度aのS/N比を一定水準以上
に維持させるために発明者等が行なつた実験結果
による。したがつて、測定の応答速度を低下する
ことなくS/N比を上昇させるためには、上記時
定数τをできるかぎり小さくする必要があるの
で、U字形音叉35の振動周波数Fを高く設定す
ればよい。実施例では後述するようにこの振動周
波数Fを2kHz程度の高い値に設定している。
各信号処理回路43a,43bから出力された
第1および第2の吸収スペクトル強度に対応した
各直流電圧g1,g2は減算器50へ入力される。こ
の減算器50はアンモニアガスと亜硫酸ガスとを
含む207乃至211nm波長の第1の光強度変調信号
の振幅の大きさで示される吸収スペクトル強度に
対応する直流電圧g1から、亜硫酸ガスの300nm近
傍波長の第2の光強度変調信号の振幅の大きさで
示される吸収スペクトル強度に対応する直流電圧
g2とこの直流値に対応する干渉値を減算して、ア
ンモニアガス単独の吸収スペクトル強度、すなわ
ちアンモニアガス濃度に対応する信号を表示部5
1へ送出する。表示部51は入力したアンモニア
ガス濃度を測定結果として表示する。
第1および第2の吸収スペクトル強度に対応した
各直流電圧g1,g2は減算器50へ入力される。こ
の減算器50はアンモニアガスと亜硫酸ガスとを
含む207乃至211nm波長の第1の光強度変調信号
の振幅の大きさで示される吸収スペクトル強度に
対応する直流電圧g1から、亜硫酸ガスの300nm近
傍波長の第2の光強度変調信号の振幅の大きさで
示される吸収スペクトル強度に対応する直流電圧
g2とこの直流値に対応する干渉値を減算して、ア
ンモニアガス単独の吸収スペクトル強度、すなわ
ちアンモニアガス濃度に対応する信号を表示部5
1へ送出する。表示部51は入力したアンモニア
ガス濃度を測定結果として表示する。
前記振動子駆動制御装置34においては、図示
するようにU字形音叉35の他方の自由端に第2
の平面鏡52が取付けられており、この第2の平
面鏡52にコンデンサレンズ53を介してLED
等の発光素子で構成された発光装置54から出力
される検出光55が入射される。そして、この第
2の平面鏡52で反射された検出光55は一定周
波数Fの振動光となり、この検出光55の振動振
幅を測定するポジシヨンセンサ等で構成された振
幅測定器56へ入力される。この振幅測定器56
にて測定された検出光55の振動振幅信号は、U
字形音叉35の内側に組込まれた電磁コイル38
を駆動する音叉駆動回路49へ入力される。この
音叉駆動回路49は前記各同期検波回路48へ周
波数2Fの同期信号を送出するとともに前記発光
装置54を点灯制御する。
するようにU字形音叉35の他方の自由端に第2
の平面鏡52が取付けられており、この第2の平
面鏡52にコンデンサレンズ53を介してLED
等の発光素子で構成された発光装置54から出力
される検出光55が入射される。そして、この第
2の平面鏡52で反射された検出光55は一定周
波数Fの振動光となり、この検出光55の振動振
幅を測定するポジシヨンセンサ等で構成された振
幅測定器56へ入力される。この振幅測定器56
にて測定された検出光55の振動振幅信号は、U
字形音叉35の内側に組込まれた電磁コイル38
を駆動する音叉駆動回路49へ入力される。この
音叉駆動回路49は前記各同期検波回路48へ周
波数2Fの同期信号を送出するとともに前記発光
装置54を点灯制御する。
第4図はU字形音叉35の概略構成を示す斜視
図であり、U字部57は例えば外径がほぼ2mmの
ピアノ線であり、このU字形音叉35の脚部58
も同一ピアノ線を使用している。そして、U字部
57の長さはほぼ30mmであり、幅はほぼ10mmであ
る。このU字部57の各自由端に7×5mm形状の
第1および第2の平面鏡36,52が取付けられ
ている。このU字部57の内側に配置されたコア
59に電磁コイル38が巻回されている。このU
字形音叉35の振動周波数FはU字部57の形状
等、材質にて定まるが前述の寸法を採用すること
によつて、振動周波数Fをほぼ2kHzに設定する
ことができる。
図であり、U字部57は例えば外径がほぼ2mmの
ピアノ線であり、このU字形音叉35の脚部58
も同一ピアノ線を使用している。そして、U字部
57の長さはほぼ30mmであり、幅はほぼ10mmであ
る。このU字部57の各自由端に7×5mm形状の
第1および第2の平面鏡36,52が取付けられ
ている。このU字部57の内側に配置されたコア
59に電磁コイル38が巻回されている。このU
字形音叉35の振動周波数FはU字部57の形状
等、材質にて定まるが前述の寸法を採用すること
によつて、振動周波数Fをほぼ2kHzに設定する
ことができる。
第5図は前記U字形音叉35を振動駆動する音
叉駆動回路49を示すブロツク図である。図中6
1は発光装置54のLED等の発光素子へ駆動電
流を供給する発光素子駆動回路である。図中62
は振幅測定器56を構成するポジシヨンセンサで
あり、このポジシヨンセンサ62は、素子上の照
射スポツトの変位に比例した信号を出力する一種
の光電変換素子であり、検出光55の振幅、すな
わち第2の平面鏡52の振幅を直接照射スポツト
移動によつて検出するものである。ポジシヨンセ
ンサ62の出力信号は変化検出回路63へ入力さ
れ、第2の平面鏡52の振動に伴つて変化する振
動振幅信号としての交流信号e1に変換される。交
流信号e1は検波回路64にて直流の出力電圧E1へ
変換される。検波回路64から出力される出力電
圧E1は、振幅設定器65から出力される設定電
圧E2とともに偏差検出回路66へ入力される。
偏差検出回路66は直流信号E1と設定電圧E2と
の偏差電圧E3を出力する。偏差検出回路66か
ら出力された偏差電圧E3は積分回路67で積分
され、ゲイン制御増幅器68の制御信号電圧E4
になる。
叉駆動回路49を示すブロツク図である。図中6
1は発光装置54のLED等の発光素子へ駆動電
流を供給する発光素子駆動回路である。図中62
は振幅測定器56を構成するポジシヨンセンサで
あり、このポジシヨンセンサ62は、素子上の照
射スポツトの変位に比例した信号を出力する一種
の光電変換素子であり、検出光55の振幅、すな
わち第2の平面鏡52の振幅を直接照射スポツト
移動によつて検出するものである。ポジシヨンセ
ンサ62の出力信号は変化検出回路63へ入力さ
れ、第2の平面鏡52の振動に伴つて変化する振
動振幅信号としての交流信号e1に変換される。交
流信号e1は検波回路64にて直流の出力電圧E1へ
変換される。検波回路64から出力される出力電
圧E1は、振幅設定器65から出力される設定電
圧E2とともに偏差検出回路66へ入力される。
偏差検出回路66は直流信号E1と設定電圧E2と
の偏差電圧E3を出力する。偏差検出回路66か
ら出力された偏差電圧E3は積分回路67で積分
され、ゲイン制御増幅器68の制御信号電圧E4
になる。
一方、変化検出回路63から出力された交流信
号e1は移相回路69へ入力され、この移相回路6
9にてU字形音叉35の振動位相に整合される。
移相回路69から出力された整合信号e2は前記ゲ
イン制御増幅器68へ入力されると共に、波形整
形回路70へ入力されて波形整形される。そし
て、この波形整形回路70から同期信号e3として
前記各信号処理回路43a,43bの各同期検波
回路48へ送出される。また、ゲイン制御増幅器
68は入力した整合信号e2を前記制御信号電圧E4
で定まる増幅率で増幅して、前記U字形音叉35
の電磁コイル38の駆動電流Iとして出力する。
号e1は移相回路69へ入力され、この移相回路6
9にてU字形音叉35の振動位相に整合される。
移相回路69から出力された整合信号e2は前記ゲ
イン制御増幅器68へ入力されると共に、波形整
形回路70へ入力されて波形整形される。そし
て、この波形整形回路70から同期信号e3として
前記各信号処理回路43a,43bの各同期検波
回路48へ送出される。また、ゲイン制御増幅器
68は入力した整合信号e2を前記制御信号電圧E4
で定まる増幅率で増幅して、前記U字形音叉35
の電磁コイル38の駆動電流Iとして出力する。
このような一種のサーボ系構成の音叉駆動回路
49において、第2の平面鏡52の振幅、すなわ
ち検波回路64の出力電圧E1が振幅設定器65
の設定電圧E2に等しくなると、偏差検出回路6
6から出力される偏差電圧E3が0となる。した
がつて、積分回路67から出力される制御信号電
圧E4の値は変化しない。その結果、U字形音叉
35の振動振幅は変化することはない。また、検
波回路64の出力電圧E1が振幅設定器65の設
定電圧E2に等しくない場合は、その差に相当す
る偏差電圧E3が積分回路67へ入力される。そ
して、積分回路67から出力される制御信号電圧
E4は偏差電圧E3に対応して変化する。その結果、
U字形音叉35の振動振幅は検波回路64の出力
電圧E1が振幅設定器65の設定電圧E2に等しく
なるように変化する。したがつて、逆に振幅設定
器65の設定電圧E2を変更することによりU字
形音叉35の振幅を容易に調整できる。
49において、第2の平面鏡52の振幅、すなわ
ち検波回路64の出力電圧E1が振幅設定器65
の設定電圧E2に等しくなると、偏差検出回路6
6から出力される偏差電圧E3が0となる。した
がつて、積分回路67から出力される制御信号電
圧E4の値は変化しない。その結果、U字形音叉
35の振動振幅は変化することはない。また、検
波回路64の出力電圧E1が振幅設定器65の設
定電圧E2に等しくない場合は、その差に相当す
る偏差電圧E3が積分回路67へ入力される。そ
して、積分回路67から出力される制御信号電圧
E4は偏差電圧E3に対応して変化する。その結果、
U字形音叉35の振動振幅は検波回路64の出力
電圧E1が振幅設定器65の設定電圧E2に等しく
なるように変化する。したがつて、逆に振幅設定
器65の設定電圧E2を変更することによりU字
形音叉35の振幅を容易に調整できる。
このように構成された紫外線吸収式アンモニア
ガス分析計の動作原理を第6図a,bを用いて説
明する。測定すべきガス成分によつて生じた吸収
スペクトルの窪みの中心波長、すなわち吸収スペ
クトルの吸収ピーク波長λ0を中心としてこの周辺
(λ0±Δλ)で波長λを変調しながらスペクトル強
度を測定する。このとき測定されるスペクトル強
度波形は図示するように平均直流成分eに振幅d
の交流成分(リツプル成分)が重畳した波形Dと
なる。この波形Dの交流成分dの周波数は波長変
調周波数Fの2倍の周波数2Fとなる。したがつ
て、この波形Dを周波数2Fで、波長変調に同期
させて検波すれば元のスペクトル強度が得られ
る。実際には第6図bに示す直流成分eをハイパ
スフイルタで除去した後、同期検波すれば、吸収
によつて生じた第6図aに示す窪みの深さaに相
当する値dが得られる。この窪みの深さaはガス
濃度に比例する。また、この窪みの深さaは、近
似的に直流成分cでほぼ代表できる光源強度に比
例する。そこで、光源強度による影響を除去し
て、ガス濃度だけに比例した出力を得るために
は、窪みの深みaを光源強度cに対する比(a/
c)で表現すればよい。
ガス分析計の動作原理を第6図a,bを用いて説
明する。測定すべきガス成分によつて生じた吸収
スペクトルの窪みの中心波長、すなわち吸収スペ
クトルの吸収ピーク波長λ0を中心としてこの周辺
(λ0±Δλ)で波長λを変調しながらスペクトル強
度を測定する。このとき測定されるスペクトル強
度波形は図示するように平均直流成分eに振幅d
の交流成分(リツプル成分)が重畳した波形Dと
なる。この波形Dの交流成分dの周波数は波長変
調周波数Fの2倍の周波数2Fとなる。したがつ
て、この波形Dを周波数2Fで、波長変調に同期
させて検波すれば元のスペクトル強度が得られ
る。実際には第6図bに示す直流成分eをハイパ
スフイルタで除去した後、同期検波すれば、吸収
によつて生じた第6図aに示す窪みの深さaに相
当する値dが得られる。この窪みの深さaはガス
濃度に比例する。また、この窪みの深さaは、近
似的に直流成分cでほぼ代表できる光源強度に比
例する。そこで、光源強度による影響を除去し
て、ガス濃度だけに比例した出力を得るために
は、窪みの深みaを光源強度cに対する比(a/
c)で表現すればよい。
この原理を第1図の実施例につてい説明する
と、光吸収セル24内にて2箇所に吸収スペクト
ルが形成された状態で入口スリツト28から入力
した光束23はU字形音叉35の一方の自由端に
取付けられた第1の平面鏡36で反射され、さら
にコリメータ37にて反射されて回折格子39へ
入力される。U字形音叉35が一定振幅W、一定
周波数Fで振動しているので、この回折格子39
へ入射される光束23の入射角θも一定の角度範
囲(θ±Δθ)で振動する。その結果、第1の出
口スリツト41a上では分散したスペクトルが振
動し、第1の出口スリツト41aより出射する光
束23の波長がλ0±Δλの範囲で振動する。すな
わち波長変調がかけられる。したがつて、出口ス
リツト41aから漏出る光の強度は第6図bの波
形Dに示すように、直流成分eに交流成分dが重
畳した波形となる。この波形Dは第1の光電変換
器42aにて電気信号f1へ変換される。したがつ
て、コンデンサ47で直流成分eは除去され、同
期検波回路48にて前記2Fの周波数を有する音
叉駆動回路49からの同期信号e3によつて同期検
波された信号は第6図aの窪みの深さaに相当す
る。
と、光吸収セル24内にて2箇所に吸収スペクト
ルが形成された状態で入口スリツト28から入力
した光束23はU字形音叉35の一方の自由端に
取付けられた第1の平面鏡36で反射され、さら
にコリメータ37にて反射されて回折格子39へ
入力される。U字形音叉35が一定振幅W、一定
周波数Fで振動しているので、この回折格子39
へ入射される光束23の入射角θも一定の角度範
囲(θ±Δθ)で振動する。その結果、第1の出
口スリツト41a上では分散したスペクトルが振
動し、第1の出口スリツト41aより出射する光
束23の波長がλ0±Δλの範囲で振動する。すな
わち波長変調がかけられる。したがつて、出口ス
リツト41aから漏出る光の強度は第6図bの波
形Dに示すように、直流成分eに交流成分dが重
畳した波形となる。この波形Dは第1の光電変換
器42aにて電気信号f1へ変換される。したがつ
て、コンデンサ47で直流成分eは除去され、同
期検波回路48にて前記2Fの周波数を有する音
叉駆動回路49からの同期信号e3によつて同期検
波された信号は第6図aの窪みの深さaに相当す
る。
したがつて、各信号処理回路43a,43bか
ら各中心波長209nmおよび300nmにおける各窪み
の深みa、すなわち各吸収スペクトル強度に対応
した信号g1g2が得られる。そして、減算器50で
亜硫酸ガスの干渉を除去したアンモニアガス単独
のガス濃度が得られる。
ら各中心波長209nmおよび300nmにおける各窪み
の深みa、すなわち各吸収スペクトル強度に対応
した信号g1g2が得られる。そして、減算器50で
亜硫酸ガスの干渉を除去したアンモニアガス単独
のガス濃度が得られる。
このような紫外線吸収式アンモニアガス分析計
であれば、分散スペクトルを結果的に各出口スリ
ツト41a,41b上で波長変調させる振動子と
してU字形音叉35を用い、かつそのU字形音叉
35を光束23をスペクトルに分光す回折格子3
9の前段に配設することによつて、第8図に示し
た従来装置に比較して、U字形音叉の設置数を2
個から1個に減少できる。また、U字形音叉35
の大きさも、例えば、ほぼ同じ程度の測定精度を
得る場合であれば、第4図の実施例は第9図の従
来例に比較して数分の1に小型化できた。したが
つて、このU字形音叉35を加振するための音叉
駆動回路49の出力も小さくてよい。また振幅W
も従来装置より格段に小さくてよいので、振動エ
ネルギの値が小さく、回折格子39、コリメータ
37、コレクタ40、各出口スリツト41a,4
1b等の光学部材に対して振動による悪影響を与
えることはない。特に、振動によつて測定波長λ
が変動することを極力抑制できる。したがつて、
前述した光源22のスペクトル強度特性の非平坦
性に起因する測定精度劣化を防止でき、第8図お
よび第9図の従来装置に比較して測定精度を大幅
に向上できる。
であれば、分散スペクトルを結果的に各出口スリ
ツト41a,41b上で波長変調させる振動子と
してU字形音叉35を用い、かつそのU字形音叉
35を光束23をスペクトルに分光す回折格子3
9の前段に配設することによつて、第8図に示し
た従来装置に比較して、U字形音叉の設置数を2
個から1個に減少できる。また、U字形音叉35
の大きさも、例えば、ほぼ同じ程度の測定精度を
得る場合であれば、第4図の実施例は第9図の従
来例に比較して数分の1に小型化できた。したが
つて、このU字形音叉35を加振するための音叉
駆動回路49の出力も小さくてよい。また振幅W
も従来装置より格段に小さくてよいので、振動エ
ネルギの値が小さく、回折格子39、コリメータ
37、コレクタ40、各出口スリツト41a,4
1b等の光学部材に対して振動による悪影響を与
えることはない。特に、振動によつて測定波長λ
が変動することを極力抑制できる。したがつて、
前述した光源22のスペクトル強度特性の非平坦
性に起因する測定精度劣化を防止でき、第8図お
よび第9図の従来装置に比較して測定精度を大幅
に向上できる。
さらに、U字形音叉35の振動振幅Wを検出光
55およびポジシヨンセンサ62等を用いて光学
的に測定し、その測定結果に基づいて振幅Wを一
定値に制御するようにしているので、従来装置の
ように周囲温度変化の影響を受けることはない。
したがつて、常に一定の振幅とすることができ、
測定するための波長変調幅が常に一定値に制御さ
れることになり、亜硫酸ガスによる干渉値を正し
く把握でき、アンモニアガス濃度の測定精度を向
上できる。
55およびポジシヨンセンサ62等を用いて光学
的に測定し、その測定結果に基づいて振幅Wを一
定値に制御するようにしているので、従来装置の
ように周囲温度変化の影響を受けることはない。
したがつて、常に一定の振幅とすることができ、
測定するための波長変調幅が常に一定値に制御さ
れることになり、亜硫酸ガスによる干渉値を正し
く把握でき、アンモニアガス濃度の測定精度を向
上できる。
さらに、第2図に示すように、実施例において
は、約300℃の高温に維持される光吸収セル24
を熱シールドし、光学ベース21に対して離間配
設し、かつ、U字形音叉35、回折格子39、コ
リメータ37、コレクタ40および出口スリツト
41a,41bを収納して約42℃に維持されたケ
ース29とも離れて設置することにより、光吸収
セル24の熱により各光学部材が悪影響されるの
を極力防止している。
は、約300℃の高温に維持される光吸収セル24
を熱シールドし、光学ベース21に対して離間配
設し、かつ、U字形音叉35、回折格子39、コ
リメータ37、コレクタ40および出口スリツト
41a,41bを収納して約42℃に維持されたケ
ース29とも離れて設置することにより、光吸収
セル24の熱により各光学部材が悪影響されるの
を極力防止している。
この場合、光吸収セル24を除く各光学部材を
一つの光学ベース21に固定することによつて、
光源22が移動することによる、この光源22か
らの光束23の照射方向変動に起因する分光器の
入口スリツト28上で入射スポツトが動くために
生じる零点変動をを抑制でき、さらに測定精度を
向上できる。
一つの光学ベース21に固定することによつて、
光源22が移動することによる、この光源22か
らの光束23の照射方向変動に起因する分光器の
入口スリツト28上で入射スポツトが動くために
生じる零点変動をを抑制でき、さらに測定精度を
向上できる。
第7図は本発明の他の実施例に係わる紫外線吸
収式アンモニアガス分析計を示す外観図である。
この実施例においては、切欠部81を有するケー
ス82内に、光吸収セル24を除く全部の光学部
材を収納している。そして、切欠部81内に上記
光吸収セル24を配設している。ケース82内の
光学ベース上に配置された光源から出力された光
束23は切欠部81の一方の壁に形成された窓に
嵌込まれた石英83aを介して光吸収セル24内
へ導かれ、光吸収セル24を通過した光束23は
切欠部81の他方の壁に形成された窓に嵌込まれ
た石英83bを介してケース82内へ導かれる。
収式アンモニアガス分析計を示す外観図である。
この実施例においては、切欠部81を有するケー
ス82内に、光吸収セル24を除く全部の光学部
材を収納している。そして、切欠部81内に上記
光吸収セル24を配設している。ケース82内の
光学ベース上に配置された光源から出力された光
束23は切欠部81の一方の壁に形成された窓に
嵌込まれた石英83aを介して光吸収セル24内
へ導かれ、光吸収セル24を通過した光束23は
切欠部81の他方の壁に形成された窓に嵌込まれ
た石英83bを介してケース82内へ導かれる。
このように、高温の光吸収セル24を、光源2
2や各レンズを含む全部の光学部材を収納するケ
ース82から完全に分離することによつて、各光
学構成部材に対する温度に起因する悪影響をさら
に低減できる。また、光源22や各レンズを含む
全部の光学部材を例えば42℃一定に温度制御され
たケース82内に収納することによつて、上述の
効果をさらに向上できる。
2や各レンズを含む全部の光学部材を収納するケ
ース82から完全に分離することによつて、各光
学構成部材に対する温度に起因する悪影響をさら
に低減できる。また、光源22や各レンズを含む
全部の光学部材を例えば42℃一定に温度制御され
たケース82内に収納することによつて、上述の
効果をさらに向上できる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。実施例においては、U字形音叉35
の振幅を測定する測定光55を第2の平面鏡52
に対してコリメータ37側から照射したが、第2
の平面鏡52の反射面を裏表逆に取付けて、電磁
コイル38側から検出光55を照射するようにし
てもよい。なお、このU字形音叉35に対しする
検出光55の照射方法の詳細は特願昭60−62341
に報告している。
のではない。実施例においては、U字形音叉35
の振幅を測定する測定光55を第2の平面鏡52
に対してコリメータ37側から照射したが、第2
の平面鏡52の反射面を裏表逆に取付けて、電磁
コイル38側から検出光55を照射するようにし
てもよい。なお、このU字形音叉35に対しする
検出光55の照射方法の詳細は特願昭60−62341
に報告している。
以上説明したように本発明によれば、光吸収セ
ルを通過して回折格子へ入力する直前の光束を振
動子で所定の周波数、振幅で変調し、かつ振動子
の振動を光学的に検出して一定値に制御してい
る。したがつて、たとえ周囲温度が大きく変化し
たとしても高い測定精度を維持でき、かつ振動子
の設置数を低減できるので、装置全体の小型軽量
化を図ることができる。
ルを通過して回折格子へ入力する直前の光束を振
動子で所定の周波数、振幅で変調し、かつ振動子
の振動を光学的に検出して一定値に制御してい
る。したがつて、たとえ周囲温度が大きく変化し
たとしても高い測定精度を維持でき、かつ振動子
の設置数を低減できるので、装置全体の小型軽量
化を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例に係わる紫外線吸収
式アンモニアガス分析計の概略構成を示す模式
図、第2図は同実施例の外観図、第3図は同実施
例の信号処理回路を示すブロツク図、第4図は同
実施例のU字形音叉を示す斜視図、第5図は同実
施例の音叉駆動回路を示すブロツク図、第6図は
動作原理を示す図、第7図は本発明の他の実施例
の紫外線吸収式アンモニアガス分析計を示す外観
図、第8図は従来のアンモニアガス分析計を示す
模式図、第9図は同従来装置のU字形音叉を示す
図、第10図は亜硫酸ガス濃度のアンモニアガス
濃度への干渉度合を示す干渉補正特性図、第11
図はアンモニアガスおよび亜硫酸ガスの吸収スペ
クトル特性図である。 21…光学ベース、22…光源、23…光束、
24…光吸収セル、25…コリメータレンズ、2
7…集光レンズ、28…入口スリツト、29,8
2…ケース、33…断熱材、34…振動子駆動制
御装置、35…U字形音叉、36…第1の平面
鏡、37…コリメータ、38…電磁コイル、39
…回折格子、40…コレクタ、41a…第1の出
口スリツト、41b…第2の出口スリツト、42
a…第1の光電変換器、42b…第2の光電変換
器、43a…第1の信号処理回路、43b…第2
の信号処理回路、46…除算器、48…同期検波
回路、49…音叉駆動回路、50…減算器、51
…表示部、52…第2のの平面鏡、54…発光装
置、55…検出光、56…振幅測定器、62…ポ
ジシヨンセンサ、63…変化検出回路、81…切
欠部、83a,83b…石英。
式アンモニアガス分析計の概略構成を示す模式
図、第2図は同実施例の外観図、第3図は同実施
例の信号処理回路を示すブロツク図、第4図は同
実施例のU字形音叉を示す斜視図、第5図は同実
施例の音叉駆動回路を示すブロツク図、第6図は
動作原理を示す図、第7図は本発明の他の実施例
の紫外線吸収式アンモニアガス分析計を示す外観
図、第8図は従来のアンモニアガス分析計を示す
模式図、第9図は同従来装置のU字形音叉を示す
図、第10図は亜硫酸ガス濃度のアンモニアガス
濃度への干渉度合を示す干渉補正特性図、第11
図はアンモニアガスおよび亜硫酸ガスの吸収スペ
クトル特性図である。 21…光学ベース、22…光源、23…光束、
24…光吸収セル、25…コリメータレンズ、2
7…集光レンズ、28…入口スリツト、29,8
2…ケース、33…断熱材、34…振動子駆動制
御装置、35…U字形音叉、36…第1の平面
鏡、37…コリメータ、38…電磁コイル、39
…回折格子、40…コレクタ、41a…第1の出
口スリツト、41b…第2の出口スリツト、42
a…第1の光電変換器、42b…第2の光電変換
器、43a…第1の信号処理回路、43b…第2
の信号処理回路、46…除算器、48…同期検波
回路、49…音叉駆動回路、50…減算器、51
…表示部、52…第2のの平面鏡、54…発光装
置、55…検出光、56…振幅測定器、62…ポ
ジシヨンセンサ、63…変化検出回路、81…切
欠部、83a,83b…石英。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 紫外線を放射する光源と;アンモニアガスお
よび亜硫酸ガスを含む被測定媒質中に前記光源か
らの光束を通過させる光吸収セルと;該光吸収セ
ルを通過した前記光束を反射させるための平面鏡
を有する振動子と;該振動子の振幅を光学的に検
出することにより該振動子を一定の振幅および周
波数で振動させる振動子駆動制御装置と;前記振
動子の振動により得られる反射光束を回折させて
振動している分散スペクトルを出力させる回折格
子と;該回折格子から出力された振動している分
散スペクトルのうち前記アンモニアガスおよび亜
硫酸ガスの吸収スペクトルに対応する207nm乃至
211nm波長の分散スペクトルを受光する位置に配
設され、該振動している分散スペクトルを出射さ
せ、該出射された光束の波長を変調するための第
1の出口スリツトと;前記アンモニアガスおよび
亜硫酸ガスの存在と波長変調によつて光強度変調
信号に変換された前記第1の出口スリツトから出
射された光を電気信号に変換する第1の光電変換
器と;前記回折格子から出力された振動している
分散スペクトルのうち前記亜硫酸ガスの吸収スペ
クトルに対応する300nm波長及びその近傍波長の
分散スペクトルを受光する位置に配設され、該振
動している分散スペクトルを出射させ、該出射さ
れた光束の波長を変調するための第2の出口スリ
ツトと;前記亜硫酸ガスの存在と波長変調とによ
つて光強度変調信号に変換された前記第2の出口
スリツトから出射された光を電気信号に変換する
第2の光電変換器と;前記第1の光電変換器から
出力された電気信号を前記振動子の振動周波数の
2倍の周波数で同期検波して前記207nm乃至
211nm波長の吸収スペクトルの大きさに対応する
第1の光強度変調信号の振幅の大きさを算出する
第1の信号処理回路と;前記第2の光電変換器か
ら出力された電気信号を前記振動子の振動周波数
の2倍の周波数で同期検波して前記300nm波長及
びその近傍波長の吸収スペクトルに対応する第2
の光強度変調信号の振幅の大きさを算出する第2
の信号処理回路と;前記第1の振幅の大きさから
前記第2の振幅の大きさと干渉補正曲線から求ま
る干渉値とを減算することによつて、前記被測定
媒質中の正しいアンモニアガス濃度を算出する減
算回路とを備えたことを特徴とする紫外線吸収式
アンモニアガス分析計。 2 振動子はU字形音叉を用いて構成されたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の紫外線
吸収式アンモニアガス分析計。 3 振動子駆動制御装置は、前記U字形音叉を駆
動するための電磁コイルと;前記U字形音叉の一
方の自由端に装着された前記光吸収セルを通過し
た光束を反射させるための第1の平面鏡と;前記
U字形音叉の他方の自由端に装着され前記反射光
束の振動振幅を検出するための第2の平面鏡と;
該第2の平面鏡へ前記反射光束の振動振幅検出用
の検出光を照射する発光装置と;前記第2の平面
鏡にて反射された前記検出光を受光し、該反射さ
れた検出光の振動振幅を測定する振幅測定器と;
該振幅測定器にて測定された振動振幅値が常に一
定値になるように前記電磁コイルの励磁を制御す
る駆動回路とを具備することを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の紫外線吸収式アンモニアガ
ス分析計。 4 振幅測定器は、受光面に照射された前記検出
光の受光位置に応じた信号を出力するポジシヨン
センサと;該ポジシヨンセンサから出力された信
号を前記第2の平面鏡の振動に伴つて変化する交
流振動振幅信号に変換する変化検出回路とを具備
することを特徴とする特許請求の範囲第3項記載
の紫外線吸収式アンモニアガス分析計。 5 光吸収セルは、前記光源、振動子および回折
格子等を配設した光学ベースに対して離間され、
かつ、熱シールドされた状態に配置されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の紫外
線吸収式アンモニアガス分析計。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071286A JPS62257044A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 紫外線吸収式アンモニアガス分析計 |
| DE19873714346 DE3714346A1 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Ultraviolett-ammoniakanalysegeraet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071286A JPS62257044A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 紫外線吸収式アンモニアガス分析計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62257044A JPS62257044A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0515218B2 true JPH0515218B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=14281273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10071286A Granted JPS62257044A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 紫外線吸収式アンモニアガス分析計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62257044A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024021912A (ja) * | 2022-08-04 | 2024-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | レーザー干渉計 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10071286A patent/JPS62257044A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62257044A (ja) | 1987-11-09 |
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