JPH05152192A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH05152192A JPH05152192A JP3312036A JP31203691A JPH05152192A JP H05152192 A JPH05152192 A JP H05152192A JP 3312036 A JP3312036 A JP 3312036A JP 31203691 A JP31203691 A JP 31203691A JP H05152192 A JPH05152192 A JP H05152192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- sample
- wavelength component
- exposure
- spectrum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＳＯＲ光のスペクトル成分を適正化することに
より、オージェ電子を抑制して露光精度を向上すること
にある。 【構成】シンクロトロン放射光を利用して試料を露光す
る露光装置において、前記試料を構成する物質に固有の
吸収端の波長を境界に、前記シンクロトロン放射光スペ
クトルの波長成分を前記吸収端よりも短波長側の短波長
成分と長波長側の長波長成分とに分離するとともに、該
スペクトル中に占める短波長成分の割合を長波長成分よ
りも少なくすることを特徴とする露光装置。
より、オージェ電子を抑制して露光精度を向上すること
にある。 【構成】シンクロトロン放射光を利用して試料を露光す
る露光装置において、前記試料を構成する物質に固有の
吸収端の波長を境界に、前記シンクロトロン放射光スペ
クトルの波長成分を前記吸収端よりも短波長側の短波長
成分と長波長側の長波長成分とに分離するとともに、該
スペクトル中に占める短波長成分の割合を長波長成分よ
りも少なくすることを特徴とする露光装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シンクロトロン放射光
をエックス線源として利用する、例えば微細半導体素子
の露光装置に関する。高エネルギーの粒子（例えば電
子）が磁場の中を円形軌道に沿って運動するとき、軌道
の曲率中心に向かう力を受けて発生する電磁波をシンク
ロトロン放射光（SynchrotronOrbital Radiation：以
下、ＳＯＲ光）という。
をエックス線源として利用する、例えば微細半導体素子
の露光装置に関する。高エネルギーの粒子（例えば電
子）が磁場の中を円形軌道に沿って運動するとき、軌道
の曲率中心に向かう力を受けて発生する電磁波をシンク
ロトロン放射光（SynchrotronOrbital Radiation：以
下、ＳＯＲ光）という。
【０００２】ＳＯＲ光は、真空紫外線からＸ線にわたる
波長領域の強力な光源であり、この領域の既存光源とし
てよく知られている特性Ｘ線や気体発光線に比べ、波長
領域が広い、高輝度の連続スペクトルを持つ、指向性が
よい、偏向性がある、１nsec以下のパルス特性を持つな
ど様々な長所を持ち、半導体露光装置用の光源として有
望視されている。
波長領域の強力な光源であり、この領域の既存光源とし
てよく知られている特性Ｘ線や気体発光線に比べ、波長
領域が広い、高輝度の連続スペクトルを持つ、指向性が
よい、偏向性がある、１nsec以下のパルス特性を持つな
ど様々な長所を持ち、半導体露光装置用の光源として有
望視されている。
【０００３】
【従来の技術】図５はシンクロトロン放射光を発生する
蓄積リングと露光装置の接続概念図である。外部の加速
器１からパルス的に打ち込まれた電子は、高真空パイプ
２を周回し、要所に設けられた偏向電磁石３によって軌
道が曲げられ、ＳＯＲ光としてリング外に取り出され
る。ＳＯＲ光はビームダクト４を経由して露光装置５に
取り込まれ、露光装置５において例えばシリコン基板等
の試料の露光に供される。なお、６はＳＯＲ放射によっ
て失われたエネルギーを補うための高周波加速部であ
る。
蓄積リングと露光装置の接続概念図である。外部の加速
器１からパルス的に打ち込まれた電子は、高真空パイプ
２を周回し、要所に設けられた偏向電磁石３によって軌
道が曲げられ、ＳＯＲ光としてリング外に取り出され
る。ＳＯＲ光はビームダクト４を経由して露光装置５に
取り込まれ、露光装置５において例えばシリコン基板等
の試料の露光に供される。なお、６はＳＯＲ放射によっ
て失われたエネルギーを補うための高周波加速部であ
る。
【０００４】図６は電子の曲率（Ｒ）を１３．９ｍとし
たときの、加速電圧ごとのＳＯＲ光スペクトル分布を示
す図である。横軸は波長（単位はオングストローム）、
縦軸は光エネルギー（単位はphotons／sec／オングスト
ローム／electron）である。この図からも理解されるよ
うに、ＳＯＲ光のエネルギーは加速電圧に依存し、例え
ば、２ＧeＶ（ギガエレクトロンボルト）の加速電圧よ
りも２．５ＧeＶ（あるいは３．０ＧeＶ）の方が、大き
な露光エネルギーを取り出すことができる。
たときの、加速電圧ごとのＳＯＲ光スペクトル分布を示
す図である。横軸は波長（単位はオングストローム）、
縦軸は光エネルギー（単位はphotons／sec／オングスト
ローム／electron）である。この図からも理解されるよ
うに、ＳＯＲ光のエネルギーは加速電圧に依存し、例え
ば、２ＧeＶ（ギガエレクトロンボルト）の加速電圧よ
りも２．５ＧeＶ（あるいは３．０ＧeＶ）の方が、大き
な露光エネルギーを取り出すことができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の露光装置にあっては、加速電圧を上げることによ
って、大きな露光エネルギーを取り出すことができる反
面、加速電圧に対応してスペクトル分布が短波長側へと
広がるために、試料内部の「オージェ効果」が活性化さ
れ、試料内部からの放出電子（オージェ電子）の影響に
よって、露光精度が悪化するといった問題点があった。
従来の露光装置にあっては、加速電圧を上げることによ
って、大きな露光エネルギーを取り出すことができる反
面、加速電圧に対応してスペクトル分布が短波長側へと
広がるために、試料内部の「オージェ効果」が活性化さ
れ、試料内部からの放出電子（オージェ電子）の影響に
よって、露光精度が悪化するといった問題点があった。
【０００６】ここで、原子核の電子捕捉、あるいは内部
転換または外からのエックス線や粒子線の照射などによ
って内殻（例えばＫ殻）に空孔ができると、その原子は
不安定な状態になり外殻の電子がＫ殻に落ち、同時に余
分なエネルギーを外殻の他の電子に与えそれを放出して
安定化する。このような過程をオージェ効果（Augereff
ect）といい、その放出電子をオージェ電子（Auger ele
ctron）という。
転換または外からのエックス線や粒子線の照射などによ
って内殻（例えばＫ殻）に空孔ができると、その原子は
不安定な状態になり外殻の電子がＫ殻に落ち、同時に余
分なエネルギーを外殻の他の電子に与えそれを放出して
安定化する。このような過程をオージェ効果（Augereff
ect）といい、その放出電子をオージェ電子（Auger ele
ctron）という。
【０００７】図７は露光処理の一例である。支持枠７に
固定されたマスク（メンブレンともいう）８には、エッ
クス線吸収体（例えば重金属）によるパターン（以下、
マスクパターン）９が形成されている。マスク８を介し
て、試料１０にエックス線（ＳＯＲ光）を照射すると、
試料１０のレジスト１１に上記パターン９の形状が転写
される。
固定されたマスク（メンブレンともいう）８には、エッ
クス線吸収体（例えば重金属）によるパターン（以下、
マスクパターン）９が形成されている。マスク８を介し
て、試料１０にエックス線（ＳＯＲ光）を照射すると、
試料１０のレジスト１１に上記パターン９の形状が転写
される。
【０００８】しかし、試料１０の内部からオージェ電子
が放出されると、このオージェ電子によってレジスト１
１に形成されたパターン（以下、レジストパターン）が
オーバー露光されるので、例えば、図７（ｂ）に示すポ
ジレジストの場合には、レジストパターンの根元部分が
狭くなったり、あるいは、図７（ｃ）に示すネガレジス
トの場合には、根元部分が拡大されたりするという不具
合がある。ちなみに、図７（ｄ）はオージェ電子の影響
がない場合のレジストパターンであり、マスクパターン
９に一致した正確な矩形断面が得られている。
が放出されると、このオージェ電子によってレジスト１
１に形成されたパターン（以下、レジストパターン）が
オーバー露光されるので、例えば、図７（ｂ）に示すポ
ジレジストの場合には、レジストパターンの根元部分が
狭くなったり、あるいは、図７（ｃ）に示すネガレジス
トの場合には、根元部分が拡大されたりするという不具
合がある。ちなみに、図７（ｄ）はオージェ電子の影響
がない場合のレジストパターンであり、マスクパターン
９に一致した正確な矩形断面が得られている。
【０００９】そこで、本発明の目的は、ＳＯＲ光のスペ
クトル成分を適正化することにより、オージェ電子を抑
制して露光精度を向上することにある。
クトル成分を適正化することにより、オージェ電子を抑
制して露光精度を向上することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、シンクロトロン放射光を利用して試料を
露光する露光装置において、前記試料を構成する物質に
固有の吸収端の波長を境界に、前記シンクロトロン放射
光スペクトルの波長成分を前記吸収端よりも短波長側の
短波長成分と長波長側の長波長成分とに分離するととも
に、該スペクトル中に占める短波長成分の割合を長波長
成分よりも少なくすることを特徴とする。
成するために、シンクロトロン放射光を利用して試料を
露光する露光装置において、前記試料を構成する物質に
固有の吸収端の波長を境界に、前記シンクロトロン放射
光スペクトルの波長成分を前記吸収端よりも短波長側の
短波長成分と長波長側の長波長成分とに分離するととも
に、該スペクトル中に占める短波長成分の割合を長波長
成分よりも少なくすることを特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明では、オージェ効果に強く関与する特定
の波長成分が抑えられる。したがって、オージェ電子の
放出が回避され、露光精度が向上される。
の波長成分が抑えられる。したがって、オージェ電子の
放出が回避され、露光精度が向上される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１〜図４は本発明に係る露光装置の一実施例を
示す図である。図１において、２０はリング状の高真空
パイプの一部である。パイプ２０内を周回する加速電子
２１は、偏向電磁石２２によってその軌道が曲げられ、
加速電子の一部が円形軌道の接線方向に沿ってシンクロ
トロン放射される。シンクロトロン放射光（ＳＯＲ光）
２３はスリット２４によって整形された後、所定材料
（例えばｐｔ：プラチナ）のミラー２５を通して位置合
わせ装置２６に導かれ、位置合わせ装置２６のエックス
線取り出し窓２７を通過したＳＯＲ光が、例えばマスク
パターンを試料に転写するためのエックス線源として利
用される。
する。図１〜図４は本発明に係る露光装置の一実施例を
示す図である。図１において、２０はリング状の高真空
パイプの一部である。パイプ２０内を周回する加速電子
２１は、偏向電磁石２２によってその軌道が曲げられ、
加速電子の一部が円形軌道の接線方向に沿ってシンクロ
トロン放射される。シンクロトロン放射光（ＳＯＲ光）
２３はスリット２４によって整形された後、所定材料
（例えばｐｔ：プラチナ）のミラー２５を通して位置合
わせ装置２６に導かれ、位置合わせ装置２６のエックス
線取り出し窓２７を通過したＳＯＲ光が、例えばマスク
パターンを試料に転写するためのエックス線源として利
用される。
【００１３】ここで、上記ミラー２５には駆動機構２８
が連結されている。駆動機構２８は角度設定部２９から
のミラー角度指令値に従ってミラー２５のミラー角度を
調節するもので、角度設定部２８は、シンクロトロン放
射光による露光作業の諸条件を考慮した最適なミラー角
度を設定し、露光作業に先立ってその指令値を出力す
る。露光作業の諸条件としては、例えば（１）試料を構
成する主要な物質名（２）ミラー２５に使用する材料名
（３）蓄積リングの動作諸元（リングの直径や加速電圧
の大きさなど）が該当する。なお、これ以外の条件を加
味してもよいことは勿論である。
が連結されている。駆動機構２８は角度設定部２９から
のミラー角度指令値に従ってミラー２５のミラー角度を
調節するもので、角度設定部２８は、シンクロトロン放
射光による露光作業の諸条件を考慮した最適なミラー角
度を設定し、露光作業に先立ってその指令値を出力す
る。露光作業の諸条件としては、例えば（１）試料を構
成する主要な物質名（２）ミラー２５に使用する材料名
（３）蓄積リングの動作諸元（リングの直径や加速電圧
の大きさなど）が該当する。なお、これ以外の条件を加
味してもよいことは勿論である。
【００１４】図２は、試料露光に供されるＳＯＲ光のス
ペクトル成分図である。横軸は波長（単位はオングスト
ローム）、縦軸は光エネルギー（単位はW／mA／mrad2／
オングストローム）である。図によれば、所定の波長λ
ａを境にして短波長側のピーク（スペクトルの短波長成
分に相当）ＰSと長波長側のピーク（スペクトルの長波
長成分に相当）ＰLの２つのピークが認められる。ピー
クＰLは波長λａで急激に落ち込んでおり、波長λａは
試料を構成する主要な物質の吸収端（absorptionedge）
の波長に相当する。例えばＳｉ（シリコン）の吸収端
は、正確に６．７４５オングストロームである。
ペクトル成分図である。横軸は波長（単位はオングスト
ローム）、縦軸は光エネルギー（単位はW／mA／mrad2／
オングストローム）である。図によれば、所定の波長λ
ａを境にして短波長側のピーク（スペクトルの短波長成
分に相当）ＰSと長波長側のピーク（スペクトルの長波
長成分に相当）ＰLの２つのピークが認められる。ピー
クＰLは波長λａで急激に落ち込んでおり、波長λａは
試料を構成する主要な物質の吸収端（absorptionedge）
の波長に相当する。例えばＳｉ（シリコン）の吸収端
は、正確に６．７４５オングストロームである。
【００１５】エックス線の連続吸収スペクトルでは、あ
る波長位置で不連続的に強い吸収が始まり、短波長側に
広がっている。この強く吸収の始まる波長位置を「吸収
端」という。吸収端は、原子・分子においては内殻電子
を励起してイオン化するのに必要な最少エネルギーの波
長位置に対応し、固体においては内殻電子をフェルミ・
エネルギーより上のエネルギーをもつ空いた電子帯（バ
ンド）に励起するのに必要な最少エネルギーの波長位置
に対応する。Ｋ吸収端やＬ吸収端などの波長は原子に固
有のもので、吸収端の波長の位置測定は物質の同定に利
用される。吸収端よりも短波長側のエックス線（ＳＯＲ
光）によって前述のオージェ効果が活性化され、試料内
部からオージェ電子が励起される。
る波長位置で不連続的に強い吸収が始まり、短波長側に
広がっている。この強く吸収の始まる波長位置を「吸収
端」という。吸収端は、原子・分子においては内殻電子
を励起してイオン化するのに必要な最少エネルギーの波
長位置に対応し、固体においては内殻電子をフェルミ・
エネルギーより上のエネルギーをもつ空いた電子帯（バ
ンド）に励起するのに必要な最少エネルギーの波長位置
に対応する。Ｋ吸収端やＬ吸収端などの波長は原子に固
有のもので、吸収端の波長の位置測定は物質の同定に利
用される。吸収端よりも短波長側のエックス線（ＳＯＲ
光）によって前述のオージェ効果が活性化され、試料内
部からオージェ電子が励起される。
【００１６】図２の２つのピークＰS、ＰLはミラー２５
の角度に応じて変化し、また、ミラー２５の材料を変更
することによっても変化し、あるいは、蓄積リングの加
速電圧や偏向磁石２２の磁力を変更することによっても
変化する。例えば、ミラー２５の材料をプラチナ（ｐ
ｔ）とし、その角度を２２mrad、２６mrad、３０mrad、
３４mradに変更すると、それぞれの角度ごとのピークＰ
S、ＰLは、図３のように変化する。ミラー角度が大きく
なるに従って２つのピークＰS、ＰLが共に減少し、その
減少程度は短波長側のピークＰSの方が大きい。ミラー
角度を最大（３４mrad）にしたときが、短波長側のピー
クＰSを最少にでき、オージェ電子を回避する面で好ま
しい。しかし、露光に必要なエネルギーを得るために
は、あまり大きな角度は適当ではなく、望ましくは全体
の光パワーに占める長波長側のピークＰLの割合を１６
パーセント若しくはそれを越える程度にするのがよい。
の角度に応じて変化し、また、ミラー２５の材料を変更
することによっても変化し、あるいは、蓄積リングの加
速電圧や偏向磁石２２の磁力を変更することによっても
変化する。例えば、ミラー２５の材料をプラチナ（ｐ
ｔ）とし、その角度を２２mrad、２６mrad、３０mrad、
３４mradに変更すると、それぞれの角度ごとのピークＰ
S、ＰLは、図３のように変化する。ミラー角度が大きく
なるに従って２つのピークＰS、ＰLが共に減少し、その
減少程度は短波長側のピークＰSの方が大きい。ミラー
角度を最大（３４mrad）にしたときが、短波長側のピー
クＰSを最少にでき、オージェ電子を回避する面で好ま
しい。しかし、露光に必要なエネルギーを得るために
は、あまり大きな角度は適当ではなく、望ましくは全体
の光パワーに占める長波長側のピークＰLの割合を１６
パーセント若しくはそれを越える程度にするのがよい。
【００１７】図４はミラー角度を１８mrad、２０mrad、
２２mrad、２４mrad、……とした場合の、角度毎の全体
の光パワーに占める長波長側のピークＰLの割合を示す
図である。図において、ＭＩＲＲＯＲ ＡＮＧＬＥはミ
ラー角度、ＰＩＮＴ１はシリコンの吸収端波長（約６．
８オングストローム）よりも短波長側のピークパワー
（すなわちＰSのパワー）、ＰＩＮＴ２は同じくシリコ
ンの吸収端波長よりも長波長側のピークパワー（すなわ
ちＰLのパワー）、ＲＡＴＩＯは、全体の光パワー（Ｔ
ＯＴＡＬ ＰＯＷＥＲ）に占める長波長側のピークＰL
の比率である。ミラー角度が２０mrad程度では、比率が
０．１３（１３パーセント）となり、短波長側のピーク
パワーが残りの８７パーセントを占めるから、オージェ
電子の抑制効果の面でやや不十分であるが、２２mrad程
度にすると、比率が０．２４（２４パーセント）とな
り、実用的にほぼ十分なオージェ電子の抑制効果が得ら
れるとともに、十分な露光パワーも確保できる。
２２mrad、２４mrad、……とした場合の、角度毎の全体
の光パワーに占める長波長側のピークＰLの割合を示す
図である。図において、ＭＩＲＲＯＲ ＡＮＧＬＥはミ
ラー角度、ＰＩＮＴ１はシリコンの吸収端波長（約６．
８オングストローム）よりも短波長側のピークパワー
（すなわちＰSのパワー）、ＰＩＮＴ２は同じくシリコ
ンの吸収端波長よりも長波長側のピークパワー（すなわ
ちＰLのパワー）、ＲＡＴＩＯは、全体の光パワー（Ｔ
ＯＴＡＬ ＰＯＷＥＲ）に占める長波長側のピークＰL
の比率である。ミラー角度が２０mrad程度では、比率が
０．１３（１３パーセント）となり、短波長側のピーク
パワーが残りの８７パーセントを占めるから、オージェ
電子の抑制効果の面でやや不十分であるが、２２mrad程
度にすると、比率が０．２４（２４パーセント）とな
り、実用的にほぼ十分なオージェ電子の抑制効果が得ら
れるとともに、十分な露光パワーも確保できる。
【００１８】以上述べたように、本実施例では、シンク
ロトロン放射光のスペクトルを、試料の主要物質の「吸
収端」の波長を境に最適化したので、オージェ効果に強
く関与する短波長側のパワーを抑制してオージェ電子の
発生を回避でき、露光精度の向上を図ることができる。
なお、試料を構成する主要物質としては、上記例示のシ
リコンの他に例えばアルミやタングステンシリサイドな
どがあり、また、ミラーの材質も上記例示のプラチナの
他にベリリウム（Ｂｅ）やＳiＯ2酸化膜などがある。
ロトロン放射光のスペクトルを、試料の主要物質の「吸
収端」の波長を境に最適化したので、オージェ効果に強
く関与する短波長側のパワーを抑制してオージェ電子の
発生を回避でき、露光精度の向上を図ることができる。
なお、試料を構成する主要物質としては、上記例示のシ
リコンの他に例えばアルミやタングステンシリサイドな
どがあり、また、ミラーの材質も上記例示のプラチナの
他にベリリウム（Ｂｅ）やＳiＯ2酸化膜などがある。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＯＲ光のスペクトル
成分を適正化でき、オージェ電子を抑制して露光精度を
向上することができる。
成分を適正化でき、オージェ電子を抑制して露光精度を
向上することができる。
【図１】一実施例の要部構成図である。
【図２】一実施例のスペクトル波形図である。
【図３】一実施例のミラー角度ごとのスペクトル波形図
である。
である。
【図４】一実施例のミラー角度ごとの長波長側のパワー
比を示す図である。
比を示す図である。
【図５】従来例の蓄積リングと露光装置の接続概念図で
ある。
ある。
【図６】従来例のＳＯＲ光スペクトル波形図である。
【図７】従来例の露光処理概念図である。
１０：試料 ２３：シンクロトロン放射光 λａ：吸収端の波長 ＰS：短波長側のピーク（スペクトルの短波長成分） ＰL：長波長側のピーク（スペクトルの長波長成分）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 13/04 Ｕ 9014−2Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】シンクロトロン放射光を利用して試料を露
光する露光装置において、 前記試料を構成する物質に固有の吸収端の波長を境界
に、 前記シンクロトロン放射光スペクトルの波長成分を前記
吸収端よりも短波長側の短波長成分と長波長側の長波長
成分とに分離するとともに、 該スペクトル中に占める短波長成分の割合を長波長成分
よりも少なくすることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312036A JPH05152192A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312036A JPH05152192A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152192A true JPH05152192A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18024453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3312036A Withdrawn JPH05152192A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152192A (ja) |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP3312036A patent/JPH05152192A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4837794A (en) | Filter apparatus for use with an x-ray source | |
| US6333966B1 (en) | Laser accelerator femtosecond X-ray source | |
| US6590959B2 (en) | High-intensity sources of short-wavelength electromagnetic radiation for microlithography and other uses | |
| US4028547A (en) | X-ray photolithography | |
| WO1998057335A1 (en) | Thin radiators in a recycled electron beam | |
| US4085329A (en) | Hard X-ray and fluorescent X-ray detection of alignment marks for precision mask alignment | |
| US5327475A (en) | Soft x-ray submicron lithography using multiply charged ions | |
| US5815517A (en) | Method and apparatus for generating super hard laser | |
| EP0887639B1 (en) | X-ray fluorescence measuring system making use of polarized excitation radiation, and X-ray tube | |
| EP0105261B1 (en) | Providing x-rays | |
| JPH05152192A (ja) | 露光装置 | |
| US3821579A (en) | X ray source | |
| JP2002139758A (ja) | 光短波長化装置 | |
| JP2530591B2 (ja) | 大電流密度の電子放出に適するパルス状レ−ザ−光励起による電子源装置 | |
| US5892810A (en) | X-ray source for lithography | |
| JPH0760654B2 (ja) | イオンビ−ム発生方法および装置 | |
| US10785859B2 (en) | Generating extreme ultraviolet radiation with nanoscale antennas | |
| JPH10260300A (ja) | 光学装置及び光短波長化方法 | |
| US20080152090A1 (en) | Euv Light Source | |
| JP3673431B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
| JPH10326928A (ja) | 光短波長化装置及び光短波長化方法 | |
| EP0058137A2 (en) | Apparatus for providing X-rays | |
| JPH05283320A (ja) | シンクロトロン放射装置 | |
| Piestrup et al. | Increased x‐ray power from a transition‐radiation source | |
| Toubhans et al. | X-ray lithography with laser-plasma sources |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |