JPH05152655A - 光フアイバ増幅器 - Google Patents
光フアイバ増幅器Info
- Publication number
- JPH05152655A JPH05152655A JP31696491A JP31696491A JPH05152655A JP H05152655 A JPH05152655 A JP H05152655A JP 31696491 A JP31696491 A JP 31696491A JP 31696491 A JP31696491 A JP 31696491A JP H05152655 A JPH05152655 A JP H05152655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- optical fiber
- doped
- fiber
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｐｒ3+ドープ光ファイバ増幅器の励起波長を
通常の半導体レーザで励起可能な波長帯に移動させて、
小型で実用性のある１．３μｍ帯用光ファイバ増幅器を
得る。 【構成】 光ファイバとしてＰｒ3+およびＹｂ3+をコア
中にドープし、一端面に第１のレーザミラー７を、他端
面に第２のレーザミラー８を設けた赤外ファイバを増幅
用ファイバ４として用い、波長８００〜９８０ｎｍの励
起光源１を用いて、該赤外ファイバ４を励起する。
通常の半導体レーザで励起可能な波長帯に移動させて、
小型で実用性のある１．３μｍ帯用光ファイバ増幅器を
得る。 【構成】 光ファイバとしてＰｒ3+およびＹｂ3+をコア
中にドープし、一端面に第１のレーザミラー７を、他端
面に第２のレーザミラー８を設けた赤外ファイバを増幅
用ファイバ４として用い、波長８００〜９８０ｎｍの励
起光源１を用いて、該赤外ファイバ４を励起する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、波長１．３μｍ帯で動
作する光通信用半導体レーザ励起光ファイバ増幅器に関
するものである。
作する光通信用半導体レーザ励起光ファイバ増幅器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ファイバのコアに希土類イオ
ン、特にＥｒ3+イオンをドープし４ｆ殻内遷移の誘導放
出を用いた光ファイバ増幅器の研究が精力的に行われ、
１．５μｍ帯の光通信システムへの応用が進められてい
る。希土類ドープ光ファイバ増幅器は、高利得で且つ偏
波に依存しない利得特性を有し、また低い雑音指数及び
広帯域な波長特性を有するため、光通信システムにおけ
る応用が魅力あるものとなっている。
ン、特にＥｒ3+イオンをドープし４ｆ殻内遷移の誘導放
出を用いた光ファイバ増幅器の研究が精力的に行われ、
１．５μｍ帯の光通信システムへの応用が進められてい
る。希土類ドープ光ファイバ増幅器は、高利得で且つ偏
波に依存しない利得特性を有し、また低い雑音指数及び
広帯域な波長特性を有するため、光通信システムにおけ
る応用が魅力あるものとなっている。
【０００３】一方、石英系光ファイバの波長分散が零と
なる１．３μｍ帯は、１．５μｍ帯と並んで光通信では
重要な波長帯であり、この１．３μｍ帯で動作する光フ
ァイバ増幅器の研究がＮｄ3+イオンをドープした石英系
光ファイバやフッ化物系光ファイバを用いて行われてき
た。しかしながら、前記両ファイバとも光通信に使用さ
れる１．３１μｍではＮｄ3+イオンのExcited State Ab
sorption(ESA)が大きいため、例えば、W.J.Minisca1(0,
L.J.Andrews,B.A.Thompson,R.S.Quiby,L.J.B.Vacha and
M,G,Drexhage,“Electron.Lett.”1Vol 24,1988,P.28)
又はY.Miyajima,T.Komukai,Y.Sugawa and Y.Katsuyama,
“Technica1 Digest Optica Fiber Communition Conter
enie’90 San Francisco”(1990,PD16)等に記載されて
いるように光増幅が確認されていない。
なる１．３μｍ帯は、１．５μｍ帯と並んで光通信では
重要な波長帯であり、この１．３μｍ帯で動作する光フ
ァイバ増幅器の研究がＮｄ3+イオンをドープした石英系
光ファイバやフッ化物系光ファイバを用いて行われてき
た。しかしながら、前記両ファイバとも光通信に使用さ
れる１．３１μｍではＮｄ3+イオンのExcited State Ab
sorption(ESA)が大きいため、例えば、W.J.Minisca1(0,
L.J.Andrews,B.A.Thompson,R.S.Quiby,L.J.B.Vacha and
M,G,Drexhage,“Electron.Lett.”1Vol 24,1988,P.28)
又はY.Miyajima,T.Komukai,Y.Sugawa and Y.Katsuyama,
“Technica1 Digest Optica Fiber Communition Conter
enie’90 San Francisco”(1990,PD16)等に記載されて
いるように光増幅が確認されていない。
【０００４】このような状況から１．３１μｍで増幅作
用を有する光ファイバ増幅器の実現が強く望まれてお
り、その候補の一つとして、Y.Ohishi,T.Kanamori.T.Ki
tagawa,S.Takahashi,E.Snitzer and G.H,Sige1 Jr “Te
chnica1 Digest Optica1 FiberCommunication conteren
ce’91 San Diego”(1991,PD2)において、ＺｒＦ4系の
フッ化物ガラスをホスト材料としてＰｒ3+をドープした
光ファイバを用いた光ファイバ増幅器が提案されてい
る。この光ファイバ増幅器は図２に示すＰｒ3+イオンの
エルネギダイヤグラムからわかるようにＰｒ3+イオンの
Ｇ4→3Ｈ5遷移の誘導放出を利用したものである。
用を有する光ファイバ増幅器の実現が強く望まれてお
り、その候補の一つとして、Y.Ohishi,T.Kanamori.T.Ki
tagawa,S.Takahashi,E.Snitzer and G.H,Sige1 Jr “Te
chnica1 Digest Optica1 FiberCommunication conteren
ce’91 San Diego”(1991,PD2)において、ＺｒＦ4系の
フッ化物ガラスをホスト材料としてＰｒ3+をドープした
光ファイバを用いた光ファイバ増幅器が提案されてい
る。この光ファイバ増幅器は図２に示すＰｒ3+イオンの
エルネギダイヤグラムからわかるようにＰｒ3+イオンの
Ｇ4→3Ｈ5遷移の誘導放出を利用したものである。
【０００５】ところで、光ファイバ増幅器を光通信シス
テムで使用する場合、構成を小型にするため半導体レー
ザで励起することが不可欠であるが、Ｐｒ3+ドープファ
イバ増幅器の励起波長である１．０１７μｍで発振する
高出力で安定な半導体レーザが入手が困難であるため、
Ｐｒ3+ドープファイバ増幅器を光通信システム中で実際
に応用することは難しい状況にあった。
テムで使用する場合、構成を小型にするため半導体レー
ザで励起することが不可欠であるが、Ｐｒ3+ドープファ
イバ増幅器の励起波長である１．０１７μｍで発振する
高出力で安定な半導体レーザが入手が困難であるため、
Ｐｒ3+ドープファイバ増幅器を光通信システム中で実際
に応用することは難しい状況にあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、Ｐｒ3+ドープ光ファイバ増幅器の励起波長を
通常の半導体レーザで励起可能な波長帯に移動させて、
小型で実用性のある１．３μｍ帯用Ｐｒ3+ドープ光ファ
イバ増幅器を提供することにある。
る課題は、Ｐｒ3+ドープ光ファイバ増幅器の励起波長を
通常の半導体レーザで励起可能な波長帯に移動させて、
小型で実用性のある１．３μｍ帯用Ｐｒ3+ドープ光ファ
イバ増幅器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、光ファイ
バとして、Ｐｒ3+およびＹｂ3+をコア中にドープし、一
端面に第１のレーザミラーを、他端面に第２のレーザミ
ラーを設けた赤外ファイバを用い、励起光として波長８
００〜９８０ｍｍの光を用いることで解決される。
バとして、Ｐｒ3+およびＹｂ3+をコア中にドープし、一
端面に第１のレーザミラーを、他端面に第２のレーザミ
ラーを設けた赤外ファイバを用い、励起光として波長８
００〜９８０ｍｍの光を用いることで解決される。
【０００８】以下、本発明を詳しく説明する。本発明
は、コア中にＰｒ3+とともにＹｂ3+をコドープし、Ｙｂ
3+の１．０１７μｍのレーザ発振によりコア内のＰｒ3+
を励起して１．３μｍ帯の増幅させることを主要な特徴
とする。Ｙｂ3+は、2Ｆ5/2→2Ｆ7/2遷移による発光を
０．９〜１．１μｍにかけて有し、また、2Ｆ7/2−2Ｆ
5/2遷移による吸収を０．８〜０．９８μｍに持つた
め、この波長帯の光で励起し、１．１０７μｍでレーザ
発振させることが可能である。また、０．８〜０．９８
μｍの波長域で発振する高出力な半導体レーザは入手可
能であり、コア中にＰｒ3+およびＹｂ3+をコドープした
ファイバの両端面にＹｂ3+が１．０７μｍで発振するよ
うな第１および第２のレーザミラーを設け、０．８〜
０．９８μｍの波長で励起すれば、ファイバ内にとじこ
められているＹｂ3+のレーザ発振光でＰｒ3+が効率良く
励起されるため、１．３μｍ帯で動作する半導体レーザ
励起Ｐｒ3+ドープ光ファイバ増幅器を構成することがで
きる。
は、コア中にＰｒ3+とともにＹｂ3+をコドープし、Ｙｂ
3+の１．０１７μｍのレーザ発振によりコア内のＰｒ3+
を励起して１．３μｍ帯の増幅させることを主要な特徴
とする。Ｙｂ3+は、2Ｆ5/2→2Ｆ7/2遷移による発光を
０．９〜１．１μｍにかけて有し、また、2Ｆ7/2−2Ｆ
5/2遷移による吸収を０．８〜０．９８μｍに持つた
め、この波長帯の光で励起し、１．１０７μｍでレーザ
発振させることが可能である。また、０．８〜０．９８
μｍの波長域で発振する高出力な半導体レーザは入手可
能であり、コア中にＰｒ3+およびＹｂ3+をコドープした
ファイバの両端面にＹｂ3+が１．０７μｍで発振するよ
うな第１および第２のレーザミラーを設け、０．８〜
０．９８μｍの波長で励起すれば、ファイバ内にとじこ
められているＹｂ3+のレーザ発振光でＰｒ3+が効率良く
励起されるため、１．３μｍ帯で動作する半導体レーザ
励起Ｐｒ3+ドープ光ファイバ増幅器を構成することがで
きる。
【０００９】
【実施例】以下、実施例により具体的に説明する。図１
は、本発明の光ファイバ増幅器の一実施例であり、図中
符号１は励起光源（発振波長８４０ｎｍのＡｌＧａＡｓ
半導体レーザ）、２は信号光源（発振波長１．３１μｍ
のＤＦＢレーザ）、３は光カップラ、４は増幅用ファイ
バ、５は光ファイバピグテイル、６は光スペクトラムア
ナライザである。増幅用ファイバ４のコア径は２μｍ，
コア・クラッド間屈折率差は３．５％であり、コア中に
５００ｐｐｍのＰｒ3+と５００ｐｐｍのＹｂ3+とがコド
ープされており、長さは１０ｍである。また、光カップ
ラ３と結合した増幅用ファイバ４の一端面には波長８４
０ｎｍで透過率９９％以上で１０００ｎｍ以上の波長域
で反射率９９％以上の誘電体多層膜の第１のレーザミラ
ー７が設けられ、ファイバ４の他端面には、１．３μｍ
帯で透過率が９９％以上、１０５０ｎｍ以下で、反射率
が９０％の誘電体多層膜の第２のレーザミラー８が設け
られている。増幅用ファイバ４の素材はＺｒＦ4−Ｂａ
Ｆ2−ＬａＦ3−ＹＦ3−ＬｉＦ−ＮａＦ系ガラスであ
り、コアガラスとしては同ガラスにＰｂＦ2をドープし
たものを使用した。上記第１のレーザミラー７として
は、通常波長８００〜９８０ｎｍで透過率が高く、かつ
波長１０００ｎｍ以上で反射率が高いレーザミラーが用
いられ、第２のレーザミラー８としては、波長１０５０
ｎｍ以下で反射率が高く、かつ１３００ｎｍは近で透過
率が高いものが用いられる。
は、本発明の光ファイバ増幅器の一実施例であり、図中
符号１は励起光源（発振波長８４０ｎｍのＡｌＧａＡｓ
半導体レーザ）、２は信号光源（発振波長１．３１μｍ
のＤＦＢレーザ）、３は光カップラ、４は増幅用ファイ
バ、５は光ファイバピグテイル、６は光スペクトラムア
ナライザである。増幅用ファイバ４のコア径は２μｍ，
コア・クラッド間屈折率差は３．５％であり、コア中に
５００ｐｐｍのＰｒ3+と５００ｐｐｍのＹｂ3+とがコド
ープされており、長さは１０ｍである。また、光カップ
ラ３と結合した増幅用ファイバ４の一端面には波長８４
０ｎｍで透過率９９％以上で１０００ｎｍ以上の波長域
で反射率９９％以上の誘電体多層膜の第１のレーザミラ
ー７が設けられ、ファイバ４の他端面には、１．３μｍ
帯で透過率が９９％以上、１０５０ｎｍ以下で、反射率
が９０％の誘電体多層膜の第２のレーザミラー８が設け
られている。増幅用ファイバ４の素材はＺｒＦ4−Ｂａ
Ｆ2−ＬａＦ3−ＹＦ3−ＬｉＦ−ＮａＦ系ガラスであ
り、コアガラスとしては同ガラスにＰｂＦ2をドープし
たものを使用した。上記第１のレーザミラー７として
は、通常波長８００〜９８０ｎｍで透過率が高く、かつ
波長１０００ｎｍ以上で反射率が高いレーザミラーが用
いられ、第２のレーザミラー８としては、波長１０５０
ｎｍ以下で反射率が高く、かつ１３００ｎｍは近で透過
率が高いものが用いられる。
【００１０】励起光源１より８４０ｎｍのレーザ光２０
０ｍＷを入射させると増幅用ファイバ４より波長１．０
１７μｍでのレーザ発振が確認できた。このとき、ファ
イバ両端面に施されたレーザミラー７，８の反射率が
１．０１７μｍで高いため、１．０１７μｍのレーザ光
はその一部がファイバ外に出射されるのみであり、ほと
んどのレーザパワーはファイバ４内にとじ込められる。
従って、コア内にドープされたＰｒ3+は効率良くＧ4レ
ベルに励起される。信号光源２からの波長１．３１μｍ
の信号光を光カップラ３を介して増幅用ファイバ４に入
射させ、励起光源１のオン／オフ時の出力信号光を光フ
ァイバピクテイル５を介して光スペクトルアナライザ６
に導き、その強度比より信号利得を求めた。２００ｍＷ
の励起光（波長８４０ｎｍ）を入射したとき、２０ｄＢ
の信号利得が得られた。
０ｍＷを入射させると増幅用ファイバ４より波長１．０
１７μｍでのレーザ発振が確認できた。このとき、ファ
イバ両端面に施されたレーザミラー７，８の反射率が
１．０１７μｍで高いため、１．０１７μｍのレーザ光
はその一部がファイバ外に出射されるのみであり、ほと
んどのレーザパワーはファイバ４内にとじ込められる。
従って、コア内にドープされたＰｒ3+は効率良くＧ4レ
ベルに励起される。信号光源２からの波長１．３１μｍ
の信号光を光カップラ３を介して増幅用ファイバ４に入
射させ、励起光源１のオン／オフ時の出力信号光を光フ
ァイバピクテイル５を介して光スペクトルアナライザ６
に導き、その強度比より信号利得を求めた。２００ｍＷ
の励起光（波長８４０ｎｍ）を入射したとき、２０ｄＢ
の信号利得が得られた。
【００１１】この実施例では、励起波長を８４０ｎｍと
したが、励起波長は半導体レーザ励起可能な８００〜９
８０ｎｍのいずれの波長を用いても良い。また、増幅用
ファイバ４のガラスとしてＺｒＦ4系のフッ化物ガラス
を用いたが、他のフッ化物ガラスたとえばＩｎＦ3系，
ＺｒＦ2系，ＡｌＦ3系ガラス（泉谷徹監修，“新しいガ
ラスとその物性”第１６章，経営システム研究所発行、
１９８４年又はTomozawa and Doremus編“Treatise on
materiais science and Technology”volume２６，第４
章．Academic Press,Inc.１９８５．又はAggorwal and
Lu編“Fluorideglass fiber optics”第１章 Academic
Press,Inc.１９９１等を参照）の赤外ガラスを用いても
良く、また、フッ化物ガラス以外にＴｈＣｌ4−ＰｂＣ
ｌ2−ＮａＣｌ系等の塩化物ガラス、ＡｇＢｒ−ＰｂＢ
ｒ2−ＣｓＢｒ−ＣｄＢｒ2系の臭化物ガラス、Ｃｄ−Ｂ
ａＣｌ2−ＮａＣｌ系，フッ化−塩化物ガラス，ＺｒＢ
ｒ2−ＴｌＢｒ−ＴｌＩ系の臭化−ヨウ化物ガラス
（“ニューガラスハンドブック”ニューガラスハンドブ
ック編集委員会編，丸善株式会社，１９９１年参照）又
はＧｅ−Ｓ系，Ａｓ−Ｓ系，Ｇｅ−Ｐ−Ｓ系，Ａｓ−Ｇ
ｅ−Ｓ系カルコゲナイドガラス等の赤外ガラスを用いて
も良く、ＺｒＦ4系ガラスに限定されるわけではない。
したが、励起波長は半導体レーザ励起可能な８００〜９
８０ｎｍのいずれの波長を用いても良い。また、増幅用
ファイバ４のガラスとしてＺｒＦ4系のフッ化物ガラス
を用いたが、他のフッ化物ガラスたとえばＩｎＦ3系，
ＺｒＦ2系，ＡｌＦ3系ガラス（泉谷徹監修，“新しいガ
ラスとその物性”第１６章，経営システム研究所発行、
１９８４年又はTomozawa and Doremus編“Treatise on
materiais science and Technology”volume２６，第４
章．Academic Press,Inc.１９８５．又はAggorwal and
Lu編“Fluorideglass fiber optics”第１章 Academic
Press,Inc.１９９１等を参照）の赤外ガラスを用いても
良く、また、フッ化物ガラス以外にＴｈＣｌ4−ＰｂＣ
ｌ2−ＮａＣｌ系等の塩化物ガラス、ＡｇＢｒ−ＰｂＢ
ｒ2−ＣｓＢｒ−ＣｄＢｒ2系の臭化物ガラス、Ｃｄ−Ｂ
ａＣｌ2−ＮａＣｌ系，フッ化−塩化物ガラス，ＺｒＢ
ｒ2−ＴｌＢｒ−ＴｌＩ系の臭化−ヨウ化物ガラス
（“ニューガラスハンドブック”ニューガラスハンドブ
ック編集委員会編，丸善株式会社，１９９１年参照）又
はＧｅ−Ｓ系，Ａｓ−Ｓ系，Ｇｅ−Ｐ−Ｓ系，Ａｓ−Ｇ
ｅ−Ｓ系カルコゲナイドガラス等の赤外ガラスを用いて
も良く、ＺｒＦ4系ガラスに限定されるわけではない。
【００１２】ファイバ材料として要求される条件は、Ｐ
ｒ3+の1Ｇ4レベルがフォノン緩和によってクウェンチン
グされないようにそのフォノンエネルギが５００ｃｍ-1
以下であることが望ましい。上記のガラスは全てこの条
件を満している。また、Ｐｒ3+の励起波長（1Ｇ4レベル
の位置）はＺｒＦ4系ガラス中では１．０１７μｍであ
るが、他のガラス中ではそれは異なる波長に移動する。
しかし、ホストガラスが変っても励起波長は１．０から
１．０５μｍの間のいずれかの波長となる。したがって
ファイバのガラス系を変えた場合ファイバ両端面に設け
るレーザミラーの特性は、そのガラス系におけるＰｒ3+
励起波長でＹｂ3+が発振するように変化させれば良い。
ｒ3+の1Ｇ4レベルがフォノン緩和によってクウェンチン
グされないようにそのフォノンエネルギが５００ｃｍ-1
以下であることが望ましい。上記のガラスは全てこの条
件を満している。また、Ｐｒ3+の励起波長（1Ｇ4レベル
の位置）はＺｒＦ4系ガラス中では１．０１７μｍであ
るが、他のガラス中ではそれは異なる波長に移動する。
しかし、ホストガラスが変っても励起波長は１．０から
１．０５μｍの間のいずれかの波長となる。したがって
ファイバのガラス系を変えた場合ファイバ両端面に設け
るレーザミラーの特性は、そのガラス系におけるＰｒ3+
励起波長でＹｂ3+が発振するように変化させれば良い。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の光ファ
イバ増幅器にあっては、Ｐｒ3+とＹｂ3+とをコドープし
た赤外ファイバを用いているので、Ｐｒ3+を励起する波
長を高出力半導体レーザが入手可能な８００〜９８０ｎ
ｍの波長に移動させることができ、半導体レーザ励起Ｐ
ｒ3+ドープ光ファイバ増幅器を構成することが可能とな
る。従って、この増幅器を１．３μｍ帯の光通信システ
ムに導入すればシステムの高性能化，経済化ができると
いう利点がある。
イバ増幅器にあっては、Ｐｒ3+とＹｂ3+とをコドープし
た赤外ファイバを用いているので、Ｐｒ3+を励起する波
長を高出力半導体レーザが入手可能な８００〜９８０ｎ
ｍの波長に移動させることができ、半導体レーザ励起Ｐ
ｒ3+ドープ光ファイバ増幅器を構成することが可能とな
る。従って、この増幅器を１．３μｍ帯の光通信システ
ムに導入すればシステムの高性能化，経済化ができると
いう利点がある。
【図１】本発明の光ファイバ増幅器の一実施例を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】Ｐｒ3+イオンのエネルギダイヤクラムである。
１ 励起光源 ２ 信号光源 ３ 光カップラ ４ 増幅用ファイバ ７ 第１のレーザミラー ８ 第２のレーザミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 光により励起する増幅媒体としてコア中
に希土類イオンをドープした光ファイバを用いる光増幅
器において、 光ファイバとして、Ｐｒ3+およびＹｂ3+をコア中にドー
プし、一端面に第１のレーザミラーを、他端面に第２の
レーザミラーを設けた赤外ファイバを用いてなり、励起
光として波長８００〜９８０ｍｍの光を用いることを特
徴とする光ファイバ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31696491A JPH05152655A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光フアイバ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31696491A JPH05152655A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光フアイバ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152655A true JPH05152655A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18082904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31696491A Pending JPH05152655A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光フアイバ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152655A (ja) |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31696491A patent/JPH05152655A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5084880A (en) | Erbium-doped fluorozirconate fiber laser pumped by a diode laser source | |
| EP0582601B1 (en) | Praseodymium doped waveguide lasers | |
| US5185749A (en) | Large signal three-level superfluorescent fiber sources | |
| JP2007511100A (ja) | クラッド励起の準３準位ファイバレーザ／増幅器 | |
| US20020181511A1 (en) | Laser amplifier | |
| JP3461358B2 (ja) | ドープされた活性光ファイバを有する光増幅器 | |
| US20040109225A1 (en) | Multi-mode pumped ase source using phosphate and tellurite glasses | |
| JP3277494B2 (ja) | 増幅用光ファイバ及びこれを用いた１．３μｍ帯用光ファイバ増幅器 | |
| JPH0359547A (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| US5638204A (en) | Optical power amplifier with Al2 O3 and erbium doped active fiber | |
| US6853480B2 (en) | Optical amplifier | |
| JP2937285B2 (ja) | 光増幅器 | |
| JPH05152655A (ja) | 光フアイバ増幅器 | |
| JP2857218B2 (ja) | ファイバレーザ媒質およびこれを用いた光増幅器 | |
| JPH0818137A (ja) | 高出力光増幅器 | |
| JP2772348B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| EP1030416A2 (en) | Laser amplifier and laser oscillator | |
| JP2665572B2 (ja) | 能動媒質からなる光導波路を含む光源とその製造方法 | |
| JP3296195B2 (ja) | レーザ、光増幅器、および光増幅方法 | |
| JP3635065B2 (ja) | 光ファイバ増幅器 | |
| JP3175847B2 (ja) | 双方向励起光増幅器 | |
| JPH0563284A (ja) | 光増幅器 | |
| JPH0818129A (ja) | 希土類イオン添加短波長レーザ光源装置及び希土類イオン添加光増幅器 | |
| JPH081504B2 (ja) | １．３μｍ帯光増幅器 | |
| JPH0563285A (ja) | 光増幅器 |