JPH0515283B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0515283B2 JPH0515283B2 JP26349288A JP26349288A JPH0515283B2 JP H0515283 B2 JPH0515283 B2 JP H0515283B2 JP 26349288 A JP26349288 A JP 26349288A JP 26349288 A JP26349288 A JP 26349288A JP H0515283 B2 JPH0515283 B2 JP H0515283B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- conductor pattern
- inductance
- conductor
- conductor patterns
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層インダクタ、特にバイアス電流
によつてインダクタンスを可変する、電流制御型
の積層インダクタとそのインダクタンスの調整方
法に関するものである。
によつてインダクタンスを可変する、電流制御型
の積層インダクタとそのインダクタンスの調整方
法に関するものである。
電子部品の小型化、薄型化等の要求に伴い、イ
ンダクタの分野でも磁性体セラミツク内に導体パ
ターンを一体に形成した、積層インダクタが用い
られるようになつている。
ンダクタの分野でも磁性体セラミツク内に導体パ
ターンを一体に形成した、積層インダクタが用い
られるようになつている。
印刷あるいはグリーンシートを積層して焼成す
ると、そのインダクタンス値は一定となつてしま
うので、調整のために磁性体層を削つてトリミン
グを行うか、磁性体に凹部を形成して磁性体コア
を挿入する方法等が考えられている。
ると、そのインダクタンス値は一定となつてしま
うので、調整のために磁性体層を削つてトリミン
グを行うか、磁性体に凹部を形成して磁性体コア
を挿入する方法等が考えられている。
しかし、機械的な加工が必要となり、また微調
整が難しく、信頼性の面でも問題がある。
整が難しく、信頼性の面でも問題がある。
そこで、発明者等は電流制御型の積層インダク
タを特願昭63−232867において提案した。これは
第７図に示したように、磁性体層７０内に主巻線
となる成る導体パターン７１と制御巻線となる導
体パターン７２を近接して形成し、導体パターン
７２に印加する直流バイアス電流によつて導体パ
ターン７１の周囲を磁界を変化させ、インダクタ
ンス値を変化させるものである。通常、直流電流
を大きくすることによつてインダクタンスを減少
させるように動作する。
タを特願昭63−232867において提案した。これは
第７図に示したように、磁性体層７０内に主巻線
となる成る導体パターン７１と制御巻線となる導
体パターン７２を近接して形成し、導体パターン
７２に印加する直流バイアス電流によつて導体パ
ターン７１の周囲を磁界を変化させ、インダクタ
ンス値を変化させるものである。通常、直流電流
を大きくすることによつてインダクタンスを減少
させるように動作する。
上記のような電流制御型の積層インダクタにお
いて、直流バイアス電流を増加させるにしたがつ
て磁心が飽和に近づき、実効的な透磁率が下がつ
てインダクタンスが小さくなる。しかし、飽和の
始まる点において、大入力時、正の半サイクルと
負の半サイクルでインダクタンスの実効値が変わ
るため、出力波形に歪みを生じる。
いて、直流バイアス電流を増加させるにしたがつ
て磁心が飽和に近づき、実効的な透磁率が下がつ
てインダクタンスが小さくなる。しかし、飽和の
始まる点において、大入力時、正の半サイクルと
負の半サイクルでインダクタンスの実効値が変わ
るため、出力波形に歪みを生じる。
本発明は、このような特性の劣化を防止し、可
変範囲において安定した特性を得ようとするもの
である。
変範囲において安定した特性を得ようとするもの
である。
本発明は、主磁路の飽和を利用することなく、
バイアス電流の増加に伴つてインダクタンスを上
げることのできる構造および方法によつて、上記
の課題を解決するものである。
バイアス電流の増加に伴つてインダクタンスを上
げることのできる構造および方法によつて、上記
の課題を解決するものである。
すなわち、磁性体層間を端部が接続されて積層
方向に重畳して周回する導体パターンを具えた積
層インダクタにおいて、該導体パターンが、幅方
向の一部分は対向するように、一層置きに交互に
位置をずらせて形成されれたことに特徴を有する
ものである。
方向に重畳して周回する導体パターンを具えた積
層インダクタにおいて、該導体パターンが、幅方
向の一部分は対向するように、一層置きに交互に
位置をずらせて形成されれたことに特徴を有する
ものである。
また、磁性体層間を端部が接続されて積層方向
に重畳して周回する導体パターンを具えた積層イ
ンダクタのインダクタンス調整方法において、該
導体パターンが、幅方向の一部分は対向するよう
に、一層置きに交互に位置をずらせて形成し、該
導体パターンに直流バイアス電流を交流信号に重
畳して印加して、該導体パターン間の磁気抵抗を
増減させ、それによつてインダクタンスを増減さ
せることに特徴を有するものである。
に重畳して周回する導体パターンを具えた積層イ
ンダクタのインダクタンス調整方法において、該
導体パターンが、幅方向の一部分は対向するよう
に、一層置きに交互に位置をずらせて形成し、該
導体パターンに直流バイアス電流を交流信号に重
畳して印加して、該導体パターン間の磁気抵抗を
増減させ、それによつてインダクタンスを増減さ
せることに特徴を有するものである。
更に、直流バイアス電流を重畳するものだけで
なく、制御巻線を有する積層インダクタにおいて
も適用可能である。
なく、制御巻線を有する積層インダクタにおいて
も適用可能である。
その上、導体パターン間を高い透磁率の磁性体
で置換することによつて、より効率的にインダク
タンスを変えることができる。
で置換することによつて、より効率的にインダク
タンスを変えることができる。
導体パターンがずれているので、バイアスが印
加されないとき、あるいは小さいときには、各導
体パターンにおいて周囲に発生する磁束は、打ち
消し合わない。そのため、巻線において発生する
磁束の洩れが大きくなる。したがつて、インダク
タンス値は小さくなる。
加されないとき、あるいは小さいときには、各導
体パターンにおいて周囲に発生する磁束は、打ち
消し合わない。そのため、巻線において発生する
磁束の洩れが大きくなる。したがつて、インダク
タンス値は小さくなる。
バイアス電流の増加に伴つて導体パターン間の
磁気抵抗が増加し、それに伴つて主磁路の磁束が
増加する。その結果、インダクタンス値は高くな
る。
磁気抵抗が増加し、それに伴つて主磁路の磁束が
増加する。その結果、インダクタンス値は高くな
る。
第６図は、その原理の説明図で、直流バイアス
を印加しない最小値（LMIN）から、導体パターン
間の磁路が飽和した最大値（LMAX）までの範囲
で可変したものである。従来のように主磁路が飽
和した状体で変化させるのでなく、未飽和の状態
で変化させるものである。
を印加しない最小値（LMIN）から、導体パターン
間の磁路が飽和した最大値（LMAX）までの範囲
で可変したものである。従来のように主磁路が飽
和した状体で変化させるのでなく、未飽和の状態
で変化させるものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す正面断面図で
ある。フエライトの磁性体１０が積層されたもの
でその内部に銀−パラジウム等による導体パター
ン１１が、磁性体層間を接続されながら積層方向
に重畳した周回するように形成されている。これ
によつて、磁性体層１０内に導体パターン１１が
形成されて、閉磁路型のインダクタとなる。
ある。フエライトの磁性体１０が積層されたもの
でその内部に銀−パラジウム等による導体パター
ン１１が、磁性体層間を接続されながら積層方向
に重畳した周回するように形成されている。これ
によつて、磁性体層１０内に導体パターン１１が
形成されて、閉磁路型のインダクタとなる。
導体パターン２１は、一層毎に位置をずらして
形成してある。ただし、少なくとも幅方向の一部
が対向し、積層方向に重なり合うようにする。
形成してある。ただし、少なくとも幅方向の一部
が対向し、積層方向に重なり合うようにする。
このように導体パターンをずらすと、隣り合う
導体パターンで発生し、導体パターンの周囲を回
る磁束の重なる部分では、各方向の成分が同じに
はならず、打ち消し合うことがない。そのため、
導体パターン間は実効的に磁気抵抗が小さくなつ
て、洩れ磁束も多くなり、インダクタンス値は小
さくなる。
導体パターンで発生し、導体パターンの周囲を回
る磁束の重なる部分では、各方向の成分が同じに
はならず、打ち消し合うことがない。そのため、
導体パターン間は実効的に磁気抵抗が小さくなつ
て、洩れ磁束も多くなり、インダクタンス値は小
さくなる。
上記のような構造のインダクタに、第２図にし
めしたように、直流バイアス電流を交流信号に重
畳して印加する。これによつて、導体パターン間
の磁気抵抗は次第に増加する。すなわち、洩れ磁
束が少なくなり、インダクタの主磁路の磁束が増
加する。導体パターン間の磁路が飽和して実効的
な透磁率が小さくなると、第６図のLMAXの状態
となる。
めしたように、直流バイアス電流を交流信号に重
畳して印加する。これによつて、導体パターン間
の磁気抵抗は次第に増加する。すなわち、洩れ磁
束が少なくなり、インダクタの主磁路の磁束が増
加する。導体パターン間の磁路が飽和して実効的
な透磁率が小さくなると、第６図のLMAXの状態
となる。
第３図は、積層インダクタの導体パターン３１
間の対向し、積層方向に重なり合う部分を、磁性
体層３０よりも透磁率の高い磁性体３５で置換し
たものである。こうすると、初期の磁気抵抗をよ
り小さくし、磁束の洩れを大きくして、小さいイ
ンダクタンスを得ることができる。
間の対向し、積層方向に重なり合う部分を、磁性
体層３０よりも透磁率の高い磁性体３５で置換し
たものである。こうすると、初期の磁気抵抗をよ
り小さくし、磁束の洩れを大きくして、小さいイ
ンダクタンスを得ることができる。
第４図は、本発明の他の実施例を示す正面断面
図であり、主巻線と制御巻線を具えた積層インダ
クタの例である。磁性体層４０内に主巻線となる
導体パターン４１と、それと交互に入り組んだ構
造の制御巻線となる導体パターン４２を一体に形
成してある。導体パターン４１と導体パターン４
２は前記の例と同様に一部分が重なり合うように
ずらして形成してある。
図であり、主巻線と制御巻線を具えた積層インダ
クタの例である。磁性体層４０内に主巻線となる
導体パターン４１と、それと交互に入り組んだ構
造の制御巻線となる導体パターン４２を一体に形
成してある。導体パターン４１と導体パターン４
２は前記の例と同様に一部分が重なり合うように
ずらして形成してある。
制御巻線にあたる導体パターン４２には、第５
図に示したように、直流バイアス電流が印加さ
れ、その周囲の磁界に変化を生じる。それによつ
て、主巻線となる導体パターン４１の磁束を変化
させてインダクタンスを調整する。この場合に
も、導体パターンがずれているので、バイアス電
流が印加されないか、あるいは小さい状態では、
磁気抵抗が小さく、洩れ磁束が多くなつて主磁路
の磁束が少なくなる。したがつて、インダクタン
スは小さくなる。バイアス電流の増加に伴い、磁
気抵抗が次第に大きくなつて、洩れ磁束を減少さ
せる。これによつて、主磁路の磁束が増加し、イ
ンダクタンスは上昇する。すなわち、第６図に示
したようなインダクタンスの変化が生じる。
図に示したように、直流バイアス電流が印加さ
れ、その周囲の磁界に変化を生じる。それによつ
て、主巻線となる導体パターン４１の磁束を変化
させてインダクタンスを調整する。この場合に
も、導体パターンがずれているので、バイアス電
流が印加されないか、あるいは小さい状態では、
磁気抵抗が小さく、洩れ磁束が多くなつて主磁路
の磁束が少なくなる。したがつて、インダクタン
スは小さくなる。バイアス電流の増加に伴い、磁
気抵抗が次第に大きくなつて、洩れ磁束を減少さ
せる。これによつて、主磁路の磁束が増加し、イ
ンダクタンスは上昇する。すなわち、第６図に示
したようなインダクタンスの変化が生じる。
本発明によれば、主磁路が未飽和の状態でバイ
アス電流によつてインダクタンスを変化させるこ
とができる。したがつて、出力波形に歪みが生ぜ
ず、特性の良好な積層インダクタがえられる。
アス電流によつてインダクタンスを変化させるこ
とができる。したがつて、出力波形に歪みが生ぜ
ず、特性の良好な積層インダクタがえられる。
特に、微小なインダクタンスの可変が容易とな
り、高周波領域等の利用に適した積層インダクタ
が得られる。
り、高周波領域等の利用に適した積層インダクタ
が得られる。
第１図、第３図および第４図は本発明の実施例
の正面断面図、第２図と第５図はそのバイアス印
加状態の等価回路図、第６図は本発明による積層
インダクタの特性の説明図、第７図は従来の電流
制御型積層インダクタの正面断面図である。 １０，３０，４０……磁性体層、１１，３１，
４１……導体パターン（主巻線）、４２……導体
パターン（制御巻線）、３５……磁性体層（高透
磁率）。
の正面断面図、第２図と第５図はそのバイアス印
加状態の等価回路図、第６図は本発明による積層
インダクタの特性の説明図、第７図は従来の電流
制御型積層インダクタの正面断面図である。 １０，３０，４０……磁性体層、１１，３１，
４１……導体パターン（主巻線）、４２……導体
パターン（制御巻線）、３５……磁性体層（高透
磁率）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタにおいて、該導体パターンが、幅方向の一部
分は対向するように、一層置きに交互に位置をず
らせて形成されれたことを特徴とする積層インダ
クタ。 ２ 該導体パターンの対向する部分の少なくとも
一部が、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で
置換された請求項第１項記載の積層インダクタ。 ３ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタのインダクタンス調整方法において、該導体
パターンが、幅方向の一部分は対向するように、
一層置きに交互に位置をずらせて形成し、該導体
パターンに直流バイアス電流を重畳して印加し
て、該導体パターン間の磁気抵抗を増減させ、そ
れによつてインダクタンスを増減させることを特
徴とする積層インダクタのインダクタンス調整方
法。 ４ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタにおいて、該導体パターンに幅方向の一部分
は対向するように、一層置きに交互に位置をずら
せて形成された、磁性体層を端部が接続されて積
層方向に重畳して周回する、バイアス印加用の導
体パターンを具えたことを特徴とする積層インダ
クタ。 ５ 該導体パターンと該バイアス印加用の導体パ
ターンの対向する部分の少なくとも一部が、該磁
性体層よりも透磁率の高い磁性体で置換された請
求項第４項記載の積層インダクタ。 ６ 磁性体層間の端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタのインダクタンス調整方法において、該導体
パターンに幅方向の一部分は対向するように、一
層置きに交互に位置をずらせて、磁性体層を端部
が接続されて積層方向に重畳して周回する、バイ
アス印加用の導体パターンを一体に形成し、該バ
イアス印加用の導体パターンに直流バイアス電流
を印加して、導体パターン間の磁気抵抗を増減さ
せて、該導体パターンによるインダクタンスを増
減させることを特徴とする積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349288A JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349288A JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110907A JPH02110907A (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0515283B2 true JPH0515283B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=17390272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26349288A Granted JPH02110907A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110907A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520622Y2 (ja) * | 1990-11-20 | 1996-12-18 | 太陽誘電株式会社 | 積層型チップインダクタ |
| WO2021015097A1 (ja) * | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 株式会社村田製作所 | 樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法 |
| CN216721675U (zh) | 2019-07-19 | 2022-06-10 | 株式会社村田制作所 | 树脂多层基板 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP26349288A patent/JPH02110907A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110907A (ja) | 1990-04-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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