JPH05155684A - 成膜装置の清浄方法 - Google Patents
成膜装置の清浄方法Info
- Publication number
- JPH05155684A JPH05155684A JP3324363A JP32436391A JPH05155684A JP H05155684 A JPH05155684 A JP H05155684A JP 3324363 A JP3324363 A JP 3324363A JP 32436391 A JP32436391 A JP 32436391A JP H05155684 A JPH05155684 A JP H05155684A
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- JP
- Japan
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- cleaned
- cleaning
- nitric acid
- liquid
- forming apparatus
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体素子等に使用される成膜装
置の清浄方法に関するものであり、成膜装置に付着する
化合物（薄膜）を除去することを目的とする。 【構成】 本発明の清浄方法は、フッ素を含む化合物で
エッチングされた被清浄物１をフッ硝酸槽２に投入し、
フッ化イオンと不純物との反応生成物を、フッ酸と硝酸
を含む液体により分解反応させて除去する。次に、純水
清浄槽３に投入し、フッ酸と硝酸を含む液体を取り除
く。最後に、超音波清浄槽４に投入し、フッ素や硝酸を
含む液体またはガスでは除去できない炭素による被清浄
物の黒ずみを取り除く。 【効果】 被清浄体をフッ素を含むガスまたは液体を用
いて前記被清浄体を清浄する工程、フッ酸と硝酸を含む
液体またはガスを用いて前記被清浄体を清浄する工程、
純水または真空で前記被清浄体に付着したフッ酸と硝酸
を含む液体またはガスを取り除く工程により被清浄体を
再生できる優れた成膜装置の清浄を実現することができ
るものである。
置の清浄方法に関するものであり、成膜装置に付着する
化合物（薄膜）を除去することを目的とする。 【構成】 本発明の清浄方法は、フッ素を含む化合物で
エッチングされた被清浄物１をフッ硝酸槽２に投入し、
フッ化イオンと不純物との反応生成物を、フッ酸と硝酸
を含む液体により分解反応させて除去する。次に、純水
清浄槽３に投入し、フッ酸と硝酸を含む液体を取り除
く。最後に、超音波清浄槽４に投入し、フッ素や硝酸を
含む液体またはガスでは除去できない炭素による被清浄
物の黒ずみを取り除く。 【効果】 被清浄体をフッ素を含むガスまたは液体を用
いて前記被清浄体を清浄する工程、フッ酸と硝酸を含む
液体またはガスを用いて前記被清浄体を清浄する工程、
純水または真空で前記被清浄体に付着したフッ酸と硝酸
を含む液体またはガスを取り除く工程により被清浄体を
再生できる優れた成膜装置の清浄を実現することができ
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶ディ
スプレイ用ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トラン
ジスタ）、ラインセンサ、サーマルヘッド等の保護膜や
半導体薄膜に広く使用されている常圧、減圧、およびプ
ラズマＣＶＤ（化学気相蒸着）成膜装置の清浄方法に関
するものである。
スプレイ用ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トラン
ジスタ）、ラインセンサ、サーマルヘッド等の保護膜や
半導体薄膜に広く使用されている常圧、減圧、およびプ
ラズマＣＶＤ（化学気相蒸着）成膜装置の清浄方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】成膜装置は多結晶シリコン（ｐ−Ｓ
ｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）、及び窒化シリコン（ＳｉＮX）等の
シリコンを主成分とする薄膜を基板等に成膜するもので
ある。これら薄膜を成膜する場合には、成膜すべき基板
のみならず、本来成膜されるべきでない装置本体や基板
を支持するトレイにもその構成上、薄膜が同時に形成さ
れる。図３に成膜装置とトレイの外観図を示す。図３に
おいて１は成膜装置本体、２はトレイである。基板（図
示せず）以外に形成された薄膜は成膜時または基板温度
の上昇時に剥がれ易く、これが基板上に付着すると重大
な欠陥を起すことが従来から知られている。これを防ぐ
ために従来は成膜後毎回または何回か毎に付属部品を含
めて装置本体やトレイを清浄していた。
ｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）、及び窒化シリコン（ＳｉＮX）等の
シリコンを主成分とする薄膜を基板等に成膜するもので
ある。これら薄膜を成膜する場合には、成膜すべき基板
のみならず、本来成膜されるべきでない装置本体や基板
を支持するトレイにもその構成上、薄膜が同時に形成さ
れる。図３に成膜装置とトレイの外観図を示す。図３に
おいて１は成膜装置本体、２はトレイである。基板（図
示せず）以外に形成された薄膜は成膜時または基板温度
の上昇時に剥がれ易く、これが基板上に付着すると重大
な欠陥を起すことが従来から知られている。これを防ぐ
ために従来は成膜後毎回または何回か毎に付属部品を含
めて装置本体やトレイを清浄していた。
【０００３】また成膜装置本体は、ロボットを用いて基
板を出し入れするため複雑な基板搬送機構と連動してい
たり、有毒な原料ガスを使用するために装置内部を高真
空にしかも生産性を向上させるために短時間で排気する
必要があり、よりコンパクトな本体構造が要求されてい
る。したがって、これらを満足させるため成膜装置本体
及びトレイ等の付属部品は加工性のよい材料、例えばス
テンレス３０４，４３０など合金が使用されてきた。
板を出し入れするため複雑な基板搬送機構と連動してい
たり、有毒な原料ガスを使用するために装置内部を高真
空にしかも生産性を向上させるために短時間で排気する
必要があり、よりコンパクトな本体構造が要求されてい
る。したがって、これらを満足させるため成膜装置本体
及びトレイ等の付属部品は加工性のよい材料、例えばス
テンレス３０４，４３０など合金が使用されてきた。
【０００４】これら合金は切削や溶接などの加工によっ
て成分が変化することが知られている。
て成分が変化することが知られている。
【０００５】また装置本体等の清浄方法としてシリコン
を主成分とする薄膜をエッチングするため、ＣＦ4，Ｓ
Ｆ6，Ｃ1Ｆ3，ＮＦ3等のガスまたはＨＦ、水溶液などの
液体等、フッ素を含む化合物が広く用いられてきた。
を主成分とする薄膜をエッチングするため、ＣＦ4，Ｓ
Ｆ6，Ｃ1Ｆ3，ＮＦ3等のガスまたはＨＦ、水溶液などの
液体等、フッ素を含む化合物が広く用いられてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の方法では、いずれの場合も、装置本体等を十分には
清浄できず、シリコンとフッ素を含む化合物が装置本体
等の壁に付着されたままであった。これを取り除くため
純水で拭いても十分ではなく、特に合金の成分が変化し
易い加工部分で進行性酸化物、鉄でいえば赤錆、が発生
し装置本体の寿命を縮めていた。
来の方法では、いずれの場合も、装置本体等を十分には
清浄できず、シリコンとフッ素を含む化合物が装置本体
等の壁に付着されたままであった。これを取り除くため
純水で拭いても十分ではなく、特に合金の成分が変化し
易い加工部分で進行性酸化物、鉄でいえば赤錆、が発生
し装置本体の寿命を縮めていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の成膜装置の清浄方法は、珪素を主成分とする
薄膜を成膜する装置本体、または前記薄膜を堆積する基
板と前記基板を支持、搬送するトレイを被清浄体とし、
フッ素を含むガスまたは液体を用いて前記被清浄体を清
浄する工程と、フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを用
いて前記清浄体を清浄する工程と、純水または真空で前
記フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを取り除く工程と
からなるものである。
に本発明の成膜装置の清浄方法は、珪素を主成分とする
薄膜を成膜する装置本体、または前記薄膜を堆積する基
板と前記基板を支持、搬送するトレイを被清浄体とし、
フッ素を含むガスまたは液体を用いて前記被清浄体を清
浄する工程と、フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを用
いて前記清浄体を清浄する工程と、純水または真空で前
記フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを取り除く工程と
からなるものである。
【０００８】
【作用】この方法によって、まず被清浄体をフッ素を含
む化合物で清浄する。次にその際発生したフッ化イオン
とステンレスとの反応生成物を、フッ酸と硝酸を含む液
体により分解反応させて除去する。そして最後に純水ま
たは真空でフッ酸と硝酸を含む液体を取り除き、被清浄
体を再生させる。
む化合物で清浄する。次にその際発生したフッ化イオン
とステンレスとの反応生成物を、フッ酸と硝酸を含む液
体により分解反応させて除去する。そして最後に純水ま
たは真空でフッ酸と硝酸を含む液体を取り除き、被清浄
体を再生させる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】（実施例１ 被清浄物が基板以外の場合）
図１において、３はフッ素を含む化合物でエッチングさ
れた、成膜装置本体等の被清浄物、４はフッ硝酸槽、５
は純水清浄槽、６は超音波清浄槽、７は搬送台、８は純
水の供給口、９は排水口、１０はオーバーフロードレイ
ン、１１はフッ硝酸の供給口、１２は超音波発振器であ
る。
図１において、３はフッ素を含む化合物でエッチングさ
れた、成膜装置本体等の被清浄物、４はフッ硝酸槽、５
は純水清浄槽、６は超音波清浄槽、７は搬送台、８は純
水の供給口、９は排水口、１０はオーバーフロードレイ
ン、１１はフッ硝酸の供給口、１２は超音波発振器であ
る。
【００１１】以上のように構成された成膜装置の清浄装
置で、フッ素を含む化合物でエッチングされた被清浄物
３を搬送台７を介してフッ硝酸槽４に投入し、フッ化イ
オンとステンレスとの反応生成物を、フッ酸と硝酸を含
む液体により分解反応させて除去した。次に、純水清浄
槽５に投入し、フッ酸と硝酸を含む液体を取り除いた。
最後に、超音波清浄槽６に投入し、フッ素や硝酸を含む
液体またはガスでは除去できない炭素による被清浄物の
黒ずみを取り除いた。なお、被清浄物３の移動は清浄槽
間を移動でき、上下動もできる搬送台７で行う。また、
各清浄槽は薬液または純水の供給口８と排水口９及びオ
ーバーフロードレイン１０を有する。また、フッ硝酸槽
４はフッ硝酸供給口１１を、超音波清浄槽６は超音波発
振器１２をそれぞれ有している。
置で、フッ素を含む化合物でエッチングされた被清浄物
３を搬送台７を介してフッ硝酸槽４に投入し、フッ化イ
オンとステンレスとの反応生成物を、フッ酸と硝酸を含
む液体により分解反応させて除去した。次に、純水清浄
槽５に投入し、フッ酸と硝酸を含む液体を取り除いた。
最後に、超音波清浄槽６に投入し、フッ素や硝酸を含む
液体またはガスでは除去できない炭素による被清浄物の
黒ずみを取り除いた。なお、被清浄物３の移動は清浄槽
間を移動でき、上下動もできる搬送台７で行う。また、
各清浄槽は薬液または純水の供給口８と排水口９及びオ
ーバーフロードレイン１０を有する。また、フッ硝酸槽
４はフッ硝酸供給口１１を、超音波清浄槽６は超音波発
振器１２をそれぞれ有している。
【００１２】（実施例２ 被清浄物が基板の場合）次に
被清浄物が基板の場合について説明する。まず、加工が
必要なシリコンを主成分とする薄膜を成膜した基板（図
示せず）にレジストを塗布し現像する。次に、成膜装置
本体の清浄時に、前記基板をトレー２（図３参照）にセ
ットし、装置本体１に投入する。この状態でシリコンを
主成分とする薄膜をエッチングするガスを装置本体に導
入し、基板のエッチング加工と装置本体の清浄を同時に
行う。この際、基板上でレジストが現像されていた部分
の周辺にシリコンとフッ素を含む化合物が少量付着す
る。この化合物の付着した基板を前述する実施例１の装
置で清浄した。その結果、フッ硝酸によりシリコンとフ
ッ素を含む化合物とレジストを同時に除去でき、例えば
ＴＦＴの特性の向上及び信頼性の向上が期待できる。図
３にその特性図を示す。点線はフッ硝酸処理を行わない
場合のＴＦＴの特性、実線はフッ硝酸処理を行った場合
の特性をそれぞれ示したものである。ここで、横軸ＶGD
はＴＦＴのゲートとソース間の電圧を示し、縦軸ＩDは
ソース電流を示している。
被清浄物が基板の場合について説明する。まず、加工が
必要なシリコンを主成分とする薄膜を成膜した基板（図
示せず）にレジストを塗布し現像する。次に、成膜装置
本体の清浄時に、前記基板をトレー２（図３参照）にセ
ットし、装置本体１に投入する。この状態でシリコンを
主成分とする薄膜をエッチングするガスを装置本体に導
入し、基板のエッチング加工と装置本体の清浄を同時に
行う。この際、基板上でレジストが現像されていた部分
の周辺にシリコンとフッ素を含む化合物が少量付着す
る。この化合物の付着した基板を前述する実施例１の装
置で清浄した。その結果、フッ硝酸によりシリコンとフ
ッ素を含む化合物とレジストを同時に除去でき、例えば
ＴＦＴの特性の向上及び信頼性の向上が期待できる。図
３にその特性図を示す。点線はフッ硝酸処理を行わない
場合のＴＦＴの特性、実線はフッ硝酸処理を行った場合
の特性をそれぞれ示したものである。ここで、横軸ＶGD
はＴＦＴのゲートとソース間の電圧を示し、縦軸ＩDは
ソース電流を示している。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明の清浄方法は被清浄
体をフッ素を含むガスまたは液体を用いて被清浄体を清
浄する工程と、フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを用
いて被清浄体を清浄する工程と、純水または真空で被清
浄体に付着したフッ酸と硝酸を含む液体またはガスを取
り除く工程によりなり、被清浄体を再生できる、優れた
成膜装置の清浄を実現することができるものである。
体をフッ素を含むガスまたは液体を用いて被清浄体を清
浄する工程と、フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを用
いて被清浄体を清浄する工程と、純水または真空で被清
浄体に付着したフッ酸と硝酸を含む液体またはガスを取
り除く工程によりなり、被清浄体を再生できる、優れた
成膜装置の清浄を実現することができるものである。
【図１】本発明の一実施例の成膜装置の清浄装置を示す
外観斜視図
外観斜視図
【図２】ＴＦＴの比較特性図
【図３】成膜装置とトレイを示す外観図
３ 被清浄物 ４ フッ硝酸槽 ５ 純水清浄槽 ６ 超音波清浄槽 ７ 搬送台 ８ 純水の供給口 ９ 排水口 １０ オーバーフロードレイン １１ フッ硝酸の供給口 １２ 超音波発振器
Claims (1)
- 【請求項１】珪素を主成分とする薄膜を成膜する装置本
体、または前記薄膜を堆積する基板と前記基板を支持、
搬送するトレイを被清浄体とし、 フッ素を含むガスまたは液体を用いて前記被清浄体を清
浄する工程と、フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを用
いて前記清浄体を清浄する工程と、純水または真空で前
記フッ酸と硝酸を含む液体またはガスを取り除く工程か
らなる成膜装置の清浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03324363A JP3106625B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 成膜装置の清浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03324363A JP3106625B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 成膜装置の清浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05155684A true JPH05155684A (ja) | 1993-06-22 |
| JP3106625B2 JP3106625B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=18164953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03324363A Expired - Fee Related JP3106625B2 (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 成膜装置の清浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106625B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104264165A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-01-07 | 四川汉能光伏有限公司 | 铝掺杂氧化锌附着层的清洗方法 |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP03324363A patent/JP3106625B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104264165A (zh) * | 2014-09-26 | 2015-01-07 | 四川汉能光伏有限公司 | 铝掺杂氧化锌附着层的清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3106625B2 (ja) | 2000-11-06 |
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