JPH05156021A - 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 - Google Patents
有機硅素重合体と半導体装置の製造方法Info
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- JPH05156021A JPH05156021A JP32721391A JP32721391A JPH05156021A JP H05156021 A JPH05156021 A JP H05156021A JP 32721391 A JP32721391 A JP 32721391A JP 32721391 A JP32721391 A JP 32721391A JP H05156021 A JPH05156021 A JP H05156021A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機硅素重合体とこれを用いた層間絶縁膜の
製造方法に関し、耐熱性と平坦化性に優れた絶縁材料を
提供することを目的とする。 【構成】 次の一般式(1)で表され1000〜5,000,000の重
量平均分子量を有する有機硅素重合体を用いるか、或い
は、この有機硅素重合体中に含まれるシラノール基の水
素原子の一部を次の一般式(2) で表されるトリオルガノ
シリル基で置換した有機硅素重合体を用いて半導体集積
回路の層間絶縁膜を構成する。 ( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1) 但し、 RA は低級フルオロアルキル基、ｎは10〜50,000
の整数 ( RB )3Si- ・・・・・・・・(2) 但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール
基、
製造方法に関し、耐熱性と平坦化性に優れた絶縁材料を
提供することを目的とする。 【構成】 次の一般式(1)で表され1000〜5,000,000の重
量平均分子量を有する有機硅素重合体を用いるか、或い
は、この有機硅素重合体中に含まれるシラノール基の水
素原子の一部を次の一般式(2) で表されるトリオルガノ
シリル基で置換した有機硅素重合体を用いて半導体集積
回路の層間絶縁膜を構成する。 ( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1) 但し、 RA は低級フルオロアルキル基、ｎは10〜50,000
の整数 ( RB )3Si- ・・・・・・・・(2) 但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール
基、
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機硅素重合体とこれを
用いた半導体集積回路の層間絶縁膜の形成方法に関す
る。
用いた半導体集積回路の層間絶縁膜の形成方法に関す
る。
【０００２】大量の情報を高速に処理する必要から、情
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でLSI やVLSIが実用化されており、更にULSIの実用化が
進められている。
報処理装置の主体を構成する半導体装置は集積化が進ん
でLSI やVLSIが実用化されており、更にULSIの実用化が
進められている。
【０００３】こゝで、集積化はチップの大型化と云うよ
りも素子を構成する単位素子の微細化により行われてお
り、配線の最小線幅はサブミクロン(Sub-micron)に達し
ており、また、電子回路は層間絶縁膜を介する多層構造
がとられている。
りも素子を構成する単位素子の微細化により行われてお
り、配線の最小線幅はサブミクロン(Sub-micron)に達し
ており、また、電子回路は層間絶縁膜を介する多層構造
がとられている。
【０００４】そのため、層間絶縁膜の形成材料としては
耐熱性と下地平坦化性に優れると共に低誘電率であるこ
とが必要である。
耐熱性と下地平坦化性に優れると共に低誘電率であるこ
とが必要である。
【０００５】
【従来の技術】半導体集積回路の製造において、半導体
基板上には多数の電極や配線などが多層構成されるため
に、その表面は凹凸を多く含み、多数の段差を伴うこと
が避けられないが、この段差の存在は多層配線の信頼性
を著しく低下させる。
基板上には多数の電極や配線などが多層構成されるため
に、その表面は凹凸を多く含み、多数の段差を伴うこと
が避けられないが、この段差の存在は多層配線の信頼性
を著しく低下させる。
【０００６】そのため、層間絶縁膜の必要条件は電気的
絶縁性と耐熱性が優れていること以外に平坦化性が優れ
ていることが必要である。こゝで、層間絶縁膜の形成材
料としては無機および有機絶縁物が用いられている。
絶縁性と耐熱性が優れていること以外に平坦化性が優れ
ていることが必要である。こゝで、層間絶縁膜の形成材
料としては無機および有機絶縁物が用いられている。
【０００７】すなわち、無機絶縁物としては二酸化硅素
（SiO2)，窒化硅素（Si3N4), 燐硅酸ガラス( 略称PSG)
などがあり、気相成長法(CVD法) などにより被処理基板
上に膜形成されている。
（SiO2)，窒化硅素（Si3N4), 燐硅酸ガラス( 略称PSG)
などがあり、気相成長法(CVD法) などにより被処理基板
上に膜形成されている。
【０００８】然し、これらの絶縁膜は電気的特性や耐熱
性などの特性は優れているものゝ、形成に当たって下地
基板の凹凸を忠実に再現するために平坦化の目的には沿
わない。
性などの特性は優れているものゝ、形成に当たって下地
基板の凹凸を忠実に再現するために平坦化の目的には沿
わない。
【０００９】そのため、CVD 法などにより無機絶縁膜を
形成した後に有機絶縁物を塗布して平坦化を行い、次
に、無機絶縁膜の現れるまでドライエッチングを施して
平坦面を得るエッチバック法や無機絶縁膜の形成とスパ
ッタを同時に行って凸部を削りながら成膜して平坦面を
得るバイアス・スパッタ法の使用などが提案されている
が、多大の工数と時間を要するために実用的な方法であ
るとは言えない。
形成した後に有機絶縁物を塗布して平坦化を行い、次
に、無機絶縁膜の現れるまでドライエッチングを施して
平坦面を得るエッチバック法や無機絶縁膜の形成とスパ
ッタを同時に行って凸部を削りながら成膜して平坦面を
得るバイアス・スパッタ法の使用などが提案されている
が、多大の工数と時間を要するために実用的な方法であ
るとは言えない。
【００１０】一方、有機絶縁物としてはポリイミド樹脂
や硅素樹脂があり、これを溶剤に溶解して得られる塗液
は基板上にスピンコート法により膜形成できるため、平
坦化性には優れているが、幾らかの問題がある。
や硅素樹脂があり、これを溶剤に溶解して得られる塗液
は基板上にスピンコート法により膜形成できるため、平
坦化性には優れているが、幾らかの問題がある。
【００１１】すなわち、ポリイミド樹脂は約450 ℃で分
解が生じ、吸湿性も高く、またアルカリ金属などの腐食
性不純物を含んでいると云う欠点がある。また、硅素樹
脂は400 ℃程度の温度で酸化されたり、500 ℃以上の温
度で熱分解したりして、膜の歪みによるクラックが発生
し易いと云う欠点がある。
解が生じ、吸湿性も高く、またアルカリ金属などの腐食
性不純物を含んでいると云う欠点がある。また、硅素樹
脂は400 ℃程度の温度で酸化されたり、500 ℃以上の温
度で熱分解したりして、膜の歪みによるクラックが発生
し易いと云う欠点がある。
【００１２】また、絶縁材料としては誘電率（ε) が小
さいことが必要である。すなわち、多層配線構造をとる
場合に必要なことは、層間の漏話（Cross-talk)が少な
く、また電気信号の遅延時間（τ) を少なくすることで
あり、そのためには誘電率（ε) の小さな絶縁材料を使
用する必要がある。
さいことが必要である。すなわち、多層配線構造をとる
場合に必要なことは、層間の漏話（Cross-talk)が少な
く、また電気信号の遅延時間（τ) を少なくすることで
あり、そのためには誘電率（ε) の小さな絶縁材料を使
用する必要がある。
【００１３】こゝで、電気信号の遅延時間（τ) は、 τ＝ε1/2 ／ｃ ・・・・・・・(3) 但し、c は光の速度 で与えられる。
【００１４】これらのことから、誘電率が小さく, 耐熱
性が優れ,且つ 高純度で吸湿性の少ない有機絶縁材料の
開発が望まれている。
性が優れ,且つ 高純度で吸湿性の少ない有機絶縁材料の
開発が望まれている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】VLSIやULSIなど多層配
線が必要な集積回路の形成に当たっては誘電率が小さ
く、耐熱性が優れ、且つ基板の平坦化性の優れた層間絶
縁膜が必要である。
線が必要な集積回路の形成に当たっては誘電率が小さ
く、耐熱性が優れ、且つ基板の平坦化性の優れた層間絶
縁膜が必要である。
【００１６】そこで、この開発が課題である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の課題は次の一般式
(1)で表され1000〜5,000,000 の重量平均分子量を有す
る有機硅素重合体を用いるか、或いは、この有機硅素重
合体中に含まれるシラノール基の水素原子の一部を次の
一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基で置換した
有機硅素重合体を用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を
構成することにより解決することができる。
(1)で表され1000〜5,000,000 の重量平均分子量を有す
る有機硅素重合体を用いるか、或いは、この有機硅素重
合体中に含まれるシラノール基の水素原子の一部を次の
一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基で置換した
有機硅素重合体を用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を
構成することにより解決することができる。
【００１８】( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1) 但し、 RA は低級フルオロアルキル基、ｎは10〜50,000
の整数 ( RB )3Si- ・・・・・・・・(2) 但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール
基、
の整数 ( RB )3Si- ・・・・・・・・(2) 但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール
基、
【００１９】
【作用】発明者等は上記の必要条件を満たす方法として
有機硅素重合体の中に弗素原子を導入した。
有機硅素重合体の中に弗素原子を導入した。
【００２０】すなわち、弗素樹脂はポリテトラフルオロ
エチレン( 商品名テフロン) で代表されるように他の樹
脂に比較して耐熱性, 電気絶縁性, 耐薬品性に優れ、ま
た誘電率（ε) が小さいと云う特徴がある。
エチレン( 商品名テフロン) で代表されるように他の樹
脂に比較して耐熱性, 電気絶縁性, 耐薬品性に優れ、ま
た誘電率（ε) が小さいと云う特徴がある。
【００２１】そこで、(1) の一般式で示すようにラダー
型シロキサン構造をとる有機硅素重合体のアルキル基の
代わりに低級フルオロアルキル基を用いるか、或いは更
に有機硅素重合体の末端にあるシラノール基の水素
（Ｈ）原子の一部を(2) の一般式で示されるトリオルガ
ノシリル基で置換することにより低誘電率化と耐熱性を
向上するものである。
型シロキサン構造をとる有機硅素重合体のアルキル基の
代わりに低級フルオロアルキル基を用いるか、或いは更
に有機硅素重合体の末端にあるシラノール基の水素
（Ｈ）原子の一部を(2) の一般式で示されるトリオルガ
ノシリル基で置換することにより低誘電率化と耐熱性を
向上するものである。
【００２２】なお、構造式(4) は理解を容易にするため
に上記(1) 式を書き改めたもの、また構造式(5) は上記
(2) 式に関連する低級フルオロアルキル基を二個置換し
た場合を例示している。
に上記(1) 式を書き改めたもの、また構造式(5) は上記
(2) 式に関連する低級フルオロアルキル基を二個置換し
た場合を例示している。
【００２３】こゝで、低級フルオロアルキル基としては
-CF3,-C2F5などが該当する。
-CF3,-C2F5などが該当する。
【００２４】
【化１】
【００２５】
【化２】 なお、本発明に係るポリオルガノシルセスキオキサン樹
脂は多くの有機溶媒に可溶であり、従来の有機硅素重合
体と同様にスピンコート法により被処理基板上に成膜が
可能である。
脂は多くの有機溶媒に可溶であり、従来の有機硅素重合
体と同様にスピンコート法により被処理基板上に成膜が
可能である。
【００２６】従って、段差を伴う基板面の平坦化を容易
に達成することができ、また、従来の樹脂に較べると誘
電率が低いために電気信号の伝送特性を向上することが
できる。
に達成することができ、また、従来の樹脂に較べると誘
電率が低いために電気信号の伝送特性を向上することが
できる。
【００２７】
合成例１：（請求項１関連） 容量が300cc の四っ口フラスコに、メチルイソブチルケ
トンを100cc,触媒としてトリエチルアミンを15cc, フル
オロメチルトリクロロシランを10ｇを加え、攪拌を続け
ながら−60℃に冷却した。
トンを100cc,触媒としてトリエチルアミンを15cc, フル
オロメチルトリクロロシランを10ｇを加え、攪拌を続け
ながら−60℃に冷却した。
【００２８】次に、純水30ccをこの四っ口フラスコに40
分かけて滴下した。滴下終了後に、この反応系を2.0 ℃
／分の速度で昇温し、80℃に保持して２時間に亙って攪
拌を続けた。
分かけて滴下した。滴下終了後に、この反応系を2.0 ℃
／分の速度で昇温し、80℃に保持して２時間に亙って攪
拌を続けた。
【００２９】反応が終わって室温にまで冷却した後、多
量の水で洗浄した。洗浄した反応溶液はエバポレータを
用いて濃縮し、アセトニトリルにより沈澱を回収し、凍
結乾燥させることにより白色粉末Ａを得た。 合成例２：（請求項２関連） 合成例１で得たポリマを再びメチルイソブチルケトンに
溶解し、触媒としてピリジンを20cc加え、60℃に加温し
た後、フェニルジ( トリフルオロメチル) クロロシラン
を20cc添加し、この温度で３時間に亙って反応させ、未
反応の水酸基の水素原子をビニルジメチルシリル基で置
換した。
量の水で洗浄した。洗浄した反応溶液はエバポレータを
用いて濃縮し、アセトニトリルにより沈澱を回収し、凍
結乾燥させることにより白色粉末Ａを得た。 合成例２：（請求項２関連） 合成例１で得たポリマを再びメチルイソブチルケトンに
溶解し、触媒としてピリジンを20cc加え、60℃に加温し
た後、フェニルジ( トリフルオロメチル) クロロシラン
を20cc添加し、この温度で３時間に亙って反応させ、未
反応の水酸基の水素原子をビニルジメチルシリル基で置
換した。
【００３０】反応が終了した後、反応溶液を多量のアセ
トニトリルに投入して樹脂を析出させ回収し、凍結乾燥
させることにより白色粉末Ｂを得た。 実施例１：（請求項３関連） 合成例１で得た白色粉末Ａをメチルイソブチルケトンに
溶解して20重量％の樹脂溶液を作った。
トニトリルに投入して樹脂を析出させ回収し、凍結乾燥
させることにより白色粉末Ｂを得た。 実施例１：（請求項３関連） 合成例１で得た白色粉末Ａをメチルイソブチルケトンに
溶解して20重量％の樹脂溶液を作った。
【００３１】半導体素子を形成し、第１層目のポリシリ
コン配線を施してあるSi基板上に、この樹脂溶液を3000
rpm,45秒の条件でスピンコートした。なお、ポリシリコ
ン配線の厚さは１mm, 最小線幅は１μm ，最小線間隔は
１．５μm である。
コン配線を施してあるSi基板上に、この樹脂溶液を3000
rpm,45秒の条件でスピンコートした。なお、ポリシリコ
ン配線の厚さは１mm, 最小線幅は１μm ，最小線間隔は
１．５μm である。
【００３２】樹脂溶液は塗布後に80℃で20分間乾燥し、
更に450 ℃で30分間の熱処理を施した。熱処理後の基板
表面の段差は約0.2 μm であり、配線によって生じた段
差は平坦化されていた。
更に450 ℃で30分間の熱処理を施した。熱処理後の基板
表面の段差は約0.2 μm であり、配線によって生じた段
差は平坦化されていた。
【００３３】次に、この絶縁膜にスルーホールを形成
し、この上にポリシリコンの配線を行い、保護層として
厚さが１μm のPSG 膜を常圧CVD 法により形成した後、
電極取り出し用の窓開けを行って半導体装置を得ること
ができた。
し、この上にポリシリコンの配線を行い、保護層として
厚さが１μm のPSG 膜を常圧CVD 法により形成した後、
電極取り出し用の窓開けを行って半導体装置を得ること
ができた。
【００３４】この半導体装置は従来のPSG 膜を絶縁膜と
した装置に較べ信号の伝播速度は約30％高速化してい
た。また、大気中で450 ℃で１時間の加熱試験および−
65℃〜＋150 ℃の10回に亙る熱サイクル試験後において
も全く不良は見出せなかった。 実施例２：（請求項３関連） 合成例２で得た白色粉末Ｂをメチルイソブチルケトンに
溶解して20重量％の樹脂溶液を作った。
した装置に較べ信号の伝播速度は約30％高速化してい
た。また、大気中で450 ℃で１時間の加熱試験および−
65℃〜＋150 ℃の10回に亙る熱サイクル試験後において
も全く不良は見出せなかった。 実施例２：（請求項３関連） 合成例２で得た白色粉末Ｂをメチルイソブチルケトンに
溶解して20重量％の樹脂溶液を作った。
【００３５】半導体素子を形成し、第１層目のAl配線を
施してあるSi基板上に、この樹脂溶液を3000rpm,45秒の
条件でスピンコートした。なお、Al配線の厚さは１mm,
最小線幅は１μm，最小線間隔は1.5 μm であった。
施してあるSi基板上に、この樹脂溶液を3000rpm,45秒の
条件でスピンコートした。なお、Al配線の厚さは１mm,
最小線幅は１μm，最小線間隔は1.5 μm であった。
【００３６】樹脂溶液は塗布後に80℃で20分間乾燥し、
更に450 ℃で30分間の熱処理を施した。熱処理後の基板
表面の段差は約0.2 μm であり、配線によって生じた段
差は平坦化されていた。
更に450 ℃で30分間の熱処理を施した。熱処理後の基板
表面の段差は約0.2 μm であり、配線によって生じた段
差は平坦化されていた。
【００３７】次に、この絶縁膜にスルーホールを形成
し、この上にAlの配線を行い、保護層として厚さが１μ
m のPSG 膜を常圧CVD 法により形成した後、電極取り出
し用の窓開けを行って半導体装置を得ることができた。
し、この上にAlの配線を行い、保護層として厚さが１μ
m のPSG 膜を常圧CVD 法により形成した後、電極取り出
し用の窓開けを行って半導体装置を得ることができた。
【００３８】この半導体装置は従来のPSG 膜を絶縁膜と
した装置に較べ信号の伝播速度は約30％高速化してい
た。また、従来の有機硅素重合体を使用する場合に見ら
れるAl配線上のクラックの発生は見出せなかった。
した装置に較べ信号の伝播速度は約30％高速化してい
た。また、従来の有機硅素重合体を使用する場合に見ら
れるAl配線上のクラックの発生は見出せなかった。
【００３９】
【発明の効果】本発明の実施により誘電率が他の有機絶
縁材料に較べて少なく、耐熱性と平坦性に優れ、且つク
ラック発生のない層間絶縁膜を得ることができ、これに
より半導体集積回路の特性と信頼性を向上することがで
きる。
縁材料に較べて少なく、耐熱性と平坦性に優れ、且つク
ラック発生のない層間絶縁膜を得ることができ、これに
より半導体集積回路の特性と信頼性を向上することがで
きる。
Claims (3)
- 【請求項１】 次の一般式で表され1000〜5,000,000 の
重量平均分子量を有することを特徴とする有機硅素重合
体。 ( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1) 但し、 RA は低級フルオロアルキル基、 ｎは10〜50,000の整数 - 【請求項２】 前記(1) 式で表される有機硅素重合体中
に含まれるシラノール基の水素原子の一部を次の一般式
(2) で表されるトリオルガノシリル基で置換したことを
特徴とする有機硅素重合体。 ( RB )3Si- ・・・・・・・・(2) 但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール
基、 - 【請求項３】 請求項１または２記載の有機硅素重合体
を用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32721391A JPH05156021A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32721391A JPH05156021A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05156021A true JPH05156021A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18196582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32721391A Withdrawn JPH05156021A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05156021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1041519A (ja) * | 1996-03-26 | 1998-02-13 | Lg Electron Inc | 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP32721391A patent/JPH05156021A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1041519A (ja) * | 1996-03-26 | 1998-02-13 | Lg Electron Inc | 液晶表示装置の製造方法及びその製造方法による液晶表示装置 |
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