JPH05156428A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH05156428A JPH05156428A JP33996991A JP33996991A JPH05156428A JP H05156428 A JPH05156428 A JP H05156428A JP 33996991 A JP33996991 A JP 33996991A JP 33996991 A JP33996991 A JP 33996991A JP H05156428 A JPH05156428 A JP H05156428A
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- JP
- Japan
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- vapor deposition
- substrate
- electron gun
- vacuum
- evaporation source
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電子銃蒸発源を用いた真空蒸着装置におい
て、蒸着試料から放出された二次電子や弾性散乱電子が
被蒸着基板に悪影響を及ぼさないようにした真空蒸着装
置を提供することを目的としている。 【構成】 電子銃蒸発源２と被蒸着基板５の間の空間６
に、１対の電磁石７ａ、７ｂを対向設置してある。被蒸
着基板５の近傍に、電子電流測定のためのプローブ８を
設けても良い。
て、蒸着試料から放出された二次電子や弾性散乱電子が
被蒸着基板に悪影響を及ぼさないようにした真空蒸着装
置を提供することを目的としている。 【構成】 電子銃蒸発源２と被蒸着基板５の間の空間６
に、１対の電磁石７ａ、７ｂを対向設置してある。被蒸
着基板５の近傍に、電子電流測定のためのプローブ８を
設けても良い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子銃蒸発源を用いた
真空蒸着装置に関する。
真空蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子銃蒸発源を用いた真空蒸着装
置は、図２に示したように、真空容器１内に電子銃蒸発
源２を設置して構成されていた。電子銃蒸発源２の蒸着
試料３に電子線を照射して、蒸着試料３を蒸発させると
共に、シャッター板４を開けると、電子銃蒸発源２に対
向させた被蒸着基板５に薄膜が形成されるものである。
置は、図２に示したように、真空容器１内に電子銃蒸発
源２を設置して構成されていた。電子銃蒸発源２の蒸着
試料３に電子線を照射して、蒸着試料３を蒸発させると
共に、シャッター板４を開けると、電子銃蒸発源２に対
向させた被蒸着基板５に薄膜が形成されるものである。
【０００３】この場合の電子線の加速電圧は数ｋｖであ
り、この数ｋｖの電子線を蒸着試料３に照射すると、蒸
着試料３からは二次電子が放出される。例えば蒸着試料
が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の場合、１個の電子の照
射によって、１０数個の二次電子が放出されることが知
られている。
り、この数ｋｖの電子線を蒸着試料３に照射すると、蒸
着試料３からは二次電子が放出される。例えば蒸着試料
が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の場合、１個の電子の照
射によって、１０数個の二次電子が放出されることが知
られている。
【０００４】従って、前記の如くの真空蒸発装置では、
多数の二次電子が放出されている空間内で、蒸着が行な
われていた。又、この空間には弾性散乱した電子も存在
していた。
多数の二次電子が放出されている空間内で、蒸着が行な
われていた。又、この空間には弾性散乱した電子も存在
していた。
【０００５】
【発明により解決すべき課題】多数の二次電子や弾性散
乱電子が存在する空間内で蒸着が行なわれる従来の電子
銃蒸発源を用いた真空蒸着装置では、以下に述べる大き
な問題点があった。
乱電子が存在する空間内で蒸着が行なわれる従来の電子
銃蒸発源を用いた真空蒸着装置では、以下に述べる大き
な問題点があった。
【０００６】第一に、被蒸着基板が、常に、運動エネル
ギーを持った電子に晒されながら、蒸着が行なわれるこ
とである。例えば、リフトオフ蒸着法に使われる被蒸着
基板上のレジスト膜に、電子が照射されると、レジスト
の硬化重合が起り、レジスト膜の除去が不能となる場合
があった。
ギーを持った電子に晒されながら、蒸着が行なわれるこ
とである。例えば、リフトオフ蒸着法に使われる被蒸着
基板上のレジスト膜に、電子が照射されると、レジスト
の硬化重合が起り、レジスト膜の除去が不能となる場合
があった。
【０００７】第二に、蒸着試料から蒸発した物質が、運
動エネルギーを持った二次電子でイオン化され、このイ
オン化された物質が、被蒸着基板に形成される薄膜内に
取り込まれることである。被蒸着基板が絶縁物の場合、
薄膜内に取り込まれたイオンの電荷が過飽和の状態とな
り、更に空間に散乱する電子で叩かれる結果、蒸着膜の
電気持性や被蒸着基板へダメージを与える場合があっ
た。
動エネルギーを持った二次電子でイオン化され、このイ
オン化された物質が、被蒸着基板に形成される薄膜内に
取り込まれることである。被蒸着基板が絶縁物の場合、
薄膜内に取り込まれたイオンの電荷が過飽和の状態とな
り、更に空間に散乱する電子で叩かれる結果、蒸着膜の
電気持性や被蒸着基板へダメージを与える場合があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の問題点に
鑑みてなされたもので、蒸着試料から放出された二次電
子や弾性散乱電子が被蒸着基板に悪影響を及ぼさないよ
うにした真空蒸着装置を提供することを目的としてい
る。
鑑みてなされたもので、蒸着試料から放出された二次電
子や弾性散乱電子が被蒸着基板に悪影響を及ぼさないよ
うにした真空蒸着装置を提供することを目的としてい
る。
【０００９】この目的を達成する本発明の真空蒸着装置
は、電子銃蒸発源を用いた真空蒸着装置において、電子
銃蒸発源と被蒸着基板の間の空間に、磁場を形成するた
めの磁場形成手段が設置してあることを特徴としてい
る。
は、電子銃蒸発源を用いた真空蒸着装置において、電子
銃蒸発源と被蒸着基板の間の空間に、磁場を形成するた
めの磁場形成手段が設置してあることを特徴としてい
る。
【００１０】磁場形成手段は、例えば、電子銃蒸発源と
被蒸着基板の間の空間に設置した、１対の対向電磁石で
構成されるが、１対の永久磁石とすることもできる。こ
れらの電磁石又は永久磁石は、真空容器の内側へ設置す
るのが望ましいが、外側に設置することも可能である。
被蒸着基板の間の空間に設置した、１対の対向電磁石で
構成されるが、１対の永久磁石とすることもできる。こ
れらの電磁石又は永久磁石は、真空容器の内側へ設置す
るのが望ましいが、外側に設置することも可能である。
【００１１】被蒸着基板の近傍には、電子電流測定のた
めのプローブを設けるようにしても良い。電子電流を測
定しながら、電磁石の励磁電流を制御することができ
る。
めのプローブを設けるようにしても良い。電子電流を測
定しながら、電磁石の励磁電流を制御することができ
る。
【００１２】
【作用】本発明の真空蒸着装置によれば、蒸着試料から
放出された二次電子および弾性散乱電子の軌道を、磁場
形成手段で形成した磁場で偏向し、被蒸着基板へ前記電
子が入射しないようにすることができる。
放出された二次電子および弾性散乱電子の軌道を、磁場
形成手段で形成した磁場で偏向し、被蒸着基板へ前記電
子が入射しないようにすることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。
する。
【００１４】１は真空容器（排気系は図示していない）
であって、真空容器１の内側に電子銃蒸発源２が設置し
てある。電子銃蒸発源２の上側には、シャッター板４が
設置してあると共に、真空容器１の上部には、電子銃蒸
発源２の蒸着試料３と対向するように、被蒸着基板５が
設置してある。
であって、真空容器１の内側に電子銃蒸発源２が設置し
てある。電子銃蒸発源２の上側には、シャッター板４が
設置してあると共に、真空容器１の上部には、電子銃蒸
発源２の蒸着試料３と対向するように、被蒸着基板５が
設置してある。
【００１５】前記被蒸着基板５と電子銃蒸発源２の対向
する空間６には、１対の電磁石７ａ、７ｂが、磁界の方
向を横にして、対向設置してある。また、前記被蒸着基
板５の外側近傍には、電子電流測定のためのプローブ８
が設置してある。
する空間６には、１対の電磁石７ａ、７ｂが、磁界の方
向を横にして、対向設置してある。また、前記被蒸着基
板５の外側近傍には、電子電流測定のためのプローブ８
が設置してある。
【００１６】上記実施例の真空蒸着装置において、電子
銃蒸発源２を動作させて、加速電子線を蒸着試料３に照
射すると、蒸着試料３が蒸発するので、シャッター板４
を開けると、被蒸着基板５の表面に薄膜が形成される。
この時、プローブ８に流れる電子電流を見ながら電磁石
７ａ、７ｂに対する励磁電流を調整し、電子電流の値が
最小になるようにすれば、蒸着試料３から放出される二
次電子および弾性散乱電子の被蒸着基板５への影響を可
及的に小さくすることができる。
銃蒸発源２を動作させて、加速電子線を蒸着試料３に照
射すると、蒸着試料３が蒸発するので、シャッター板４
を開けると、被蒸着基板５の表面に薄膜が形成される。
この時、プローブ８に流れる電子電流を見ながら電磁石
７ａ、７ｂに対する励磁電流を調整し、電子電流の値が
最小になるようにすれば、蒸着試料３から放出される二
次電子および弾性散乱電子の被蒸着基板５への影響を可
及的に小さくすることができる。
【００１７】上記実施例では電磁石７ａ、７ｂを真空容
器１の内側に設置したが、真空容器１の外側に設置する
ことも可能である。又、前記空間に形成する磁場の強度
が判明している場合は、電磁石を永久磁石とすることも
可能である。この場合、電子電流を測定するためのプロ
ーブは設けなくても良い。
器１の内側に設置したが、真空容器１の外側に設置する
ことも可能である。又、前記空間に形成する磁場の強度
が判明している場合は、電磁石を永久磁石とすることも
可能である。この場合、電子電流を測定するためのプロ
ーブは設けなくても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
被蒸着基板に対する二次電子や弾性散乱電子の影響を少
くできるので、レジスト膜の損傷や基板のダメージの無
い真空蒸着が可能な装置を提供できる効果がある。
被蒸着基板に対する二次電子や弾性散乱電子の影響を少
くできるので、レジスト膜の損傷や基板のダメージの無
い真空蒸着が可能な装置を提供できる効果がある。
【図１】本発明の実施例の概略図である。
【図２】従来の真空蒸着装置の概略図である。
１ 真空容器 ２ 電子銃蒸発源 ３ 蒸着試料 ４ シャッター板 ５ 被蒸着基板 ６ 空間 ７ａ、７ｂ 電磁石 ８ プローブ
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃蒸発源を用いた真空蒸着装置にお
いて、電子銃蒸発源と被蒸着基板の間の空間に、磁場を
形成するための磁場形成手段が設置してあることを特徴
とした真空磁着装置。 - 【請求項２】 磁場形成手段は、電子銃蒸発源と被蒸着
基板の間の空間に設置した１対の対向電磁石とした請求
項１記載の真空蒸着装置。 - 【請求項３】 被蒸着基板の近傍に、電子電流測定のた
めのプローブを設けた請求項１記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33996991A JPH05156428A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33996991A JPH05156428A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05156428A true JPH05156428A (ja) | 1993-06-22 |
Family
ID=18332487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33996991A Pending JPH05156428A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05156428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106289A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Jeol Ltd | 真空蒸着装置 |
| KR20150015359A (ko) | 2013-07-31 | 2015-02-10 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | 전자빔 증착장치 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP33996991A patent/JPH05156428A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010106289A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Jeol Ltd | 真空蒸着装置 |
| KR20150015359A (ko) | 2013-07-31 | 2015-02-10 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | 전자빔 증착장치 |
| JP2015030862A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日立造船株式会社 | 電子ビーム蒸着装置 |
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