JPH05160103A - ウエハの乾燥方法 - Google Patents
ウエハの乾燥方法Info
- Publication number
- JPH05160103A JPH05160103A JP31948491A JP31948491A JPH05160103A JP H05160103 A JPH05160103 A JP H05160103A JP 31948491 A JP31948491 A JP 31948491A JP 31948491 A JP31948491 A JP 31948491A JP H05160103 A JPH05160103 A JP H05160103A
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- Japan
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- wafer
- temperature
- drying
- water
- rate
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄後のウエハの乾燥方法に関し，撥水性表
面および親水性表面に対してシミ, 汚染, 自然酸化膜の
発生を抑制し，ウエハの大口径化および自動乾燥装置へ
の組み込みに適した乾燥方法の提供を目的とする。 【構成】 １）洗浄後のウエハを不活性ガス流の雰囲気
内で, ウエハ温度を室温より水の沸点以下の第１の温度
まで第１の上昇率で緩やかに上昇させ，引き続いてウエ
ハ温度を水の沸点以上の第２の温度まで該第１の上昇率
より大きい第２の上昇率で上昇させて乾燥させる，２）
前記第１の温度が約50℃，第２の温度が 120乃至150 ℃
であるように構成する。
面および親水性表面に対してシミ, 汚染, 自然酸化膜の
発生を抑制し，ウエハの大口径化および自動乾燥装置へ
の組み込みに適した乾燥方法の提供を目的とする。 【構成】 １）洗浄後のウエハを不活性ガス流の雰囲気
内で, ウエハ温度を室温より水の沸点以下の第１の温度
まで第１の上昇率で緩やかに上昇させ，引き続いてウエ
ハ温度を水の沸点以上の第２の温度まで該第１の上昇率
より大きい第２の上昇率で上昇させて乾燥させる，２）
前記第１の温度が約50℃，第２の温度が 120乃至150 ℃
であるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造過程に
おいて薬液処理後のウエハを洗浄した後の乾燥方法に関
する。
おいて薬液処理後のウエハを洗浄した後の乾燥方法に関
する。
【０００２】半導体装置の高集積化に伴い，薬液処理後
のウエハを洗浄した後のウエハの表面状態はデバイス特
性を左右するものであり，そのために洗浄の最終仕上げ
である乾燥工程については，微粒子や不純物の付着やシ
ミの発生等のないこと，および自然酸化膜が形成されな
いことが要求される。
のウエハを洗浄した後のウエハの表面状態はデバイス特
性を左右するものであり，そのために洗浄の最終仕上げ
である乾燥工程については，微粒子や不純物の付着やシ
ミの発生等のないこと，および自然酸化膜が形成されな
いことが要求される。
【０００３】
【従来の技術】従来の乾燥法として，スピン乾燥，IPA
乾燥, 引き上げ乾燥等がある。 (A) スピン乾燥 ウエハを回転（自転または公転）させてウエハ表面に付
着した水を振り飛ばす乾燥方法で，撥水性表面の乾燥に
対しては表面に付着した水を容易に振り飛ばすことがで
きるのでこの方法が適している。
乾燥, 引き上げ乾燥等がある。 (A) スピン乾燥 ウエハを回転（自転または公転）させてウエハ表面に付
着した水を振り飛ばす乾燥方法で，撥水性表面の乾燥に
対しては表面に付着した水を容易に振り飛ばすことがで
きるのでこの方法が適している。
【０００４】しかしながら，親水性表面に対してはシミ
ができやすく不適である。また，回転により，ウエハを
保持するキャリアにウエハが食い込むので，キャリアの
損傷が経時的に進み，損傷部から発塵の危険性がある。
さらに，回転部からオイル系の発塵や汚染が起きる可能
性もある。
ができやすく不適である。また，回転により，ウエハを
保持するキャリアにウエハが食い込むので，キャリアの
損傷が経時的に進み，損傷部から発塵の危険性がある。
さらに，回転部からオイル系の発塵や汚染が起きる可能
性もある。
【０００５】また，近年のウエハの大口径化に対処して
回転速度を落とすことになり，撥水性表面に対してもシ
ミが発生しやすくなる。 (B) IPA 乾燥 IPA(イソプロピルアルコール) の蒸気でウエハ表面の水
を置換して乾燥させる方法で，シミの発生や自然酸化膜
の形成等の問題はないと考えられるが，IPA 蒸気にウエ
ハが曝されることによる有機物の付着が懸念される。し
かし，それ以上に有機溶剤を使うことによる安全性が問
題であり，安全対策を含めたランニングコストが高くな
る。
回転速度を落とすことになり，撥水性表面に対してもシ
ミが発生しやすくなる。 (B) IPA 乾燥 IPA(イソプロピルアルコール) の蒸気でウエハ表面の水
を置換して乾燥させる方法で，シミの発生や自然酸化膜
の形成等の問題はないと考えられるが，IPA 蒸気にウエ
ハが曝されることによる有機物の付着が懸念される。し
かし，それ以上に有機溶剤を使うことによる安全性が問
題であり，安全対策を含めたランニングコストが高くな
る。
【０００６】また，装置が大型であり，ウエハの大口径
化によりさらに大型化され, 自動洗浄装置への組み込み
が装置の大型化, 雰囲気の分離の点で容易なものではな
い。 (C) 引き上げ乾燥 水中よりウエハをゆっくり引き上げて乾燥させる方法
で, 撥水性表面の乾燥には適するが, スピン乾燥よりシ
ミが発生しやすい上, キャリアに水が残りやすい欠点が
ある。
化によりさらに大型化され, 自動洗浄装置への組み込み
が装置の大型化, 雰囲気の分離の点で容易なものではな
い。 (C) 引き上げ乾燥 水中よりウエハをゆっくり引き上げて乾燥させる方法
で, 撥水性表面の乾燥には適するが, スピン乾燥よりシ
ミが発生しやすい上, キャリアに水が残りやすい欠点が
ある。
【０００７】また，親水性表面の乾燥には殆ど適さず,
いずれの表面に対してもシミの発生を防止しようとする
と長い処理時間を要する。従って,自動乾燥装置に組み
込んだ場合は乾燥律速になってしまい, この傾向はウエ
ハの大口径化が進むとさらに顕著になる。
いずれの表面に対してもシミの発生を防止しようとする
と長い処理時間を要する。従って,自動乾燥装置に組み
込んだ場合は乾燥律速になってしまい, この傾向はウエ
ハの大口径化が進むとさらに顕著になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来例では，撥水性表
面のウエハの乾燥に適しても親水性表面のウエハに対し
てはシミが発生したり，また, 発塵や汚染の発生するお
それがあったり, また,ウエハの大口径化によるシミの
発生, 乾燥時間の延長, 装置の大型化等の問題があっ
た。
面のウエハの乾燥に適しても親水性表面のウエハに対し
てはシミが発生したり，また, 発塵や汚染の発生するお
それがあったり, また,ウエハの大口径化によるシミの
発生, 乾燥時間の延長, 装置の大型化等の問題があっ
た。
【０００９】本発明は撥水性表面および親水性表面に対
してシミ, 汚染, 自然酸化膜の発生を抑制し，ウエハの
大口径化および自動乾燥装置への組み込みに適した乾燥
方法の提供を目的とする。
してシミ, 汚染, 自然酸化膜の発生を抑制し，ウエハの
大口径化および自動乾燥装置への組み込みに適した乾燥
方法の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
洗浄後のウエハを不活性ガス流の雰囲気内で, ウエハ温
度を室温より水の沸点以下の第１の温度まで第１の上昇
率で緩やかに上昇させ，引き続いてウエハ温度を水の沸
点以上の第２の温度まで該第１の上昇率より大きい第２
の上昇率で上昇させて乾燥させるウエハの乾燥方法，あ
るいは，２）前記第１の温度が約50℃，第２の温度が 1
20乃至150 ℃である前記１）記載のウエハの乾燥方法に
より達成される。
洗浄後のウエハを不活性ガス流の雰囲気内で, ウエハ温
度を室温より水の沸点以下の第１の温度まで第１の上昇
率で緩やかに上昇させ，引き続いてウエハ温度を水の沸
点以上の第２の温度まで該第１の上昇率より大きい第２
の上昇率で上昇させて乾燥させるウエハの乾燥方法，あ
るいは，２）前記第１の温度が約50℃，第２の温度が 1
20乃至150 ℃である前記１）記載のウエハの乾燥方法に
より達成される。
【００１１】
【作用】本発明では，洗浄後のウエハに, フィルタを通
した窒素ガスでブローしながら, ウエハ温度を室温より
50℃前後まで緩やかに上昇させ，引き続いてウエハ温度
を 120〜150 ℃付近までより速い上昇率で上昇させて乾
燥する。
した窒素ガスでブローしながら, ウエハ温度を室温より
50℃前後まで緩やかに上昇させ，引き続いてウエハ温度
を 120〜150 ℃付近までより速い上昇率で上昇させて乾
燥する。
【００１２】上記の過程において，窒素ガスでブローし
ながらウエハ温度を室温より50℃前後まで緩やかに上昇
させることにより, ウエハ表面から水分およびシミの核
となる水滴を蒸発させ，あるいはウエハエッジに移動さ
せており, シミの発生をまず防止している。
ながらウエハ温度を室温より50℃前後まで緩やかに上昇
させることにより, ウエハ表面から水分およびシミの核
となる水滴を蒸発させ，あるいはウエハエッジに移動さ
せており, シミの発生をまず防止している。
【００１３】次に, ウエハ温度を 120〜150 ℃付近まで
より速い上昇率で上昇させることにより, ウエハおよび
キャリアを完全に乾燥させている。さらに, 本発明では
乾燥方法が簡単であるため，微粒子や不純物の付着はな
く, ウエハの大口径化によるシミの発生を抑制し，自動
乾燥装置への組み込みも容易で, 安全性も高い。
より速い上昇率で上昇させることにより, ウエハおよび
キャリアを完全に乾燥させている。さらに, 本発明では
乾燥方法が簡単であるため，微粒子や不純物の付着はな
く, ウエハの大口径化によるシミの発生を抑制し，自動
乾燥装置への組み込みも容易で, 安全性も高い。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の実施例を説明する装置の断面
図である。図において，１は乾燥チャンバ，２はキャリ
ア受，３はチャンバの蓋，４は窒素ガス供給ライン，５
はヒータ，６はヒータの保護カバー，７は排気兼ドレイ
ン，８は冷却管である。
図である。図において，１は乾燥チャンバ，２はキャリ
ア受，３はチャンバの蓋，４は窒素ガス供給ライン，５
はヒータ，６はヒータの保護カバー，７は排気兼ドレイ
ン，８は冷却管である。
【００１５】乾燥チャンバ１は石英製であり，この中に
水洗終了後のウエハの入ったキャリアをキャリア受２の
上にセットする。次いで，チャンバの蓋３を閉じてチャ
ンバ内をほぼ密閉する。チャンバの蓋３の内側には窒素
ガス供給ライン４が取付けられており，これは石英板に
均一に窒素ガスの供給口が設けられている。ここから，
窒素ガスが供給されて乾燥プロセスが始まる。
水洗終了後のウエハの入ったキャリアをキャリア受２の
上にセットする。次いで，チャンバの蓋３を閉じてチャ
ンバ内をほぼ密閉する。チャンバの蓋３の内側には窒素
ガス供給ライン４が取付けられており，これは石英板に
均一に窒素ガスの供給口が設けられている。ここから，
窒素ガスが供給されて乾燥プロセスが始まる。
【００１６】次に，チャンバ１の側面を取り囲んでヒー
タ５が設けられ，温度をモニタリングしながら，ウエハ
温度を室温より50℃前後まで緩やか（10〜20℃／分）に
上昇させ，引き続いてウエハ温度を 120〜150 ℃付近ま
でより速い上昇率（30〜50℃／分）で上昇させて乾燥す
る。
タ５が設けられ，温度をモニタリングしながら，ウエハ
温度を室温より50℃前後まで緩やか（10〜20℃／分）に
上昇させ，引き続いてウエハ温度を 120〜150 ℃付近ま
でより速い上昇率（30〜50℃／分）で上昇させて乾燥す
る。
【００１７】この際，ウエハ温度はチャンバ容積，窒素
ガス流量等により変わるので，チャンバ壁の温度でモニ
タするときは予め較正しておく必要がある。また，ダミ
ーウエハで測温してもよい。
ガス流量等により変わるので，チャンバ壁の温度でモニ
タするときは予め較正しておく必要がある。また，ダミ
ーウエハで測温してもよい。
【００１８】この装置は，水洗後のウエハからの水垂れ
を避けるため，また均熱をはかるためSUS 等で作成した
ヒータの保護カバー６を設けている。また，チャンバ底
部にはスロープをつけ，ウエハから垂れた水を速やかに
排気兼ドレイン７に流している。
を避けるため，また均熱をはかるためSUS 等で作成した
ヒータの保護カバー６を設けている。また，チャンバ底
部にはスロープをつけ，ウエハから垂れた水を速やかに
排気兼ドレイン７に流している。
【００１９】乾燥終了後，ヒータ電源を切り，ヒータと
保護カバーの管に設けられた冷却管８に水を流してチャ
ンバ内温度を下げてから，チャンバからウエハを入れた
キャリアを取り出す。
保護カバーの管に設けられた冷却管８に水を流してチャ
ンバ内温度を下げてから，チャンバからウエハを入れた
キャリアを取り出す。
【００２０】実施例では，単体としての乾燥装置を用い
たが，これをディップ式の自動洗浄装置に組み込んで
も，また，１バッチ式のシャワ洗浄装置に組み込んで
も，本発明の方法が簡単であることから，本発明を適用
できることは勿論である。
たが，これをディップ式の自動洗浄装置に組み込んで
も，また，１バッチ式のシャワ洗浄装置に組み込んで
も，本発明の方法が簡単であることから，本発明を適用
できることは勿論である。
【００２１】また，実施例では不活性ガスとして廉価で
一般的な窒素を用いたが, その他の不活性ガスであって
もよい。
一般的な窒素を用いたが, その他の不活性ガスであって
もよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば，撥水性表面および親水
性表面に対してシミ, 汚染, 自然酸化膜の発生を抑制で
き，また，乾燥方法が簡単なためウエハの大口径化およ
び自動乾燥装置への組み込みに適した乾燥方法が得られ
た。この結果，デバイス特性の向上に寄与することがで
きた。
性表面に対してシミ, 汚染, 自然酸化膜の発生を抑制で
き，また，乾燥方法が簡単なためウエハの大口径化およ
び自動乾燥装置への組み込みに適した乾燥方法が得られ
た。この結果，デバイス特性の向上に寄与することがで
きた。
【図１】 本発明の実施例を説明する装置の断面図
１ 乾燥チャンバ ２ キャリア受 ３ チャンバの蓋 ４ 窒素ガス供給ライン ５ ヒータ ６ ヒータの保護カバー ７ 排気兼ドレイン ８ 冷却管
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄後のウエハを不活性ガス流の雰囲気
内で, ウエハ温度を室温より水の沸点以下の第１の温度
まで第１の上昇率で上昇させ，引き続いてウエハ温度を
水の沸点以上の第２の温度まで該第１の上昇率より大き
い第２の上昇率で上昇させて乾燥させることを特徴とす
るウエハの乾燥方法。 - 【請求項２】前記第１の温度が約50℃，第２の温度が 1
20乃至150 ℃であることを特徴とする請求項１記載のウ
エハの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31948491A JPH05160103A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | ウエハの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31948491A JPH05160103A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | ウエハの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160103A true JPH05160103A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18110726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31948491A Withdrawn JPH05160103A (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | ウエハの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277146A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP31948491A patent/JPH05160103A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277146A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |