JPH05163054A

JPH05163054A - 複合電歪セラミックス、その製造方法およびそれを用いた変位素子

Info

Publication number: JPH05163054A
Application number: JP32556691A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Nishida; 正光西田; Koichi Kugimiya; 公一釘宮
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1991-12-10
Filing date: 1991-12-10
Publication date: 1993-06-29

Abstract

(57)【要約】【目的】低温で作製できる電歪セラミックスとその製
造方法、及びこのセラミックスよりなる変位素子を提供
する。【構成】電歪セラミックス粉末として、0.5 Ｐｂ（Ｎ
ｉ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ ₃−0.4 ＰｂＴｉＯ₃−0.1 Ｂａ
（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃の組成比の平均粒子径３．２
μｍに粉砕した仮焼粉末と平均粒子径３．８μｍのＰｂ
Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末を、媒体撹拌ミルで平均粒子
径約０．２μｍに混合粉砕後、加圧成形、焼成し、ガラ
ス３がマトリックスとなり、電歪セラミックス粉末２が
ガラス３のマトリックス中にランダムに入り乱れて分散
された複合電歪セラミックスを製造した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複合電歪セラミック
ス、その製造方法およびそれを用いた変位素子に関する
ものであり、特に低温で製造、焼成できる複合電歪セラ
ミックスその製造方法およびそれを用いた変位素子に関
するものである。また、本発明は、精密機械の位置決
め、ビデオオートトラッキング用アクチュエーター等の
変位素子などに有用な複合電歪セラミックスおよびその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電歪材料を用いる変位素子は、圧電材料
を用いる変位素子と比べて、分極処理が不要であるこ
と、変位の履歴がない或は少ないこと、エージングによ
る変化がない或は少ないこと、及び耐熱性に優れている
ことなどの特長があり、各種のアクチュエーターとして
使用されている。

【０００３】電歪セラミックスとしては、従来よりＰｂ
（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3）_xＴｉ_yＯ₃二成分系（但しＸ＋
Ｙ＝１）、Ｐｂ（Ｎｉ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ
₃−Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ_2/3）Ｏ₃三成分系組成等（特
公昭６１−３１９２６号公報）より成るセラミックス材
料がある。これらの従来のセラミックス材料は、その構
成成分がほとんど全部がセラミックスであり、原料ある
いは仮焼粉末を所定の形状に成形したのち、高温で焼成
して作製される。また、比較的低温で作製できる材料と
しては、上記セラミックスの粉末とゴムやエポキシ樹脂
などの有機物との混合物がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の電歪セラミック
スは、一般に焼成温度が高く、１１００〜１３００℃の
高温で焼成する必要がある。このため、素子を構成する
内部電極などは前記のような高温の焼成温度にさらされ
ることになり、従って、高温でも酸化されたり変質した
りすることの少ない高価な白金等を用いることが必要に
なる。従って、各種の部品などの素子としてはコストが
高くなり、汎用的に使いにくいといった問題がある。

【０００５】また、電歪セラミックスが薄膜化できる
と、例えば変位素子などに適用した場合に変位素子を薄
くする事ができ、従って低い電圧で作動させることがで
き、小型化も可能になるなどの大きな利点があるが、従
来の材料は、薄膜化が困難であるとともに基板材料が高
価な白金、耐熱性の優れたセラミックスなどに限定され
る。また、有機物との混合物からなる電歪材料は耐熱性
が劣るとともに弾性定数が小さく、大きな応力に対応で
きないといった問題生じる。

【０００６】本発明は、前記従来の課題を解決するた
め、低温で焼成や加工などができるとともに耐熱性の優
れた電歪セラミックス、その製造方法およびこれを用い
た変位素子を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的達成するため、
本発明の複合電歪セラミックスは少なくとも電歪セラミ
ックス粉末とガラスとの複合体よりなる。

【０００８】また、前記構成に於いては、電歪セラミッ
クス粉末の平均粒子径が２μｍ以下である事が好まし
い。また、本発明は、少なくとも電歪セラミックス粉
末、ガラスとウイスカーの複合体よりなる複合電歪セラ
ミックスを提供する。

【０００９】前記構成に於いては、電歪セラミックス粉
末の平均粒子径が２μｍ以下であり、かつウイスカーの
平均の長さが５０μｍ以下である事が好ましい。また、
本発明の複合電歪セラミックスに於いては、ガラスが結
晶化ガラスである事が好ましい。

【００１０】また、本発明の複合電歪セラミックスの製
造方法は、少なくとも電歪セラミックス粉末とガラスと
を平均粒子径０．６μｍ以下に混合粉砕したのち、成
形、焼成することを特徴とする。

【００１１】また、本発明の変位素子は、少なくとも電
歪セラミックス粉末とガラスとの複合体よりなる複合電
歪セラミックス層の表面と裏面に電極層が形成されてな
る変位素子である。

【００１２】本発明で用いる電歪セラミックス粉末とし
ては、電歪性を示すセラミックスの粉末であれば何でも
よく、具体的には例えばＰｂ（Ｍｇ_1/3Ｎｂ_2/3）_xＴ
ｉ_yＯ₃二成分系（但しＸ＋Ｙ＝１）、Ｐｂ（Ｎｉ_1/3
Ｎｂ_2/3）Ｏ₃−ＰｂＴｉＯ ₃−Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎｂ
_2/3）Ｏ₃三成分系組成等より成るセラミックス材料な
どが代表的なものとして挙げられる。電歪セラミックス
粉末は、好ましくは平均粒子径２μｍ以下のものを用い
ることが高密度な成型物を容易に得ることができるので
好ましい。平均粒子径の大きいものを例えばボールミル
その他で粉砕して用いてもよいことは勿論である。電歪
セラミックス粉末の平均粒子径の下限は電歪を示す平均
粒子径であればよい。これは用いる電歪セラミックスの
種類や組成によって異なる固有の下限があるので、それ
ぞれによって異なる。例えば後述の実施例１の組成物で
は平均粒子径が０．０１０μｍ程度でも本発明の複合電
歪セラミックスでは電歪特性を示す。また、本発明の目
的を阻害しない範囲で、他の各種のセラミック材料、例
えばアルミナ、ジルコニア、チタニアなどの各種のセラ
ミックスなどを適宜併用してもよい。ただ、これらは余
り多量に使用すると電歪性が低下したり、焼結性が低下
するので、これらの性質が余り低下しない程度の範囲で
用いることが望ましい。

【００１３】本発明で用いるガラスとしては、特に制限
はなく、各種のガラスを用いる事ができ、好ましい具体
例としては、例えば、ＰｂＯ・Ｂ₂Ｏ₃系ガラス、Ｐｂ
Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂系ガラス、ＰｂＯ・ＺｎＯ・Ｂ
₂Ｏ₃系ガラス、ＺｎＯ・Ｂ ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂系ガラス
など各種のガラスを用いいることができる。特にこれら
を結晶化させた結晶化ガラスを用いることは、本発明の
複合電歪セラミックスの耐熱性を向上させる上で好まし
い。また、ガラスとしては、化学的に安定で、熱膨張率
が電歪セラミックスの熱膨張率に近い値であることが望
ましい。

【００１４】電歪セラミックス粉末とガラスとの配合割
合は、通常、電歪セラミックス粉末１０〜９０ｖｏｌ％
に対してガラス９０〜１０ｖｏｌ％の範囲で好ましく用
いられる。

【００１５】電歪セラミックス粉末とガラスとを混合し
て粉砕する場合には、媒体攪拌ミルを用いることが、極
めて短時間に微粉砕することができるので好ましい。電
歪セラミックス粉末やガラス粉末の粒子径を小さくする
ことにより複合電歪セラミックスの厚みを限りなく薄く
でき好ましい。

【００１６】ウイスカーを併用する場合には、例えば、
マグネシアウイスカー、ジルコニアウイスカー、ＳｉＣ
ウイスカー、ＺｎＯウイスカー、チタン酸カリウムウイ
スカー、Ｓｉ₃Ｎ₄ウイスカー、ジルコニアウイスカー
など本発明の目的が達成出来るものであれば、特に限定
されるものではなく、他の適宜のウイスカーもが使用で
きる。

【００１７】また、本発明で云うウイスカーとは、ガラ
スファイバーなどの繊維状のガラス例えば耐熱性の良好
な石英ガラスファイバーなど、および例えばチタン酸バ
リウム、チタン酸ストロンチウムなどセラミックスを含
む。なお、ウイスカーの長さが５０μｍを超えると複合
電歪セラミックスの密度が小さくなり、電歪性が低下す
る恐れがあり、５０μｍ以下のものを用いることが好ま
しい。また、ウイスカーの長さは強誘電性セラミックス
粉末の平均粒子径が小さい場合には、それに応じて小さ
くするのが好ましい。通常ウイスカーの長さは２μｍ以
上であることが、曲げ強度向上効果が発揮されるために
は好ましい。

【００１８】ウイスカーは通常１５ｖｏｌ％以下の範囲
で用いることが電歪性の急激な低下を招かない上で好ま
しい。成形はセラミックス粉体の成形に使用できる各種
の成型法が採用でき、例えば加圧成形、鋳込み成形、押
し出し成形、ドクターブレード法、ディップ法、印刷法
など適宜のものを適用することができる。

【００１９】焼成温度はガラスの焼結温度付近でよく、
従って低温での焼成が可能となる。具体的な焼成温度は
用いる材料の種類によって異なるので一概に規定出来な
いが、例えば、通常３００℃〜８００℃程度の範囲であ
る。但し、何らこれに限定されるものではない。

【００２０】なお、本発明の複合電歪セラミックスは、
例えば各種セラミックス基板や金属の基板あるいは電極
上などに形成することもできる。また、本発明の複合電
歪セラミックスは、電歪セラミックス粉末とガラスとの
配合割合などを変化させることにより、その電歪を従来
より一層広い範囲で制御できる。

【００２１】また、本発明の複合電歪セラミックスは機
械的強度の大きい素子や耐湿性の優れた素子を得る上で
は、気孔ができるだけ少ないことが望ましいが。しか
し、気孔を含んでも本発明の効果を妨げるものではな
い。

【００２２】図１は本発明の電歪セラミックス粉末２と
ガラス３よりなる複合電歪セラミックス１の断面構造の
一例を示す概念図であり、ガラス３がマトリックスとな
り、電歪セラミックス粉末２がガラス３のマトリックス
中にランダムに入り乱れて分散された構成になってお
り、三次元的には、ガラスの領域はそれ自身三次元連続
層を形成している。

【００２３】図２は本発明の複合電歪セラミックスを用
いた変位素子４の構造の一例を示す断面図である。１は
本発明の複合電歪セラミックス層であり、基板となり且
つ電極となる金属板７の両面に形成されている。通常こ
の複合電歪セラミックス層１の形成は、金属板７を電歪
セラミックス粉末とガラス粉末のスラリーにディップし
たり塗布するなどの方法でコーテイングし、次いで乾燥
して焼成するなどの方法によって形成することができ
る。焼成後金属板７の両面に形成された複合電歪セラミ
ックス層のいずれも周辺部の一部を残して例えば蒸着な
どでCr−Auその他の電極５、６（ここで電極５をａ電
極、電極６をｂ電極とする。）が形成された構造を有し
ている。しかし、これは上記のように金属板７以外にａ
電極とｂ電極を設けた形の変位素子であるが、ａ電極と
ｂ電極はいずれか一方のみ設けたものでも良い。また、
この例では金属板７の複合電歪セラミックスが形成され
ていない部分の固定端９を接着剤などで固定ブロック８
に固定し変位素子を構成したものである。この変位素子
の中央電極となる金属板７とａ電極５の間、あるいは金
属板７とｂ電極６の間に直流電界を印加することによっ
て、前者の場合には、解放端１０を左方に変位させるこ
とができ、また、後者の場合には解放端１０を右方に変
位させることができる。

【００２４】

【作用】本発明の複合電歪セラミックスは少なくとも電
歪セラミックス粉末とガラスとの複合体よりなるので、
従来の電歪セラミックスだけからる材料に比べて、著し
く低温で製造することのできる電歪セラミックスを提供
できる。

【００２５】また、好ましくは、電歪セラミックス粉末
の平均粒子径を２μｍ以下とすることにより、低温で製
造することのできる高密度の電歪セラミックスを提供で
きる。

【００２６】また、本発明の複合電歪セラミックスを、
少なくとも電歪セラミックス粉末、ガラスとウイスカー
の複合体よりなる構成とすることにより、低温で製造す
ることのできる機械的強度の大きい電歪セラミックスを
提供できる。

【００２７】また上記複合電歪セラミックスに於いて、
電歪セラミックス粉末の平均粒子径が２μｍ以下であ
り、かつウイスカーの平均の長さが５０μｍ以下とする
ことにより、低温で製造することのできる機械的強度の
大きい高密度の電歪セラミックスを提供できる。

【００２８】また、本発明の複合電歪セラミックスに於
いては、ガラスを結晶化ガラスとすることにより、低温
で製造することのできる耐熱性の優れた複合電歪セラミ
ックスを提供できる。

【００２９】また、本発明の複合電歪セラミックスの製
造方法は、少なくとも電歪セラミックス粉末とガラスと
を平均粒子径０．６μｍ以下に混合粉砕したのち、成
形、焼成するので、高密度の電歪セラミックスを低温で
製造することができる。

【００３０】また、本発明の変位素子は、少なくとも電
歪セラミックス粉末とガラスとの複合体よりなる複合電
歪セラミックス層の表面と裏面に電極層が形成されいる
ので低温で電極上に複合電歪セラミックスを形成する事
ができ、電極材料としてより安価な材料を用いた変位素
子を提供する事ができる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の理解を容易にするために実施
例を挙げて説明するが、本発明は、これらの実施例のみ
に限定されるものではない。

【００３２】実施例１電歪セラミックス粉末として、0.5 Ｐｂ（Ｎｉ_1/3Ｎｂ
_2/3）Ｏ₃−0.4 ＰｂＴｉＯ₃−0.1 Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎ
ｂ_2/3）Ｏ₃の組成比の仮焼粉末（原料を混合後１２０
０℃で２時間仮焼したのち、ボールミルで平均粒子径
３．２μｍに粉砕した粉末）とガラス粉末（日本電気硝
子株式会社製ＰｂＯ・Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末、品番ＣＦ
−８、平均粒子径３．８μｍ、尚、このガラスには若干
のセラミックス粉末を含む）を（表１）に示す比率で秤
量したのち、エタノールを分散媒として、媒体撹拌ミル
（アイガーエンジニアリング社製“モーターミルＭ５
０”、”粉砕媒体：直径０．４ｍｍのジルコニア玉石、
撹拌器の周速１０ｍ／ｓ）で平均粒子径約０．２μｍに
混合粉砕後乾燥させた。その後、純水を用いて造粒した
のち、５００μｍの篩を通過させて整粒した。この粉体
を、金型を用いて加圧成形で長さ１０mm、幅５mm、厚さ
約１mmの板状の成形体を作製し、これを電気炉で２時間
焼成し、複合電歪セラミックスを作製した。昇温・降温
速度は４００℃／ｈである。焼成後板状試料の両面にCr
−Auの蒸着電極を付与して電歪素子を得た。この試料の
両電極間２kV/mm の直流電界を印加し、差動トランス式
変位計を用いて、試料の長さ方向の変位量を測定した。
なお、変位量は変化率で示した。測定結果を表１に示
す。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１から明らかなように、本発明の複合電
歪セラミックスは、比較例のＮｏ．８の電歪セラミック
スに比べて変位量は少し低下するが、著しく低温で作製
することができる。なお、Ｎｏ．８の比較例で焼成温度
が１０００℃以下の場合では、全く焼結しない。なお、
Ｎｏ．５と同じ配合比で媒体撹拌ミルによる混合粉砕後
の平均粒子径が、２．４、１．１２、０．５６、０．１
９、と０．０６３μｍでは、焼結体の密度は理論密度に
対して、それぞれ９３、９４、９８、９９と９８％であ
り、混合粉砕後の平均粒子径が０．６μｍ以下では高密
度に焼成できるが、０．６μｍを超えるものでは焼成密
度が小さく緻密なセラミックスが得難い。

【００３５】また、上記の実施例では電歪セラミックス
粉末とガラスとを媒体撹拌ミルで混合粉砕したが、両者
を別々に粉砕したのち、混合してもよい。この場合に
は、電歪セラミックス粉末の平均粒子径は、２μｍ以下
であることが望ましい。２μｍを超えると焼結性の低下
が著しい。即ち、電歪セラミックス粉末の平均粒子径
が、３．２、１．９、と０．５１μｍでは、焼結体の密
度は理論密度に対して、それぞれ７０、８９と９３％で
あり、電歪セラミックス粉末の平均粒子径が２μｍを超
えるものでは焼結密度が小さい。なお、媒体撹拌ミルで
混合粉砕すると電歪セラミックス粉末とガラスとの混合
度が向上し、複合電歪セラミックスの均質性が向上する
とともに、焼結性も改善されるので好ましい。

【００３６】実施例２電歪セラミックス粉末として、0.5 Ｐｂ（Ｎｉ_1/3Ｎｂ
_2/3）Ｏ₃−0.4 ＰｂＴｉＯ₃−0.1 Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎ
ｂ_2/3）Ｏ₃の組成比の仮焼粉末（原料を混合後１２０
０℃で２時間仮焼したのち、ボールミルで平均粒子径
３．２μｍに粉砕した粉末）とガラス粉末（日本電気硝
子（株）製ＰｂＯ・Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末、品番ＣＦ−
８、平均粒子径３．８μｍ、尚、このガラスには若干の
セラミックス粉末を含む）を表２に示す比率で秤量した
のち、エタノールを分散媒として、媒体撹拌ミル（アイ
ガーエンジニアリング社製“モーターミルＭ５０”、粉
砕媒体：直径０．４ｍｍのジルコニア玉石、撹拌器の周
速１０ｍ／ｓ）で平均粒子径約０．２μｍに混合粉砕後
乾燥させた。この混合粉砕粉末とマグネシアウイスカー
（平均直径約２μｍ、平均長さ２４μｍのマグネシア）
とを表２に示す比率に混合した後、純水を用いて造粒
し、５００μｍの篩を通過させて整粒した。この粉体
を、金型を用いて加圧成形で長さ１０mm、幅５mm、厚さ
約１mmの板状の成形体を作製し、これを電気炉で２時間
焼成し、複合電歪セラミックスを作製した。昇・降温速
度は４００℃／ｈである。焼成後板状試料の両面にCr−
Auの蒸着電極を付与して電歪素子を得た。この試料の両
電極間２kV/mm の直流電界を印加し、差動トランス式変
位計を用いて、試料の長さ方向の変位量を測定した。変
位量と曲げ強度の測定結果を表２に示す。

【００３７】

【表２】

【００３８】表２に示すように、ウイスカーを含む複合
電歪セラミックスは、ウイスカーを含まないものに比べ
て曲げ強度を大きくすることができる。なお、ウイスカ
ーとしては、実施例以外のジルコニア、ＳｉＣウイスカ
ーなど本発明の目的が達成できるものであれば前記以外
の適宜の他のウイスカーが使用できるとは前述の通りで
ある。

【００３９】実施例３実施例１と２のＮｏ．３と１０について、ガラスの材質
として、結晶化ガラス（日本電気硝子（株）製ＰｂＯ・
ＺｎＯ・Ｂ₂Ｏ₃系粉末ガラス、品番“ＬＳ−７１０
５”、平均粒子径７．５μｍ）を用いる以外は上記実施
例とほぼ同じ方法で複合電歪セラミックスを作製した。
これらの試料について変位量と変形温度を測定した。測
定結果を表３に示す。なお、変形温度は各温度に５時間
保持した場合、円板状試料の角が丸みを帯びる温度とし
た。

【００４０】

【表３】

【００４１】表３に示すように、ガラスとして結晶化ガ
ラスを用いると非結晶化ガラスに比べて、変形温度が著
しく高くなり、複合電歪セラミックスの耐熱性が著しく
向上した。このため、結晶化ガラスを用いた複合電歪セ
ラミックスは高温での加工や熱処理に耐えることができ
好ましい。

【００４２】実施例４電歪セラミックス粉末として、0.5 Ｐｂ（Ｎｉ_1/3Ｎｂ
_2/3）Ｏ₃−0.4 ＰｂＴｉＯ₃−0.1 Ｂａ（Ｚｎ_1/3Ｎ
ｂ_2/3）Ｏ₃の組成比の仮焼粉末（原料を混合後１２０
０℃で２時間仮焼したのち、ボールミルで平均粒子径
３．２μｍに粉砕した粉末）とガラス粉末（日本電気硝
子（株）製ＰｂＯ・Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末、品番ＣＦ−
８、平均粒子径３．８μｍ、尚、このガラスには若干の
セラミックス粉末を含む）を表１のＮｏ．４に示す比率
で秤量したのち、エタノールを分散媒として、媒体撹拌
ミル（アイガーエンジニアリング社製“モーターミルＭ
５０”、粉砕媒体：直径０．４ｍｍのジルコニア玉石、
撹拌器の周速１０ｍ／ｓ）で平均粒子径約０．２μｍに
混合粉砕した。この混合粉砕したスラリーを長さ２０m
m、幅５mm、厚さ約０．０５mmのステンレス板の両面に
長さ方向の５ｍｍを残してディプコーティングした。乾
燥後、これを４５０℃で２時間焼成し、厚さが平均で
０．０４５ｍｍの複合電歪セラミックス膜を得た。これ
を用いて図２に示したような電歪素子を作成した。焼成
後複合電歪セラミックス層１の両面周辺部１ｍｍを残し
てCr−Auの蒸着電極（ａ電極５とｂ電極６）を形成して
電歪素子を得た。図２に示すようにステンレス板からな
る金属板７の複合電歪セラミックス層１のない部分の固
定端９をエポキシ樹脂接着剤で固定ブロック８に固定し
変位素子４を構成した。この試料の中央電極となる金属
板７とａ電極５の間、あるいは金属板７とｂ電極６の間
に２kV/mm の直流電界を印加し、光学顕微鏡を用いて、
試料の解放端１０のたわみ変位を測定した。前者では、
解放端１０は左方に１２２μｍ変位した。後者では右方
に１０５μｍ変位した。

【００４３】以上のように、本発明の複合電歪セラミッ
クスは、従来の電歪セラミックスに比べて著しく低温で
作製できる。このため、ステンレス等の金属板などの各
種基板上には塗布法などで、大面積の薄膜状の電歪セラ
ミックスを作製できる。また、本発明は、薄膜化容易で
あり、電歪セラミックス粉末及びガラス粉末を細かくす
ることにより、複合電歪セラミックスとこれより構成す
る変位素子の厚みをナノメーターのオーダーまで薄くで
きる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の複合電歪セラミックスは、従来
の電歪セラミックスだけからる材料に比べて、著しく低
温で製造することのできる電歪セラミックスを提供でき
る。従って今まで使用できなかった耐熱性の低い材料と
の組合わせでも各種の素子などの作成に有効に使用でき
る。

【００４５】また、電歪セラミックス粉末の平均粒子径
を２μｍ以下とすることにより、より高密度の低温で製
造することのできる電歪セラミックスを提供できる。ま
た、本発明の複合電歪セラミックスにウイスカーを併用
することにより、より機械的強度の大きい低温で製造す
ることのできる電歪セラミックスを提供できる。

【００４６】また本発明の複合電歪セラミックスに於い
て、電歪セラミックス粉末の平均粒子径が２μｍ以下で
あり、かつウイスカーの平均の長さが５０μｍ以下とす
ることにより、低温で製造することのできる機械的強度
の大きい高密度の電歪セラミックスを提供できる。

【００４７】また、本発明の複合電歪セラミックスに於
いては、ガラスを結晶化ガラスとすることにより、低温
で製造することのできるより耐熱性の優れた複合電歪セ
ラミックスを提供できる。

【００４８】また、本発明の複合電歪セラミックスの製
造方法は、高密度の電歪セラミックスを低温で製造する
方法を提供することができる。また、本発明の変位素子
は、電極材料やその他の材料として耐熱性の低い材料や
安価な材料を用いた変位素子を提供する事ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合電歪セラミックスの断面構造の一
例を示す概念図である。

【図２】本発明の複合電歪セラミックスを用いた変位素
子の構造の一例を示す断面略図である。

【符号の説明】

１複合電歪セラミックス２電歪セラミックス粉末３ガラス４変位素子５ａ電極６ｂ電極７金属板８固定ブロック９固定端１０解放端

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも電歪セラミックス粉末とガラ
スとの複合体よりなる複合電歪セラミックス。
【請求項２】電歪セラミックス粉末の平均粒子径が２
μｍ以下である請求項１に記載の複合電歪セラミック
ス。
【請求項３】少なくとも電歪セラミックス粉末、ガラ
スとウイスカーの複合体よりなる複合電歪セラミック
ス。
【請求項４】電歪セラミックス粉末の平均粒子径が２
μｍ以下であり、かつウイスカーの平均の長さが５０μ
ｍ以下である請求項３に記載の複合電歪セラミックス。
【請求項５】ガラスが結晶化ガラスである請求項１〜
４のいずれかに記載の複合電歪セラミックス。
【請求項６】少なくとも電歪セラミックス粉末とガラ
スとを平均粒子径０．６μｍ以下に混合粉砕したのち、
成形、焼成することを特徴とする複合電歪セラミックス
の製造方法。
【請求項７】少なくとも電歪セラミックス粉末とガラ
スとの複合体よりなる複合電歪セラミックス層の表面と
裏面に電極層が形成されてなる変位素子。