JPH05164584A - マイクロフローセンサ - Google Patents
マイクロフローセンサInfo
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- JPH05164584A JPH05164584A JP3327885A JP32788591A JPH05164584A JP H05164584 A JPH05164584 A JP H05164584A JP 3327885 A JP3327885 A JP 3327885A JP 32788591 A JP32788591 A JP 32788591A JP H05164584 A JPH05164584 A JP H05164584A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】感度に優れるマイクロフローセンサを得る。
【構成】酸化シリコン膜９と窒化シリコン膜１０からな
る二層膜のダイアフラム上に第一の測温抵抗体６、発熱
抵抗体５、第二の測温抵抗体７を流体の流れ方向に順次
配置する。流体の流れをその流路を狭くするように案内
する集風体１１を流路の上流に設ける。あるいは第一の
測温抵抗体を第二の測温抵抗体に比し発熱抵抗体に近接
して設ける。
る二層膜のダイアフラム上に第一の測温抵抗体６、発熱
抵抗体５、第二の測温抵抗体７を流体の流れ方向に順次
配置する。流体の流れをその流路を狭くするように案内
する集風体１１を流路の上流に設ける。あるいは第一の
測温抵抗体を第二の測温抵抗体に比し発熱抵抗体に近接
して設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロフローセンサ
の構造に係り、特に高感度のマイクロフローセンサの構
造に関する。
の構造に係り、特に高感度のマイクロフローセンサの構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロフローセンサは発熱抵抗体によ
り加熱された測温抵抗体の抵抗値が流体の通過によりそ
の抵抗値を変化することを利用して流体の流量を検出す
るものである。図５は従来のマイクロフローセンサを示
す平面図である。図６は従来のマイクロフローセンサを
示す断面図である。従来のマイクロフローセンサはシリ
コン基板１の上に熱絶縁用の熱酸化酸化シリコン膜２を
設け、この酸化シリコン膜２の中心に発熱抵抗体５を形
成し、同じ酸化シリコン膜２の上に第一の測温抵抗体６
と第二の測温抵抗体７を発熱抵抗体５を中心として左右
対称に配置する。測温抵抗体と発熱抵抗体の間には熱絶
縁用スリット４が形成される。熱絶縁用スリット４も対
称に配置される。発熱抵抗体に電極８を介して、定電流
を流すと測温抵抗体６、７の温度が上昇する。この状態
で流体を第一の測温抵抗体６の方向から発熱抵抗体、第
二の測温抵抗体に向けて流す。流体は第一の測温抵抗体
を冷却し発熱抵抗体で加熱されて第二の測温抵抗体をさ
らに加温する。このようにして第一の測温抵抗体は温度
が低下し第二の測温抵抗体は温度が上昇する。二つの測
温抵抗体６、７はブリッジ回路に直列に接続されており
温度変化によって生ずる抵抗値の変化から発生するブリ
ッジ電圧により流体の流量を検出する。
り加熱された測温抵抗体の抵抗値が流体の通過によりそ
の抵抗値を変化することを利用して流体の流量を検出す
るものである。図５は従来のマイクロフローセンサを示
す平面図である。図６は従来のマイクロフローセンサを
示す断面図である。従来のマイクロフローセンサはシリ
コン基板１の上に熱絶縁用の熱酸化酸化シリコン膜２を
設け、この酸化シリコン膜２の中心に発熱抵抗体５を形
成し、同じ酸化シリコン膜２の上に第一の測温抵抗体６
と第二の測温抵抗体７を発熱抵抗体５を中心として左右
対称に配置する。測温抵抗体と発熱抵抗体の間には熱絶
縁用スリット４が形成される。熱絶縁用スリット４も対
称に配置される。発熱抵抗体に電極８を介して、定電流
を流すと測温抵抗体６、７の温度が上昇する。この状態
で流体を第一の測温抵抗体６の方向から発熱抵抗体、第
二の測温抵抗体に向けて流す。流体は第一の測温抵抗体
を冷却し発熱抵抗体で加熱されて第二の測温抵抗体をさ
らに加温する。このようにして第一の測温抵抗体は温度
が低下し第二の測温抵抗体は温度が上昇する。二つの測
温抵抗体６、７はブリッジ回路に直列に接続されており
温度変化によって生ずる抵抗値の変化から発生するブリ
ッジ電圧により流体の流量を検出する。
【０００３】このようなマイクロフローセンサはシリコ
ン半導体基板の表面に熱酸化により酸化シリコン膜２を
形成したあとフォトリソグラフィの手法によりウェット
エッチングを用いて熱絶縁スリット４が形成される。次
いでスパッタリング法によりニッケル膜を形成したのち
フォトリソグラフィの方法により第一の測温抵抗体６、
発熱抵抗体５、第二の測温抵抗体７のパターニングを行
う。その後基板の裏面からプラズマエッチングにより第
一の測温抵抗体６、発熱抵抗体５、第二の測温抵抗体７
の下方に空洞部３を設け酸化シリコン膜からなるダイア
フラムを形成する。空洞部３を設けることにより第一の
測温抵抗体と発熱抵抗体と第二の測温抵抗体の下部は酸
化シリコン膜のみとなり、第一の測温抵抗体６と第二の
測温抵抗体７の温度変化が鋭敏になる。
ン半導体基板の表面に熱酸化により酸化シリコン膜２を
形成したあとフォトリソグラフィの手法によりウェット
エッチングを用いて熱絶縁スリット４が形成される。次
いでスパッタリング法によりニッケル膜を形成したのち
フォトリソグラフィの方法により第一の測温抵抗体６、
発熱抵抗体５、第二の測温抵抗体７のパターニングを行
う。その後基板の裏面からプラズマエッチングにより第
一の測温抵抗体６、発熱抵抗体５、第二の測温抵抗体７
の下方に空洞部３を設け酸化シリコン膜からなるダイア
フラムを形成する。空洞部３を設けることにより第一の
測温抵抗体と発熱抵抗体と第二の測温抵抗体の下部は酸
化シリコン膜のみとなり、第一の測温抵抗体６と第二の
測温抵抗体７の温度変化が鋭敏になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のマ
イクロフローセンサは酸化シリコン膜２が残留応力のた
め歪むという現象があり、ダイアフラムが空洞側に撓
み、第一の測温抵抗体や発熱抵抗体およぴ第二の測温抵
抗体に流体が十分接触しなくなるという問題があった。
また第一の測温抵抗体や第二の測温抵抗体の温度変化が
小さいためブリッジ出力が小さく、感度に劣るという問
題があった。特に測温抵抗体の抵抗変化は流体の流量に
比例するため低流量においては検出が困難になるという
問題があった。
イクロフローセンサは酸化シリコン膜２が残留応力のた
め歪むという現象があり、ダイアフラムが空洞側に撓
み、第一の測温抵抗体や発熱抵抗体およぴ第二の測温抵
抗体に流体が十分接触しなくなるという問題があった。
また第一の測温抵抗体や第二の測温抵抗体の温度変化が
小さいためブリッジ出力が小さく、感度に劣るという問
題があった。特に測温抵抗体の抵抗変化は流体の流量に
比例するため低流量においては検出が困難になるという
問題があった。
【０００５】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、ダイアフラムの撓みを防止すること、流体を第一
の測温抵抗体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中し
て流すこと、または第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗
体の温度変化を可及大きくすることにより感度に優れる
マイクロフローセンサを提供することにある。
的は、ダイアフラムの撓みを防止すること、流体を第一
の測温抵抗体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中し
て流すこと、または第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗
体の温度変化を可及大きくすることにより感度に優れる
マイクロフローセンサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によれば、基板に形成され、流体がその表面を流れるダ
イアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向に
順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第
二の測温抵抗体とを有し、ダイアフラムは酸化シリコン
膜と窒化シリコン膜の二層積層構造であること、第二の
発明によれば基板に形成され、流体がその表面を流れる
ダイアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向
に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、
第二の測温抵抗体とを有し、第一の測温抵抗体と、発熱
抵抗体と、第二の測温抵抗体は第一の測温抵抗体が第二
の測温抵抗体よりも発熱体に近接して配置されるもので
あること、また第三の発明によれば基板に形成され流体
を案内する集風体と、前記基板の同一平面に形成され前
記案内された流体がその表面を流れるダイアフラムと、
このダイアフラム上に流体の流れ方向に順次配置された
第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体
とを有し、集風体は流体の流路を次第に狭くする二つの
対向する案内壁を有してなるとすることにより達成され
る。
によれば、基板に形成され、流体がその表面を流れるダ
イアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向に
順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第
二の測温抵抗体とを有し、ダイアフラムは酸化シリコン
膜と窒化シリコン膜の二層積層構造であること、第二の
発明によれば基板に形成され、流体がその表面を流れる
ダイアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向
に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、
第二の測温抵抗体とを有し、第一の測温抵抗体と、発熱
抵抗体と、第二の測温抵抗体は第一の測温抵抗体が第二
の測温抵抗体よりも発熱体に近接して配置されるもので
あること、また第三の発明によれば基板に形成され流体
を案内する集風体と、前記基板の同一平面に形成され前
記案内された流体がその表面を流れるダイアフラムと、
このダイアフラム上に流体の流れ方向に順次配置された
第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体
とを有し、集風体は流体の流路を次第に狭くする二つの
対向する案内壁を有してなるとすることにより達成され
る。
【０００７】
【作用】酸化シリコンＳｉＯ2 膜と窒化シリコンＳｉ3
Ｎ4 膜とはその歪み方向を逆にするのでこの二つの膜を
積層することにより歪みが相互に相殺される。第一の測
温抵抗体を第二の測温抵抗体に比し、発熱抵抗体に近接
させることにより第一の測温抵抗体の温度降下幅と第二
の測温抵抗体の温度上昇幅を従来のものより大きくする
ことができる。集風体は流体を効率良く第一の測温抵抗
体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中させるので流
体の流速が高まり、感度が上昇する。
Ｎ4 膜とはその歪み方向を逆にするのでこの二つの膜を
積層することにより歪みが相互に相殺される。第一の測
温抵抗体を第二の測温抵抗体に比し、発熱抵抗体に近接
させることにより第一の測温抵抗体の温度降下幅と第二
の測温抵抗体の温度上昇幅を従来のものより大きくする
ことができる。集風体は流体を効率良く第一の測温抵抗
体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中させるので流
体の流速が高まり、感度が上昇する。
【０００８】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 実施例１ 図１は請求項１、２、３で定義された発明の実施例に係
るマイクロフローセンサの平面図である。図２は請求項
１、２、３で定義された発明の実施例に係るマイクロフ
ローセンサの断面図である。従来のマイクロフローセン
サと同一の部分は同一の符号が使用される。従来のマイ
クロフローセンサと異なる点はダイアフラムが二層にな
ったこと、第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗体が発熱
抵抗体に対して非対称に配置されていること、集風体が
設けられていることの三点である。このようなマイクロ
フローセンサは以下のようにして製造することができ
る。２．５ｍｍ角のＳｉ基板上にスパッタリングの方法
でＳｉＯ2 膜９を０．４μｍ厚さに形成しついでＳｉ3
Ｎ4 膜を同じくスパッタリングの方法で１．５μｍ厚さ
に形成する。
する。 実施例１ 図１は請求項１、２、３で定義された発明の実施例に係
るマイクロフローセンサの平面図である。図２は請求項
１、２、３で定義された発明の実施例に係るマイクロフ
ローセンサの断面図である。従来のマイクロフローセン
サと同一の部分は同一の符号が使用される。従来のマイ
クロフローセンサと異なる点はダイアフラムが二層にな
ったこと、第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗体が発熱
抵抗体に対して非対称に配置されていること、集風体が
設けられていることの三点である。このようなマイクロ
フローセンサは以下のようにして製造することができ
る。２．５ｍｍ角のＳｉ基板上にスパッタリングの方法
でＳｉＯ2 膜９を０．４μｍ厚さに形成しついでＳｉ3
Ｎ4 膜を同じくスパッタリングの方法で１．５μｍ厚さ
に形成する。
【０００９】次にＳｉＯ2 膜９、Ｓｉ3 Ｎ4 膜１０に対
して、フォトリソグラフィの手法により第一の熱絶縁用
スリット４Ａ、第二の熱絶縁用スリット４Ｂを形成す
る。この第一の絶縁用スリット４Ａと第二の絶縁用スリ
ット４Ｂとはその形状、大きさを異にする。これらの絶
縁用スリットにより第一の測温抵抗体および第二の測温
抵抗体が示す温度差を任意の値に調整することができ
る。
して、フォトリソグラフィの手法により第一の熱絶縁用
スリット４Ａ、第二の熱絶縁用スリット４Ｂを形成す
る。この第一の絶縁用スリット４Ａと第二の絶縁用スリ
ット４Ｂとはその形状、大きさを異にする。これらの絶
縁用スリットにより第一の測温抵抗体および第二の測温
抵抗体が示す温度差を任意の値に調整することができ
る。
【００１０】次にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜を
５μｍ厚さに形成しフォトリソグラフィの手法によりウ
ェットエッチングを行って、集風体１１を形成すること
ができる。この集風体により流体が第一の測温抵抗体、
発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中して流れるように
なり第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗体の温度変化が
大きくなる。
５μｍ厚さに形成しフォトリソグラフィの手法によりウ
ェットエッチングを行って、集風体１１を形成すること
ができる。この集風体により流体が第一の測温抵抗体、
発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集中して流れるように
なり第一の測温抵抗体と第二の測温抵抗体の温度変化が
大きくなる。
【００１１】次にスパッタリング法によりＮｉ膜を０．
０７μｍ厚さに形成しフォトリソグラフィ法により中心
に発熱抵抗体５、発熱抵抗体から１００μｍの距離に第
一の測温抵抗体６、発熱抵抗体から１５０μｍの距離に
第二の測温抵抗体を形成することができる。流体の流れ
ない状態では第一の測温抵抗体の温度は第二の測温抵抗
体の温度より高くなるが抵抗値は同一値に調整される。
０７μｍ厚さに形成しフォトリソグラフィ法により中心
に発熱抵抗体５、発熱抵抗体から１００μｍの距離に第
一の測温抵抗体６、発熱抵抗体から１５０μｍの距離に
第二の測温抵抗体を形成することができる。流体の流れ
ない状態では第一の測温抵抗体の温度は第二の測温抵抗
体の温度より高くなるが抵抗値は同一値に調整される。
【００１２】図４はマイクロフローセンサの温度分布を
示す線図である。ｔ0 は発熱抵抗体の温度、ｔ1Aは第一
の測温抵抗体の流体静止時の温度、ｔ2Bは第二の測温抵
抗体の流体静止時の温度である。ｔ1Bは第一の測温抵抗
体の流体流れ時の温度、ｔ2Aは第二の測温抵抗体の流体
流れ時の温度である。温度差Δｔ1 、温度差Δｔ2は図
示しないが従来の左右対称の場合の温度差よりも大きく
なる。
示す線図である。ｔ0 は発熱抵抗体の温度、ｔ1Aは第一
の測温抵抗体の流体静止時の温度、ｔ2Bは第二の測温抵
抗体の流体静止時の温度である。ｔ1Bは第一の測温抵抗
体の流体流れ時の温度、ｔ2Aは第二の測温抵抗体の流体
流れ時の温度である。温度差Δｔ1 、温度差Δｔ2は図
示しないが従来の左右対称の場合の温度差よりも大きく
なる。
【００１３】実施例２ 請求項３で定義された発明の実施例に係るマイクロフロ
ーセンサである。集風体が形成された点のみが従来のマ
イクロフローセンサと異なる。 実施例３ 請求項１で定義された発明の実施例に係るマイクロフロ
ーセンサである。ダイアフラムを酸化シリコンと窒化シ
リコンの二層膜とした点のみが従来のマイクロフローセ
ンサと異なる。 実施例４ 請求項２で定義された発明の実施例に係るマイクロフロ
ーセンサである。第一の測温抵抗体を第二の測温抵抗体
に比し、発熱抵抗体に近接させた点のみが従来のマイク
ロフローセンサと異なる。
ーセンサである。集風体が形成された点のみが従来のマ
イクロフローセンサと異なる。 実施例３ 請求項１で定義された発明の実施例に係るマイクロフロ
ーセンサである。ダイアフラムを酸化シリコンと窒化シ
リコンの二層膜とした点のみが従来のマイクロフローセ
ンサと異なる。 実施例４ 請求項２で定義された発明の実施例に係るマイクロフロ
ーセンサである。第一の測温抵抗体を第二の測温抵抗体
に比し、発熱抵抗体に近接させた点のみが従来のマイク
ロフローセンサと異なる。
【００１４】図３は請求項１、２、３で定義された発明
の実施例に係るマイクロフローセンサにつきその特性を
従来のマイクロフローセンサの特性と対比して示す線図
である。特性線（１）は従来のマイクロフローセンサの
特性を示す。特性線（２）は請求項３で定義された発明
の実施例に係るマイクロフローセンサの特性である。特
性線（３）は請求項１で定義された発明の実施例に係る
マイクロフローセンサの特性である。特性線（４）は請
求項２で定義された発明の実施例に係るマイクロフロー
センサの特性を示す線図である。特性線（５）は請求項
１、２、３で定義された発明を重畳させた場合の特性で
ある。この発明のマイクロフローセンサは従来のセンサ
に比し出力電圧が大きくなり感度が向上していることが
わかる。なお上述のマイクロフローセンサはダイアフラ
ム構造を有する場合について説明したがこれに限定され
るものではなく、マイクロブリッジ構造を有するものに
適用しても同様の結果が得られる。
の実施例に係るマイクロフローセンサにつきその特性を
従来のマイクロフローセンサの特性と対比して示す線図
である。特性線（１）は従来のマイクロフローセンサの
特性を示す。特性線（２）は請求項３で定義された発明
の実施例に係るマイクロフローセンサの特性である。特
性線（３）は請求項１で定義された発明の実施例に係る
マイクロフローセンサの特性である。特性線（４）は請
求項２で定義された発明の実施例に係るマイクロフロー
センサの特性を示す線図である。特性線（５）は請求項
１、２、３で定義された発明を重畳させた場合の特性で
ある。この発明のマイクロフローセンサは従来のセンサ
に比し出力電圧が大きくなり感度が向上していることが
わかる。なお上述のマイクロフローセンサはダイアフラ
ム構造を有する場合について説明したがこれに限定され
るものではなく、マイクロブリッジ構造を有するものに
適用しても同様の結果が得られる。
【００１５】
【発明の効果】第一の発明によれば基板に形成され、流
体がその表面を流れるダイアフラムと、このダイアフラ
ム上に流体の流れ方向に順次配置された第一の測温抵抗
体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、ダイ
アフラムは酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の二層積層
構造であること、第二の発明によれば基板に形成され、
流体がその表面を流れるダイアフラムと、このダイアフ
ラム上に流体の流れ方向に順次配置された第一の測温抵
抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、第
一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体は
第一の測温抵抗体が第二の測温抵抗体よりも発熱体に近
接して配置されるものであること、また第三の発明によ
れば、基板に形成され、流体を案内する集風体と、前記
基板の同一平面に形成され前記案内された流体がその表
面を流れるダイアフラムと、このダイアフラム上に流体
の流れ方向に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱
抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、集風体は流体の
流路を次第に狭くする二つの対向する案内壁を有してな
るものであるので、酸化シリコン膜ＳｉＯ2 と窒化シリ
コン膜Ｓｉ3 Ｎ4 とはその歪み方向を逆にするのでこの
二つの膜を積層することにより歪みが相互に相殺され、
その結果流体が良く第一の測温抵抗体、発熱抵抗体、第
二の測温抵抗体に流れてマイクロフローセンサの感度が
向上する。また第一の測温抵抗体を第二の測温抵抗体に
比し、発熱抵抗体に近接させることにより第一の測温抵
抗体の温度降下幅と第二の測温抵抗体の温度上昇幅を従
来のものより大きくすることができ、その結果感度を上
昇させることができる。さらに集風体は流体を効率良く
第一の測温抵抗体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集
中させるので流体の流速が高まり、マイクロフローセン
サの感度が上昇する。
体がその表面を流れるダイアフラムと、このダイアフラ
ム上に流体の流れ方向に順次配置された第一の測温抵抗
体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、ダイ
アフラムは酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の二層積層
構造であること、第二の発明によれば基板に形成され、
流体がその表面を流れるダイアフラムと、このダイアフ
ラム上に流体の流れ方向に順次配置された第一の測温抵
抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、第
一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体は
第一の測温抵抗体が第二の測温抵抗体よりも発熱体に近
接して配置されるものであること、また第三の発明によ
れば、基板に形成され、流体を案内する集風体と、前記
基板の同一平面に形成され前記案内された流体がその表
面を流れるダイアフラムと、このダイアフラム上に流体
の流れ方向に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱
抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、集風体は流体の
流路を次第に狭くする二つの対向する案内壁を有してな
るものであるので、酸化シリコン膜ＳｉＯ2 と窒化シリ
コン膜Ｓｉ3 Ｎ4 とはその歪み方向を逆にするのでこの
二つの膜を積層することにより歪みが相互に相殺され、
その結果流体が良く第一の測温抵抗体、発熱抵抗体、第
二の測温抵抗体に流れてマイクロフローセンサの感度が
向上する。また第一の測温抵抗体を第二の測温抵抗体に
比し、発熱抵抗体に近接させることにより第一の測温抵
抗体の温度降下幅と第二の測温抵抗体の温度上昇幅を従
来のものより大きくすることができ、その結果感度を上
昇させることができる。さらに集風体は流体を効率良く
第一の測温抵抗体、発熱抵抗体、第二の測温抵抗体に集
中させるので流体の流速が高まり、マイクロフローセン
サの感度が上昇する。
【図１】請求項１、２、３で定義された発明の実施例に
係るマイクロフローセンサの平面図
係るマイクロフローセンサの平面図
【図２】請求項１、２、３で定義された発明の実施例に
係るマイクロフローセンサの断面図
係るマイクロフローセンサの断面図
【図３】請求項１、２、３で定義された発明の実施例に
係るマイクロフローセンサにつきその特性を従来のマイ
クロフローセンサの特性と対比して示す線図
係るマイクロフローセンサにつきその特性を従来のマイ
クロフローセンサの特性と対比して示す線図
【図４】マイクロフローセンサの温度分布を示す線図
【図５】従来のマイクロフローセンサを示す平面図
【図６】従来のマイクロフローセンサを示す断面図
１ 基板 ２ 熱酸化ＳｉＯ2 膜 ３ 空洞部 ４ 熱絶縁用スリット ４Ａ 熱絶縁用スリット ４Ｂ 熱絶縁用スリット ５ 発熱抵抗体 ６ 第一の測温抵抗体 ７ 第二の測温抵抗体 ８ 電極 ９ ＳｉＯ2 膜 １０ Ｓｉ3 Ｎ4 膜 １１ 集風体
Claims (5)
- 【請求項１】基板に形成され、流体がその表面を流れる
ダイアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向
に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、
第二の測温抵抗体とを有し、 ダイアフラムは酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の二層
積層構造であることを特徴とするマイクロフローセン
サ。 - 【請求項２】基板に形成され、流体がその表面を流れる
ダイアフラムと、このダイアフラム上に流体の流れ方向
に順次配置された第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、
第二の測温抵抗体とを有し、 第一の測温抵抗体と、発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体
は第一の測温抵抗体が第二の測温抵抗体よりも発熱体に
近接して配置されるものであることを特徴とするマイク
ロフローセンサ。 - 【請求項３】基板に形成され流体を案内する集風体と、
前記基板の同一表面に形成され前記案内された流体がそ
の表面を流れるダイアフラムと、このダイアフラム上に
流体の流れ方向に順次配置された第一の測温抵抗体と、
発熱抵抗体と、第二の測温抵抗体とを有し、 集風体は流体の流路を次第に狭くする二つの対向する案
内壁を有してなることを特徴とするマイクロフローセン
サ。 - 【請求項４】請求項１記載のマイクロフローセンサにお
いて、第一の測温抵抗体と発熱抵抗体との間に第一の熱
絶縁用スリットをまた第二の測温抵抗体と発熱抵抗体と
の間に第二の熱絶縁用スリットを有し、 第一の熱絶縁用スリットと第二の測温抵抗体は相互にそ
の形状、大きさを異にするものであることを特徴とする
マイクロフローセンサ。 - 【請求項５】請求項１記載のマイクロフローセンサにお
いて、発熱体はニッケルからなることを特徴とするマイ
クロフローセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327885A JPH05164584A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | マイクロフローセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3327885A JPH05164584A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | マイクロフローセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05164584A true JPH05164584A (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=18204071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3327885A Pending JPH05164584A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | マイクロフローセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05164584A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208112A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 熱式流量計測装置 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP3327885A patent/JPH05164584A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006208112A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 熱式流量計測装置 |
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