JPH05166167A - 固定磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
固定磁気ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH05166167A JPH05166167A JP3333791A JP33379191A JPH05166167A JP H05166167 A JPH05166167 A JP H05166167A JP 3333791 A JP3333791 A JP 3333791A JP 33379191 A JP33379191 A JP 33379191A JP H05166167 A JPH05166167 A JP H05166167A
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- organometallic compound
- compound containing
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スペ−シング損失の増加なく耐久性や硬度など
信頼性に優れ、かつ高密度磁気記録を可能とする。 【構成】ディスク基板41上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化
物薄膜としてのＮｉＯ膜42を形成し、このＮｉＯ膜42上
に、このディスク基板41表面に対して垂直方向に柱状構
造を有し、かつ結晶学的にスピネル型結晶構造の（１０
０）に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型
結晶構造の酸化鉄磁性薄膜としてのＣｏ−Ｚｎフェライ
ト膜43を形成した構造の固定磁気ディスクを、β−ジケ
トン金属錯体の蒸気と反応ガスとしての酸素またはオゾ
ンまたはＮ2 Ｏの混合ガスをプラズマ中で分解し反応さ
せることにより作製する。
信頼性に優れ、かつ高密度磁気記録を可能とする。 【構成】ディスク基板41上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化
物薄膜としてのＮｉＯ膜42を形成し、このＮｉＯ膜42上
に、このディスク基板41表面に対して垂直方向に柱状構
造を有し、かつ結晶学的にスピネル型結晶構造の（１０
０）に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型
結晶構造の酸化鉄磁性薄膜としてのＣｏ−Ｚｎフェライ
ト膜43を形成した構造の固定磁気ディスクを、β−ジケ
トン金属錯体の蒸気と反応ガスとしての酸素またはオゾ
ンまたはＮ2 Ｏの混合ガスをプラズマ中で分解し反応さ
せることにより作製する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固定磁気ディスクおよび
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高度情報化社会において、記憶す
べき情報の量は年々増加の一途をたどり、記憶装置の大
容量化、高密度化に対する要望も高まっている。
べき情報の量は年々増加の一途をたどり、記憶装置の大
容量化、高密度化に対する要望も高まっている。
【０００３】このような状況のもと、コンピュ−タ周辺
機器として用いられる固定磁気ディスクに用いられる記
録媒体は、従来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄
系の針状磁性粉などをを塗布した塗布型から、めっき法
やスパッタ法などによるＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
へと変化し、高密度化が図られてきた。
機器として用いられる固定磁気ディスクに用いられる記
録媒体は、従来のアルミディスク基板上にガンマ酸化鉄
系の針状磁性粉などをを塗布した塗布型から、めっき法
やスパッタ法などによるＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜型
へと変化し、高密度化が図られてきた。
【０００４】図８は従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄膜
型固定磁気ディスクの構成を示す要部拡大断面図であ
る。図８において、アルミニウム基板１上にＮｉ−Ｐめ
っき層２、Ｃｒ層３、Ｃｏ−Ｎｉ磁性層４、保護層５さ
らに潤滑層６が設けられている。以上によりＣｏ−Ｎｉ
／Ｃｒ合金の薄膜型固定磁気ディスク７が構成されてい
る。
型固定磁気ディスクの構成を示す要部拡大断面図であ
る。図８において、アルミニウム基板１上にＮｉ−Ｐめ
っき層２、Ｃｒ層３、Ｃｏ−Ｎｉ磁性層４、保護層５さ
らに潤滑層６が設けられている。以上によりＣｏ−Ｎｉ
／Ｃｒ合金の薄膜型固定磁気ディスク７が構成されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成では、合金であるがゆえに耐久性などに問題があり、
このため、磁気ディスクの構造としては、表面側より潤
滑層６、保護層５、Ｃｏ−Ｎｉ磁性層４、Ｃｒ層３、Ｎ
ｉ−Ｐめっき層２そしてアルミニウム基板１の５層薄膜
構造になっており、製造工程が複雑であるという問題を
有していた。
成では、合金であるがゆえに耐久性などに問題があり、
このため、磁気ディスクの構造としては、表面側より潤
滑層６、保護層５、Ｃｏ−Ｎｉ磁性層４、Ｃｒ層３、Ｎ
ｉ−Ｐめっき層２そしてアルミニウム基板１の５層薄膜
構造になっており、製造工程が複雑であるという問題を
有していた。
【０００６】また、上記固定磁気ディスク７はＣｏ−Ｎ
ｉ磁性層４が面内記録媒体であるため、さらに記録密度
を上げるために記録波長を短くしていくと減磁界の影響
で記録が困難になってくる。そこで、磁気記録方式上
で、この欠点を改善した記録方式である垂直記録を可能
とする磁気記録媒体として、磁気ヘッドと媒体が接触状
態ではあるがＣｏ−Ｃｒ薄膜媒体の研究が盛んになされ
てきた。しかし、図８に示すＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄
膜型の記録媒体である固定磁気ディスク７の場合と同
様、Ｃｏ−Ｃｒ媒体も合金であるがゆえ、耐久性など信
頼性に問題があるためＣｏ−Ｃｒ薄膜表面にアモルファ
スカ−ボン膜やＣｏ酸化物の保護層５を設けなくてはな
らないという問題があった。
ｉ磁性層４が面内記録媒体であるため、さらに記録密度
を上げるために記録波長を短くしていくと減磁界の影響
で記録が困難になってくる。そこで、磁気記録方式上
で、この欠点を改善した記録方式である垂直記録を可能
とする磁気記録媒体として、磁気ヘッドと媒体が接触状
態ではあるがＣｏ−Ｃｒ薄膜媒体の研究が盛んになされ
てきた。しかし、図８に示すＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金の薄
膜型の記録媒体である固定磁気ディスク７の場合と同
様、Ｃｏ−Ｃｒ媒体も合金であるがゆえ、耐久性など信
頼性に問題があるためＣｏ−Ｃｒ薄膜表面にアモルファ
スカ−ボン膜やＣｏ酸化物の保護層５を設けなくてはな
らないという問題があった。
【０００７】一方、固定磁気ディスク装置において、磁
気ヘッドの磁気ディスクに対する走行高さ（フライング
ハイト）をできるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁
気ディスクスペ−シングによる出力の損失（スペ−シン
グ損失）を軽減するため、記録密度向上につながるもの
であり、最近では高記録密度を可能にするために、0.05
〜0.1 μm 程度のフライングハイト量での走行が必要と
されている。
気ヘッドの磁気ディスクに対する走行高さ（フライング
ハイト）をできるだけ低くすることは、磁気ヘッドと磁
気ディスクスペ−シングによる出力の損失（スペ−シン
グ損失）を軽減するため、記録密度向上につながるもの
であり、最近では高記録密度を可能にするために、0.05
〜0.1 μm 程度のフライングハイト量での走行が必要と
されている。
【０００８】しかしながら、上記従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃ
ｒ合金の薄膜記録媒体、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜型記録媒体いず
れにおいても、耐久性などに問題があるため、信頼性確
保のため薄膜表面に保護膜５（数10nm）を形成しなけれ
ばならず、したがって、どうしてもスペ−シング損失が
増えてしまうという問題が残る。また、固定磁気ディス
クの場合、高速で磁気ディスクを回転（3600回転／分）
させるため、磁性層の硬度が高いことも信頼性確保とい
った点では非常に重要である。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜
のような合金の場合どうしても硬度的に問題があった。
ｒ合金の薄膜記録媒体、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜型記録媒体いず
れにおいても、耐久性などに問題があるため、信頼性確
保のため薄膜表面に保護膜５（数10nm）を形成しなけれ
ばならず、したがって、どうしてもスペ−シング損失が
増えてしまうという問題が残る。また、固定磁気ディス
クの場合、高速で磁気ディスクを回転（3600回転／分）
させるため、磁性層の硬度が高いことも信頼性確保とい
った点では非常に重要である。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ薄膜
のような合金の場合どうしても硬度的に問題があった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、スペ−シング損失の増加なく耐久性や硬度など信頼
性に優れ、かつ高密度磁気記録をすることができる垂直
磁気記録の成分を持った固定磁気ディスクおよびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
り、スペ−シング損失の増加なく耐久性や硬度など信頼
性に優れ、かつ高密度磁気記録をすることができる垂直
磁気記録の成分を持った固定磁気ディスクおよびその製
造方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の固定磁気ディスクは、ディスク基板上に、デ
ィスク基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有し、か
つ結晶学的にスピネル型結晶構造の面指数（１００）面
に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶
構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものである。
に本発明の固定磁気ディスクは、ディスク基板上に、デ
ィスク基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有し、か
つ結晶学的にスピネル型結晶構造の面指数（１００）面
に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶
構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものである。
【００１１】また、本発明の固定磁気ディスクの製造方
法は、亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含む有機
金属化合物、および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と反
応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディ
スク基板上に亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造
の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させるものである。
法は、亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含む有機
金属化合物、および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と反
応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディ
スク基板上に亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造
の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させるものである。
【００１２】さらに、本発明の上記固定磁気ディスクの
製造方法における亜鉛を含む有機金属化合物、コバルト
を含む有機金属化合物および鉄を含む有機金属化合物が
β−ジケトン金属錯体で構成されている。
製造方法における亜鉛を含む有機金属化合物、コバルト
を含む有機金属化合物および鉄を含む有機金属化合物が
β−ジケトン金属錯体で構成されている。
【００１３】さらに、本発明の固定磁気ディスクは、デ
ィスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を設
け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク基板表面に対し
て垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものであ
る。
ィスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を設
け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク基板表面に対し
て垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものであ
る。
【００１４】さらに、本発明の固定磁気ディスクのＮａ
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜が、結晶学的に面指数（１
００）面に優先配向する構成としたものである。さら
に、本発明の固定磁気ディスクの製造方法は、マグネシ
ウムを含む有機金属化合物、マンガンを含む有機金属化
合物、コバルトを含む有機金属化合物、ニッケルを含む
有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物のう
ち少なくとも１種の有機金属化合物の蒸気と反応ガスと
の混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基板
上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を化学蒸着させ、
さらに、亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含む有
機金属化合物、および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と
反応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前
記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜上に亜鉛とコバルト
を含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着
させるものである。
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜が、結晶学的に面指数（１
００）面に優先配向する構成としたものである。さら
に、本発明の固定磁気ディスクの製造方法は、マグネシ
ウムを含む有機金属化合物、マンガンを含む有機金属化
合物、コバルトを含む有機金属化合物、ニッケルを含む
有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物のう
ち少なくとも１種の有機金属化合物の蒸気と反応ガスと
の混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基板
上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を化学蒸着させ、
さらに、亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含む有
機金属化合物、および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と
反応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前
記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜上に亜鉛とコバルト
を含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着
させるものである。
【００１５】さらに、本発明の上記固定磁気ディスクの
製造方法におけるマグネシウムを含む有機金属化合物、
マンガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金
属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物、カドミウム
を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合物およ
び鉄を含む有機金属化合物がβ−ジケトン金属錯体で構
成されている。
製造方法におけるマグネシウムを含む有機金属化合物、
マンガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金
属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物、カドミウム
を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合物およ
び鉄を含む有機金属化合物がβ−ジケトン金属錯体で構
成されている。
【００１６】さらに、本発明の固定磁気ディスクは、デ
ィスク基板上にＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜を設
け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク基板表面に対し
て垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものであ
る。
ィスク基板上にＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜を設
け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク基板表面に対し
て垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設けたものであ
る。
【００１７】さらに、本発明の固定磁気ディスクの製造
方法は、マグネシウムを含む有機金属化合物、カルシウ
ムを含む有機金属化合物、チタンを含む有機金属化合
物、バナジウムを含む有機金属化合物、マンガンを含む
有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、コバルトを
含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物、
銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合物、
ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオブを含む有
機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物および
バリウムを含む有機金属化合物のうち少なくとも一種類
の有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラ
ズマを用いて反応させ、ディスク基板上にＸ線的にアモ
ルファスな酸化物薄膜を化学蒸着させ、さらに、亜鉛を
含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化合物、
および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混
合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記Ｘ線的にアモ
ルフェスな酸化物薄膜上に亜鉛とコバルトを含むスピネ
ル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させるもので
ある。
方法は、マグネシウムを含む有機金属化合物、カルシウ
ムを含む有機金属化合物、チタンを含む有機金属化合
物、バナジウムを含む有機金属化合物、マンガンを含む
有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、コバルトを
含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合物、
銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合物、
ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオブを含む有
機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物および
バリウムを含む有機金属化合物のうち少なくとも一種類
の有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラ
ズマを用いて反応させ、ディスク基板上にＸ線的にアモ
ルファスな酸化物薄膜を化学蒸着させ、さらに、亜鉛を
含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化合物、
および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混
合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記Ｘ線的にアモ
ルフェスな酸化物薄膜上に亜鉛とコバルトを含むスピネ
ル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させるもので
ある。
【００１８】さらには、本発明の上記固定磁気ディスク
の製造方法におけるマグネシウムを含む有機金属化合
物、カルシウムを含む有機金属化合物、チタンを含む有
機金属化合物、バナジウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、
コバルトを含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金
属化合物、銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金
属化合物、ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオ
ブを含む有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化
合物およびバリウムを含む有機金属化合物がβ−ジケト
ン金属錯体で構成されている。
の製造方法におけるマグネシウムを含む有機金属化合
物、カルシウムを含む有機金属化合物、チタンを含む有
機金属化合物、バナジウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、
コバルトを含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金
属化合物、銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金
属化合物、ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオ
ブを含む有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化
合物およびバリウムを含む有機金属化合物がβ−ジケト
ン金属錯体で構成されている。
【００１９】
【作用】上記構成により、亜鉛とコバルトを含むスピネ
ル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜が、磁化容易軸である面
指数（１００）面に配向し、柱状構造を有した構造であ
り、従来の合金系ディスクと比べ、耐久性や硬度など信
頼性に優れ、かつ垂直磁気記録の成分を持つことにより
高密度磁気記録対応が可能となる。また、亜鉛とコバル
トを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜の下地膜
として、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜やＸ線的にア
モルファスな酸化物薄膜を用いた構成としたので、さら
に面指数（１００）面結晶配向性や柱状構造性などが向
上して、耐久性や硬度など信頼性に優れた高密度磁気記
録対応の固定磁気ディスクとなる。
ル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜が、磁化容易軸である面
指数（１００）面に配向し、柱状構造を有した構造であ
り、従来の合金系ディスクと比べ、耐久性や硬度など信
頼性に優れ、かつ垂直磁気記録の成分を持つことにより
高密度磁気記録対応が可能となる。また、亜鉛とコバル
トを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜の下地膜
として、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜やＸ線的にア
モルファスな酸化物薄膜を用いた構成としたので、さら
に面指数（１００）面結晶配向性や柱状構造性などが向
上して、耐久性や硬度など信頼性に優れた高密度磁気記
録対応の固定磁気ディスクとなる。
【００２０】
【実施例】以下、プラズマＣＶＤ法による本発明の実施
例の固定磁気ディスクおよびその製造方法について図面
を参照しながら説明する。
例の固定磁気ディスクおよびその製造方法について図面
を参照しながら説明する。
【００２１】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例における固定磁気ディスク
の構成を示す要部拡大断面図である。図１において、デ
ィスク基板11上に、このディスク基板11の表面に対して
垂直方向に柱状構造を有し、かつ結晶学的にスピネル型
結晶構造の面指数（１００）面に優先配向した、亜鉛と
コバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜と
してのＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を設け、さらに、この
Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜12上に潤滑層13を設けた構成で
ある。
の構成を示す要部拡大断面図である。図１において、デ
ィスク基板11上に、このディスク基板11の表面に対して
垂直方向に柱状構造を有し、かつ結晶学的にスピネル型
結晶構造の面指数（１００）面に優先配向した、亜鉛と
コバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜と
してのＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を設け、さらに、この
Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜12上に潤滑層13を設けた構成で
ある。
【００２２】図２は本発明の固定磁気ディスクを製造す
るためのプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。図２
において、反応チャンバ−14内には、基板回転機構の付
いた基板加熱ヒ−タ−15内蔵の電極16と、高周波電源
（13.56 MHz ）17が接続された電極18が対向して設けら
れ、電極16は接地されその下方にはガラスディスク基板
19などの下地基板が設置されている。また、反応チャン
バ−14の下方側面には反応チャンバ−14内を低圧に保つ
ための排気系20が設けられている。
るためのプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。図２
において、反応チャンバ−14内には、基板回転機構の付
いた基板加熱ヒ−タ−15内蔵の電極16と、高周波電源
（13.56 MHz ）17が接続された電極18が対向して設けら
れ、電極16は接地されその下方にはガラスディスク基板
19などの下地基板が設置されている。また、反応チャン
バ−14の下方側面には反応チャンバ−14内を低圧に保つ
ための排気系20が設けられている。
【００２３】一方、原料の入った気化器21、22、23、24
はバルブ25、26、27、28を介して、電極16に配設された
ガラスディスク基板19と電極18の間に開口するパイプに
接続され、また、気化器21、22、23、24のそれぞれに導
入されたパイプはバルブ29、30、31、32を介してキャリ
アガスの窒素ボンベ33に接続されており、バルブ29、3
0、31、32の開閉によりキャリアガスの気化器21、22、2
3、24内への導入の有無が制御され、また、バルブ25、2
6、27、28の開閉により原料ガスとキャリアガスの反応
チャンバ−14内への導入の有無が制御される。また、酸
素ボンベ34はガラスディスク基板19と電極18の間に開口
するパイプに接続されている。
はバルブ25、26、27、28を介して、電極16に配設された
ガラスディスク基板19と電極18の間に開口するパイプに
接続され、また、気化器21、22、23、24のそれぞれに導
入されたパイプはバルブ29、30、31、32を介してキャリ
アガスの窒素ボンベ33に接続されており、バルブ29、3
0、31、32の開閉によりキャリアガスの気化器21、22、2
3、24内への導入の有無が制御され、また、バルブ25、2
6、27、28の開閉により原料ガスとキャリアガスの反応
チャンバ−14内への導入の有無が制御される。また、酸
素ボンベ34はガラスディスク基板19と電極18の間に開口
するパイプに接続されている。
【００２４】ここで、第１の実施例における固定磁気デ
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合
物、およびコバルトを含む有機金属化合物のβ−ジケト
ン金属錯体としての鉄アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ
5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚｎ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセ
トナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ5 Ｈ 7 Ｏ2 ）3 〕を用いた。
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合
物、およびコバルトを含む有機金属化合物のβ−ジケト
ン金属錯体としての鉄アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ
5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚｎ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセ
トナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ5 Ｈ 7 Ｏ2 ）3 〕を用いた。
【００２５】図２のプラズマＣＶＤ装置における気化器
22に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト（真空
中100 ℃で２時間）、気化器23にコバルトアセチルアセ
トナ−ト、気化器24に鉄アセチルアセトナ−トを入れ、
それぞれ75℃、130 ℃、135℃に加熱して保持してお
く。バルブ30、31、32を開き、窒素キャリアガス（気化
器22側に流量３SCCM、気化器23側に10SCCM、気化器24側
に流量15SCCM）により亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気
とコバルトアセチルアセトナ−トの蒸気と鉄アセチルア
セトナ−トの蒸気を、反応ガスとしての酸素ボンベ34か
らの酸素（流量５SCCM）とともに、排気系20により減圧
された反応チャンバ−14内に導入し、プラズマを発生
（電力1.4 W/cm2 ）させ、７分間減圧下（0.09Torr）で
反応を行い、400 ℃に加熱したガラスのディスク基板
（120 回転／分）11上にＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を成
膜した。そして、このＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を形成
したＣｏ−Ｚｎフェライトディスクを真空チャンバ−14
から取り出し、裏面にも同様の方法で、同じＣｏ−Ｚｎ
フェライト膜12を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣｏ
−Ｚｎフェライトディスクを作製した。
22に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト（真空
中100 ℃で２時間）、気化器23にコバルトアセチルアセ
トナ−ト、気化器24に鉄アセチルアセトナ−トを入れ、
それぞれ75℃、130 ℃、135℃に加熱して保持してお
く。バルブ30、31、32を開き、窒素キャリアガス（気化
器22側に流量３SCCM、気化器23側に10SCCM、気化器24側
に流量15SCCM）により亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気
とコバルトアセチルアセトナ−トの蒸気と鉄アセチルア
セトナ−トの蒸気を、反応ガスとしての酸素ボンベ34か
らの酸素（流量５SCCM）とともに、排気系20により減圧
された反応チャンバ−14内に導入し、プラズマを発生
（電力1.4 W/cm2 ）させ、７分間減圧下（0.09Torr）で
反応を行い、400 ℃に加熱したガラスのディスク基板
（120 回転／分）11上にＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を成
膜した。そして、このＣｏ−Ｚｎフェライト膜12を形成
したＣｏ−Ｚｎフェライトディスクを真空チャンバ−14
から取り出し、裏面にも同様の方法で、同じＣｏ−Ｚｎ
フェライト膜12を形成し、両面に磁性薄膜面をもつＣｏ
−Ｚｎフェライトディスクを作製した。
【００２６】次に、このＣｏ−Ｚｎフェライトディスク
をフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽に沈めて両面の
Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜12上に潤滑剤を塗布することに
より潤滑層13を形成させて固定磁気ディスクＡを作製し
た。
をフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽に沈めて両面の
Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜12上に潤滑剤を塗布することに
より潤滑層13を形成させて固定磁気ディスクＡを作製し
た。
【００２７】このようにして作製した本発明の固定磁気
ディスクＡは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅Ｔ
ｗが10μm のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘッド電流
値を選んで電磁変換特性の評価を行った。固定磁気ディ
スクＡを3600回転／分の速度で回転させ、ディスクの中
心から20.0mmの円周トラックで評価を行った。なお、固
定磁気ディスクＡと磁気ヘッドの相対速度は、7.5 m/se
c であり、磁気ヘッドのフライングハイトは0.15μm で
あった。
ディスクＡは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅Ｔ
ｗが10μm のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘッド電流
値を選んで電磁変換特性の評価を行った。固定磁気ディ
スクＡを3600回転／分の速度で回転させ、ディスクの中
心から20.0mmの円周トラックで評価を行った。なお、固
定磁気ディスクＡと磁気ヘッドの相対速度は、7.5 m/se
c であり、磁気ヘッドのフライングハイトは0.15μm で
あった。
【００２８】ここで、比較のために、保磁力Ｈｃ＝1000
Oeで、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nm
で、その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本
発明と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／
Ｃｒ合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で
面内方向に磁化配向）Ｂと、本発明と同様の方法で、Ｃ
ｏフェライトディスクの固定磁気ディスクＣを作製し、
本発明の固定磁気ディスクＡと同じ条件で電磁変換特性
の評価を行った。
Oeで、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nm
で、その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本
発明と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／
Ｃｒ合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で
面内方向に磁化配向）Ｂと、本発明と同様の方法で、Ｃ
ｏフェライトディスクの固定磁気ディスクＣを作製し、
本発明の固定磁気ディスクＡと同じ条件で電磁変換特性
の評価を行った。
【００２９】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスクＡ、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＢおよび固定磁気ディスクＣの記録密度と再生出力の
関係を図３に示す。図３において、横軸が記録密度（記
録波長）で、縦軸が再生出力であり、また、ａが本発明
の製造方法による固定磁気ディスクＡの特性を示し、ｂ
が比較のための従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁
気ディスクＢの特性を示し、さらに、ｃが比較のための
固定磁気ディスクＣの特性を示している。図３から明ら
かなように、本発明の製造方法による固定磁気ディスク
Ａは、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＢと比較して高い再生出力を示し、固定磁気ディスク
Ｃと比較しても高い再生出力を示した。
ディスクＡ、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＢおよび固定磁気ディスクＣの記録密度と再生出力の
関係を図３に示す。図３において、横軸が記録密度（記
録波長）で、縦軸が再生出力であり、また、ａが本発明
の製造方法による固定磁気ディスクＡの特性を示し、ｂ
が比較のための従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁
気ディスクＢの特性を示し、さらに、ｃが比較のための
固定磁気ディスクＣの特性を示している。図３から明ら
かなように、本発明の製造方法による固定磁気ディスク
Ａは、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＢと比較して高い再生出力を示し、固定磁気ディスク
Ｃと比較しても高い再生出力を示した。
【００３０】このとき、本発明の固定磁気ディスクＡの
記録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂
直磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形
を示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機
溶剤を用いて、潤滑層13を取り除き固定磁気ディスクＡ
のＸ線回折による結晶構造の解析を行った。その結果、
固定磁気ディスクＡの磁性層は、スピネル型の結晶構造
をしており、面指数（１００）面に優先配向していた。
さらに、固定磁気ディスクＡを破壊して高分解能の走査
型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面および破断面を
観察した。その結果、本ディスクは柱状構造を有し、膜
厚約210 nmでコラム径は20〜65nmであることがわかっ
た。また、電子線マイクロアナライザーによりＣｏ−Ｚ
ｎフェライト膜およびＣｏフェライト膜の組成分析を行
った結果、それぞれＣｏ0.18Ｚｎ0. 2 Ｆｅ2.62Ｏ4 およ
びＣｏ0.10Ｆｅ2.90Ｏ4 であった。次に、固定磁気ディ
スクＡおよびＣｏフェライト膜の磁気特性について振動
試料型磁気測定装置（ＶＳＭ）により測定を行った。そ
の結果Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜の垂直方向の保磁力Ｈｃ
＝1180Oe、面内方向の保磁力Ｈｃ＝810 Oe、飽和磁化Ｍ
ｓ＝240 emu/ccであり、Ｃｏフェライト膜の垂直方向の
保磁力Ｈｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力Ｈｃ＝780 Oe、
飽和磁化Ｍｓ＝224 emu/ccであった。
記録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂
直磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形
を示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機
溶剤を用いて、潤滑層13を取り除き固定磁気ディスクＡ
のＸ線回折による結晶構造の解析を行った。その結果、
固定磁気ディスクＡの磁性層は、スピネル型の結晶構造
をしており、面指数（１００）面に優先配向していた。
さらに、固定磁気ディスクＡを破壊して高分解能の走査
型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面および破断面を
観察した。その結果、本ディスクは柱状構造を有し、膜
厚約210 nmでコラム径は20〜65nmであることがわかっ
た。また、電子線マイクロアナライザーによりＣｏ−Ｚ
ｎフェライト膜およびＣｏフェライト膜の組成分析を行
った結果、それぞれＣｏ0.18Ｚｎ0. 2 Ｆｅ2.62Ｏ4 およ
びＣｏ0.10Ｆｅ2.90Ｏ4 であった。次に、固定磁気ディ
スクＡおよびＣｏフェライト膜の磁気特性について振動
試料型磁気測定装置（ＶＳＭ）により測定を行った。そ
の結果Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜の垂直方向の保磁力Ｈｃ
＝1180Oe、面内方向の保磁力Ｈｃ＝810 Oe、飽和磁化Ｍ
ｓ＝240 emu/ccであり、Ｃｏフェライト膜の垂直方向の
保磁力Ｈｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力Ｈｃ＝780 Oe、
飽和磁化Ｍｓ＝224 emu/ccであった。
【００３１】以上により、本発明の固定磁気ディスクＡ
が従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＢ
より再生出力が短波長域の高密度側で高い値を示す原因
は、垂直磁気記録成分を有しているからである。また、
固定磁気ディスクＡが固定磁気ディスクＣより再生出力
が高い値を示す原因は、亜鉛を添加していることにより
飽和磁化Ｍｓが大きくなっていることが原因であると考
えられる。
が従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＢ
より再生出力が短波長域の高密度側で高い値を示す原因
は、垂直磁気記録成分を有しているからである。また、
固定磁気ディスクＡが固定磁気ディスクＣより再生出力
が高い値を示す原因は、亜鉛を添加していることにより
飽和磁化Ｍｓが大きくなっていることが原因であると考
えられる。
【００３２】また、成膜時の反応ガスとして、酸素の代
わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェライト固
定磁気ディスクＡ’を作製し、電磁変換特性の評価を行
った結果、反応ガスに酸素を用いて作製した固定磁気デ
ィスクＡの場合と同様に、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金
薄膜固定磁気ディスクＢやＣｏフェライト固定磁気ディ
スクＣの場合と比べて再生出力が高くなった。
わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェライト固
定磁気ディスクＡ’を作製し、電磁変換特性の評価を行
った結果、反応ガスに酸素を用いて作製した固定磁気デ
ィスクＡの場合と同様に、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金
薄膜固定磁気ディスクＢやＣｏフェライト固定磁気ディ
スクＣの場合と比べて再生出力が高くなった。
【００３３】実施例２ 図４は本発明の第２の実施例における固定磁気ディスク
の構成を示す要部拡大断面図である。図４において、デ
ィスク基板41上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してのＮｉＯ膜42を設け、このＮｉＯ膜42上に、ディス
ク基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛と
コバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜で
あるＣｏ−Ｚｎフェライト膜43を設け、さらにＣｏ−Ｚ
ｎフェライト膜43上に潤滑層44を設けている。このＮａ
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜は、マグネシウム、マンガ
ン、コバルト、ニッケル、カドミウムの元素群のうち少
なくとも１種類の元素を含む構成とし、また、結晶学的
に面指数（１００）面に優先配向する構成とする。
の構成を示す要部拡大断面図である。図４において、デ
ィスク基板41上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してのＮｉＯ膜42を設け、このＮｉＯ膜42上に、ディス
ク基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛と
コバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜で
あるＣｏ−Ｚｎフェライト膜43を設け、さらにＣｏ−Ｚ
ｎフェライト膜43上に潤滑層44を設けている。このＮａ
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜は、マグネシウム、マンガ
ン、コバルト、ニッケル、カドミウムの元素群のうち少
なくとも１種類の元素を含む構成とし、また、結晶学的
に面指数（１００）面に優先配向する構成とする。
【００３４】ここで、第２の実施例における固定磁気デ
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属
化合物、コバルトを含む有機金属化合物、および亜鉛を
含む有機金属化合物のβ−ジケトン金属錯体としての鉄
アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、ニ
ッケルアセチルアセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2
・２Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚ
ｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕を用いた。
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属
化合物、コバルトを含む有機金属化合物、および亜鉛を
含む有機金属化合物のβ−ジケトン金属錯体としての鉄
アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、ニ
ッケルアセチルアセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2
・２Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚ
ｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕を用いた。
【００３５】図２のプラズマＣＶＤ装置における気化器
21に脱水処理を行ったニッケルアセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）、気化器22にコバルトアセチ
ルアセトナ−ト、気化器23に鉄アセチルアセトナ−ト、
気化器24に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）を入れ、それぞれ180 ℃、13
0 ℃、135 ℃、75℃に加熱して保持しておく。バルブ29
およびバルブ25を開き窒素キャリアガス（流量30SCCM）
とともにニッケルアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応
ガスとして酸素ボンベ34からの酸素（流量15SCCM）を排
気系20により減圧された反応チャンバ−14内に導入し、
プラズマを発生（電力1.4 W/cm2 ）させ、５分間減圧下
（0.12Torr）で反応を行い、400 ℃に加熱したガラスデ
ィスク基板（120 回転／分）41上にＮｉＯ膜42を成膜
し、バルブ29およびバルブ25を閉じた。
21に脱水処理を行ったニッケルアセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）、気化器22にコバルトアセチ
ルアセトナ−ト、気化器23に鉄アセチルアセトナ−ト、
気化器24に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）を入れ、それぞれ180 ℃、13
0 ℃、135 ℃、75℃に加熱して保持しておく。バルブ29
およびバルブ25を開き窒素キャリアガス（流量30SCCM）
とともにニッケルアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応
ガスとして酸素ボンベ34からの酸素（流量15SCCM）を排
気系20により減圧された反応チャンバ−14内に導入し、
プラズマを発生（電力1.4 W/cm2 ）させ、５分間減圧下
（0.12Torr）で反応を行い、400 ℃に加熱したガラスデ
ィスク基板（120 回転／分）41上にＮｉＯ膜42を成膜
し、バルブ29およびバルブ25を閉じた。
【００３６】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ30
〜32およびバルブ26〜28を開き、キャリアガス（気化器
22〜24にそれぞれ流量10SCCM、15SCCM、３SCCM）によ
り、コバルトアセチルアセトナ−トおよび鉄アセチルア
セトナ−トおよび亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気を、
反応ガスである酸素ボンベ34からの酸素（流量５SCCM）
とともに反応チャンバ−14内に導入し、プラズマ中（電
力1.4 W/cm2 ）で７分間減圧下（0.12Torr）で反応を行
い、ＮｉＯ膜42上にＣｏ−Ｚｎフェライト膜43を成膜
し、Ｃｏ−Ｚｎフェライト／ＮｉＯの２層膜を作製し
た。そして、この２層膜を形成したＣｏ−Ｚｎフェライ
ト／ＮｉＯディスクを真空チャンバ−14から取り出し、
裏面にも同様の方法で、同じ２層膜を形成し、両面に磁
性薄膜面を持つＣｏ−Ｚｎフェライト／ＮｉＯディスク
を作製した。
〜32およびバルブ26〜28を開き、キャリアガス（気化器
22〜24にそれぞれ流量10SCCM、15SCCM、３SCCM）によ
り、コバルトアセチルアセトナ−トおよび鉄アセチルア
セトナ−トおよび亜鉛アセチルアセトナ−トの蒸気を、
反応ガスである酸素ボンベ34からの酸素（流量５SCCM）
とともに反応チャンバ−14内に導入し、プラズマ中（電
力1.4 W/cm2 ）で７分間減圧下（0.12Torr）で反応を行
い、ＮｉＯ膜42上にＣｏ−Ｚｎフェライト膜43を成膜
し、Ｃｏ−Ｚｎフェライト／ＮｉＯの２層膜を作製し
た。そして、この２層膜を形成したＣｏ−Ｚｎフェライ
ト／ＮｉＯディスクを真空チャンバ−14から取り出し、
裏面にも同様の方法で、同じ２層膜を形成し、両面に磁
性薄膜面を持つＣｏ−Ｚｎフェライト／ＮｉＯディスク
を作製した。
【００３７】次に、このＣｏ−Ｚｎフェライト／ＮｉＯ
ディスクをフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽に沈め
て両面のＣｏ−Ｚｎフェライト膜43上に潤滑剤を塗布す
ることにより潤滑層44を形成させて固定磁気ディスクＤ
を作製した。このようにして作製した本発明の固定磁気
ディスクＤは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅
（Ｔｗ）が10μm 、のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘ
ッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った。この
固定磁気ディスクＤを3600回転／分の速度で回転させ、
ディスクの中心から20.0mmの円周トラックで評価を行っ
た。なお、固定磁気ディスクＤと磁気ヘッドの相対速度
は、7.5 m/sec であり、磁気ヘッドのフライングハイト
は0.15μm であった。
ディスクをフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽に沈め
て両面のＣｏ−Ｚｎフェライト膜43上に潤滑剤を塗布す
ることにより潤滑層44を形成させて固定磁気ディスクＤ
を作製した。このようにして作製した本発明の固定磁気
ディスクＤは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅
（Ｔｗ）が10μm 、のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘ
ッド電流値を選んで電磁変換特性の評価を行った。この
固定磁気ディスクＤを3600回転／分の速度で回転させ、
ディスクの中心から20.0mmの円周トラックで評価を行っ
た。なお、固定磁気ディスクＤと磁気ヘッドの相対速度
は、7.5 m/sec であり、磁気ヘッドのフライングハイト
は0.15μm であった。
【００３８】また、比較のために、保磁力Ｈｃ＝1000Oe
で、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nmで、
その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本発明
と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ
合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で面内
方向に磁化配向）Ｅと、本発明と同様の方法で、Ｃｏフ
ェライト／ＮｉＯディスクの固定磁気ディスクＦを作製
し、本発明の固定磁気ディスクＤと同じ条件で電磁変換
特性の評価を行った。
で、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nmで、
その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本発明
と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ
合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミニウム基板で面内
方向に磁化配向）Ｅと、本発明と同様の方法で、Ｃｏフ
ェライト／ＮｉＯディスクの固定磁気ディスクＦを作製
し、本発明の固定磁気ディスクＤと同じ条件で電磁変換
特性の評価を行った。
【００３９】得られた本発明の製造方法によるＣｏ−Ｚ
ｎフェライト／ＮｉＯ固定磁気ディスクＤ、従来のＣｏ
−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥ、Ｃｏフェラ
イト／ＮｉＯフェライト固定磁気ディスクＦの記録密度
と再生出力の関係を図５に示す。図５において、横軸が
記録密度（記録波長）で、縦軸が再生出力であり、ま
た、ｄが本発明の製造方法による固定磁気ディスクＤの
特性を示し、ｅ、ｆがそれぞれ比較のための固定磁気デ
ィスクＥ、Ｆの特性を示している。図５から明らかなよ
うに、本発明の製造方法による固定磁気ディスクＤは、
従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥと
比較して高い再生出力を示し、固定磁気ディスクＦと比
較しても高い再生出力を示した。
ｎフェライト／ＮｉＯ固定磁気ディスクＤ、従来のＣｏ
−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥ、Ｃｏフェラ
イト／ＮｉＯフェライト固定磁気ディスクＦの記録密度
と再生出力の関係を図５に示す。図５において、横軸が
記録密度（記録波長）で、縦軸が再生出力であり、ま
た、ｄが本発明の製造方法による固定磁気ディスクＤの
特性を示し、ｅ、ｆがそれぞれ比較のための固定磁気デ
ィスクＥ、Ｆの特性を示している。図５から明らかなよ
うに、本発明の製造方法による固定磁気ディスクＤは、
従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥと
比較して高い再生出力を示し、固定磁気ディスクＦと比
較しても高い再生出力を示した。
【００４０】このとき、本発明の固定磁気ディスクの記
録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直
磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を
示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機溶
剤を用いて、潤滑層44を取り除き固定磁気ディスクＤの
Ｘ線回折による結晶構造の解析を行った。また、比較の
ために、ガラスディスク基板上に本成膜方法における上
記成膜条件でＮｉＯ膜およびＣｏ−Ｚｎフェライトのみ
を成膜した試料膜を作製しＸ線回折により結晶構造の解
析を行った。その結果、上記条件で成膜したＮｉＯ膜は
Ｘ線的に面指数（１００）面に完全配向していた。下地
層としてＮｉＯの面指数（１００）面完全配向膜を用い
ることにより、固定磁気ディスクＤの磁性層であるＣｏ
−Ｚｎフェライト膜の面指数（１００）面配向性は、下
地層の結晶配向性の影響を受け、直接ガラスディスク上
に成膜した場合に比較して向上していた。また、結晶性
においても固定磁気ディスクＤは優れていた。
録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直
磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を
示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機溶
剤を用いて、潤滑層44を取り除き固定磁気ディスクＤの
Ｘ線回折による結晶構造の解析を行った。また、比較の
ために、ガラスディスク基板上に本成膜方法における上
記成膜条件でＮｉＯ膜およびＣｏ−Ｚｎフェライトのみ
を成膜した試料膜を作製しＸ線回折により結晶構造の解
析を行った。その結果、上記条件で成膜したＮｉＯ膜は
Ｘ線的に面指数（１００）面に完全配向していた。下地
層としてＮｉＯの面指数（１００）面完全配向膜を用い
ることにより、固定磁気ディスクＤの磁性層であるＣｏ
−Ｚｎフェライト膜の面指数（１００）面配向性は、下
地層の結晶配向性の影響を受け、直接ガラスディスク上
に成膜した場合に比較して向上していた。また、結晶性
においても固定磁気ディスクＤは優れていた。
【００４１】さらに、この固定磁気ディスクＤを破壊し
て高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表
面および破断面を観察した。その結果、本ディスクの２
層膜は柱状構造を有し、膜厚約360 nmでコラム径は35〜
80nmであることがわかった。また、電子線マイクロアナ
ライザ−によりＣｏ−Ｚｎフェライトの組成を分析した
結果、Ｃｏ0.18Ｚｎ0.2 Ｆｅ2.62Ｏ4 であった。
て高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表
面および破断面を観察した。その結果、本ディスクの２
層膜は柱状構造を有し、膜厚約360 nmでコラム径は35〜
80nmであることがわかった。また、電子線マイクロアナ
ライザ−によりＣｏ−Ｚｎフェライトの組成を分析した
結果、Ｃｏ0.18Ｚｎ0.2 Ｆｅ2.62Ｏ4 であった。
【００４２】次に、固定磁気ディスクＤ、Ｆの磁気特性
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、固定磁気ディスクＤにおいて、膜面に垂
直方向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨ
ｃ＝790 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは265 emu/ccであっ
た。また、固定磁気ディスクＦにおいて、膜面に垂直方
向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝
800 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは239 emu/ccであった。
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、固定磁気ディスクＤにおいて、膜面に垂
直方向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨ
ｃ＝790 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは265 emu/ccであっ
た。また、固定磁気ディスクＦにおいて、膜面に垂直方
向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝
800 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは239 emu/ccであった。
【００４３】以上により、本発明の固定磁気ディスクＤ
がＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥより、
再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分を有
しているからである。また、固定磁気ディスクＦより再
生出力が高い値を示す原因は、亜鉛を添加したことによ
り飽和磁化Ｍｓが向上することが原因であると考えられ
る。
がＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＥより、
再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分を有
しているからである。また、固定磁気ディスクＦより再
生出力が高い値を示す原因は、亜鉛を添加したことによ
り飽和磁化Ｍｓが向上することが原因であると考えられ
る。
【００４４】なお、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜と
してＭｇＯ薄膜、ＣｏＯ薄膜、ＭｎＯ薄膜およびＣｄＯ
薄膜などを用いた場合や、成膜時の反応ガスとして、酸
素の替わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェラ
イト固定磁気ディスクを作製した場合も、固定磁気ディ
スクＤの場合と同様にＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁
気ディスクＥやＣｏフェライト／ＮｉＯフェライト固定
磁気ディスクＦと比べて高い再生出力が得られた。すな
わち、第２の実施例ではニッケルを含む有機金属化合物
のβ−ジケトン金属錯体の蒸気と反応ガスとの混合ガス
をプラズマを用いて反応させ、ディスク基板41上にＮａ
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜であるＮｉＯ膜42を化学蒸
着させたが、マグネシウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化
合物、ニッケルを含む有機金属化合物、カドミウムを含
む有機金属化合物のうち少なくとも１種類の有機金属化
合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて
反応させ、ディスク基板41上にＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を化学蒸着させても本実施例と同様の効果を得
ることができる。
してＭｇＯ薄膜、ＣｏＯ薄膜、ＭｎＯ薄膜およびＣｄＯ
薄膜などを用いた場合や、成膜時の反応ガスとして、酸
素の替わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェラ
イト固定磁気ディスクを作製した場合も、固定磁気ディ
スクＤの場合と同様にＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁
気ディスクＥやＣｏフェライト／ＮｉＯフェライト固定
磁気ディスクＦと比べて高い再生出力が得られた。すな
わち、第２の実施例ではニッケルを含む有機金属化合物
のβ−ジケトン金属錯体の蒸気と反応ガスとの混合ガス
をプラズマを用いて反応させ、ディスク基板41上にＮａ
Ｃｌ型結晶構造の酸化物薄膜であるＮｉＯ膜42を化学蒸
着させたが、マグネシウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化
合物、ニッケルを含む有機金属化合物、カドミウムを含
む有機金属化合物のうち少なくとも１種類の有機金属化
合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて
反応させ、ディスク基板41上にＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を化学蒸着させても本実施例と同様の効果を得
ることができる。
【００４５】実施例３ 図６は本発明の第３の実施例における固定磁気ディスク
の構成を示す要部拡大断面図である。図６において、デ
ィスク基板51上に、Ｘ線的にアモルファスな酸化物薄膜
としてのＣｏＮｉＦｅ酸化物膜52を形成し、このＣｏＮ
ｉＦｅ酸化物膜52上に、ディスク基板51の表面に対して
垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むスピ
ネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜としてのＣｏ−Ｚｎフ
ェライト膜53を形成し、さらにその上に潤滑層54を形成
する。このＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜が、マグ
ネシウム、カルシウム、チタン、バナジウム、マンガ
ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウ
ム、ニオブ、カドミウム、バリウムの元素群のうち少な
くとも１種類の元素を含む構成とする。
の構成を示す要部拡大断面図である。図６において、デ
ィスク基板51上に、Ｘ線的にアモルファスな酸化物薄膜
としてのＣｏＮｉＦｅ酸化物膜52を形成し、このＣｏＮ
ｉＦｅ酸化物膜52上に、ディスク基板51の表面に対して
垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むスピ
ネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜としてのＣｏ−Ｚｎフ
ェライト膜53を形成し、さらにその上に潤滑層54を形成
する。このＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜が、マグ
ネシウム、カルシウム、チタン、バナジウム、マンガ
ン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウ
ム、ニオブ、カドミウム、バリウムの元素群のうち少な
くとも１種類の元素を含む構成とする。
【００４６】ここで、第３の実施例における固定磁気デ
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属
化合物、コバルトを含む有機金属化合物、および亜鉛を
含む有機金属化合物のβ−ジケトン金属錯体としての鉄
アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、ニ
ッケルアセチルアセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2
・２Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚ
ｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕を用いた。
ィスクの製造方法について説明する。まず、出発原料に
は、鉄を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属
化合物、コバルトを含む有機金属化合物、および亜鉛を
含む有機金属化合物のβ−ジケトン金属錯体としての鉄
アセチルアセトナ−ト〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、ニ
ッケルアセチルアセトナ−ト〔Ｎｉ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2
・２Ｈ2 Ｏ〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ
（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）3 〕、亜鉛アセチルアセトナ−ト〔Ｚ
ｎ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）2 ・Ｈ2 Ｏ〕を用いた。
【００４７】図２のプラズマＣＶＤ装置における気化器
21に脱水処理を行ったニッケルアセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）、気化器22にコバルトアセチ
ルアセトナ−ト、気化器23に鉄アセチルアセトナ−ト、
気化器24に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナート
（真空中100 ℃で２時間）を入れ、それぞれ180 ℃、13
0 ℃、135 ℃、75℃に加熱して保持しておく。バルブ29
〜31およびバルブ25〜27を開き、窒素ボンベ33からの窒
素キャリアガス（気化器21〜23にそれぞれ流量30、10、
５SCCM）とともにニッケル、コバルト、鉄のそれぞれの
アセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガスとして酸素ボ
ンベ34からの酸素（流量６SCCM）を排気系20により減圧
された反応チャンバ−14内に導入し、プラズマを発生
（電力1.5 W/cm2 ）させ、２分間減圧下（0.11Torr）で
反応を行い、400 ℃に加熱したガラスディスク基板（12
0 回転／分）51上にＣｏＮｉＦｅ酸化物膜52を成膜し、
バルブ29およびバルブ25を閉じた。
21に脱水処理を行ったニッケルアセチルアセトナ−ト
（真空中100 ℃で２時間）、気化器22にコバルトアセチ
ルアセトナ−ト、気化器23に鉄アセチルアセトナ−ト、
気化器24に脱水処理を行った亜鉛アセチルアセトナート
（真空中100 ℃で２時間）を入れ、それぞれ180 ℃、13
0 ℃、135 ℃、75℃に加熱して保持しておく。バルブ29
〜31およびバルブ25〜27を開き、窒素ボンベ33からの窒
素キャリアガス（気化器21〜23にそれぞれ流量30、10、
５SCCM）とともにニッケル、コバルト、鉄のそれぞれの
アセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガスとして酸素ボ
ンベ34からの酸素（流量６SCCM）を排気系20により減圧
された反応チャンバ−14内に導入し、プラズマを発生
（電力1.5 W/cm2 ）させ、２分間減圧下（0.11Torr）で
反応を行い、400 ℃に加熱したガラスディスク基板（12
0 回転／分）51上にＣｏＮｉＦｅ酸化物膜52を成膜し、
バルブ29およびバルブ25を閉じた。
【００４８】さらに引き続き、バルブ32およびバルブ28
を開き、窒素ボンベ33からの窒素キャリアガス（気化器
22〜24にそれぞれ流量10、15、３SCCM）によりコバルト
アセチルアセトナートの蒸気と鉄アセチルアセトナート
の蒸気と亜鉛アセチルアセトナートの蒸気を、反応ガス
としての酸素ボンベ34からの酸素（流量５SCCM）ととも
に反応チャンバー14内に導入し、同様の成膜条件で７分
間減圧下（0.08Torr）で反応を行い、Ｃｏ−Ｚｎフェラ
イト／ＣｏＮｉＦｅ酸化物の２層膜を作製した。そし
て、２層膜を形成したＣｏ−Ｚｎフェライト／ＣｏＮｉ
Ｆｅ酸化物ディスクを真空チャンバ−14から取り出し、
裏面にも同様の方法で、同じ２層膜を形成し、両面に磁
性薄膜面をもつＣｏ−Ｚｎフェライト／ＣｏＮｉＦｅ酸
化物ディスクを作製した。
を開き、窒素ボンベ33からの窒素キャリアガス（気化器
22〜24にそれぞれ流量10、15、３SCCM）によりコバルト
アセチルアセトナートの蒸気と鉄アセチルアセトナート
の蒸気と亜鉛アセチルアセトナートの蒸気を、反応ガス
としての酸素ボンベ34からの酸素（流量５SCCM）ととも
に反応チャンバー14内に導入し、同様の成膜条件で７分
間減圧下（0.08Torr）で反応を行い、Ｃｏ−Ｚｎフェラ
イト／ＣｏＮｉＦｅ酸化物の２層膜を作製した。そし
て、２層膜を形成したＣｏ−Ｚｎフェライト／ＣｏＮｉ
Ｆｅ酸化物ディスクを真空チャンバ−14から取り出し、
裏面にも同様の方法で、同じ２層膜を形成し、両面に磁
性薄膜面をもつＣｏ−Ｚｎフェライト／ＣｏＮｉＦｅ酸
化物ディスクを作製した。
【００４９】このＣｏ−Ｚｎフェライト／ＣｏＮｉＦｅ
酸化物ディスクをフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽
に沈めて両面のＣｏ−Ｚｎフェライト膜53上に潤滑剤を
塗布することにより潤滑層54を形成させて固定磁気ディ
スクＧを作製した。この作製した本発明の固定磁気ディ
スクＧは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅Ｔｗが
10μm のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘッド電流値を
選んで電磁変換特性の評価を行った。固定磁気ディスク
Ｇを3600回転／分の速度で回転させ、ディスクの中心か
ら20.0mmの円周トラックで評価を行った。なお、固定磁
気ディスクＧと磁気ヘッドの相対速度は、7.5 m/sec で
あり、磁気ヘッドのフライングハイトは0.15μm であっ
た。
酸化物ディスクをフッソ系有機物の潤滑剤の入った液槽
に沈めて両面のＣｏ−Ｚｎフェライト膜53上に潤滑剤を
塗布することにより潤滑層54を形成させて固定磁気ディ
スクＧを作製した。この作製した本発明の固定磁気ディ
スクＧは、ギャプ長ＧＬが0.25μm ，トラック幅Ｔｗが
10μm のＭＩＧヘッドを用いて、50mAのヘッド電流値を
選んで電磁変換特性の評価を行った。固定磁気ディスク
Ｇを3600回転／分の速度で回転させ、ディスクの中心か
ら20.0mmの円周トラックで評価を行った。なお、固定磁
気ディスクＧと磁気ヘッドの相対速度は、7.5 m/sec で
あり、磁気ヘッドのフライングハイトは0.15μm であっ
た。
【００５０】また、比較のために、保磁力Ｈｃ＝1000Oe
で、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nmで、
その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本発明
と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ
合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミ基板で面内方向に
磁化配向）Ｈと、本発明と同様の方法でＣｏフェライト
／ＣｏＮｉＦｅ酸化物ディスクの固定磁気ディスクＩを
作製し、本発明の固定磁気ディスクＧと同じ条件で電磁
変換特性の評価を行った。
で、飽和磁化Ｍｓ＝800 emu/ccの磁性層膜厚が80nmで、
その上に保護層としてカ−ボン膜を60nm形成し、本発明
と同様の潤滑剤被膜層を設けた従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ
合金薄膜の固定磁気ディスク（アルミ基板で面内方向に
磁化配向）Ｈと、本発明と同様の方法でＣｏフェライト
／ＣｏＮｉＦｅ酸化物ディスクの固定磁気ディスクＩを
作製し、本発明の固定磁気ディスクＧと同じ条件で電磁
変換特性の評価を行った。
【００５１】得られた本発明の製造方法による固定磁気
ディスクＧ、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＨおよびＣｏフェライト／ＣｏＮｉＦｅ酸化物固定磁
気ディスクＩの記録密度と再生出力の関係を図７に示
す。図７において、横軸が記録密度（記録波長）で、縦
軸が再生出力であり、また、ｇは本発明の製造方法によ
る固定磁気ディスクＧの特性を示し、ｈ、ｉはそれぞれ
比較のための固定磁気ディスクＨ、Ｉの特性を示してい
る。図７から明らかなように、本発明の製造方法による
固定磁気ディスクＧは、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄
膜固定磁気ディスクＨと比較して高い再生出力を示し、
固定磁気ディスクＩと比較しても高い再生出力を示し
た。
ディスクＧ、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディス
クＨおよびＣｏフェライト／ＣｏＮｉＦｅ酸化物固定磁
気ディスクＩの記録密度と再生出力の関係を図７に示
す。図７において、横軸が記録密度（記録波長）で、縦
軸が再生出力であり、また、ｇは本発明の製造方法によ
る固定磁気ディスクＧの特性を示し、ｈ、ｉはそれぞれ
比較のための固定磁気ディスクＨ、Ｉの特性を示してい
る。図７から明らかなように、本発明の製造方法による
固定磁気ディスクＧは、従来のＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄
膜固定磁気ディスクＨと比較して高い再生出力を示し、
固定磁気ディスクＩと比較しても高い再生出力を示し
た。
【００５２】このとき、本発明の固定磁気ディスクの記
録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直
磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を
示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機溶
剤を用いて、潤滑層54を取り除き固定磁気ディスクＧに
ついてＸ線回折による結晶構造の解析を行った。その結
果、スピネル型の結晶構造をしており、面指数（１０
０）面に優先配向していた。さらに、ガラスディスク基
板51上に本成膜方法における上記成膜条件でＣｏＮｉＦ
ｅ酸化物膜のみを成膜した試料を作製し、Ｘ線回折によ
り結晶構造の解析を行った結果、Ｘ線的にアモルファス
であった。さらに、固定磁気ディスクＧを破壊して高分
解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面およ
び破断面を観察した。その結果、固定磁気ディスクＧは
柱状構造を有し、膜厚約270 nmでコラム径は45〜60nmで
あることがわかった。
録信号の再生波形をオシロスコ−プで観察すると、垂直
磁気記録成分を含むことの特徴であるダイパルス波形を
示していた。また、電磁変換特性の測定終了後、有機溶
剤を用いて、潤滑層54を取り除き固定磁気ディスクＧに
ついてＸ線回折による結晶構造の解析を行った。その結
果、スピネル型の結晶構造をしており、面指数（１０
０）面に優先配向していた。さらに、ガラスディスク基
板51上に本成膜方法における上記成膜条件でＣｏＮｉＦ
ｅ酸化物膜のみを成膜した試料を作製し、Ｘ線回折によ
り結晶構造の解析を行った結果、Ｘ線的にアモルファス
であった。さらに、固定磁気ディスクＧを破壊して高分
解能の走査型電子顕微鏡を用いて、ディスクの表面およ
び破断面を観察した。その結果、固定磁気ディスクＧは
柱状構造を有し、膜厚約270 nmでコラム径は45〜60nmで
あることがわかった。
【００５３】次に、固定磁気ディスクＧ、Ｉの磁気特性
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、固定磁気ディスクＧのディスク基板に対
して垂直方向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁
力はＨｃ＝780 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは284 emu/ccで
あった。また、固定磁気ディスクＩの垂直方向の保磁力
はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝780 Oeであ
り、飽和磁化Ｍｓは245 emu/ccであった。
について振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定を行っ
た。その結果、固定磁気ディスクＧのディスク基板に対
して垂直方向の保磁力はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁
力はＨｃ＝780 Oeであり、飽和磁化Ｍｓは284 emu/ccで
あった。また、固定磁気ディスクＩの垂直方向の保磁力
はＨｃ＝1200Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝780 Oeであ
り、飽和磁化Ｍｓは245 emu/ccであった。
【００５４】以上により、本発明の固定磁気ディスクＧ
がＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＨより、
再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分を有
しているからである。また、固定磁気ディスクＧが固定
磁気ディスクＩより、再生出力が高い値を示す原因は、
亜鉛を添加したことにより飽和磁化Ｍｓが向上したこと
によると考えられる。また、Ｘ線的にアモルファスな酸
化物薄膜として、マグネシウム、カルシウム、チタン、
バナジウム、マンガン、亜鉛、銅、ストロンチウム、ニ
オブ、カドミウム、バリウムなどを含む有機金属化合物
のうち少なくとも１種類の有機金属化合物の蒸気と反応
ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディス
ク基板51上にＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜を化学
蒸着させた場合や、成膜時の反応ガスとして、酸素の代
わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェライト固
定磁気ディスクを作製した場合においても、電磁変換特
性の評価を行った結果、固定磁気ディスクＤの場合と同
様に、固定磁気ディスクＨや固定磁気ディスクＩに比
べ、高い再生出力が得られた。
がＣｏ−Ｎｉ／Ｃｒ合金薄膜固定磁気ディスクＨより、
再生出力が高い値を示す原因は、垂直磁気記録成分を有
しているからである。また、固定磁気ディスクＧが固定
磁気ディスクＩより、再生出力が高い値を示す原因は、
亜鉛を添加したことにより飽和磁化Ｍｓが向上したこと
によると考えられる。また、Ｘ線的にアモルファスな酸
化物薄膜として、マグネシウム、カルシウム、チタン、
バナジウム、マンガン、亜鉛、銅、ストロンチウム、ニ
オブ、カドミウム、バリウムなどを含む有機金属化合物
のうち少なくとも１種類の有機金属化合物の蒸気と反応
ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディス
ク基板51上にＸ線的にアモルファスな酸化物薄膜を化学
蒸着させた場合や、成膜時の反応ガスとして、酸素の代
わりにオゾンやＮ2 Ｏを用いてＣｏ−Ｚｎフェライト固
定磁気ディスクを作製した場合においても、電磁変換特
性の評価を行った結果、固定磁気ディスクＤの場合と同
様に、固定磁気ディスクＨや固定磁気ディスクＩに比
べ、高い再生出力が得られた。
【００５５】したがって、ディスク基板上に、ディスク
基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有し、かつ結晶
学的にスピネル型結晶構造の面指数（１００）面に優先
配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造の
酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディスクをプ
ラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用した製造方法により
作製することにより、従来の合金系ディスクと比べて耐
久性や硬度などの信頼性に優れ、かつ垂直磁気記録の成
分を持つことで高密度磁気記録を実現することができ
る。また、ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板
表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバル
トを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形成し
た構造の固定磁気ディスク、または、ディスク基板上
に、Ｘ線的にアモルファスな酸化物薄膜を形成し、その
酸化物薄膜上に、ディスク基板表面に対して垂直方向に
柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶
構造の酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディス
クをプラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用した製造方法
により作製することにより、さらに面指数（１００）面
結晶配向性や柱状構造性などを向上させることができ
て、耐久性や硬度などの信頼性に優れた高密度磁気記録
を実現することができる。
基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有し、かつ結晶
学的にスピネル型結晶構造の面指数（１００）面に優先
配向した、亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造の
酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディスクをプ
ラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用した製造方法により
作製することにより、従来の合金系ディスクと比べて耐
久性や硬度などの信頼性に優れ、かつ垂直磁気記録の成
分を持つことで高密度磁気記録を実現することができ
る。また、ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板
表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバル
トを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形成し
た構造の固定磁気ディスク、または、ディスク基板上
に、Ｘ線的にアモルファスな酸化物薄膜を形成し、その
酸化物薄膜上に、ディスク基板表面に対して垂直方向に
柱状構造を有した亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶
構造の酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディス
クをプラズマの活性さとＣＶＤ反応を利用した製造方法
により作製することにより、さらに面指数（１００）面
結晶配向性や柱状構造性などを向上させることができ
て、耐久性や硬度などの信頼性に優れた高密度磁気記録
を実現することができる。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ディスク
基板上にディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構造
を有し、かつ結晶学的にスピネル型結晶構造の面指数
（１００）面に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固
定磁気ディスク、または、ディスク基板上に、ＮａＣｌ
型結晶構造の酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に
酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディスク、ま
たは、ディスク基板上にＸ線的にアモルフェスな酸化物
薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に酸化鉄磁性薄膜を形
成した構造の固定磁気ディスクであるため、スペ−シン
グ損失の増加なく耐久性や硬度など信頼性に優れ、かつ
高記録密度を実現することができ、また、製造方法にプ
ラズマＣＶＤ法を用いているため、結晶配向した柱状構
造膜を比較的容易に作製することができるものである。
基板上にディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構造
を有し、かつ結晶学的にスピネル型結晶構造の面指数
（１００）面に優先配向した、亜鉛とコバルトを含むス
ピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固
定磁気ディスク、または、ディスク基板上に、ＮａＣｌ
型結晶構造の酸化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に
酸化鉄磁性薄膜を形成した構造の固定磁気ディスク、ま
たは、ディスク基板上にＸ線的にアモルフェスな酸化物
薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に酸化鉄磁性薄膜を形
成した構造の固定磁気ディスクであるため、スペ−シン
グ損失の増加なく耐久性や硬度など信頼性に優れ、かつ
高記録密度を実現することができ、また、製造方法にプ
ラズマＣＶＤ法を用いているため、結晶配向した柱状構
造膜を比較的容易に作製することができるものである。
【図１】本発明の第１の実施例における固定磁気ディス
クの構成を示す要部拡大断面図である。
クの構成を示す要部拡大断面図である。
【図２】本発明の固定磁気ディスクの製造方法を実施す
るためのプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
るためのプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図３】図１の固定磁気ディスクの記録波長と再生出力
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
【図４】本発明の第２の実施例における固定磁気ディス
クの構成を示す要部拡大断面図である。
クの構成を示す要部拡大断面図である。
【図５】図４の固定磁気ディスクの記録波長と再生出力
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
【図６】本発明の第３の実施例における固定磁気ディス
クの構成を示す要部拡大断面図である。
クの構成を示す要部拡大断面図である。
【図７】図６の固定磁気ディスクの記録波長と再生出力
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
の関係を従来の固定磁気ディスクと比較した特性図であ
る。
【図８】従来の固定磁気ディスクの構成を示す要部拡大
断面図である。
断面図である。
11、41、51 ディスク基板 12、43、53 Ｃｏ−Ｚｎフェライト膜 13、44、54 潤滑層 14 反応チャンバー 15 基板加熱ヒ−タ− 16、18 電極 17 高周波電源 19 ガラスディスク基板 20 排気系 21〜24 気化器 25〜28 原料ガス供給バルブ 29〜32 キャリアガス供給バルブ 33 窒素ボンベ 34 酸素ボンベ 42 ＮｉＯ膜 52 ＣｏＮｉＦｅ酸化物膜
Claims (10)
- 【請求項１】ディスク基板上に、前記ディスク基板表面
に対して垂直方向に柱状構造を有し、かつ結晶学的にス
ピネル型結晶構造の面指数（１００）面に優先配向し
た、亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄
磁性薄膜を設けた固定磁気ディスク。 - 【請求項２】亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含
む有機金属化合物、および鉄を含む有機金属化合物の蒸
気と反応ガスとの混合ガスをプラズマを用いて反応さ
せ、ディスク基板上に亜鉛とコバルトを含むスピネル型
結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させる固定磁気デ
ィスクの製造方法。 - 【請求項３】亜鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含
む有機金属化合物および鉄を含む有機金属化合物がβ−
ジケトン金属錯体である請求項２記載の固定磁気ディス
クの製造方法。 - 【請求項４】ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を設け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク基
板表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコバ
ルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設け
た固定磁気ディスク。 - 【請求項５】ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜が、結晶
学的に面指数（１００）面に優先配向する構成とした請
求項４記載の固定磁気ディスク。 - 【請求項６】マグネシウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化
合物、ニッケルを含む有機金属化合物およびカドミウム
を含む有機金属化合物のうち少なくとも１種類の有機金
属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラズマを用
いて反応させ、ディスク基板上にＮａＣｌ型結晶構造の
酸化物薄膜を化学蒸着させ、さらに、亜鉛を含む有機金
属化合物、コバルトを含む有機金属化合物および鉄を含
む有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスをプラ
ズマを用いて反応させ、前記ＮａＣｌ型結晶構造の酸化
物薄膜上に亜鉛とコバルトを含むスピネル型結晶構造の
酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させる固定磁気ディスクの製
造方法。 - 【請求項７】マグネシウムを含む有機金属化合物、マン
ガンを含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化
合物、ニッケルを含む有機金属化合物、カドミウムを含
む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合物および鉄
を含む有機金属化合物がβ−ジケトン金属錯体である請
求項６に記載の固定磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項８】ディスク基板上にＸ線的にアモルファスな
酸化物薄膜を設け、前記酸化物薄膜上に、前記ディスク
基板表面に対して垂直方向に柱状構造を有した亜鉛とコ
バルトを含むスピネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を設
けた固定磁気ディスク。 - 【請求項９】マグネシウムを含む有機金属化合物、カル
シウムを含む有機金属化合物、チタンを含む有機金属化
合物、バナジウムを含む有機金属化合物、マンガンを含
む有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、コバルト
を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合
物、銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合
物、ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオブを含
む有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物お
よびバリウムを含む有機金属化合物のうち少なくとも１
種類の有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの混合ガスを
プラズマを用いて反応させ、ディスク基板上にＸ線的に
アモルファスな酸化物薄膜を化学蒸着させ、さらに、亜
鉛を含む有機金属化合物、コバルトを含む有機金属化合
物および鉄を含む有機金属化合物の蒸気と反応ガスとの
混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記Ｘ線的にア
モルフェスな酸化物薄膜上に亜鉛とコバルトを含むスピ
ネル型結晶構造の酸化鉄磁性薄膜を化学蒸着させる固定
磁気ディスクの製造方法。 - 【請求項10】マグネシウムを含む有機金属化合物、カル
シウムを含む有機金属化合物、チタンを含む有機金属化
合物、バナジウムを含む有機金属化合物、マンガンを含
む有機金属化合物、鉄を含む有機金属化合物、コバルト
を含む有機金属化合物、ニッケルを含む有機金属化合
物、銅を含む有機金属化合物、亜鉛を含む有機金属化合
物、ストロンチウムを含む有機金属化合物、ニオブを含
む有機金属化合物、カドミウムを含む有機金属化合物お
よびバリウムを含む有機金属化合物がβ−ジケトン金属
錯体である請求項９に記載の固定磁気ディスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333791A JPH05166167A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3333791A JPH05166167A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166167A true JPH05166167A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18270000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3333791A Pending JPH05166167A (ja) | 1991-12-18 | 1991-12-18 | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166167A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9079390B2 (en) * | 2011-03-09 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Screen printing device and screen printing method |
| JP2017041556A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 国立大学法人 筑波大学 | 磁性複合体及び高周波デバイス |
-
1991
- 1991-12-18 JP JP3333791A patent/JPH05166167A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9079390B2 (en) * | 2011-03-09 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Screen printing device and screen printing method |
| JP2017041556A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | 国立大学法人 筑波大学 | 磁性複合体及び高周波デバイス |
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