JPH0516677B2 - - Google Patents
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- JPH0516677B2 JPH0516677B2 JP59282128A JP28212884A JPH0516677B2 JP H0516677 B2 JPH0516677 B2 JP H0516677B2 JP 59282128 A JP59282128 A JP 59282128A JP 28212884 A JP28212884 A JP 28212884A JP H0516677 B2 JPH0516677 B2 JP H0516677B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
本発明は半導体構造を改良に関するものであつ
て、更に詳細には結晶成長の後相互拡散デイスオ
ーダ化（interdiffusion disordering）を受ける
ようになつた量子井戸構造に関するものである。
て、更に詳細には結晶成長の後相互拡散デイスオ
ーダ化（interdiffusion disordering）を受ける
ようになつた量子井戸構造に関するものである。
AlAs−Ga1-xAlxAs−GaAs合金システムにお
いて、異なるヘテロ構造の型を形成することに関
する興味は、相互拡散法によつて更に一層進展し
てきた。特にGa1-xAlxAs合金において、GaAsと
AlAsの相互拡散によるデイスオーダ化、または
GaとAlの相互拡散によるデイスオーダ化が用い
られてきた。相互拡散デイスオーダ化法が興味を
あつめる理由は、結晶成長後それら合金システム
に選択的に適用することによつて、半導体レー
ザ、光導波路、光学的検出器、−族光−電子
集積回路を製作することを可能とするからであ
る。相互拡散デイスオーダ化法はアズグロウン
（as−grown）の量子井戸構造中の領域の選択的
制御を行うことができ、合金組成量を混ぜ合せた
り、不整列化することによつてエネルギーバンド
のシフトアツプと屈折率の減少をもたらし、従来
のエピタキシヤル法を用いて既に成長されている
整列結晶構造中に、活性領域あるいは導波路領域
を形成することができる。
いて、異なるヘテロ構造の型を形成することに関
する興味は、相互拡散法によつて更に一層進展し
てきた。特にGa1-xAlxAs合金において、GaAsと
AlAsの相互拡散によるデイスオーダ化、または
GaとAlの相互拡散によるデイスオーダ化が用い
られてきた。相互拡散デイスオーダ化法が興味を
あつめる理由は、結晶成長後それら合金システム
に選択的に適用することによつて、半導体レー
ザ、光導波路、光学的検出器、−族光−電子
集積回路を製作することを可能とするからであ
る。相互拡散デイスオーダ化法はアズグロウン
（as−grown）の量子井戸構造中の領域の選択的
制御を行うことができ、合金組成量を混ぜ合せた
り、不整列化することによつてエネルギーバンド
のシフトアツプと屈折率の減少をもたらし、従来
のエピタキシヤル法を用いて既に成長されている
整列結晶構造中に、活性領域あるいは導波路領域
を形成することができる。
Ga1-xAlxAs合金システム中GaとAlの間の相互
拡散デイスオーダ化あるいは、GaAs−AlAs超格
子における相互拡散デイスオーダ化については、
以下３組の論文群に述べられている。
拡散デイスオーダ化あるいは、GaAs−AlAs超格
子における相互拡散デイスオーダ化については、
以下３組の論文群に述べられている。
(1) L.L.チヤン（Chang）他による「GaAsと
AlAsの間の相互拡散（Interdiffusion
between GaAs and AlAs）」Applied
Physics Letters第29巻第３号（1976年８月１
日）第138頁−第141頁の論文中にはアニーリン
グによる相互拡散デイスオーダ化について並べ
られている。
AlAsの間の相互拡散（Interdiffusion
between GaAs and AlAs）」Applied
Physics Letters第29巻第３号（1976年８月１
日）第138頁−第141頁の論文中にはアニーリン
グによる相互拡散デイスオーダ化について並べ
られている。
(2) 米国特許第4378255号、Applied Physics
Letters第38巻第10号（1981年５月15日）第776
頁−第778頁のW.D.ライデイグ（Laidig）他に
よる「不純物拡散によるAlAs−GaAs超格子中
の不整列（Disorder of an AlAs−GaAs
Superlattice by Impurity Diffusion）」、 Journal of Applied Physics第53巻第１号
（1982年１月）第766頁−第768頁のL.W.キルホ
ーフア（Kirchoefer）他による「AlAs−GaAs
超格子中の層にそつたZnの拡散と不整列（Zn
Diffusion ＆ Disordering of an AlAs−
GaAs Superlattice Along its Layers）」、こ
れらは例えば600℃−650℃の温度における亜鉛
（Zn）の拡散によつて引起こされる相互拡散デ
イスオーダ化について述べている。
Letters第38巻第10号（1981年５月15日）第776
頁−第778頁のW.D.ライデイグ（Laidig）他に
よる「不純物拡散によるAlAs−GaAs超格子中
の不整列（Disorder of an AlAs−GaAs
Superlattice by Impurity Diffusion）」、 Journal of Applied Physics第53巻第１号
（1982年１月）第766頁−第768頁のL.W.キルホ
ーフア（Kirchoefer）他による「AlAs−GaAs
超格子中の層にそつたZnの拡散と不整列（Zn
Diffusion ＆ Disordering of an AlAs−
GaAs Superlattice Along its Layers）」、こ
れらは例えば600℃−650℃の温度における亜鉛
（Zn）の拡散によつて引起こされる相互拡散デ
イスオーダ化について述べている。
(3) 1982年に米国New Mexico州Albuquerque
において開催された「GaAs及び関連化合物に
関する国際シンポジウム（International
Shmposiumu on GaAs and Related
Compounds）」の報告集第233頁−第239頁の
M.D.カムラス（Camras）他による「不純物注
入と拡散によるAlAs／GaAs超格子の不整列
（Disorder of AlAs／GaAs Superlattices by
the implantation and Diffusion of
Impurities）」にはイオン注入による、すなわ
ち例えば約675℃の温度におけるSiあるいはZn
イオン注入による相互拡散デイスオーダ化につ
いて述べられている。
において開催された「GaAs及び関連化合物に
関する国際シンポジウム（International
Shmposiumu on GaAs and Related
Compounds）」の報告集第233頁−第239頁の
M.D.カムラス（Camras）他による「不純物注
入と拡散によるAlAs／GaAs超格子の不整列
（Disorder of AlAs／GaAs Superlattices by
the implantation and Diffusion of
Impurities）」にはイオン注入による、すなわ
ち例えば約675℃の温度におけるSiあるいはZn
イオン注入による相互拡散デイスオーダ化につ
いて述べられている。
最近になつて、相互拡散デイスオーダ化法は単
一及び多重量子井戸レーザ構造へ適用され、活性
層ヘテロ接合における例えば850℃−1000℃の高
温におけるGaとAlの相互拡散によつて、それら
の出力の波長変調のために利用されるようになつ
てきている。アニーリングの温度と時間を制御す
ることによつて、このレーザ構造の波長は、例え
ば8200Åから7200Åの範囲において、1000Å程度
の範囲のシフトを起こすことができる。この方法
は本発明の譲受人に譲渡された1983年２月２日付
の米国特許出願第528766号「熱処理による量子井
戸レーザの波長同調（Wavelength Tuning of
Quantum Well Lasers by Thermal
Annealing）」に述べられている。
一及び多重量子井戸レーザ構造へ適用され、活性
層ヘテロ接合における例えば850℃−1000℃の高
温におけるGaとAlの相互拡散によつて、それら
の出力の波長変調のために利用されるようになつ
てきている。アニーリングの温度と時間を制御す
ることによつて、このレーザ構造の波長は、例え
ば8200Åから7200Åの範囲において、1000Å程度
の範囲のシフトを起こすことができる。この方法
は本発明の譲受人に譲渡された1983年２月２日付
の米国特許出願第528766号「熱処理による量子井
戸レーザの波長同調（Wavelength Tuning of
Quantum Well Lasers by Thermal
Annealing）」に述べられている。
単一または多重量子井戸構造すなわちヘテロ構
造量子井戸レーザに対して元素注入、元素拡散、
または高温における熱処理を行うことによつて相
互拡散デイスオーダ化を行う場合には、その井戸
のエネルギーバンド形状は与えられた相互拡散デ
イスオーダ化処理の程度に従つて変化する。
造量子井戸レーザに対して元素注入、元素拡散、
または高温における熱処理を行うことによつて相
互拡散デイスオーダ化を行う場合には、その井戸
のエネルギーバンド形状は与えられた相互拡散デ
イスオーダ化処理の程度に従つて変化する。
AlAs−GaAs界面、GaAs−GaAlAs界面、ま
たはGa1-xAlxAs−Ga1-yAlyAs（ｙ＞ｘ）界面の
場合には、この構造を横切るAlの濃度勾配は、
相互拡散デイスオーダ化処理以前のエピタキシヤ
ルなアズグロウン構造におけるそれ程急峻でな
い。
たはGa1-xAlxAs−Ga1-yAlyAs（ｙ＞ｘ）界面の
場合には、この構造を横切るAlの濃度勾配は、
相互拡散デイスオーダ化処理以前のエピタキシヤ
ルなアズグロウン構造におけるそれ程急峻でな
い。
第１Ａ図ないし第１Ｃ図は、当分野において知
られている、GaAs／GaAlAs系の各種量子井戸
構造を示している。第１Ａ図においては、エネル
ギーバンド構造１０をもつ量子井戸構造はGa1-x
AlxAsの井戸層１２を含んでいる。ここでｘはお
よそ０から0.35の間であり、従つて層１２は
GaAs層であつてもよく、Al濃度の低いGaAlAs
層でもよい。量子サイズ効果を示すために、層１
２の厚さは15Åから500Åの範囲の値をとる。ク
ラツド層１５と１６は、x′をおよそ0.15から1.00
の値としたGa1-x′Alx′Asを含んでいる。すなわち
層１５と１６は高濃度Alを含むGaAlAsかAlAs
である。
られている、GaAs／GaAlAs系の各種量子井戸
構造を示している。第１Ａ図においては、エネル
ギーバンド構造１０をもつ量子井戸構造はGa1-x
AlxAsの井戸層１２を含んでいる。ここでｘはお
よそ０から0.35の間であり、従つて層１２は
GaAs層であつてもよく、Al濃度の低いGaAlAs
層でもよい。量子サイズ効果を示すために、層１
２の厚さは15Åから500Åの範囲の値をとる。ク
ラツド層１５と１６は、x′をおよそ0.15から1.00
の値としたGa1-x′Alx′Asを含んでいる。すなわち
層１５と１６は高濃度Alを含むGaAlAsかAlAs
である。
相互拡散デイスオーダ化によつて、量子井戸領
域１２とクラツド層１５，１６との間の界面にお
いてGaとAlの相互拡散が起こる。第１Ａ図に示
されたように、単一の量子井戸領域１２を形成し
ているものとエネルギーバンド分布１０は有限の
矩形井戸を有している。相互拡散デイスオーダ化
によつて最初有限の矩形であつた井戸はより放物
線的な形状に変化し、井戸の深さも浅く変化し、
Ga−Alの相互拡散のためGa1-xAlxAsの端部は丸
みをおびてくる。この変化後の形状は点線１３で
示してある。井戸１２のこの浅くなることによつ
て、この井戸中にとじこめられる電子及び正孔の
状態は異なるエネルギーレベルへシフトされる。
これら状態に関するより詳細な論議は上述の米国
特許出願第528766号に見出されるであろう。
域１２とクラツド層１５，１６との間の界面にお
いてGaとAlの相互拡散が起こる。第１Ａ図に示
されたように、単一の量子井戸領域１２を形成し
ているものとエネルギーバンド分布１０は有限の
矩形井戸を有している。相互拡散デイスオーダ化
によつて最初有限の矩形であつた井戸はより放物
線的な形状に変化し、井戸の深さも浅く変化し、
Ga−Alの相互拡散のためGa1-xAlxAsの端部は丸
みをおびてくる。この変化後の形状は点線１３で
示してある。井戸１２のこの浅くなることによつ
て、この井戸中にとじこめられる電子及び正孔の
状態は異なるエネルギーレベルへシフトされる。
これら状態に関するより詳細な論議は上述の米国
特許出願第528766号に見出されるであろう。
第１Ｂ図に示すエネルギーバンド分布２０は同
様の量子井戸構造を含んでいるが、更に別の外側
層１７，１８を含んでいる。それらはx″をおよ
そ0.30から1.00の間の値としたGa1-x″Alx″As層で
あり、すなわち層１７，１８は高濃度Alを含む
GaAlAsかAlAsかである。他方中間のクラツド
層１５と１６においてはAlの組成比はおよそ0.15
から0.85の間の値である、すなわち層１５と１６
は中程度のAl濃度のGaAlAsの層である。十分な
相互拡散デイスオーダ化を行うと、最初有限な矩
形形状であつた井戸１２はより曲線的または放物
線状に変化する。変化後の形状を点線１４で示し
てある。注意すべき点は、形状２０中の相互拡散
デイスオーダ化は形状１０中のそれとくらべてよ
り本質的であつて図示されたように井戸１２の埋
立てがより顕著に発生しているということであ
る。
様の量子井戸構造を含んでいるが、更に別の外側
層１７，１８を含んでいる。それらはx″をおよ
そ0.30から1.00の間の値としたGa1-x″Alx″As層で
あり、すなわち層１７，１８は高濃度Alを含む
GaAlAsかAlAsかである。他方中間のクラツド
層１５と１６においてはAlの組成比はおよそ0.15
から0.85の間の値である、すなわち層１５と１６
は中程度のAl濃度のGaAlAsの層である。十分な
相互拡散デイスオーダ化を行うと、最初有限な矩
形形状であつた井戸１２はより曲線的または放物
線状に変化する。変化後の形状を点線１４で示し
てある。注意すべき点は、形状２０中の相互拡散
デイスオーダ化は形状１０中のそれとくらべてよ
り本質的であつて図示されたように井戸１２の埋
立てがより顕著に発生しているということであ
る。
第１Ｃ図中のエネルギーバンド分布３０は第１
Ｂ図の単一井戸を用いた超格子をあらわしてお
り、ｘをおよそ０から0.35までの間の値とした時
のGa1-xAlxAsの４個の量子井戸１２Ａ，１２Ｂ，
１２Ｃ，１２Ｄを含んでいる。これら井戸は
Ga1-x′Alx′As（x′＝0.15〜0.85）の３つの障壁層１
５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃで区切られている。層１５
Ａ，１５Ｂ，１５ＣはAlAsであつてもよいとい
うことに留意されたい。相互拡散デイスオーダ化
によつて、最初矩形形状であつた井戸１２Ａ，１
２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは第１Ｃ図中に点線１９で
示されたように曲線的に変化する。
Ｂ図の単一井戸を用いた超格子をあらわしてお
り、ｘをおよそ０から0.35までの間の値とした時
のGa1-xAlxAsの４個の量子井戸１２Ａ，１２Ｂ，
１２Ｃ，１２Ｄを含んでいる。これら井戸は
Ga1-x′Alx′As（x′＝0.15〜0.85）の３つの障壁層１
５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃで区切られている。層１５
Ａ，１５Ｂ，１５ＣはAlAsであつてもよいとい
うことに留意されたい。相互拡散デイスオーダ化
によつて、最初矩形形状であつた井戸１２Ａ，１
２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは第１Ｃ図中に点線１９で
示されたように曲線的に変化する。
量子井戸構造を形成するためのエピタキシヤル
成長時に、井戸の最上部における井戸幅を制御
し、または広くなりすぎないように保証すること
が必要な場合がある。また装置収率の立場から、
相互拡散デイスオーダ化の方法をより長時間適用
することは望ましくない。
成長時に、井戸の最上部における井戸幅を制御
し、または広くなりすぎないように保証すること
が必要な場合がある。また装置収率の立場から、
相互拡散デイスオーダ化の方法をより長時間適用
することは望ましくない。
本発明に従えば、すくなくとも１つの量子井戸
層を有し量子サイズ効果の示すことのできる半導
体構造に関して、それのエネルギーバンド分布を
変形させるための手段が用いられる。そのような
手段は量子井戸層の表面に隣接するすくなくとも
１つの薄いデイスオーダ化される成分層を含んで
おり、その中にはそれに隣接する層中にもしある
としても、それよりも高濃度のデイスオーダ成分
を含んでいる。このデイスオーダ成分は、
GaAs／GaAlAs系中ではAlとGaである。本発明
においては、デイスオーダ成分のAlは、活性領
域や導波路のような中間隣接層中にデイスオーダ
成分Gaが高濃度で含まれているのに対して、相
互拡散用のAl蓄積部を供給することが重要であ
る。デイスオーダ成分層は量子井戸層の相互拡散
デイスオーダ化用の成分蓄積部として機能する。
井戸層に隣接して設けられた薄いデイスオーダ成
分層中のより高濃度のデイスオーダ成分はデイス
オーダ成分用のすぐに間に合う供給源となる。す
なわちAlは相互拡散デイスオーダ化プロセスの
適用時間をへらすと共に、相互拡散プロセス間の
Alの早い欠乏化をさける。これによつてアズグ
ロウンの構成をそのようなプロセスに必要なより
高い温度にさらす時間をへらすことができる。こ
の薄い成分層はまた同時に量子井戸の界面におい
てキヤリアの障壁を高くして光学的閉じ込め効果
を高める働きをする。このことは半導体レーザ構
造の形成などのようにキヤリアや光学的閉じ込め
が重要である領域において特に望ましいことであ
る。
層を有し量子サイズ効果の示すことのできる半導
体構造に関して、それのエネルギーバンド分布を
変形させるための手段が用いられる。そのような
手段は量子井戸層の表面に隣接するすくなくとも
１つの薄いデイスオーダ化される成分層を含んで
おり、その中にはそれに隣接する層中にもしある
としても、それよりも高濃度のデイスオーダ成分
を含んでいる。このデイスオーダ成分は、
GaAs／GaAlAs系中ではAlとGaである。本発明
においては、デイスオーダ成分のAlは、活性領
域や導波路のような中間隣接層中にデイスオーダ
成分Gaが高濃度で含まれているのに対して、相
互拡散用のAl蓄積部を供給することが重要であ
る。デイスオーダ成分層は量子井戸層の相互拡散
デイスオーダ化用の成分蓄積部として機能する。
井戸層に隣接して設けられた薄いデイスオーダ成
分層中のより高濃度のデイスオーダ成分はデイス
オーダ成分用のすぐに間に合う供給源となる。す
なわちAlは相互拡散デイスオーダ化プロセスの
適用時間をへらすと共に、相互拡散プロセス間の
Alの早い欠乏化をさける。これによつてアズグ
ロウンの構成をそのようなプロセスに必要なより
高い温度にさらす時間をへらすことができる。こ
の薄い成分層はまた同時に量子井戸の界面におい
てキヤリアの障壁を高くして光学的閉じ込め効果
を高める働きをする。このことは半導体レーザ構
造の形成などのようにキヤリアや光学的閉じ込め
が重要である領域において特に望ましいことであ
る。
このデイスオーダ成分量は量子井戸層の片面あ
るいは両面に隣接して設けられる。更に、デイス
オーダ成分層は多重量子井戸構造に関しても設け
られる。
るいは両面に隣接して設けられる。更に、デイス
オーダ成分層は多重量子井戸構造に関しても設け
られる。
他の目的や特徴は、本発明のより完全な理解と
共に、以下の図面を参照した詳細な説明から明ら
かになるであろう。
共に、以下の図面を参照した詳細な説明から明ら
かになるであろう。
第２Ａ図を参照すると、本発明に関する「一般
的な」エネルギーバンド分布４０が示されてい
る。分布４０はｘを例えばおよそ０から0.35の間
の値とした時のGa1-xAlxAsの単一の量子井戸層
４２を表わしている。井戸４２の表面に隣接して
すくなくとも１つの薄いデイスオーダ成分層４４
がとりつけられている。この層はGa1-ylyAsであ
り、Alがデイスオーダ成分であつて、ｙは量子
井戸層４２中のAlxとくらべてかなり大きくすな
わちｙ＞ｘであるような層である。デイスオーダ
成分層４４の次のクラツド層４５がある。それは
x′を例えばおよそ0.15から0.85の間の値とした
Ga1-x′Alx′Asの層である。しかし、層４４中の
Aly成分は層４５中のAlx′よりも、すくなくとも
15％はより大きいことが望ましい。量子井戸層４
２の他の表面にはGa1-x′Alx′Asの層４６が隣接し
ている。ここでx′は例えばおよそ0.15から0.85の
間の値である。
的な」エネルギーバンド分布４０が示されてい
る。分布４０はｘを例えばおよそ０から0.35の間
の値とした時のGa1-xAlxAsの単一の量子井戸層
４２を表わしている。井戸４２の表面に隣接して
すくなくとも１つの薄いデイスオーダ成分層４４
がとりつけられている。この層はGa1-ylyAsであ
り、Alがデイスオーダ成分であつて、ｙは量子
井戸層４２中のAlxとくらべてかなり大きくすな
わちｙ＞ｘであるような層である。デイスオーダ
成分層４４の次のクラツド層４５がある。それは
x′を例えばおよそ0.15から0.85の間の値とした
Ga1-x′Alx′Asの層である。しかし、層４４中の
Aly成分は層４５中のAlx′よりも、すくなくとも
15％はより大きいことが望ましい。量子井戸層４
２の他の表面にはGa1-x′Alx′Asの層４６が隣接し
ている。ここでx′は例えばおよそ0.15から0.85の
間の値である。
量子井戸層４２のもう一方の表面に薄いデイス
オーダ成分層４４Ａを隣接させてもよい。層４４
Ａは第２Ａ図に点線の輪郭で示してある。通常は
井戸層４２に隣接して一対の薄いデイスオーダ成
分層４４と４４Ａを設けることが望ましいが、本
発明の効果と利点を得るために単一層４４を設け
る場合も本発明の範囲に含まれる。
オーダ成分層４４Ａを隣接させてもよい。層４４
Ａは第２Ａ図に点線の輪郭で示してある。通常は
井戸層４２に隣接して一対の薄いデイスオーダ成
分層４４と４４Ａを設けることが望ましいが、本
発明の効果と利点を得るために単一層４４を設け
る場合も本発明の範囲に含まれる。
上で述べたように、薄いデイスオーダ成分層４
４、または層４４と４４Ａはデイスオーダ成分す
なわちAlを、層４２及びクラツド層４５，４６
の中よりもより高濃度に含んでいる。Alの濃度
は量子井戸層４２とクラツド層４５，４６との間
ですくなくとも15％以上異なつていることが望ま
しく、更に層４４とクラツド層４５，４６との間
ですくなくとも15％以上異なつていることが望ま
しい。第２Ａ図中の層４４に関して、点線の輪郭
形４７で、層４４中に含まれるAlの量の範囲を
表わすエネルギーバンドのレベルの例が示されて
おり、層４４と層４５との間にAlの量の差が存
在するものとして、100％すなわち完全にAlAsま
での範囲を示している。このように、例えば、も
し層４５中のx′が0.40であれば、層４４中のｙは
0.55またはそれ以上となる。別の例として、x′が
0.85であれば層４４中のｙは1.00すなわちAlAsと
なる。
４、または層４４と４４Ａはデイスオーダ成分す
なわちAlを、層４２及びクラツド層４５，４６
の中よりもより高濃度に含んでいる。Alの濃度
は量子井戸層４２とクラツド層４５，４６との間
ですくなくとも15％以上異なつていることが望ま
しく、更に層４４とクラツド層４５，４６との間
ですくなくとも15％以上異なつていることが望ま
しい。第２Ａ図中の層４４に関して、点線の輪郭
形４７で、層４４中に含まれるAlの量の範囲を
表わすエネルギーバンドのレベルの例が示されて
おり、層４４と層４５との間にAlの量の差が存
在するものとして、100％すなわち完全にAlAsま
での範囲を示している。このように、例えば、も
し層４５中のx′が0.40であれば、層４４中のｙは
0.55またはそれ以上となる。別の例として、x′が
0.85であれば層４４中のｙは1.00すなわちAlAsと
なる。
デイスオーダ成分層の目的は、半導体装置を設
計する場合に有用なキヤリアに対する障壁を増大
させるためのみならず、相互拡散デイスオーダ化
プロセスに役立てるためのデイスオーダ成分Al
の蓄積部を供給するためでもある。これらの付加
的な高濃度Alを含む薄い層は、量子井戸エネル
ギーバンド分布、キヤリア濃度、接合特性のモデ
リングの制御を改善するための相互拡散デイスオ
ーダ化の間の井戸層界面へのAlの供給に対する
積極的な手法を供給する。更に、デイスオーダ成
分層の採用によつて井戸の最上部における井戸幅
の増大という利点が得られ、相互拡散デイスオー
ダ化プロセス中のAlの早期の欠乏回避と共にキ
ヤリアのトラツプと閉じ込めの効果が得られる。
計する場合に有用なキヤリアに対する障壁を増大
させるためのみならず、相互拡散デイスオーダ化
プロセスに役立てるためのデイスオーダ成分Al
の蓄積部を供給するためでもある。これらの付加
的な高濃度Alを含む薄い層は、量子井戸エネル
ギーバンド分布、キヤリア濃度、接合特性のモデ
リングの制御を改善するための相互拡散デイスオ
ーダ化の間の井戸層界面へのAlの供給に対する
積極的な手法を供給する。更に、デイスオーダ成
分層の採用によつて井戸の最上部における井戸幅
の増大という利点が得られ、相互拡散デイスオー
ダ化プロセス中のAlの早期の欠乏回避と共にキ
ヤリアのトラツプと閉じ込めの効果が得られる。
量子井戸層４２の厚さは15Åから500Åの間の
値をとるのが普通である。多くの応用において
は、厚さはこの範囲の下限値にある、すなわちヘ
テロ構造の量子井戸レーザでは量子井戸層の厚さ
は60Åから80Åの間の値である。デイスオーダ成
分層４４及び４４Ａの厚さは１原子層すなわちお
よそ３Åから、300Åの厚いものまである。
値をとるのが普通である。多くの応用において
は、厚さはこの範囲の下限値にある、すなわちヘ
テロ構造の量子井戸レーザでは量子井戸層の厚さ
は60Åから80Åの間の値である。デイスオーダ成
分層４４及び４４Ａの厚さは１原子層すなわちお
よそ３Åから、300Åの厚いものまである。
第２Ｂ図から第２Ｈ図は、本発明のデイスオー
ダ層を用いた量子井戸構造の各種のエネルギーバ
ンド分布を示している。しかし、ここに示したも
の以外の例も可能であると考えられ、ここに示し
たものはそれらをも代表しているつもりである。
ダ層を用いた量子井戸構造の各種のエネルギーバ
ンド分布を示している。しかし、ここに示したも
の以外の例も可能であると考えられ、ここに示し
たものはそれらをも代表しているつもりである。
第２Ｂ図のエネルギーバンド分布５０は、ｘを
例えばおよそ０から0.35の間の値としたときの
Ga1-xAlxAsの量子井戸層５２、ｙを例えばおよ
そ0.15から0.85の間の値としたときのGa1-yAlyAs
の隣接するデイスオーダ成分層５３と５４、x′を
量子井戸層５２、デイスオーダ成分層５３，５
４、外側層５７，５８中のAlの濃度に依存して
おそよ0.15から0.85の間の値としたときの
Ga1-x′Alx′Asの中間クラツド層５５と５６、を含
んでいる。外側層５７と５８はx″をおよそ0.35か
ら1.00の間の値としたときのGa1-x″Alx″Asであ
る。
例えばおよそ０から0.35の間の値としたときの
Ga1-xAlxAsの量子井戸層５２、ｙを例えばおよ
そ0.15から0.85の間の値としたときのGa1-yAlyAs
の隣接するデイスオーダ成分層５３と５４、x′を
量子井戸層５２、デイスオーダ成分層５３，５
４、外側層５７，５８中のAlの濃度に依存して
おそよ0.15から0.85の間の値としたときの
Ga1-x′Alx′Asの中間クラツド層５５と５６、を含
んでいる。外側層５７と５８はx″をおよそ0.35か
ら1.00の間の値としたときのGa1-x″Alx″Asであ
る。
第２Ｃ図は、第２Ｂ図の井戸構造を用いた多重
井戸構造を表わしている。エネルギーバンド分布
６０は４個の井戸層５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５
２Ｄと隣接するデイスオーダ成分層５３Ａ，５３
Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄと５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，
５４Ｄを示している。これらのデイスオーダ層
は、クラツド層５５，５６と同じ成分と中間層５
９によつて順次分離されている。
井戸構造を表わしている。エネルギーバンド分布
６０は４個の井戸層５２Ａ，５２Ｂ，５２Ｃ，５
２Ｄと隣接するデイスオーダ成分層５３Ａ，５３
Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄと５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃ，
５４Ｄを示している。これらのデイスオーダ層
は、クラツド層５５，５６と同じ成分と中間層５
９によつて順次分離されている。
第２Ｄ図のエネルギーバンド分布７０は、デイ
スオーダ成分層５３と５４が、ｙを0.85から1.00
すなわちAlAsまでとしたGa1-yAlyAsであるよう
な高濃度のAlを含んでいる点を除いて、第２Ｂ
図の分布５０と同様であるヘテロ構造レーザ中に
用いると、それらの構造は、光学的閉じ込め及び
導波作用のために中間層５５及び５６中へのビー
ムの拡大を許容しながらすぐれたキヤリア閉じ込
め効果を与えることができる。
スオーダ成分層５３と５４が、ｙを0.85から1.00
すなわちAlAsまでとしたGa1-yAlyAsであるよう
な高濃度のAlを含んでいる点を除いて、第２Ｂ
図の分布５０と同様であるヘテロ構造レーザ中に
用いると、それらの構造は、光学的閉じ込め及び
導波作用のために中間層５５及び５６中へのビー
ムの拡大を許容しながらすぐれたキヤリア閉じ込
め効果を与えることができる。
第２Ｅ図は第２Ｄ図の井戸構造を用いた多重量
子井戸構成を示している。エネルギーバンド分布
８０は４個の量子井戸層５２Ａ，５２Ｂ，５２
Ｃ，５２Ｄを隣接するデイスオーダ成分層５３
Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ及び５４Ａ，５４
Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄと共に示している。これらの
デイスオーダ層は、クラツド層５５及び５６と同
一あるいは同様の組成を有する中間層７９によつ
て順次分離される。
子井戸構成を示している。エネルギーバンド分布
８０は４個の量子井戸層５２Ａ，５２Ｂ，５２
Ｃ，５２Ｄを隣接するデイスオーダ成分層５３
Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄ及び５４Ａ，５４
Ｂ，５４Ｃ，５４Ｄと共に示している。これらの
デイスオーダ層は、クラツド層５５及び５６と同
一あるいは同様の組成を有する中間層７９によつ
て順次分離される。
第２Ａ図の一般的なエネルギーバンド分布に関
して既に述べたように、デイスオーダ成分層５３
と５４中のAlyデイスオーダ成分は、それぞれｙ
＞x′＞ｘ０としたときGa1-xAlxAsとGa1-x
Alx′Asである隣接層５２と５５，５６中のAlの
濃度に依存して、例えば0.15から1.00の間の値を
とる。
して既に述べたように、デイスオーダ成分層５３
と５４中のAlyデイスオーダ成分は、それぞれｙ
＞x′＞ｘ０としたときGa1-xAlxAsとGa1-x
Alx′Asである隣接層５２と５５，５６中のAlの
濃度に依存して、例えば0.15から1.00の間の値を
とる。
第２Ｆ図、第２Ｇ図、第２Ｈ図は、中間クラツ
ド層の領域において空間的に変化するエネルギー
バンド分布をもつ単一量子井戸構造のエネルギー
バンド分布の３つの例を示している。第２Ｆ図
は、中間クラツド層９５と９６が直線的な空間変
化をするGa1-x′Alx′Asの合金組成、すなわちx′が
成長過程で約0.15から1.00の間を直線的に徐々に
変化するようになつた点を除いて、第２Ｂ図の分
布５０に示したのと同じ量子井戸構造についての
エネルギーバンド分布９０を示している。
ド層の領域において空間的に変化するエネルギー
バンド分布をもつ単一量子井戸構造のエネルギー
バンド分布の３つの例を示している。第２Ｆ図
は、中間クラツド層９５と９６が直線的な空間変
化をするGa1-x′Alx′Asの合金組成、すなわちx′が
成長過程で約0.15から1.00の間を直線的に徐々に
変化するようになつた点を除いて、第２Ｂ図の分
布５０に示したのと同じ量子井戸構造についての
エネルギーバンド分布９０を示している。
第２Ｇ図は、中間クラツド層１０５，１０６が
放物線状または凹型に空間変化するGa1-x′Alx′As
の合金組成をもつ、すなわち例えばx′が成長過程
において約0.15から1.00の間で放物線状に徐徐に
変化するようになつている点を除いて、分布５０
と同じ分布をもつ量子井戸構造に対するエネルギ
ーバンド分布１００を示している。
放物線状または凹型に空間変化するGa1-x′Alx′As
の合金組成をもつ、すなわち例えばx′が成長過程
において約0.15から1.00の間で放物線状に徐徐に
変化するようになつている点を除いて、分布５０
と同じ分布をもつ量子井戸構造に対するエネルギ
ーバンド分布１００を示している。
第２Ｈ図は、中間クラツド層１１５，１１６が
逆放物線状または凸型に空間変化する
Ga1-x′Alx′Asの合金組成をもつ、すなわち例えば
x′が成長過程において約0.15から1.00の間で放物
線的に徐徐に変化するようになつている点を除い
て、分布５０と同じ分布をもつ量子井戸構造に対
するエネルギーバンド分布１１０を示している。
逆放物線状または凸型に空間変化する
Ga1-x′Alx′Asの合金組成をもつ、すなわち例えば
x′が成長過程において約0.15から1.00の間で放物
線的に徐徐に変化するようになつている点を除い
て、分布５０と同じ分布をもつ量子井戸構造に対
するエネルギーバンド分布１１０を示している。
第２Ｆ図、第２Ｇ図、第２Ｈ図のエネルギーバ
ンド分布によつて表わした量子井戸構造を用いる
ことの利点は、各々の中間層９５，９６、または
１０５，１０６、または１１５，１１６中に勾配
が存在することによつて、例えば半導体レーザ中
におけるビーム出力のビーム強度断面分布を望み
どおりに設計できる点である。言いかえると、レ
ーザによつて発生するビームの強度分布を設計す
ることが可能になる。例えば第２Ｇ図の放物線状
の分布を用いることによつて、出力ビーム中の強
度分布をガウス分布形状にすることができる。
ンド分布によつて表わした量子井戸構造を用いる
ことの利点は、各々の中間層９５，９６、または
１０５，１０６、または１１５，１１６中に勾配
が存在することによつて、例えば半導体レーザ中
におけるビーム出力のビーム強度断面分布を望み
どおりに設計できる点である。言いかえると、レ
ーザによつて発生するビームの強度分布を設計す
ることが可能になる。例えば第２Ｇ図の放物線状
の分布を用いることによつて、出力ビーム中の強
度分布をガウス分布形状にすることができる。
ビーム強度分布整形の利点と共に、半導体レー
ザ構造中にデイスオーダ成分層５３，５４を用い
ることによつて、例えば上に述べた米国特許出願
第528766号に述べられたような相互拡散デイスオ
ーダ化の適用によつて、レーザの波長同調が可能
となる。結果として、半導体レーザを現状の技術
を用いて、あらかじめ設計されたビーム強度分布
と、選ばれた波長特性を持つた形で容易に作製で
きることになる。
ザ構造中にデイスオーダ成分層５３，５４を用い
ることによつて、例えば上に述べた米国特許出願
第528766号に述べられたような相互拡散デイスオ
ーダ化の適用によつて、レーザの波長同調が可能
となる。結果として、半導体レーザを現状の技術
を用いて、あらかじめ設計されたビーム強度分布
と、選ばれた波長特性を持つた形で容易に作製で
きることになる。
第３Ａ図から第３Ｃ図は、選ばれた量子井戸構
造に対し選ばれた相互拡散デイスオーダ化法を適
用することによつて、もとのエネルギーバンド分
布がどのように変化するかを変化の段階に従つて
示したものである。選ばれた量子井戸構造は第２
Ｂ図の分布５０に基づいている。この分布は第３
図に再現されており、相互拡散デイスオーダ化に
よつて変化するエネルギーバンド分布を点線で表
わす。もちろん、各図面においてデイスオーダ成
分は保存される。
造に対し選ばれた相互拡散デイスオーダ化法を適
用することによつて、もとのエネルギーバンド分
布がどのように変化するかを変化の段階に従つて
示したものである。選ばれた量子井戸構造は第２
Ｂ図の分布５０に基づいている。この分布は第３
図に再現されており、相互拡散デイスオーダ化に
よつて変化するエネルギーバンド分布を点線で表
わす。もちろん、各図面においてデイスオーダ成
分は保存される。
第３Ａ図は、量子井戸層５２、デイスオーダ成
分層５３，５４、及び中間層５５，５６の間で相
互拡散デイスオーダ化が開始されて、これらの層
間でGaとAlの相互拡散が始まつた初期の段階を
表わしている。デイスオーダ成分のAlは有効に
制御された相互拡散を可能とするために利用でき
る形で比較的多量に存在する層５３と５４から相
互拡散する。
分層５３，５４、及び中間層５５，５６の間で相
互拡散デイスオーダ化が開始されて、これらの層
間でGaとAlの相互拡散が始まつた初期の段階を
表わしている。デイスオーダ成分のAlは有効に
制御された相互拡散を可能とするために利用でき
る形で比較的多量に存在する層５３と５４から相
互拡散する。
第３Ａ図から明らかなように、井戸層５２の領
域へのAlの相互拡散のために層５３と５４のも
との分布が減衰しはじめると共に、層５２の井戸
が埋まりはじめる。点線５１Ａはエネルギーバン
ド分布のこの初期の変化を示す。
域へのAlの相互拡散のために層５３と５４のも
との分布が減衰しはじめると共に、層５２の井戸
が埋まりはじめる。点線５１Ａはエネルギーバン
ド分布のこの初期の変化を示す。
相互拡散デイスオーダ化が進行すると、層５３
と５４の分布が減衰すると共に、層５２の井戸は
より一層埋まる。このことは第３Ｂ図に点線分布
５１Ｂで示されており、更に進行した形のものを
第３Ｃ図に点線分布５１Ｃで示してある。分布５
１Ｃの場合、層５２の井戸は、実際上、中間層５
５と５６中とほゞ同程度に、相互拡散したAlに
よつて埋められている。
と５４の分布が減衰すると共に、層５２の井戸は
より一層埋まる。このことは第３Ｂ図に点線分布
５１Ｂで示されており、更に進行した形のものを
第３Ｃ図に点線分布５１Ｃで示してある。分布５
１Ｃの場合、層５２の井戸は、実際上、中間層５
５と５６中とほゞ同程度に、相互拡散したAlに
よつて埋められている。
エネルギーバンド分布に関して上に述べた議論
では、電流注入装置で必要なドーピングの型と濃
度については考慮していない。用いられるドーピ
ング型と濃度に依存して、屈折率と等価エネルギ
ーバンド分布のすこしの変化が発生しうる。更
に、例えば層４５，４６または５５，５６、また
は５７，５８中の三元化合物GaAlAsの組成比
x′とx″の範囲は、ドーピングの型と濃度の差を調
節するため、正確には同一でなくなる。これらの
因子については当業者にとつて知られているの
で、本発明の議論においては取扱わない。
では、電流注入装置で必要なドーピングの型と濃
度については考慮していない。用いられるドーピ
ング型と濃度に依存して、屈折率と等価エネルギ
ーバンド分布のすこしの変化が発生しうる。更
に、例えば層４５，４６または５５，５６、また
は５７，５８中の三元化合物GaAlAsの組成比
x′とx″の範囲は、ドーピングの型と濃度の差を調
節するため、正確には同一でなくなる。これらの
因子については当業者にとつて知られているの
で、本発明の議論においては取扱わない。
本発明に関して更に考慮することは、２層ある
いはそれ以上の層間に、またはいくつかの連続的
に堆積した層すなわち超格子中に存在するAl量
の大きな変化のために発生したひずみを解放する
ための技法の適用についてである。例えば、
AlAs／GaAsの超格子を成長させる替りにＺを
0.04とした場合AlAs1-zPz／GaAsの超格子を成長
させることである。これによつて、それら構造に
おいて最適の格子整合が得られる。三元化合物
GaAlAsの格子をGaAsへ整合させるためには、
三元化合物中のAlの量に依存した適量のＰを加
える必要がある。格子整合の目的に用いられる他
の元素としては、SbやInがある。
いはそれ以上の層間に、またはいくつかの連続的
に堆積した層すなわち超格子中に存在するAl量
の大きな変化のために発生したひずみを解放する
ための技法の適用についてである。例えば、
AlAs／GaAsの超格子を成長させる替りにＺを
0.04とした場合AlAs1-zPz／GaAsの超格子を成長
させることである。これによつて、それら構造に
おいて最適の格子整合が得られる。三元化合物
GaAlAsの格子をGaAsへ整合させるためには、
三元化合物中のAlの量に依存した適量のＰを加
える必要がある。格子整合の目的に用いられる他
の元素としては、SbやInがある。
本発明は、特定の実施例について述べてきた
が、これまでの説明から当業者にとつては、多く
の修正や変更が可能であることが明らかであろ
う。従つて、それらの変更や修正は本発明の範囲
に含まれると解釈されるべきである。
が、これまでの説明から当業者にとつては、多く
の修正や変更が可能であることが明らかであろ
う。従つて、それらの変更や修正は本発明の範囲
に含まれると解釈されるべきである。
第１Ａ図、第１Ｂ図、第１Ｃ図は、既知の単一
または多重量子井戸構造に対して相互拡散デイス
オーダ化を施こす前、後でのエネルギーバンド分
布を示している。第２Ａ図から第２Ｈ図は、本発
明の薄いデイスオーダ成分層を含む、単一または
多重量子井戸構造の各種のエネルギーバンド分布
を示している。第２Ａ図は、単一量子井戸構造中
の単一の薄いデイスオーダ成分層に対するエネル
ギーバンド分布を示している。第２Ｂ図は、一対
の隣接した薄いデイスオーダ成分層をとりつけた
単一の量子井戸構造についてのエネルギーバンド
分布を示している。第２Ｃ図は、多重量子井戸構
造のエネルギーバンド分布を示している。第２Ｄ
図は、より高濃度のデイスオーダ成分を含む薄い
デイスオーダ成分層である点を除いて、第２Ｂ図
と同様の多段のエネルギーバンド分布を有する量
子井戸構造のエネルギーバンド分布を示す。第２
Ｅ図は、より高濃度のデイスオーダ成分を含む薄
いデイスオーダ成分層である点を除いて、第２Ｃ
図と同様のエネルギーバンド分布を有する多重量
子井戸構造のエネルギーバンド分布を示す。第２
Ｆ図、第２Ｇ図、第２Ｈ図は、中間クラツド層が
成分量の勾配をもつたエネルギーバンド分布をも
つているような、隣接する薄いデイスオーダ成分
層を備えた量子井戸構造のエネルギーバンド分布
を示している。第３Ａ図から第３Ｃ図は、第２Ｂ
図の単一量子井戸構造のエネルギーバンド分布に
対する相互拡散デイスオーダ化の効果の各種段階
を示している。 （参照符号）、１０……エネルギーバンド分布、
１２……量子井戸層、１３，１４……変化後のエ
ネルギーバンド分布、１５，１６……クラツド
層、１７，１８……外側層、１９……量子井戸形
状、２０……エネルギーバンド分布、３０……エ
ネルギーバンド分布、４０……エネルギーバンド
分布、４２……量子井戸層、４４……デイスオー
ダ層、４５……クラツド層、４６……クラツド
層、４７……エネルギーバンド分布、５０……エ
ネルギーバンド分布、５２……量子井戸層、５３
……デイスオーダ成分層、５４……デイスオーダ
成分層、５５，５６……クラツド層、５７，58…
…外側層、５９……中間層、６０……エネルギー
バンド分布、７０……エネルギーバンド分布、７
９……中間層、８０……エネルギーバンド分布、
９０……エネルギーバンド分布、９５，９６……
クラツド層、１００……エネルギーバンド分布、
１０５，１０６……クラツド層、１１０……エネ
ルギーバンド分布、１１５，１１６……クラツド
層。
または多重量子井戸構造に対して相互拡散デイス
オーダ化を施こす前、後でのエネルギーバンド分
布を示している。第２Ａ図から第２Ｈ図は、本発
明の薄いデイスオーダ成分層を含む、単一または
多重量子井戸構造の各種のエネルギーバンド分布
を示している。第２Ａ図は、単一量子井戸構造中
の単一の薄いデイスオーダ成分層に対するエネル
ギーバンド分布を示している。第２Ｂ図は、一対
の隣接した薄いデイスオーダ成分層をとりつけた
単一の量子井戸構造についてのエネルギーバンド
分布を示している。第２Ｃ図は、多重量子井戸構
造のエネルギーバンド分布を示している。第２Ｄ
図は、より高濃度のデイスオーダ成分を含む薄い
デイスオーダ成分層である点を除いて、第２Ｂ図
と同様の多段のエネルギーバンド分布を有する量
子井戸構造のエネルギーバンド分布を示す。第２
Ｅ図は、より高濃度のデイスオーダ成分を含む薄
いデイスオーダ成分層である点を除いて、第２Ｃ
図と同様のエネルギーバンド分布を有する多重量
子井戸構造のエネルギーバンド分布を示す。第２
Ｆ図、第２Ｇ図、第２Ｈ図は、中間クラツド層が
成分量の勾配をもつたエネルギーバンド分布をも
つているような、隣接する薄いデイスオーダ成分
層を備えた量子井戸構造のエネルギーバンド分布
を示している。第３Ａ図から第３Ｃ図は、第２Ｂ
図の単一量子井戸構造のエネルギーバンド分布に
対する相互拡散デイスオーダ化の効果の各種段階
を示している。 （参照符号）、１０……エネルギーバンド分布、
１２……量子井戸層、１３，１４……変化後のエ
ネルギーバンド分布、１５，１６……クラツド
層、１７，１８……外側層、１９……量子井戸形
状、２０……エネルギーバンド分布、３０……エ
ネルギーバンド分布、４０……エネルギーバンド
分布、４２……量子井戸層、４４……デイスオー
ダ層、４５……クラツド層、４６……クラツド
層、４７……エネルギーバンド分布、５０……エ
ネルギーバンド分布、５２……量子井戸層、５３
……デイスオーダ成分層、５４……デイスオーダ
成分層、５５，５６……クラツド層、５７，58…
…外側層、５９……中間層、６０……エネルギー
バンド分布、７０……エネルギーバンド分布、７
９……中間層、８０……エネルギーバンド分布、
９０……エネルギーバンド分布、９５，９６……
クラツド層、１００……エネルギーバンド分布、
１０５，１０６……クラツド層、１１０……エネ
ルギーバンド分布、１１５，１１６……クラツド
層。
Claims (1)
- １ 量子サイズ効果を示すことのできるすくなく
とも１層の量子井戸層を含む半導体構造であつ
て、上記量子井戸層のエネルギーバンド分布を変
化させるために用いられる手段であつて、上記量
子井戸層の１つの表面に隣接した薄い層をすくな
くとも１層含み、上記薄い層はそれに隣接する層
中よりもすくなくとも15％は高濃度にデイスオー
ダ成分量を含んでおり、上記薄い層が上記成分の
蓄積部及び上記量子井戸層の相互拡散デイスオー
ダ化のために機能するようになつているような手
段を含む、半導体構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56758484A | 1984-01-03 | 1984-01-03 | |
| US567584 | 1984-01-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160191A JPS60160191A (ja) | 1985-08-21 |
| JPH0516677B2 true JPH0516677B2 (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=24267768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59282128A Granted JPS60160191A (ja) | 1984-01-03 | 1984-12-27 | 半導体構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160191A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115385A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS63228782A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Toshiba Corp | レ−ザ装置 |
| JPH0521829A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2013058580A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Fuji Electric Co Ltd | 量子型赤外線検出器 |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59282128A patent/JPS60160191A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS LETTERS=1976 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160191A (ja) | 1985-08-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |