JPH05167143A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05167143A JPH05167143A JP35392091A JP35392091A JPH05167143A JP H05167143 A JPH05167143 A JP H05167143A JP 35392091 A JP35392091 A JP 35392091A JP 35392091 A JP35392091 A JP 35392091A JP H05167143 A JPH05167143 A JP H05167143A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- heat
- light emitting
- array
- heat pipe
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
- F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
- F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Thermal Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザの発光部に付随する冷却部を安
全かつ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの
発光部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装
置とする。 【構成】 半導体レーザとして光出力１０Ｗのアレイ半
導体レーザ１を用い、これを銅のスペーサー２を介して
半導体レーザ１の温度制御用ペルチエ素子３に取り付
け、これらを一体として銅のヒートブロック４上に配置
し、このヒートブロック４をヒートパイプ５の片方の端
に固定し、他端に放熱フィン６を取り付け、空冷ファン
７により強制空冷し、アレイ半導体レーザ１の良好な動
作を得る。発光部８を近接して配置した２台のアレイ半
導体レーザ１からの出射光をコリメーティングレンズ９
でコリメートした後、各々の偏波面を偏波合成用偏光ビ
ームスプリッター１０の入力ポートに合わせて配置し、
偏波合成光出力１１を得る。
全かつ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの
発光部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装
置とする。 【構成】 半導体レーザとして光出力１０Ｗのアレイ半
導体レーザ１を用い、これを銅のスペーサー２を介して
半導体レーザ１の温度制御用ペルチエ素子３に取り付
け、これらを一体として銅のヒートブロック４上に配置
し、このヒートブロック４をヒートパイプ５の片方の端
に固定し、他端に放熱フィン６を取り付け、空冷ファン
７により強制空冷し、アレイ半導体レーザ１の良好な動
作を得る。発光部８を近接して配置した２台のアレイ半
導体レーザ１からの出射光をコリメーティングレンズ９
でコリメートした後、各々の偏波面を偏波合成用偏光ビ
ームスプリッター１０の入力ポートに合わせて配置し、
偏波合成光出力１１を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光エネルギー源として
半導体レーザを用いる応用分野（例えば、固体レーザ励
起やレーザマイクロプロセッシングなど）に関するもの
である。
半導体レーザを用いる応用分野（例えば、固体レーザ励
起やレーザマイクロプロセッシングなど）に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】狭い活性層に電流を注入する半導体レー
ザの光／電気変換効率は非常に高く、中には５０％を越
えるものもある。しかし、残りの５０％は熱に変わるの
であり、これを局所的発熱という観点からみると非常に
大きなものになっていることがわかる。近年、発展著し
い高出力型の半導体レーザを例にとれば、活性層幅２０
０μｍ、長さ３００μｍ、光出力１Ｗ、光／電気変換効
率３０％の半導体レーザでは、３．９ｋＷ／ｃｍ2 とな
る。これは、なんらかの強制的冷却を行わない限り、半
導体の溶融による破壊を招く。このため、ペルチエ素子
による電子冷却や空冷などが広く行われている（例え
ば、1991 PRODUCT CATALOG p56 :SPECTRA DIODE LABS等
参照）。
ザの光／電気変換効率は非常に高く、中には５０％を越
えるものもある。しかし、残りの５０％は熱に変わるの
であり、これを局所的発熱という観点からみると非常に
大きなものになっていることがわかる。近年、発展著し
い高出力型の半導体レーザを例にとれば、活性層幅２０
０μｍ、長さ３００μｍ、光出力１Ｗ、光／電気変換効
率３０％の半導体レーザでは、３．９ｋＷ／ｃｍ2 とな
る。これは、なんらかの強制的冷却を行わない限り、半
導体の溶融による破壊を招く。このため、ペルチエ素子
による電子冷却や空冷などが広く行われている（例え
ば、1991 PRODUCT CATALOG p56 :SPECTRA DIODE LABS等
参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の半導
体レーザ装置は、ヒートシンク等の抜熱部が半導体レー
ザの発光部と一体型になっているため、一つの半導体レ
ーザの発光部が占める体積が大きく、複数の半導体レー
ザの発光部を近接して配置し、偏波合成などの技術によ
り複数の半導体レーザのパワーを一つの光エネルギー源
として集積化を図ることが難しい。これでは、本来、小
型、高効率、高出力である半導体レーザの特質を十分に
活かすことが出来ない。一方、水冷は、半導体レーザか
らの発熱を一旦水を介して移動させ、他の場所に設置し
た放熱器によって最終的に放熱する点で、上記課題を解
決し得るものであるが、万一、半導体レーザ側で水もれ
を起こした場合、致命的である。また、配管や循環ポン
プなどを必要とするため、装置全体が複雑になり、必然
的に大型になってしまう。
体レーザ装置は、ヒートシンク等の抜熱部が半導体レー
ザの発光部と一体型になっているため、一つの半導体レ
ーザの発光部が占める体積が大きく、複数の半導体レー
ザの発光部を近接して配置し、偏波合成などの技術によ
り複数の半導体レーザのパワーを一つの光エネルギー源
として集積化を図ることが難しい。これでは、本来、小
型、高効率、高出力である半導体レーザの特質を十分に
活かすことが出来ない。一方、水冷は、半導体レーザか
らの発熱を一旦水を介して移動させ、他の場所に設置し
た放熱器によって最終的に放熱する点で、上記課題を解
決し得るものであるが、万一、半導体レーザ側で水もれ
を起こした場合、致命的である。また、配管や循環ポン
プなどを必要とするため、装置全体が複雑になり、必然
的に大型になってしまう。
【０００４】本発明は、かかる状況に鑑みてなされたも
ので、半導体レーザの発光部に付随する冷却部を安全か
つ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの発光
部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装置を
提供することを目的とするものである。
ので、半導体レーザの発光部に付随する冷却部を安全か
つ簡便な方法にて小型化し、複数の半導体レーザの発光
部を近接して配置することが出来る半導体レーザ装置を
提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の手段として、半導体レーザ装置におい
て、半導体レーザからの発熱あるいは半導体レーザを温
度制御するための電子冷却素子からの発熱を除去するた
めのヒートパイプを備えるものである。
めに、この発明の手段として、半導体レーザ装置におい
て、半導体レーザからの発熱あるいは半導体レーザを温
度制御するための電子冷却素子からの発熱を除去するた
めのヒートパイプを備えるものである。
【０００６】
【作用】本発明では、半導体レーザあるいは半導体レー
ザを温度制御するための電子冷却素子からの発熱をヒー
トパイプによって除去する。ヒートパイプとは、銅など
の熱伝導性の良い金属の中空パイプ中に水あるいはフロ
ンの蒸気を低気圧で封入したものである。ヒートパイプ
の一方の端に発熱体、他方の端にフィンなどの放熱器を
取り付けると、発熱体側で熱せられた蒸気が高速で放熱
器側に移動し、放熱器で熱を奪われて液体となる。ヒー
トパイプの傾斜等によりこの液体が再び発熱体側に戻る
ようにしておけば、このサイクルが繰り返される。かく
して、蒸気を介して発熱体から放熱器へ熱が移動するの
である。
ザを温度制御するための電子冷却素子からの発熱をヒー
トパイプによって除去する。ヒートパイプとは、銅など
の熱伝導性の良い金属の中空パイプ中に水あるいはフロ
ンの蒸気を低気圧で封入したものである。ヒートパイプ
の一方の端に発熱体、他方の端にフィンなどの放熱器を
取り付けると、発熱体側で熱せられた蒸気が高速で放熱
器側に移動し、放熱器で熱を奪われて液体となる。ヒー
トパイプの傾斜等によりこの液体が再び発熱体側に戻る
ようにしておけば、このサイクルが繰り返される。かく
して、蒸気を介して発熱体から放熱器へ熱が移動するの
である。
【０００７】ヒートパイプは円筒状であるので、発熱源
であるところの半導体レーザパッケージあるいは電子冷
却素子をヒートパイプに取り付けるためのヒートブロッ
クを通して熱がヒートパイプに伝えられるようにする必
要がある。ヒートブロックは、熱伝導性のよい銅などで
作成する。片側の形状は半導体レーザパッケージあるい
は電子冷却素子の形状に合わせて加工し、他方はヒート
パイプの形状に合わせて円筒状にくり抜く。これらを組
み合わせる際には、隙間にシリコングリスや銀ペースト
など熱伝導性のよい充填材を充填する。ヒートパイプの
他端には、放熱用のフィンやフィンを強制空冷するため
のファン、あるいは場合により水冷器等を取り付ける。
このようにして、半導体レーザの発光部に付随する冷却
部を実質的に小型化することができる。
であるところの半導体レーザパッケージあるいは電子冷
却素子をヒートパイプに取り付けるためのヒートブロッ
クを通して熱がヒートパイプに伝えられるようにする必
要がある。ヒートブロックは、熱伝導性のよい銅などで
作成する。片側の形状は半導体レーザパッケージあるい
は電子冷却素子の形状に合わせて加工し、他方はヒート
パイプの形状に合わせて円筒状にくり抜く。これらを組
み合わせる際には、隙間にシリコングリスや銀ペースト
など熱伝導性のよい充填材を充填する。ヒートパイプの
他端には、放熱用のフィンやフィンを強制空冷するため
のファン、あるいは場合により水冷器等を取り付ける。
このようにして、半導体レーザの発光部に付随する冷却
部を実質的に小型化することができる。
【０００８】
【実施例】本発明の特徴と利点を一層明らかにするた
め、以下、実施例に基づいて詳細に説明する。
め、以下、実施例に基づいて詳細に説明する。
【０００９】図１は、半導体レーザ及び半導体レーザを
温度制御するための電子冷却素子からの発熱をヒートパ
イプを用いて除去する半導体レーザ装置を２台使用して
偏波合成を行った実施例の模式図である。図１に示すご
とく、半導体レーザとして、一つの活性層が幅１００μ
ｍ、長さ２５０μｍのものが２０個１次元的にならべら
れた、光出力１０Ｗのアレイ半導体レーザ１を用い、こ
れを固定のための銅のスペーサー２を介して半導体レー
ザの温度制御を行う電子冷却素子として用いるペルチエ
素子３に取り付けた。これらを一体として、銅のヒート
ブロック４に取り付け、ヒートブロック４をヒートパイ
プ５の片方の端に固定した。ヒートパイプ５として直径
１６ｍｍ、長さ２５０ｍｍの銅製のものを用いた。これ
は１台の半導体レーザの発熱量とこれを温度制御するた
めのペルチエ素子からの発熱量を合わせた熱量を除去で
きるヒートパイプでできるだけ小型のものという観点か
ら選択したものであるが、この点を満たすものであれば
上記の寸法でなくてもよい。個々の物の間の境界面には
熱伝導性のシリコングリスを塗った。ヒートパイプ５の
他方の端には放熱用のフィン６を取り付け、空冷ファン
７により強制空冷を行った。アレイ半導体レーザ１から
の発熱及びアレイ半導体レーザ１の温度制御のためのペ
ルチエ素子３からの発熱は、ヒートパイプ５を介して放
熱フィン６へ良好に熱伝達され、アレイ半導体レーザ１
は良好に動作した。アレイ半導体レーザ１の発光部８に
対して、ヒートブロック４までを含めた大きさは実質的
に十分コンパクトであり、このようにコンパクトな冷却
部を備えて初めて図１に示すような２台のアレイ半導体
レーザ１の発光部８を近接させた構成が可能となった。
すなわち、２台のアレイ半導体レーザ１をそれぞれコリ
メーティングレンズ９でコリメートした後、各々の偏波
面を偏波合成のために用いる偏光ビームスプリッター１
０の２つの入力ポートの内１つに合うように配置した。
これにより２台の１０Ｗ型アレイ半導体レーザ１から出
射したレーザ光は完全に同軸に合わせられ、合成された
光出力１１として１８Ｗが得られた。これをさらに集光
レンズで集光することにより強力な光電磁界を得ること
ができる。また、半導体レーザの波長を変えて、ダイク
ロイックミラーを用いれば、ますます高密度に光パワー
を集積していくことができる。
温度制御するための電子冷却素子からの発熱をヒートパ
イプを用いて除去する半導体レーザ装置を２台使用して
偏波合成を行った実施例の模式図である。図１に示すご
とく、半導体レーザとして、一つの活性層が幅１００μ
ｍ、長さ２５０μｍのものが２０個１次元的にならべら
れた、光出力１０Ｗのアレイ半導体レーザ１を用い、こ
れを固定のための銅のスペーサー２を介して半導体レー
ザの温度制御を行う電子冷却素子として用いるペルチエ
素子３に取り付けた。これらを一体として、銅のヒート
ブロック４に取り付け、ヒートブロック４をヒートパイ
プ５の片方の端に固定した。ヒートパイプ５として直径
１６ｍｍ、長さ２５０ｍｍの銅製のものを用いた。これ
は１台の半導体レーザの発熱量とこれを温度制御するた
めのペルチエ素子からの発熱量を合わせた熱量を除去で
きるヒートパイプでできるだけ小型のものという観点か
ら選択したものであるが、この点を満たすものであれば
上記の寸法でなくてもよい。個々の物の間の境界面には
熱伝導性のシリコングリスを塗った。ヒートパイプ５の
他方の端には放熱用のフィン６を取り付け、空冷ファン
７により強制空冷を行った。アレイ半導体レーザ１から
の発熱及びアレイ半導体レーザ１の温度制御のためのペ
ルチエ素子３からの発熱は、ヒートパイプ５を介して放
熱フィン６へ良好に熱伝達され、アレイ半導体レーザ１
は良好に動作した。アレイ半導体レーザ１の発光部８に
対して、ヒートブロック４までを含めた大きさは実質的
に十分コンパクトであり、このようにコンパクトな冷却
部を備えて初めて図１に示すような２台のアレイ半導体
レーザ１の発光部８を近接させた構成が可能となった。
すなわち、２台のアレイ半導体レーザ１をそれぞれコリ
メーティングレンズ９でコリメートした後、各々の偏波
面を偏波合成のために用いる偏光ビームスプリッター１
０の２つの入力ポートの内１つに合うように配置した。
これにより２台の１０Ｗ型アレイ半導体レーザ１から出
射したレーザ光は完全に同軸に合わせられ、合成された
光出力１１として１８Ｗが得られた。これをさらに集光
レンズで集光することにより強力な光電磁界を得ること
ができる。また、半導体レーザの波長を変えて、ダイク
ロイックミラーを用いれば、ますます高密度に光パワー
を集積していくことができる。
【００１０】なお、本発明の実施例においては、ＬＤの
温度制御のため、ペルチエ素子を用いたが、温度制御が
不要な場合には、ＬＤを直接ヒートブロックに取り付け
ればよい。また、スペーサー、ヒートブロックとして銅
製のものを用いたが、他の熱伝導性のよい材質のもので
もよい。
温度制御のため、ペルチエ素子を用いたが、温度制御が
不要な場合には、ＬＤを直接ヒートブロックに取り付け
ればよい。また、スペーサー、ヒートブロックとして銅
製のものを用いたが、他の熱伝導性のよい材質のもので
もよい。
【００１１】
【発明の効果】冷却機構としてかかる構成を持つ半導体
レーザ装置は、半導体レーザの発光部に付随する冷却部
を小型化し、複数の半導体レーザの発光部を近接して配
置することを可能とし、ハイパワーレーザとしての半導
体レーザの利用を重工業、半導体産業、医療など様々な
産業分野において促進するものである。
レーザ装置は、半導体レーザの発光部に付随する冷却部
を小型化し、複数の半導体レーザの発光部を近接して配
置することを可能とし、ハイパワーレーザとしての半導
体レーザの利用を重工業、半導体産業、医療など様々な
産業分野において促進するものである。
【図１】半導体レーザ及び半導体レーザを温度制御する
ための電子冷却素子からの発熱をヒートパイプを用いて
除去する半導体レーザ装置を２台使用して偏波合成を行
った実施例の模式図である。
ための電子冷却素子からの発熱をヒートパイプを用いて
除去する半導体レーザ装置を２台使用して偏波合成を行
った実施例の模式図である。
１ アレイ半導体レーザ ２ 銅スペーサー ３ ペルチエ素子 ４ ヒートブロック ５ ヒートパイプ ６ 熱フィン ７ 空冷ファン ８ アレイ半導体レーザ発光部 ９ コリメーティングレンズ １０ 偏光ビームスプリッター １１ 合成光出力
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザからの発熱あるいは半導体
レーザを温度制御するための電子冷却素子からの発熱を
除去するためのヒートパイプを備えることを特徴とする
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35392091A JPH05167143A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35392091A JPH05167143A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167143A true JPH05167143A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18434114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35392091A Withdrawn JPH05167143A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05167143A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151784A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002164607A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002280660A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002280659A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002280661A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002368326A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールの冷却方法およびレーザダイオードモジュールからなる光源 |
| GB2387025A (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-01 | Enfis Ltd | LED and laser diode array cooling |
| JP2005164908A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nec Viewtechnology Ltd | 液晶プロジェクタ装置および液晶プロジェクタ装置の冷却方法 |
| JP2005317925A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-11-10 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置 |
| KR100698009B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2007-03-23 | 유기조 | 루프형 히트파이프를 구비한 엘이디 조명장치 |
| WO2007002766A3 (en) * | 2005-06-27 | 2007-04-26 | Intel Corp | Optical transponder module with active heat transfer |
| JP2007201285A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sony Corp | 光源装置 |
| JP2009042703A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
| JP4965781B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2012-07-04 | インテル・コーポレーション | ２重格納部光電子パッケージ |
| US20130177033A1 (en) * | 2009-12-30 | 2013-07-11 | National University Corporation Chiba University | Tunable external resonator laser |
| WO2014103019A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 | 半導体素子冷却構造、および該構造を備えた電子機器 |
| JP2020145327A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザモジュール及びその装置 |
| CN116027836A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-04-28 | 济南森峰激光科技股份有限公司 | 一种激光器温湿度控制系统及方法 |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP35392091A patent/JPH05167143A/ja not_active Withdrawn
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4965781B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2012-07-04 | インテル・コーポレーション | ２重格納部光電子パッケージ |
| JP2002151784A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| EP1206018A3 (en) * | 2000-11-08 | 2002-11-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
| US6839367B2 (en) | 2000-11-08 | 2005-01-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
| EP1215776A3 (en) * | 2000-11-24 | 2004-03-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
| JP2002164607A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| US6876681B2 (en) | 2000-11-24 | 2005-04-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source comprising laser diode module |
| JP2002280659A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| US6676306B2 (en) * | 2001-03-16 | 2004-01-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source having plural laser diode modules |
| EP1241752A3 (en) * | 2001-03-16 | 2004-04-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source having plural laser diode modules |
| US6872011B2 (en) | 2001-03-16 | 2005-03-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Light source having plural laser diode modules |
| JP2002280661A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002280660A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールからなる光源 |
| JP2002368326A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールの冷却方法およびレーザダイオードモジュールからなる光源 |
| GB2387025A (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-01 | Enfis Ltd | LED and laser diode array cooling |
| JP2005164908A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Nec Viewtechnology Ltd | 液晶プロジェクタ装置および液晶プロジェクタ装置の冷却方法 |
| US7703927B2 (en) | 2003-12-02 | 2010-04-27 | Nec Viewtechnology, Ltd. | Liquid crystal projector apparatus using heat exchanger and method of cooling liquid crystal projector apparatus |
| US7967446B2 (en) | 2003-12-02 | 2011-06-28 | Nec Viewtechnology, Ltd. | Liquid crystal projector apparatus and cooler |
| JP2005317925A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-11-10 | Ricoh Co Ltd | 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置 |
| US7457126B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-11-25 | Intel Corporation | Optical transponder with active heat transfer |
| WO2007002766A3 (en) * | 2005-06-27 | 2007-04-26 | Intel Corp | Optical transponder module with active heat transfer |
| KR100698009B1 (ko) * | 2005-07-05 | 2007-03-23 | 유기조 | 루프형 히트파이프를 구비한 엘이디 조명장치 |
| JP2007201285A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sony Corp | 光源装置 |
| JP2009042703A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
| US20130177033A1 (en) * | 2009-12-30 | 2013-07-11 | National University Corporation Chiba University | Tunable external resonator laser |
| US9042422B2 (en) * | 2009-12-30 | 2015-05-26 | National University Corporation Chiba University | Tunable external resonator laser |
| WO2014103019A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Ｎｅｃディスプレイソリューションズ株式会社 | 半導体素子冷却構造、および該構造を備えた電子機器 |
| US9829775B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-11-28 | Nec Display Solutions, Ltd. | Semiconductor element cooling structure and electronic apparatus provided with same |
| JP2020145327A (ja) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザモジュール及びその装置 |
| CN116027836A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-04-28 | 济南森峰激光科技股份有限公司 | 一种激光器温湿度控制系统及方法 |
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