JPH05170536A - 炭素フィルム及びその製造方法 - Google Patents

炭素フィルム及びその製造方法

Info

Publication number
JPH05170536A
JPH05170536A JP4123972A JP12397292A JPH05170536A JP H05170536 A JPH05170536 A JP H05170536A JP 4123972 A JP4123972 A JP 4123972A JP 12397292 A JP12397292 A JP 12397292A JP H05170536 A JPH05170536 A JP H05170536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
polyamic acid
carbon film
group
kgf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4123972A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3152316B2 (ja
Inventor
Yasuhisa Nagata
康久 永田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Toho Rayon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toho Rayon Co Ltd filed Critical Toho Rayon Co Ltd
Priority to JP12397292A priority Critical patent/JP3152316B2/ja
Priority to US07/890,155 priority patent/US5352524A/en
Publication of JPH05170536A publication Critical patent/JPH05170536A/ja
Priority to US08/248,690 priority patent/US5443859A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3152316B2 publication Critical patent/JP3152316B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/52Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite
    • C04B35/524Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbon, e.g. graphite obtained from polymer precursors, e.g. glass-like carbon material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的性質、特に、引張り強度と引張り弾性
率、及び電気伝導度を同時に高めた、炭素フィルム及び
その製造方法を提供する。 【構成】 テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミン
を含む組合せ、又はテトラカルボン酸二無水物と芳香族
ジアミンと多価アミンを含む組合せからなるモノマーを
反応させ、ポリアミック酸溶液とし、このポリアミック
酸溶液を用いてポリアミック酸フィルムを形成し、この
フィルムに脱水−脱環反応を行うことによりイミド化し
て、ポリイミドフィルムを形成し、このポリイミドフィ
ルムを炭素化処理して、引張り強度が15kgf/mm
2 以上、引張り弾性率が5,000kgf/mm2
上、且つ電気伝導度が280S/cm以上である炭素フ
ィルムを得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高められた温度におい
て加熱することによって得られる、優れた機械的性質と
高い電気伝導度を有する炭素フィルム及びその製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、炭素材料は、その優れた耐熱性、
耐薬品性、電気伝導性等から、電極材料、発熱体、構造
材、断熱材、耐熱シール材、X線用部品等に広く使用さ
れてきた。これらの中でも、シート状の炭素フィルム
は、同様に工業材料として重要な用途に使用される可能
性があり、近年盛んに研究開発が行われている。
【0003】その炭素フィルムの製造方法としては、天
然産のグラファイトから製造される他、気相炭化水素の
高温分解沈積から製造する方法、有機物あるいは炭素物
質を高温処理して製造する方法等がある。これらの方法
により得られた炭素フィルムは、耐熱性、耐薬品性、電
気伝導性等の優れた特性を生かした分野に利用されつつ
ある。
【0004】これらの炭素フィルムを製造する方法の中
でも、高分子フィルムを熱分解させて炭素フィルムを得
る方法は、その製造方法の簡便さから多くの提案がなさ
れており、特開昭53−139676号公報,特開昭6
0−11215号公報、特開昭60−235709号公
報、特開昭62−91414号公報、特開平1−105
199号公報等の多くの開示例がある。また、このよう
な技術には、高分子フィルムとして芳香族ポリイミドフ
ィルムを用い、これを高温加熱処理により熱分解させて
炭素フィルムを得る方法が、例えば、特公昭64−12
305号公報に開示されている。また、高分子フィルム
を延伸させた後に炭素化処理を行う方法が、例えば、特
公平1−48204号公報に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
炭素フィルムは、電気伝導度を改善したもの、または機
械的性質を改善したものはあるが、これらの性質の両方
を同時に、ある程度の水準以上で高めたものは存在して
いなかった。すなわち、機械的性質として、引張り強度
15kgf/mm2 以上、引張り弾性率5,000kg
f/mm2 以上、且つ、電気伝導度200S/cm以上
である炭素フィルムとしたものは存在していなかった。
【0006】例えば、電気伝導性等に優れた炭素フィル
ムを得るためには、無酸素雰囲気及び高圧下で3,00
0℃以上の非常に高い温度で熱処理をして、フィルム中
にグラファイト層を秩序正しく配列させることが必要と
されている。しかし、そのような高温とするための装置
は作製が困難で、しかもこのような高温処理によって得
られた炭素フィルムは一般的には脆性的で、機械的性質
も決して優れたものではなかった。
【0007】また、炭素フィルムを製造する方法におい
て、芳香族ポリイミド原料を用いて、引張り強度15k
gf/mm2 以上、引張り弾性率5,000kgf/m
2 以上、電気伝導度200S/cm以上の炭素フィル
ムを製造する方法はなかった。そこで本発明は、芳香族
ポリイミドに由来し、改善された機械的性質、特に、改
善された引張り強度と引張り弾性率、及び改善された電
気伝導度を同時に有する炭素フィルムを提供することを
目的とする。
【0008】さらに本発明は、芳香族ポリイミドを用い
て、改善された機械的性質、特に、改善された引張り強
度と引張り弾性率、及び改善された電気伝導度を同時に
有する炭素フィルムを製造する方法を提供することを別
の目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の炭素フィルムは
芳香族ポリイミドに由来し、引張り強度が15kgf/
mm2 以上、引張り弾性率が5,000kgf/mm2
以上、電気伝導度が200S/cm以上である。本発明
の炭素フィルムの製造方法は、テトラカルボン酸二無水
物(成分(A))と芳香族ジアミン(成分(B))とを
含むモノマーを組合せてポリアミド酸を製造し、次いで
ポリアミド酸フィルムを形成し、このポリアミド酸フィ
ルムをイミド化して脱水−閉環反応を行い、それによっ
て引張り強度が10kgf/mm 2 以上で、引張り弾性
率が500kgf/mm2 以上のポリイミドフィルムを
形成する。さらに、このポリイミドフィルムを不活性ガ
ス又は真空中で加熱処理することにより、引張り強度が
15kgf/mm2 以上、引張り弾性率が5,000k
gf/mm2 以上、電気伝導度が200S/cm以上の
炭素フィルムを得る。
【0010】本発明の炭素フィルムは、1つの分子構造
中に3個以上のアミノ基を持つ1個以上の多価アミン化
合物(成分(C))をさらに含むモノマーの組合せから
も得られる。本発明をさらに詳細に説明する。本発明に
おいて、成分(A)として使用されるテトラカルボン酸
二無水物の代表例には、テトラカルボキシベンゼン二無
水物、2〜5の縮合ベンゼン環を持つ化合物のテトラカ
ルボキシ二無水物、次式(1)で示される化合物、及び
それらの化合物に置換基が導入された化合物が含まれ
る。
【0011】
【化9】
【0012】ここで、R1 は−O−、−CO−、−SO
2 −、−SO−、アルキレン基、アルキレン二カルボニ
ルオキシ基、アルキレン二オキシカルボニル基、フェニ
レン基、フェニレンアルキレン基、フェニレン二アルキ
レン基を示す。n4 は0又は1である。n5 は0又は1
である。n5 とn6 の和が2ならば、n6 は1又は2で
ある。
【0013】本発明におけるテトラカルボン酸二無水物
の代表例としては、ピロメリット酸二無水物、3,
3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、2,2′,6,6′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、
ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水
物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二
無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−1,2,4,5−テトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカ
ルボン酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラ
カルボン酸二無水物、及びエチレングリコールビス(ア
ンヒドロトリメリテート)等が挙げられる。これらの化
合物は単独又は2種以上の混合物で用いることができ
る。
【0014】成分(B)として使用される芳香族ジアミ
ンの代表例は、フェニレンジアミン、ジアミノピリジ
ン、2〜8の縮合ベンゼン環を持つジアミン化合物、次
の式(2)で示される化合物、及びそれらの化合物に置
換基が導入された化合物である。
【0015】
【化10】
【0016】ここで、R2 は−O−、−CO−、−SO
2 −、−SO−、フェニレン基、アルキレン基、フェニ
レンアルキレン基、フェニレンジアルキレン基、又は
【0017】
【化11】
【0018】である。n7 は0又は1である。R3 は−
O−、−CO−、−SO2 −、−SO−、フェニレン
基、アルキレン基、フェニレンアルキレン基、又はフェ
ニレンジアルキレン基である。そして、n8 は0又は1
である。芳香族ジアミンの例としては、メタフェニレン
ジアミン、パラフェニレンジアミン、ベンジジン、オル
トトルイジン、3,3′−ジクロロ−4,4′−ジアミ
ノビフェニルのようなベンジジン誘導体、4,4′−ジ
アミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルプロパン、
3,3′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジア
ミノジフェニルスルフィド、4,4′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、3,4′−ジアミノジフェニルスルホン、、3,
3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノベンゾフェ
ノン、3,3′−ジアミノベンゾフェノン、2,2′−
ビス(4−アミノフェニル)プロパン、3,3′−ジア
ミノビフエニル、2,6−ジアミノピリジン、2,5−
ジアミノピリジン、3,4−ジアミノピリジン、ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、
ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホ
ン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
ーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕エーテル、2,2′−ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2,2′−ビス〔4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、4,
4′−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、1,
4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2′−ビ
ス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、1,5−ジアミノナフタレン、2,6
−ジアミノナフタレン、及びそれらの誘導体(例えば、
置換基を持つジアミンで置換されたもの)。
【0019】成分(C)としての多価アミン化合物の代
表例は、次の式(3)又は(4)で示される。
【0020】
【化12】
【0021】
【化13】
【0022】ここで、A1 は、
【0023】
【化14】
【0024】A2 は、
【0025】
【化15】
【0026】n1 は0又は1〜4の整数、n2 は0又は
1〜3の整数である。Xは酸を示す。qは酸の塩基価で
ある。Rは−O−,−CH2 −,−CO−又は−SO2
−を示す。n3 は0又は1である。A1 又はA2 は置換
されてもよい。式(3)又は式(4)におけるXで示さ
れる酸は、有機酸又は無機酸の何れか一方でよい。この
酸には、例えば、パラトルエンスルホン、ピクリン酸、
塩酸が含まれる。
【0027】前述の化合物のための置換基は、縮合反応
に不利に作用するものであってはならない。また、そこ
から得られる生産物の性質が劣化するものであってはな
らない。置換基として、脂肪族基、及びハロゲン原子が
挙げられる。これらのモノマーは、単独で又はそれらの
2以上の混合物として用いることができる。
【0028】成分(C)として使用される多価アミン化
合物の代表例には、3,3′,4,4′−テトラアミノ
ジフェニルエーテル、3,3′,4,4′−テトラアミ
ノジフェニルメタン、3,3′,4,4′−テトラアミ
ノベンゾフェノン、3,3′,4,4′−テトラアミノ
ジフェニルスルホン、3,3′,4,4′−テトラアミ
ノビフェニル、1,2,4,5−テトラアミノベンゼ
ン、3,3′,4−トリアミノジフェニル、3,3′,
4−トリアミノジフェニルメタン、3,3′,4−トリ
アミノベンゾフェノン、3,3′,4−トリアミノジフ
ェニルスルホン、及び1,2,4−トリアミノベンゼ
ン、及びそれらのモノ、ジ、トリ又はテトラ−酸の塩が
挙げられ、そのような例は、3,3′,4,4′−テト
ラアミノジフェニルエーテル四塩酸塩、3,3′,4,
4′−テトラアミノジフェニルメタン四塩酸塩、3,
3′,4,4′−テトラアミノベンゾフェノン四塩酸
塩、3,3′,4,4′−テトラアミノジフェニルスル
ホン四塩酸塩、3,3′,4,4′−テトラアミノビフ
ェニル四塩酸塩、1,2,4,5−テトラアミノベンゼ
ン四塩酸塩、3,3′,4−トリアミノジフェニル三塩
酸塩、3,3′,4−トリアミノジフェニルメタン三塩
酸塩、3,3′,4−トリアミノベンゾフェノン三塩酸
塩、3,3′,4−トリアミノジフェニルスルホン三塩
酸塩、3,3′,4−トリアミノビフェニル三塩酸塩、
及び1,2,4−トリアミノベンゼン三塩酸塩がある。
上記の化合物は通常、水和化合物の形態で存在する。こ
れらの化合物は、単独又は2以上の混合物の何れかで用
いることができる。
【0029】ポリアミド酸フィルムは、ポリアミド酸の
ポリマー溶液を支持体上に流延塗布するか又はコーティ
ングの後、脱溶媒することによって得られる。成分
(C)が溶液重合によるポリアミド酸の調製のために用
いられる場合には、3次元網目分子構造を持つポリアミ
ド酸はゲル形態で得られる。それゆえに、ゲル化を起こ
す前に支持体上に流延塗布するか又はコーティングし、
その後にゲル化を実行し、重合反応を完結させ、脱溶媒
によりポリアミド酸フィルムが得られる。
【0030】付加塩の形態ではなく、成分(C)として
使用される、上述のテトラアミン化合物及びトリアミン
化合物が使用される場合、ゲル化に要する時間はかなり
短い。それらの化合物は上述の付加塩として使用するこ
とが好ましい。その付加塩の量は、多価アミン化合物の
総モルの50〜100モル%が好ましく、さらに好まし
くは、75〜100モル%である。
【0031】ポリアミド酸フィルムの厚さは、1〜1,
000μmが好ましく、取扱いのし易い観点から10〜
100μmがさらに好ましい。支持材料の材質として、
例えば、ガラス、金属、セラミックス、及びポリエステ
ル等の高分子樹脂が含まれる。支持体上に形成されたポ
リアミド酸フィルムは、ポリイミド化の脱水−閉環反応
前に、支持体からフィルムを剥ぎ取るか、又は剥ぎ取ら
ずにおく。
【0032】本発明のポリアミド酸は、一般的に不活性
雰囲気中に、−20〜80℃、好ましくは−5〜50
℃、さらに好ましくは0〜30℃の温度で、有機溶媒中
で、成分(A)及び(B)を反応させることにより、又
は成分(A)、(B)又は(C)を反応させることによ
り、得ることができる。その反応時間は、10時間を越
えず、好ましくは6時間を越えず、さらに好ましくは、
2時間を越えない。通常、その反応時間は、5分以上で
あり、好ましくは、1時間以上である。
【0033】成分(A)及び(B)から得られるポリア
ミド酸のフィルムは、任意の方法により、例えば、支持
体上にポリアミド酸の溶液を流延塗布し、乾燥すること
により、形成することができる。その溶液のための溶媒
の例には、重合反応のために後に列挙する溶媒と同一で
ある。ポリアミド酸の濃度は、好ましくは、5〜20重
量%である。
【0034】さらに、ポリアミド酸フィルムは、次の方
法で得られる。溶媒を含んでいるポリアミド酸のフィル
ムをポリアミド酸のための貧溶媒を含む凝固液体中に浸
す。ここで、フイルム中に残留していた有機溶媒は、溶
媒置換により、或いはフィルムの洗浄が行われることに
より、取り除かれる。この操作において、水は一般的に
凝固液体として使用される。メタノール及びエタノール
等のアルコールは、凝固液体の総量の50重量%を越え
ない量で水とともに使用できる。さらに、アセトン等の
ケトン類、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系
溶媒、及び1,2−ジクロロエタン等の塩素系溶媒は、
凝固液体の総量の20重量%を越えない量で使用でき
る。前記のフィルムの洗浄がより一層行われる場合に
は、そのフィルム中に含まれている塩素等の不純物を取
り除くことができる。、取扱い性の観点から特に成分
(C)が使用される場合には、反応の完結の後の反応混
合物中における有機溶媒の量は、ポリアミド酸重量の3
〜50重量%、好ましくは5〜20重量%である。ポリ
アミド酸の濃度が3重量%より低い場合には、得られる
ポリアミド酸ゲルは、自分で形状を保つことは困難であ
る。一方、その濃度が50重量%を越える場合には、固
体の含有量があまりにも高すぎ、重合過程中に溶液の粘
度が増加して重合反応が思うように進行しない。
【0035】その反応に使用される有機溶媒は、反応に
不活性であり、成分(A)、(B)、(C)を溶かして
反応させる能力のものであることが必要である。その有
機溶媒の代表例は、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルホル
ムアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、ジメチルス
ルフオキシド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−
ジメチルメトキシアセトアミド、ヘキサメチルホスホア
ミド、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンス
ルホン、例えばクレゾール、フェノール、キシレノール
等のフェノール、ベンゼン、トルエン、キシレン、ベン
ゾニトリル、ジオキサン、及びシクロヘキサンが挙げら
れる。これらの溶媒は、単独で或いは2以上の混合物と
して使用できる。
【0036】成分(A)対成分(B)対成分(C)のモ
ル比(以後、(A)/(B)/(C)という)は、好ま
しく反応されるためには、100:60〜100:0〜
20(以後、100/(60〜100)/(0〜20)
という)の範囲である。一般的に、ポリアミド酸がテト
ラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとから調製され
る場合に、量成分は、分子量をできる限り増加させるよ
うな等モル比で反応することが好ましい。それゆえ、
(A)/(B)のモル比は、100/(60〜100)
の範囲に保たれることが好ましい。さらに好ましくは1
00/(70〜100)であり、最も好ましくは100
/(80〜100)である。成分(C)が使用される場
合、(A)/(B)/(C)のモル比は、重合度を増加
させるためには、100/(60〜100)/(1〜2
0)の範囲に保たれることが好ましく、さらに好ましく
は100/(70〜100)/(4〜15)、及び最も
好ましくは100/(80〜100)/(4〜15)で
ある。
【0037】さらに言えば、成分(A)、(B)、
(C)は、テトラカルボン酸二無水物(その酸無水物分
子1つにつき反応基の分子数は2である)の反応基の分
子数の違いに応じて、使用される。そして,芳香族ジア
ミン及び多価アミン化合物の全分子の反応基の数は、±
5%以内の値に調整される。すなわち、反応物の好まし
い当量比は、次の式で示される。
【0038】
【数1】
【0039】それゆえ、テトラアミン化合物が成分
(C)として使用される場合、次の関係式が満足される
べきである。 0.95×〔(B)のモル数+2×(C)のモル数〕<
(A)のモル数<1.05×〔(B)のモル数+2×
(C)のモル数〕 (C)/(A)のモル比が1/100より小さい場合、
3次元網目構造の形成は不十分である。つまり、ゲル化
が起こり難いからである。
【0040】(C)/(A)のモル比が20/100よ
り大きい場合、その反応は急速に進行し、生じるゲルは
溶媒中に小片となって分散し、均一な生産物を得ること
は困難である。したがって、ポリアミド酸のゲル化を通
して、ポリイミドフィルムが調製される場合、好ましい
(C)/(A)のモル比は(1〜20)/(100)の
範囲内とすべきである。
【0041】成分(A)と(B)の反応、及び成分
(A)と(B)と(C)の反応は、無水カルボン酸とア
ミン化合物との重合反応である。成分(A)は、例え
ば、窒素ガス等の不活性雰囲気で、有機溶媒に溶解又は
分散している成分(B)の溶液、又は成分(B)と
(C)の溶液に加えることができる。成分(A)は、固
体又は溶液の形態で溶媒中に加えることができる。前記
方法の代わりに、成分(B)、又は成分(B)と(C)
は、有機溶媒に溶解している成分(A)の溶液に加える
ことができる。望ましくは、成分(C)は、成分(A)
と(B)の反応過程中に加えることができる。
【0042】しかしながら、予め定められた量の成分
(A)と(C)が反応している反応系に対して成分
(B)を加えた場合、調製条件によって、反応が十分に
進行せずに、ゲル化が起こらないかもしれない可能性が
あることに、注意すべきである。ポリアミド酸の分子量
は、好ましくは10,000〜300,000、さらに
好ましくは30,000〜300,000である。
【0043】網目分子構造の程度は、(通常は50〜8
0℃で)加熱することにより、(紫外線のような)光を
照射することにより、又は(通常は3.0kg/cm2
までの)圧力を適用することにより、増加させることが
できる。成分(A)と(B)に加えて、又は成分(A)
と(B)と(C)に加えて、反応混合物は、例えば、ト
リメリット酸無水物、カルボン酸無水物又はそれらの置
換化合物のような、ジカルボン酸又はトリカルボン酸の
少量(通常、成分(A)に対して10重量%まで)を含
んでいてもよい。(ポリアミド酸及び溶媒の総重量に対
して)約50〜97重量%の前述の有機溶媒を含んでい
る三次元構造のポリアミド酸は自分で形状を保つことの
できるゲルである。
【0044】ポリアミド酸の三次元構造物中の溶媒の含
有量は、溶媒の吸収又は放出による膨潤又は収縮によっ
てコントロールすることができる。収縮は、減圧下で好
ましくは80℃まで加熱することにより、又は溶媒を置
換することにより、実施することができる。ゲルの化学
構造における架橋点は、温度、光、圧力等の外部刺激に
よって増すことができる。
【0045】ボリイミドフィルムは、脱水反応や閉環反
応によって行われる通常のイミド化をポリアミド酸フィ
ルムに対して行うことによって得ることができる。例え
ば、イミド化は、高温処理により又は脱水剤を使用した
化学的脱水処理により、達成することができる。イミド
化が成分(A)及び成分(B)に由来するポリアミド酸
を高温処理することによって達成される場合、ポリアミ
ド酸で製造されたポリアミド酸フィルムは、このフィル
ムをイミド化のための加熱処理を行う前に、10秒以
上、50〜200℃の温度で、溶媒の量が0〜10重量
%に減少するまで、乾燥される。
【0046】ポリアミド酸がゲル状態である場合、即
ち、溶媒を含む場合、フィルム中の溶媒が好ましくは0
〜50重量%、さらに好ましくは40%以下になるま
で、そのフィルムは、好ましくは30〜80℃で0.5
〜10時間、さらに好ましくは30〜50℃で1〜5時
間乾燥される。通常、フィルムの形状を維持するため
に、その温度は徐々に高められる。
【0047】乾燥状態であるポリアミド酸フィルムは、
イミド化を実行するために加熱される。その加熱は、通
常、150〜500℃で、10秒〜10時間、好ましく
は200〜400℃で1〜5時間行われる。固定枠、締
具又はピンガイドの手段によりフィルムの両端を固定し
たまま加熱処理を行う場合、寸法安定性及び機械的性質
において優れたフィルムを得ることができる。この方法
は非常に効果的である。その理由は、ポリアミド酸から
なるフィルムは、特に、乾燥や熱処理によって縮むから
である。
【0048】イミド化は、1780cm-1及び1720
cm-1での赤外吸収スペクトルを観察することによって
確かめられる。ポリアミド酸のイミド化は、ポリアミド
酸フィルムを脱水剤を含む溶液中に浸漬させて行うこと
ができる。例えば、その方法は、脱水剤の溶液をポリア
ミド酸フィルムにしみ込ませることにより、脱水及び閉
環が化学的に行われる方法である。別法としては、その
フィルムから溶媒が除去された後に、又はその溶媒が貧
溶媒で置き代わった後に、そのフィルムを化学的処理す
ることでもよい。化学的脱水反応においては、触媒とし
てアミンの存在下に、脱水剤として酸無水物を使用する
ことは効果的である。酸無水物の例には、無水酢酸、無
水プロピオン酸、無水酪酸等の脂肪族酸無水物、及び無
水安息香酸が挙げられる。これらの化合物は単独で又は
それらの2以上の混合物としての何れかで用いることが
できる。
【0049】触媒として使用することができるアミンの
例には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエ
チレンジアミン、ヘキサメチレンテトラアミン、トリブ
チルアミン、ジメチルアニリン、ピリジン、α−ピコリ
ン、β−ピコリン、γ−ピコリン、イソキノリン及びル
チジンのような第3級アミンが挙げられる。第3級アミ
ンを構成するグループから選ばれる1個以上のアミンが
触媒として使用される。
【0050】化学的脱水反応において加えるべき酸無水
物の量は、ポリアミド酸中に存在するカルボキシル基の
当量につき、好ましくは1〜5当量、さらに好ましくは
1〜3当量である。触媒の量は、ポリアミド酸中に存在
するカルボキシル基の当量につき、好ましくは0.01
〜1.5当量、さらに好ましくは0.2〜1当量であ
る。
【0051】酸無水物及びアミンを有機溶媒に溶解させ
て、脱水反応に使用される溶液を調製する。溶媒の例に
は、前述した溶媒が挙げられる。酸無水物の濃度は、有
機溶媒の全量に対して1〜10重量%である。イミド化
のための化学的処理は、好ましくは0〜80℃で0.5
〜48時間である。本発明における炭素フィルムの前駆
体として使用されるポリイミドフィルムは、高い引張り
強度と高い引張り弾性率を有する。
【0052】本発明の炭素フィルムを得るためには、ポ
リイミドフィルムの引張り強度が10kgf/mm2
上、好ましくは15kgf/mm2 以上、さらに好まし
くは20kgf/mm2 以上であること、及び引張り弾
性率が500kgf/mm2 以上、好ましくは800k
gf/mm2 以上、さらに好ましくは1,000kgf
/mm2 以上であることが必要である。ポリイミドフィ
ルムの引張り強度及び引張り弾性率を増加させるため
に、その分子鎖が主として一方向又は二軸方向に配列さ
れるように、そのポリイミドフィルムあるいは、全駆体
であるポリアミド酸フィルムを、好ましくは1.0倍を
越えて延伸される必要がある。
【0053】ポリアミド酸フィルムにおいては、そのフ
ィルムの延伸は容易に行い、しかも高い延伸倍率で行う
ことができ、高度に配向されたフィルムを得ることがで
きる。延伸は、一方向に、又はクロスした方向になされ
ることができる。延伸は、倍率1.0〜3で、好ましく
は1.2〜2で、通常行われる。一方向延伸の場合に
は、その延伸は、そのフィルムが破壊されるまでの倍率
で3倍以上で行うことができるが、その延伸は、通常、
5倍以上の高倍率で行う必要はない。
【0054】延伸方式には、テンター方式やロール方式
を含めた従来の延伸方式を使用することができる。もし
そのフィルムを膨潤させることのできる有機溶媒又は可
塑剤として作用する液体がそのフィルム(ポリアミド酸
フィルム又は部分的にイミド化したポリアミド酸フィル
ム)中に含まれているならば、そのフィルムの延伸は容
易に行うことができ、高い延伸率を持つポリイミドフィ
ルムを調製することができる。
【0055】そのフィルムを膨潤することのできる液体
の例には、ポリアミド酸の重合反応に使用されるN,N
−ジメチルホルムアミド及びN−メチル−2−ピロリド
ンが挙げられる。さらに、フェノール類、炭化水素類、
ケトン類、アルコール類、及びエーテル類が使用され
る。可塑剤として作用する液体の例には、エチレングリ
コール、エチレングリコールのエステル化物が挙げられ
る。
【0056】延伸されたポリアミド酸フィルムを緊張下
で脱水−閉環反応によって得られるポリイミドフィルム
は、改善された引張り強度と引張り弾性率を持つ(その
値は、延伸の方向と同一の方向で、或いはその最高値を
与える方向で測定される)。そして、そのポリイミドフ
ィルムは、高い性能を持つ炭素フィルムの前駆体として
使用される。
【0057】テトラカルボン酸二無水物として、ピロメ
リット二無水物、及びビフェニルテトラカルボン酸二無
水物は、特に好ましくは単独で、或いはそのテトラカル
ボン酸二無水物の2以上の混合物として使用することが
できる。これらの二無水物は高い引張り強度及び高い引
張り弾性率を持つポリイミドフィルムを得る観点から選
択される。これらのテトラカルボン酸二無水物が他のテ
トラカルボン酸二無水物と一緒に使用される場合、これ
らの化合物の使用量は、二無水物の総モルに対して好ま
しくは80モル%以上、さらに好ましくは85モル%以
上、最も好ましくは90モル%以上で使用する。
【0058】芳香族ジアミンとして、パラフェニレンジ
アミン、ベンジジン、オルトトルイジン、3,3′−ジ
クロロ−4,4′−ジアミノビフェニルのようなベンジ
ジン誘導体、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、及
び4,4′−ジアミノジフェニルエーテルは、特に好ま
しくは単独で又は芳香族ジアミンの2以上の混合物とし
て使用することができる。本発明の炭素フィルムの前駆
体である、高い引張り強度で高い引張り弾性率のポリイ
ミドフィルムを得る観点から、これらのジアミンは選択
される。これらの芳香族ジアミンが他の芳香族ジアミン
と共に使用される場合、こられの芳香族ジアミンの量
は、ジアミンの総モルに対して、好ましくは80モル%
以上、さらに好ましくは85モル%以上、最も好ましく
は90モル%以上で使用する。
【0059】以前に説明した多価アミンの中で、3,
3′,4,4′−テトラアミノビフェニル四塩酸塩、及
び1,2,4−トリアミノベンゼン三塩酸塩の単独又は
他の多価アミン化合物との混合物は、本発明の炭素フィ
ルムの前駆体である、高い引張り強度で高い引張り弾性
率のポリイミドフィルムを得る観点から、選択される。
これらの多価アミン化合物の使用量は、ジアミンの総モ
ルに対して、好ましくは20モル%以下、さらに好まし
くは15モル%以下、最も好ましくは10モル%以下で
使用する。
【0060】これらの好ましい化合物から得られるポリ
イミドフィルムは、剛性で且つ高度に結晶性の分子鎖を
持つので、高い引張り強度と高い引張り弾性率となる。
本発明に使用するポリイミドは、モノマー成分として、
1以上のテトラカルボン酸二無水物及び1以上の芳香族
ジアミンを使用することができ、或いは、本発明に使用
するポリイミドは、前記のものにさらに加えて1以上の
多価アミン化合物を使用することができる。そのため
に、得られるポリマーは共重合体である。さらに、ポリ
イミドは、互いに他の種々のモノマー成分が含まれたポ
リイミドの混合物の形態で使用することができる。
【0061】本発明の炭素フィルムの前駆体であるポリ
イミドフィルムは、第3成分として1以上の他の高分子
量成分を含むことができ、また、コンポジットフィルム
の形態で使用することができる。ポリアミド酸溶液中に
可溶な従来の高分子量成分は、コンポジットフィルムに
使用される。高分子量成分の例には、ポリアミド酸、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リベンゾイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ポリ
ベンゾチアゾール、芳香族ポリアミド及びポリアクリロ
ニトリルが挙げられる。これらの高分子量成分は、炭素
化のための高温処理によって熱分解されて、グラファイ
ト化するという性質を持つことが望ましい。
【0062】ブレンドされる高分子量成分の量は、ブレ
ンドされる高分子量成分のタイプによって変化するが、
炭素フィルムの強度や弾性率を低下させない量が添加さ
れることが望ましい。好ましくは、高分子量成分は、フ
ィルムの全重量に対して、20重量%以上の量である。
これらの高分子量成分には、種々の置換基を持った重合
体、共重合体、前駆物質やオリゴマーが含まれる。高分
子量成分が前駆物質やオリゴマーである場合には、それ
らを複合した後に、さらに反応を進め重合度を上げ高分
子量成分にすることができる。
【0063】高分子量成分は、高分子量成分を有機溶媒
に溶かした溶液をポリアミド酸溶液に混合することによ
って、最終的にはポリイミドフィルムに導入することが
できる。炭素フィルムの前駆体であるポリイミドフィル
ムの引張り強度及び引張り弾性率は、上記モノマーで構
成されるポリアミド酸フィルム、ポリアミド酸が部分的
にイミド化されたポリアミド酸フィルム(通常は10%
より多くないアミド基)、ポリイミドフィルム、又は高
分子量成分を含んでいるポリイミドコンポジットフィル
ムを延伸することによって、増加することができる。延
伸は、以前に説明したように行うことができる。
【0064】ポリアミド酸の高分子ゲルを経過して、成
分(A)、(B)、(C)から得られるポリアミド酸フ
ィルムは、延伸により、特に一方向に延伸することによ
り、非常に高配向度を持つ配向ポリアミド酸フィルムと
することができる。この配向されたポリアミド酸フィル
ムを緊張下で脱水−閉環反応することによって得られる
ポリイミドフィルムは、高い引張り強度及び高い引張り
弾性率となる。
【0065】特に、次の式(5)で示される繰り返し単
位を全体の80モル%以上含むポリイミドフィルムが望
ましい。このポリイミドフィルムは、ピロメリット酸二
無水物(成分(A))、パラフェニレンジアミン(成分
(B))、及び3,3′,4,4′−テトラアミノビフ
ェニル塩酸塩(成分(C))を重合反応させて得られた
ポリアミド酸の高分子ゲルから調製されたフィルムを含
む。そして、このポリイミドフィルムは、(ポリマーの
全単位に対して)80モル%以上のポリ(パラフェニレ
ンピロメリットイミド)で構成される繰り返し単位を含
む。
【0066】
【化16】
【0067】式(5)で示される繰り返し単位を持つポ
リイミドは、高度に結晶性で、剛性のポリマー分子鎖を
持つ。式(5)で示される80モル%以上の繰り返し単
位を含むポリイミドフィルムは、充分に成長したグラフ
ァイト層、高い引張り強度、高い引張り弾性率、高い電
気伝導度、及び高密度を持つ炭素フィルムを調製するた
めの、特別に優れたポリイミドフィルムである。
【0068】ポリイミドフィルムの炭素化により、炭素
化の過程中に分子鎖の解裂及び再配列を含む閉環反応が
行われる。この場合、ポリイミドを形成する分子構造に
含まれる−C−及び−N=結合は、炭素化工程中にCO
2 ガス又はHCNガスとして放散され、フィルム中では
残留物にグラファイト化が進行する。ポリ(パラフェニ
レンピロメリットイミド)構造を主として含むポリイミ
ドフィルムは、剛性の分子鎖を持ち、ほぼ直線状の分子
構造を持ち、それゆえに、そのポリマーは高度に結晶性
で、そのポリマーの分子鎖は密になっている。さらに、
そのポリイミドフィルムは、炭素化に併害をもたらす分
子結合、例えば、エーテル又はエステル結合等(−SO
2 −,−CO2 −,−O−,−S−等)は比較的少なく
含んでいる。
【0069】このような構造を持つポリイミドにおい
て、炭素化の工程中に望ましくない要素はその中ににほ
とんど含まれないため、分子鎖の再配列によるグラファ
イト化に至るその反応メカニズムは、簡素化され、比較
的低い炭素化温度においてさえ炭素炭素化率の高い炭素
フィルムが得られる。そして、グラファイトに近縁した
構造を形成することができる。したがって、このポリイ
ミドフィルムを使用する製造方法において、炭素化度は
高く、また密度が高いので、高い引張り強度及び高い引
張り弾性率を持つ優れた機械的性質の炭素フィルムを得
ることができる。
【0070】高い引張り強度、高い引張り弾性率及び高
電気伝導率を持つ炭素フィルムを調製するために、ポリ
イミドフィルムの分子構造は100%ポリ(パラフェニ
レンピロメリットイミド)構造であることが好ましい。
しかしながら、そのような構造を持つポリイミドは、あ
まりにも高結晶性であり、得られるフィルムは脆く、そ
の強度は弱い。そして、そのフィルムは取扱中に割れた
り、破れたりし易いため、ポリイミドフィルムの形態で
の取扱い性は極端に劣っている。そのような理由で大面
積のポリイミドフィルムを得ることができない。
【0071】ポリマーブレンド又は共重合化は、高度に
結晶性のポリイミドフィルムの脆さを改善する手段とし
て、一般的に使用されている。ポリ(パラフェニレンピ
ロメリットイミド)構造の共重合は、特開昭64−25
4131号公報によって提案されている。ポリ(パラフ
ェニレンピロメリットイミド)構造の量は、ポリイミド
フィルムの脆さを改善するために、且つ優れた機械的性
質を持つフィルムを得るために、80重量%を越えるべ
きではないことが好ましいと、その明細書に開示されて
いる。
【0072】しかしながら、研究の結果として次のこと
が見出された。すなわち、ポリ(パラフェニレンピロメ
リットイミド)構造の80モル%以上の繰り返し単位を
持つポリイミドフィルムは、高性能の炭素フィルムを提
供する。高度に結晶性で剛性の高いポリイミドフィルム
を調製することは非常に困難である。しかしながら、ポ
リ(パラフェニレンピロメリットイミド)構造の80モ
ル%以上の繰り返し単位を持つポリイミドフィルムの場
合において、特開平3−146524号公報に説明され
るように多官能性モノマーをポリイミドに導入したり、
或いは、フィルムの成形方法を改良して、そのフイルム
の成形性能を改良し、大面積のポリイミドフィルムを調
製することができる。
【0073】ポリイミドに導入されるポリ(パラフェニ
レンピロメリットイミド)構造以外の成分としてのモノ
マーの例には、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及
びベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等のテトラ
カルボン酸二無水物、及びメタフェニレンジアミン、ベ
ンジジン、オルトトルイジン、3,3′−ジクロロ−
4,4′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジアミノジ
フェニレンメタン及び4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル等の芳香族ジアミンが挙げられる。これらのモノ
マーは、0〜20の量のモル%でポリイミドに導入され
る。ポリアミド酸の調製のための反応混合物にこれらの
モノマーを加えることによって、これらのモノマーはポ
リイミドに導入される。
【0074】本発明の炭素フィルムは、アルゴン、ヘリ
ウム、チッ素及び水素等の不活性ガス中で、或いは真空
(好ましくは1mmHg以下)中で、ポリイミドフィル
ムを加熱して炭素化を行うことにより得られる。加熱は
800℃以上で行うことができるが、好ましくはその加
熱は、通常1,000℃以上、さらに好ましくは1,2
00℃以上である。1,000℃以上の加熱中におい
て、そのフィルムの反りや縮みを避けるために、そのフ
ィルムに前加熱処理することが望ましい。前加熱は、通
常500〜800℃で、好ましくは600〜700℃
で、60分間行われる。前加熱処理は、フィルム重量の
減少が40重量%以上に達するまで行うことが好まし
い。
【0075】その分子鎖が高度に配列されて、高度に配
向されたポリイミドフィルムが使用される場合、ポリマ
ー分子鎖が一方向に配列されている状態で炭素化が進行
し、その結果、特に分子鎖の配向方向にグラファイト層
が高度に順調に配列している高性能の炭素フィルムを得
ることができる。この場合、2,000℃以下の比較的
低温で、炭素化処理が行われるときでさえ、よく成長し
たグラファイト層、高い引張り強度及び高い引張り弾性
率を持つ炭素フィルムであって、且つ、電気伝導度が優
れた炭素フィルムを形成することができる。
【0076】本発明の機械的強度を満足しないポリイミ
ドフィルムを炭素化することによって得られる炭素フィ
ルムにおいては、黒鉛構造が比較的にランダムに存在す
る。つまり、本発明の炭素フィルムにおいては、前駆体
の状態でポリマー分子鎖が主として一方向に規則的に配
列されているフィルムが使用されている。それゆえ、処
理温度(通常1,000℃以上)で隣接分子間の橋かけ
反応及び閉環反応によるグラファイト化が、非常にたや
すくなされ、そして、グラファイト層が一方向に高度に
順調に配列されている高性能の炭素フィルムを得ること
ができる。このような構造は、分子鎖の配列がランダム
なポリイミドフィルムから調製された炭素フィルムの構
造とは、グラファイト層の成長方向において及びグラフ
ァイト層の配列において異なる。本発明においては、炭
素化温度を上昇させることにより、高性能な、よく成長
しているグラファイト層を有する炭素フィルムが得られ
る。2,000℃以下の比較的低い炭素化温度でさえ、
上記に開示した高性能な炭素フィルムが得られる。
【0077】そのフィルムを、グラファイト板や石英ガ
ラス板等の高度に耐熱性のある板の間に挟み、前加熱処
理や炭素化のための加熱処理をすることが望ましい。そ
の理由は、熱分解により引き起こされるフィルムの収縮
により、フィルムのねじれや撓み等の形状の変化が形成
されるのを防ぐことができるからであり、また、比較的
滑らかな表面を持つ炭素フィルムが得られるからであ
る。
【0078】処理中にポリイミドフィルムが分解しない
昇温速度で、例えば、発泡が起こらない程度で、そのフ
ィルムを加熱することが必要である。その温度は、10
℃/分を越えない昇温速度で、好ましくは1〜5℃/分
で、1,000℃まで上昇させ、1,000℃以上の温
度においては20℃/分を越えない昇温速度で、好まし
くは1〜5℃/分で温度を上昇させることが望ましい。
【0079】高引張り強度、高引張り弾性率、及び高電
気伝導度を有する炭素フィルムは、高温でポリイミドフ
ィルムを炭素化することにより、得ることができる。処
理温度が3,500℃を越える場合には、そのフィルム
中の炭素成分の昇華のようなきわだった化学変化が起こ
り、そのフィルムは脆くなる。それゆえ、3,500℃
を越えるような温度は好ましくない。好ましい温度は、
3,000℃以下である。
【0080】炭素化処理においては、周期表のグループ
IVa 、Va又はVIIIなどの金属化合物、例えば、Ge、
Sn、As、Sb、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、P
d、又はPtを含む金属化合物を触媒として、(ポリイ
ミドフィルムと触媒との総重量に対して)20重量%を
越えない量、好ましくは1〜5重量%の量をそのフィル
ム中に含ませ、炭素化処理することができる。その金属
化合物の例には、塩化第一鉄、塩化ニッケル、又は塩化
コバルトのような金属塩化物が挙げられる。
【0081】その触媒を例えば、ポリアミド酸溶液に混
ぜることにより、その触媒は、好ましくは分子状で、ポ
リイミドフィルム中に分散し、次いで、炭素化処理が行
われることが好ましい。この触媒を使用することによ
り、グラファイト化度が増加し、均質な炭素フィルムを
たやすく得ることができる。本発明の炭素フィルムに、
更に電気伝導率を高くするためには炭素フィルムのグラ
ファイト層に特定な物質をドープすることができる。す
なわち、所謂「炭素フィルムの層間化合物」が形成され
る場合、高電気伝導度を有する炭素フィルムを得ること
ができる。本発明の炭素フィルムは従来のいかなるドー
ピング方法も適用できる。ドーピング方法の例には、ド
ーパントを直接気相又は液相で接触させる方法、電気化
学的な手法を用いてドーパントを炭素フィルム中に挿入
する方法などが挙げられる。
【0082】炭素フィルムの電気伝導性を高めるのに効
果のあるドーパントとしては、アルカリ金属、ハロゲン
化合物、ルイス酸類などがあり、特に、具体的には、カ
リウム、臭素,ヨウ素,FeCl3 ,CuCl3 ,As
5 ,SbF5 ,HNO3 ,H2 SO4 等が挙げられ
る。炭素フィルム中に含まれるドーパントの量に関して
は、特に制限は無いが、好ましくはドーパントの量はド
ーパントを除いて、フィルム全量に対し好ましくは0.
1〜150%である。
【0083】本発明の炭素フィルムは、金属光沢を有
し、15kgf/mm2 より高い引張り強度、好ましく
は20kgf/mm2 より高い引張り強度、さらに好ま
しくは25kgf/mm2 より高い引張り強度を有し、
5,000kgf/mm2 より高い引張り弾性率、好ま
しくは8,000kgf/mm2 より高い引張り弾性
率、さらに好ましくは10,000kgf/mm2 より
高い引張り弾性率を有し、200S/cmより高い電気
伝導度、好ましくは280S/cmより高い電気伝導
度、さらに好ましくは300S/cmより高い電気伝導
度を有する。この炭素フィルムは、通常1.75g/c
3 以上の高い密度を有する。
【0084】本発明によれば、引張り強度は約100k
gf/mm2 まで上昇でき、引張り弾性率は約20,0
00kgf/mm2 まで上昇でき、ドーピングなしの状
態で電気伝導度は約2,000S/cmまで上昇でき
る。炭素フィルム中の触媒成分を除いた炭素含有量は好
ましくは85重量%以上であり、水素、酸素及び窒素の
各々の含有量は10重量%以下である。炭素含有量はさ
らに好ましくは90重量%以上であり、最も好ましくは
95重量%以上である。
【0085】本発明の炭素フィルムは、電極材料、発熱
体、構造材、断熱材、耐熱シール材、X線装置用部品等
に使用される。したがって、この炭素フィルムは多くの
工業的用途を持ち、有用な材料である。
【0086】
【実施例1】300ml容の四つ口セパラブルフラスコ
に0.0184モル(1.989g)の精製されたパラ
フェニレンジアミン(略称:PPD)及び0.0008
モル(0.288g)の3,3′4,4′−テトラアミ
ノビフェニル・四塩酸塩・二無水物を入れた。
【0087】そのフラスコの外部水槽の温度を5℃にコ
ントロールし、窒素ガス雰囲気とした。上記で得られた
溶液をかき混ぜながら、0.02モル(4.366g)
の精製した無水のピロメリット酸二無水物(略称:PM
DA)を固形のまま徐々に、溶液の温度が上昇しないよ
うに注意して加えた。全てのPMDAを加えた後、攪拌
を20分間続けて重付加反応を行った。得られたポリア
ミド酸の均一な溶液をガラス板上に流延塗布した。溶液
のコーティング量をスペーサにより460g/m2 の厚
みにコントロールした。60分間そのままにすると、流
延塗布されたポリマー溶液はゲル化し、ポリアミド酸の
ゲルフィルムが得られた。
【0088】得られたポリアミド酸のゲルフィルムは寒
天形態であり、自重で形状変化を起こさないものであっ
た。ポリアミド酸のゲルフィルムを真空下で30℃で、
フィルム中の溶媒の量がフィルム総重量に対して20重
量%になるまで調整して、乾燥した。そのポリアミド酸
フィルムを鉄枠に固定し、100℃で1時間、200℃
で1時間、300℃で1時間、400℃で1時間と徐々
に加熱処理して、ポリイミドフィルムを得た。その熱処
理における昇温速度は5℃/分であった。そのポリイミ
ドフィルムは、引張り強度が18kgf/mm2 であ
り、引張り弾性率が800kgf/mm 2 であることが
分かった。それゆえ、このポリイミドフィルムは高い引
張り強度と高い引張り弾性率を有する。
【0089】このポリイミドフィルムを2枚のグラファ
イト板の間に配置し、炭素化炉の中で、窒素ガス雰囲気
中で、次のような昇温速度で処理した。即ち、0.5℃
/分の昇温速度で温度を600℃に上昇させ、さらに、
1.5℃/分の昇温速度で温度を1,000℃に上昇さ
せ、そして、そのフィルムを1,000℃で90分間処
理した。
【0090】そのフィルムを徐々に室温まで冷却し、炭
素化炉より取り出した。得られた炭素フィルムは、厚み
が40μmで、金属光沢を有し、引張り強度が15kg
f/mm2 であり、引張り弾性率が5,000kgf/
mm2 であり、電気伝導度が250S/cmであり、密
度が1.78g/cm3 であることが分かった。したが
って、このフィルムは機械的性質が優れていると同時
に、電気伝導性も優れていることが分った。
【0091】この炭素フィルムの元素分析による成分の
炭素含量は96重量%、窒素含量は3.0重量%、水素
含量は0.5重量%であった。
【0092】
【実施例2】ポリアミド酸フィルムを実施例1と同じ方
法で調製した。この調製フィルムを一軸に2倍延伸し、
実施例1と同じ方法でイミド化した。得られたフィルム
は、引張り強度が45kgf/mm2 であり、引張り弾
性率が5,000kgf/mm2 であることが分かっ
た。このフィルムを実施例1と同じ方法で炭素化して炭
素フィルムを得た。その炭素フィルムは、引張り強度が
50kgf/mm2 であり、引張り弾性率が10,00
0kgf/mm2 であり、電気伝導度が350S/cm
であり、密度が1.72g/cm3 であることが分かっ
た。
【0093】この炭素フィルムの炭素含量は95重量
%、窒素含量は3.5重量%、水素含量は0.5重量%
であった。これらの実験結果から、ポリアミド酸フィル
ムを延伸して得られたポリイミドフィルムを前駆体とし
て、高性能の炭素フィルムが得られることが認められ
る。この炭素フィルム面に対し、垂直方向、及び平行方
向からX線を入射して広角X線回折写真をとった。(0
02)面からの回折パターンが平板カメラの赤道方向に
強く反射して現れ、グラファイト層がフィルムの延伸方
向に成長している様子が明らかになった。
【0094】〔比較例1〕引張り強度が18kgf/m
2 で引張り弾性率が300kgf/mm2 の市販のポ
リイミドフィルム(商品名:カプトンH、東レ・デュポ
ン社製)を2枚のグラファイト板の間に配置し、炭素化
炉の中で、窒素ガス雰囲気中で、次のような昇温速度で
処理した。即ち、1.0℃/分の昇温速度で温度を80
0℃に上昇させ、さらに、1.5℃/分の昇温速度で温
度を1,000℃に上昇させ、そして、そのフィルムを
1,000℃で90分間処理した。そのフィルムを徐々
に室温まで冷却し、炭素フィルムを得た。
【0095】炭素化炉から取り出された炭素フィルム
は、厚みが40μmで、金属光沢を有し、引張り強度が
20kgf/mm2 であり、引張り弾性率が3,000
kgf/mm2 であり、電気伝導度が150S/cmで
あり、密度が1.68g/cm3 であることが分かっ
た。この炭素フィルム面に対し、垂直方向、及び平行方
向からX線を入射して広角X線回折写真をとった。(0
02)面からの回折パターンは平板カメラ上にデバイリ
ングとなって現れ、グラファイト層がフィルム内でラン
ダムに成長していることが分かった。
【0096】前記市販のポリイミドフィルムにおいて
は、ポリイミドを構成する分子鎖は結晶性が低く、そし
て、該フィルムは低配向フィルムである。このポリイミ
ドフィルムは比較的低い引張り弾性率を有し、それゆ
え、得られる炭素フィルムは優れた機械的性質及び電気
的性質を有さない。
【0097】
【実施例3】ピロメリット酸二無水物とパラフェニレン
ジアミン及び3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノ
ビフェニルを実施例1と同じ方法で重付加反応を行わ
せ、ポリアミド酸溶液を調製した。前記モノマーの配合
割合は、ピロメリット酸二無水物0.02モルに対して
パラフェニレンジアミンを0.0092モル及び3,
3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニルを0.
0092モルとした。
【0098】コーティング量が250g/m2 であるこ
とを除いて実施例1と同じ方法を用いて、このポリマー
溶液より溶液流延法にてポリアミド酸フィルムを作製し
た。このポリアミド酸フィルムを1.5倍に一軸延伸さ
せた後、鉄枠に固定し、100℃で1時間、200℃で
1時間、300℃で1時間、400℃で1時間と段階的
に熱処理を行い、ポリイミドフィルムを得た。このフィ
ルムの引張り強度は30kgf/mm2 ,引張り弾性率
は2,500kgf/mm2 であった。それゆえ、この
フィルムは高い引張り強度及び高い引張り弾性率であっ
た。
【0099】このポリイミドフィルムを二枚のグラファ
イト板に挟み、炭素化炉の中で窒素ガス雰囲気下、5℃
/分の昇温速度で700℃まで昇温し、700℃で1時
間処理した。続いて2℃/分の昇温速度で1,500℃
まで温度を上げ、1,500℃で60分処理した。次
に、室温まで徐々に冷し、炭素フィルムを得た。このよ
うにして、炭素化炉より取り出された炭素フィルムは、
厚さ20μmの金属光沢を有し、炭素フィルムの引張り
強度は45kgf/mm2 ,引張り弾性率は7,500
kgf/mm2 であった。また、電気伝導度は、280
S/cmであり、密度は1.70g/cm3 であった。
この炭素フィルムの炭素含量は96重量%、窒素含量は
2.0重量%、水素含量は0.5重量%であった。 し
たがって、このフィルムは機械的性質が優れていると同
時に、電気伝導度も優れていることが分かる。
【0100】この炭素フィルム面に対して垂直方向、平
行方向からX線を入射して広角X線回折写真を撮ったと
ころ、(002)面からの回折パターンが平板カメラの
赤道方向に強く反射して現われ、グラファイト層がフィ
ルムの延伸方向に成長している様子が認められた。
【0101】
【実施例4】テトラアミンを使用しないこと及びN,N
−ジメチルアセトアミド(DMA)を使用することを除
いて実施例1と同じ方法にて、3,3’,4,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジ
アミンを等モルで重付加反応を行わせ、ポリアミド酸の
15重量%溶液(1)を調製した。
【0102】別に、ピロメリット酸二無水物とパラフェ
ニレンジアミンを上記と同様に等モルで重付加反応を行
わせ、ポリアミド酸の15重量%溶液(2)を調製し
た。ポリアミド酸溶液(1)と溶液(2)のポリアミド
酸の溶液からブレンドフィルムを作るため、溶液(1)
と溶液(2)が同じ重量%となるように溶液を混合し、
溶液(1)と溶液(2)から構成される混合ポリアミド
酸溶液を調製した。
【0103】実施例1と同じ方法で、この混合ポリマー
溶液からポリアミド酸ブレンドフィルムを調製した。溶
媒を5重量%含んでいるこのフィルムを、室温で1.5
倍に一軸延伸した後、鉄枠に固定し、100℃で1時
間、200℃で1時間、300℃で1時間、400℃で
1時間と段階的に処理を行い、ポリイミドフィルムを得
た。このフィルムの引張り強度は45kgf/mm2
引張り弾性率は3,500kgf/mm2 であり、高い
引張り強度・高い引張り弾性率であった。
【0104】このポリイミドフィルムを二枚のグラファ
イト板の間に挟み、炭素化炉の中で窒素ガス雰囲気下、
2℃/分の昇温速度で800℃まで昇温し、続いて5℃
/分の昇温速度で2,000℃まで温度を上げ、2,0
00℃で60分間処理した。このフィルムを室温まで徐
々に冷し、炭素フィルムを得た。炭素化炉より取り出さ
れた炭素フィルムは、厚さ20μmで、金属光沢を有し
て、炭素フィルムの引張り強度は45kgf/mm2
引張り弾性率は14,000kgf/mm2 、電気伝導
度は450S/cm、密度は1.75g/cm3 であっ
た。このフィルムの炭素含量は98重量%、窒素含量は
0.5重量%、水素含量は0.2重量%であった。この
フィルムは機械的性質が優れていると同時に、電気伝導
度も優れていることが明らかである。
【0105】このフィルムを10重量%のFeCl3
含まれるニトロメタン溶液に、室温で24時間浸漬させ
てドーピングを行った。ドーピング後のフィルムの電気
伝導度は、8,500S/cmとなり、非常に高いもの
であった。
【0106】
【実施例5】テトラアミンを使用しないことを除いて実
施例1と同じ方法にて、ピロメリット酸二無水物とパラ
フェニレンジアミンを等モルで重付加反応を行わせ、1
5重量%のポリアミド酸溶液(3)を調製した。別に、
ピロメリット酸二無水物とパラフェニレンジアミン及び
3,3’,4,4’−テトラアミノビフェニル・四塩酸
塩をモノマーとして用い、実施例1と同じ方法により1
5重量%のポリアミド酸溶液(4)を調製した。溶液
(4)のモノマーは、ピロメリット酸二無水物100モ
ルに対して、パラフェニレンジアミンを92モル及び
3,3’,4,4’−テトラアミノビフェニル・四塩酸
塩を4モルの配合割合で使用した。
【0107】溶液(3)と(4)が同じ重量%となるよ
うに溶液を混合し、実施例1と同じ方法で、この混合ポ
リアミド酸溶液から高分子ゲルを経由してポリアミド酸
のブレンドフィルムを調製した。このフィルムを室温で
2.5倍に一軸延伸させた後、鉄枠に固定し、100℃
で1時間、200℃で1時間、300℃で1時間、40
0℃で1時間と段階的に熱処理を行い、ポリイミドフィ
ルムを得た。このフィルムの引張り強度は50kgf/
mm2 、引張り弾性率は7,500kgf/mm2 であ
った。それゆえ、そのフィルムは、機械的強度が高く、
また高弾性率であった。
【0108】このポリイミドフィルムを二枚のグラファ
イト板に挟み、炭素化炉の中で窒素ガス雰囲気下、1℃
/分の昇温速度で800℃まで昇温し、続いて2℃/分
の昇温速度で1,500℃まで温度を上げ、1,500
℃で60分処理した。そのフィルムを室温まで徐々に冷
し、炭素フィルムを得た。炭素化炉より取り出された炭
素フィルムは、厚さが40μmで、金属光沢を有し、炭
素フィルムの引張り強度は60kgf/mm2 ,引張り
弾性率は18,000kgf/mm2 、電気伝導度は8
00S/cmであり、密度は1.73g/cm3 であっ
た。このフィルムの炭素含量は96重量%、窒素含量は
2.5重量%、水素含量は0.3重量%であった。この
フィルムは機械的性質が優れていると同時に、電気伝導
度も優れていることが明らかである。
【0109】
【実施例6】300ml容のセパラブルフラスコ中に、
1.730g(0.016モル)の精製したパラフェニ
レンジアミン(略称:PPD)と0.801g(0.0
04モル)の4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
(略称:4,4’−DPE)を採取し、50.6gの蒸
留されたN,N−ジメチルアセトアミド(略称:DMA
c)を入れ、攪拌し溶解させた。
【0110】窒素ガス雰囲気下で、そのフラスコの外部
水槽の温度を5℃にコントロールし、上記溶液を攪拌し
ながら4.366g(0.02モル)の精製した無水の
ピロメリット酸二無水物を固形のまま、溶液の温度が上
がらないように注意しながら徐々に添加した。全て加え
終わった後、攪拌を続け重付加反応行わせ、均一なポリ
アミド酸溶液を調製した。
【0111】このポリアミド酸溶液を室温(約20℃)
で1時間攪拌し、反応を完結させた後、ポリマー溶液を
ガラス板上に流延塗布した。溶液の塗布量は、スペーサ
ーによりコントロールし、約0.5mmの厚さになるよ
うにした。ガラス板上に流延塗布したポリアミド酸溶液
を30℃で真空乾燥させ、ポリアミド酸のフィルムとし
た。このフィルム中の溶媒の含有量を全重量の5重量%
に調製したのち、ガラス板より剥離させ、80℃で60
分乾燥機内で乾燥させた後、鉄枠に固定し、120℃で
60分、150℃で60分乾燥させた。鉄枠を外して、
200℃で60分乾燥させた後、再度鉄枠に固定して3
00℃で60分、400℃で60分熱処理し、均一なポ
リイミドフィルムを得た。
【0112】ポリ(パラフェニレンピロメリットイミ
ド)の繰り返し単位は、ポリマー全体の80モル%で、
そのフィルムの厚さは約50μmであった。このポリイ
ミドフィルムを二枚のグラファイト板に挟み、炭素化炉
の中で窒素ガス雰囲気下、0.5℃/分の昇温速度で6
00℃まで昇温し、更に1.5℃/分の昇温速度で1,
200℃まで温度を上げ、1,200℃で90分処理し
た。
【0113】そのフィルムを室温まで徐冷し、炭素化炉
より取り出した。得られた炭素フィルムは、厚さ40μ
mで、金属光沢を有しており、収率は50%であった。
この炭素フィルムの密度を、ブロモホルムとエタノール
の混合溶媒を用いて浮沈法にて測定したところ、1.7
7g/cm3 であった。また、炭素フィルムの引張り特
性を幅5mm、チャック間距離30mmの試験片にて評
価したところ、引張り強度は30kgf/mm2 、引張
り弾性率は5.500kgf/mm2 であった。
【0114】元素分析により、炭素フィルム中の炭素含
有率を測定したところ、95重量%であった。また、窒
素は3.5重量%、水素は0.3重量%であった。 〔比較例2〕300ml容のセパラブルフラスコ中に、
1.081g(0.01モル)の精製したPPDと2.
002g(0.01モル)の4,4’−DPEを入れ、
54.6gの蒸留されたDMAcを加え、攪拌し溶解さ
せた。
【0115】実施例6と同様な方法で、窒素ガス雰囲気
下で、そのフラスコの外部水槽の温度を5℃にコントロ
ールした。この状態で、上記溶液を攪拌しながら4.3
66g(0.02モル)の精製した無水のピロメリット
酸二無水物を固形のまま徐々に添加し、重付加反応を一
時間行わせてポリアミド酸溶液を得た。このポリアミド
酸溶液を室温で一時間攪拌し、反応を完結させた。この
ポリマー溶液をガラス板上に流延塗布した。溶液の塗布
量は、スペーサーによりコントロールし、約0.5mm
の厚さになるようにした。
【0116】実施例6と同様な方法で、ポリアミド酸フ
ィルムを調製し、乾燥してポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムにおいて、ポリ(パラフェニレ
ンピロメリットイミド)の繰り返し単位は、ポリマー全
体の50モル%であった。このポリイミドフィルムを、
実施例6と同じ条件で炭素化処理を行い、炭素フィルム
を得た。この炭素フィルムの密度は1.65g/c
3 、引張り強度は30kgf/mm2 、引張り弾性率
は4,000kgf/mm2 、電気伝導度は180S/
cmであった。また、炭素フィルムの炭素含有率は92
重量%、窒素は3.5重量%、水素は1.5重量%であ
った。
【0117】〔比較例3〕300ml容のセパラブルフ
ラスコ中に、2.162g(0.02モル)の精製した
PPDを入れ、65.1gの蒸留されたDMAcをさら
に加えた。その混合物を攪拌し溶解させた。実施例6と
同様な方法で、窒素ガス雰囲気下で、そのフラスコの外
部水槽の温度を5℃にコントロールし、上記溶液を攪拌
しながら5.880g(0.02モル)の精製したビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を固形の
まま徐々に添加し、重付加反応を一時間行わせた。
【0118】このポリアミド酸溶液を室温で1時間攪拌
して、反応を完結させた。このポリマー溶液をガラス板
上に流延塗布した。溶液の塗布量は、スペーサーにより
コントロールし、約0.5mmの厚さになるようにし
た。実施例6と同様な方法で、フィルムを作製し、乾燥
してポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィル
ムにおいて、ポリ(パラフェニレンピロメリットイミ
ド)の繰り返し単位は、ポリマー全体の0モル%であっ
た。
【0119】このポリイミドフィルムを、実施例6と同
一条件で炭素化処理を行い、炭素フィルムを得た。炭素
フィルムの密度は1.70g/cm3 、引張り強度は2
5kgf/mm2 、引張り弾性率は4,500kgf/
mm2 であった。また、炭素フィルムの炭素含有率は9
2重量%、窒素は4.0重量%、水素は1.5重量%で
あった。
【0120】
【実施例7】300ml容の四つ口セパラブルフラスコ
中に、1.730g(0.016モル)の精製したPP
Dを入れ、38.3gの蒸留されたDMAcを加えた。
その混合物を攪拌し溶解させた。窒素ガス雰囲気下で、
そのフラスコの外部水槽の温度を5℃にコントロール
し、上記溶液を攪拌しながら3.493g(0.016
モル)の精製した無水のピロメリット酸二無水物を固形
のまま、溶液の温度が上がらないように注意しながら徐
々に添加し、重付加反応を行わせて、均一なポリアミド
酸溶液を調製した。
【0121】一方、別のフラスコに、0.432g
(0.004モル)の精製したPPDを入れ、11.8
gの蒸留されたDMAcを加えた。この混合溶液を攪拌
して溶解させた。続いて、前記と同様な方法で1.17
6g(0.004モル)の3,3’,4,4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物(略称:BPDA)を添
加し、重付加反応を行わせてポリアミド酸溶液を調製し
た。
【0122】このPMDA/PPD及びBPDA/PP
Dよりなる上記の二種のポリアミド酸を窒素ガス雰囲気
下で、室温で混合攪拌し、均一なポリアミド酸混合溶液
を得た。次いで、実施例6と同じ方法で、ポリアミド酸
フィルムを調製し、乾燥し、熱処理して、ポリイミドフ
ィルムを得た。得られたポリイミドフィルムは、ポリ
(パラフェニレンピロメリットイミド)の繰り返し単位
が、ポリマー全体の80モル%含むものであった。この
ポリイミドフィルムの引張り強度は25kgf/m
2 、引張り弾性率は800kgf/mm2 であった。
【0123】このポリイミドフィルムを、実施例6と同
じ条件で炭素化処理を行い、炭素フィルムを得た。炭素
フィルムの密度は1.78g/cm3 、引張り強度は2
5kgf/mm2 、引張り弾性率は5.500kgf/
mm2 、炭素含有率は95重量%であった。
【0124】
【実施例8】300ml容の四つ口セパラブルフラスコ
中に1.989gの精製したPPDと0.288gの
3,3’,4,4’−テトラアミノビフェニル四塩酸塩
を入れ、48.7gの蒸留されたN−メチル−2−ピロ
リドン(略称:NMP)を加えた。この混合液を攪拌
し、溶解させた。
【0125】窒素ガス雰囲気下で、そのフラスコの外部
水槽の温度を0℃にコントロールし、上記溶液を攪拌し
ながら4.366gの精製した無水のピロメリット酸二
無水物を固形のまま、溶液の温度が上がらないように注
意しながら徐々に添加し、ポリアミド酸溶液とした。こ
のポリアミド酸溶液を、温度を0℃にコントロールした
まま0.5時間攪拌して均一な溶液とした。この溶液を
ガラス板上に流延塗布した。溶液の塗布量は、スペーサ
ーによりコントロールし、約0.5mmの厚さになるよ
うにした。ガラス板上に流延塗布されたポリアミド酸溶
液は、しばらくしてゲル化を起こし、均一なポリアミド
酸フィルムが得られた。
【0126】このゲル化したポリアミド酸フィルムを4
5℃で3時間及び80℃で60分間、真空乾燥して2.
0重量%のNMPを含んだポリアミド酸フィルムとし
た。その後ガラス板より引き剥した。さらに、このフィ
ルムを鉄枠に固定して100℃で60分、続いて150
℃で60分、乾燥機内で乾燥させた。続いて、このフィ
ルムを200℃で60分、300℃で60分、400℃
で60分熱処理し、均一なポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムを二枚のグラファイト板に挟
み、炭素化炉の中で窒素ガス雰囲気下で、0.5℃/分
の昇温速度で800℃まで温度を上げ、さらに、1.5
℃/分の昇温速度で1,000℃まで温度を上げ、次い
で1,000℃で90分熱処理した。
【0127】このフィルムを室温まで徐冷し、炭素化炉
より取り出した。得られた炭素フィルムは、厚さ約40
μmであった。この炭素フィルムの密度は1.78g/
cm3 、引張り強度は30kgf/mm2 、引張り弾性
率は6,000kgf/mm2 、及び電気伝導度は28
0S/cmであった。
【0128】元素分析により、炭素フィルム中の炭素含
有率を測定したところ、95重量%であり、窒素が3.
0重量%、水素が0.6重量%であった。
【0129】
【実施例9〜11】300ml容の四つ口セパラブルフ
ラスコ中に、〔表1〕及び〔表2〕に示す種類と量の各
種モノマーと溶媒を仕込んだ。実施例6〜8と同様の方
法でポリイミドフィルムを調製した。各々のポリイミド
フィルムを二枚のグラファイト板に挟み、下記の〔表
1〕に示す最終加熱処理温度まで実施例6〜8と同様の
方法で炭素化炉の中で炭素化処理を行い、炭素フィルム
を得た。温度を昇温速度0.5℃/分で600℃まで上
昇させ、次いで昇温速度1.5℃/分で最終処理温度に
達するまで上昇させた。
【0130】これらの各実施例で得られた炭素フィルム
は、下記の〔表1〕及び〔表2〕に示すように、高い密
度と高い機械的性質を有している。下記に、略語名、化
学式、及びそれらの分子量を〔表3〕、〔表4〕及び
〔表5〕に示す。
【0131】
【表1】
【0132】
【表2】
【0133】
【表3】
【0134】
【表4】
【0135】
【表5】
【0136】
【発明の効果】本発明によれば、機械的性質及び電気伝
導度を同時に高めた、即ち、引張り強度が15kgf/
mm2 以上、引張り弾性率が5,000kgf/mm2
以上、且つ、電気伝導度が200S/cm以上の性質を
有する炭素フィルムを実現することができる。
【0137】本発明によれば、炭素フィルムの、引張り
強度を100kgf/mm2 まで上昇でき、引張り弾性
率を20,000kgf/mm2 まで上昇でき、且つ、
電気伝導度を2,000S/cmまで上昇できる。

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 引張り強度が15kgf/mm2 以上、
    引張り弾性率が5,000kgf/mm2 以上、及び電
    気伝導度が200S/cm以上の、ポリイミドフィルム
    に由来する炭素フィルム。
  2. 【請求項2】 炭素フィルムの引張り強度が30kgf
    /mm2 以上、引張り弾性率が7,000kgf/mm
    2 以上、及び電気伝導度が280S/cm以上である請
    求項1記載の炭素フィルム。
  3. 【請求項3】 前記ポリイミドが、テトラカルボン酸二
    無水物と芳香族ジアミンの付加重合生産物、並びにテト
    ラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンと多価アミン化
    合物の付加重合生産物から選ばれるポリアミド酸から製
    造されたものであることを特徴とする請求項1又は2記
    載の炭素フィルム。
  4. 【請求項4】 (1)テトラカルボン酸二無水物と芳香
    族ジアミンを含む組合せ、並びにテトラカルボン酸二無
    水物と芳香族ジアミンと1つの分子構造中の3個以上の
    アミノ基がポリアミド酸を形成する多価アミン化合物を
    含む組合せ、からなるグループから選ばれるモノマーの
    組合せを反応させてポリアミド酸溶液を調製する工程、 (2)前記ポリアミド酸溶液を用いてポリアミド酸フィ
    ルムを形成する工程、 (3)前記ポリアミド酸フィルムに脱水−閉環反応を行
    うことにより、ポリアミド酸フィルムをイミド化して、
    引張り強度が10kgf/mm2 以上及び引張り弾性率
    が500kgf/mm2 以上のポリイミドフィルムを形
    成する工程、及び (4)前記ポリイミドフィルムを不活性ガス又は真空中
    で炭素化して、引張り強度が15kgf/mm2 以上、
    引張り弾性率が5000kgf/mm2 以上、電気伝導
    度が200S/cmの炭素フィルムを形成する工程、 を含むことを特徴とする炭素フィルムの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記ポリイミドフィルムが、ポリイミド
    以外の他の高分子組成物を含むものである請求項4記載
    の炭素フィルムの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記ポリイミドフィルムは、ポリアミド
    酸フィルムをイミド化した後に1.2倍以上に延伸した
    ものであるか、又は1.2倍以上に延伸したポリアミド
    酸フィルムをイミド化したものであることを特徴とする
    請求項4又は5記載の炭素フィルムの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記炭素化工程において、予め、ポリイ
    ミドフィルムを不活性ガス又は真空中で800℃より低
    い温度で前加熱処理し、次いで、不活性ガス又は真空中
    で1,000℃以上の温度で加熱することにより炭素化
    することを特徴とする請求項4、5、又は6記載の炭素
    フィルムの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記テトラカルボン酸二無水物が、テト
    ラカルボキシベンゼン二無水物のグループ、2〜5個の
    縮合されたベンゼン環を有する化合物のテトラカルボキ
    シ二無水物のグループ、下記の式(1)で示される化合
    物のグループ、及びそれらの各々の置換化合物のグルー
    プから選択されるものである、請求項4、5、6、又は
    7記載の炭素フィルムの製造方法。 【化1】 ここで、、R1 は−O−、−CO−、−SO2 −、−S
    O−、アルキレン基、アルキレン二カルボニルオキシ
    基、アルキレン二オキシカルボニル基、フェニレン基、
    フェニレンアルキレン基、フェニレン二アルキレン基、
    及びn4 は0又は1、n5 は0又は1、n5 とn6 の和
    が2ならば、n6 は1又は2である。
  9. 【請求項9】 前記芳香族ジアミンが、フェニレンジア
    ミン、ジアミノピリジン、2〜8の縮合ベンゼン環を持
    つジアミノ化合物、下記の式(2)に示される化合物、
    及びそれらの置換化合物から選択されるものである、請
    求項4、5、6、7、又は8記載の炭素フィルムの製造
    方法。 【化2】 ここで、R2 は−O−、−CO−、−SO2 −、−SO
    −、フェニレン基、アルキレン基、フェニレンアルキレ
    ン基、フェニレンジアルキレン基、又は 【化3】 この一般式中のn7 は0又は1、R3 は−O−、−CO
    −、−SO2 −、−SO−、フェニレン基、アルキレン
    基、フェニレンアルキレン基、又はフェニレンジアルキ
    レン基、n8 は0又は1である。
  10. 【請求項10】 前記多価アミン化合物が、下記の式
    (3)に示される化合物のグループから選ばれる化合
    物、又は下記の式(4)で示される化合物のグループか
    ら選ばれる化合物である請求項4、5、6、7、8又は
    9記載の炭素フィルムの製造方法。 【化4】 【化5】 ここで、A1 は、 【化6】 2 は、 【化7】 1 は0又は1〜4の整数、n2 は0又は1〜3の整
    数、Xは酸、qは酸の塩基価、Rは−O−,−CH
    2 −,−CO−又は−SO2 −、n3 は0又は1であ
    る。
  11. 【請求項11】 前記テトラカルボン酸二無水物、前記
    芳香族ジアミン及び前記多価アミン化合物の当量比は、
    100:60〜100:0〜20である請求項4、5、
    6、7、8、9又は10記載の炭素フィルムの製造方
    法。
  12. 【請求項12】 前記ポリアミド酸の分子量が10,0
    00〜300,000であることを特徴とする請求項
    4、5、6、7、8、9、10又は11記載の炭素フィ
    ルムの製造方法。
  13. 【請求項13】 前記ポリイミドフィルムは、下記の式
    (5)に示されるポリ(パラフェニレンピロメリットイ
    ミド)から構成される繰り返し単位が、ポリマーフィル
    ムの全単位に対して80モル%以上を含むポリイミドフ
    ィルムである請求項4、5、6、7、8、9、10、1
    1又は12記載の炭素フィルムの製造方法。 【化8】
  14. 【請求項14】 前記多価アミン化合物を含む組合せの
    モノマーを反応させて調製したポリアミド酸溶液を用い
    てポリアミド酸フィルムを形成する工程において、ポリ
    アミド酸溶液の全重量に対して50〜97重量%の有機
    溶媒を含むポリアミド酸溶液を用いてポリアミド酸フィ
    ルムを形成することを特徴とする請求項4,5,6,
    7,8,9,10、11、12又は13記載の炭素フィ
    ルムの製造方法。
  15. 【請求項15】 ポリアミド酸溶液を用いてポリアミド
    酸の高分子ゲルを経由してフィルムを形成し、その後、
    脱水−閉環反応によりポリイミドフィルムとすることを
    特徴とする請求項14記載の炭素フィルムの製造方法。
JP12397292A 1991-05-31 1992-05-15 炭素フィルム及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3152316B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12397292A JP3152316B2 (ja) 1991-05-31 1992-05-15 炭素フィルム及びその製造方法
US07/890,155 US5352524A (en) 1991-05-31 1992-05-29 Carbon film and process for preparing the same
US08/248,690 US5443859A (en) 1991-05-31 1994-05-25 Carbon film and process for preparing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3-129277 1991-05-31
JP12927791 1991-05-31
JP12397292A JP3152316B2 (ja) 1991-05-31 1992-05-15 炭素フィルム及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05170536A true JPH05170536A (ja) 1993-07-09
JP3152316B2 JP3152316B2 (ja) 2001-04-03

Family

ID=26460760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12397292A Expired - Fee Related JP3152316B2 (ja) 1991-05-31 1992-05-15 炭素フィルム及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US5352524A (ja)
JP (1) JP3152316B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002308611A (ja) * 2001-04-06 2002-10-23 Ube Ind Ltd グラファイト層状シ−ト物及びその製造方法
JP2004299937A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd グラファイトフィルムの製造方法
JP2006282682A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Ube Ind Ltd 金属量が制御された金属含有ポリイミド系複合材料の製造方法
US7147529B2 (en) 2004-01-08 2006-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron emission material, method of manufacturing the same, and electron emission element including the same
JP2007234768A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Kaneka Corp 電解コンデンサおよびその製造方法
JP2008272976A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Kaneka Corp グラファイト複合フィルム
WO2011027894A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 国立大学法人東京大学 半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器
JP2011148702A (ja) * 2011-05-11 2011-08-04 Kaneka Corp グラファイトフィルムおよびグラファイトフィルムの製造方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994025256A1 (en) * 1993-04-30 1994-11-10 The Dow Chemical Company Three-dimensional polybenzazole structures
US5993969A (en) * 1997-01-30 1999-11-30 Sandia Corporation Carbon film electrodes for super capacitor applications
US6491891B1 (en) * 1999-09-10 2002-12-10 Ut-Battelle, Inc. Gelcasting polymeric precursors for producing net-shaped graphites
JP3639808B2 (ja) * 2000-09-01 2005-04-20 キヤノン株式会社 電子放出素子及び電子源及び画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
JP3610325B2 (ja) * 2000-09-01 2005-01-12 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3658346B2 (ja) * 2000-09-01 2005-06-08 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置、並びに電子放出素子の製造方法
JP3639809B2 (ja) * 2000-09-01 2005-04-20 キヤノン株式会社 電子放出素子,電子放出装置,発光装置及び画像表示装置
JP3634781B2 (ja) * 2000-09-22 2005-03-30 キヤノン株式会社 電子放出装置、電子源、画像形成装置及びテレビジョン放送表示装置
JP3768908B2 (ja) * 2001-03-27 2006-04-19 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、画像形成装置
JP3703415B2 (ja) * 2001-09-07 2005-10-05 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源及び画像形成装置、並びに電子放出素子及び電子源の製造方法
JP3605105B2 (ja) * 2001-09-10 2004-12-22 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源、発光装置、画像形成装置および基板の各製造方法
JP3763078B2 (ja) * 2003-06-02 2006-04-05 松下電器産業株式会社 電子放射材料及びその製造方法
CA2469534A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-18 Hilti Aktiengesellschaft The use of thermally expandable graphite intercalation compounds for producing fire-protection seals and method for their production
JP4512802B2 (ja) 2003-09-02 2010-07-28 株式会社カネカ フィルム状グラファイトとその製造方法
US7790226B2 (en) * 2003-10-27 2010-09-07 California Institute Of Technology Pyrolyzed thin film carbon
JP4942490B2 (ja) 2004-11-24 2012-05-30 株式会社カネカ グラファイトフィルムの製造方法
US20080297980A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Roy Joseph Bourcier Layered carbon electrodes useful in electric double layer capacitors and capacitive deionization and methods of making the same
US7933114B2 (en) 2007-08-31 2011-04-26 Corning Incorporated Composite carbon electrodes useful in electric double layer capacitors and capacitive deionization and methods of making the same
US7766981B2 (en) * 2007-11-30 2010-08-03 Corning Incorporated Electrode stack for capacitive device
JP4536819B2 (ja) * 2008-08-19 2010-09-01 株式会社神戸製鋼所 窒素含有非晶質炭素系皮膜、非晶質炭素系積層皮膜および摺動部材
JP5586469B2 (ja) 2008-09-11 2014-09-10 株式会社カネカ 炭素質フィルムの製造方法、およびグラファイトフィルムの製造方法
US8153528B1 (en) * 2009-11-20 2012-04-10 Integrated Photovoltaic, Inc. Surface characteristics of graphite and graphite foils
CN102811948B (zh) * 2010-03-10 2015-05-27 钟渊化学工业株式会社 炭化膜的制造方法及石墨膜的制造方法
CN103080005B (zh) * 2010-08-25 2016-02-10 株式会社钟化 石墨膜以及石墨膜的制造方法
KR101063359B1 (ko) * 2011-05-03 2011-09-07 한국과학기술연구원 탄소재료, 이를 포함하는 적층체 및 그 제조방법
TW201410601A (zh) * 2012-09-06 2014-03-16 綠晶能源股份有限公司 軟性石墨紙及其製造方法及其增厚結構
KR101427818B1 (ko) 2012-10-29 2014-08-08 한국과학기술연구원 열 증착을 이용한 유기나노필름 기반 탄소재료 및 그 제조방법
KR101425376B1 (ko) 2013-02-12 2014-08-01 한국과학기술연구원 고분자 기반의 대면적 탄소 나노그물 및 그 제조방법
US20190116657A1 (en) * 2017-10-18 2019-04-18 Stryke Industries, LLC Thermally enhanced printed circuit board architecture for high power electronics
US11502304B2 (en) * 2019-11-08 2022-11-15 Enevate Corporation Catalysts and methods for lowering electrode pyrolysis temperature

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4839392A (ja) * 1971-09-23 1973-06-09
US4701317A (en) * 1983-06-14 1987-10-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Highly electroconductive films and process for preparing same
CA1232228A (en) * 1984-03-13 1988-02-02 Tatsuro Miyasato Coating film and method and apparatus for producing the same
EP0203581B1 (en) * 1985-05-30 1991-08-14 Research Development Corporation of Japan Process for producing graphite
EP0205970B1 (en) * 1985-05-30 1990-10-24 Research Development Corporation of Japan Process for producing graphite films
JPH062828B2 (ja) * 1986-05-15 1994-01-12 宇部興産株式会社 ポリイミドフイルムの製造法
JPH0772760B2 (ja) * 1986-09-09 1995-08-02 住友化学工業株式会社 X線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法
JP2610469B2 (ja) * 1988-02-26 1997-05-14 株式会社 半導体エネルギー研究所 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002308611A (ja) * 2001-04-06 2002-10-23 Ube Ind Ltd グラファイト層状シ−ト物及びその製造方法
JP2004299937A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd グラファイトフィルムの製造方法
US7147529B2 (en) 2004-01-08 2006-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron emission material, method of manufacturing the same, and electron emission element including the same
JP2006282682A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Ube Ind Ltd 金属量が制御された金属含有ポリイミド系複合材料の製造方法
JP2007234768A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Kaneka Corp 電解コンデンサおよびその製造方法
JP2008272976A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Kaneka Corp グラファイト複合フィルム
WO2011027894A1 (ja) * 2009-09-07 2011-03-10 国立大学法人東京大学 半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器
JP2011057474A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Univ Of Tokyo 半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器
US9000449B2 (en) 2009-09-07 2015-04-07 The University Of Tokyo Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic device
JP2011148702A (ja) * 2011-05-11 2011-08-04 Kaneka Corp グラファイトフィルムおよびグラファイトフィルムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5352524A (en) 1994-10-04
US5443859A (en) 1995-08-22
JP3152316B2 (ja) 2001-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3152316B2 (ja) 炭素フィルム及びその製造方法
JP2744786B2 (ja) 熱的寸法安定性にすぐれたポリイミド及びそれに用いるポリアミド酸
JP4189569B2 (ja) 炭素フィルムの製造方法
TWI580712B (zh) 聚亞醯胺膜
EP2178952A1 (en) Polyimide film with improved thermal stability
Yue et al. Facile synthesis of a symmetrical diamine containing bis-benzimidazole ring and its thermally stable polyimides
KR101338328B1 (ko) 폴리아믹산 조성물의 제조방법, 폴리아믹산 조성물, 이를 이용한 폴리이미드 필름 및 디스플레이 소자용 기판
JP2950489B2 (ja) 高結晶性ポリイミドパウダー及びその製造方法
CN106543720A (zh) 一种低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
JPH04189827A (ja) 高性能ポリイミド成形体及びその製造方法
CN116003793B (zh) 一种聚酰胺-酰亚胺薄膜及其制备方法
KR101332627B1 (ko) 폴리아믹산 조성물, 이를 이용한 폴리이미드 필름 및 디스플레이 소자용 기판
CN114685787A (zh) 一种具有协同交联结构的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用
JPH08143307A (ja) 黒鉛質フィルム、黒鉛質成形体、その前駆体フィルム及びそれらの製造方法
CN116730631A (zh) 聚酰亚胺层叠体及其制备方法
JP4078630B2 (ja) 炭素フィルムの製造方法及びそれによって得られる炭素フィルム
JP2006249166A (ja) 芳香族ポリイミドの製造方法
JP2511987B2 (ja) 芳香族ポリイミド重合体成型品の製造法
JPS63314240A (ja) 新規ポリイミド共重合体とその製造方法
EP0418889B1 (en) Polyamic acid having three-dimensional network molecular structure, polyimide obtained therefrom and process for the preparation thereof
JP2603927B2 (ja) 新規なポリイミド樹脂の製造方法
JPH0488021A (ja) ポリイミド硬化樹脂複合体及びその製法
JPH09272800A (ja) 芳香族ポリアミドとポリイミドとの複合体及びその製造方法
JPH11116803A (ja) ポリイミド/エポキシ樹脂複合体及びその製法
JPH0559173A (ja) ポリアミツク酸共重合体、それからなるポリイミド共重合体、ポリイミドフイルム、並びにそれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080126

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090126

Year of fee payment: 8

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees