JPH0517222A - 温度補償用磁器組成物 - Google Patents
温度補償用磁器組成物Info
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- JPH0517222A JPH0517222A JP3185678A JP18567891A JPH0517222A JP H0517222 A JPH0517222 A JP H0517222A JP 3185678 A JP3185678 A JP 3185678A JP 18567891 A JP18567891 A JP 18567891A JP H0517222 A JPH0517222 A JP H0517222A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成温度を１０５０℃以下にすることができ
且つＪＩＳ規格ＳＬ特性の温度補償用磁器コンデンサを
作ることができる誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 ｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ2 ｝で表わされる主成分に対してＬｉ2 ＳｉＯ
3 （ケイ酸リチウム）とＭＦ2（但しＭＦ2 はＣａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも
１種のアルカリ土類フッ化物）とを添加する。
且つＪＩＳ規格ＳＬ特性の温度補償用磁器コンデンサを
作ることができる誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 ｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ2 ｝で表わされる主成分に対してＬｉ2 ＳｉＯ
3 （ケイ酸リチウム）とＭＦ2（但しＭＦ2 はＣａ
Ｆ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも
１種のアルカリ土類フッ化物）とを添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｕ（銅）等の卑金属を
内部電極とする積層磁器コンデンサに好適な温度補償用
磁器組成物に関する。
内部電極とする積層磁器コンデンサに好適な温度補償用
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサの内部電極と
してＰｄ（パラジウム）等の貴金属が主として用いられ
てきた。しかし、近年、電極のコストダウンのために内
部電極を安価なＮｉ等の卑金属で形成することが検討さ
れている。卑金属の使用を可能にするためには、磁器組
成物が卑金属の融点以下で焼結しなければならない。内
部電極としてＮｉ（ニッケル）を使用したＪＩＳ規格Ｓ
Ｌ特性等の温度補償用磁器コンデンサは、特公昭６２−
２４３８８号公報、特開昭６２−１５７６０４号公報、
特開昭６２−１５７６０５号公報、特開昭６２−１５７
６０６号公報、特開昭６３−１５７６０７号公報、特開
昭６３−８６３１４号公報、特開昭６３−８６３１５号
公報、特開昭６３−８６３１６号公報、特開昭６３−８
６３１７号公報、特開昭６３−８６３１８号公報、特開
昭６３−８６３１９号公報等に開示されている。上記の
公報に開示されている誘電体磁器組成物は、１２００℃
以下の還元性雰囲気で焼結可能である。
してＰｄ（パラジウム）等の貴金属が主として用いられ
てきた。しかし、近年、電極のコストダウンのために内
部電極を安価なＮｉ等の卑金属で形成することが検討さ
れている。卑金属の使用を可能にするためには、磁器組
成物が卑金属の融点以下で焼結しなければならない。内
部電極としてＮｉ（ニッケル）を使用したＪＩＳ規格Ｓ
Ｌ特性等の温度補償用磁器コンデンサは、特公昭６２−
２４３８８号公報、特開昭６２−１５７６０４号公報、
特開昭６２−１５７６０５号公報、特開昭６２−１５７
６０６号公報、特開昭６３−１５７６０７号公報、特開
昭６３−８６３１４号公報、特開昭６３−８６３１５号
公報、特開昭６３−８６３１６号公報、特開昭６３−８
６３１７号公報、特開昭６３−８６３１８号公報、特開
昭６３−８６３１９号公報等に開示されている。上記の
公報に開示されている誘電体磁器組成物は、１２００℃
以下の還元性雰囲気で焼結可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年電子回
路の高周波化が著しく、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高
周波に適した磁器コンデンサの要求が非常に強い。しか
しながら、Ｎｉは抵抗率が大きいので、Ｎｉ電極の抵抗
値が必然的に高くなり、またＮｉは強磁性体であるため
に高周波領域において表皮効果によるＮｉ電極の実効抵
抗値が増大する。この結果、Ｎｉ電極の磁器コンデンサ
は高周波領域でＱ値が著しく低下するという問題があっ
た。
路の高周波化が著しく、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高
周波に適した磁器コンデンサの要求が非常に強い。しか
しながら、Ｎｉは抵抗率が大きいので、Ｎｉ電極の抵抗
値が必然的に高くなり、またＮｉは強磁性体であるため
に高周波領域において表皮効果によるＮｉ電極の実効抵
抗値が増大する。この結果、Ｎｉ電極の磁器コンデンサ
は高周波領域でＱ値が著しく低下するという問題があっ
た。
【０００４】上述の問題を解決するために、抵抗率が小
さく、非磁性体で高周波特性に優れたＣｕ（銅）を使用
することが考えられる。しかし、Ｃｕの融点は１０８３
℃である為、上記公報に開示されている誘電体磁器組成
物によって緻密化が十分な磁器を得ることは困難であ
る。
さく、非磁性体で高周波特性に優れたＣｕ（銅）を使用
することが考えられる。しかし、Ｃｕの融点は１０８３
℃である為、上記公報に開示されている誘電体磁器組成
物によって緻密化が十分な磁器を得ることは困難であ
る。
【０００５】そこで、本発明の目的は１０５０℃以下の
還元性雰囲気で焼成可能であり且つＪＩＳ規格ＳＬ特性
（＋３５０〜−１０００ｐｐｍ／℃）に適合する誘電体
磁器組成物を提供することにある。
還元性雰囲気で焼成可能であり且つＪＩＳ規格ＳＬ特性
（＋３５０〜−１０００ｐｐｍ／℃）に適合する誘電体
磁器組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、（１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝
k ｛（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋β
ＭＦ2 ( 但し、ＭＦ2 はＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも１種のアルカリ土類フ
ッ化物、αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、βは
０．０１〜０．０５の範囲の数値、ｋは１．００〜１．
０４の範囲の数値、ｘは０．３５〜０．５０の数値、ｙ
は０．１０以下の数値）から成る温度補償用磁器組成物
に係わるものである。
の本発明は、（１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝
k ｛（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3 ＋β
ＭＦ2 ( 但し、ＭＦ2 はＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 の内の少なくとも１種のアルカリ土類フ
ッ化物、αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、βは
０．０１〜０．０５の範囲の数値、ｋは１．００〜１．
０４の範囲の数値、ｘは０．３５〜０．５０の数値、ｙ
は０．１０以下の数値）から成る温度補償用磁器組成物
に係わるものである。
【０００７】
【作用】Ｌｉ2 ＳｉＯ3 ( ケイ酸リチウム）とアルカリ
土類フッ化物であるＭＦ2 （ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 ）を添加することによって、焼成時に低
温で液相が生じ、１０５０℃以下の焼成で緻密化された
磁器を得ることができる。また、上記組成にすることに
よってＪＩＳ規格ＳＬ特性を得ることができる。
土類フッ化物であるＭＦ2 （ＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、Ｂａ
Ｆ2 、ＭｇＦ2 ）を添加することによって、焼成時に低
温で液相が生じ、１０５０℃以下の焼成で緻密化された
磁器を得ることができる。また、上記組成にすることに
よってＪＩＳ規格ＳＬ特性を得ることができる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例及び比較例に係わる誘
電体磁器組成物及びこれを使用した温度補償用磁器コン
デンサを説明する。 （１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 の組成式に従う３５種類の誘電体磁器組成物を得るため
に表１及び表２に示すように組成の異なる３５の試料を
用意した。表１において（１−α−β）の欄は組成式に
おける主成分｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k｛（Ｔｉ1-y
Ｚｒy ）Ｏ2 ｝の割合をモル比で示す。１−ｘ、ｘの欄
には組成式におけるこれ等の値が示されている。なお１
−ｘ、ｘはＳｒとＣａのモル比を示す。１−ｙ、ｙの欄
には組成式におけるこれ等の値が示されている。なお、
１−ｙ、ｙは組成式におけるＴｉ（チタン）とＺｒ（ジ
ルコニウム）との割合をモル比で示す。ｋの欄には組成
式におけるこの値が示されている。なお、ｋは主成分に
おける｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k の割合を示す値であ
る。表２におけるαの欄は組成式における第１の添加成
分であるＬｉ2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リチウム）の割合をモ
ル比で示す。ＭＦ2 の欄は組成式におけるアルカリ土類
フッ化物の内容（ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｒ
Ｆ2 ）とこれ等のβ値（組成物全体に対するモル比）を
示す。βの欄はＭＦ2 の全体のβ値即ち組成式における
βの値を示す。表１及び表２の各欄の値が与えられれ
ば、本発明に関係する組成式を特定することができる。
電体磁器組成物及びこれを使用した温度補償用磁器コン
デンサを説明する。 （１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2ＳｉＯ3 ＋βＭＦ2 の組成式に従う３５種類の誘電体磁器組成物を得るため
に表１及び表２に示すように組成の異なる３５の試料を
用意した。表１において（１−α−β）の欄は組成式に
おける主成分｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k｛（Ｔｉ1-y
Ｚｒy ）Ｏ2 ｝の割合をモル比で示す。１−ｘ、ｘの欄
には組成式におけるこれ等の値が示されている。なお１
−ｘ、ｘはＳｒとＣａのモル比を示す。１−ｙ、ｙの欄
には組成式におけるこれ等の値が示されている。なお、
１−ｙ、ｙは組成式におけるＴｉ（チタン）とＺｒ（ジ
ルコニウム）との割合をモル比で示す。ｋの欄には組成
式におけるこの値が示されている。なお、ｋは主成分に
おける｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k の割合を示す値であ
る。表２におけるαの欄は組成式における第１の添加成
分であるＬｉ2 ＳｉＯ3 （ケイ酸リチウム）の割合をモ
ル比で示す。ＭＦ2 の欄は組成式におけるアルカリ土類
フッ化物の内容（ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓｒ
Ｆ2 ）とこれ等のβ値（組成物全体に対するモル比）を
示す。βの欄はＭＦ2 の全体のβ値即ち組成式における
βの値を示す。表１及び表２の各欄の値が与えられれ
ば、本発明に関係する組成式を特定することができる。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】次に、試料NO. １に係わる誘電体磁器組成
物及びこれを使用した磁器コンデンサの製造方法を説明
する。試料NO. １の誘電体磁器組成物は次式で示すこと
ができる。 ０．９４｛（Ｓｒ0.65Ｃａ0.35）Ｏ｝1.01｛（Ｔｉ0.95
Ｚｒ0.05）Ｏ2 ｝＋０．０３Ｌｉ2 ＳｉＯ3 ＋０．０３
ＣａＦ2 まず、この組成物の主成分 ０．９４｛（Ｓｒ0.65Ｃａ0.35）Ｏ｝1.01｛（Ｔｉ0.95
Ｚｒ0.05）Ｏ2 ｝ を得ることができるように純度９９％以上のＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＣａＣＯ3 （炭酸カルシウ
ム）、ＴｉＯ2 （酸化チタン）、ＺｒＯ2 （酸化ジルコ
ニウム）を秤量した。
物及びこれを使用した磁器コンデンサの製造方法を説明
する。試料NO. １の誘電体磁器組成物は次式で示すこと
ができる。 ０．９４｛（Ｓｒ0.65Ｃａ0.35）Ｏ｝1.01｛（Ｔｉ0.95
Ｚｒ0.05）Ｏ2 ｝＋０．０３Ｌｉ2 ＳｉＯ3 ＋０．０３
ＣａＦ2 まず、この組成物の主成分 ０．９４｛（Ｓｒ0.65Ｃａ0.35）Ｏ｝1.01｛（Ｔｉ0.95
Ｚｒ0.05）Ｏ2 ｝ を得ることができるように純度９９％以上のＳｒＣＯ3
（炭酸ストロンチウム）、ＣａＣＯ3 （炭酸カルシウ
ム）、ＴｉＯ2 （酸化チタン）、ＺｒＯ2 （酸化ジルコ
ニウム）を秤量した。
【００１２】次に、秤量した主成分の原料を水及びジル
コニアボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混
合した。次に、この混合で得られたスラリーを、ステン
レスバットに入れ、熱風乾燥機で１５０℃、４時間乾燥
し、この乾燥物をトンネル炉に入れて大気中で１２００
℃、２時間仮焼し、 （１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝ に従う主成分を得た。
コニアボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混
合した。次に、この混合で得られたスラリーを、ステン
レスバットに入れ、熱風乾燥機で１５０℃、４時間乾燥
し、この乾燥物をトンネル炉に入れて大気中で１２００
℃、２時間仮焼し、 （１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝ に従う主成分を得た。
【００１３】次に、純度９９％以上の第１の添加成分と
してのＬｉ2 ＳｉＯ3 と第２の添加成分としてのＣａＦ
2 とをα＝０．０３、β＝０．０３になる割合に秤量
し、主成分｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ2 ｝の粉末に添加し、これ等を水及びジルコニ
アボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混合
し、得られたスラリーをステンレスバットに入れて熱風
乾燥し、誘電体磁器組成物（原料混合物）を得た。
してのＬｉ2 ＳｉＯ3 と第２の添加成分としてのＣａＦ
2 とをα＝０．０３、β＝０．０３になる割合に秤量
し、主成分｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ1-y Ｚ
ｒy ）Ｏ2 ｝の粉末に添加し、これ等を水及びジルコニ
アボールと共にポットミルに入れ、１５時間湿式混合
し、得られたスラリーをステンレスバットに入れて熱風
乾燥し、誘電体磁器組成物（原料混合物）を得た。
【００１４】次に、原料混合物粉末に有機バインダーと
してポリビニルアルコールを３重量％加えて造粒し、こ
れを型に入れ、油圧プレスで２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に成形した。次
に、この円板（成形体）に大気中５００℃で５時間の加
熱処理（脱バインダー処理）を施して有機バインダーを
焼失させた後、Ｈ2 （０．１％）＋Ｎ2（９９．９％）
の弱還元性雰囲気中で９４０℃、２時間焼成した。
してポリビニルアルコールを３重量％加えて造粒し、こ
れを型に入れ、油圧プレスで２０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力で直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に成形した。次
に、この円板（成形体）に大気中５００℃で５時間の加
熱処理（脱バインダー処理）を施して有機バインダーを
焼失させた後、Ｈ2 （０．１％）＋Ｎ2（９９．９％）
の弱還元性雰囲気中で９４０℃、２時間焼成した。
【００１５】次に、焼結した誘電体磁器円板の両面にＩ
ｎ−Ｇａ（インジウム−ガリウム）合金の導電ペースト
を塗布することによって、図１に示すように磁器円板１
と一対の電極２、３とから成るコンデンサを完成させ
た。
ｎ−Ｇａ（インジウム−ガリウム）合金の導電ペースト
を塗布することによって、図１に示すように磁器円板１
と一対の電極２、３とから成るコンデンサを完成させ
た。
【００１６】次に、完成した磁器コンデンサの比誘電率
εs 、Ｑ値、静電容量の温度係数ＴＣ、抵抗率ρを測定
した。表３は各試料の電気的諸特性と焼成温度を示す。
なお、電気的特性は次の条件で測定した。 （Ａ） 比誘電率εs は温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、
電圧（実効値）１Ｖの条件でコンデンサの静電容量を測
定し、この測定結果と磁器円板の厚み及び電極面積から
計算で求めた。 （Ｂ） Ｑ値はεs と同一の条件で測定した。 （Ｃ） 静電容量の温度係数ＴＣ（ｐｐｍ／℃）は、コ
ンデンサの２５℃の容量Ｃ25と１２５℃の容量Ｃ125 を
測定し、次式で算出した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝｛（Ｃ125 −Ｃ25）／Ｃ25｝×
｛１／（１２５−２５）｝×１０6 （Ｄ） 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２５℃におい
てＤＣ１ｋＶをコンデンサに１分間印加した後に抵抗値
を測定し、この測定値と寸法に基づいて計算で求めた。
εs 、Ｑ値、静電容量の温度係数ＴＣ、抵抗率ρを測定
した。表３は各試料の電気的諸特性と焼成温度を示す。
なお、電気的特性は次の条件で測定した。 （Ａ） 比誘電率εs は温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、
電圧（実効値）１Ｖの条件でコンデンサの静電容量を測
定し、この測定結果と磁器円板の厚み及び電極面積から
計算で求めた。 （Ｂ） Ｑ値はεs と同一の条件で測定した。 （Ｃ） 静電容量の温度係数ＴＣ（ｐｐｍ／℃）は、コ
ンデンサの２５℃の容量Ｃ25と１２５℃の容量Ｃ125 を
測定し、次式で算出した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝｛（Ｃ125 −Ｃ25）／Ｃ25｝×
｛１／（１２５−２５）｝×１０6 （Ｄ） 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２５℃におい
てＤＣ１ｋＶをコンデンサに１分間印加した後に抵抗値
を測定し、この測定値と寸法に基づいて計算で求めた。
【００１７】試料NO. ２〜３５についても、誘電体磁器
組成物の組成を表１及び表２に示すように変え、且つ焼
成温度を表３に示す値にした他は試料NO. １と同一の方
法で誘電体磁器円板及びコンデンサを作り、同一の方法
で電気的特性を測定した。
組成物の組成を表１及び表２に示すように変え、且つ焼
成温度を表３に示す値にした他は試料NO. １と同一の方
法で誘電体磁器円板及びコンデンサを作り、同一の方法
で電気的特性を測定した。
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】表３から明らかなように、試料NO. １の磁
器コンデンサのεs は２７８、Ｑは７６００、ＴＣは−
９５０ｐｐｍ／℃、ρは１．２９×１０7 である。
器コンデンサのεs は２７８、Ｑは７６００、ＴＣは−
９５０ｐｐｍ／℃、ρは１．２９×１０7 である。
【００２１】本発明では、１０５０℃以下で焼結可能で
あり、且つεs が２００以上、ＴＣが−７６０〜−９９
０ｐｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ
・ｃｍ以上の電気的特性を得ることができる誘電体磁器
組成物を目標としている。多くの試料は目標特性即ち所
望特性を満足するが、試料NO. ４、５、１２、１３、１
７、１８、２２、２９、３４、３５は所望特性を満足し
ないので、比較例である。
あり、且つεs が２００以上、ＴＣが−７６０〜−９９
０ｐｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ
・ｃｍ以上の電気的特性を得ることができる誘電体磁器
組成物を目標としている。多くの試料は目標特性即ち所
望特性を満足するが、試料NO. ４、５、１２、１３、１
７、１８、２２、２９、３４、３５は所望特性を満足し
ないので、比較例である。
【００２２】３５の試料の内で、NO. １〜NO. ５はＣａ
の割合を示すｘ値の適正範囲を明らかにするものであ
り、NO. ６〜NO. １２はＺｒの割合を示すｙ値の適正範
囲を明らかにするためのものであり、NO. １３〜NO. １
７はＣａ＋ＳｒのＴｉ＋Ｚｒに対する割合を示すｋ値の
適正範囲を明らかにするためのものであり、NO. ２３〜
２８はＭＦ2 としてＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓ
ｒＦ2 のいずれか１つ又は複数を使用することができる
ことを明らかにするためのものであり、NO. ２９〜３５
はβ値の適正範囲を明らかにするためのものである。
の割合を示すｘ値の適正範囲を明らかにするものであ
り、NO. ６〜NO. １２はＺｒの割合を示すｙ値の適正範
囲を明らかにするためのものであり、NO. １３〜NO. １
７はＣａ＋ＳｒのＴｉ＋Ｚｒに対する割合を示すｋ値の
適正範囲を明らかにするためのものであり、NO. ２３〜
２８はＭＦ2 としてＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、Ｓ
ｒＦ2 のいずれか１つ又は複数を使用することができる
ことを明らかにするためのものであり、NO. ２９〜３５
はβ値の適正範囲を明らかにするためのものである。
【００２３】次に、本発明に係わる誘電体磁器組成物の
組成の限定理由を説明する。ｘの値が試料NO. １、１９
〜２１に示すように０．３５の場合には、所望の電気的
特性を得ることができるが、試料NO. ４に示すように
０．３０の場合には、容量の温度係数ＴＣが−１３００
ｐｐｍ／℃と悪化する。従って、ｘの値の下限値は０．
３５である。一方、ｘの値が試料NO. ３、３０〜３３に
示すように０．５０の場合には所望の電気的特性を得る
ことができるが、試料NO. ５に示すように０．５５の場
合には、容量の温度係数ＴＣが−１１８０ｐｐｍ／℃と
悪化する。従って、ｘの値の上限値は０．５０である。
組成の限定理由を説明する。ｘの値が試料NO. １、１９
〜２１に示すように０．３５の場合には、所望の電気的
特性を得ることができるが、試料NO. ４に示すように
０．３０の場合には、容量の温度係数ＴＣが−１３００
ｐｐｍ／℃と悪化する。従って、ｘの値の下限値は０．
３５である。一方、ｘの値が試料NO. ３、３０〜３３に
示すように０．５０の場合には所望の電気的特性を得る
ことができるが、試料NO. ５に示すように０．５５の場
合には、容量の温度係数ＴＣが−１１８０ｐｐｍ／℃と
悪化する。従って、ｘの値の上限値は０．５０である。
【００２４】ｙの値が試料NO. １１に示すように０．１
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １２に示すように０．１２の場合には容量
の温度係数ＴＣが−１３５０ｐｐｍ／℃と悪化する。従
って、ｙの値の上限値は０．１０である。ＺｒはＱ値及
び抵抗率ρを高める作用を有するが、試料NO. ６に示す
ようにｙの値が０の場合でも所望の電気的特性を得るこ
とができる。従って、ｙの値の範囲は０．１０以下であ
る。
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １２に示すように０．１２の場合には容量
の温度係数ＴＣが−１３５０ｐｐｍ／℃と悪化する。従
って、ｙの値の上限値は０．１０である。ＺｒはＱ値及
び抵抗率ρを高める作用を有するが、試料NO. ６に示す
ようにｙの値が０の場合でも所望の電気的特性を得るこ
とができる。従って、ｙの値の範囲は０．１０以下であ
る。
【００２５】ｋの値が試料NO. １４に示すように１．０
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １３に示すように０．９８の場合には、Ｑ
の値が急激に低下し、抵抗率ρも１×１０6 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、ｋの値の下限値は１．００であ
る。一方、ｋの値が試料NO. １６に示すように１．０４
の場合には所望の電気的特性が得られるが、試料NO. １
７に示すように１．０６の場合には、１１００℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られない。従って、ｋの値の上
限値は１．０４である。
０の場合には、所望の電気的特性を得ることができる
が、試料NO. １３に示すように０．９８の場合には、Ｑ
の値が急激に低下し、抵抗率ρも１×１０6 ＭΩ・ｃｍ
未満となる。従って、ｋの値の下限値は１．００であ
る。一方、ｋの値が試料NO. １６に示すように１．０４
の場合には所望の電気的特性が得られるが、試料NO. １
７に示すように１．０６の場合には、１１００℃で焼成
しても緻密な焼結体が得られない。従って、ｋの値の上
限値は１．０４である。
【００２６】Ｌｉ2 ＳｉＯ3 の割合を示すαの値が試料
NO. １９に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. １８に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、αの値の下限値は０．０
１である。一方、αの値が試料NO. ２１に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ２２に示すように０．０６の場合には
容量の温度係数が−１１００ｐｐｍ／℃、比抵抗ρも１
×１０7 ＭΩ・ｃｍとなる。従って、αの値の上限値は
０．０５である。
NO. １９に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. １８に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、αの値の下限値は０．０
１である。一方、αの値が試料NO. ２１に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ２２に示すように０．０６の場合には
容量の温度係数が−１１００ｐｐｍ／℃、比抵抗ρも１
×１０7 ＭΩ・ｃｍとなる。従って、αの値の上限値は
０．０５である。
【００２７】ＭＦ2 の割合を示すβの値が試料NO. ３
０、３１に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ２９に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、βの値の下限値は０．０
１である。一方、βの値が試料NO. ３３に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ３４、３５に示すように０．０６の場
合には、容量の温度係数ＴＣが−１１００ｐｐｍ／℃以
上、比抵抗ρが１×１０7 ＭΩ・ｃｍ未満となる。従っ
て、βの値の上限値は０．０５である。また、試料NO.
２３〜２８に示すように、ＭＦ2 の成分としてはＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 はほぼ同様に働き、
これ等から選択された１つを使用してもまたは複数を使
用しても同様な効果が得られる。
０、３１に示すように０．０１の場合には、所望の電気
的特性を得ることができるが、試料NO. ２９に示すよう
に０．００５の場合には１１００℃で焼成しても緻密な
焼結体が得られない。従って、βの値の下限値は０．０
１である。一方、βの値が試料NO. ３３に示すように
０．０５の場合には、所望の電気的特性を得ることがで
きるが、試料NO. ３４、３５に示すように０．０６の場
合には、容量の温度係数ＴＣが−１１００ｐｐｍ／℃以
上、比抵抗ρが１×１０7 ＭΩ・ｃｍ未満となる。従っ
て、βの値の上限値は０．０５である。また、試料NO.
２３〜２８に示すように、ＭＦ2 の成分としてはＭｇＦ
2 、ＣａＦ2 、ＢａＦ2 、ＳｒＦ2 はほぼ同様に働き、
これ等から選択された１つを使用してもまたは複数を使
用しても同様な効果が得られる。
【００２８】上述の実施例では試料としての磁器コンデ
ンサの作製を容易にするために、Ｉｎ−Ｇａ合金電極の
単層コンデンサを作製したが、この代りに本発明に従う
磁器組成物のグリーンシート（未焼結磁器シート）にＣ
ｕ（銅）ペーストを塗布して乾燥したものを積層し、こ
の成形体の焼成と電極の焼付を還元性又は非酸化性雰囲
気、１０５０℃以下の条件で同時に行い、図２に示すよ
うに複数の誘電体磁器層１ａ、１ｂ、１ｃの中に、Ｃｕ
から成る内部電極４、５を設け、更にこれに接続された
外部電極６、７を設けた構造の温度補償用積層磁器コン
デンサとすることができる。内部電極４、５を構成する
Ｃｕは抵抗率が低く且つ非磁性体であるので、高周波特
性に優れたコンデンサが得られる。
ンサの作製を容易にするために、Ｉｎ−Ｇａ合金電極の
単層コンデンサを作製したが、この代りに本発明に従う
磁器組成物のグリーンシート（未焼結磁器シート）にＣ
ｕ（銅）ペーストを塗布して乾燥したものを積層し、こ
の成形体の焼成と電極の焼付を還元性又は非酸化性雰囲
気、１０５０℃以下の条件で同時に行い、図２に示すよ
うに複数の誘電体磁器層１ａ、１ｂ、１ｃの中に、Ｃｕ
から成る内部電極４、５を設け、更にこれに接続された
外部電極６、７を設けた構造の温度補償用積層磁器コン
デンサとすることができる。内部電極４、５を構成する
Ｃｕは抵抗率が低く且つ非磁性体であるので、高周波特
性に優れたコンデンサが得られる。
【００２９】なお、本発明の目的を阻害しない範囲で、
微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５〜０．３重量％）
等の鉱化剤を添加すると、更に焼結性を向上させること
ができる。また｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝を作製するための出発原料としては
実施例で示した以外の酸化物、水酸化物又はその他の化
合物を使用してもよい。
微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５〜０．３重量％）
等の鉱化剤を添加すると、更に焼結性を向上させること
ができる。また｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）Ｏ｝k ｛（Ｔｉ
1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝を作製するための出発原料としては
実施例で示した以外の酸化物、水酸化物又はその他の化
合物を使用してもよい。
【００３０】
【発明の効果】上述から明らかなように、本発明によれ
ば、還元性雰囲気中で１０５０℃以下で焼結が可能であ
り、且つεs が２００以上、ＴＣが−７６０〜−９９０
ｐｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・
ｃｍ以上の電気的特性を有する温度補償用磁器コンデン
サを提供することが可能になる。
ば、還元性雰囲気中で１０５０℃以下で焼結が可能であ
り、且つεs が２００以上、ＴＣが−７６０〜−９９０
ｐｐｍ／℃、Ｑが３０００以上、ρが１×１０7 ＭΩ・
ｃｍ以上の電気的特性を有する温度補償用磁器コンデン
サを提供することが可能になる。
【図１】本発明の実施例に従う磁器コンデンサを示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に従う積層磁器コンデンサを示す断面図
である。
である。
１ 誘電体磁器円板 ２ 電極 ３ 電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （１−α−β）｛（Ｓｒ1-x Ｃａx ）
Ｏ｝k ｛（Ｔｉ1-y Ｚｒy ）Ｏ2 ｝＋αＬｉ2 ＳｉＯ3
＋βＭＦ2 （但し、ＭＦ2 はＣａＦ2 、ＳｒＦ2 、ＢａＦ2 、Ｍｇ
Ｆ2 の内の少なくとも１種のアルカリ土類フッ化物、 αは０．０１〜０．０５の範囲の数値、 βは０．０１〜０．０５の範囲の数値、 ｋは１．００〜１．０４の範囲の数値、 ｘは０．３５〜０．５０の数値、 ｙは０．１０以下の数値） から成る温度補償用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185678A JP2531548B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185678A JP2531548B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0517222A true JPH0517222A (ja) | 1993-01-26 |
| JP2531548B2 JP2531548B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=16174955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185678A Expired - Fee Related JP2531548B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 温度補償用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531548B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415559B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR20160147849A (ko) | 2014-05-23 | 2016-12-23 | 주식회사 다이셀 | 성형체 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251566A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 旭化成株式会社 | 誘電体組成物 |
| JPS62157604A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3185678A patent/JP2531548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61251566A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | 旭化成株式会社 | 誘電体組成物 |
| JPS62157604A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415559B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR20160147849A (ko) | 2014-05-23 | 2016-12-23 | 주식회사 다이셀 | 성형체 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531548B2 (ja) | 1996-09-04 |
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