JPH05172265A - Gas control device - Google Patents
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- JPH05172265A JPH05172265A JP13526692A JP13526692A JPH05172265A JP H05172265 A JPH05172265 A JP H05172265A JP 13526692 A JP13526692 A JP 13526692A JP 13526692 A JP13526692 A JP 13526692A JP H05172265 A JPH05172265 A JP H05172265A
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Landscapes
- Valve Housings (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
製造工程等において使用されるガス制御装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas control device used in, for example, a semiconductor device manufacturing process.
【0002】[0002]
【従来の技術】高集積化が急ピッチで進められている半
導体デバイス製造工程、特にウエハ処理工程において
は、デバイス特性に悪影響を及ぼす因子の排除が従来よ
りも一層強く要求されており、供給されるガスの不純分
も限り無く少ないことが要求されるようになっている。
そのために、ガス流通系における個々の構成要素はもと
より、例えば不純ガスの吸蔵・放出を極小にするため全
流路内面に電解研磨や化学研磨等の特殊表面研磨を施す
など、全般的に種々の改善が行われている。また、半導
体製造装置の価格は益々上昇傾向にあり、かつ半導体の
集積化とともにウエハ処理の工程が増加するため設備投
資額も増大の一途を辿りつつあるので、半導体産業発展
のためには、製造装置の高性能化とともにコストの一層
の節減が必須要件となっている。2. Description of the Related Art In semiconductor device manufacturing processes in which high integration is being advanced at a rapid pace, especially in wafer processing processes, elimination of factors adversely affecting device characteristics is more strongly demanded than before, and it is supplied. It is also required that the amount of impurities contained in the gas is extremely small.
Therefore, in addition to individual components in the gas flow system, for example, various surface treatments such as electrolytic polishing or special polishing such as chemical polishing are performed on the inner surface of all channels to minimize the storage and release of impure gas. Improvements are being made. Moreover, the price of semiconductor manufacturing equipment is increasing more and more, and the amount of capital investment is also increasing as the number of wafer processing steps increases with the integration of semiconductors. Further cost reduction is an essential requirement as the equipment becomes more sophisticated.
【0003】ところで、半導体製造装置におけるガス制
御装置のうち、各種反応炉等の直前に共通的に設けられ
る流量制御部は、各種多数あるなかの代表例の系統図を
図23に、またこれに対応する配置図(以下、第1の従
来例という)を図24にそれぞれ示すように、流入口
A,B,Cから各フィルタa…を経て流入される3種類
のプロセスガスをそれぞれ遮断弁b…によって切替え、
マスフローコントローラc…によって流量を制御し、流
出口Dから反応炉に供給するようになっている。また、
パージガス(通常はN2 )の流通系は、流入口Eから上
述同様の単機能部材a,b,cを経て流出口Dに導かれ
る流路および、他の各マスフローコントロラcを経て排
気口Fに導かれる流路を備え、かつ流入側には圧力検出
部材dが設けられている。この第1の従来例において
は、一部に2連式複合弁(図23において破線で区画し
て示す)が用いられているが、その他の単機能部材は配
管および継手を介して接続されているので、外形寸法は
図24に示すように、長さLが61cm、幅Wが23cm、
高さHが14cm程度になっている。[0003] By the way, among gas control devices in semiconductor manufacturing equipment, a flow control unit commonly provided immediately before various reaction furnaces and the like is shown in FIG. As shown in FIG. 24, which is a corresponding layout diagram (hereinafter, referred to as a first conventional example), three kinds of process gases flowing from the inflow ports A, B, C through the filters a ... Switch by ...
The flow rate is controlled by the mass flow controller c ..., and is supplied from the outlet D to the reaction furnace. Also,
The flow system of the purge gas (usually N 2 ) has a flow path led from the inflow port E to the outflow port D via the same single-function members a, b and c as described above, and the exhaust port F via each of the other mass flow controllers c. The pressure detecting member d is provided on the inflow side. In this first conventional example, a double-combined valve (partitioned by a broken line in FIG. 23) is used in part, but other single-function members are connected via pipes and joints. As shown in FIG. 24, the external dimensions are 61 cm in length L and 23 cm in width W.
Height H is about 14 cm.
【0004】また、半導体製造装置における代表的なシ
リンダキャビネットは、その系統図を図25に、また配
置図を図26(以下、第2の従来例という)にそれぞれ
示すように、2種類のプロセスガスを容器e,eから流
出口A,Bに導くための流路にそれぞれ設けられたプロ
セスガス制御部f,fと、プロセスガス容器e,eの交
換時に口金付近に侵入した大気成分をパージするため容
器gから高圧(150kgf/cm2 )のN2 やAr を導く流
路に設けられたパージガス制御部hとを備えている。工
場内の供給源(図示略)から流入口Cに導かれる低圧
(7kgf/cm2 )のN2 ガスは、プロセスガスが排気口D
から排出されるときその毒性、腐食性および大気との反
応性などを希釈するためのものである。なお、図25に
おいて一点鎖線で区画した部分f,f,hは本発明の図
19に示す実施例と対応する部分を示し、その数字記号
は図22におけると同一である。Further, a typical cylinder cabinet in a semiconductor manufacturing apparatus has two types of processes as shown in a system diagram of FIG. 25 and a layout diagram of FIG. 26 (hereinafter referred to as a second conventional example). Process gas control parts f and f respectively provided in the flow paths for guiding the gas from the containers e and e to the outlets A and B and the atmospheric components that have invaded the vicinity of the cap when the process gas containers e and e are replaced In order to achieve high pressure from container g (150 kgf / cm 2 ) And a purge gas control section h provided in a flow path for introducing N 2 and Ar. Low pressure (7 kgf / cm 2 ) introduced from the supply source (not shown) in the factory to the inlet C ) N 2 gas is the process gas exhaust port D
It is for diluting its toxicity, corrosiveness, reactivity with air, etc. Note that, in FIG. 25, portions f, f, and h sectioned by alternate long and short dash lines show portions corresponding to the embodiment shown in FIG. 19 of the present invention, and the numeral symbols are the same as in FIG.
【0005】この第2の従来例においても、一部に2連
式および3連式の複合弁(図25において破線で区画し
て示す)29…が、その他の単機能部材は配管および継
手を介して接続されているので、図26において2点鎖
線で示すキャビネットの寸法は幅Wが160cm、高さH
が200cm程度になっている。Also in this second conventional example, a double-type and a triple-type compound valve (shown by being divided by a broken line in FIG. 25) 29 ... Is partially provided, and the other single-function members are pipes and joints. Since the cabinets are connected via a cable, the dimensions of the cabinet indicated by the chain double-dashed line in FIG. 26 have a width W of 160 cm and a height H.
Is about 200 cm.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記従来例においては
単機能部材相互間における配管、継手の数が多いので、
(a)占有スペースが大きい、(b)シール部が多いた
め外部リークの総量が増大する、(c)配管が長くなる
ためその内面の総面積が大きくなり、不純ガス放出量が
多くなるためプロセスガス純度の低下を招く、(d)配
管および継手等の調達、接続(溶接を含む)および多数
接続部の漏洩検査等の作業などのコストが必要である、
などの不具合があった。In the above conventional example, since the number of pipes and joints between the single function members is large,
(A) The occupied space is large, (b) The total amount of external leakage is increased due to the large number of seal portions, (c) The total area of the inner surface is increased due to the long piping, and the amount of impure gas released is increased. Costs such as (d) procurement of pipes and joints, work of connection (including welding) and leakage inspection of multiple connection parts, etc. are required, which causes a decrease in gas purity.
There were problems such as.
【0007】このような不具合を解消するために、2個
の遮断弁b,bと1個のマスフローコントローラcとの
組合せ(図27参照)、1個の内蔵フィルタaと2個の
遮断弁b,bとの組合せ(図28参照)、2個の遮断弁
b,bと1個の圧力検出器dとの組合せ(図29参照)
などの提案がなされている。しかしながらこの程度の複
合体では配管の長さおよび接続部の数を大幅に減少させ
ることは困難であり、上記(a)、(b)、(c)、
(d)の不具合は解消されない。In order to solve such a problem, a combination of two shutoff valves b, b and one mass flow controller c (see FIG. 27), one built-in filter a and two shutoff valves b. , B (see FIG. 28), two shutoff valves b, b and one pressure detector d (see FIG. 29)
Have been proposed. However, it is difficult to significantly reduce the length of the pipe and the number of connecting portions with such a composite, and the above (a), (b), (c),
The problem of (d) cannot be solved.
【0008】また、マスフローコントローラdは比較的
故障を生じやすいため取外す機会が多いが、図27のよ
うな構成では2個の遮断弁b,bと共に取外さなければ
ならないので、他の管系に大気が侵入するのをを防止す
るため別の弁を設けなければならず、必然的にコスト増
を伴う。さりとて、これを怠れば取外しの度ごとに他の
管系が広範囲にわたって大気汚染を被ることになる。し
かも、マスフローコントローラ自体には寸法のバラツキ
があるので、図27のような構成のものを複数組連結し
ようとすれば、シール用メタルガスケットの潰し代のバ
ラツキとの関連でシール性の確保が困難になるなどの問
題が発生する。Further, the mass flow controller d is often damaged because it is relatively liable to be broken, but in the configuration shown in FIG. 27, it is necessary to remove it together with the two shut-off valves b, b. A separate valve must be provided to prevent the ingress of atmosphere, which is necessarily costly. On the other hand, if this is not done, each removal will result in widespread air pollution of other tubing systems. Moreover, since the mass flow controller itself has variations in size, it is difficult to secure the sealing performance in connection with variations in the crushing margin of the metal gasket for sealing if a plurality of sets having the configuration shown in FIG. 27 are connected. There is a problem such as.
【0009】本発明は上述のような問題点を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、単機能
部材相互間に配管、継手等の間接的接続手段を必要とせ
ず、低コストで占有スペースが少なく、かつ不純ガス放
出量の少ないガス制御装置を提供しようとするものであ
る。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to eliminate the need for indirect connecting means such as pipes and joints between single-function members, and It is an object of the present invention to provide a gas control device which occupies a small amount of space and has a small amount of released impure gas.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の1番目は、高純
度ガスの流通系に複数の単機能部材を設けたガス制御装
置において、3種以上の単機能部材を一体的に直結した
ことを特徴とする。The first aspect of the present invention is to integrally and directly connect three or more kinds of monofunctional members in a gas control device in which a plurality of monofunctional members are provided in a high-purity gas flow system. Is characterized by.
【0011】また、本発明の2番目は、高純度ガスの流
通系に複数の単機能部材を設けたガス制御装置におい
て、3種以上の単機能部材は、これら単機能部材と連通
する流路を形設したユニットブロックに一体的に連結し
たことを特徴とする。A second aspect of the present invention is a gas control device in which a plurality of single-function members are provided in a high-purity gas flow system, and three or more single-function members have a flow path communicating with these single-function members. It is characterized in that it is integrally connected to the unit block formed.
【0012】[0012]
【作用】本発明によれば、いづれの場合も、3種以上の
単機能部材は、相互に直結、またはこれら単機能部材と
連通する流路を形設したブロックに連結されるので、こ
れら単機能部材を接続するために格別な配管、継手等の
間接的接続手段を設ける必要がなく、従来の装置におけ
る前記(a)〜(d)の不具合を解消することができ
る。According to the present invention, in any case, three or more kinds of single-function members are directly connected to each other or connected to a block having a flow path communicating with these single-function members. It is not necessary to provide special indirect connecting means such as pipes and joints for connecting the functional members, and the problems (a) to (d) in the conventional device can be solved.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図1ないし図12は本発明の第1実施例を示し、
図1は半導体製造装置におけるガス制御装置の配管図で
ある。この配管構造は、図20に示す系統図に対応する
ように構成されている。すなわち、流入口A,B,Cを
有するプロセスガスの流通ライン13…は、各フィルタ
7…を経て流入される3種類のプロセスガスをそれぞれ
遮断弁3…、および4によって切替え可能となってお
り、ガスフローコントローラ2…によって流量を制御
し、流出口Dから反応炉に供給するようになっている。
また、パージガス(通常N2 )の流通ライン14は、流
入口Eからフィルタ7を経て流入されるパージガスをそ
れぞれ遮断弁3…、および4…によって切替え可能とな
っており、ガスフローコントローラ2を経て流出口Dに
導かれるようになっているとともに、流入側には圧力検
出センサ5が設けられている。なお、上記プロセスガス
の流通ライン13…における各ガスフローコントローラ
2は、他の遮断弁6…、6…を経てパージガスの流通ラ
イン14にも接続されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 12 show a first embodiment of the present invention,
FIG. 1 is a piping diagram of a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus. This piping structure is configured so as to correspond to the system diagram shown in FIG. That is, in the process gas distribution line 13 having the inflow ports A, B, and C, three types of process gas flowing in through the filters 7 can be switched by the shutoff valves 3 and 4. The gas flow controller 2 controls the flow rate and supplies the gas from the outlet D to the reactor.
Further, the purge gas (normally N 2 ) flow line 14 can switch the purge gas flowing from the inflow port E through the filter 7 by shut-off valves 3 ..., 4 ..., And via the gas flow controller 2. The pressure detection sensor 5 is provided on the inflow side while being guided to the outflow port D. Each gas flow controller 2 in the process gas distribution line 13 is also connected to the purge gas distribution line 14 via the other shutoff valves 6 ...
【0014】上記プロセスガス流通ライン13…および
パージガス流通ライン14はそれぞれユニット化されて
おり、まずプロセスガス流通ライン13のユニットにつ
いて説明する。プロセスガス流通ライン13は、図3に
示すようなユニット構造を有し、上記フィルタ7、遮断
弁3、6、ガスフローコントローラ2、および遮断弁
4、6からなる。上記ガスフローコントローラ2は、図
4に模式的に、また図5に具体的に示す通り、台座8
に、流量センサ201およびピエゾ圧電素子式コントロ
ール弁202を取り付けて一体に構成されている。な
お、ピエゾ圧電素子式コントロール弁202はピエゾ圧
電素子203と、このピエゾ圧電素子203によって開
閉駆動される弁体204を備えている。上記台座8には
開閉弁3および4に接続可能に開口された流路10,1
0が形成されている。ガスフローコントローラ2の上記
台座8には、遮断弁3、6、4および6が直接連結され
ている。The process gas distribution line 13 ... And the purge gas distribution line 14 are unitized. First, the unit of the process gas distribution line 13 will be described. The process gas distribution line 13 has a unit structure as shown in FIG. 3, and includes the filter 7, the shutoff valves 3 and 6, the gas flow controller 2, and the shutoff valves 4 and 6. The gas flow controller 2 has a pedestal 8 as schematically shown in FIG. 4 and specifically shown in FIG.
A flow sensor 201 and a piezo-electric element type control valve 202 are attached to and integrated with each other. The piezo-piezoelectric element type control valve 202 includes a piezo-piezoelectric element 203 and a valve element 204 which is opened and closed by the piezo-piezoelectric element 203. The pedestal 8 has channels 10, 1 opened to connect to the on-off valves 3 and 4.
0 is formed. The shutoff valves 3, 6, 4 and 6 are directly connected to the pedestal 8 of the gas flow controller 2.
【0015】これら各遮断弁は、弁ケ−シングに弁アク
チュエータを取り付けて構成されているものであり、ガ
スフローコントローラ2の上流側の2個の遮断弁3およ
び6は2連式の構造としてあり、図6に示す通り、単一
の弁ケ−シング401aに、2個の弁アクチュエータ4
02、403を取り付け、さらにフィルタ7を付設して
ある。これについて説明すると、2個の弁アクチュエー
タ402、403は両者が同一構造であってよいので、
一方を説明すると、圧力導入口405から導入された圧
力によりピストン406を作動させ、このピストン40
6によりステム407を介してメタルダイアフラム弁4
08を作動させる構造となっている。このような弁アク
チュエータ402、403が取着される上記弁ケ−シン
グ401aには、プロセスガス流通ライン13の流入口
A(B,C)に連なる通路410およびガスフローコン
トローラ2の通路10に連なる通路411ならびに、パ
ージガス流通ライン14の流入口Eに連なる通路412
が形成されている。そして、一方の弁アクチュエータ4
02は上記通路410と411との連通を開閉し、他方
の弁アクチュエータ403は通路412と411との連
通を開閉するようになっている。Each of these shutoff valves is constructed by attaching a valve actuator to the valve casing, and the two shutoff valves 3 and 6 on the upstream side of the gas flow controller 2 have a double structure. Yes, as shown in FIG. 6, two valve actuators 4 are provided on a single valve casing 401a.
02 and 403 are attached, and the filter 7 is further attached. To explain this, since the two valve actuators 402 and 403 may have the same structure,
Explaining one, the piston 406 is operated by the pressure introduced from the pressure inlet 405,
6 through the stem 407 to the metal diaphragm valve 4
It is structured to operate 08. The valve casing 401a to which the valve actuators 402 and 403 are attached is connected to the passage 410 connected to the inlet A (B, C) of the process gas flow line 13 and the passage 10 of the gas flow controller 2. The passage 411 and the passage 412 that is connected to the inlet E of the purge gas distribution line 14.
Are formed. And one valve actuator 4
02 opens and closes the communication between the passages 410 and 411, and the other valve actuator 403 opens and closes the communication between the passages 412 and 411.
【0016】上記弁ケ−シング401aの通路410に
は、フィルタ7が連結されている。フィルタ7は、フィ
ルタケーシング470の一端にプロセスガス流通ライン
13の流入口A(B,C)を形成するとともに他端にフ
ランジ部471を形成し、これらの途中にメタルフィル
タ472を収容したもので、上記他端のフランジ部47
1を介して弁ケ−シング401aに図示しないボルトに
より連結されている。なお、473はメタルOリングを
示す。The filter 7 is connected to the passage 410 of the valve casing 401a. The filter 7 has an inlet A (B, C) of the process gas flow line 13 formed at one end of a filter casing 470 and a flange portion 471 formed at the other end, and a metal filter 472 is housed in the middle thereof. , The flange portion 47 at the other end
It is connected to the valve casing 401a via a bolt (not shown). In addition, 473 shows a metal O-ring.
【0017】一方、ガスフローコントローラ2の下流側
にも2個の遮断弁4および6が設けられており、これら
も2連式であり、図7に示す構造をなしている。つま
り、単一の弁ケ−シング401bには、上記と同様の2
個の弁アクチュエータ422、423が取り付けられて
いる。この場合、弁アクチュエータ422、423が取
着される上記弁ケ−シング401bには、ガスフローコ
ントローラ2の流路10に連なる通路431、プロセス
ガス流通ライン14の流出口Fに連なる通路432なら
びに、パージガス流通ライン13の流出口Dに連なる通
路433が形成されている。そして、一方の弁アクチュ
エータ423は上記通路431と432との連通を開閉
し、他方の弁アクチュエータ422は通路431と43
3との連通を開閉するようになっている。On the other hand, two shutoff valves 4 and 6 are also provided on the downstream side of the gas flow controller 2, which are also of a double type and have the structure shown in FIG. In other words, a single valve casing 401b has the same 2
A number of valve actuators 422, 423 are attached. In this case, in the valve casing 401b to which the valve actuators 422 and 423 are attached, a passage 431 connected to the flow passage 10 of the gas flow controller 2, a passage 432 connected to the outlet F of the process gas distribution line 14, and A passage 433 is formed to communicate with the outlet D of the purge gas distribution line 13. One valve actuator 423 opens and closes the communication between the passages 431 and 432, and the other valve actuator 422 opens the passages 431 and 43.
The communication with 3 is opened and closed.
【0018】したがって、プロセスガス流通ライン13
…は、図6に示す弁ケ−シング401aと、図5に示す
台座8および図7に示す弁ケ−シング401bとを相互
に直結することにより、フィルタ7、遮断弁3、6、ガ
スフローコントローラ2および遮断弁4、6からなる各
単機能部材によって構成されるものであり、このプロセ
スガス流通ライン13…の組み立て構造は、図3の
(A)に概略的に示すようにユニット化されており、通
路構造は図7の(B)に示す構成となる。Therefore, the process gas distribution line 13
Is directly connected to the valve casing 401a shown in FIG. 6 and the pedestal 8 shown in FIG. 5 and the valve casing 401b shown in FIG. 7, so that the filter 7, the shut-off valves 3 and 6, the gas flow. The process gas distribution line 13 ... Is assembled into a unit as schematically shown in FIG. 3A, which is constituted by each single-function member including the controller 2 and the shutoff valves 4 and 6. Therefore, the passage structure has a configuration shown in FIG.
【0019】一方、パージガス流通ライン14のユニッ
トは、図8に示されており、フィルタ7、圧力センサ
5、遮断弁3、ガスフローコントローラ2、および遮断
弁4からなる。ガスフローコントローラ2は図4および
図5に示す構造と同一であってよい。このようなガスフ
ローコントローラ2の上流側に1個の遮断弁3とフィル
タ7および圧力センサ5が設けられ、これらは図9に示
す通り、弁ケ−シング501aに、弁アクチュエータ5
02とフィルタ7および圧力センサ5を付設して構成し
てある。弁アクチュエータ502およびフィルタ7は図
6に示す構造と同一であってよい。弁ケ−シング501
aには、パージガス流通ライン14の流入口Eに連なる
通路510およびガスフローコントローラ2の流路10
に連なる通路511ならびにプロセスガス流通ライン1
3のガスフローコントローラ2に連なる通路512が形
成されている。そして、上記弁アクチュエータ502は
上記通路510と511との連通を開閉する。上記通路
510には圧力センサ5が設けられており、この圧力セ
ンサ5は、詳図しないがダイアフラム式圧力センサ55
0を、弁ケ−シング501aにナット551により締め
付けて取着したものである。なお、552は締め付け時
にナット551の回転によりダイアフラム式圧力センサ
550が回転しないようにするスラスト軸受である。On the other hand, the unit of the purge gas flow line 14 is shown in FIG. 8, and comprises a filter 7, a pressure sensor 5, a shutoff valve 3, a gas flow controller 2 and a shutoff valve 4. The gas flow controller 2 may have the same structure as shown in FIGS. 4 and 5. One cutoff valve 3, a filter 7 and a pressure sensor 5 are provided on the upstream side of such a gas flow controller 2, and these are provided in a valve casing 501a and a valve actuator 5 as shown in FIG.
02, a filter 7 and a pressure sensor 5 are additionally provided. The valve actuator 502 and the filter 7 may have the same structure as shown in FIG. Valve casing 501
In a, a passage 510 communicating with the inlet E of the purge gas distribution line 14 and the flow passage 10 of the gas flow controller 2 are provided.
511 and process gas distribution line 1
A passage 512 communicating with the gas flow controller 2 of No. 3 is formed. Then, the valve actuator 502 opens and closes the communication between the passages 510 and 511. A pressure sensor 5 is provided in the passage 510, and the pressure sensor 5 is a diaphragm pressure sensor 55 (not shown).
0 is attached to the valve casing 501a by tightening it with a nut 551. 552 is a thrust bearing that prevents the diaphragm-type pressure sensor 550 from rotating due to the rotation of the nut 551 during tightening.
【0020】また、ガスフローコントローラ2の下流側
に設けられる1個の遮断弁4は図10に示すように、弁
ケ−シング501bに、上記と同様の弁アクチュエータ
502を取り付けら構成されている。弁ケ−シング50
1bには、ガスフローコントローラ2の流路10に連な
る通路522、パージガス流通ライン13の流出口Dに
連なる通路523が形成されている。そして、上記弁ア
クチュエータ502は上記通路522と523との連通
を開閉しするようになっている。Further, as shown in FIG. 10, one shutoff valve 4 provided on the downstream side of the gas flow controller 2 is constructed by attaching a valve actuator 502 similar to the above to a valve casing 501b. .. Valve casing 50
A passage 522 communicating with the flow passage 10 of the gas flow controller 2 and a passage 523 communicating with the outlet D of the purge gas distribution line 13 are formed in the 1b. The valve actuator 502 opens and closes the communication between the passages 522 and 523.
【0021】したがって、パージガス流通ライン14
は、図9に示す弁ケ−シング501aと、図4に示す台
座8および図10に示す弁ケ−シング501bとを相互
に直結することにより、フィルタ7、圧力センサ5、遮
断弁3、ガスフローコントローラ2および遮断弁4から
なる各単機能部材によって構成されている。Therefore, the purge gas distribution line 14
Is directly connected to the valve casing 501a shown in FIG. 9 and the pedestal 8 shown in FIG. 4 and the valve casing 501b shown in FIG. 10, so that the filter 7, the pressure sensor 5, the shutoff valve 3 and the gas are connected. The flow controller 2 and the shut-off valve 4 are used for each single-function member.
【0022】上記のように構成されたプロセスガス流通
ライン13…のユニット、およびパージガス流通ライン
14のユニットは、さらに第1,第2マニホルド17,
18により相互に連結されている。つまり、本実施例の
場合、図1に示す系統図において例示するように、一点
鎖線で区画したプロセスガス流通ライン13…およびパ
ージガス流通ライン14をそれぞれユニット化し、これ
らユニット部分ごとに個別に組立て、さらにこれらユニ
ットを同図(B)に例示するように第1,第2マニホル
ド17,18によって一体的に組立てることによって、
全体が一体構造をなしている。第1マニホルド17は、
図11に示す通り、前記弁ケーシング401aおよび5
01aに形成した通路412、512を相互に導通させ
る接続通路170を有している。また、第2マニホルド
18は、図12に示す通り、前記弁ケーシング401b
および501bに形成した通路432…と導通される通
路181、および通路433、523…と導通される通
路182を有している。The unit of the process gas distribution line 13 ... And the unit of the purge gas distribution line 14 configured as described above further include the first and second manifolds 17,
They are interconnected by 18. That is, in the case of the present embodiment, as illustrated in the system diagram shown in FIG. 1, the process gas distribution line 13 ... And the purge gas distribution line 14 partitioned by the alternate long and short dash line are each made into a unit, and these unit parts are individually assembled, Further, by integrally assembling these units by the first and second manifolds 17 and 18 as illustrated in FIG.
The entire structure is integral. The first manifold 17
As shown in FIG. 11, the valve casings 401a and 5a
There is a connection passage 170 for electrically connecting the passages 412, 512 formed in the wiring 01a. In addition, the second manifold 18 includes the valve casing 401b as shown in FIG.
, And a passage 181 formed in 501b and connected to passages 432, and a passage 182 formed in conduction with passages 433, 523, and so on.
【0023】このような構成において、各台座8…、弁
ケーシング401a、401b、501a、501bお
よび第1,第2マニホルド17,18の接続部には、メ
タルCリング、メタルOリング473…、メタルガスケ
ット等によるメタルシール(図示略)がそれぞれ設けら
れている。これらシール部材は通常のOリング等による
接続も可能であるが、高分子材料はガス放出量が多いの
で高純度ガス流通系には不適当である。さらに、各単機
能部を含む全流路には内面の表面粗さがRmax1.0μm
以下の表面(鏡面)仕上げが施されており、かつガス
が滞留するような袋小路が極小になるように構成されて
いる。また、ガスが接触する可能性のある部分はシール
部を含み全て金属材料から構成され、かつ適宜の表面処
理や精密洗浄などが施されている。また、微小粒子が発
生するような摺接部は最大限に排除されている。要すれ
ば、流路に対して乾燥O2 による熱酸化不動態化処理を
施してもよく、これにより微小流量時に放出ガスによる
ガス純度の低下が防止される。In this structure, the metal C ring, the metal O ring 473, and the metal are attached to the connecting portions of the bases 8 ... Metal seals (not shown) such as gaskets are provided respectively. Although these seal members can be connected by an ordinary O-ring or the like, polymer materials are not suitable for a high-purity gas flow system because they release a large amount of gas. Furthermore, the surface roughness of the inner surface is Rmax 1.0 μm in all the flow paths including each single function part.
The following surface (mirror surface) finish is applied, and it is configured so that the dead end where gas accumulates is minimized. Further, the part that may come into contact with gas is made of a metal material including the seal part, and is appropriately surface-treated or precision cleaned. Further, the sliding contact portion where fine particles are generated is eliminated to the maximum. If necessary, the flow path may be subjected to a thermal oxidation passivation treatment with dry O 2 , which prevents a decrease in gas purity due to the released gas at a minute flow rate.
【0024】上述のように構成された装置においては、
全ての単機能部材が一体的に直結されているから、単機
能部材相互間における配管および継手等が不要になり、
外形寸法が大幅に縮小し、第1の従来例に比べて1/5
以下となってコンパクトになる。また、シール部の数が
少くてすむから漏洩に対する信頼性が向上するととも
に、流路長の減少に伴い流路内面積が減少したことによ
り、不純ガスの放出量が減少し、ひいてはプロセスガス
純度の低下が防止される。しかも、配管および継手等の
間接的接続手段が不要になるから、単に調達コストばか
りでなく、これらに係る寸法合せ、接続、溶接、検査、
組立、洗浄等の作業が不要になるため製造コストも大幅
に低減される。In the device constructed as described above,
Since all single-function members are directly connected together, piping and joints between single-function members are unnecessary,
The external dimensions are greatly reduced, and it is 1/5 compared to the first conventional example.
It becomes compact as follows. In addition, since the number of seals is small and the reliability against leakage is improved, the area inside the flow path is reduced with the decrease in the flow path length, which reduces the amount of impure gas released, which in turn reduces the process gas purity. Is prevented. Moreover, since indirect connection means such as pipes and joints are unnecessary, not only the procurement cost but also dimensional matching, connection, welding, inspection,
Manufacturing costs are greatly reduced because the assembly and cleaning operations are unnecessary.
【0025】また、各マスフローコントローラ2は図2
に示す状態で、台座8から図示上方の部分が、弁ケーシ
ング401a、401bから外れて上方に向けて着脱で
きるようにしておけば、複数のマスフローコントローラ
2…が横方向に並べて立設されていても、いずれのマス
フローコントローラ2であっても1個のみを取り外すこ
とができ、保守性が大幅に向上し、分解、組み立てにお
ける作業性が向上する。Further, each mass flow controller 2 is shown in FIG.
In the state shown in FIG. 2, if the upper portion of the pedestal 8 in the drawing is detached from the valve casings 401a and 401b and can be attached and detached upward, a plurality of mass flow controllers 2 ... Stands side by side. However, only one of the mass flow controllers 2 can be removed, which greatly improves maintainability and improves workability in disassembly and assembly.
【0026】そして、このような場合のために、図13
ないし図16に例示する第2の実施例として記載したメ
ンテナンス適用形のマスフローコントローラ2aを構成
しておくと有効である。つまり、図4に示すマスフロー
コントローラ2をユニットから外した場合、流路10、
10を経て流量センサ201およびピエゾ圧電素子式コ
ントロール弁202に大気成分が侵入し、これを再びユ
ニットに組み込んだ場合、流路10、10に侵入した大
気成分の酸素た水分がプロセスガスと反応し、反応生成
物を発生させたり、腐蝕の原因になる。これを防止する
ため、図14の(C)図および図16に例示するメンテ
ナンス適用形のマスフローコントローラ2aは、台座8
bの流路10、10にそれぞれ前記遮断弁と同様な開閉
弁12、12を接続し、これら開閉弁12、12は弁ブ
ロック12a、12aに形成した変更流路11,11を
開閉するようになっている。変更通路11、11は弁ケ
ーシング401a、401bの通路411、431に接
続される。Then, for such a case, FIG.
It is effective to configure the maintenance application type mass flow controller 2a described as the second embodiment illustrated in FIG. That is, when the mass flow controller 2 shown in FIG. 4 is removed from the unit, the flow path 10,
When the atmospheric component enters the flow rate sensor 201 and the piezo-piezoelectric element type control valve 202 via 10 and is incorporated into the unit again, oxygen and moisture of the atmospheric component invading the flow paths 10 and 10 react with the process gas. , Generate reaction products and cause corrosion. In order to prevent this, the maintenance application type mass flow controller 2a illustrated in FIG.
On-off valves 12 and 12 similar to the shut-off valves are connected to the flow paths 10 and 10 of b, respectively, and these on-off valves 12 and 12 open and close the change flow paths 11 and 11 formed in the valve blocks 12a and 12a. Is becoming The change passages 11, 11 are connected to the passages 411, 431 of the valve casings 401a, 401b.
【0027】このようにすると、マスフローコントロー
ラ2aをユニットから取り外す場合に、開閉弁12、1
2を閉じて流路10、10を閉塞しておくことができ、
流量センサ201およびピエゾ圧電素子式コントロール
弁202に大気成分が侵入するのを阻止し、酸化や腐蝕
を防止することができる。With this configuration, when the mass flow controller 2a is removed from the unit, the opening / closing valves 12, 1
2 can be closed to close the flow paths 10 and 10,
It is possible to prevent atmospheric components from entering the flow rate sensor 201 and the piezo-piezoelectric element type control valve 202, and to prevent oxidation and corrosion.
【0028】なお、他のプロセスガス流通ライン13の
ガスフローコントローラ2は、図15に例示する台座8
aに取着されており、この台座8aには補助通路ブロッ
ク81a、81bが形成され、これら補助通路ブロック
81a、81bには変更流路11,11が形成されてい
るものである。The gas flow controller 2 of the other process gas distribution line 13 has a pedestal 8 illustrated in FIG.
The auxiliary passage blocks 81a and 81b are formed on the pedestal 8a, and the change passages 11 and 11 are formed on the auxiliary passage blocks 81a and 81b.
【0029】また、プロセスガス流通ライン13…およ
びパージガス流通ライン14が増減される場合は、これ
らユニットを増減すればよいから、ガス流通ラインの変
更が容易である。この場合、マニホルド17,18によ
る通路の増減も必要とするが、図17または図18に示
すように、各マニホルド17,18に補助マニホルド1
6を接続したりまたは取り外したり、あるいは小ブロッ
ク形のマニホルド15…を適宜必要に応じて連結して用
いるようにすればよい。なお、図17、図18におい
て、600は間隔調整用のシム、601はシール用のメ
タルOリングである。Further, when the process gas distribution lines 13 and the purge gas distribution lines 14 are increased or decreased, it is only necessary to increase or decrease these units, so that the gas distribution lines can be easily changed. In this case, although it is necessary to increase or decrease the passages by the manifolds 17 and 18, as shown in FIG. 17 or FIG. 18, the auxiliary manifold 1 is attached to each of the manifolds 17 and 18.
6 may be connected or disconnected, or small block type manifolds 15 may be appropriately connected and used. In FIGS. 17 and 18, reference numeral 600 is a gap adjusting shim, and 601 is a sealing metal O-ring.
【0030】このような構成においては、それぞれ所定
ガスを制御可能な基準的ライン13,14を個別にユニ
ットとして組立てるとともに、これらをマニホルド1
7,18の増減や変更によって連結するように構成する
ことができるので、使用されるガスの数に応じて基準的
制御ユニットの数を選択的に設定可能であり、それに対
応するマニホルド17,18,19を必要の都度準備す
ればよい。したがって、基準的制御部となるユニットを
予め見越し生産することができ、相異なる種々な要求に
も迅速に対応し得るからコスト的および納期的に有利で
ある。In such a configuration, the reference lines 13 and 14 capable of controlling a predetermined gas are individually assembled as a unit, and these are connected to the manifold 1.
The number of reference control units can be selectively set according to the number of gases used, and the manifolds 17 and 18 corresponding thereto can be configured to be connected by increasing or decreasing or changing the number of gas. , 19 should be prepared whenever necessary. Therefore, a unit serving as a standard control unit can be produced in anticipation in advance, and various different requirements can be promptly responded to, which is advantageous in terms of cost and delivery.
【0031】なお、上記実施例の場合、各単機能部材を
直接連結するようにしたが、本発明はこれに限らない。
つまり、本発明は、図19に示す第3の実施例のよう
に、各単機能部材をユニットブロック1を介して連通接
続するようにしてもよい。すなわち、ユニットブロック
1には上部に位置する4つのマスフローコントローラ2
(図20参照)、一側に位置する4つの遮断弁3、他側
に位置する4つの遮断弁4および1つの圧力センサ5、
下部に位置する6個の遮断弁6および4つのフィルタ7
がそれぞれ一体的に直結されている。マスフローコント
ローラ2は一体的に設けられた台座8cを介して主ブロ
ック1に対し個別に着脱し得るようになっている。これ
ら各単機能部2,3,4,5,6,7を相互に接続する
流路9は同図(B)および(C)に示すようにユニット
ブロック1に形設されており、図20に示すように、マ
スフローコントローラ2の台座8cに形成した流路10
はユニットブロック1の流路9に接続されている。In the above embodiment, the single function members are directly connected, but the present invention is not limited to this.
That is, in the present invention, each single-function member may be connected and connected via the unit block 1 as in the third embodiment shown in FIG. That is, the unit block 1 has four mass flow controllers 2 located at the top.
(See FIG. 20), four shutoff valves 3 located on one side, four shutoff valves 4 located on the other side, and one pressure sensor 5,
6 shutoff valves 6 and 4 filters 7 located at the bottom
Are directly connected to each other. The mass flow controller 2 can be individually attached to and detached from the main block 1 via a pedestal 8c provided integrally. The flow path 9 for connecting these single-function parts 2, 3, 4, 5, 6, 7 to each other is formed in the unit block 1 as shown in FIGS. As shown in FIG. 3, the flow path 10 formed on the pedestal 8 c of the mass flow controller 2
Is connected to the flow path 9 of the unit block 1.
【0032】上述のように構成された装置においては、
全ての単機能部がユニットブロック1に対して一体的に
直結されているから単機能部相互間における配管および
継手等が不要になり、外形寸法(cm)は長さLが14、幅
Wが20、高さHが27程度で、第1従来例に比べて約
1/5とコンパクトである。また、この場合も、シール
部の数が少くてすむから漏洩に対する信頼性が向上され
るとともに、流路長の減少に伴い流路内面積が減少した
ことによりガス放出量が減少し、ひいてはガス純度の低
下が防止される。しかも、配管および継手等の間接的接
続手段が不要になるから単に調達コストばかりでなく、
これらに係る寸法合せ、接続、溶接、検査、組立、洗浄
等の作業が不要になるため製造コストも大幅に低減され
る。In the device constructed as described above,
Since all the single function parts are directly connected to the unit block 1 integrally, pipes and joints between the single function parts are unnecessary, and the external dimensions (cm) are length L of 14 and width W of The height is 20 and the height H is about 27, which is about 1/5 of the first conventional example, which is compact. Also in this case, since the number of seals is small and reliability against leakage is improved, the amount of gas released is reduced due to the decrease in the flow path internal area with the decrease in the flow path length, which in turn reduces the amount of gas. The decrease in purity is prevented. Moreover, since indirect connection means such as pipes and joints are unnecessary, not only the procurement cost but also
Manufacturing costs are greatly reduced because the work of dimensional matching, connection, welding, inspection, assembly, cleaning, etc. relating to these becomes unnecessary.
【0033】なお、流路が複雑な場合、他部分と干渉す
るなど寸法上の制限がある場合などには、例えば図21
に示す第4の実施例のように、2つのユニットブロック
1aおよび1bを設けてもよい。このようにすると、シ
ール部の数が多くなるため外部漏洩の点で信頼性の低下
をもたらすこともあるが、流路構成によっては軽量化、
小形化などに役立つ。When the flow path is complicated, or when there is a dimensional limitation such as interference with other portions, for example, FIG.
Two unit blocks 1a and 1b may be provided as in the fourth embodiment shown in FIG. By doing so, the number of sealing parts increases, which may lead to a decrease in reliability in terms of external leakage, but depending on the flow path configuration, weight reduction,
Useful for miniaturization.
【0034】図22はさらに本発明の他の実施例を示
し、図25に示す系統図において一点鎖線で区画された
プロセスガス制御部fおよびパージガス制御部hに対応
している。これら両者の相違点は後述するリリーフ弁2
8の有無のみであるから、これを備えた後者について説
明し、前者の説明は省略する。パージガス制御部hは2
つのユニットブロック20,21を備えている。第1ブ
ロック20の正面側にはフィルタ22が、上側には減圧
弁23がそれぞれ直結されている。第1ブロック20の
背面側に連結される第2ブロック21の両側には接続端
24,25が、上側には一対の弁26が、下側には圧力
検知部27およびリリーフ弁28がそれぞれ直結されて
いる。リリーフ弁28の外部接続端は第2ブロック21
の背面側に設けられている。また、第1ブロック20と
第2ブロック21およびフィルタ22との各接続部には
メタルCリング、メタルOリング、メタルガスケット等
によるメタルシールがそれぞれ設けられている。その他
は図17に示す実施例におけると実質的に同等に構成さ
れている。なお、上記弁26は手動操作用となっている
が、オートパージシステムなどにするため必要な場合に
は、たとえば空気圧作動方式等に置換可能である。ま
た、要すれば各制御部f,hに、これらの上流側におけ
る弁29および圧力検出部30(図25参照)を含める
ことも可能である。このような図22に示す実施例にお
いても図19に示した実施例におけると実質的に同等な
作用、効果を奏し得ることは改めて説明するまでもな
い。FIG. 22 shows another embodiment of the present invention, which corresponds to the process gas control section f and the purge gas control section h which are sectioned by the one-dot chain line in the system diagram shown in FIG. The difference between the two is the relief valve 2 described later.
Since only the presence or absence of 8 is described, the latter equipped with this will be described, and the description of the former will be omitted. The purge gas control unit h is 2
It is provided with one unit block 20, 21. A filter 22 is directly connected to the front side of the first block 20, and a pressure reducing valve 23 is directly connected to the upper side thereof. Connection ends 24 and 25 are directly connected to both sides of the second block 21 connected to the back side of the first block 20, a pair of valves 26 is directly connected to the upper side, and a pressure detector 27 and a relief valve 28 are directly connected to the lower side. Has been done. The external connection end of the relief valve 28 is the second block 21.
Is provided on the back side of. Further, a metal seal such as a metal C ring, a metal O ring, and a metal gasket is provided at each connecting portion between the first block 20, the second block 21, and the filter 22. Others are substantially the same as those in the embodiment shown in FIG. Although the valve 26 is for manual operation, it can be replaced with, for example, a pneumatic operating system when necessary for an automatic purge system or the like. Further, if necessary, each of the control units f and h can include the valve 29 and the pressure detection unit 30 (see FIG. 25) on the upstream side thereof. Needless to say, it is possible to obtain substantially the same operation and effect as in the embodiment shown in FIG. 19 also in the embodiment shown in FIG.
【0035】[0035]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、3
種以上の単機能部材は、相互に直結、またはこれら単機
能部材と連通する流路を形設したブロックに連結される
ので、これら単機能部材を接続するために格別な配管、
継手等の間接的接続手段を設ける必要がなく、低コスト
で占有スペースが少なく、かつガス放出量の少ないガス
制御装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, 3
Since more than one kind of single-function member is directly connected to each other, or is connected to a block forming a flow path communicating with these single-function members, special piping for connecting these single-function members,
It is not necessary to provide an indirect connecting means such as a joint, and it is possible to provide a gas control device that is low in cost, occupies a small space, and emits a small amount of gas.
【図1】本発明の第1実施例を示し、半導体製造装置に
おけるガス制御装置を示す系統図。FIG. 1 is a system diagram showing a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同実施例のガス制御装置全体の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the entire gas control device of the same embodiment.
【図3】同実施例におけるプロセスガス流通ラインのユ
ニットを示し、(A)は斜視図、(B)は概略断面図。3A and 3B show a unit of a process gas distribution line in the embodiment, FIG. 3A is a perspective view and FIG. 3B is a schematic sectional view.
【図4】同実施例におけるガスフローコントローラを示
し、(A)は斜視図、(B)は概略断面図。4A and 4B show a gas flow controller in the embodiment, FIG. 4A being a perspective view and FIG. 4B being a schematic sectional view.
【図5】同実施例におけるガスフローコントローラの断
面図。FIG. 5 is a cross-sectional view of the gas flow controller in the same embodiment.
【図6】同実施例におけるプロセスガス流通ラインの上
流側遮断弁の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an upstream cutoff valve of a process gas distribution line in the same embodiment.
【図7】同実施例におけるプロセスガス流通ラインの下
流側遮断弁の断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a downstream cutoff valve of a process gas distribution line in the example.
【図8】同実施例におけるパージガス流通ラインのユニ
ットを示し、(A)は斜視図、(B)は概略断面図。FIG. 8 shows a unit of a purge gas distribution line in the embodiment, (A) is a perspective view and (B) is a schematic sectional view.
【図9】同実施例におけるパージガス流通ラインの上流
側遮断弁の断面図。FIG. 9 is a cross-sectional view of an upstream side shutoff valve of a purge gas distribution line in the example.
【図10】同実施例におけるパージガス流通ラインの下
流側遮断弁の断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view of a downstream cutoff valve of the purge gas distribution line according to the embodiment.
【図11】同実施例における第1のマニホルドを示し、
(A)は一部断面した斜視図、(B)は概略断面図。FIG. 11 shows a first manifold in the same embodiment,
(A) is a partially sectional perspective view, and (B) is a schematic sectional view.
【図12】同実施例における第2のマニホルドを示し、
(A)は一部断面した斜視図、(B)は概略断面図。FIG. 12 shows a second manifold in the same embodiment,
(A) is a partially sectional perspective view, and (B) is a schematic sectional view.
【図13】本発明の第2の実施例を示し、半導体製造装
置におけるガス制御装置を示す系統図。FIG. 13 is a system diagram showing a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【図14】同実施例の構成を示し、(A)はガス御装置
全体の斜視図、(B)および(C)は(A)のB−B線
およびC−C線に沿うそれぞれの概略断面図。FIG. 14 shows a configuration of the same embodiment, (A) is a perspective view of the entire gas control device, and (B) and (C) are schematic views taken along the lines BB and CC of (A). Sectional view.
【図15】同実施例のガスフローコントローラを示し、
(A)は斜視図、(B)は概略断面図。FIG. 15 shows a gas flow controller of the same embodiment,
(A) is a perspective view, (B) is a schematic sectional view.
【図16】同実施例のメンテナンス適用形ガスフローコ
ントローラを示し、(A)は斜視図、(B)は概略断面
図。16A and 16B show a maintenance-applied gas flow controller according to the same embodiment, in which FIG. 16A is a perspective view and FIG.
【図17】本発明のマニホルドの変形例を一部断面して
示す斜視図。FIG. 17 is a perspective view showing a modified example of the manifold of the present invention in a partial cross section.
【図18】本発明のさらにマニホルドの変形例を一部断
面して示す斜視図。FIG. 18 is a perspective view showing a modified example of the manifold of the present invention in a partial cross section.
【図19】本発明の第3実施例を示し、(A)は半導体
製造装置におけるガス制御装置の斜視図、(B)および
(C)は(A)のB−B線およびC−C線に沿うそれぞ
れの概略断面図。FIG. 19 shows a third embodiment of the present invention, (A) is a perspective view of a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus, (B) and (C) are lines BB and CC of (A). FIG.
【図20】同実施例のガスフローコントローラを示し、
(A)は斜視図、(B)は概略断面図。FIG. 20 shows a gas flow controller of the same embodiment,
(A) is a perspective view, (B) is a schematic sectional view.
【図21】本発明の第4実施例を示し、(A)は半導体
製造装置におけるガス制御装置の斜視図、(B)および
(C)は(A)のB−B線およびC−C線に沿うそれぞ
れの概略断面図。FIG. 21 shows a fourth embodiment of the present invention, (A) is a perspective view of a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus, (B) and (C) are lines BB and CC of (A). FIG.
【図22】本発明の第5実施例を示し、(A)は半導体
製造装置におけるガス制御装置斜視図、(B)は概略断
面図。22A and 22B show a fifth embodiment of the present invention, in which FIG. 22A is a perspective view of a gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus, and FIG.
【図23】半導体製造装置における代表的なガス制御装
置を例示する系統図。FIG. 23 is a system diagram illustrating a typical gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus.
【図24】同系統図に対応する第1従来例を示し、
(A)は上面図、(B)は正面図。FIG. 24 shows a first conventional example corresponding to the same system diagram,
(A) is a top view and (B) is a front view.
【図25】半導体製造装置における他の代表的なガス制
御装置を例示する系統図。FIG. 25 is a system diagram illustrating another typical gas control device in a semiconductor manufacturing apparatus.
【図26】同系統図に対応する第2従来例を示す正面
図。FIG. 26 is a front view showing a second conventional example corresponding to the system diagram.
【図27】遮断弁とガスフローコントローラとの複合体
の従来例を示し、(A)は上面図、(B)は正面図、
(C)は系統図。FIG. 27 shows a conventional example of a composite body of a shutoff valve and a gas flow controller, (A) is a top view, (B) is a front view,
(C) is a system diagram.
【図28】遮断弁とフィルタとの複合体の従来例を示
し、(A)は正面図、(B)は系統図。FIG. 28 shows a conventional example of a composite of a shutoff valve and a filter, (A) is a front view, and (B) is a system diagram.
【図29】遮断弁と圧力検出部との複合体の従来例を示
し、(A)は正面図、(B)は系統図。FIG. 29 shows a conventional example of a composite body of a shutoff valve and a pressure detection unit, (A) is a front view, and (B) is a system diagram.
1,1a,1b,20,21…ユニットブロック、2…
ガスフローコントローラ、3,4,6,26…遮断弁、
5,27…圧力検出部、7,22…フィルタ、9,10
…流路、8…台座、12…開閉弁、17、18…マニホ
ルド、23…減圧弁、28…リリーフ弁、401a、4
01b、501a、501b…弁ケーシング。1, 1a, 1b, 20, 21 ... Unit block, 2 ...
Gas flow controller, 3, 4, 6, 26 ... Shut-off valve,
5, 27 ... Pressure detector, 7, 22 ... Filter, 9, 10
... flow path, 8 ... pedestal, 12 ... open / close valve, 17, 18 ... manifold, 23 ... pressure reducing valve, 28 ... relief valve, 401a, 4
01b, 501a, 501b ... Valve casing.
Claims (8)
を設けたガス制御装置において、3種以上の単機能部材
を一体的に直結したことを特徴とするガス制御装置。1. A gas control device in which a plurality of single-function members are provided in a high-purity gas flow system, wherein three or more single-function members are directly connected integrally.
と、マスフローコントローラと、このマスフローコント
ローラの上流および下流に設けられた遮断弁とを有し、
これらの部材を一体的に直結して1つのガス制御ライン
を構成していることを特徴とする請求項1に記載のガス
制御装置2. The single-function member has at least a filter, a mass flow controller, and shutoff valves provided upstream and downstream of the mass flow controller,
The gas control device according to claim 1, wherein these members are directly connected integrally to form one gas control line.
び入口にそれぞれ開閉弁を備えていることを特徴とする
請求項2に記載のガス制御装置。3. The gas control device according to claim 2, wherein the mass flow controller is provided with an opening / closing valve at each of the outlet and the inlet.
は、表面粗さがRmax 1μm 以下の表面仕上を施したこ
とを特徴とする請求項1に記載のガス制御装置。4. The gas control device according to claim 1, wherein the inner surface of all the passages through which the high-purity gas flows has a surface roughness of Rmax 1 μm or less.
を設けたガス制御装置において、3種以上の単機能部材
は、これら単機能部材と連通する流路を形設したユニッ
トブロックに一体的に連結したことを特徴とするガス制
御装置。5. A gas control device in which a plurality of single-function members are provided in a high-purity gas flow system, wherein three or more kinds of single-function members are unit blocks in which flow paths communicating with these single-function members are formed. A gas control device characterized by being integrally connected.
と、マスフローコントローラと、このマスフローコント
ローラの上流および下流に設けられた遮断弁とを有し、
これらの部材と上記ユニットブロック内に形成した流路
とで1つのガス制御ラインを構成していることを特徴と
する請求項5に記載のガス制御装置。6. The single-function member has at least a filter, a mass flow controller, and shutoff valves provided upstream and downstream of the mass flow controller,
The gas control device according to claim 5, wherein one of the members and the flow path formed in the unit block constitutes one gas control line.
び入口にそれぞれ開閉弁を備えていることを特徴とする
請求項6に記載のガス制御装置。7. The gas control device according to claim 6, wherein the mass flow controller is provided with an opening / closing valve at each of the outlet and the inlet.
は、表面粗さがRmax 1μm 以下の表面仕上を施したこ
とを特徴とする請求項5記載のガス制御装置。8. The gas control device according to claim 5, wherein the inner surfaces of all the passages through which the high-purity gas flows have a surface roughness of Rmax 1 μm or less.
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2731080B2 (en) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0754896A3 (en) * | 1995-07-19 | 1997-12-03 | Fujikin Incorporated | Fluid controller |
| EP0844424A3 (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-03 | Tadahiro Ohmi | Shutoff-opening device |
| JPH11345027A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tadahiro Omi | Gas supply equipment with pressure type flow control device |
| SG79211A1 (en) * | 1996-01-05 | 2001-03-20 | Ckd Corp | Gas supply unit |
| US6209571B1 (en) | 1997-05-13 | 2001-04-03 | Ckd Corporation | Process gas supply unit |
| EP1260743A3 (en) * | 2001-05-23 | 2003-05-07 | Fujikin Incorporated | Fluid control apparatus |
| KR100498533B1 (en) * | 1996-06-25 | 2005-11-08 | 가부시키가이샤 후지킨 | Shutoff-opening device and fluid control apparatus comprising such devices |
| WO2007055370A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Ham-Let Motoyama Japan Ltd. | Fluid control unit, pressure control valve, and pressure control method |
| KR100622954B1 (en) * | 1997-10-13 | 2007-06-07 | 다다히로 오미 | Fluid control apparatus |
| JP2009525870A (en) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | エンテグリース,インコーポレイテッド | Thin surface mount filter |
| JP2009199432A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Advance Denki Kogyo Kk | Switching control method and switching control device for fluid |
| WO2010038344A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas supply device |
| JP2011012723A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ckd Corp | Gas supply device |
| US7874316B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-01-25 | Ckd Corporation | Purge gas unit and purge gas supply integrated unit |
| JP2012229807A (en) * | 2006-08-23 | 2012-11-22 | Horiba Stec Co Ltd | Integrated type gas panel apparatus |
| JP2013231460A (en) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Fujikin Inc | Fluid control device |
| KR20140053397A (en) | 2011-09-30 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 후지킨 | Gas supply device |
| US8979137B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-03-17 | Ihara Science Corporation | Coupling ring |
| KR20150082624A (en) | 2013-03-26 | 2015-07-15 | 가부시키가이샤 후지킨 | Flow rate control valve for flow rate control device |
| JP2016014483A (en) * | 2015-10-29 | 2016-01-28 | 株式会社堀場エステック | Fluid mechanism, and bearing member constituting said fluid mechanism |
| US9471065B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-10-18 | Fujikin Incorporated | Integrated type gas supplying apparatus |
| US9766634B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-09-19 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system |
| KR20200141309A (en) * | 2019-06-10 | 2020-12-18 | (주)티티에스 | Valve assembly |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616076U (en) * | 1984-06-16 | 1986-01-14 | 東横化学株式会社 | Composite air valve for semiconductor equipment |
| JPS6311552A (en) * | 1986-03-25 | 1988-01-19 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Manufacturing method for combined products |
| JPS6445068U (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | ||
| JPH0445712A (en) * | 1990-06-08 | 1992-02-14 | Iseki & Co Ltd | Harvester of ball vegetable |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP4135266A patent/JP2731080B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS616076U (en) * | 1984-06-16 | 1986-01-14 | 東横化学株式会社 | Composite air valve for semiconductor equipment |
| JPS6311552A (en) * | 1986-03-25 | 1988-01-19 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Manufacturing method for combined products |
| JPS6445068U (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | ||
| JPH0445712A (en) * | 1990-06-08 | 1992-02-14 | Iseki & Co Ltd | Harvester of ball vegetable |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5771919A (en) * | 1995-07-19 | 1998-06-30 | Fujikin Incorporated | Fluid controller |
| EP0754896A3 (en) * | 1995-07-19 | 1997-12-03 | Fujikin Incorporated | Fluid controller |
| SG79211A1 (en) * | 1996-01-05 | 2001-03-20 | Ckd Corp | Gas supply unit |
| KR100498533B1 (en) * | 1996-06-25 | 2005-11-08 | 가부시키가이샤 후지킨 | Shutoff-opening device and fluid control apparatus comprising such devices |
| EP0844424A3 (en) * | 1996-11-20 | 1998-06-03 | Tadahiro Ohmi | Shutoff-opening device |
| US5988217A (en) * | 1996-11-20 | 1999-11-23 | Tadahiro Ohmi | Shutoff-opening device |
| US6209571B1 (en) | 1997-05-13 | 2001-04-03 | Ckd Corporation | Process gas supply unit |
| KR100622954B1 (en) * | 1997-10-13 | 2007-06-07 | 다다히로 오미 | Fluid control apparatus |
| JPH11345027A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tadahiro Omi | Gas supply equipment with pressure type flow control device |
| US6868867B2 (en) | 2001-05-23 | 2005-03-22 | Fujikin Incorporated | Fluid control apparatus |
| EP1260743A3 (en) * | 2001-05-23 | 2003-05-07 | Fujikin Incorporated | Fluid control apparatus |
| WO2007055370A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-18 | Ham-Let Motoyama Japan Ltd. | Fluid control unit, pressure control valve, and pressure control method |
| JP2007133829A (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Hamlet Motoyama Japan:Kk | Fluid control apparatus, pressure regulating valve and control method |
| JP2009525870A (en) * | 2006-02-10 | 2009-07-16 | エンテグリース,インコーポレイテッド | Thin surface mount filter |
| US7874316B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-01-25 | Ckd Corporation | Purge gas unit and purge gas supply integrated unit |
| US8820360B2 (en) | 2006-08-23 | 2014-09-02 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Integrated gas panel apparatus |
| JP2012229807A (en) * | 2006-08-23 | 2012-11-22 | Horiba Stec Co Ltd | Integrated type gas panel apparatus |
| JP2009199432A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Advance Denki Kogyo Kk | Switching control method and switching control device for fluid |
| WO2010038344A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas supply device |
| JP2011012723A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Ckd Corp | Gas supply device |
| US8979137B2 (en) | 2009-11-30 | 2015-03-17 | Ihara Science Corporation | Coupling ring |
| KR20140053397A (en) | 2011-09-30 | 2014-05-07 | 가부시키가이샤 후지킨 | Gas supply device |
| US9556966B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-01-31 | Fujikin Incorporated | Gas supplying apparatus |
| US9766634B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-09-19 | Horiba Stec, Co., Ltd. | Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system |
| JP2013231460A (en) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Fujikin Inc | Fluid control device |
| KR20150000498A (en) * | 2012-04-27 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 후지킨 | Fluid control device |
| US9850920B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-12-26 | Fujikin Incorporated | Fluid control apparatus |
| US9471065B2 (en) | 2012-11-02 | 2016-10-18 | Fujikin Incorporated | Integrated type gas supplying apparatus |
| KR20150082624A (en) | 2013-03-26 | 2015-07-15 | 가부시키가이샤 후지킨 | Flow rate control valve for flow rate control device |
| US9625047B2 (en) | 2013-03-26 | 2017-04-18 | Fujikin Incorporated | Flow control valve for flow controller |
| JP2016014483A (en) * | 2015-10-29 | 2016-01-28 | 株式会社堀場エステック | Fluid mechanism, and bearing member constituting said fluid mechanism |
| KR20200141309A (en) * | 2019-06-10 | 2020-12-18 | (주)티티에스 | Valve assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2731080B2 (en) | 1998-03-25 |
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