JPH05173216A - ２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置 - Google Patents
２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置Info
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- JPH05173216A JPH05173216A JP3355112A JP35511291A JPH05173216A JP H05173216 A JPH05173216 A JP H05173216A JP 3355112 A JP3355112 A JP 3355112A JP 35511291 A JP35511291 A JP 35511291A JP H05173216 A JPH05173216 A JP H05173216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力ビームが２つに分かれる事なく、そのエ
ネルギーを有効に使用する事を可能にした固体レーザ素
子を提供すると共に、この固体レーザ素子を用いた、第
２高調波発生装置を提供する。 【構成】 ＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶を基板とし、
該基板の上面に屈折率が１．８５〜１．８８であり、膜
厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ2 膜が蒸着さ
れ、該ＨｆＯ2 膜の上面には屈折率が１．４３〜１．４
５であり、膜厚が０．０７〜０．１２μｍであるＳｉＯ
2 膜が蒸着され、該ＳｉＯ2 膜の上面には屈折率が１．
８５〜１．８８であり、膜厚が０．１０〜０．１３μｍ
であるＨｆＯ2 膜が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜の上面には
屈折率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜
０．２６μｍであるＳｉＯ2 膜が蒸着されている２波長
反射防止膜付固体レーザ素子と、この２波長反射防止膜
付固体レーザ素子を用いた第２高調波発生装置。
ネルギーを有効に使用する事を可能にした固体レーザ素
子を提供すると共に、この固体レーザ素子を用いた、第
２高調波発生装置を提供する。 【構成】 ＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶を基板とし、
該基板の上面に屈折率が１．８５〜１．８８であり、膜
厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ2 膜が蒸着さ
れ、該ＨｆＯ2 膜の上面には屈折率が１．４３〜１．４
５であり、膜厚が０．０７〜０．１２μｍであるＳｉＯ
2 膜が蒸着され、該ＳｉＯ2 膜の上面には屈折率が１．
８５〜１．８８であり、膜厚が０．１０〜０．１３μｍ
であるＨｆＯ2 膜が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜の上面には
屈折率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜
０．２６μｍであるＳｉＯ2 膜が蒸着されている２波長
反射防止膜付固体レーザ素子と、この２波長反射防止膜
付固体レーザ素子を用いた第２高調波発生装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体励起による第２高
調波発生用の固体レーザ素子と、この素子を用いた第２
高調波発生装置に関する。
調波発生用の固体レーザ素子と、この素子を用いた第２
高調波発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体励起による第２高調波は高密度記
録媒体である光ディスクの記録並びに再生に利用されて
居り、この場合の装置は図３に示す如く、半導体レーザ
発振部１、集光レンズ２、固体レーザ素子３、第２高調
波発生素子４、出力鏡５が光軸を揃えて記載の順に配置
された構成となって居ると共に、固体レーザ素子３の第
２高調波発生素子４側には、その屈折率が基本波に対し
ては１．４３であり、第２高調波に対しては１．４５で
あるＳｉＯ2 の単層反射防止膜６が施されて居ると共
に、固体レーザ素子３の集光レンズ側には基本波、第２
高調波の両者に対する高反射能を示す光学薄膜７が施さ
れ、さらに、第２高調波発生素子４の光路の両側には基
本波、第２高調波の両者に対する０．５％以下の反射率
を示す光学薄膜８、８が、出力鏡５の第２高調波発生素
子４側には基本波に対する高反射能を示す光学薄膜９
が、夫々施された装置が用いられていた。
録媒体である光ディスクの記録並びに再生に利用されて
居り、この場合の装置は図３に示す如く、半導体レーザ
発振部１、集光レンズ２、固体レーザ素子３、第２高調
波発生素子４、出力鏡５が光軸を揃えて記載の順に配置
された構成となって居ると共に、固体レーザ素子３の第
２高調波発生素子４側には、その屈折率が基本波に対し
ては１．４３であり、第２高調波に対しては１．４５で
あるＳｉＯ2 の単層反射防止膜６が施されて居ると共
に、固体レーザ素子３の集光レンズ側には基本波、第２
高調波の両者に対する高反射能を示す光学薄膜７が施さ
れ、さらに、第２高調波発生素子４の光路の両側には基
本波、第２高調波の両者に対する０．５％以下の反射率
を示す光学薄膜８、８が、出力鏡５の第２高調波発生素
子４側には基本波に対する高反射能を示す光学薄膜９
が、夫々施された装置が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、ＳｉＯ2
の単層反射防止膜６が施された固体レーザ素子４を用い
て、半導体励起による第２高調波発生装置を構成した場
合、本来は、基本波の光路と第２高調波の光路とが一致
する様に充分に光軸が調整されていなければならないの
であるが、実際には両光路の間には微小なズレが発生す
る事は避けられず、結果的に、ＳｉＯ2 の単層反射防止
膜６を設けた面での第２高調波の残留反射により出力ビ
ームが２つに分かれる様になる。
の単層反射防止膜６が施された固体レーザ素子４を用い
て、半導体励起による第２高調波発生装置を構成した場
合、本来は、基本波の光路と第２高調波の光路とが一致
する様に充分に光軸が調整されていなければならないの
であるが、実際には両光路の間には微小なズレが発生す
る事は避けられず、結果的に、ＳｉＯ2 の単層反射防止
膜６を設けた面での第２高調波の残留反射により出力ビ
ームが２つに分かれる様になる。
【０００４】この様にして、出力ビームが２つに分かれ
るとレーザの強度が分散してしまう結果となり、そのエ
ネルギーを有効に使用する事を難儀なものとする。
るとレーザの強度が分散してしまう結果となり、そのエ
ネルギーを有効に使用する事を難儀なものとする。
【０００５】本発明は、上記の様に出力ビームが２つに
分かれる事なく、そのエネルギーを有効に使用する事を
可能にした固体レーザ素子を提供すると共に、この固体
レーザ素子を用いた、第２高調波発生装置を提供する事
を目的とする。
分かれる事なく、そのエネルギーを有効に使用する事を
可能にした固体レーザ素子を提供すると共に、この固体
レーザ素子を用いた、第２高調波発生装置を提供する事
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決する為に鋭意研究を重ねた結果、基本波の波長
を１．０６４μｍ，第２高調波の波長を０．５３２μｍ
とし，半導体レーザ発振部１、集光レンズ２、固体レー
ザ素子３ａ、第２高調波発生素子４、出力鏡５が光軸１
０を揃えて記載の順に配置された装置において、固体レ
ーザ素子３ａとしてＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶３１
を基板とし、該基板の上面に屈折率が１．８５〜１．８
８であり、膜厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ
2 膜１３が蒸着され、該ＨｆＯ2膜１３の上面には屈折
率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．０７〜０．
１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４が蒸着され、該ＳｉＯ2
膜１４の上面には屈折率が１．８５〜１．８８であり、
膜厚が０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１５が
蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１５の上面には屈折率が１．４
３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜０．２６μｍで
あるＳｉＯ2 膜１６が蒸着されている２波長反射防止膜
付固体レーザ素子３ａを用い、しかも、この固体レーザ
素子３ａの集光レンズ２側には基本波と第２高調波の両
者に対する高反射能を示す光学薄膜７を、固体レーザ素
子の第２高調波発生素子側には基本波と第２高調波の両
者に対する０．５％以下の反射率を示す光学薄膜として
設けられた上記の２波長反射防止膜２６を、第２高調波
発生素子４の両側に基本波と第２高調波の両者に対する
０．５％以下の反射率を示す光学薄膜８を、出力鏡５の
第２高調波発生素子４側に基本波に対する高反射能を示
す光学薄膜９をという様に、夫々の膜を夫々の構成体に
設けた第２高調波発生装置を利用する事により、既述の
課題が解決される事を見出だし、本発明に至ったもので
ある。
題を解決する為に鋭意研究を重ねた結果、基本波の波長
を１．０６４μｍ，第２高調波の波長を０．５３２μｍ
とし，半導体レーザ発振部１、集光レンズ２、固体レー
ザ素子３ａ、第２高調波発生素子４、出力鏡５が光軸１
０を揃えて記載の順に配置された装置において、固体レ
ーザ素子３ａとしてＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶３１
を基板とし、該基板の上面に屈折率が１．８５〜１．８
８であり、膜厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ
2 膜１３が蒸着され、該ＨｆＯ2膜１３の上面には屈折
率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．０７〜０．
１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４が蒸着され、該ＳｉＯ2
膜１４の上面には屈折率が１．８５〜１．８８であり、
膜厚が０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１５が
蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１５の上面には屈折率が１．４
３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜０．２６μｍで
あるＳｉＯ2 膜１６が蒸着されている２波長反射防止膜
付固体レーザ素子３ａを用い、しかも、この固体レーザ
素子３ａの集光レンズ２側には基本波と第２高調波の両
者に対する高反射能を示す光学薄膜７を、固体レーザ素
子の第２高調波発生素子側には基本波と第２高調波の両
者に対する０．５％以下の反射率を示す光学薄膜として
設けられた上記の２波長反射防止膜２６を、第２高調波
発生素子４の両側に基本波と第２高調波の両者に対する
０．５％以下の反射率を示す光学薄膜８を、出力鏡５の
第２高調波発生素子４側に基本波に対する高反射能を示
す光学薄膜９をという様に、夫々の膜を夫々の構成体に
設けた第２高調波発生装置を利用する事により、既述の
課題が解決される事を見出だし、本発明に至ったもので
ある。
【０００７】
【作用】本発明に於いて、固体レーザ素子３ａとして、
光路面の一端に、ＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶３１を
基板とし、該基板３１の上面に屈折率が１．８５〜１．
８８であり、膜厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆ
Ｏ2 膜１３が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１３の上面には屈
折率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．０７〜
０．１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４が蒸着され、該Ｓｉ
Ｏ2 膜１４の上面には屈折率が１．８５〜１．８８であ
り、膜厚が０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１
５が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１５の上面には屈折率が
１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜０．２６
μｍであるＳｉＯ2 膜１６が蒸着されている２波長反射
防止膜付固体レーザ素子３ａを用いたのは、２波長反射
防止膜として先ず多層膜でなければならず、しかも、基
本波と第２高調波との透過時に構成膜がこれら両者の出
力を阻害する様であると肝心の第２高調波の出力が低下
してしまう事から、基本波と第２高調波との両波に対し
て共に吸収度が低く、散乱度の低い蒸着膜であるＳｉＯ
2 膜とＨｆＯ2 膜とを選出し、さらに、基本波のエネル
ギー損失をより小さくするために２波長反射防止膜の膜
数を極力少なくする事が好ましいところから、２波長反
射防止膜の構成は、２波長反射防止効力の発揮される限
界内で少い数の４層を採る事としたものであり、また、
ＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜との膜厚を基板側より膜厚が
０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ2 膜１３、膜厚が
０．０７〜０．１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４、膜厚が
０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１５、膜厚が
０．２１〜０．２６μｍであるＳｉＯ2 膜１６と記載の
順に重ねて蒸着したのは、基本波と第２高調波との両波
に対する反射率が０．１％以下になる様に設計して、結
果的にエネルギーの高い第２高調波を得る為のものであ
る。
光路面の一端に、ＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶３１を
基板とし、該基板３１の上面に屈折率が１．８５〜１．
８８であり、膜厚が０．１９〜０．２２μｍであるＨｆ
Ｏ2 膜１３が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１３の上面には屈
折率が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．０７〜
０．１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４が蒸着され、該Ｓｉ
Ｏ2 膜１４の上面には屈折率が１．８５〜１．８８であ
り、膜厚が０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１
５が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜１５の上面には屈折率が
１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．２１〜０．２６
μｍであるＳｉＯ2 膜１６が蒸着されている２波長反射
防止膜付固体レーザ素子３ａを用いたのは、２波長反射
防止膜として先ず多層膜でなければならず、しかも、基
本波と第２高調波との透過時に構成膜がこれら両者の出
力を阻害する様であると肝心の第２高調波の出力が低下
してしまう事から、基本波と第２高調波との両波に対し
て共に吸収度が低く、散乱度の低い蒸着膜であるＳｉＯ
2 膜とＨｆＯ2 膜とを選出し、さらに、基本波のエネル
ギー損失をより小さくするために２波長反射防止膜の膜
数を極力少なくする事が好ましいところから、２波長反
射防止膜の構成は、２波長反射防止効力の発揮される限
界内で少い数の４層を採る事としたものであり、また、
ＳｉＯ2 膜とＨｆＯ2 膜との膜厚を基板側より膜厚が
０．１９〜０．２２μｍであるＨｆＯ2 膜１３、膜厚が
０．０７〜０．１２μｍであるＳｉＯ2 膜１４、膜厚が
０．１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜１５、膜厚が
０．２１〜０．２６μｍであるＳｉＯ2 膜１６と記載の
順に重ねて蒸着したのは、基本波と第２高調波との両波
に対する反射率が０．１％以下になる様に設計して、結
果的にエネルギーの高い第２高調波を得る為のものであ
る。
【０００８】本発明で、固体レーザー素子３ａの第２高
調波発生素子４側に２波長反射防止膜を設けたのは、固
体レーザー素子３ａの第２高調波発生素子４側に２波長
反射防止膜を設ける事によって、固体レーザー素子３ａ
の第２高調波発生素子４側光路面での基本波の損失と、
発生した第２高調波の反射による損失を極力少なくし
て、最終的に得られる第２高調波の出力を高める為のも
のである。
調波発生素子４側に２波長反射防止膜を設けたのは、固
体レーザー素子３ａの第２高調波発生素子４側に２波長
反射防止膜を設ける事によって、固体レーザー素子３ａ
の第２高調波発生素子４側光路面での基本波の損失と、
発生した第２高調波の反射による損失を極力少なくし
て、最終的に得られる第２高調波の出力を高める為のも
のである。
【０００９】本発明で、固体レーザー素子３ａにＮｄを
ドープしたＹＶＯ4を、第２高調波発生素子４にＫＴＰ
を夫々用いたのは、ＫＴＰが大きな非線形光学定数を持
つと共に、レーザ損傷しきい値が高く、化学的にも安定
であって、第２高調波発生素子４としてとは最も理想的
であるとされる為であり、さらに、ＫＴＰを用いて基本
波を効率良く第２高調波に変換させる為にはＫＴＰのａ
軸から４５度傾いた偏光方向の基本波を入射させる必要
があるところから、ＫＴＰと組み合わせる固体レーザ素
子３１には直線偏光レーザ素子が望ましいところ、Ｎｄ
をドープしたＹＶＯ4 は１軸性結晶であって、ブリュー
スター板等の偏光選択デバイスを用いなくても直線偏光
レーザが得られるところから選出されたものである。
ドープしたＹＶＯ4を、第２高調波発生素子４にＫＴＰ
を夫々用いたのは、ＫＴＰが大きな非線形光学定数を持
つと共に、レーザ損傷しきい値が高く、化学的にも安定
であって、第２高調波発生素子４としてとは最も理想的
であるとされる為であり、さらに、ＫＴＰを用いて基本
波を効率良く第２高調波に変換させる為にはＫＴＰのａ
軸から４５度傾いた偏光方向の基本波を入射させる必要
があるところから、ＫＴＰと組み合わせる固体レーザ素
子３１には直線偏光レーザ素子が望ましいところ、Ｎｄ
をドープしたＹＶＯ4 は１軸性結晶であって、ブリュー
スター板等の偏光選択デバイスを用いなくても直線偏光
レーザが得られるところから選出されたものである。
【００１０】
【実施例】基本波の波長を１．０６４μｍとし、第２高
調波の波長を０．５３２μｍとする固体レーザ素子３ａ
と第２高調波発振器４とを含み、半導体レーザ発振部
１、集光レンズ２、固体レーザ素子３ａ、第２高調波発
生素子４、出力鏡５が光軸を揃えて記載の順に配置され
た装置にあって、固体レーザ素子３ａとしてＮｄをドー
プしたＹＶＯ4 結晶から幅が３ｍｍ，長さが３ｍｍ，厚
さが１ｍｍであって、結晶のａ軸に垂直な面を含む様に
して切り出された結晶素子３１の、ａ軸に垂直で相対す
る面の双方の面を光学的に平滑である様に研磨した後、
先ず、上記の研磨面の一方に屈折率が１．８７であり、
膜厚が０．２０μｍであるＨｆＯ2 膜１３を蒸着し、該
ＨｆＯ2 膜１３の上面には屈折率が１．４４であり、膜
厚が０．９５μｍであるＳｉＯ2 膜１４を蒸着し、該Ｓ
ｉＯ2 膜１４の上面には屈折率が１．８６であり、膜厚
が０．１１μｍであるＨｆＯ2 膜１５を蒸着し、該Ｈｆ
Ｏ2 膜１５の上面には屈折率が１．４４であり、膜厚が
０．２３μｍであるＳｉＯ2 膜１６を蒸着して、基本波
と第２高調波との２波長に対する反射防止機能を有する
光学薄膜２６を施し、自記分光光度計を用いて光学薄膜
２６を施した状態でのＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶の
反射率を測定したところ、基本波と第２高調波との夫々
に対する反射率が何れも０．１％を下回る数値を示し
た。
調波の波長を０．５３２μｍとする固体レーザ素子３ａ
と第２高調波発振器４とを含み、半導体レーザ発振部
１、集光レンズ２、固体レーザ素子３ａ、第２高調波発
生素子４、出力鏡５が光軸を揃えて記載の順に配置され
た装置にあって、固体レーザ素子３ａとしてＮｄをドー
プしたＹＶＯ4 結晶から幅が３ｍｍ，長さが３ｍｍ，厚
さが１ｍｍであって、結晶のａ軸に垂直な面を含む様に
して切り出された結晶素子３１の、ａ軸に垂直で相対す
る面の双方の面を光学的に平滑である様に研磨した後、
先ず、上記の研磨面の一方に屈折率が１．８７であり、
膜厚が０．２０μｍであるＨｆＯ2 膜１３を蒸着し、該
ＨｆＯ2 膜１３の上面には屈折率が１．４４であり、膜
厚が０．９５μｍであるＳｉＯ2 膜１４を蒸着し、該Ｓ
ｉＯ2 膜１４の上面には屈折率が１．８６であり、膜厚
が０．１１μｍであるＨｆＯ2 膜１５を蒸着し、該Ｈｆ
Ｏ2 膜１５の上面には屈折率が１．４４であり、膜厚が
０．２３μｍであるＳｉＯ2 膜１６を蒸着して、基本波
と第２高調波との２波長に対する反射防止機能を有する
光学薄膜２６を施し、自記分光光度計を用いて光学薄膜
２６を施した状態でのＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶の
反射率を測定したところ、基本波と第２高調波との夫々
に対する反射率が何れも０．１％を下回る数値を示し
た。
【００１１】次いで、上記の基本波と第２高調波との２
波長に対する反射防止機能を有する光学薄膜２６をその
一面に施したＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶にあって、
光学薄膜２６を設けた面と相対する面へは基本波と第２
高調波との２波長に対する高反射能を有する光学薄膜７
を施して２波長反射防止膜付固体レーザ素子３ａを作成
し、さらに、上記の様にして施された２波長反射防止膜
を第２高調波発生素子４側にして構成した第２高調波発
振器４によれば、出力鏡５から出射されて来る第２高調
波が２つのビームに分かれる事なく、基本波のπ偏光に
対する反射率が０．１％であり、第２高調波のランダム
偏光に対する反射率が１２．９％であった従来の装置を
用いた場合に比較して、上記の如き本発明の実施例によ
ると基本波と第２高調波との両者に対して何れも０．１
％以下の反射率しか検出されず、その反射防止機能の極
めて優れている事が明らかにされた。
波長に対する反射防止機能を有する光学薄膜２６をその
一面に施したＮｄをドープしたＹＶＯ4 結晶にあって、
光学薄膜２６を設けた面と相対する面へは基本波と第２
高調波との２波長に対する高反射能を有する光学薄膜７
を施して２波長反射防止膜付固体レーザ素子３ａを作成
し、さらに、上記の様にして施された２波長反射防止膜
を第２高調波発生素子４側にして構成した第２高調波発
振器４によれば、出力鏡５から出射されて来る第２高調
波が２つのビームに分かれる事なく、基本波のπ偏光に
対する反射率が０．１％であり、第２高調波のランダム
偏光に対する反射率が１２．９％であった従来の装置を
用いた場合に比較して、上記の如き本発明の実施例によ
ると基本波と第２高調波との両者に対して何れも０．１
％以下の反射率しか検出されず、その反射防止機能の極
めて優れている事が明らかにされた。
【００１２】また、本発明による２波長反射防止膜２６
を施した固体レーザ素子３ａを用いた場合のビームの出
力は第２高調波として４５ｍＷを示し、従来方法に因る
基本波のみに対する反射防止膜６を施した固体レーザ素
子３を用いた場合の第２高調波として得られた４０ｍＷ
と比較すると、この間，実に１３％を超える改善が為さ
れた。
を施した固体レーザ素子３ａを用いた場合のビームの出
力は第２高調波として４５ｍＷを示し、従来方法に因る
基本波のみに対する反射防止膜６を施した固体レーザ素
子３を用いた場合の第２高調波として得られた４０ｍＷ
と比較すると、この間，実に１３％を超える改善が為さ
れた。
【００１３】
【発明の効果】上記の如く、本発明に因るときは、出力
鏡から出射される第２高調波にビームの分割現象が認め
られず、より高いエネルギーの第２高調波を安易に利用
する事が可能になった事から、斯る装置を利用する業界
に寄与するところ大なるものがある。
鏡から出射される第２高調波にビームの分割現象が認め
られず、より高いエネルギーの第２高調波を安易に利用
する事が可能になった事から、斯る装置を利用する業界
に寄与するところ大なるものがある。
【図１】本発明実施例になる２波長反射防止膜付固体レ
ーザ素子の構成断面図。
ーザ素子の構成断面図。
【図２】本発明実施例になる第２高調波発振機の構成概
要図。
要図。
【図３】従来例になる単波長反射防止膜付固体レーザ素
子の構成断面図。
子の構成断面図。
【図４】従来例になる第２高調波発振機の構成概要図。
１：半導体レーザ。 ２：集光レンズ。 ３：固体レーザ素子。 ３ａ：２波長反射防止膜付固体レーザ素子。 ４：第２高調波発生素子。 ５：出力鏡。 ６：単波長反射防止ＳｉＯ2 膜。 ７：基本波と第２高調波の全反射光学薄膜。 ８：反射率０．５％以下の光学薄膜。 ９：基本波の全反射光学薄膜。 １０：光軸。 １３：ＨｆＯ2 蒸着膜。 １４：ＳｉＯ2 蒸着膜。 １５：ＨｆＯ2 蒸着膜。 １６：ＳｉＯ2 蒸着膜。 ３１：ＮｄドープＹＶＯ4 結晶。 ４１：ＫＴＰ結晶。
Claims (3)
- 【請求項１】 基本波の波長を１．０６４μｍとし、第
２高調波の波長を０．５３２μｍとする２波長反射防止
膜付固体レーザ素子であって、ＮｄをドープしたＹＶＯ
4 結晶を基板とし、該基板の上面に屈折率が１．８５〜
１．８８であり、膜厚が０．１９〜０．２２μｍである
ＨｆＯ2 膜が蒸着され、該ＨｆＯ2 膜の上面には屈折率
が１．４３〜１．４５であり、膜厚が０．０７〜０．１
２μｍであるＳｉＯ2 膜が蒸着され、該ＳｉＯ2 膜の上
面には屈折率が１．８５〜１．８８であり、膜厚が０．
１０〜０．１３μｍであるＨｆＯ2 膜が蒸着され、該Ｈ
ｆＯ2 膜の上面には屈折率が１．４３〜１．４５であ
り、膜厚が０．２１〜０．２６μｍであるＳｉＯ2 膜が
蒸着されている事を特徴とする２波長反射防止膜付固体
レーザ素子。 - 【請求項２】 基本波の波長を１．０６４μｍとし、第
２高調波の波長を０．５３２μｍとする第２高調波発生
装置であって、半導体レーザ発振部、集光レンズ、固体
レーザ素子、第２高調波発生素子及び出力鏡が光軸を揃
えて記載の順に配置された装置において、固体レーザ素
子を請求項１のものとし，その集光レンズ側には基本
波、第２高調波の両者に対する高反射能を示す光学薄膜
を、固体レーザ素子の第２高調波発生素子側には基本
波、第２高調波の両者に対する０．５％以下の反射率を
示す光学薄膜を、第２高調波発生素子の両側に基本波、
第２高調波の両者に対する０．５％以下の反射率を示す
光学薄膜を、出力鏡の第２高調波発生素子側に基本波に
対する高反射能を示す光学薄膜を、夫々設けた事を特徴
とする第２高調波発生装置。 - 【請求項３】 固体レーザ素子として請求項１記載の２
波長反射防止膜付固体レーザ素子を用い、該２波長反射
防止膜を固体レーザ素子の第２高調波発生素子側に位置
させた事を特徴とする請求項２記載の第２高調波発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355112A JPH05173216A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | ２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3355112A JPH05173216A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | ２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05173216A true JPH05173216A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18442008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3355112A Pending JPH05173216A (ja) | 1991-12-19 | 1991-12-19 | ２波長反射防止膜付固体レーザ素子とこれを用いた第２高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05173216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11264902A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Canon Inc | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
-
1991
- 1991-12-19 JP JP3355112A patent/JPH05173216A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11264902A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Canon Inc | 反射防止膜及びそれを施した光学系 |
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