JPH05175091A - 露光データ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光装置によりウエハ上に電子ビームで焼き
つけるための露光パターンデータを作成する露光データ
処理方法に関し、露光領域で所定領域毎に分割したサブ
フィールド毎の露光強度の分布を求めてこの露光強度の
分布に対応した照射量を決定することにより補正補正時
間を短縮化することができる露光データ処理方法を提案
することを目的とする。 【構成】 露光対象領域を複数の小領域に領域分けし、
各小領域毎の露光量を算出し、当該算出された露光量中
の最大露光量に対する各小領域の露光量の露光割合を各
々算出し、当該露光割合に基づいて各小領域を複数露光
段階に分類し、分類された各露光段階毎に照射量を特定
して露光データを作成するようにしたので、各露光パタ
ーン毎に露光データを補正することなく各露光段階で最
適な照射量を決定できることとなり、露光データの処理
を高速且つ短時間で行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、露光データ処理方法に
係り、特に、露光装置によりウエハ上に電子ビームで焼
きつけるための露光パターンデータを作成する露光デー
タ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、例えば、ＬＳＩマスク製作等にお
いては、電子ビームによる露光装置を用いることが一般
的である。

【０００３】露光装置は所定の露光パターンデータをウ
エハ上の露光領域に電子ビームで焼きつけるものであ
り、ウエハ上の露光領域は、フィールドと呼ばれる所定
サイズの領域毎に分割され、さらに、サブフィールドと
呼ばれる所定サイズの領域毎に分割されている。また、
ＬＳＩ設計データは、サブフィールド単位に存在し単独
で配置される単独配置部か、同じデータで１サブフィー
ルド毎に複数連続して配置されるマトリクス配置部かの
データ種別するための配置情報と、配置数、配置番号、
配置範囲等の情報を含んだ位置情報とを有しており、こ
のＬＳＩ設計データから露光装置に必要な露光パターン
データを得るために、ＬＳＩ設計データを補正処理する
露光データ処理方法が数多く開発されている。この補正
処理は大きく分けて照射量補正と、寸法補正とがある。

【０００４】従来の露光データ処理方法は、図１９のよ
うな補正処理を行なっており、単独配置部、マトリクス
展開最外郭単独配置、マトリクス配置の各サブフィール
ド内で各パターン毎に照射量補正、寸法補正を近接効果
補正処理によって行なっていた。

【０００５】この近接効果補正処理は、あるサブフィー
ルド内の露光強度の分布に関係なく図１９中のパターン
データ“ｐａ₁ ”のημｍ内に含まれるパターンを抽出
し、このパターンに対する照射量補正、寸法補正を行っ
てきた。これと同様の処理をパターンデータ“ｐａ₂ ”
…“ｐａ_n ”の総てについてサブフィールド全体の各パ
ターン毎に行っていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の露光データ処理
方法においては、各サブフィールド内において当該各サ
ブフィールド内の各露光パターン毎に照射量補正、寸法
補正処理を行なっているために、データ量が増大するこ
ととなり、このデータ量増大に伴って補正処理時間が大
幅に膨れ上っていた。

【０００７】このようにメモリの品種が１６Ｍ、６４
Ｍ、２５６Ｍ…というように規模が大きくなるにつれ
て、データ量が莫大に増えている。この莫大なデータ量
で各パターン毎に照射量補正、寸法補正処理を行うと計
算時間が、莫大に増え、ユーザの望む期限に間に合わな
い問題がある。特に、ＬＳＩの大容量化、高機能化に伴
い、計算機の処理時間が大幅に膨れ上り、２５６Ｍ以降
のメモリー品種、今後の大規模なロジック品種では、処
理出来ない可能性がある。

【０００８】本発明は前記課題を解消するためになされ
たもので、露光領域で所定領域毎に分割したサブフィー
ルド毎の露光強度の分布を求めてこの露光強度の分布に
対応した照射量を決定することにより補正時間を短縮化
することができる露光データ処理方法を提案することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】第１の発明に係る露光デ
ータ処理方法は、半導体ウエハ上に回路パターンを形成
する際に、この回路パターンに対応する露光データを作
成する露光データ処理方法において、前記回路パターン
を形成する半導体ウエハ上の露光対象領域全体をマトリ
クス状に領域分けして得られる小領域を複数形成する小
領域形成工程と、前記各小領域に含まれる回路パターン
に対応する露光パターンの各露光量を算出する露光量算
出工程と、前記各露光量中において最大の露光量を有す
る小領域の最大露光量を算出する最大露光量算出工程
と、前記最大露光量に対する他の各小領域の露光量の露
光割合を各々算出する露光割合算出工程と、前記各小領
域を当該小領域の露光割合に基づいて複数の露光段階に
分類する小領域分類工程と、前記分類された小領域の各
露光段階毎に照射量を特定して露光データを作成するも
のである。

【００１０】第２の発明に係る露光データ処理方法は、
前記第１の発明の露光データ処理方法において、前記小
領域分類工程により分類された小領域の特定露光段階に
ついて近接補正が必要か否かを判断する近接補正判断工
程と、前記近接補正が必要と判断された場合に特定露光
段階について近接補正を行なって照射量を特定して露光
データを作成する近接補正露光データ作成工程とを備
え、前記近接補正露光データ作成工程及び露光データ作
成工程で各々特定される照射量で回路パターンに対応す
る露光パターンを作成するものである。

【００１１】第３の発明に係る露光データ処理方法は、
前記第１又は第２の発明の露光データ処理方法におい
て、前記小領域分類工程により分類された複数露光段階
の中で最大露光量の小領域を含む露光段階の照射量を基
準照射量として他の照射量比率を順次決定するものであ
る。

【００１２】第４の発明に係る露光データ処理方法は、
前記第１ないし第３のいずれかの発明の露光データ処理
方法において、前記回路パターンが形成される露光領域
を所定領域毎に分割して形成されるフィールドを再分割
して得られるサブフィールドの領域内で小領域形成工程
により形成される複数の小領域を、前記サブフィールド
が単独に配置される単独配置サブフィールドと、前記回
路パターンが同一のパターンのマトリクス状に展開する
サブフィールドのうち外周辺部に配置される最外郭単独
配置サブフィールドとにより小領域の大きさを異ならせ
て形成するものである。

【００１３】第５の発明に係る露光データ処理方法は、
前記第１ないし第４のいずれかの発明の露光データ処理
方法において、前記回路パターンが形成される露光領域
を所定領域毎に分割して形成されるフィールドを再分割
して得られるサブフィールドにおける単独配置サブフィ
ールドと最外郭単独配置サブフィールドとの境界に位置
する小領域を、当該小領域に隣接する小領域相互間の露
光段階差に基づいて調整するものである。

【００１４】第６の発明に係る露光データ処理方法は、
前記第１ないし第５のいずれかの発明の露光データ処理
方法において、前記回路パターンが形成される露光領域
を所定領域毎に分割して形成されるフィールド又は当該
サブフィールドを再分割して得られるサブフィールドの
いずれかが複数のフィールド（サブフィールド）に亘っ
て同一のマトリクス配置データとして配置される場合
に、複数のフィールド（サブフィールド）を単一のフィ
ールド（サブフィールド）と見做し、当該見做された単
一のフィールド（サブフィールド）における最外周辺部
に位置するフィールド（サブフィールド）を最外郭単独
配置のフィールド（サブフィールド）として露光パター
ンを作成し、他のフィールド（サブフィールド）をマト
リクス配置のフィールド（サブフィールド）として露光
パターンを作成するものである。

【００１５】

【作用】第１の発明においては、露光対象領域を複数の
小領域に領域分けし、各小領域毎の露光量を算出し、当
該算出された露光量中の最大露光量に対する各小領域の
露光量の露光割合を各々算出し、当該露光割合に基づい
て各小領域を複数の露光段階に分類し、分類された各露
光段階毎に照射量を特定して露光データを作成するよう
にしたので、各露光パターン毎に露光データを補正する
ことなく各露光段階で最適な照射量を決定できることと
なり、露光データの処理を高速且つ短時間で行なう。

【００１６】第２の発明においては、分類された小領域
の特定露光段階について近接補正の必要の有無を判断
し、近接補正が必要な場合には特定段階について近接補
正を行なって露光データを作成するようにしたので、特
に高精度な露光が必要な特定露光段階を他の段階と異な
る精度の露光データを作成できることとなり、露光デー
タ作成の高速化と共に露光精度をも向上させる。

【００１７】第３の発明においては、任意の露光段階を
基準として他の露光段階の照射量比率を決定するように
したので、各露光量の比率に対応した照射量比率が決定
できることなり、露光対象領域全体の調和をとることが
できる。

【００１８】第４の発明においては、単独配置サブフィ
ールドと最外郭単独配置サブフィールドとにおける各小
領域の大きさを異ならせて形成するようにしたので、隣
接するサブフィールドからの影響を考慮した露光データ
を作成できることとなる。

【００１９】第５の発明においては、単独配置サブフィ
ールドと最外郭単独配置サブフィールドとの境界に位置
する小領域を当該小領域に隣接する小領域相互間の露光
段階差に基づいて調整するようにしたので、各サブフィ
ールド相互間における露光データの連続一体性をもたせ
ることができる。

【００２０】第６の発明においては、複数のフィールド
（サブフィールド）に亘って同一マトリクス配置データ
として配置される場合に、単一のフィールド（サブフィ
ールド）と見做して最外周辺部に位置するフィールド
（サブフィールド）のみ最外郭単独配置のフィールド
（サブフィールド）として露光パターンを作成するよう
にしたので、さらに露光データの作成を高速化できる。

【００２１】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図７に
基づいて説明する。前記各図において本実施例に係る露
光データ処理方法は、前記回路パターンを形成する半導
体ウエハ上の露光対象領域全体をマトリクス状に領域分
けして得られる小領域を複数形成し（ステップ１）、前
記各小領域に含まれる回路パターンに対応する露光パタ
ーンの各露光量を算出し（ステップ２）、前記各露光量
中において最大の露光量を有する小領域の最大露光量を
算出し（ステップ３）、前記最大露光量に対する他の各
小領域の露光量の露光割合を各々算出し（ステップ
４）、前記各小領域を当該小領域の露光割合に基づいて
複数の露光段階に分類し（ステップ５）、前記ステップ
５により分類された小領域の特定露光段階について近接
補正が必要か否かを判断し（ステップ５−１）、前記近
接補正が必要と判断された場合に特定露光段階について
近接補正を行なって照射量を特定して露光データを作成
し（ステップ５−２）、前記ステップ５−２及び前記分
類された小領域の各露光段階毎に照射量を特定して露光
データを作成し（ステップ６又は６−１）、ステップ６
（又は６−１）で各々特定される照射量で回路パターン
に対応する露光パターンを作成する。

【００２２】前記ステップ５−１における近接補正有無
の判断は、外部からの入力により又は、予め定られたプ
ログラムに基づいて近接補正が必要な特定露光段階が特
定される。

【００２３】ａ）マップ形成の説明 図３はあるチップ内のフィールドにおける露光対象領域
全体に形成されるサブフィールドの配置態様図及びマッ
プ形成態様図を示す。同図（Ａ）においてサブフィール
ドは単独に配置される単独配置サブフィールド１０と、
回路パターンが同一のパターンのマトリクス状に展開す
るフィールドのうち外周辺部に配置される最外郭単独配
置サブフィールド２０と、この最外郭単独配置サブフィ
ールド２０の内側に配置されるマトリクス配置サブフィ
ールド３０とがある。

【００２４】また前記図３（Ｂ）において任意のサブフ
ィールド１０（又は２０、３０）の全面にこのサブフィ
ールド１０（又は２０、３０）の中心１０ｃ（又は２０
ｃ、３０ｃ）を囲むように鎖線で示す所定大きさのマッ
プ１をマトリクス状に形成する。同図において単独配
置、マトリクス最外郭単独配置、マトリクス展開の各サ
ブフィールド１０、２０、３０の各境界に周囲ξμｍを
含めた領域で所定の大きさのマップ１を発生する。この
サブフィールド境界に周囲ξμｍを含めた理由は、隣接
するサブフィールドのパターンデータを読み込み、正確
なマップデータを作成するためである。このようにして
形成されるマップ１が基本となり、このマップ１毎に露
光量を求め、露光強度の分布を調べる。但し、単独配置
サブフィールド１０のマップデータの再生は、図３をも
とにして作成する。最外郭単独配置、マトリクス配置の
各サブフィールド２０、３０は、図４に示すようにして
マトリクス内のデータ構成の特性を生かしたマップ情報
を次のように作成する。

【００２５】図４（Ａ）に示すフィールド内配置中の最
外郭単独配置サブフィールドの拡大図を同図（Ｂ）に示
す。同図においてマトリクス展開の最外郭単独配置部サ
ブフィールド２０とマトリクス配置サブフィールド３０
は、単独配置サブフィールド１０とは違ってメモリーセ
ルの様な規則性のデータで有るため、各マップの露光量
に変化が無いため、単独配置サブフィールド１０とは違
った露光量の求め方を行なう。この求め方については、
後に述べる。また、マトリクス展開の最外郭単独配置サ
ブフィールド２０は元々マトリクス配置サブフィールド
３０であって処理の都合上で分割したものであるから、
データの中身は同じである。このため、マトリクス配置
サブフィールド３０は、マップ情報を作成しない。マト
リクス展開の最外郭単独配置サブフィールド２０のみ、
マップ情報を作成する。但し、処理時間を高速にするた
め、マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィールド２
０内でもマップ情報を作成する箇所と作成しない箇所に
分けて、マップ情報の作成した箇所は、特殊な露光量の
求め方で求め、露光強度の分布を調べて、照射量を変化
させる。マップを作成しない箇所は、基本照射量を与え
る。また、マトリクス配置サブフィールド３０も基本照
射量を与える。

【００２６】マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィ
ールド２０におけるマップ情報を作成する。このマトリ
クス展開の最外郭単独配置サブフィールド２０は、隣接
に単独配置サブフィールド１０があるためξμｍまで影
響があり、斜線部に含まれるマップ１で露光量を求め、
露光強度の分布を調べて露光強度の段階毎に各マップ１
（斜線部）に基本照射量の比率を外部から与えるが、隣
接する単独配置サブフィールド１０との兼ね合いがある
ために露光強度の段階を見直す必要がある。このように
露光強度の露光段階を見直した後、各マップ１（斜線
部）のマップデータに照射量に変化を与えて補正処理を
行なう。

【００２７】図５に基づいて単独配置及び最外郭単独配
置の各サブフィールドにおけるマップデータの見直しに
ついて説明する。この単独配置サブフィールド１０とマ
トリクス展開の最外郭単独配置サブフィールド２０の境
界は、マトリクス展開内部と異なり露光強度の分布が激
しくなる。この理由は、単独配置サブフィールド１０が
マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィールド２０及
びマトリクス配置サブフィールド３０と異なり規則性が
全然無いためである。また、単独配置サブフィールド１
０内、マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィールド
２０内だけでのマップデータ作成だけでは、境界上また
はその近傍の露光量の不一致が発生するためである。こ
のためにマトリクス展開の最外郭単独配置サブフィール
ド２０に隣接している単独配置サブフィールド１０の境
界からξμｍまでのマップを作成し（図５左斜線部）、
露光強度の段階を見直す必要がある。

【００２８】露光強度の段階の見直し後、各マップ毎に
基本照射量の比率を外部から与えることにより照射量の
値を変えて補正処理を行う。 ｂ）露光量等の算出説明 図６は任意のサブフィールド上のマップ形成態様図を示
す。同図において単独配置サブフィールドを例として、
この単独配置サブフィールド１０に露光される回路パタ
ーン（斜線部分）上にマトリクス状のマップ１が形成さ
れる。この各マップ１内に含まれる回路パターンのパタ
ーン数、露光量（Ｃ）を各マップ１毎に算出する（ステ
ップ２）。このサブフィールド全体で最大の露光量
（Ａ）を算出する（ステップ３）。この最大露光量
（Ａ）と各マップ１の各露光量（Ｃ）とから各マップに
おける露光量の割合（Ｂ）を次式により求める。

【００２９】 露光量の割合（Ｂ）［％］＝｛各マップの露光量（Ｃ）
／最大露光量（Ａ）｝×１００ この各マップ毎に各々求められた露光量の割合（Ｂ）に
基づいて各マップ１の露光量の露光段階を分類して決定
する。この露光段階は任意の複数段階に選択変更するこ
とができるが、説明簡略化のために割合の刻みが２０％
の５段階とする。さらに、この５段階の露光段階１〜５
に対応付て基本照射量の比率を設定する。この基本照射
量の比率は外部パラメータとしてプログラムの外から入
力できるものであり、図７最下欄に示す例示は一例であ
り品種により種々異なる値となる。また、各マップ１の
割合も自由に変更でき、露光量の露光段階も品種により
種々変更できる。さらに任意マップ１内に回路パターン
が存在しない場合には露光量の露光段階を「０」に設定
できる。

【００３０】従って、図７で示されるように回路パター
ンが密な状態になる程に照射量が弱くなり、また、回路
パターンが疎な状態になる程に照射量が強くなる。 ｃ）単独配置サブフィールドの照射量補正 図８は、あるチップ内のあるフィールド内の配置の一部
を抜き取った単独配置サブフィールドを示している。

【００３１】同図において、任意の単独配置サブフィー
ルドで隣接には、マトリクス配置の最外郭単独配置サブ
フィールドがない場合である。マップはサブフィールド
境界をξμｍ越えて設定している。これは、隣接する単
独配置サブフィールドとの露光量の不一致をなくすため
である。各マップの中にある数字は、図７の露光量の露
光段階における５段階の値を示したものである。マップ
の小領域中における空白は、パターンが存在しないこと
を意味する。

【００３２】この露光量の段階毎に補正処理を以下の手
順で補正処理手順を変更できる。 i ）単独配置サブフィールドのマップデータにより、露
光強度の分布がある段階より高いマップにあるパターン
データは、一定の照射量で描画し、ある段階より低い小
領域にあるパターンデータは、各マップ毎に照射量の比
率を外部から与えて、そのマップに含まれるパターンデ
ータの照射量補正、または、寸法補正処理を行う。

【００３３】ii）単独配置サブフィールドのマップデー
タにより露光強度の分布がある段階より高いマップにあ
るパターンデータは、各マップ毎に照射量の比率を外部
から与え、そのマップ内に含まれるパターンデータの照
射量を変え、寸法補正を行い、ある段階より低いマップ
にあるパターンデータは、各マップ毎に照射量の比率を
外部から与え、各パターン毎に照射量補正、または寸法
補正を行う。

【００３４】iii ）単独サブフィールドのマップデータ
により、各パターン毎に照射量補正、寸法補正も行え
る。 ｄ）最外郭単独配置サブフィールドに対する単独配置サ
ブフィールドの露光段階補正 図９は単独配置サブフィールドの配置態様図を示す。

【００３５】マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィ
ールド２０〜２２と単独配置サブフィールド１０〜１４
の境界上における露光量の不一致をなくすため、露光量
の露光段階の見直しを行う。その手順を図７を参照して
説明すると次の通りである。

【００３６】i ）上図Ａの小領域のマップの見直しをす
る場合、単独配置部の境界上のマップの露光量の段階を
参照する。参照の数は、複数可能であるが、説明の都合
上、参照数は３とする。

【００３７】ii）ａ、ｂ、ｃの３種類の小領域のうち、
一番露光量の段階が低いものを選ぶ。選ばれた露光量の
段階をＤ１とする。また、Ａの小領域の露光量の露光段
階をＤ２とする。

【００３８】Ｄ１＜Ｄ２→Ｄ２＝Ｄ２＋１ Ｄ１＝Ｄ２→Ｄ２＝Ｄ２＋１ Ｄ１＞Ｄ２→Ｄ２＝Ｄ１＋１ Ｄ＝０の場合→Ｄ２＝Ｄ１＋１ この見直し処理においては図７を参照しているため、露
光量の露光段階は最大５である。Ｄ２の値が５を越える
場合、Ｄ２＝５に設定する。また、Ｄ１＝０の場合は、
見直しは行わない。

【００３９】また、ａ＝ｂ＝０、ｂ≠０の場合、ｂの値
を選び、ａ、ｃは無視する。しかし、ａ＝ｂ＝ｃ＝０の
場合は、回りにパターンが無いと判断し、Ｄ１＝０とす
る。 iii ）上図のマップＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅの露光量の露光段階
は、以下の式とする。露光量の露光段階が５を越える場
合は、露光量の露光段階を５に設定する。但し、見直し
前と変更が無い場合には、見直し前の値を使用する。

【００４０】 Ｂ＝Ａ＋１：Ｃ＝Ｂ＋１：Ｄ＝Ｃ＋１：Ｅ＝Ｄ＋１ という各マップＢ、Ｃ、Ｄ、Ｅの値となる。 ｅ）単独配置サブフィールドに対する最外郭単独配置サ
ブフィールドの露光段階補正 図１０はマトリクス展開の最外郭単独配置サブフィール
ドを示している。同図において[1] 〜[5] は単独配置サ
ブフィールド１０〜１４、[6] 〜[8] は最外郭単独配置
サブフィールド２０〜２２、[9] はマトリクス配置サブ
フィールド３０を示す。

【００４１】マトリクス展開の最外郭単独配置サブフィ
ールド２０〜２２は、必ず、単独配置フィールド１０〜
１４が隣接にある。この場合、前記図４において説明し
たように、最外郭単独配置サブフィールド２０〜２２は
もともとマトリクス配置サブフィールド３０と同様のパ
ターンデータであるために、サブフィールド全体のマッ
プ作成情報はしない。図９中の斜線部は、マップを作成
しないため、基本照射量が入る。このため、最外郭単独
配置サブフィールド２０〜２２のみで特別のマップを作
成し、斜線部以外の露光量の露光段階を決める。露光量
の露光段階を決めた後、斜線部以外は隣接する単独配置
サブフィールド１０〜１４の周囲ξμｍの領域を含め、
単独配置サブフィールド１０〜１４と同様に露光量の露
光段階を求めたが、単独配置サブフィールド１０〜１４
同士とは違って図９の場合は、露光量の露光段階の直し
が必要となる。最外郭単独配置サブフィールド２０〜２
２のみで特別マップを作成したため、単独配置サブフィ
ールド１０〜１４の露光量の露光段階が完全に一致しな
いため、再度、単独配置サブフィールド１０〜１４と最
外郭単独配置サブフィールド２０〜２２の斜線部以外の
箇所とで露光量の露光段階を見直し、この結果が最終的
な露光量の露光段階になる。

【００４２】前記図１０の太線の鎖線部分の拡大図を図
１１（Ａ）、（Ｂ）に示す。同図（Ａ）において実線の
斜線部分は、露光量が殆ど無くなるため、最大の露光で
ある露光量の露光段階は、図７より“５”が入る。しか
し、斜線部以外の部分Ａ（鎖線の斜線部分）は、単独配
置との兼ね合いにより、露光量の露光段階を見直す必要
があるため、特殊なマップデータを作成する必要があ
る。部分Ａ（鎖線の斜線部分）のマップデータを作成す
る方法は以下の様にする。

【００４３】i ）部分Ａ（鎖線の斜線部分）だけの、各
マップ毎の露光量を求める。また、最大の露光量Ａを求
める。求め方は、以下の様にする。但し、全てを示すに
は困難なため、図１１（Ｂ）の〜に関してのみ述べ
る。

【００４４】から周囲ξμｍ以内に含まれるマップの
露光量を全てに加える。 の露光量＝XY(1,1)+XY(2,1)+XY(3,1)+XY(4,1)+XY(5,
1) +XY(1,2)+XY(2,2)+XY(3,2)+XY(4,2)+XY(5,2) +XY(1,3)+XY(2,3)+XY(3,3)+XY(4,3)+XY(5,3) +XY(1,4)+XY(2,4)+XY(3,4)+XY(4,4)+XY(5,4) +XY(1,5)+XY(2,5)+XY(3,5)+XY(4,5)+XY(5,5) から周囲ξμｍ以内に含まれるマップの露光量を全て
に加える。

【００４５】 の露光量＝XY(1,1)+XY(2,1)+XY(3,1)+XY(4,1)+XY(5,
1)+XY(6,1)+XY(7,1) +XY(1,2)+XY(2,2)+XY(3,2)+XY(4,2)+XY(5,2)+XY(6,2)+X
Y(7,2) +XY(1,3)+XY(2,3)+XY(3,3)+XY(4,3)+XY(5,3)+XY(6,3)+X
Y(7,3) +XY(1,4)+XY(2,4)+XY(3,4)+XY(4,4)+XY(5,4)+XY(6,4)+X
Y(7,4) +XY(1,5)+XY(2,5)+XY(3,5)+XY(4,5)+XY(5,5)+XY(6,5)+X
Y(7,5) +XY(1,6)+XY(2,6)+XY(3,6)+XY(4,6)+XY(5,6)+XY(6,6)+X
Y(7,6) +XY(1,7)+XY(2,7)+XY(3,7)+XY(4,7)+XY(5,7)+XY(6,7)+X
Y(7,7) ii）実線の斜線部分は、露光量の差が殆ど無いため、基
本照射量とし、露光量の段階を“５”とし（図７参
照）、露光量を前記i ）で求めた露光量の最大量Ａを与
える。

【００４６】ii）部分Ａ（鎖線の斜線部分）だけの露光
量を、i ）の様に全て求めた後で、露光量の最大露光量
Ａを使用して、部分Ａ（鎖線の斜線部分）での、各マッ
プの露光量の割合を求め、露光量の段階を図７をもとに
決定する。但し、i ）〜iii）までは、マトリクス展開
の最外郭単独配置サブフィールド内部のみのマップデー
タの作成であるため、単独配置サブフィールドとの、露
光量の露光段階を見直す必要がある。

【００４７】ｆ）マトリクス配置サブフィールドに対す
る最外郭単独配置サブフィールドの露光段階補正 図１２は最外郭単独配置サブフィールドにおける露光段
階補正領域を示す。同図において、マトリクス展開の最
外郭単独配置サブフィールドは元々マトリクス配置サブ
フィールドの一部で、近接効果補正処理の都合上、最外
郭のマトリクス配置が分割され、マトリクス展開の最外
郭単独配置になった。このため、露光量の変化について
は同様である。このため、マトリクス展開の最外郭単独
配置サブフィールドの境界上ξμｍ内部に含まれる箇所
（実線の斜線部）とマトリクス展開は、全て基本照射量
に設定する。しかし、マトリクス展開最外郭単独配置境
界上は、単独配置との兼ね合いがあるため、露光量の段
階の見直しが必要である。

【００４８】図１３はマトリクス展開がフィールドを越
える場合の配置態様図を示す。同図において、複数のマ
トリクス配置サブフィールドのグループ〜が全て同
じ場合、近接効果補正処理のときには、前図の様に、外
部パラメータとして、（minX,minY ）、（maxX,maxY ）
の座標を入力する。この領域判定ラインは前図のarea-1
である。ここではマップ作成処理、露光量の段階の見直
し処理は、area-1上のみ行われる。処理内容は、図１な
いし図１２の説明と同様の処理を行う。

【００４９】ｇ）露光量補正の具体例 図１４は最外郭単独配置サブフィールドを中心とするマ
ップ及び露光段階の機械的分配態様図を示す。同図にお
いて、[1] 〜[5] は単独配置サブフィールド、[6] 〜
[8] は最外郭単独配置サブフィールド、[9] はマトリク
ス配置サブフィールドを示す。

【００５０】前記マトリクス展開の最外郭単独サブフィ
ールド（番号[6] 、[7] 、[8] として示す）の周囲ξμ
ｍの領域に、小領域を発生させる（図中[1] 〜[5] ）。
この位置は全て単独配置サブフィールドの領域内であ
る。前記最外郭単独配置サブフィールドはすでに露光量
の露光段階を求めているため、単独配置サブフィールド
の周囲ξμｍの領域に発生したマップのみ露光量を求め
て露光量の割合を求め、この露光量の割合に基づいて露
光量の露光段階を決める。この求め方は、単独配置サブ
フィールド内部と同じである。

【００５１】よって、単独配置サブフィールドの周囲ξ
μｍの領域に発生したマップとマトリクス展開の最外郭
単独配置サブフィールド内との露光量の露光段階を別々
に求めたことになる。

【００５２】なお、図中〜が図７に基づく露光量の
露光段階を示す値である。また、同図における〜の
値は、説明の都合上で説明し易いように限定したもの
で、実際とは多少異なる場合がある。

【００５３】次に、前記図１４に示す露光段階の機械的
分配の後に、図１５に示すような露光段階の見直しを図
９に示す補正と同様に行なう。この図１５は見直しの後
の最外郭単独配置サブフィールドを中心とするマップ及
び露光段階分配態様図である。同図において露光量の露
光段階を利用して照射量の比率を選び、基本照射量に比
率を掛けた値が各マップ内に存在するパターンの照射量
になる。

【００５４】ｈ）単独配置サブフィールドのみの照射量
補正の具体例 図１６はチップ内フィールドで単独配置フィールドのみ
の配置態様図を示す。同図においては全て単独配置の場
合であることから、各サブフィールドに所定の大きさの
マップを作成したもので、この状態で露光量の段階を作
成し、マップデータとする。処理手順は、図１〜図１５
に示す内容と同様に実行処理する。この処理により露光
量の露光段階を求めた結果が、図１６中の〜であり
図７の条件で処理した。この露光量の露光段階毎に、補
正処理手順が以下の項目で変更できる。i ）単独配置部
のマップ情報により、露光強度の分布がある段階より高
いマップにあるパターンデータは一定の照射量で描画
し、ある段階より低いマップにあるパターンデータは各
マップ毎に照射量の比率を外部から与えて、そのマップ
に含まれるパターンデータの照射量補正、または、寸法
補正を行う。

【００５５】ii）単独配置部のマップ情報により、露光
強度の分布がある段階より高いマップにあるパターンデ
ータは、各マップ毎に照射量の比率を外部から与え、そ
のマップ内に含まれるパターンデータの照射量を変え、
寸法補正を行い、ある露光段階より低いマップにあるパ
ターンデータは、マップ毎に照射量の比率を外部から与
え、各パターン毎に照射量補正、または、寸法補正を行
う。

【００５６】iii ）単独配置サブフィールドのマップデ
ータにより、各パターン毎に照射量補正、寸法補正も行
える。 ｉ）単独配置、最外郭単独配置及びマトリクス展開の各
サブフィールドが混在する場合の照射補正の具体例 図７は各種サブフィールドが混在する場合の見直し前の
マップ及び露光段階設定態様図、図１８は図１７におけ
る見直し後のマップ及び露光段階設定態様図である。前
記各図において、[1] 、[4] 、[7] 、[8] 、[9] は単独
配置サブフィールド、[2] 、[5] 、[9] は最外郭単独配
置サブフィールド、[3] はマトリクス配置サブフィール
ドを示す。また図１７において、単独配置サブフィール
ドは補正済とし、マトリクス配置サブフィールドは粗密
関係は殆ど変化が無いために基本照射量を与えるものと
する。そのため、マップの作成は行わない。また、マト
リクス展開の最外郭単独配置サブリールドも、もともと
マトリクス展開と同様のものであるが隣接する単独配置
サブフィールドとの兼ね合いで、図１〜図１３で述べた
手順と同様に実行する。この図１８に示す露光段階を最
終の露光量の露光段階とする。これに、各マップ毎に、
露光量の露光段階をもとに、基本照射量の比率を求め、
照射量を変化させる。これが、最終的な補正である。補
正後のデータを圧縮し、露光装置にあったデータフォー
マットに変更して、補正処理を終了する。

【００５７】ｉ）他の実施例 なお、前記実施例においては特定露光段階について必要
な場合に近接補正を行なう構成としたが、近接補正を行
なうことなく総ての露光段階について一定の照射量を特
定する構成とすることもできる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように露光対象領域を複数
の小領域に領域分けし、各小領域毎の露光量を算出し、
当該算出された露光量中の最大露光量に対する各小領域
の露光量の露光割合を各々算出し、当該露光割合に基づ
いて各小領域を複数露光段階に分類し、分類された各露
光段階毎に照射量を特定して露光データを作成するよう
にしたので、各露光パターン毎に露光データを補正する
ことなく各露光段階で最適な照射量を決定できることと
なり、露光データの処理を高速且つ短時間で行なうとい
う効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る露光データ処理方法の
動作フローチャートである。

【図２】本発明の他の実施例に係る露光データ処理方法
の動作フローチャートである。

【図３】図２記載実施例方法におけるあるチップ内のフ
ィールドにおける露光対象領域全体に形成されるサブフ
ィールドの配置態様図及びマップ形成態様図である。

【図４】図２記載実施例方法における各種サブフィール
ド配置図及び当該配置図中における最外郭単独配置サブ
フィールド部の拡大図である。

【図５】図２記載実施例方法における単独配置及び最外
郭配置の各サブフィールド間におけるマップデータ見直
し説明図である。

【図６】図２記載実施例における任意のサブフィールド
上のマップ形成態様図である。

【図７】図２記載実施例方法における露光量割合・露光
段階・照射量比率の各関係図である。

【図８】図２記載実施例方法における単独配置サブフィ
ールドの照射量補正説明図である。

【図９】図２記載実施例方法における最外郭単独配置サ
ブフィールドに対する単独配置サブフィールドの露光段
階補正説明図である。

【図１０】図２記載実施例方法における単独配置サブフ
ィールドに対する最外郭単独配置フィールドの露光段階
補正説明図である。

【図１１】図１０における一部の拡大図である。

【図１２】図２記載実施例方法における最外郭単独配置
サブフィールドにおける露光段階補正領域図である。

【図１３】図２記載実施例方法におけるマトリクス展開
がフィールドを越える場合の配置態様図である。

【図１４】図２記載実施例方法における最外郭単独配置
サブフィールドを中心とするマップ及び露光段階の機械
的分配態様図である。

【図１５】図１４に対応する見直し後のマップ及び露光
段階分配態様図である。

【図１６】図２記載の実施例方法におけるチップ内フィ
ールドで単独配置フィールドのみの配置態様図である。

【図１７】図２記載の実施例方法における各種サブフィ
ールドが混在する場合の見直し前のマップ及び露光段階
設定態様図である。

【図１８】図１７における見直し後のマップ及び露光段
階設定態様図である。

【図１９】従来の露光データ処理方法を説明するための
概略説明図である。

【符号の説明】

１…マップ（小領域） １０（１１〜１４）…単独配置サブフィールド ２０、（２１、２２）…最外郭単独配置サブフィールド ３０…マトリクス配置サブフィールド １０ｃ、２０ｃ、３０ｃ…サブフィールド中心

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハ上に回路パターンを形成す
   る際に、この回路パターンに対応する露光データを作成
   する露光データ処理方法において、 前記回路パターンを形成する半導体ウエハ上の露光対象
   領域全体をマトリクス状に領域分けして得られる小領域
   を複数形成する小領域形成工程と、 前記各小領域に含まれる回路パターンに対応する露光パ
   ターンの各露光量を算出する露光量算出工程と、 前記各露光量中において最大の露光量を有する小領域の
   最大露光量を算出する最大露光量算出工程と、 前記最大露光量に対する他の各小領域の露光量の露光割
   合を各々算出する露光割合算出工程と、 前記各小領域を当該小領域の露光割合に基づいて複数の
   露光段階に分類する小領域分類工程と、 前記分類された小領域の各露光段階毎に照射量を特定し
   て露光データを作成する露光データ作成工程とを備える
   ことを特徴とする露光データ処理方法。
2. 【請求項２】 前記請求項１記載の露光データ処理方法
   において、 前記小領域分類工程により分類された小領域の特定露光
   段階について近接補正が必要か否かを判断する近接補正
   判断工程と、 前記近接補正が必要と判断された場合に特定露光段階に
   ついて近接補正を行なって照射量を特定して露光データ
   を作成する近接補正露光データ作成工程とを備え、 前記近接補正露光データ作成工程及び露光データ作成工
   程で各々特定される照射量で回路パターンに対応する露
   光パターンを作成することを特徴とする露光データ処理
   方法。
3. 【請求項３】 前記請求項１又は２に記載の露光データ
   処理方法において、 前記小領域分類工程により分類された複数露光段階の中
   で最大露光量の小領域を含む露光段階の照射量を基準照
   射量として他の照射量比率を順次決定することを特徴と
   する露光データ処理方法。
4. 【請求項４】 前記請求項１ないし３のいずれかに記載
   の露光データ処理方法において、 前記回路パターンが形成される露光領域を所定領域毎に
   分割して形成されるフィールドを再分割して得られるサ
   ブフィールドの領域内で小領域形成工程により形成され
   る複数の小領域を、前記サブフィールドが単独に配置さ
   れる単独配置サブフィールドと、前記回路パターンが同
   一のパターンのマトリクス状に展開するサブフィールド
   のうち外周辺部に配置される最外郭単独配置サブフィー
   ルドとにより小領域の大きさを異ならせて形成すること
   を特徴とする露光データ処理方法。
5. 【請求項５】 前記請求項１ないし４のいずれかに記載
   の露光データ処理方法において、 前記回路パターンが形成される露光領域を所定領域毎に
   分割して形成されるフィールドを再分割して得られるサ
   ブフィールドにおける単独配置サブフィールドと最外郭
   単独配置サブフィールドとの境界に位置する小領域を、
   当該小領域に隣接する小領域相互間の露光段階差に基づ
   いて調整することを特徴とする露光データ処理方法。
6. 【請求項６】 前記請求項１ないし５のいずれかに記載
   の露光データ処理方法において、 前記回路パターンが形成される露光領域を所定領域毎に
   分割して形成されるフィールド又は当該サブフィールド
   を再分割して得られるサブフィールドのいずれかが複数
   のフィールド（サブフィールド）に亘って同一のマトリ
   クス配置データとして配置される場合に、複数のフィー
   ルド（サブフィールド）を単一のフィールド（サブフィ
   ールド）と見做し、当該見做された単一のフィールド
   （サブフィールド）における最外周辺部に位置するフィ
   ールド（サブフィールド）を最外郭単独配置のフィール
   ド（サブフィールド）として露光パターンを作成し、他
   のフィールド（サブフィールド）をマトリクス配置のフ
   ィールド（サブフィールド）として露光パターンを作成
   することを特徴とする露光データ処理方法。