JPH0517765A - 有機エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】低電圧にもかかわらず高輝度であって、実用的
な発光効率（0.8ルーメン／Ｗ以上）を得、しかも青色
系発光をする有機ＥＬ素子を提供する。 【構成】一般式（Ｉ） （Ｘ及びＺは各々独立に を示し、Ｙは あるいは を示す） で表される発光材料を用いることを特徴とし、発光効率
が0.８ルーメン／Ｗ以上の有機エレクトロルミネッセッ
ス素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくは、青色系発光を低電圧，高
輝度及び高効率で可能とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】エレク
トロルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子という）は、自
己発光のため視認性が高く、また完全固体素子であるた
め耐衝撃性に優れるという特徴を有しており、現在、無
機，有機化合物を発光層に用いた様々なＥＬ素子が提案
され、実用化が試みられている。このうち、有機薄膜Ｅ
Ｌ素子は、印加電圧を大幅に低下させることができるた
め、各種材料が開発されつつある。例えば、特開昭５９
−１９４３９３号公報には２５Ｖ以下の低電圧印加で高
輝度を発現する有機薄膜ＥＬ素子が開示されている。こ
の有機ＥＬ素子は、陽極／正孔注入層／発光層／陰極と
した積層型のものであるが、電極間の膜厚が１μｍ以下
のものであることが必要であり、そのため発光層に用い
る化合物によってはピンホールが生じやすく、生産性が
低いという問題があるとともに、発光層にテトラフェニ
ルブタジエンを用いた実施例では青色発光における発光
効率が著しく小さい。また、欧州特許公開０２８１３８
１号公報によれば、陽極／正孔注入輸送帯／発光帯域／
陰極とした積層型のものが開示されている。ここで発光
帯域は、ホスト物質（host material)とホスト物質内の
微量の蛍光物質（fluorescentmaterial)よりなる薄膜か
ら構成されたものである。しかし、ここに開示されたＥ
Ｌ素子は、緑色〜赤色領域の発光に関しては、高出力を
低電圧の印加で達成できるものの、青色発光は実現でき
ない。

【０００３】さらに、米国特許第４６７２２６５号明細
書，同第４７２５５１３号明細書，同第４７３４３３８
号明細書，同第４７４１９７６号明細書，同第４７７５
８２０号明細書及び特開昭６１−３７８９０号公報など
には、電子受容性の電気的発光性化合物よりなる発光層
と電子供与性の電気的発光性化合物よりなる発光層の二
層の積層を基本構成として含む積層構造の有機ＥＬ素子
が開示されている。ここで電気的発光性化合物は、高い
発光量子効率を有するとともに、外部摂動を受けやすい
π電子系を有し、電気的励起が可能な化合物である。し
かしこれらにおいては、発光層は２層とすることが必須
であり、この２層の界面付近における２層を形成する電
子供与性化合物と受容性化合物の励起錯体の形成に代表
される各種相互作用による発光であり、界面の状態に発
光性能は大きく依存するため、作製条件が難しく、界面
の劣化による発光の減少が著しい。

【０００４】また、米国特許第４６７２２６５号明細書
及び同第４７２５５１３号明細書における有機ＥＬ素子
は、２層の発光層のうち少なくとも１層はＬＢ法による
分子累積膜であり、この分子累積膜に用いられる長鎖ア
ルキル鎖は耐熱温度が１００℃程度であるので、熱に弱
い（高分子学会誌 36,267 (1987)）。従って対向電極の
蒸着時に、上記の分子累積膜等が損傷を受け素子の分留
りは悪いものとなる。さらにこれに関する重要な欠点
は、長鎖アルキル鎖は一般に移動度が著しく小さいため
に、電荷の移動性を著しく疎外することであり、これに
より、この素子の発光性能は充分でなく実用性に欠け
る。米国特許第４７３４３３８号明細書，同第４７４１
９７６号明細書，同第４７７５８２０号明細書には、絶
縁層を付加した発光層２層構成が開示されているが、同
様に電荷の移動性が疎外される理由で、発光性能は充分
でなく、実用性に欠ける。なお、ジスチリルベンゼン誘
導体単独を発光層として用いたものとしては、特願昭−
６３−３０８８５９号明細書に開示されている。ここで
示される有機ＥＬ素子は、発光層だけの単層型のもので
あり、発光強度や発光効率も単層型としては良好である
が、実用的には未だ改善の余地があった。

【０００５】また、欧州特許公開公報第０３７３５８２
号では、新規なジスチリルベンゼン誘導体である発光材
料を用いることにより、高輝度な青色発光の有機ＥＬ素
子を得ているが、実用的な発光効率を得ることができて
おらず、最近では、低電圧，高輝度及び高効率の有機Ｅ
Ｌ素子が報告されている（第５１回応用物理学会，学術
講演会，予稿集１２０４頁，JSAP, Co, No. AP901125-0
0及び同発表）が、未だ実用的な発光効率( 0.８ルーメ
ン／Ｗ以上）には至っていなかった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、上
記従来技術の欠点を解消し、低電圧にもかかわらず高輝
度であって、実用的な発光効率( 0.８ルーメン／Ｗ以
上）を得、しかも青色系発光をする有機ＥＬ素子を開発
すべく鋭意研究を重ねた。その結果、特定の構造からな
る発光材料を用いることにより、発光効率を著しく向上
させることができ、上記目的が充分に達成できることを
見出した。本発明はかかる知見に基いて完成したもので
ある。すなわち本発明は、一般式（Ｉ）

【０００７】

【化４】

【０００８】（式中、Ｘ及びＺは各々独立に

【０００９】

【化５】

【００１０】を示し、Ｙは

【００１１】

【化６】

【００１２】を示す。）で表される発光材料を用いると
共に、発光効率が0.８ルーメン／Ｗ以上であることを特
徴とする有機エレクトロルミネッセッス素子を提供する
ものである。また本発明は（１）陽極／発光層／電子注
入層／陰極，（２）陽極／正孔注入層／発光層／電子注
入層／陰極，（３）陽極／正孔注入層／発光層／陰極あ
るいは（４）陽極／発光層／陰極の順に積層してなる上
記発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセッス素子
をも提供するものである。

【００１３】本発明において、発光材料として用いられ
る化合物は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物であ
る。ここで、式中の各記号は前記の通りである。この一
般式（Ｉ）で表される化合物は各種のものがあるが、例
えば

【００１４】

【化７】

【００１５】

【化８】

【００１６】

【化９】

【００１７】

【化１０】

【００１８】

【化１１】

【００１９】等をあげることができる。この一般式
（Ｉ）で表される化合物は、ホスホン酸エステルとアル
デヒドの混合溶液（溶媒：エタノール，ベンゼン，テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ），Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ），ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
等）を塩基（ＮａＨ，ＮａＮＨ₂ ，ＲＯＭ（Ｒ：アルキ
ル基，Ｍ：Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ））の存在下で反応させ、高
収率のオレフィンを与える Wittig-Horner反応により容
易に合成することができる (Horner L,; Hoffmann H.;
Wippel H.G.; Chem. Ber.,(1959) 92, 2499参照）。

【００２０】本発明の有機ＥＬ素子では、上記一般式
（Ｉ）の化合物を発光材料として用いるが、それと同時
に、正孔注入層及び／又は電子注入層との積層構造とす
ることが好ましい。このような積層構造とすることによ
り、発光層だけの単層型のものより発光強度を大幅に向
上させることができる。本発明の有機ＥＬ素子における
積層構造は、（１）陽極／発光層／電子注入層／陰極に
順に積層，（２）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入
層／陰極に順に積層，（３）陽極／正孔注入層／発光層
／陰極に順に積層あるいは（４）陽極／発光層／陰極を
この順序で積層したものである。なお、これらのＥＬ素
子は、支持基板上に形成することが好ましい。

【００２１】本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、
以下の二つの機能を併せ持つものである。即ち、 ａ．注入輸送機能 電界印加時に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入する
ことができ、陰極又は電子注入層より電子を注入するこ
とができ、かつ注入した電荷（電子と正孔）を電界の力
で移動させる機能 ｂ．発光機能 電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげ
る機能但し、正孔の注入されやすさと電子の注入されや
すさに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で
表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方
の電荷を移動することが好ましい。本発明の有機ＥＬ素
子において、発光材料（発光層）として用いる前記一般
式（Ｉ）の化合物は、イオン化エネルギーが好ましくは
6.０ｅＶ以下であり、適当な陽極金属または陽極化合物
を選べば、比較的正孔を注入し易い。また電子親和力
は、好ましくは2.５ｅＶ以上であり、適当な陰極金属ま
たは陰極化合物を選べば、比較的電子を注入し易く、電
子の移動度に比べて、正孔の移動度に優れた正孔輸送性
の発光材料である。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、再結合時に形成された上記化合物，その会合体また
は結晶等の励起状態を光に変換する能力が大きい。

【００２２】本発明の有機ＥＬ素子において使用できる
基板は、透明性を有するものが好ましく、一般にガラ
ス，透明プラスチック，石英等が充当される。また、電
極（陽極，陰極）としては、金，アルミニウム，インジ
ウムなどの金属，合金，混合物あるいはインジウムチン
オキサイド（酸化インジウムと酸化錫の混合酸化物；Ｉ
ＴＯ），ＳｎＯ_2,ＺｎＯ等の透明材料を用いることが好
ましい。なお陽極には、仕事関数の大きい金属または電
気伝導性化合物が好適であり、また陰極には、仕事関数
の小さい金属または電気伝導性化合物が好適である。こ
れらの電極は、少なくとも一方が透明あるいは半透明で
あることが好ましい。

【００２３】本発明の有機ＥＬ素子では、正孔注入層や
電子注入層はなくてもよいが、両層を有するものが更に
好ましく、発光性能が一段と向上する。ここで、正孔注
入層は、正孔伝達化合物よりなり、陽極より注入された
正孔を、発光層に伝達する機能を持つ。この層をＥＬ素
子の陽極と発光層間に挟むことにより低電圧でより多く
の正孔が発光層に注入され、素子の輝度は向上する。こ
こで用いられる正孔注入層の正孔伝達化合物は、電場を
与えられた二個の電極間に配置されて陽極からの正孔の
注入を容易にすると共に、正孔を適切に発光層へ伝達す
ることができる化合物である。正孔注入層を陽極と発光
層との間に挟むことにより、より低い電界で多くの正孔
が発光層に注入される。さらに、陰極や電子注入層から
発光層に注入された電子は、発光層と正孔注入層の界面
に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付近
に蓄積され発光効率が向上する。ここで好ましい正孔伝
達化合物は、１０⁴ 〜１０⁶ ボルト／ｃｍの電場を与え
られた電極間に層が配置された場合、少なくとも１０^-6
ｃｍ² ／ボルト・秒の正孔移動度をもつ。従って好まし
い例としては、光導電材料において正孔伝達化合物とし
て用いられている各種化合物があげられる。

【００２４】このような正孔伝達化合物として以下のよ
うな例があげられる。米国特許第３１１２１９７号明細
書等に記載されているトリアゾール誘導体、米国特許第
３１８９４４７号明細書等に記載されているオキサジア
ゾール誘導体、特公昭３７−１６０９６号公報等に記載
されているイミダゾール誘導体、米国特許第３６１５４
０２号，同３８２０９８９号，同３５４２５４４号明細
書や特公昭４５−５５５号，同５１−１０９８３号公報
さらには特開昭５１−９３２２４号，同５５−１７１０
５号，同５６−４１４８号，同５５−１０８６６７号，
同５５−１５６９５３号，同５６−３６６５６号公報等
に記載されているポリアリールアルカン誘導体、米国特
許第３１８０７２９号，同４２７８７４６号明細書や特
開昭５５−８８０６４号，同５５−８８０６５号，同４
９−１０５５３７号，同５５−５１０８６号，同５６−
８００５１号，同５６−８８１４１号，同５７−４５５
４５号，同５４−１１２６３７号，同５５−７４５４６
号公報等に記載されているピラゾリン誘導体およびピラ
ゾロン誘導体、米国特許第３６１５４０４号明細書や特
公昭５１−１０１０５号，同４６−３７１２号，同４７
−２５３３６号公報さらには特開昭５４−５３４３５
号，同５４−１１０５３６号，同５４−１１９９２５号
公報等に記載されているフェニレンジアミン誘導体、米
国特許第３５６７４５０号，同３１８０７０３号，同３
２４０５９７号，同３６５８５２０号，同４２３２１０
３号，同４１７５９６１号，同４０１２３７６号明細書
や特公昭４９−３５７０２号，同３９−２７５７７号公
報さらには特開昭５５−１４４２５０号，同５６−１１
９１３２号，同５６−２２４３７号公報、西独特許第１
１１０５１８号明細書等に記載されているアリールアミ
ン誘導体、米国特許第３５２６５０１号明細書等に記載
されているアミノ置換カルコン誘導体、米国特許第３２
５７２０３号明細書等に記載されているオキサゾール誘
導体、特開昭５６−４６２３４号公報等に記載されてい
るスチリルアントラセン誘導体、特開昭５４−１１０８
３７号公報等に記載されているフルオレノン誘導体、米
国特許第３７１７４６２号明細書や特開昭５４−５９１
４３号，同５５−５２０６３号，同５５−５２０６４
号，同５５−４６７６０号，同５５−８５４９５号，同
５７−１１３５０号，同５７−１４８７４９号公報等に
記載されているヒドラゾン誘導体、特開昭６１−２１０
３６３号，同６１−２２８４５１号，同６１−１４６４
２号，同６１−７２２５５号，同６２−４７６４６号，
同６２−３６６７４号，同６２−１０６５２号，同６２
−３０２５５号，同６０−９３４４５号，同６０−９４
４６２号，同６０−１７４７４９号，同６０−１７５０
５２号公報等に記載されているスチルベン誘導体などを
列挙することができる。

【００２５】特に好ましい例としては、特開昭６３−２
９５６９５号公報に開示されているホール輸送層として
の化合物（芳香族三級アミン) や正孔注入帯としての化
合物（ポルフィリン化合物）をあげることができる。さ
らに特に正孔伝達化合物として好ましい例は、特開昭５
３−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同
５４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公
報，同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０
号公報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５
５５８号公報，同６１−９８３５３号公報及び米国特許
第４１２７４１２号明細書等に開示されているものであ
る。それらの例を示せば次の如くである。

【００２６】

【化１２】

【００２７】

【化１３】

【００２８】

【化１４】

【００２９】

【化１５】

【００３０】これらの正孔伝達化合物から正孔注入層を
形成するが、この正孔注入層は一層からなってもよく、
あるいは上記一層と別種の化合物を用いた正孔注入輸送
層を積層してもよい。

【００３１】一方、電子注入層は電子を伝達する化合物
よりなる。電子注入層を形成する電子伝達化合物の好ま
しい例には、

【００３２】

【化１６】

【００３３】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、特
開昭５７−１４９２５９号，同５８−５５４５０号，同
６３−１０４０６１号公報等に記載されているアントラ
キノジメタン誘導体、Polymer Preprints, Japan Vol.
37, No. ３(1988),p.681等に記載されている

【００３４】

【化１７】

【００３５】などのジフェニルキノン誘導体、などのチ
オピランジオキシド誘導体、J. J. APPl. Phys., 27, L
269(1988)等に記載されている

【００３６】

【化１８】

【００３７】などのチオピランジオキシド誘導体、J.
J. Appl. Phys., 27, L 269(1988)等に記載されている

【００３８】

【化１９】

【００３９】で表される化合物、特開昭６０−６９６５
７号，同６１−１４３７６４号，同６１−１４８１５９
号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘導
体、特開昭６１−２２５１５１号，同６１−２３３７５
０号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導
体及びアントロン誘導体などをあげることができる。ま
た、次の一般式（II) 及び（III)

【００４０】

【化２０】

【００４１】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ³ 及びＡｒ⁵ はそれ
ぞれ独立にアリール基を示し、Ａｒ⁴ はアリーレン基を
示す。これらのアリール基及びアリーレン基は置換され
ていても、置換されていなくてもよい。）で表される化
合物を挙げることができる。ここで、アリール基として
は、フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラ
ニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、アリ
ーレン基としては、フェニレン基，ナフチレン基，ビフ
ェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン基，ピ
レニレン基等が挙げられる。また、置換基としては、炭
素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキ
シ基又はシアノ基等が挙げられる。この一般式（II) 及
び（III)で表される化合物は、薄膜形成性のものが好ま
しい。この一般式（II) 及び（III)で表される化合物の
具体例としては、

【００４２】

【化２１】

【００４３】

【化２２】

【００４４】

【化２３】

【００４５】が挙げられる。前述した（１）陽極／発光
層／電子注入層／陰極の構成の有機ＥＬ素子を作成する
には、例えば次の如き手順にしたがえばよい。即ち、ま
ず、基板上に電極を蒸着もしくはスパッタ法にて製膜す
る。この際、膜状の電極の膜厚は、一般に１０ｎｍ〜１
μｍ、特に２００ｎｍ以下が、発光の透過率を高める上
で好ましい。次に、この電極の上に発光材料を薄膜状に
形成して発光層とする。この際の薄膜化方法は、スピン
コート，キャスト，蒸着法等があるが、均一な膜が得や
すいこと、及びピンホールが生成しないことから、とり
わけ真空蒸着法が好ましい。薄膜化に際して蒸着法を採
用する場合、その蒸着の条件は、例えばボート加熱温度
５０〜４００℃，真空度１０^-5〜１０^-3Ｐa ，蒸着速度
0.０１〜５０ｎｍ／秒，基板温度−５０〜＋３００℃の
範囲で膜厚５ｎｍ〜５μｍとなるように選定すればよ
い。なお、上述した条件は、化合物の種類及び分子堆積
膜の目的とする結晶構造，会合構造等により異なり、一
義的に定めることはできないが、ボートの加熱温度を化
合物が分解しない温度にとどめることが好ましい。この
発光層の形成後、電子注入材料を例えば真空蒸着法によ
り、上記発光層の上に積層薄膜化する。この際の蒸着条
件は、前記発光層の形成の際の条件と同様である。その
後、対向電極を蒸着法やスパッタ法にて膜厚５０〜２０
０ｎｍで形成すれば、目的の有機ＥＬ素子が作成され
る。

【００４６】また、（２）陽極／正孔注入層／発光層／
電子注入層／陰極の構成のＥＬ素子を作成するには、ま
ず電極，正孔注入輸送層，発光層を上記（１）の有機Ｅ
Ｌ素子と同様に形成し、その後、電子注入材料（電子伝
達化合物)を蒸着法にて薄膜化することにより、発光層
上に電子注入輸送層を形成し、最後に上記（１）の有機
ＥＬ素子を作成する場合と同様に、対向電極を形成すれ
ば、目的とする上記（２）の構成の有機ＥＬ素子が作成
される。ここで、正孔注入層／発光層／電子注入層の順
序を、電子注入層／発光層／正孔注入層に変えて、電極
／電子注入層／発光層／正孔注入層／電極の順に作製し
てもよい。

【００４７】さらに、（３）陽極／正孔注入層／発光層
／陰極の構成の有機ＥＬ素子を作成するには、前述の
（２）の構成の有機ＥＬ素子を作成する際に、電子注入
層の形成を省略すればよい。

【００４８】（４）陽極／発光層／陰極の構成の有機Ｅ
Ｌ素子を作成するには、前述の（２）の構成の有機ＥＬ
素子を作成する際に、正孔注入層及び電子注入層の形成
を省略すればよい。また、一対の電極間に正孔注入層，
発光層，電子注入層を混合させた形で挟持させた陽極／
発光層／陰極からなる素子の場合の作製方法としては、
例えば適当な基板の上に、陽極用物質からなる薄膜を形
成し、正孔注入材料，発光材料，電子注入材料，ポリビ
ニルカルバゾール等の結着剤等からなる溶液を塗布する
か、又はこの溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成させ
発光層とし、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成さ
せるものがある。ここで、作製した発光層上に、さらに
発光層の材料となる素子材料を真空蒸着し、その上に陰
極用物質からなる薄膜を形成させてもよい。

【００４９】以上のようにして得られた本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、印加電圧が交流の場合（交流駆動）には、陽
極側にプラスの電圧が印加されているバイアス状態の時
のみ発光が観測される。また、印加電圧が直流の場合
（直流駆動）には、陽極側にプラスの電圧を印加するこ
とにより常に発光が観測される。

【００５０】

【実施例】次に本発明を合成例，実施例及び比較例によ
りさらに詳しく説明する。 合成例１

【００５１】

【化２４】

【００５２】で表されるホスホン酸エステル1.８ｇをア
ルゴン雰囲気下でＤＭＳＯ２０ミリリットルに溶解し、
カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔＢｕＯＫ）1.０ｇを加え
た。その後、Ｎ−エチルカルバゾール−３−カルボキシ
アルデヒド2.０ｇを加え、室温で５時間攪拌した。得ら
れた反応物へメタノール１００ミリリットルを加た結
果、黄色の粉末が析出した。この粉末にＩ₂を含むベン
ゼン溶液を加え再結晶させたところ、0.８ｇの黄色の粉
末を得た。得られた生成物の融点は３００℃以上であっ
た。

【００５３】また、プロトン核磁気共鳴（ ¹Ｈ−ＮＭ
Ｒ）スペクトル，赤外吸収（ＩＲ）スペクトル及び元素
分析の測定結果を以下に示す。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ₂ ，標準：テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）＝6.９〜8.５（ｍ，２６Ｈ：中心ビフェニ
レン環及びカルバゾール環のＨ） δ（ｐｐｍ）＝4.３（ｑ，４Ｈ：エチル基のメチレン
（−ＣＨ₂ −）） δ（ｐｐｍ）＝1.４（ｔ，６Ｈ：エチル基のメチル（−
ＣＨ₃ −）） ＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠剤法） ν_C=C ；１６００ｃｍ^-1 （Ｃ＝Ｃの伸縮振動） δ_C-H ； ９７５ｃｍ^-1 （Ｃ−Ｈの面外変角振動） 元素分析（カッコ内は理論値） Ｃ：８8.８２％（８9.１５） Ｈ： 5.９８％（ 6.１２） Ｎ： 4.４５％（ 4.７３） 元素構成：Ｃ₄₄Ｈ₃₆Ｎ₂ 上記の測定結果より、得られた化合物は

【００５４】

【化２５】

【００５５】であることが確認された。

【００５６】合成例２〜１１ 第１表に示したホスホン酸エステル，アルデヒド，溶媒
及び塩基を用いたこと以外は、合成例１と同様の反応を
行った。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】

【表３】

【００６０】

【表４】

【００６１】実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール，純水，イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板ＵＶ／Ｏ₃ ドライストリッパー（サムコインター
ナショナル製）で１０分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真
空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートに合成例２で得られた化合物１（ＤＰ
ＡＢｉ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボー
トにｔＢｕ−ＰＢＤ（ドージン化学製）を２００ｍｇ入
れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後、Ｄ
ＰＡＢｉ入りの前記ボートを加熱し、ＤＰＡＢｉを蒸着
速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、
膜厚６０ｎｍの発光層を製膜した。このときの基板温度
は室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこ
となく、発光層上に、もう一つのボートを加熱すること
によりｔＢｕ−ＰＢＤを電子注入層として２０ｎｍ積層
蒸着した。このときの蒸着速度0.２〜0.４ｎｍ／秒、基
板温度は室温であった。得られた積層を真空槽より取り
出し、ステンレススチール製のマスクを設置し、再び基
板ホルダーに固定した。次にモリブテン製の抵抗加熱ボ
ートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また別のタング
ステン製の抵抗加熱フィラメントにＡｇ５００ｍｇを装
着した。その後、真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧し、
Ａｇを蒸着速度0.０７〜0.０９ｎｍ／秒、同時にもう一
方のボートよりマグネシウムを蒸着速度1.５〜2.０ｎｍ
／秒で蒸着した。このようにして、マグネシウムとＡｇ
の混合金属電極を発光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向
電極とした。この混合金属電極を陽極、ＩＴＯ電極を陰
極として直流６Ｖを印加した結果電流が５６ｍＡ／ｃｍ
² 程度流れ、青緑色の均一光を得た。分光測定の結果、
極大波長は４７８ｎｍ，発光輝度は１２６０ｃｄ／
ｍ² ，発光効率は1.２ルーメン／Ｗであった。また、こ
の素子は直流１０Ｖの印加で、安定した３１００ｃｄ／
ｍ ² の輝度を得た。

【００６２】実施例２ 発光材料に合成例１で得られた化合物８を用いたこと以
外は、実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製し、評価試
験を行った。得られた有機ＥＬ素子に直流６Ｖを印加し
た結果電流が１6.４ｍＡ／ｃｍ² 流れ、青緑色の均一光
を得た。分光測定の結果、発光輝度は５６０ｃｄ／
ｍ² ，発光効率は1.８ルーメン／Ｗであった。また、こ
の素子は直流７Ｖの印加で、電流が６１ｍＡ／ｃｍ² 流
れ、安定した２０００ｃｄ／ｍ² の輝度を得た。発光効
率は1.５ルーメン／Ｗであった

【００６３】実施例３ 発光材料に合成例１で得られた化合物８を用い、電子注
入層を作製しなかったこと以外は、実施例１と同様に有
機ＥＬ素子を作製し、評価試験を行った。得られた有機
ＥＬ素子に直流５Ｖを印加した結果、電流が１0.８ｍＡ
／ｃｍ² 流れ、青緑色の均一光を得た。分光測定の結
果、発光輝度は１０２ｃｄ／ｍ² ，発光効率は0.８ルー
メン／Ｗであった。

【００６４】実施例４〜１２ 発光材料として、合成例３で得られた化合物２（実施例
４），合成例４で得られた化合物３（実施例５），合成
例５で得られた化合物４（実施例６），合成例６で得ら
れた化合物５（実施例７），合成例７で得られた化合物
６（実施例８），合成例８で得られた化合物７（実施例
９），合成例９で得られた化合物９（実施例１０），合
成例１０で得られた化合物１０（実施例１１）あるいは
合成例１１で得られた化合物１１（実施例１２）を用い
たこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。評価試験の結果を第２表に示す。

【００６５】

【表５】

【００６６】比較例１〜３ 発光材料に第３表に示したものを用いたこと以外は、実
施例と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。評価試験の
結果を第３表に示す。

【００６７】

【表６】

【００６８】

【表７】

【００６９】

【発明の効果】以上の如く、本発明の有機ＥＬ素子は低
電圧を印加するだけで高輝度を得ることができ、かつ非
常に高い発光効率も有している。また、この素子は、従
来困難とされていた青色系発光を高輝度，高効率で可能
とした。従って、本発明の有機ＥＬ素子は各種機器のデ
ィスプレイ，発光素子等の表示用素子として利用するこ
とが可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠本 正 千葉県袖ケ浦市上泉1280番地 出光興産株 式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｘ及びＺは各々独立に 【化２】 を示し、Ｙは 【化３】 を示す。）で表される発光材料を用いると共に、発光効
   率が0.８ルーメン／Ｗ以上であることを特徴とする有機
   エレクトロルミネッセッス素子。
2. 【請求項２】 陽極／発光層／電子注入層／陰極の順に
   積層してなる請求項１記載の有機エレクトロルミネッセ
   ッス素子。
3. 【請求項３】 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層
   ／陰極の順に積層してなる請求項１記載の有機エレクト
   ロルミネッセッス素子。
4. 【請求項４】 陽極／発光層／陰極の順に積層してなる
   請求項１記載の有機エレクトロルミネッセッス素子。