JPH05179455A - ＣｕおよびＣｕ合金へのＮｉめっき方法 - Google Patents
ＣｕおよびＣｕ合金へのＮｉめっき方法Info
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- JPH05179455A JPH05179455A JP35876891A JP35876891A JPH05179455A JP H05179455 A JPH05179455 A JP H05179455A JP 35876891 A JP35876891 A JP 35876891A JP 35876891 A JP35876891 A JP 35876891A JP H05179455 A JPH05179455 A JP H05179455A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Cu およびCu合金を素材としたコネクタのめっ
きに関し、該素材に対してNi−Ｐ合金めっきを施し安価
に耐食性を向上させるものである。 【構成】 CuおよびCu合金からなる素材にNi−Ｐ合金め
っきを施す第１工程と、前記Ni−Ｐ合金めっきを施した
素材を 700℃以上で、かつNi−Ｐ合金の融点未満の温度
で加熱する第２工程とからなることを特徴とするCuおよ
びCu合金へのNiめっき方法。 【効果】 本発明はCuおよびCu合金に, Ni−Ｐ合金めっ
きを施し加熱拡散により表面部のＰ含有量を高め、コネ
クタ下地めっきであるNiめっき膜の耐食性を向上させ
た。
きに関し、該素材に対してNi−Ｐ合金めっきを施し安価
に耐食性を向上させるものである。 【構成】 CuおよびCu合金からなる素材にNi−Ｐ合金め
っきを施す第１工程と、前記Ni−Ｐ合金めっきを施した
素材を 700℃以上で、かつNi−Ｐ合金の融点未満の温度
で加熱する第２工程とからなることを特徴とするCuおよ
びCu合金へのNiめっき方法。 【効果】 本発明はCuおよびCu合金に, Ni−Ｐ合金めっ
きを施し加熱拡散により表面部のＰ含有量を高め、コネ
クタ下地めっきであるNiめっき膜の耐食性を向上させ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、CuおよびCu合金へのNi
めっき方法に関し、安価にNiめっき膜の耐食性を向上さ
せるものである。
めっき方法に関し、安価にNiめっき膜の耐食性を向上さ
せるものである。
【０００２】
【従来の技術】CuおよびCu合金 (以下、単にCuという)
は、電気伝導性、熱伝導性に優れることから、電子材料
・部品として広範囲に使用されている。CuへのNiめっき
方法は比較的容易であり、Cu表面を脱脂した後、酸で活
性化し、電気めっきや無電解めっきを施している。そし
て、本発明はCuを素材としたコネクタのめっき方法に関
連するものである。
は、電気伝導性、熱伝導性に優れることから、電子材料
・部品として広範囲に使用されている。CuへのNiめっき
方法は比較的容易であり、Cu表面を脱脂した後、酸で活
性化し、電気めっきや無電解めっきを施している。そし
て、本発明はCuを素材としたコネクタのめっき方法に関
連するものである。
【０００３】Niめっきは、コネクタ材料のSnやAuの下地
めっきとしてよく用いられてる。コネクタの表面機能は
低接触抵抗であることであり、下地のNiめっきは低接触
抵抗となるように選定されたSnやAuの最表面めっきの初
期性能を維持することを役割とする。下地のNiめっきの
耐食性が不十分であれば、ピンホ−ルを基点とした腐食
進行のため、最表層めっきであるSnやAuの表面機能が低
下する。従って、耐食性を向上させる単純な手段として
は、腐食基点となるピンホ−ルを極力抑える意味から、
めっき層を厚く設計することである。
めっきとしてよく用いられてる。コネクタの表面機能は
低接触抵抗であることであり、下地のNiめっきは低接触
抵抗となるように選定されたSnやAuの最表面めっきの初
期性能を維持することを役割とする。下地のNiめっきの
耐食性が不十分であれば、ピンホ−ルを基点とした腐食
進行のため、最表層めっきであるSnやAuの表面機能が低
下する。従って、耐食性を向上させる単純な手段として
は、腐食基点となるピンホ−ルを極力抑える意味から、
めっき層を厚く設計することである。
【０００４】最近、コネクタの下地めっきとして、Ni−
Ｐ合金めっきが注目されている。Ni−Ｐ合金めっきは無
電解めっきの代表的なものであり、還元材として次亜リ
ン酸ナトリウムを用い、その還元力によって外部電源を
用いずにNiを析出させている。このとき、還元材からＰ
がNiめっき膜中に共析する。
Ｐ合金めっきが注目されている。Ni−Ｐ合金めっきは無
電解めっきの代表的なものであり、還元材として次亜リ
ン酸ナトリウムを用い、その還元力によって外部電源を
用いずにNiを析出させている。このとき、還元材からＰ
がNiめっき膜中に共析する。
【０００５】Niめっき膜中にＰが含有されると、Ｐが５
Wt％ (以下、単に％として表示する）程度まではNiの過
飽和固溶体であるが、５％からさらにＰ含有量が増加す
るとアモルファスライクの構造に次第に移り変わる。そ
してＰ含有量が10％以上となる高ＰのNiめっき膜では、
耐食性が著しく向上することが示されている。これはＰ
の３ｓ，３p バンドの電子がNiのｄバンドの空孔を埋
め、Ni−Ｐ合金の表面活性を低下させるためと説明され
ている。
Wt％ (以下、単に％として表示する）程度まではNiの過
飽和固溶体であるが、５％からさらにＰ含有量が増加す
るとアモルファスライクの構造に次第に移り変わる。そ
してＰ含有量が10％以上となる高ＰのNiめっき膜では、
耐食性が著しく向上することが示されている。これはＰ
の３ｓ，３p バンドの電子がNiのｄバンドの空孔を埋
め、Ni−Ｐ合金の表面活性を低下させるためと説明され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、コネクタ下地めっきであるNiめっき膜の耐
食性の向上である。単純にめっき膜を厚くするにはコス
ト高をまねき、特に表面めっきにAuを用いる場合には、
めっき厚は重大なコスト支配要素となってしまう。ま
た、15％程度の高Ｐのめっき膜を作製する場合、めっき
液の価格が高くさらにこのめっきの析出速度が遅いため
にこれまたコスト高をまねいてしまう。
する課題は、コネクタ下地めっきであるNiめっき膜の耐
食性の向上である。単純にめっき膜を厚くするにはコス
ト高をまねき、特に表面めっきにAuを用いる場合には、
めっき厚は重大なコスト支配要素となってしまう。ま
た、15％程度の高Ｐのめっき膜を作製する場合、めっき
液の価格が高くさらにこのめっきの析出速度が遅いため
にこれまたコスト高をまねいてしまう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、コス
トが安定しているNi−Ｐ合金めっきののち、熱処理によ
ってNiと素材のCuを相互拡散させ、結果としてめっき表
面部のＰ含有量を高めることを試みた。すなわち、本発
明の要旨とするところは、CuおよびCu合金にNi−Ｐ合金
めっきを施す第１工程と、前記Ni−Ｐ合金めっきを施し
た素材を 700℃以上で、かつNi−Ｐ合金の融点未満の温
度で加熱する第２工程とからなるCuおよびCu合金へのNi
めっき方法である。
トが安定しているNi−Ｐ合金めっきののち、熱処理によ
ってNiと素材のCuを相互拡散させ、結果としてめっき表
面部のＰ含有量を高めることを試みた。すなわち、本発
明の要旨とするところは、CuおよびCu合金にNi−Ｐ合金
めっきを施す第１工程と、前記Ni−Ｐ合金めっきを施し
た素材を 700℃以上で、かつNi−Ｐ合金の融点未満の温
度で加熱する第２工程とからなるCuおよびCu合金へのNi
めっき方法である。
【０００８】第１工程のNi−Ｐ合金めっきはアモルファ
スライクの結晶構造をとるＰ含有量５％以上であり、基
本的に市販実績が豊富でコストも安定している８〜12％
のものが選ばれる。また、電気めっきによるNi−Ｐ合金
を包含する。第２工程の加熱工程は、Ni−Ｐ合金めっき
の表面清浄性を保持するため、窒素、アルゴン、真空等
の無酸化雰囲気、水素もしくは水素・窒素混合気流中の
還元雰囲気で行われ、生産性を考慮して 700℃以上とす
る。また、Ni−Ｐ合金は、Ｐ含有量よって融点が異なる
(高Ｐになるほど融点が低下）ため、加熱温度上限を融
点未満とした。
スライクの結晶構造をとるＰ含有量５％以上であり、基
本的に市販実績が豊富でコストも安定している８〜12％
のものが選ばれる。また、電気めっきによるNi−Ｐ合金
を包含する。第２工程の加熱工程は、Ni−Ｐ合金めっき
の表面清浄性を保持するため、窒素、アルゴン、真空等
の無酸化雰囲気、水素もしくは水素・窒素混合気流中の
還元雰囲気で行われ、生産性を考慮して 700℃以上とす
る。また、Ni−Ｐ合金は、Ｐ含有量よって融点が異なる
(高Ｐになるほど融点が低下）ため、加熱温度上限を融
点未満とした。
【０００９】
【作用および効果】本発明によって得られたNi−Ｐ合金
めっき膜は、素材とめっき界面から表面にむかってＰ濃
度が徐々に増加したものとなり、めっき表面が高Ｐのめ
っき膜となる。従って、比較的安価にNi−Ｐ合金めっき
膜の耐食性を向上させ、結果としこの上にSnやAuめっき
を厚く施す必要がない。
めっき膜は、素材とめっき界面から表面にむかってＰ濃
度が徐々に増加したものとなり、めっき表面が高Ｐのめ
っき膜となる。従って、比較的安価にNi−Ｐ合金めっき
膜の耐食性を向上させ、結果としこの上にSnやAuめっき
を厚く施す必要がない。
【００１０】
【実施例】2mm×20mm×50mmのCuに一般的なめっき前処
理を施し、市販の無電解Niめっき液 (日本カニゼン製Ｓ
−753)に20分間浸漬した。こうして得られたCu上の無電
解めっき膜をケイ光Ｘ線式膜厚計 (セイコ- 電子工業Ｓ
ＦＴ-8000)で測定したところ、めっき厚さ 5mm、Ｐ含有
量 8％の結果が得られた。さらに、無電解Niめっきした
Cuを 750℃で10分間、真空熱処理を行い同様に無電解Ni
めっき膜をケイ光Ｘ線式膜厚計で測定したところ、表層
のＰ含有量は12％に増加しているとが確認された。
理を施し、市販の無電解Niめっき液 (日本カニゼン製Ｓ
−753)に20分間浸漬した。こうして得られたCu上の無電
解めっき膜をケイ光Ｘ線式膜厚計 (セイコ- 電子工業Ｓ
ＦＴ-8000)で測定したところ、めっき厚さ 5mm、Ｐ含有
量 8％の結果が得られた。さらに、無電解Niめっきした
Cuを 750℃で10分間、真空熱処理を行い同様に無電解Ni
めっき膜をケイ光Ｘ線式膜厚計で測定したところ、表層
のＰ含有量は12％に増加しているとが確認された。
【００１１】また、熱処理後の無電解NiめっきされたCu
の断面を斜めにカットし、断面をＥＰＭＡで分析したと
ころ、NiとCuが相互に拡散し、表層のＰ含有量が増加し
ているのが認められた。図１に本実施例で測定したＥＰ
ＭＡの分析結果を示す。さらに、同様にして作製した 7
50℃熱処理のあるものと熱処理を施さずに無電解めっき
を施こしたままのものを１ＮのＨＮＯ3 に浸漬し腐食減
量を測定した。その結果、熱処理のあるものは単位面積
当たりの腐食減量が40mg／( m2min)であるのに対して、
熱処理を施さないものは60mg／( m2min)と多かった。
の断面を斜めにカットし、断面をＥＰＭＡで分析したと
ころ、NiとCuが相互に拡散し、表層のＰ含有量が増加し
ているのが認められた。図１に本実施例で測定したＥＰ
ＭＡの分析結果を示す。さらに、同様にして作製した 7
50℃熱処理のあるものと熱処理を施さずに無電解めっき
を施こしたままのものを１ＮのＨＮＯ3 に浸漬し腐食減
量を測定した。その結果、熱処理のあるものは単位面積
当たりの腐食減量が40mg／( m2min)であるのに対して、
熱処理を施さないものは60mg／( m2min)と多かった。
【００１２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明における無電解めっきされたCuの断面
のＥＰＭＡ分析結果である。
のＥＰＭＡ分析結果である。
Claims (1)
- 【請求項１】 CuおよびCu合金からなる素材にNi−Ｐ合
金めっきを施す第１工程と、前記Ni−Ｐ合金めっきを施
した素材を 700℃以上で、かつNi−Ｐ合金の融点未満の
温度で加熱する第２工程とからなることを特徴とするCu
およびCu合金金へのNiめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35876891A JPH05179455A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ＣｕおよびＣｕ合金へのＮｉめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35876891A JPH05179455A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ＣｕおよびＣｕ合金へのＮｉめっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179455A true JPH05179455A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=18461012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35876891A Pending JPH05179455A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ＣｕおよびＣｕ合金へのＮｉめっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05179455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010092944A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-16 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル、携帯電子機器、及び電気化学セルの製造方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP35876891A patent/JPH05179455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2010092944A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2012-08-16 | セイコーインスツル株式会社 | 電気化学セル、携帯電子機器、及び電気化学セルの製造方法 |
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