JPH05180967A - 核融合装置の支持方法 - Google Patents
核融合装置の支持方法Info
- Publication number
- JPH05180967A JPH05180967A JP3345771A JP34577191A JPH05180967A JP H05180967 A JPH05180967 A JP H05180967A JP 3345771 A JP3345771 A JP 3345771A JP 34577191 A JP34577191 A JP 34577191A JP H05180967 A JPH05180967 A JP H05180967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- damper
- deformation
- supporting
- disruption
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】真空容器２は、支持脚１４によって架台１５に
接続される。この支持脚１４は主半径方向３０に移動可
能である。これとは別にディスラプションで最も変形の
大きいアウトボード９に主半径方向３０に移動可能なよ
うにダンパ１を架台１５との間に取り付ける。ダンパ１
はオイル１６で満たされたシリンダ１７と孔１９の開い
たピストン１８で構成されている。ダンパ１によって、
べーキングのように遅いモードの変形を吸収し、ディス
ラプションのように早いモードの変形を抑制する。 【効果】ダンパによって、ディスラプションの早いモー
ドの変形を抑制されるので、ディスラプションに対する
真空容器の健全性が向上する。
接続される。この支持脚１４は主半径方向３０に移動可
能である。これとは別にディスラプションで最も変形の
大きいアウトボード９に主半径方向３０に移動可能なよ
うにダンパ１を架台１５との間に取り付ける。ダンパ１
はオイル１６で満たされたシリンダ１７と孔１９の開い
たピストン１８で構成されている。ダンパ１によって、
べーキングのように遅いモードの変形を吸収し、ディス
ラプションのように早いモードの変形を抑制する。 【効果】ダンパによって、ディスラプションの早いモー
ドの変形を抑制されるので、ディスラプションに対する
真空容器の健全性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、核融合装置における導
電性構造物の支持方法に関する。
電性構造物の支持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２にトカマク型核融合装置の断面を示
す。図２において、３０，３１，３２の矢印方向を、そ
れぞれ主半径方向３０，トロイダル方向３１，上下方向
３２と定める。装置は真空容器２，ポロイダル磁場コイ
ル３，トロイダル磁場コイル４などの導電性構造物で構
成される。トカマク型核融合装置では、トーラス状の真
空容器２内に強力な磁場を発生し、その磁場によってプ
ラズマ６を閉じ込める。図では磁気面５を示し、磁場は
磁気面５に沿って発生する。プラズマは、抵抗加熱や高
周波加熱によって高温に加熱され、加熱されたプラズマ
中の核融合反応によってエネルギを発生する。このよう
なトカマク型核融合装置において、生成されたプラズマ
が急速に消滅するディスラプションと呼ばれる現象が発
生する。ディスラプションは、プラズマ中のある種の不
安定性によって誘発されると考えられており、現状の技
術でディスラプションが起きないようにすることはでき
ない。そのため、装置はディスラプションが発生しても
健全性を保てるように設計する必要がある。ディスラプ
ションが発生すると、プラズマ中に流れていた大電流が
急激に減衰し、プラズマ中の電流によって保持されてい
た磁気エネルギを保存するように真空容器，ポロイダル
磁場コイル等の導電性構造物に渦電流が流れる。この渦
電流は、プラズマを閉じ込めるために発生していた強力
な磁場と相互作用し、強大な電磁力を導電性構造物に加
えることになる。ディスラプションは、装置の大きさに
もよるが、主半径４ｍの装置では１０ｍｓ程度の時間で
プラズマが消滅し、渦電流及び電磁力は４００ｍｓ程度
の間発生する。
す。図２において、３０，３１，３２の矢印方向を、そ
れぞれ主半径方向３０，トロイダル方向３１，上下方向
３２と定める。装置は真空容器２，ポロイダル磁場コイ
ル３，トロイダル磁場コイル４などの導電性構造物で構
成される。トカマク型核融合装置では、トーラス状の真
空容器２内に強力な磁場を発生し、その磁場によってプ
ラズマ６を閉じ込める。図では磁気面５を示し、磁場は
磁気面５に沿って発生する。プラズマは、抵抗加熱や高
周波加熱によって高温に加熱され、加熱されたプラズマ
中の核融合反応によってエネルギを発生する。このよう
なトカマク型核融合装置において、生成されたプラズマ
が急速に消滅するディスラプションと呼ばれる現象が発
生する。ディスラプションは、プラズマ中のある種の不
安定性によって誘発されると考えられており、現状の技
術でディスラプションが起きないようにすることはでき
ない。そのため、装置はディスラプションが発生しても
健全性を保てるように設計する必要がある。ディスラプ
ションが発生すると、プラズマ中に流れていた大電流が
急激に減衰し、プラズマ中の電流によって保持されてい
た磁気エネルギを保存するように真空容器，ポロイダル
磁場コイル等の導電性構造物に渦電流が流れる。この渦
電流は、プラズマを閉じ込めるために発生していた強力
な磁場と相互作用し、強大な電磁力を導電性構造物に加
えることになる。ディスラプションは、装置の大きさに
もよるが、主半径４ｍの装置では１０ｍｓ程度の時間で
プラズマが消滅し、渦電流及び電磁力は４００ｍｓ程度
の間発生する。
【０００３】以下に、主半径４.３ｍ，副半径１.３ｍ，
厚さ２０ｍｍのステンレス製の真空容器を持つ装置にお
いて、プラズマが定位置で消滅するディスラプションと
して、プラズマ電流が１０ＭＡから１０ｍｓで消滅した
としたときの渦電流及び変形を数値解析した結果を示
す。図３は、真空容器２に流れる渦電流分布を示してい
る。図における渦電流流線７の密度が電流密度に比例
し、渦電流流線７の方向が渦電流の方向と一致する。こ
の結果より渦電流は主にインボード８及びアウトボード
９に発生し、トロイダル方向３１に流れる。この渦電流
がインボード８及びアウトボード９における上下方向３
２の磁場１０及び磁場１１と相互作用することによって
強力な電磁力１２及び電磁力１３を発生する。この電磁
力の大きさは最大で１.２ＭＰａ にもなる。その方向は
図中の矢印が示す方向であり、主半径方向３０に真空容
器２を押しつぶす方向である。この電磁力によって発生
する真空容器の変形を図４に示す。変形においても、強
い電磁力が発生しているインボード８及びアウトボード
９の変形が大きく、主半径方向３０に最大で１.０ｃｍ
も変形する。この変形によって発生する応力は５０kg/m
m2以上となり、この値はステンレスの許容応力の数倍で
ある。このような設計の真空容器では、ディスラプショ
ンによる変形によって破壊する可能性が高いと考えられ
る。またポロイダル磁場コイルでも、ディスラプション
によって主半径方向に電磁力が発生するため、主半径方
向に変形する。このように、真空容器やポロイダル磁場
コイルなどは、ディスラプションによる変形によって破
壊されない強度を持つ構造又は変形を抑制する支持が必
要である。
厚さ２０ｍｍのステンレス製の真空容器を持つ装置にお
いて、プラズマが定位置で消滅するディスラプションと
して、プラズマ電流が１０ＭＡから１０ｍｓで消滅した
としたときの渦電流及び変形を数値解析した結果を示
す。図３は、真空容器２に流れる渦電流分布を示してい
る。図における渦電流流線７の密度が電流密度に比例
し、渦電流流線７の方向が渦電流の方向と一致する。こ
の結果より渦電流は主にインボード８及びアウトボード
９に発生し、トロイダル方向３１に流れる。この渦電流
がインボード８及びアウトボード９における上下方向３
２の磁場１０及び磁場１１と相互作用することによって
強力な電磁力１２及び電磁力１３を発生する。この電磁
力の大きさは最大で１.２ＭＰａ にもなる。その方向は
図中の矢印が示す方向であり、主半径方向３０に真空容
器２を押しつぶす方向である。この電磁力によって発生
する真空容器の変形を図４に示す。変形においても、強
い電磁力が発生しているインボード８及びアウトボード
９の変形が大きく、主半径方向３０に最大で１.０ｃｍ
も変形する。この変形によって発生する応力は５０kg/m
m2以上となり、この値はステンレスの許容応力の数倍で
ある。このような設計の真空容器では、ディスラプショ
ンによる変形によって破壊する可能性が高いと考えられ
る。またポロイダル磁場コイルでも、ディスラプション
によって主半径方向に電磁力が発生するため、主半径方
向に変形する。このように、真空容器やポロイダル磁場
コイルなどは、ディスラプションによる変形によって破
壊されない強度を持つ構造又は変形を抑制する支持が必
要である。
【０００４】真空容器やポロイダル磁場コイルの支持と
して以下のような制約がある。真空容器において、不純
物の少ないプラズマを生成するため、真空容器を４００
℃程度まで加熱し、真空容器の内壁の不純物を取り除く
ベーキングという作業が行われる。このベーキングによ
る真空容器の熱膨張は主半径方向に大きく、大型の装置
では２ｃｍ以上になる。そのため真空容器の支持は主半
径方向に移動可能な構造とする必要がある。また、超電
導化されたポロイダル磁場コイルでは、通電時に液体ヘ
リウム（沸点−２６９℃）又は液体窒素（沸点−１９６
℃）などによって冷却する。そのために発生するポロイ
ダル磁場コイルの熱収縮も主半径方向に大きく数ｃｍと
なる。そのためポロイダル磁場コイルの支持も、主半径
方向に移動可能な構造とする必要がある。
して以下のような制約がある。真空容器において、不純
物の少ないプラズマを生成するため、真空容器を４００
℃程度まで加熱し、真空容器の内壁の不純物を取り除く
ベーキングという作業が行われる。このベーキングによ
る真空容器の熱膨張は主半径方向に大きく、大型の装置
では２ｃｍ以上になる。そのため真空容器の支持は主半
径方向に移動可能な構造とする必要がある。また、超電
導化されたポロイダル磁場コイルでは、通電時に液体ヘ
リウム（沸点−２６９℃）又は液体窒素（沸点−１９６
℃）などによって冷却する。そのために発生するポロイ
ダル磁場コイルの熱収縮も主半径方向に大きく数ｃｍと
なる。そのためポロイダル磁場コイルの支持も、主半径
方向に移動可能な構造とする必要がある。
【０００５】このような真空容器の支持として従来の技
術では図５に示すように、真空容器２の下部又はアウト
ボード９に支持脚１４を設け、支持脚１４を主半径方向
３０に移動可能な構造としていた。特公平2−38920号公
報には、真空容器下部の支持脚をトロイダル磁場コイル
間の空間形状に合わせた支持領域の広い台形とする支持
方法が記載されている。しかし、ディスラプションによ
って発生する主半径方向の変形を減少させるための支持
方法について記載されたものは無かった。
術では図５に示すように、真空容器２の下部又はアウト
ボード９に支持脚１４を設け、支持脚１４を主半径方向
３０に移動可能な構造としていた。特公平2−38920号公
報には、真空容器下部の支持脚をトロイダル磁場コイル
間の空間形状に合わせた支持領域の広い台形とする支持
方法が記載されている。しかし、ディスラプションによ
って発生する主半径方向の変形を減少させるための支持
方法について記載されたものは無かった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術では、
真空容器及びポロイダル磁場コイルなどは主半径方向に
移動可能な支持であるため、ディスラプションによって
発生する主半径方向の変形に対して効果が無かった。
真空容器及びポロイダル磁場コイルなどは主半径方向に
移動可能な支持であるため、ディスラプションによって
発生する主半径方向の変形に対して効果が無かった。
【０００７】本発明の目的は、ディスラプションによっ
て発生する主半径方向の変形を減少させることにある。
て発生する主半径方向の変形を減少させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は真空容器のインボード及びアウトボード、
ポロイダル磁場コイルなどのディスラプションによって
変形を受けやすい部分をダンパを用いて支持することに
よって、べーキングのように遅いモードの変形を吸収
し、ディスラプションのように早いモードの変形を抑制
する。
め、本発明は真空容器のインボード及びアウトボード、
ポロイダル磁場コイルなどのディスラプションによって
変形を受けやすい部分をダンパを用いて支持することに
よって、べーキングのように遅いモードの変形を吸収
し、ディスラプションのように早いモードの変形を抑制
する。
【０００９】
【作用】本発明によれば、ディスラプションによって変
形を受けやすい部分をダンパを用いて抑制することによ
って、ディスラプションによる変形が小さくなる。
形を受けやすい部分をダンパを用いて抑制することによ
って、ディスラプションによる変形が小さくなる。
【００１０】
【実施例】図１は第１の実施例による核融合装置用真空
容器の説明図である。真空容器２は支持脚１４によって
架台１５に接続される。この支持脚１４は従来技術と同
じく主半径方向３０に移動可能である。これとは別にデ
ィスラプションにおいて最も変形の大きいアウトボード
９の中心に、主半径方向３０に移動可能なダンパ１を架
台１５との間に取り付ける。このダンパ１はオイル１６
で満たされたシリンダ１７と孔１９の開いたピストン１
８で構成されていて、穴１９の大きさでピストン１８の
移動し易さが決まる。ある変形が起こったときに、その
変形をダンパが吸収するのに必要な時間を時定数と名付
ける。主半径４ｍの装置では発生する渦電流及び電磁力
は４００ｍｓ程度の間発生するため、ディスラプション
によって発生する変形も同程度の時間で起こると考えら
れる。その変形を抑制するために、ダンパの時定数はそ
の時間よりも十分に長くなければならない。またベーキ
ングによる真空容器の熱膨張やコイルの超電導化のため
の冷却による熱収縮は数時間程度の時間を掛けてゆっく
りと行われるため、その変形を吸収するためにはダンパ
の時定数をそれよりも短くすればよい。このような時定
数を持つダンパ１によって真空容器２のアウトボード９
の中心を主半径方向３０に抑制することによって、ディ
スラプションのように早いモードの変形を抑制しべーキ
ングのように遅いモードの変形を吸収することができ
る。
容器の説明図である。真空容器２は支持脚１４によって
架台１５に接続される。この支持脚１４は従来技術と同
じく主半径方向３０に移動可能である。これとは別にデ
ィスラプションにおいて最も変形の大きいアウトボード
９の中心に、主半径方向３０に移動可能なダンパ１を架
台１５との間に取り付ける。このダンパ１はオイル１６
で満たされたシリンダ１７と孔１９の開いたピストン１
８で構成されていて、穴１９の大きさでピストン１８の
移動し易さが決まる。ある変形が起こったときに、その
変形をダンパが吸収するのに必要な時間を時定数と名付
ける。主半径４ｍの装置では発生する渦電流及び電磁力
は４００ｍｓ程度の間発生するため、ディスラプション
によって発生する変形も同程度の時間で起こると考えら
れる。その変形を抑制するために、ダンパの時定数はそ
の時間よりも十分に長くなければならない。またベーキ
ングによる真空容器の熱膨張やコイルの超電導化のため
の冷却による熱収縮は数時間程度の時間を掛けてゆっく
りと行われるため、その変形を吸収するためにはダンパ
の時定数をそれよりも短くすればよい。このような時定
数を持つダンパ１によって真空容器２のアウトボード９
の中心を主半径方向３０に抑制することによって、ディ
スラプションのように早いモードの変形を抑制しべーキ
ングのように遅いモードの変形を吸収することができ
る。
【００１１】図６に本実施例を用いた真空容器２のディ
スラプションによる変形を示す。この解析は図４におけ
る解析と異なりポート２０の下端２１を主半径方向３０
に束縛している。下端２１を束縛したことは、その部分
がダンパによって支持されていることを模擬している。
図６と図４を比較すると、図６における変形は約３分の
１となっている。これはダンパによってポート２０を主
半径方向３０に束縛することによって、アウトボード９
も主半径方向３０に抑制されるため変形が減少すること
を示している。この変形は下端２１を中心に回転する方
向に変形している。この変形を減少させるためにポート
の上端でもダンパによって主半径方向に支持することは
効果がある。また、アウトボードやインボードに直接ダ
ンパを取り付けて主半径方向に支持することも同様に効
果があると考えられる。
スラプションによる変形を示す。この解析は図４におけ
る解析と異なりポート２０の下端２１を主半径方向３０
に束縛している。下端２１を束縛したことは、その部分
がダンパによって支持されていることを模擬している。
図６と図４を比較すると、図６における変形は約３分の
１となっている。これはダンパによってポート２０を主
半径方向３０に束縛することによって、アウトボード９
も主半径方向３０に抑制されるため変形が減少すること
を示している。この変形は下端２１を中心に回転する方
向に変形している。この変形を減少させるためにポート
の上端でもダンパによって主半径方向に支持することは
効果がある。また、アウトボードやインボードに直接ダ
ンパを取り付けて主半径方向に支持することも同様に効
果があると考えられる。
【００１２】本発明の第２の実施例を図７により説明す
る。図７は本実施例によるポロイダル磁場コイル３の支
持方法を示す。ポロイダル磁場コイル３も真空容器同
様、ディスラプションによってトロイダル方向３１に渦
電流が発生する。このトロイダル方向３１の渦電流が上
下方向３２の磁場と相互作用することによって、主に主
半径方向３０に電磁力を発生し、変形も主半径方向３０
に起こる。そのため図７のように主半径方向３０をダン
パ１を用いて支持することによってポロイダル磁場コイ
ル３の超電導化のための冷却による熱収縮を吸収し、デ
ィスラプションによる変形を減少させることができる。
る。図７は本実施例によるポロイダル磁場コイル３の支
持方法を示す。ポロイダル磁場コイル３も真空容器同
様、ディスラプションによってトロイダル方向３１に渦
電流が発生する。このトロイダル方向３１の渦電流が上
下方向３２の磁場と相互作用することによって、主に主
半径方向３０に電磁力を発生し、変形も主半径方向３０
に起こる。そのため図７のように主半径方向３０をダン
パ１を用いて支持することによってポロイダル磁場コイ
ル３の超電導化のための冷却による熱収縮を吸収し、デ
ィスラプションによる変形を減少させることができる。
【００１３】本発明の第３の実施例を図８により説明す
る。図８は本実施例による導電性構造物とダンパとの接
続方法を示している。導電性構造物である真空容器２の
インボード８とダンパ１はワイヤ２４によって接続さ
れ、ワイヤ２４の方向を変えるために滑車２２を設けて
いる。またダンパ１は、ワイヤ２４を常に引っ張ってた
るみを無くすためにスプリング２３を設けている。この
方法による支持では、ワイヤで支持する特性上、引っ張
る方向には支持できるが押す方向には支持出来ない。し
かし、変形する方向が判っているディスラプションによ
る真空容器の変形などでは、変形の方向と反対方向をワ
イヤの引っ張る方向とすることによって変形を抑制する
ことが出来る。
る。図８は本実施例による導電性構造物とダンパとの接
続方法を示している。導電性構造物である真空容器２の
インボード８とダンパ１はワイヤ２４によって接続さ
れ、ワイヤ２４の方向を変えるために滑車２２を設けて
いる。またダンパ１は、ワイヤ２４を常に引っ張ってた
るみを無くすためにスプリング２３を設けている。この
方法による支持では、ワイヤで支持する特性上、引っ張
る方向には支持できるが押す方向には支持出来ない。し
かし、変形する方向が判っているディスラプションによ
る真空容器の変形などでは、変形の方向と反対方向をワ
イヤの引っ張る方向とすることによって変形を抑制する
ことが出来る。
【００１４】この実施例による支持では、ダンパを設置
する位置を自由に取ることが出来るので、設置する空間
の無いような位置でも構造物の支持が可能となる。図８
では真空容器２のインボード８の支持を行った実施例を
示している。真空容器２のインボード８より主半径が小
さい領域では図８にも示されているようにポロイダル磁
場コイル３やトロイダル磁場コイル４があるために、ダ
ンパ１を設置するような空間はないと考えられる。しか
し、図８で示されるように、ダンパ１を真空容器２の上
部に設置しワイヤ２４をトロイダル磁場コイル４及びポ
ロイダル磁場コイル３の間を通過するようにすることに
よって真空容器２のインボード８の支持が可能となる。
する位置を自由に取ることが出来るので、設置する空間
の無いような位置でも構造物の支持が可能となる。図８
では真空容器２のインボード８の支持を行った実施例を
示している。真空容器２のインボード８より主半径が小
さい領域では図８にも示されているようにポロイダル磁
場コイル３やトロイダル磁場コイル４があるために、ダ
ンパ１を設置するような空間はないと考えられる。しか
し、図８で示されるように、ダンパ１を真空容器２の上
部に設置しワイヤ２４をトロイダル磁場コイル４及びポ
ロイダル磁場コイル３の間を通過するようにすることに
よって真空容器２のインボード８の支持が可能となる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、ディスラプション時に
真空容器やポロイダル磁場コイルの変形を減少させるこ
とができる。
真空容器やポロイダル磁場コイルの変形を減少させるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例を示す核融合装置用真空容器
の説明図。
の説明図。
【図２】トカマク型核融合装置の断面図。
【図３】ディスラプションにおける真空容器に流れる渦
電流を数値解析によって求めた結果の説明図。
電流を数値解析によって求めた結果の説明図。
【図４】従来の真空容器のディスラプションによって発
生する変形を数値解析によって求めた結果の説明図。
生する変形を数値解析によって求めた結果の説明図。
【図５】従来の真空容器の全体図。
【図６】本発明を実施した真空容器の、ディスラプショ
ンによって発生する変形を数値解析によって求めた結果
の説明図。
ンによって発生する変形を数値解析によって求めた結果
の説明図。
【図７】本発明の一実施例の説明図。
【図８】本発明の一実施例の説明図。
１…ダンパ、２…真空容器、８…インボード、９…アウ
トボード、１４…支持脚、１５…架台、１６…オイル、
１７…シリンダ、１８…ピストン、１９…孔。
トボード、１４…支持脚、１５…架台、１６…オイル、
１７…シリンダ、１８…ピストン、１９…孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 充志 茨城県日立市森山町1168番地 株式会社日 立製作所エネルギー研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器，ポロイダル磁場コイル，トロイ
ダル磁場コイルなどの構造物からなる核融合装置におい
て、早いモードの変形を抑制するダンパを用いて支持す
ることを特徴とする核融合装置の支持方法。 - 【請求項２】請求項１において、ディスラプションなど
によって発生する数百ｍｓ程度の変形よりも長く、ベー
キングなどの数時間程度で起こる熱膨張よりも短い時定
数を持つダンパによって支持する核融合装置の支持方
法。 - 【請求項３】請求項１において、前記真空容器のインボ
ード及びアウトボードを主半径方向にダンパによって支
持する核融合装置の支持方法。 - 【請求項４】請求項１において、前記真空容器のインボ
ード及びアウトボードの上下方向での中心で、主半径方
向にダンパによって支持する核融合装置の支持方法。 - 【請求項５】請求項１において、前記真空容器と前記真
空容器に取り付けられたポートにおいて、前記ポートの
上端，下端、又は両端を主半径方向にダンパによって支
持する核融合装置の支持方法。 - 【請求項６】請求項１において、ポロイダル磁場コイル
を主半径方向に支持する核融合装置の支持方法。 - 【請求項７】請求項１において、支持部をワイヤを経由
してダンパとつなげて支持する核融合装置の支持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345771A JPH05180967A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 核融合装置の支持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345771A JPH05180967A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 核融合装置の支持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05180967A true JPH05180967A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18378866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345771A Pending JPH05180967A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 核融合装置の支持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05180967A (ja) |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3345771A patent/JPH05180967A/ja active Pending
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