JPH05181260A - 半導体製造工程での原版の塵埃検出装置 - Google Patents

半導体製造工程での原版の塵埃検出装置

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JPH05181260A
JPH05181260A JP3308359A JP30835991A JPH05181260A JP H05181260 A JPH05181260 A JP H05181260A JP 3308359 A JP3308359 A JP 3308359A JP 30835991 A JP30835991 A JP 30835991A JP H05181260 A JPH05181260 A JP H05181260A
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JP
Japan
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original plate
sweeping
light
dust
laser
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Pending
Application number
JP3308359A
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English (en)
Inventor
Kazunari Imahashi
一成 今橋
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 原版上の塵埃を検出しうる装置を提供する。 【構成】 XまたはY方向のうち一方の掃引をレーザ光
路2に設けられたミラー28の角度を変えて行うレーザ
光掃引手段と、他方向のレーザ光掃引を上記原版もしく
は上記レーザ装置のいずれかを移動させて行う移動手段
と、原版の画像の位置に対応して設けられた掃引移動終
点検出手段15、16、26、27と、この掃引移動終
点検出手段により光の移動終点を知って上記移動手段を
動作させる制御手段19と、このようなXY掃引を上記
原版に行うことにより原版上の塵埃で生ずる散乱光を検
出する光検出手段3とからなる、IC、LSIなど半導
体製造工程での原版29の表面をレーザ装置1からのレ
ーザ光を照射掃引して表面の塵埃を検出する塵埃検出装
置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、写真原版の塵埃検出
装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、IC装置、LSI装置等の半導体
装置の製造に際しては、感光剤層を形成したシリコンウ
エハー等の上に、ガラス板等に画像を形成した原版を用
いて微細なパターンを焼付け、次に食刻等を施して製造
される。そして上記焼付けの方式としては大別して所謂
一括焼付け法と個別焼付け法に別けられる。一括焼付け
法は、最終パターンと同一のパターンを、ガラス板上等
に多数形成して原版を作成し、この原版を前記シリコン
ウエハー等の上に重ね、焼付ける。一方個別焼付け法
は、最終パターンの数倍乃至十倍程度の大きさの、一個
の原版を用い、レンズにより前記シリコンウエハー等の
上に縮尺投影して焼付ける。この場合普通には一枚のシ
リコンウエハー上に数百個の同一パターンを焼き付ける
ため、焼付けの度に、シリコンウエハー等を予め定めら
れた寸法だけ移動させ、焼付けを繰返す。上記個別焼付
法は一括焼付け法よりも原版作製が容易であり、その他
にも有利な点が多いため趨勢として、一括焼付け法から
順次個別焼付け法に移行しつつある。このような原版の
焼付け工程において、原版と異なったパターンが、シリ
コンウエハー上に作製される場合が生じる。その原因は
多数あるが、原版に付着している塵埃も主要な原因とな
っている。通常上記焼付けに際しては原版の清浄化は細
心の注意が払われるが、塵埃等を皆無となし得ない場合
がある。一括焼付け法では、塵埃の付着した原版による
もののみが不良品となるが、個別焼付け法においては全
製品が不良となり、甚大な損害をこうむる。
【0003】XYテーブル上のフォトマスクにレーザ光
を当て、上記XYテーブルをモータで駆動し表面からの
反射光を札増装置で検知する技術について、特開昭54
−3587号公報に記載されている。また、光源からの
光線を試料に平行移動させつつ照射し、この試料を回転
機構により回転させ試料全面を光照射し、試料面から戻
って来る2次光を受ける技術について、特開昭52−1
40385号公報に記載されている。また、レーザ光が
照射された被検査体をXYテーブルに乗せ、このXYテ
ーブルをXY方向へ移動して被検査体上にレーザ光を照
射させ、光電変換素子により乱反射光を検出する技術に
ついて特開昭54−128682号公報に記載されてい
る。また、レーザが照射され露光されるワークピースを
X方向に移動させ、Y方向のレーザ光の走査は反射鏡が
設けられたキャリッジをステップ移動させ、ワークピー
ス上にパターンを形成させる技術が特公昭53−261
14号公報に記載されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記公報には光の照射
掃引と乱反射光の検出の原理については記載されている
が、実際の装置を構成するに必要で具体的な構成要件が
記載されておらず、塵埃検出をしうる装置の提供が望ま
れていた。この発明は上記の状況に鑑みてなされたもの
で、その目的は原版上の塵埃を検出しうる装置を提供す
ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】IC、LSIなど半導体
製造工程での原版の表面をレーザ装置からのレーザ光を
照射掃引して表面の塵埃を光検出器により検出する装置
において、XまたはY方向のうち一方の掃引をレーザ光
路に設けられたミラーの角度を変えて行うレーザ光掃引
手段と、他方向のレーザ光掃引を上記原版もしくは上記
レーザ装置のいずれかを移動させて行う移動手段と、原
版の画像の位置に対応して設けられた掃引移動終点検出
手段と、この掃引移動終点検出手段により光の移動終点
を知って上記移動手段を動作させる制御手段と、このよ
うなXY掃引を上記原版に行うことにより原版上の塵埃
で生ずる散乱光を検出する光検出手段とから半導体製造
工程での原版の塵埃検出装置を構成する。
【0006】
【実施例】この発明を、一実施例を示す図面について述
べると、図1〜図3において、1はレーザー装置であっ
て、フレーム6に設けられており、このフレーム6は、
基板7上に第2コロ8を介して、図1においてX方向に
移動自在に設けられている。又基板7は基台9上に、第
1コロ10を介して、図3に示すY方向に移動自在に設
けられており、こうしてフレーム6はXY(直角)方向
に移動自在に形成されている。次に、11は第1ネジ軸
であり、第1モータ12により、第1減速機13を介し
て回転させられる。14は基板7上に設けた第1ネジ軸
受で、前記第1ネジ軸11と螺合し、その回転により基
板7を前後動させる。15は基台9に設けた第1枝杆
で、この第1枝杆15には2個のスイッチ16、17が
移動自在に設けられている。又、18は基板7に設けら
れた第1突起で、基板7の移動により前記スイッチ1
6、又は同17を作動させ、基板7の移動終点を、制御
装置19に通報、入力するようになっている。
【0007】又、同様に20は第2モータ、21は第2
減速機、22は第2減速機21により回転させられるネ
ジ軸、23はフレーム6に設けられたネジ軸受で、ネジ
軸22に螺合している。24はフレーム6に設けた第2
突起であり、基板7に設けた第2枝杆25のスイッチ2
6、27(スイッチ27は紙背となり現れない。)間を
往復動し、かつそれらを交互に作動させて、フレーム6
の移動終点を、制御装置19に通報、入力するようにな
っている。
【0008】次に、28はフレーム6に設けられたミラ
ーであり、前記レーザー装置1からのコヒーレントな光
の軌跡2を、ほぼ直角に曲げ、写真原版29に当てるよ
うになっている。又、3は光検出器であり、前記光の軌
跡2外で、フレーム6に設けられ、かつ原版29方向に
向けられている。前記制御装置19は、前記の如き構成
により、又スイッチ16、17、26、27を写真原版
29の画像の位置に対応させて固定することにより、コ
ヒーレントな光の軌跡2によって原版29のXY方向を
掃引させ、かつその光の移動終点を知って、これにより
有機的に第1のモータ10、第2モータ20を夫々正転
又は逆転作動させて、掃引動作をするようになっている
電子回路である。この種の電子回路はすでに周知である
ため、その詳細説明は省略する。
【0009】次に、前記光による原版29上の掃引は、
図示は省略するが、次のようにする。即ちミラー28の
取付角度を可変とし、ミラー28を回転させる範囲の終
点にそれぞれ無接点スイッチ、光スイッチ等の周知の位
置検出手段を設けて回動の終点を検出し、ミラー28を
所定角度以内で往復回動させ、このミラー28の反射に
より、光の軌跡2を原版29上の所定範囲内でX方向に
往復掃引させ、かつフレーム6をY方向に移動させ、か
くして原版29全面を掃引する。即ちX方向の掃引をコ
ヒーレント光を移動させて行い、Y方向の掃引を原版を
移動させて行う。この場合勿論光検出器3はミラー28
と共に往復回動する。又前記基台9は、図示は省略する
が、焼付装置の焼枠としてもよい。この場合、この発明
の塵埃検出方法を用いる装置は、上記焼枠に設けられた
収容部等に移動自在に取付けられ、必要の時のみ、焼枠
上に写真原版の上に移動させて用いてもよい。更に前記
スイッチ16、17、26、27等は一例を示すもので
あり、このようなものを無接点スイッチ、光スイッチ等
公知の各種スイッチに代えてもよいことは勿論である。
【0010】レーザー装置1から発射された光の軌跡2
は、ミラー28で屈曲され、原版29に当る。この場合
原版29上に塵埃がない場合には、その光はガラス等の
原版29により反射されて、往路とほぼ同様の軌跡を通
り、レーザー装置1に戻る。そして前記光線は前記掃引
装置により原版29の全面を掃引させられるが、図2に
示すように、原版29上に塵埃30が存在すると、その
光は塵埃30により散乱させられる。この散乱光は光検
出器3に入射し、これを作動させる。これによりラン
プ、ブザー等から成る警報装置31を作動させる。
【0011】
【発明の効果】この発明の装置によれば、写真原版上の
塵埃を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の写真原版の塵埃検出装置の正面図、
【図2】 同装置における塵埃検出時の説明図、
【図3】 同装置の側面図。
【符号の説明】
1 レーザー装置、 2 コヒーレントな光の軌跡、
3 光検出器、 6フレーム、 7 基板、 8 第2
コロ、 9 基台、 10 第1コロ、 11 第1ネ
ジ軸、 12 第1モータ、 13 第1減速機、 1
4 第1ネジ軸受、 15 第1枝杆、 16、17、
26、27 スイッチ、 18 第1突起、 19 制
御装置、 20 第2モータ、 21 第2減速機、
22ネジ軸、 23 ネジ軸受、 24 第2突起、
25 第2枝杆、 28 ミラー、 29 写真原版、
30 塵埃、 31 警報装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 IC、LSIなど半導体製造工程での原
    版の表面をレーザ装置からのレーザ光を照射掃引して表
    面の塵埃を光検出器により検出する装置において、Xま
    たはY方向のうち一方の掃引をレーザ光路に設けられた
    ミラーの角度を変えて行うレーザ光掃引手段と、他方向
    のレーザ光掃引を上記原版もしくは上記レーザ装置のい
    ずれかを移動させて行う移動手段と、原版の画像の位置
    に対応して設けられた掃引移動終点検出手段と、この掃
    引移動終点検出手段により光の移動終点を知って上記移
    動手段を動作させる制御手段と、このようなXY掃引を
    上記原版に行うことにより原版上の塵埃で生ずる散乱光
    を検出する光検出手段とから構成されたことを特徴とす
    る半導体製造工程での原版の塵埃検出装置。
JP3308359A 1991-10-29 1991-10-29 半導体製造工程での原版の塵埃検出装置 Pending JPH05181260A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5326114A (en) * 1977-04-28 1978-03-10 Nippon Gakki Seizo Kk Electronic musical instrument
JPS5413571A (en) * 1977-07-01 1979-02-01 Kawasaki Heavy Ind Ltd Production of composite structure

Patent Citations (2)

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