JPH0518246B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0518246B2 JPH0518246B2 JP59126119A JP12611984A JPH0518246B2 JP H0518246 B2 JPH0518246 B2 JP H0518246B2 JP 59126119 A JP59126119 A JP 59126119A JP 12611984 A JP12611984 A JP 12611984A JP H0518246 B2 JPH0518246 B2 JP H0518246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- magnetic
- solenoid
- coil
- field generating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/20—Electromagnets; Actuators including electromagnets without armatures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はソレノイド型コイルを用いて磁界を発
生する装置に関するものである。更に詳しく述べ
れば、発生磁界を強化することを可能とした構造
を有する磁界発生装置に関するものである。
生する装置に関するものである。更に詳しく述べ
れば、発生磁界を強化することを可能とした構造
を有する磁界発生装置に関するものである。
(従来技術とその問題点)
表面に垂直な強い一軸性磁気異方性を有する磁
性材料薄片中に存在する磁気バブルを利用した磁
気バブル素子に於いては、通常磁気バブルを安定
に保持する目的のために、磁性材料薄片に垂直な
バブル保持磁界(以下バイアス磁界と呼称する)
が必要である。バイアス磁界を発生するには、永
久磁石を用いる方法やソレノイド型中空コイルを
用いる方法がよく知られている。特に、磁気バブ
ル素子の諸特性を測定・評価する際には、前記バ
イアス磁界を変化させることが重要である。従つ
てこの目的のためには、バイアス磁界の発生は、
印加する電流値で自由に強度が変えられるソレノ
イド型コイルを用いるのが一般的である。
性材料薄片中に存在する磁気バブルを利用した磁
気バブル素子に於いては、通常磁気バブルを安定
に保持する目的のために、磁性材料薄片に垂直な
バブル保持磁界(以下バイアス磁界と呼称する)
が必要である。バイアス磁界を発生するには、永
久磁石を用いる方法やソレノイド型中空コイルを
用いる方法がよく知られている。特に、磁気バブ
ル素子の諸特性を測定・評価する際には、前記バ
イアス磁界を変化させることが重要である。従つ
てこの目的のためには、バイアス磁界の発生は、
印加する電流値で自由に強度が変えられるソレノ
イド型コイルを用いるのが一般的である。
一方、磁気バブル素子、特に磁気バブルを情報
の担体として利用する磁気バブルメモリ素子で
は、情報の高密度化のために、用いる磁気バブル
の径を微小化することが行なわれてきた。磁気バ
ブルを微小化するに伴つて、一般にはその磁性材
料の飽和磁化Msを大きくする必要がある。飽和
磁化が大きくなると、これに従つて磁気バブルを
安定に保持するバイアス磁界も大きくなる。例え
ば、磁性材料として磁性ガーネツト膜を用いた場
合、磁気バブル直径が3μm程度のときはバイア
ス磁界としては、150Oe程度であつたのが、2μm
直径の磁気バブルを保持するバイアス磁界は約
250Oe、1μm直径に対しては350Oe程度必要とす
る。更に0.5μm直径の磁気バブルを安定に保持す
るには600Oe程度のバイアス磁界が必要となる。
の担体として利用する磁気バブルメモリ素子で
は、情報の高密度化のために、用いる磁気バブル
の径を微小化することが行なわれてきた。磁気バ
ブルを微小化するに伴つて、一般にはその磁性材
料の飽和磁化Msを大きくする必要がある。飽和
磁化が大きくなると、これに従つて磁気バブルを
安定に保持するバイアス磁界も大きくなる。例え
ば、磁性材料として磁性ガーネツト膜を用いた場
合、磁気バブル直径が3μm程度のときはバイア
ス磁界としては、150Oe程度であつたのが、2μm
直径の磁気バブルを保持するバイアス磁界は約
250Oe、1μm直径に対しては350Oe程度必要とす
る。更に0.5μm直径の磁気バブルを安定に保持す
るには600Oe程度のバイアス磁界が必要となる。
この様に、微小磁気バブルを利用した磁気バブ
ル素子を評価するには、高いバイアス磁界が必要
とされる。高いバイアス磁界を発生するには、磁
界発生コイルに大きな電流を印加すれば良いが、
単純なコイルではコイルに発生するジユール熱は
電流値の自乗に比例するため、バイアス磁界の上
昇に伴い急激にコイルの温度が上昇し、安定に磁
気バブル素子の評価・測定が行なえなくなる欠点
を有している。
ル素子を評価するには、高いバイアス磁界が必要
とされる。高いバイアス磁界を発生するには、磁
界発生コイルに大きな電流を印加すれば良いが、
単純なコイルではコイルに発生するジユール熱は
電流値の自乗に比例するため、バイアス磁界の上
昇に伴い急激にコイルの温度が上昇し、安定に磁
気バブル素子の評価・測定が行なえなくなる欠点
を有している。
(発明の目的)
本発明の目的は、上記の欠点を取り除くため、
ソレノイド型磁界発生コイルで発生する磁界の単
位電流当りの強度を大きくすることにより、同一
発生磁界に要する印加電流値を下げ、コイルの発
熱を抑制する磁界発生装置を提供することにあ
る。
ソレノイド型磁界発生コイルで発生する磁界の単
位電流当りの強度を大きくすることにより、同一
発生磁界に要する印加電流値を下げ、コイルの発
熱を抑制する磁界発生装置を提供することにあ
る。
(発明の構成)
本発明による磁界発生装置の構成は、少なくと
も1つのソレノイド型磁界発生コイルを有し、該
ソレノイド型コイルの中心軸に平行な外側面及び
中心軸に垂直な一端面に軟磁性体材料からなる磁
気的に一体化した枠材を設けたことを特徴として
いる。
も1つのソレノイド型磁界発生コイルを有し、該
ソレノイド型コイルの中心軸に平行な外側面及び
中心軸に垂直な一端面に軟磁性体材料からなる磁
気的に一体化した枠材を設けたことを特徴として
いる。
(構成の詳細な説明)
本発明は、上述の構成をとることにより、従来
技術の欠点を解決した。本発明の原理は、ソレノ
イド型磁界発生コイルの外部に高透磁率軟磁性体
の枠材を設け、ソレノイドコイルの外部に広く分
散する筈の磁束を、高透磁率軟磁性体枠材に吸収
せしめ、ソレノイドの内部の磁界をその分強調す
ることにある。
技術の欠点を解決した。本発明の原理は、ソレノ
イド型磁界発生コイルの外部に高透磁率軟磁性体
の枠材を設け、ソレノイドコイルの外部に広く分
散する筈の磁束を、高透磁率軟磁性体枠材に吸収
せしめ、ソレノイドの内部の磁界をその分強調す
ることにある。
(実施例)
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
実施例 1
第1図を用いて本発明の第1の実施例を説明す
る。本実施例は、ソレノイド型磁界発生コイルを
2ケ、中心軸を共有せしめて対置したヘルムホル
ツ型磁界発生コイルに本発明を実施した場合であ
る。第1図は、このヘルムホルツ型磁界発生コイ
ルの中心軸を含む断面図を示すものである。1
a,1bは夫々ソレノイド型磁界発生コイルであ
り、互に間隙20を隔てて中心軸を共有して対置
されている。間隙部20には、垂直な磁界(Hz)
21を印加すべき試料5が置かれている。
る。本実施例は、ソレノイド型磁界発生コイルを
2ケ、中心軸を共有せしめて対置したヘルムホル
ツ型磁界発生コイルに本発明を実施した場合であ
る。第1図は、このヘルムホルツ型磁界発生コイ
ルの中心軸を含む断面図を示すものである。1
a,1bは夫々ソレノイド型磁界発生コイルであ
り、互に間隙20を隔てて中心軸を共有して対置
されている。間隙部20には、垂直な磁界(Hz)
21を印加すべき試料5が置かれている。
いま、軟磁性フエライトで作られた中心に穴が
開いた皿状の枠材2a,2bを夫々ソレノイド型
コイル1a,1bの外側に設ける。ソレノイドコ
イルの寸法が、内径32mm、外径95mm、厚さが15mm
で、間隙の大きさが16mmの場合、肉厚3mmの
NiZn磁性フエライトの枠材2a,2bがあると、
これらがない場合に比べて、単位電流当り、約40
%強い磁界が発生することが判明した。換言すれ
ば、同じ磁界強度を得るには約40%少ない電流値
でよく、従つて消費電力は約半分になる。
開いた皿状の枠材2a,2bを夫々ソレノイド型
コイル1a,1bの外側に設ける。ソレノイドコ
イルの寸法が、内径32mm、外径95mm、厚さが15mm
で、間隙の大きさが16mmの場合、肉厚3mmの
NiZn磁性フエライトの枠材2a,2bがあると、
これらがない場合に比べて、単位電流当り、約40
%強い磁界が発生することが判明した。換言すれ
ば、同じ磁界強度を得るには約40%少ない電流値
でよく、従つて消費電力は約半分になる。
実施例 2
第2図を用いて、第2の実施例を説明する。第
2図Aの立体図に示す様に、本実施例では軟磁性
枠材として、2a及び2bの間隙部20の一部を
磁気的に継いだ橋絡部2cを少なくとも1ケ所以
上有することが特徴的である。ソレノイド型コイ
ル1a及び1bは、第2図Bに示す様に夫々、枠
材の2a,2b部に納まつている。枠材及びソレ
ノイド型コイルの中央には、試料観察用の空洞1
2が設けられている。
2図Aの立体図に示す様に、本実施例では軟磁性
枠材として、2a及び2bの間隙部20の一部を
磁気的に継いだ橋絡部2cを少なくとも1ケ所以
上有することが特徴的である。ソレノイド型コイ
ル1a及び1bは、第2図Bに示す様に夫々、枠
材の2a,2b部に納まつている。枠材及びソレ
ノイド型コイルの中央には、試料観察用の空洞1
2が設けられている。
この枠材の橋絡部2cの存在により、コイル外
の磁束は皿に有効に還流されて、ソレノイドの中
空部の磁束密度は高くなる。橋絡部2cの大きさ
を、コイル外径の1/4となつたとき、単位電流当
り枠材のないときに比べて、約50%大きな磁界が
ソレノイド中央部に発生した。換言すれば、同じ
強度の発生磁界を得るには、1/1.5の電流ですみ、
このためにコイルでの消費電力は、(1/1.5)2即
ち、約40%に減少する。それだけ、本実施例の磁
界発生コイルを用いれば、容易に微小バブルを用
いた磁気バブル素子の特性評価が可能となる。
の磁束は皿に有効に還流されて、ソレノイドの中
空部の磁束密度は高くなる。橋絡部2cの大きさ
を、コイル外径の1/4となつたとき、単位電流当
り枠材のないときに比べて、約50%大きな磁界が
ソレノイド中央部に発生した。換言すれば、同じ
強度の発生磁界を得るには、1/1.5の電流ですみ、
このためにコイルでの消費電力は、(1/1.5)2即
ち、約40%に減少する。それだけ、本実施例の磁
界発生コイルを用いれば、容易に微小バブルを用
いた磁気バブル素子の特性評価が可能となる。
実施例 3
本実施例は、第3図に示すが如く試料5を出し
入れしやすくなるために、試料の片方のみにソレ
ノイド型コイル1a及び軟磁性枠材2aを設けた
場合である。このとき、枠材2aにはソレノイド
中空部に対応した穴は設けられていない。こうす
ることにより、ソレノイドコイル外の磁束の還流
は更に完全になる。試料5を置くステージ6を、
枠材と同じ材質の軟磁性材料で形成すると、この
高透磁率軟磁性体の鏡像効果により、実効的にソ
レノイドコイルの厚みが2倍に増加したと同様の
磁束分布が得られ、単一ソレノイドコイルの場合
に比べて、約2倍の磁界が発生する。即ち、同一
磁界強度を得るためには、約半分の電流でよく、
よつて消費電力的には1/4(25%)ですむ。
入れしやすくなるために、試料の片方のみにソレ
ノイド型コイル1a及び軟磁性枠材2aを設けた
場合である。このとき、枠材2aにはソレノイド
中空部に対応した穴は設けられていない。こうす
ることにより、ソレノイドコイル外の磁束の還流
は更に完全になる。試料5を置くステージ6を、
枠材と同じ材質の軟磁性材料で形成すると、この
高透磁率軟磁性体の鏡像効果により、実効的にソ
レノイドコイルの厚みが2倍に増加したと同様の
磁束分布が得られ、単一ソレノイドコイルの場合
に比べて、約2倍の磁界が発生する。即ち、同一
磁界強度を得るためには、約半分の電流でよく、
よつて消費電力的には1/4(25%)ですむ。
(発明の効果)
以上に述べた様に、本発明を用いれば、単位電
流あたりの発生磁界強度が大きく、従つて同じ磁
界強度では、コイル部分での消費電力の少ない磁
界発生装置が実現される。本発明の枠材としては
前述の高透磁率を有する磁性フエライトのみなら
ず、パーマロイの如き、高透磁率金属材料を用い
ても本発明の効果は容易に得られることは、その
原理からみて当然である。
流あたりの発生磁界強度が大きく、従つて同じ磁
界強度では、コイル部分での消費電力の少ない磁
界発生装置が実現される。本発明の枠材としては
前述の高透磁率を有する磁性フエライトのみなら
ず、パーマロイの如き、高透磁率金属材料を用い
ても本発明の効果は容易に得られることは、その
原理からみて当然である。
第1図から第3図は本発明の実施例を示す図で
ある。 図に於いて、1a,1bはソレノイド型磁界発
生コイル、2a,2bは高透磁率磁性材料よりな
る枠材、2cは枠材橋絡部、5は試料、6は試料
ステージ、10,11はソレノイド型磁界発生コ
イルの外側端面、12はコイルの中空部、20は
コイル間々隙部、21ほ磁界を示す。
ある。 図に於いて、1a,1bはソレノイド型磁界発
生コイル、2a,2bは高透磁率磁性材料よりな
る枠材、2cは枠材橋絡部、5は試料、6は試料
ステージ、10,11はソレノイド型磁界発生コ
イルの外側端面、12はコイルの中空部、20は
コイル間々隙部、21ほ磁界を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少なくとも1つのソレノイド型磁界発生コイ
ルを有し、該ソレノイド型コイルの中心軸に平行
な外側面及び中心軸に垂直な一端面に軟強磁性体
材料からなる磁気的に一体化した枠材を設けたこ
とを特徴とする磁界発生装置。 2 ソレノイド型コイルの中心軸に垂直な端面を
覆う枠材の中心部に開孔を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の磁界発生装置。 3 外側面及び一端面を軟強磁性枠材で覆われた
第1及び第2のソレノイド型コイルを、中心軸を
共有しかつ枠材で覆われていない第二の端面を互
に向き合う様に対置せしめ、第1及び第2のコイ
ルの枠材を互に磁気的に接続せしめたことを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の磁界発生装
置。 4 枠材がフエライトである特許請求の範囲第1
項、第2項又は第3項記載の磁界発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126119A JPS615507A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁界発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59126119A JPS615507A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁界発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS615507A JPS615507A (ja) | 1986-01-11 |
| JPH0518246B2 true JPH0518246B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=14927110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59126119A Granted JPS615507A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 磁界発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS615507A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7558510B2 (ja) * | 2020-09-01 | 2024-10-01 | Tdk株式会社 | 局所消磁装置 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59126119A patent/JPS615507A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS615507A (ja) | 1986-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6070071U (ja) | 電流測定用プロ−ブ | |
| US5880911A (en) | Magnetoresistive effect element | |
| US3931618A (en) | Housing structure and magnetic biasing for bubble memories | |
| JPS615507A (ja) | 磁界発生装置 | |
| JPH0518245B2 (ja) | ||
| JPH0746647B2 (ja) | 磁界発生装置 | |
| JP2649437B2 (ja) | Mri用磁界発生装置 | |
| KR970067110A (ko) | 박막 자기 헤드 | |
| JPS62129916A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| US20050093542A1 (en) | Systems and methods for fabricating pole pieces for magnetic resonance imaging systems | |
| JPH02246927A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置の磁界発生装置 | |
| US3515817A (en) | Variable reluctance-type pickup utilizing anisotropic pole pieces | |
| JPH03966Y2 (ja) | ||
| JPH0664719B2 (ja) | 磁気抵抗性の読み出しトランスジユーサ・アセンブリ | |
| JPS62211051A (ja) | 核磁気共鳴撮像装置 | |
| KR930016787A (ko) | 자기저항 효과센서 | |
| JPH03131717A (ja) | 直線位置検出装置 | |
| JPH0469801A (ja) | 外部磁界印加装置 | |
| JPH02261791A (ja) | 磁気吸着保持装置 | |
| JPH11281722A (ja) | 光ファイバセンサ | |
| JPS598165Y2 (ja) | マグネチイツク ピツクアツプ | |
| JPH0563084B2 (ja) | ||
| JPS63221270A (ja) | 振動試料型磁力計 | |
| JPS5954272U (ja) | 電磁弁装置 | |
| JPS59227015A (ja) | 垂直磁化磁気ヘツド |