JPH0518309B2 - - Google Patents
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- JPH0518309B2 JPH0518309B2 JP56147576A JP14757681A JPH0518309B2 JP H0518309 B2 JPH0518309 B2 JP H0518309B2 JP 56147576 A JP56147576 A JP 56147576A JP 14757681 A JP14757681 A JP 14757681A JP H0518309 B2 JPH0518309 B2 JP H0518309B2
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- JP
- Japan
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- signal
- pixel
- signal output
- line
- vertical scanning
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非破壊読出し特性を有する固体撮像装
置の画像信号読出し方法に関する。
置の画像信号読出し方法に関する。
従来、CCD型やMOS型の固体撮像装置は読出
しによつて画素内の画像情報が消滅してしまうい
わゆる破壊読出し特性を有するものであつたが、
最近読出しによつても画像情報が消滅しないいわ
ゆる非破壊読出しが可能なフツク構造を有する固
体撮像素子が開発された。この撮像素子は例えば
特願昭55−54001号、同55−60316号等に詳細に開
示されているように、フツク構造のポテンシヤル
の井戸内にフオトキヤリアを蓄積する構成により
光検出機能及びこの検出情報の蓄積という両機能
を備えたものであり、このため撮像部分とCRT
等の表示部分あるいは得られた画像信号を磁気テ
ープ等に記録する間に画像情報を一旦蓄積してお
くための記憶装置が不要となり、従来装置に比べ
て大幅な簡易化、低価格化が期待されている。
しによつて画素内の画像情報が消滅してしまうい
わゆる破壊読出し特性を有するものであつたが、
最近読出しによつても画像情報が消滅しないいわ
ゆる非破壊読出しが可能なフツク構造を有する固
体撮像素子が開発された。この撮像素子は例えば
特願昭55−54001号、同55−60316号等に詳細に開
示されているように、フツク構造のポテンシヤル
の井戸内にフオトキヤリアを蓄積する構成により
光検出機能及びこの検出情報の蓄積という両機能
を備えたものであり、このため撮像部分とCRT
等の表示部分あるいは得られた画像信号を磁気テ
ープ等に記録する間に画像情報を一旦蓄積してお
くための記憶装置が不要となり、従来装置に比べ
て大幅な簡易化、低価格化が期待されている。
本発明者は、上記非破壊読出しが可能な撮像装
置の開発を進める途上において、従来のMOS型
やCCD型にはなかつた新たな問題に直面した。
すなわち、このような撮像素子を共通の画素信号
読出し線に多数接続し走査により読出すべき画素
を選択しその画素情報を順次読出してゆく場合に
おいて、その画素読出した後もその画素の画素情
報が破壊されないためその画素から読出された信
号がある時間にわたつて共通の読出し線上に残存
し、次の画素から読出される画像信号に干渉を及
ぼすという問題が生じた。勿論読出し信号線はあ
る大きさの対地静電容量を有しており、一旦読出
された画素セルと読出し信号線との間のスイツチ
をオフして、これらの電気的接続を絶つた状態に
おいてはこの容量値と信号線の抵抗値の積で定ま
る時定数で前に読出された画像信号が減衰してゆ
くから、画素数が少なくしかも読出し速度が遅い
小規模の実験段階の装置では大きな問題ではな
い。しかしながら、例えば、この固体撮像素子を
用いて銀塩写真によつて静止画像と同等な画質
（例えば110サイズフイルムから６倍に引き伸ばた
画像と同等な画質）の像を得る場には例えば512
×768個の画素数を必要とし、このように画素数
が多くなると、読出し信号線の対地静電容量と抵
抗値の両者が共に増大して放電時間が長くなる一
方で画素の読出し間隔が短縮されるので、前の画
素からの干渉は急激に増大する。
置の開発を進める途上において、従来のMOS型
やCCD型にはなかつた新たな問題に直面した。
すなわち、このような撮像素子を共通の画素信号
読出し線に多数接続し走査により読出すべき画素
を選択しその画素情報を順次読出してゆく場合に
おいて、その画素読出した後もその画素の画素情
報が破壊されないためその画素から読出された信
号がある時間にわたつて共通の読出し線上に残存
し、次の画素から読出される画像信号に干渉を及
ぼすという問題が生じた。勿論読出し信号線はあ
る大きさの対地静電容量を有しており、一旦読出
された画素セルと読出し信号線との間のスイツチ
をオフして、これらの電気的接続を絶つた状態に
おいてはこの容量値と信号線の抵抗値の積で定ま
る時定数で前に読出された画像信号が減衰してゆ
くから、画素数が少なくしかも読出し速度が遅い
小規模の実験段階の装置では大きな問題ではな
い。しかしながら、例えば、この固体撮像素子を
用いて銀塩写真によつて静止画像と同等な画質
（例えば110サイズフイルムから６倍に引き伸ばた
画像と同等な画質）の像を得る場には例えば512
×768個の画素数を必要とし、このように画素数
が多くなると、読出し信号線の対地静電容量と抵
抗値の両者が共に増大して放電時間が長くなる一
方で画素の読出し間隔が短縮されるので、前の画
素からの干渉は急激に増大する。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは同一の読出し信号線
に接続され、非破壊読出し特性を有する複数個の
画素相互間の干渉を防止しつつ画像信号を正確に
読出すことができる経済的な画像信号読出し方法
を提供することにある。
り、その目的とするところは同一の読出し信号線
に接続され、非破壊読出し特性を有する複数個の
画素相互間の干渉を防止しつつ画像信号を正確に
読出すことができる経済的な画像信号読出し方法
を提供することにある。
即ち、本発明は、２次元的に配列された複数個
の非破壊読出し特性を有するフツク構造から成
り、第１および第２の主電極を有した光検出部と
第１および第２の主電極を有したMOSトランジ
スタのみから構成され、該光検出部の前記第１の
主電極を所定の基準電位に接続し、該光検出部の
前記第２の主電極と該MOSトランジスタの前記
１の主電極とが接続された固体画素セル、該画素
セルを水平方向に連ねる複数の前記MOSトラン
ジスタのゲート接続された垂直走査信号線及び前
記画素セルを垂直方向に連ねる複数の前記MOS
トランジスタの前記第２の主電極に接続された画
素信号出力線を備え、前記垂直走査信号線を順次
垂直走査することにより選択された垂直走査信号
線に連なる固体画素セル内の非破壊画素信号を対
応する画素信号出力線上に順次出力させると共に
選択された垂直走査信号線の選択期間内に前記画
素信号出力線から固体画素セル群の非破壊画素信
号の読出しを行う固体撮像装置の画像信号読出し
方法において、前記選択された垂直走査信号線の
選択期間と次に選択される垂直走査信号線の選択
期間との間にブランキング期間を設け、該ブラン
キング期間において前記画素信号出力線を接続電
位に保持することにより、前記画素信号出力線に
残存している非破壊画素信号をリフレツシユする
ことを特徴とする固体撮像装置の画像信号読出し
方法としての構成を有し、或いはまた、 前記画素信号出力線の所定本数ごとに出力端子
側を相互接続した多重化信号出力線を形成し、こ
の多重化信号出力線内の所定本数の出力線を水平
走査して出力すると共に、前記ブランキング期間
において前記多重化信号出力線に接続された画素
信号出力線を接地電位に保持することにより、前
記画素信号出力線に残存している非破壊画素信号
をリフレツシユすることを特徴とする固体撮像装
置の画像信号読出し方法としての構成を有する。
の非破壊読出し特性を有するフツク構造から成
り、第１および第２の主電極を有した光検出部と
第１および第２の主電極を有したMOSトランジ
スタのみから構成され、該光検出部の前記第１の
主電極を所定の基準電位に接続し、該光検出部の
前記第２の主電極と該MOSトランジスタの前記
１の主電極とが接続された固体画素セル、該画素
セルを水平方向に連ねる複数の前記MOSトラン
ジスタのゲート接続された垂直走査信号線及び前
記画素セルを垂直方向に連ねる複数の前記MOS
トランジスタの前記第２の主電極に接続された画
素信号出力線を備え、前記垂直走査信号線を順次
垂直走査することにより選択された垂直走査信号
線に連なる固体画素セル内の非破壊画素信号を対
応する画素信号出力線上に順次出力させると共に
選択された垂直走査信号線の選択期間内に前記画
素信号出力線から固体画素セル群の非破壊画素信
号の読出しを行う固体撮像装置の画像信号読出し
方法において、前記選択された垂直走査信号線の
選択期間と次に選択される垂直走査信号線の選択
期間との間にブランキング期間を設け、該ブラン
キング期間において前記画素信号出力線を接続電
位に保持することにより、前記画素信号出力線に
残存している非破壊画素信号をリフレツシユする
ことを特徴とする固体撮像装置の画像信号読出し
方法としての構成を有し、或いはまた、 前記画素信号出力線の所定本数ごとに出力端子
側を相互接続した多重化信号出力線を形成し、こ
の多重化信号出力線内の所定本数の出力線を水平
走査して出力すると共に、前記ブランキング期間
において前記多重化信号出力線に接続された画素
信号出力線を接地電位に保持することにより、前
記画素信号出力線に残存している非破壊画素信号
をリフレツシユすることを特徴とする固体撮像装
置の画像信号読出し方法としての構成を有する。
以下、本発明の詳細を実施例によつて説明す
る。
る。
本発明の一実施例に使用する固体撮像装置は第
１図のブロツク図に示すように、マトリツクス状
に配列された例えば512×768個の画素セルを備え
たセンサエリア１０、垂直走査回路２０、フイー
ルド選択スイツチ３０、水平走査回路４０、水平
スイツチ回路５０、リフレツシユ信号発生回路６
０、リフレツシユ回路７０、バツフアアンプ８０
及びアナログ・デイジタル（Ａ／Ｄ）変換回路９
０から構成されている。尚、本発明において、垂
直及び水平なる用語は画素セルに対する相対的な
位置関係を示す用語であつて、絶対位置を示すも
のではない。
１図のブロツク図に示すように、マトリツクス状
に配列された例えば512×768個の画素セルを備え
たセンサエリア１０、垂直走査回路２０、フイー
ルド選択スイツチ３０、水平走査回路４０、水平
スイツチ回路５０、リフレツシユ信号発生回路６
０、リフレツシユ回路７０、バツフアアンプ８０
及びアナログ・デイジタル（Ａ／Ｄ）変換回路９
０から構成されている。尚、本発明において、垂
直及び水平なる用語は画素セルに対する相対的な
位置関係を示す用語であつて、絶対位置を示すも
のではない。
センサエリア１０は、第２図に示すように５１
２（29）行・768（３×28）列のマトリツク状に配
列された同一構造の画素セル（以下「セル」と略
称する。）Cj iから構成されており、各セルは512本
の垂直走査信号線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…Ｖ５１２及
び768本の信号出力線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…Ｂ７６
８のそれぞれに接続されている。各セルはその１
つを円Cj i内に拡大して示すようにフツク構造の光
検出部CCj i及びMOSスイツチSj iを備えており、
MOSスイツチSj iはその主電極がそれぞれ光検出
部CCj i及び信号出力線Biに接続されると共にゲー
ト電極が水平走査信号線Vjに接続されている。
これにより、水平走査信号線Vj上の信号がハイ
になると光照射によつて光検出部CCj iに蓄積され
ていた正電圧の画素信号が信号出力線Bi上に読出
される。ここで留意すべきことは、上記読出しが
非破壊読出しであるため例えば光検出部CCj iに蓄
積されていた信号を信号出力線Bi上に読出された
後も、信号出力線Bi上には光検出部CCj iの画素信
号が信号読出しの全期間にわたつて存在すること
である。
２（29）行・768（３×28）列のマトリツク状に配
列された同一構造の画素セル（以下「セル」と略
称する。）Cj iから構成されており、各セルは512本
の垂直走査信号線Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…Ｖ５１２及
び768本の信号出力線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…Ｂ７６
８のそれぞれに接続されている。各セルはその１
つを円Cj i内に拡大して示すようにフツク構造の光
検出部CCj i及びMOSスイツチSj iを備えており、
MOSスイツチSj iはその主電極がそれぞれ光検出
部CCj i及び信号出力線Biに接続されると共にゲー
ト電極が水平走査信号線Vjに接続されている。
これにより、水平走査信号線Vj上の信号がハイ
になると光照射によつて光検出部CCj iに蓄積され
ていた正電圧の画素信号が信号出力線Bi上に読出
される。ここで留意すべきことは、上記読出しが
非破壊読出しであるため例えば光検出部CCj iに蓄
積されていた信号を信号出力線Bi上に読出された
後も、信号出力線Bi上には光検出部CCj iの画素信
号が信号読出しの全期間にわたつて存在すること
である。
第３図は第１図示の水平スイツチ５０、リフレ
ツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ
変換回路９０の構成の詳細を示すブロツク図であ
る。768本の信号出力線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…Ｂ７
６８は連続する24本づつが相互に接続されて32個
のサブグループを形成し、各サブグループの32本
の多重化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２は
リフレツシユ回路７０に接続される。各サブグル
ープ内の左端の信号出力線Ｂ１，Ｂ２５，Ｂ４９
…Ｂ７４５のそれぞれにはMOSスイツチQ1 1，
Q1 2，Q1 3…Q1 32が接続され、これらMOSスイツチ
のゲート電極はすべて共通の水平走査信号線Ｈ１
に接続されている。各サブグループ内の左から２
番目の信号出力線Ｂ２，Ｂ２６，Ｂ５０…Ｂ７４
６のそれぞれにはMOSスイツチQ2 1，Q2 2，Q2 3…
Q2 32が接続され、これらMOSスイツチのゲート電
極はすべて共通の水平走査信号線Ｈ２に接続され
ている。以下同様にして、各サブグループ内の左
から数えて同一位置にある32本の信号出力線には
ゲート電極が共通の水平走査信号線に接続された
MOSスイツチに接続されている。これによつて、
各サブグループ内の左端に位置する32本の信号出
力線は水平走査信号線Ｈ１上の信号がハイになつ
たとき、それぞれ対応の多重化信号出力線Ａ１，
Ａ２，Ａ３…Ａ３２に接続される。以下同様にし
て、各サブグループ内の左から数えて同一位置に
ある32本の信号出力線は対応の水平走査信号線上
の信号がハイになつたとき、それぞれ対応の多重
化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２に接続さ
れる。
ツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ
変換回路９０の構成の詳細を示すブロツク図であ
る。768本の信号出力線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…Ｂ７
６８は連続する24本づつが相互に接続されて32個
のサブグループを形成し、各サブグループの32本
の多重化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２は
リフレツシユ回路７０に接続される。各サブグル
ープ内の左端の信号出力線Ｂ１，Ｂ２５，Ｂ４９
…Ｂ７４５のそれぞれにはMOSスイツチQ1 1，
Q1 2，Q1 3…Q1 32が接続され、これらMOSスイツチ
のゲート電極はすべて共通の水平走査信号線Ｈ１
に接続されている。各サブグループ内の左から２
番目の信号出力線Ｂ２，Ｂ２６，Ｂ５０…Ｂ７４
６のそれぞれにはMOSスイツチQ2 1，Q2 2，Q2 3…
Q2 32が接続され、これらMOSスイツチのゲート電
極はすべて共通の水平走査信号線Ｈ２に接続され
ている。以下同様にして、各サブグループ内の左
から数えて同一位置にある32本の信号出力線には
ゲート電極が共通の水平走査信号線に接続された
MOSスイツチに接続されている。これによつて、
各サブグループ内の左端に位置する32本の信号出
力線は水平走査信号線Ｈ１上の信号がハイになつ
たとき、それぞれ対応の多重化信号出力線Ａ１，
Ａ２，Ａ３…Ａ３２に接続される。以下同様にし
て、各サブグループ内の左から数えて同一位置に
ある32本の信号出力線は対応の水平走査信号線上
の信号がハイになつたとき、それぞれ対応の多重
化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２に接続さ
れる。
多重化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２の
それぞれはリフレツシユ回路７０内において
MOSスイツチＲ１，Ｒ２，Ｒ３…Ｒ３２を介し
て接続電位で例示する基準電位に接続されてい
る。これらのMOSスイツチＲ１，Ｒ２，Ｒ３…
Ｒ３２ゲート電極は共通のリフレツシユ信号線Ｒ
に接続されており、このリフレツシユ信号線Ｒ上
の信号がハイになると、すべての多重化信号出力
線が基準電位に保たれる。
それぞれはリフレツシユ回路７０内において
MOSスイツチＲ１，Ｒ２，Ｒ３…Ｒ３２を介し
て接続電位で例示する基準電位に接続されてい
る。これらのMOSスイツチＲ１，Ｒ２，Ｒ３…
Ｒ３２ゲート電極は共通のリフレツシユ信号線Ｒ
に接続されており、このリフレツシユ信号線Ｒ上
の信号がハイになると、すべての多重化信号出力
線が基準電位に保たれる。
多重化信号出力線Ａ１，Ａ２，Ａ３…Ａ３２の
それぞれはバツフアアンプ８０内のアンプＴ１，
Ｔ２，Ｔ３…Ｔ３２を介してＡ／Ｄ変換回路９０
内のＡ／Ｄ変換回路AD１，AD２，AD３…AD
３２に接続され、これら変換回路はそれぞれ多重
化信号出力線上のアナログ画素信号をＡ／Ｄ変換
し、デイジタル出力端子Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…Ｄ３
２上にデイジタル画素信号を出力する。なおバツ
フアアンプ８０内のアンプＴ１〜Ｔ３２は共通の
定電流源と接地間に並列に接続されたトランジス
タ対から成り、一方のトランジスタのベースには
アナログ画素信号が、他方のトランジスタのベー
スには素子上に画像を形成する画素セルとは別に
設けられた遮光した画素セル（図示せず）からの
暗電圧がそれぞれ供給され、暗電圧が差引かれた
アナログ画像信号がＡ／Ｄ変換回路９０に供給さ
れる。
それぞれはバツフアアンプ８０内のアンプＴ１，
Ｔ２，Ｔ３…Ｔ３２を介してＡ／Ｄ変換回路９０
内のＡ／Ｄ変換回路AD１，AD２，AD３…AD
３２に接続され、これら変換回路はそれぞれ多重
化信号出力線上のアナログ画素信号をＡ／Ｄ変換
し、デイジタル出力端子Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…Ｄ３
２上にデイジタル画素信号を出力する。なおバツ
フアアンプ８０内のアンプＴ１〜Ｔ３２は共通の
定電流源と接地間に並列に接続されたトランジス
タ対から成り、一方のトランジスタのベースには
アナログ画素信号が、他方のトランジスタのベー
スには素子上に画像を形成する画素セルとは別に
設けられた遮光した画素セル（図示せず）からの
暗電圧がそれぞれ供給され、暗電圧が差引かれた
アナログ画像信号がＡ／Ｄ変換回路９０に供給さ
れる。
次に本発明の一実施例、すなわち、第１図乃至
第３図示の構成を有する固体撮像装置の動作例を
第４図の波形図を参照しつつ説明する。時刻t0に
おいて第１図示の垂直走査回路２０からの垂直走
査信号線Ｉ１上の信号がハイとなる。フイールド
選択スイツチ３０は、奇数フイールド走査期間に
おいては、垂直走査信号線Ｖ１及びＶ２のうちＶ
１を信号線Ｉ１に接続しており、これにより垂直
走査信号線Ｖ１上の信号レベルPV1は約320μSにわ
たつてハイ状態になる（第４図）。これに伴つて
センサアレイ１０内の垂直走査信号線Ｖ１に接続
されている768個のセルC1 1，C2 1，C3 1…C768 1内の
MOSスイツチS1 1，S2 1，S3 1…S768 1が導通しセルC1 1，
C2 1，C3 1…C768 1内の画素信号がそれぞれ信号出力線
B1，B2，B3，…B768上に出力される。
第３図示の構成を有する固体撮像装置の動作例を
第４図の波形図を参照しつつ説明する。時刻t0に
おいて第１図示の垂直走査回路２０からの垂直走
査信号線Ｉ１上の信号がハイとなる。フイールド
選択スイツチ３０は、奇数フイールド走査期間に
おいては、垂直走査信号線Ｖ１及びＶ２のうちＶ
１を信号線Ｉ１に接続しており、これにより垂直
走査信号線Ｖ１上の信号レベルPV1は約320μSにわ
たつてハイ状態になる（第４図）。これに伴つて
センサアレイ１０内の垂直走査信号線Ｖ１に接続
されている768個のセルC1 1，C2 1，C3 1…C768 1内の
MOSスイツチS1 1，S2 1，S3 1…S768 1が導通しセルC1 1，
C2 1，C3 1…C768 1内の画素信号がそれぞれ信号出力線
B1，B2，B3，…B768上に出力される。
時刻t0よりもやや遅れて時刻t1に、水平走査回
路４０からの水平走査信号線Ｈ１上の信号PH1が
ハイの状態になる。これに伴つて水平スイツチ回
路５０内のMOSスイツチQ1 1，Q1 2，Q1 3…Q1 32が導
通し、信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８の32個のサブグ
ループ内の左端の信号線Ｂ１，Ｂ２５，Ｂ４９〜
Ｂ７４５上の画素信号が多重化信号出力線Ａ１，
Ａ２，Ａ３…Ａ３２上に出力される。これら多重
化信号線上の画素信号はMOSスイツチＲ１〜Ｒ
３２のすべてが非導通状態に保たれているリフレ
ツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ
変換回路９０を介してそれぞれデイジタル画素信
号出力端子Ｄ１〜Ｄ３２に出力される。この後水
平走査信号線Ｈ１上の信号PH1がロー状態に復帰
すると、水平スイツチ回路５０内のMOSスイツ
チQ1 1，Q1 2…Q1 32は非導通となり多重化、信号線Ａ
１〜Ａ３２上の電圧は読出し前の状態に復帰す
る。
路４０からの水平走査信号線Ｈ１上の信号PH1が
ハイの状態になる。これに伴つて水平スイツチ回
路５０内のMOSスイツチQ1 1，Q1 2，Q1 3…Q1 32が導
通し、信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８の32個のサブグ
ループ内の左端の信号線Ｂ１，Ｂ２５，Ｂ４９〜
Ｂ７４５上の画素信号が多重化信号出力線Ａ１，
Ａ２，Ａ３…Ａ３２上に出力される。これら多重
化信号線上の画素信号はMOSスイツチＲ１〜Ｒ
３２のすべてが非導通状態に保たれているリフレ
ツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ
変換回路９０を介してそれぞれデイジタル画素信
号出力端子Ｄ１〜Ｄ３２に出力される。この後水
平走査信号線Ｈ１上の信号PH1がロー状態に復帰
すると、水平スイツチ回路５０内のMOSスイツ
チQ1 1，Q1 2…Q1 32は非導通となり多重化、信号線Ａ
１〜Ａ３２上の電圧は読出し前の状態に復帰す
る。
これより数μS遅れて時刻t2に水平走査信号線Ｈ
２上の信号PH2がハイ状態になる。これに伴つて
水平スイツチ回路５０内のMOSスイツチQ2 1，
Q2 2，Q2 3…Q2 32が導通し、信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６
８の各サブグループ内の左から２番目の信号出力
線Ｂ２，Ｂ２６，Ｂ５０…Ｂ７４６上の電圧が多
重化信号出力線Ａ１〜Ａ３２上に出力される。こ
れら多重化信号出力線上の電圧はMOSスイツチ
Ｒ１〜Ｒ３２のすべてが非導通状態に保たれてい
るリフレツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及
びＡ／Ｄ変換回路９０を介してそれぞれデイジタ
ル画素信号出力端子Ｄ１〜Ｄ３２に出力される。
この後水平走査信号線Ｈ２上の信号PH2がロー状
態に復帰すると、水平スイツチ回路５０内の
MOSスイツチQ2 1，Q2 2…Q2 32は非導通となり、多
重化信号出力線上の電圧は読出し前の状態にもど
る。以下同様にして、水平走査信号線Ｈ３からＨ
２４までの信号が順次ハイになつてゆき、これに
伴つて各サブグループ内の信号出力線上のアナロ
グ画素信号が順次デイジタル画素信号出力端子Ｄ
１〜Ｄ３２に出力される。
２上の信号PH2がハイ状態になる。これに伴つて
水平スイツチ回路５０内のMOSスイツチQ2 1，
Q2 2，Q2 3…Q2 32が導通し、信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６
８の各サブグループ内の左から２番目の信号出力
線Ｂ２，Ｂ２６，Ｂ５０…Ｂ７４６上の電圧が多
重化信号出力線Ａ１〜Ａ３２上に出力される。こ
れら多重化信号出力線上の電圧はMOSスイツチ
Ｒ１〜Ｒ３２のすべてが非導通状態に保たれてい
るリフレツシユ回路７０、バツフアアンプ８０及
びＡ／Ｄ変換回路９０を介してそれぞれデイジタ
ル画素信号出力端子Ｄ１〜Ｄ３２に出力される。
この後水平走査信号線Ｈ２上の信号PH2がロー状
態に復帰すると、水平スイツチ回路５０内の
MOSスイツチQ2 1，Q2 2…Q2 32は非導通となり、多
重化信号出力線上の電圧は読出し前の状態にもど
る。以下同様にして、水平走査信号線Ｈ３からＨ
２４までの信号が順次ハイになつてゆき、これに
伴つて各サブグループ内の信号出力線上のアナロ
グ画素信号が順次デイジタル画素信号出力端子Ｄ
１〜Ｄ３２に出力される。
最後の水平走査線Ｈ２４上の信号PH24がロー状
態に復帰し後垂直走査信号線Ｖ１上の信号PV1が
ロー状態に復帰しこの信号線Ｖ１に連なる全ての
セルの水平走査が完了する。すなわち、セルCj i
（ｊ＝１，２…768）内のMOSスイツチSj 1はすべ
て非導通になる。しかしながら光検出部CCj 1が非
破壊読出しの特性を有しているため、各セル内に
設けられ垂直走査回路によつて駆動されるMOS
スイツチSj 1（ｊ＝１，２，…768）が非導通になる
直前まで各信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８上には画素
信号が出力されており、この画素信号は各セル内
のMOSスイツチが非導通になつた後は信号出力
線の対地容量で定まる時定数で放電され減衰して
ゆく。この放電の時定数が長いと、引続いて垂直
走査信号線Ｖ３に連なるセルの水平走査を行う際
に各信号出力線上に従前の画素信号が残存するこ
とになり以後読出すべき画素信号に干渉を及ぼし
てしまう。つまり、この状態で水平走査信号線
Vjから次の水平走査信号線Vj+2（インターレース
しない場合にはVj+1）を選択して光検出部CCj i +2
（インターレースしない場合にはCCj i +1）に蓄積さ
れていた画像信号を信号出力線Bi上に読み出そう
としても、この信号出力線Bi上には前回読出した
光検出部CCj iの信号が保持されているので正確な
読み出しが不可能となつてしまうのである。
態に復帰し後垂直走査信号線Ｖ１上の信号PV1が
ロー状態に復帰しこの信号線Ｖ１に連なる全ての
セルの水平走査が完了する。すなわち、セルCj i
（ｊ＝１，２…768）内のMOSスイツチSj 1はすべ
て非導通になる。しかしながら光検出部CCj 1が非
破壊読出しの特性を有しているため、各セル内に
設けられ垂直走査回路によつて駆動されるMOS
スイツチSj 1（ｊ＝１，２，…768）が非導通になる
直前まで各信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８上には画素
信号が出力されており、この画素信号は各セル内
のMOSスイツチが非導通になつた後は信号出力
線の対地容量で定まる時定数で放電され減衰して
ゆく。この放電の時定数が長いと、引続いて垂直
走査信号線Ｖ３に連なるセルの水平走査を行う際
に各信号出力線上に従前の画素信号が残存するこ
とになり以後読出すべき画素信号に干渉を及ぼし
てしまう。つまり、この状態で水平走査信号線
Vjから次の水平走査信号線Vj+2（インターレース
しない場合にはVj+1）を選択して光検出部CCj i +2
（インターレースしない場合にはCCj i +1）に蓄積さ
れていた画像信号を信号出力線Bi上に読み出そう
としても、この信号出力線Bi上には前回読出した
光検出部CCj iの信号が保持されているので正確な
読み出しが不可能となつてしまうのである。
このような干渉を防止するため、第４図に示す
ように信号線Ｖ１に連なるセルの読出しが終了し
てから信号線Ｖ３に連なるセルの読出しを開始す
るまでブランキング期間を設け、このブランキン
グ期間中にすべての水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４
上の信号PH1〜PH24をハイ状態にしてMOSスイツ
チQ1 1〜Q24 32を導通させることによりすべての信号
出力線Ｂ１〜Ｂ７６８を対応の共通信号出力線Ａ
１〜Ａ３２に接続すると共に、リフレツシユ線Ｒ
上の信号PRをハイ状態にしてMOSスイツチＲ１
〜Ｒ３２を導通させることにより多重化信号出力
線Ａ１〜Ａ３２を接地する。これによつて、すべ
ての信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８が接地され、従前
の走査に伴つて残存していた画素信号がリフレツ
シユ（クリア）される。
ように信号線Ｖ１に連なるセルの読出しが終了し
てから信号線Ｖ３に連なるセルの読出しを開始す
るまでブランキング期間を設け、このブランキン
グ期間中にすべての水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４
上の信号PH1〜PH24をハイ状態にしてMOSスイツ
チQ1 1〜Q24 32を導通させることによりすべての信号
出力線Ｂ１〜Ｂ７６８を対応の共通信号出力線Ａ
１〜Ａ３２に接続すると共に、リフレツシユ線Ｒ
上の信号PRをハイ状態にしてMOSスイツチＲ１
〜Ｒ３２を導通させることにより多重化信号出力
線Ａ１〜Ａ３２を接地する。これによつて、すべ
ての信号出力線Ｂ１〜Ｂ７６８が接地され、従前
の走査に伴つて残存していた画素信号がリフレツ
シユ（クリア）される。
本発明においては、用いられるセルが非破壊読
出し特性を持つているために１つの信号線Vjの
スイツチングを行なつた後、次の信号線（例え
ば、インターレースで読出す場合にはVj+2）のス
イツチングを行なう前にブランキング期間を設け
ること、つまり信号出力線B1〜B768のいずれの
信号出力線に対してもセルが電気的に接続しない
状態において、信号出力線B1〜B768のリフレツ
シユ（クリア）を行なうことが重要である。
出し特性を持つているために１つの信号線Vjの
スイツチングを行なつた後、次の信号線（例え
ば、インターレースで読出す場合にはVj+2）のス
イツチングを行なう前にブランキング期間を設け
ること、つまり信号出力線B1〜B768のいずれの
信号出力線に対してもセルが電気的に接続しない
状態において、信号出力線B1〜B768のリフレツ
シユ（クリア）を行なうことが重要である。
上記の説明においては、１つの垂直走査信号線
の選択期間及びブランキング期間の和（１つの垂
直走査信号線の選択から次の垂直走査線の選択ま
での期間）が640μSの場合について述べたが、こ
れに限られるものではなく、例えばこれを半分程
度の時間とすることもでき、この場合１秒当り10
駒程度の連写撮影を行なうことができる。
の選択期間及びブランキング期間の和（１つの垂
直走査信号線の選択から次の垂直走査線の選択ま
での期間）が640μSの場合について述べたが、こ
れに限られるものではなく、例えばこれを半分程
度の時間とすることもでき、この場合１秒当り10
駒程度の連写撮影を行なうことができる。
このようにしてリフレツシユが終了したのち垂
直走査信号線Ｖ３上の信号PV3がハイ状態になり、
この信号線Ｖ３に連なる各セルについて垂直走査
信号線Ｖ１に関し説明したと全く同様に水平走査
が行われる。以下同様にして各ブランキング期間
で信号出力線のリフレツシユ動作を行わせつつ奇
数番の垂直走査信号線Ｖ３，Ｖ５，Ｖ７，Ｖ９…
Ｖ５１１に連なるセルから画素信号を読出し、引
続き偶数番の垂直走査信号線Ｖ２，Ｖ４，Ｖ６…
Ｖ５１２に連なるセルから画素信号を読出し、こ
れによつて奇数フイールド及び偶数フイールドか
らなる１フレームの走査を完了する。
直走査信号線Ｖ３上の信号PV3がハイ状態になり、
この信号線Ｖ３に連なる各セルについて垂直走査
信号線Ｖ１に関し説明したと全く同様に水平走査
が行われる。以下同様にして各ブランキング期間
で信号出力線のリフレツシユ動作を行わせつつ奇
数番の垂直走査信号線Ｖ３，Ｖ５，Ｖ７，Ｖ９…
Ｖ５１１に連なるセルから画素信号を読出し、引
続き偶数番の垂直走査信号線Ｖ２，Ｖ４，Ｖ６…
Ｖ５１２に連なるセルから画素信号を読出し、こ
れによつて奇数フイールド及び偶数フイールドか
らなる１フレームの走査を完了する。
このようにして全ての画素CC1 1〜CC768 512の全て
の画像信号が読み出された後、センサに蓄積され
ている画信号（例えば冒頭に述べたフツク構造を
有するセンサにおいてはフツク構造のポテンシヤ
ルの井戸内に蓄積されているフオトキヤリアがリ
フレツシユ（クリア）されて、次の画像形成に対
する準備が行なわれて１つの工程が完了する。こ
のセンサーのリフレツシユの方法は例えば冒頭に
述べた特願昭55−54001号、同55−60316号等に示
す如く各画素セルに対応させてリフレツシユセル
を設け、このセルの動作によつて行なうことが可
能である。
の画像信号が読み出された後、センサに蓄積され
ている画信号（例えば冒頭に述べたフツク構造を
有するセンサにおいてはフツク構造のポテンシヤ
ルの井戸内に蓄積されているフオトキヤリアがリ
フレツシユ（クリア）されて、次の画像形成に対
する準備が行なわれて１つの工程が完了する。こ
のセンサーのリフレツシユの方法は例えば冒頭に
述べた特願昭55−54001号、同55−60316号等に示
す如く各画素セルに対応させてリフレツシユセル
を設け、このセルの動作によつて行なうことが可
能である。
上記実施例によれば、各垂直走査期間の間にブ
ランキング期間を設け、このブランキング期間内
に信号出力線のリフレツシユ（クリア）を行う構
成であるから、非破壊読出し特性を有するセル間
の干渉が有効に防止できるという利点がある。
ランキング期間を設け、このブランキング期間内
に信号出力線のリフレツシユ（クリア）を行う構
成であるから、非破壊読出し特性を有するセル間
の干渉が有効に防止できるという利点がある。
また、信号出力線のサブグループに分割し、各
サブグループ内の信号出力線に連なる対応のセル
を同時に読出してゆく多重化構成とすれば、例え
ば銀塩写真による静止画像と同等の画質が要求さ
れ、大きな画素数を有する固体撮像素子の読出し
においても、信号の読出し速度をサブグループの
数の逆数倍だけ低速にすることが可能であり、
MOSスイツチの開閉に伴なうスパイク雑音を大
幅に低減化でき、また、デイジタル画像出力端子
の信号を記録する磁気記録装置として、例えばサ
ブグループの数と同数の多トラツクヘツドを用い
て同時多トラツク記録を行なえば、オーデイオグ
レードの低速の記録装置を用いることができると
いう利点がある。さらにサブグループへの分割は
信号出力線のリフレツシユ用のMOSスイツチの
個数をも低減させることができる。
サブグループ内の信号出力線に連なる対応のセル
を同時に読出してゆく多重化構成とすれば、例え
ば銀塩写真による静止画像と同等の画質が要求さ
れ、大きな画素数を有する固体撮像素子の読出し
においても、信号の読出し速度をサブグループの
数の逆数倍だけ低速にすることが可能であり、
MOSスイツチの開閉に伴なうスパイク雑音を大
幅に低減化でき、また、デイジタル画像出力端子
の信号を記録する磁気記録装置として、例えばサ
ブグループの数と同数の多トラツクヘツドを用い
て同時多トラツク記録を行なえば、オーデイオグ
レードの低速の記録装置を用いることができると
いう利点がある。さらにサブグループへの分割は
信号出力線のリフレツシユ用のMOSスイツチの
個数をも低減させることができる。
更に上述した如く固体撮像装置からの信号の読
出し速度を低速化するためには、本発明における
ように非破壊読出し特性を持つような信号保持時
間の大きな素子を用いることが必要となるから、
信号読出し線のリフレツシユを工夫すると共に、
信号出力線をサブグループ化して低速の信号読み
出しを行なわせる効果は極めて大きい。
出し速度を低速化するためには、本発明における
ように非破壊読出し特性を持つような信号保持時
間の大きな素子を用いることが必要となるから、
信号読出し線のリフレツシユを工夫すると共に、
信号出力線をサブグループ化して低速の信号読み
出しを行なわせる効果は極めて大きい。
以上の実施例においては、サブグループ化され
た信号出力線をサブグループ内を順次水平走査し
て各画素の信号を読み出す方法について述べた。
この方法は前述した如く、例えば高画質が要求さ
れ、画素数の多い固体撮像素子からスパイク雑音
を充分に軽減させて信号読出しを行なうことがで
き、しかも出力端子を信号出力線の数よりも少な
くできるので、例えば得られた信号を同時多トラ
ツク磁気記録する際にも少ない磁気ヘツド数で記
録を行なうことができる。しかしながら、この信
号の読出し方法はこれに限られるものではなく、
例えば、全ての信号出力線を水平走査回路によつ
て順次選択してもよい。又、信号出力線に対応さ
せてこれを同数の出力端子を設けて１水平ライン
の画素を同時に読出すようにしてもよい。この最
後の態様においては水平走査回路は不要となる。
た信号出力線をサブグループ内を順次水平走査し
て各画素の信号を読み出す方法について述べた。
この方法は前述した如く、例えば高画質が要求さ
れ、画素数の多い固体撮像素子からスパイク雑音
を充分に軽減させて信号読出しを行なうことがで
き、しかも出力端子を信号出力線の数よりも少な
くできるので、例えば得られた信号を同時多トラ
ツク磁気記録する際にも少ない磁気ヘツド数で記
録を行なうことができる。しかしながら、この信
号の読出し方法はこれに限られるものではなく、
例えば、全ての信号出力線を水平走査回路によつ
て順次選択してもよい。又、信号出力線に対応さ
せてこれを同数の出力端子を設けて１水平ライン
の画素を同時に読出すようにしてもよい。この最
後の態様においては水平走査回路は不要となる。
第５図は本発明をカラーテレビに適用する装置
の一構成例の要部を図示したもであり、各セルの
表面にはベイヤー配列に従つて緑(G)、青(B)及び赤
(R)から成る三原色のカラーフイルターが付加され
ている。水平スイツチ回路７０内のサブグループ
１内のMOSスイツチQ1 1，Q2 1…Q24 1は、左端から
の配列番号が奇数であるQ1 1，Q3 1，Q5 1…Q23 1のグル
ープと偶数であるQ2 1，Q4 1，Q6 1…Q24 1のグループに
分割され、奇数グループに属するMOSスイツチ
は左端からの配列番号の順に水平走査信号線Ｈ１
〜Ｈ１２に順次接続され、一方偶数グループに属
するMOSスイツチは同じく左端からの配列番号
の順に水平走査信号線Ｈ１３〜Ｈ２４に順次接続
されている。
の一構成例の要部を図示したもであり、各セルの
表面にはベイヤー配列に従つて緑(G)、青(B)及び赤
(R)から成る三原色のカラーフイルターが付加され
ている。水平スイツチ回路７０内のサブグループ
１内のMOSスイツチQ1 1，Q2 1…Q24 1は、左端から
の配列番号が奇数であるQ1 1，Q3 1，Q5 1…Q23 1のグル
ープと偶数であるQ2 1，Q4 1，Q6 1…Q24 1のグループに
分割され、奇数グループに属するMOSスイツチ
は左端からの配列番号の順に水平走査信号線Ｈ１
〜Ｈ１２に順次接続され、一方偶数グループに属
するMOSスイツチは同じく左端からの配列番号
の順に水平走査信号線Ｈ１３〜Ｈ２４に順次接続
されている。
このような構成であるから、水平走査信号線Ｖ
１上の信号PV1をハイ状態に保持したまま水平走
査信号線Ｈ１〜Ｈ１２上の信号PH1〜PH12を順次
ハイ状態にしてゆくとき、多重化信号出力線Ａ１
上には連続した12個の緑(G)信号が出力され、引続
き水平走査信号線Ｈ１３〜Ｈ２４の信号を順次ハ
イ状態にしてゆくととき、多重化信号出力線Ａ１
上には連続した12個の赤(R)信号が出力される。次
に垂直走査信号線Ｖ３上の信号をハイ状態に保持
したまま水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４上の信号を
順次ハイ状態にしてゆくと、多重化信号出力線Ａ
１上にはまず連続した12個のＧ信号が出力され、
次いで連続した12個のＲ信号が出力される。以下
同様にして奇数フイールドの走査においては、多
重化信号出力線Ａ１上には、それぞれ12個の連続
したＧ信号及びＲ信号が交互に出力され、一方偶
数フイールドの走査においては、それぞれ12個の
連続したＧ信号及び青(B)信号が出力される。この
ようにそれぞれの色信号が必ず12個まとまつて出
力されるから、水平走査のクロツクを1/12分周し
たクロツクを用いてこれらの色信号を容易に分離
でるという利点がある。
１上の信号PV1をハイ状態に保持したまま水平走
査信号線Ｈ１〜Ｈ１２上の信号PH1〜PH12を順次
ハイ状態にしてゆくとき、多重化信号出力線Ａ１
上には連続した12個の緑(G)信号が出力され、引続
き水平走査信号線Ｈ１３〜Ｈ２４の信号を順次ハ
イ状態にしてゆくととき、多重化信号出力線Ａ１
上には連続した12個の赤(R)信号が出力される。次
に垂直走査信号線Ｖ３上の信号をハイ状態に保持
したまま水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４上の信号を
順次ハイ状態にしてゆくと、多重化信号出力線Ａ
１上にはまず連続した12個のＧ信号が出力され、
次いで連続した12個のＲ信号が出力される。以下
同様にして奇数フイールドの走査においては、多
重化信号出力線Ａ１上には、それぞれ12個の連続
したＧ信号及びＲ信号が交互に出力され、一方偶
数フイールドの走査においては、それぞれ12個の
連続したＧ信号及び青(B)信号が出力される。この
ようにそれぞれの色信号が必ず12個まとまつて出
力されるから、水平走査のクロツクを1/12分周し
たクロツクを用いてこれらの色信号を容易に分離
でるという利点がある。
第６図は本発明をカラーテレビに適用する装置
の他の構成例の要部を図示したものであり、各セ
ルの表面にはベイヤー配列に従つてＧ，Ｂ及びＲ
の三原色のカラーフイルターが付加されている。
信号出力線Ｂ１〜Ｂ２４は配列番号が奇数のグル
ープＢ１，Ｂ３，Ｂ５…Ｂ２３と偶数のグループ
Ｂ２，Ｂ４，Ｂ６…Ｂ２４の２群に分割され、各
グループに属する信号出力線はそれぞれ多重化信
号出力線Ａ１−１とＡ１−２に接続されると共
に、これら奇、偶両グループのそれぞれの左端か
らの配列番号が同一である１対の信号出力線は、
共通の水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４に順次接続さ
れたゲートを有するMOSスイツチに接続されて
いる。また、偶数フイールドに属するセルはその
画素信号を左端に配列された信号出力線上に出力
するように接続されている。
の他の構成例の要部を図示したものであり、各セ
ルの表面にはベイヤー配列に従つてＧ，Ｂ及びＲ
の三原色のカラーフイルターが付加されている。
信号出力線Ｂ１〜Ｂ２４は配列番号が奇数のグル
ープＢ１，Ｂ３，Ｂ５…Ｂ２３と偶数のグループ
Ｂ２，Ｂ４，Ｂ６…Ｂ２４の２群に分割され、各
グループに属する信号出力線はそれぞれ多重化信
号出力線Ａ１−１とＡ１−２に接続されると共
に、これら奇、偶両グループのそれぞれの左端か
らの配列番号が同一である１対の信号出力線は、
共通の水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４に順次接続さ
れたゲートを有するMOSスイツチに接続されて
いる。また、偶数フイールドに属するセルはその
画素信号を左端に配列された信号出力線上に出力
するように接続されている。
このような構成であるから、一方の多重化信号
線Ａ１−１上には奇偶両フイールドの走査期間中
Ｇ信号のみが出力され、他方の多重化信号線Ａ１
−２上には奇数フイールドの走査期間中はＲ信号
のみが出力されると共に偶数フイールドの走査期
間中はＢ信号のみが出力される。このため第５図
の場合に比べてカラー信号分離がより容易になる
という利点がある。
線Ａ１−１上には奇偶両フイールドの走査期間中
Ｇ信号のみが出力され、他方の多重化信号線Ａ１
−２上には奇数フイールドの走査期間中はＲ信号
のみが出力されると共に偶数フイールドの走査期
間中はＢ信号のみが出力される。このため第５図
の場合に比べてカラー信号分離がより容易になる
という利点がある。
第７図は本発明をカラーテレビに適用する装置
の他の構成例の要部を図示したものであり、各セ
ルの表面にはインターリーブ配列に従つてＧ，Ｂ
及びＲの三原色のカラーフイルターが付加されて
おり、信号出力線は96本ごとに１個のサブグルー
プを形成している。このサブグループは、さらに
第１、第２、第３及び第４の群に分割され各群内
の信号出力線はそれぞれ対応の多重化信号出力線
Ａ１−１，Ａ１−２，Ａ１−３及びＡ１−４に接
続されている。第１の群は１番から47番までの奇
数配列番号を有する線群Ｂ１，Ｂ３，Ｂ５…Ｂ４
７から構成されており、第２の群は49番から95番
までの奇数配列番号を有する線群Ｂ４９，Ｂ５
１，Ｂ５３…Ｂ９５から構成されており、第３の
群は２番から94番までの４とびの偶数配列番号を
有する線群Ｂ２，Ｂ６，Ｂ１０…Ｂ９４から構成
されており、かつ第４の群は４番から94番までの
４とびの偶数配列番号を有する線群Ｂ４，Ｂ８，
Ｂ１２…Ｂ９６から構成されている。各線群内の
信号出力線を対応の多重化信号出力線に接続する
MOSスイツチは、その信号出力線の各群内にお
ける配列番号順に水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４に
接続されたゲート電極を有している。
の他の構成例の要部を図示したものであり、各セ
ルの表面にはインターリーブ配列に従つてＧ，Ｂ
及びＲの三原色のカラーフイルターが付加されて
おり、信号出力線は96本ごとに１個のサブグルー
プを形成している。このサブグループは、さらに
第１、第２、第３及び第４の群に分割され各群内
の信号出力線はそれぞれ対応の多重化信号出力線
Ａ１−１，Ａ１−２，Ａ１−３及びＡ１−４に接
続されている。第１の群は１番から47番までの奇
数配列番号を有する線群Ｂ１，Ｂ３，Ｂ５…Ｂ４
７から構成されており、第２の群は49番から95番
までの奇数配列番号を有する線群Ｂ４９，Ｂ５
１，Ｂ５３…Ｂ９５から構成されており、第３の
群は２番から94番までの４とびの偶数配列番号を
有する線群Ｂ２，Ｂ６，Ｂ１０…Ｂ９４から構成
されており、かつ第４の群は４番から94番までの
４とびの偶数配列番号を有する線群Ｂ４，Ｂ８，
Ｂ１２…Ｂ９６から構成されている。各線群内の
信号出力線を対応の多重化信号出力線に接続する
MOSスイツチは、その信号出力線の各群内にお
ける配列番号順に水平走査信号線Ｈ１〜Ｈ２４に
接続されたゲート電極を有している。
このような構成であるから、奇数フイールドで
あるか偶数フイールドであるかを問わずフレーム
内の全走査期間にわたつて多重化信号出力線Ａ１
−１，Ａ１−２，Ａ１−３及びＡ１−４のそれぞ
れには第１の緑信号Ｇ１、第２の緑信号Ｇ２、赤
信号Ｒ及び青信号Ｂが出力され、カラー信号の分
離が極めて容易になるという利点がある。
あるか偶数フイールドであるかを問わずフレーム
内の全走査期間にわたつて多重化信号出力線Ａ１
−１，Ａ１−２，Ａ１−３及びＡ１−４のそれぞ
れには第１の緑信号Ｇ１、第２の緑信号Ｇ２、赤
信号Ｒ及び青信号Ｂが出力され、カラー信号の分
離が極めて容易になるという利点がある。
以上詳細に説明したように、本発明の画像信号
読出し方法は垂直走査信号線の選択期間相互間に
ブランキング期間を設け、このブランキング期間
において信号出力線を基準電位に保持する構成で
あるから、非破壊読出し特性を有する画素から相
互干渉を有効に防止しつつ画像信号を読出すこと
ができる。
読出し方法は垂直走査信号線の選択期間相互間に
ブランキング期間を設け、このブランキング期間
において信号出力線を基準電位に保持する構成で
あるから、非破壊読出し特性を有する画素から相
互干渉を有効に防止しつつ画像信号を読出すこと
ができる。
また本発明の一実施例によれば、カラーフイル
ターの配列に合せて信号出力線を多重化する構成
であるから、リフレツシユ回路の構成を簡略化で
きると共に色分離を容易に行うことができるとい
う利点がある。
ターの配列に合せて信号出力線を多重化する構成
であるから、リフレツシユ回路の構成を簡略化で
きると共に色分離を容易に行うことができるとい
う利点がある。
第１図は本発明の一実施例に使用する固体撮像
装置のブロツク図、第２図は第１図示のセンサエ
リア１０の構成の一例を示すブロツク図、第３図
は第１図示の水平スイツチ回路５０、リフレツシ
ユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ変換
回路９０の構成の詳細を示すブロツク図、第４図
は第１図乃至第３図示の構成を有する図体撮像装
置の動作を説明するための波形図、第５図乃至第
７図は本発明をカラーテレビに適用する装置の一
構成例の要部を示すブロツク図である。 １０……センサエリア、２０……垂直走査回
路、３０……フイールド選択スイツチ、４０……
水平走査回路、５０……水平スイツチ回路、６０
……リフレツシユ信号発生回路、７０……リフレ
ツシユ回路、８０……バツフアアンプ、９０……
Ａ／Ｄ変換回路、Ｖ１〜Ｖ５１２……垂直走査信
号線、Ｂ１〜Ｂ７６８……信号出力線、Ａ１〜Ａ
３２……多重化信号出力線、Ｒ……リフレツシユ
信号線、Cj i……画素セル、CCj i……光検出部、Sj i，
Qj i，Ｒ１〜Ｒ３２……MOSスイツチ、Ｔ１〜
Ｔ３２……アンプ、AD１〜AD３２……Ａ／Ｄ
変換回路、Ｄ１〜Ｄ３２……デイジタル画素信号
出力端子。
装置のブロツク図、第２図は第１図示のセンサエ
リア１０の構成の一例を示すブロツク図、第３図
は第１図示の水平スイツチ回路５０、リフレツシ
ユ回路７０、バツフアアンプ８０及びＡ／Ｄ変換
回路９０の構成の詳細を示すブロツク図、第４図
は第１図乃至第３図示の構成を有する図体撮像装
置の動作を説明するための波形図、第５図乃至第
７図は本発明をカラーテレビに適用する装置の一
構成例の要部を示すブロツク図である。 １０……センサエリア、２０……垂直走査回
路、３０……フイールド選択スイツチ、４０……
水平走査回路、５０……水平スイツチ回路、６０
……リフレツシユ信号発生回路、７０……リフレ
ツシユ回路、８０……バツフアアンプ、９０……
Ａ／Ｄ変換回路、Ｖ１〜Ｖ５１２……垂直走査信
号線、Ｂ１〜Ｂ７６８……信号出力線、Ａ１〜Ａ
３２……多重化信号出力線、Ｒ……リフレツシユ
信号線、Cj i……画素セル、CCj i……光検出部、Sj i，
Qj i，Ｒ１〜Ｒ３２……MOSスイツチ、Ｔ１〜
Ｔ３２……アンプ、AD１〜AD３２……Ａ／Ｄ
変換回路、Ｄ１〜Ｄ３２……デイジタル画素信号
出力端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２次元的に配列された複数個の非破壊読出し
特性を有するフツク構造から成り、第１および第
２の主電極を有した光検出部と第１および第２の
主電極を有したMOSトランジスタのみから構成
され、該光検出部の前記第１の主電極を所定の基
準電位に接続し、該光検出部の前記第２の主電極
と該MOSトランジスタの前記１の主電極とが接
続された固体画素セル、該画素セルを水平方向に
連ねる複数の前記MOSトランジスタのゲートに
接続された垂直走査信号線及び前記画素セルを垂
直方向に連ねる複数の前記MOSトランジスタの
前記第２の主電極に接続された画素信号出力線を
備え、前記垂直走査信号線を順次垂直走査するこ
とにより選択された垂直走査信号線に連なる固体
画素セル内の非破壊画素信号を対応する画素信号
出力線上に順次出力させると共に選択された垂直
走査信号線の選択期間内に前記画素信号出力線か
ら固体画素セル群の非破壊画素信号の読出しを行
う固体撮像装置の画像信号読出し方法において、
前記選択された垂直走査信号線の選択期間と次に
選択される垂直走査信号線の選択期間との間にブ
ランキング期間を設け、該ブランキング期間にお
いて前記画素信号出力線を接続電位に保持するこ
とにより、前記画素信号出力線に残存している非
破壊画素信号をリフレツシユすることを特徴とす
る固体撮像装置の画像信号読出し方法。 ２ 前記画素信号出力線の所定本数ごとに出力端
子側を相互接続した多重化信号出力線を形成し、
この多重化信号出力線内の所定本数の出力線を水
平走査して出力すると共に、前記ブランキング期
間において前記多重化信号出力線に接続された画
素信号出力線を接地電位に保持することにより、
前記画素信号出力線に残存している非破壊画素信
号をリフレツシユすることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の固体撮像装置の画像信号読出
し方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147576A JPS5848577A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 固体撮像装置の画像信号読出し方法 |
| US06/418,677 US4504865A (en) | 1981-09-18 | 1982-09-16 | Image signal readout methd for solid-state image sensor |
| DE3234573A DE3234573C2 (de) | 1981-09-18 | 1982-09-17 | Bildsignalausleseverfahren für einen Festkörper-Bildabtaster |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56147576A JPS5848577A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 固体撮像装置の画像信号読出し方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848577A JPS5848577A (ja) | 1983-03-22 |
| JPH0518309B2 true JPH0518309B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=15433476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56147576A Granted JPS5848577A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | 固体撮像装置の画像信号読出し方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4504865A (ja) |
| JP (1) | JPS5848577A (ja) |
| DE (1) | DE3234573C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2014165520A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Sony Corp | 固体撮像素子、および撮像装置 |
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1981
- 1981-09-18 JP JP56147576A patent/JPS5848577A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-16 US US06/418,677 patent/US4504865A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-09-17 DE DE3234573A patent/DE3234573C2/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3234573A1 (de) | 1983-03-31 |
| US4504865A (en) | 1985-03-12 |
| JPS5848577A (ja) | 1983-03-22 |
| DE3234573C2 (de) | 1994-02-03 |
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