JPH0518403B2 - - Google Patents
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- JPH0518403B2 JPH0518403B2 JP8080786A JP8080786A JPH0518403B2 JP H0518403 B2 JPH0518403 B2 JP H0518403B2 JP 8080786 A JP8080786 A JP 8080786A JP 8080786 A JP8080786 A JP 8080786A JP H0518403 B2 JPH0518403 B2 JP H0518403B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶素子の製造方法、特に強誘電性液
晶を液晶セル内に注入する方法に関するものであ
る。
晶を液晶セル内に注入する方法に関するものであ
る。
［従来の技術］
従来、液晶の注入方法は、液晶セルの内部を低
圧に引くと共に液晶セルの注入口に液晶を接着さ
せ、液晶セルの外部を大気圧に戻すことにより圧
力差で液晶セルの内部に液晶を注入する方式が一
般的であつた。
圧に引くと共に液晶セルの注入口に液晶を接着さ
せ、液晶セルの外部を大気圧に戻すことにより圧
力差で液晶セルの内部に液晶を注入する方式が一
般的であつた。
しかし、この方式では液晶セル内部の排気系
と、大気圧に戻して液晶を注入して行く液晶注入
系が同一で、同じ装置内で両工程が行われるた
め、液晶セルのギヤツプが薄い場合や、液晶セル
面積が大きいものの場合、液晶に注入に非常に長
時間を要し、大量生産に適しないことや、さらに
液晶を加圧することによつて液晶を注入する方式
が取りにくいことなどの欠点があつた。
と、大気圧に戻して液晶を注入して行く液晶注入
系が同一で、同じ装置内で両工程が行われるた
め、液晶セルのギヤツプが薄い場合や、液晶セル
面積が大きいものの場合、液晶に注入に非常に長
時間を要し、大量生産に適しないことや、さらに
液晶を加圧することによつて液晶を注入する方式
が取りにくいことなどの欠点があつた。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明はこの様な従来の液晶の注入方式を改良
することにより、液晶セル内部の排気と液晶の注
入を各々別の系内で行うことにより、液晶の注入
時間を短縮することができ、また大量生産が可能
となると共に品質の良好な液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
することにより、液晶セル内部の排気と液晶の注
入を各々別の系内で行うことにより、液晶の注入
時間を短縮することができ、また大量生産が可能
となると共に品質の良好な液晶素子を提供するこ
とを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
即ち、本発明は、
(a) 注入口を設けたセルを第１の容器内に収容
し、該第１の容器の内部を減圧することによつ
て、セル内を低圧状態とする第１の工程、 (b) 前記第１の容器内で、前記セルの内部と外部
とを遮断する様に、十分に低い粘度までに加熱
させ、該加熱下の相状態を生じたカイラルスメ
クチツク液晶物質によつて、前記注入口を封止
する第２の工程、 (c) 前記第２の工程の注入口はカイラルスメクチ
ツク液晶物質によつて封止された状態を維持し
て、該セルを前記第１の容器から取り出す第３
の工程、及び (d) 前記第３の工程のセルを第２の容器に収容
し、該第２の容器内で、セル内の圧力より該セ
ルの外部の圧力を高圧となし、注入口を封止し
ているカイラルスメクチツク液晶物質がセル内
に注入されるのに十分に低い粘度の相状態まで
加熱して、セル内にカイラルスメクチツク液晶
物質を注入する第４の工程 を有することを特徴とする液晶素子の製造方法で
ある。
し、該第１の容器の内部を減圧することによつ
て、セル内を低圧状態とする第１の工程、 (b) 前記第１の容器内で、前記セルの内部と外部
とを遮断する様に、十分に低い粘度までに加熱
させ、該加熱下の相状態を生じたカイラルスメ
クチツク液晶物質によつて、前記注入口を封止
する第２の工程、 (c) 前記第２の工程の注入口はカイラルスメクチ
ツク液晶物質によつて封止された状態を維持し
て、該セルを前記第１の容器から取り出す第３
の工程、及び (d) 前記第３の工程のセルを第２の容器に収容
し、該第２の容器内で、セル内の圧力より該セ
ルの外部の圧力を高圧となし、注入口を封止し
ているカイラルスメクチツク液晶物質がセル内
に注入されるのに十分に低い粘度の相状態まで
加熱して、セル内にカイラルスメクチツク液晶
物質を注入する第４の工程 を有することを特徴とする液晶素子の製造方法で
ある。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図Ａおよび第１図Ｂは本発明の液晶素子の
製造方法に使用する装置の１例を示す説明図であ
る。
製造方法に使用する装置の１例を示す説明図であ
る。
同第１図Ａにおいて、液晶セル１を真空容器２
に収容し、ロータリポンプ３で吸引して真空系を
形成して液晶セルの内部を内圧0.3Torr以下に減
圧した後、電源５からのヒーター６で加熱した液
晶槽７内の液晶を液晶注入口４に付着させて被覆
し、その液晶自体によつて液晶セルの内部と外部
をしゃ断する。次いで真空容器２内から、液晶が
注入口に付着した液晶セル１を取り出し、これを
第１図Ｂに示す加圧容器８内に収容する。加圧容
器８内をN2ガスで加圧して高圧系に保ち、液晶
セル保持台９上に載置した液晶セル１に液晶だめ
１０から液晶を補給しつつ、ヒーター６で加熱し
て液晶の粘度を下げて注入する。
に収容し、ロータリポンプ３で吸引して真空系を
形成して液晶セルの内部を内圧0.3Torr以下に減
圧した後、電源５からのヒーター６で加熱した液
晶槽７内の液晶を液晶注入口４に付着させて被覆
し、その液晶自体によつて液晶セルの内部と外部
をしゃ断する。次いで真空容器２内から、液晶が
注入口に付着した液晶セル１を取り出し、これを
第１図Ｂに示す加圧容器８内に収容する。加圧容
器８内をN2ガスで加圧して高圧系に保ち、液晶
セル保持台９上に載置した液晶セル１に液晶だめ
１０から液晶を補給しつつ、ヒーター６で加熱し
て液晶の粘度を下げて注入する。
液晶の注入は、液晶セル１の外部は加圧され、
内部は低圧の真空に保たれた状態で行われるので
液晶セル内への進入は促進される。
内部は低圧の真空に保たれた状態で行われるので
液晶セル内への進入は促進される。
尚、図中１１は温度変均用フアン、１２は容器
ふたの加圧ロツクおよび１３は窒素ガスボンベを
示す。
ふたの加圧ロツクおよび１３は窒素ガスボンベを
示す。
高圧系内には液晶もしくは液晶セルの少なくと
もいずれか一方を加熱する手段を設置することが
できるが、この場合、加熱温度は液晶が劣化しな
い範囲で高い程粘性が低くなるので望ましい。
もいずれか一方を加熱する手段を設置することが
できるが、この場合、加熱温度は液晶が劣化しな
い範囲で高い程粘性が低くなるので望ましい。
また、高圧系内には液晶および液晶セルを大気
圧以上、或いは大気圧以下でセル内圧力以上の圧
力で加圧することを要するが、この場合N2ガス
等による加圧もセルの破壊や液晶に関する悪影響
のない範囲で高いことが望ましい。
圧以上、或いは大気圧以下でセル内圧力以上の圧
力で加圧することを要するが、この場合N2ガス
等による加圧もセルの破壊や液晶に関する悪影響
のない範囲で高いことが望ましい。
真空容器の真空系内には封止用液晶を加熱する
手段を設置し、液晶の粘度を低下せしめることが
望ましい。
手段を設置し、液晶の粘度を低下せしめることが
望ましい。
本発明で用いる液晶材料としてスメクチツク液
晶であつて、特に適したものは、カイラルスメク
チツク液晶であり、強誘電性を有するものであ
る。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相
（SmC＊ ）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG
＊ ）、カイラルスメクチツクＦ相（SmF＊ ）、カ
イラルスメクチツクＩ相（SmI＊ ）又はカイラル
スメクチツクＨ相（SmH＊ ）の液晶を用いるこ
とができる。またネマテイツク相もしくはカイラ
ルネマテイツク相も用いることができる。
晶であつて、特に適したものは、カイラルスメク
チツク液晶であり、強誘電性を有するものであ
る。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相
（SmC＊ ）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG
＊ ）、カイラルスメクチツクＦ相（SmF＊ ）、カ
イラルスメクチツクＩ相（SmI＊ ）又はカイラル
スメクチツクＨ相（SmH＊ ）の液晶を用いるこ
とができる。またネマテイツク相もしくはカイラ
ルネマテイツク相も用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば
“ル・ジユルナール・ド・フイジイク・レツトル”
（“LE JOURNAL DE PHYSIQUE
LETTRE”）36（Ｌ−69）1975年「フエロエレク
トリツク・リキツド・クリスタル」
（Ferroelectric Liquid Crystals；“アプライド・
フイジイツクス・レターズ”（“Applied Physics
Letters”）36（11）1980年「サブミクロ・セカン
ド・バイステイブル・エレクトロオプテイツク・
スイツチング・イン・リキツド・クリスタルス」
（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Cystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」等に記載されており、本発明
ではこれらに開示されたもののうち、負の誘電異
方性をもつ強誘電性液晶を用いることができる。
“ル・ジユルナール・ド・フイジイク・レツトル”
（“LE JOURNAL DE PHYSIQUE
LETTRE”）36（Ｌ−69）1975年「フエロエレク
トリツク・リキツド・クリスタル」
（Ferroelectric Liquid Crystals；“アプライド・
フイジイツクス・レターズ”（“Applied Physics
Letters”）36（11）1980年「サブミクロ・セカン
ド・バイステイブル・エレクトロオプテイツク・
スイツチング・イン・リキツド・クリスタルス」
（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Cystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」等に記載されており、本発明
ではこれらに開示されたもののうち、負の誘電異
方性をもつ強誘電性液晶を用いることができる。
特に、好ましい強誘電性液晶としては、これに
より高温側でコレステリツク相（カイラルネマチ
ツク相）を示すものを用いることができ、例えば
下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエニル
エステル系液晶を用いることができる。
より高温側でコレステリツク相（カイラルネマチ
ツク相）を示すものを用いることができ、例えば
下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエニル
エステル系液晶を用いることができる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液
晶化合物が所望の相となるような温度状態に保持
する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロツク等により支持することができる。
晶化合物が所望の相となるような温度状態に保持
する為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込ま
れた銅ブロツク等により支持することができる。
第３図は、強誘電性液晶の動作説明のために、
セルの例を模式的に描いたものである。以下、所
望の相としてSmC＊ を例にとつて説明する。
セルの例を模式的に描いたものである。以下、所
望の相としてSmC＊ を例にとつて説明する。
３１ａと３１ｂは、In2O3あるいはITO
（Indium Tin Oxide）等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層３２がガラス面に垂直になるように
配向したSmC＊ 相の液晶が封入されている。太
線で示した線３３が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子３３は基板の面方向に連続的にらせん
構造を形成している。このらせん構造の中心軸３
５と液晶分子３３の軸方向とのなす角度をΘとし
て表す。この液晶分子３３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメント（Ｐ ⊥）３４を有して
いる。基板３１ａと３１ｂ上の電極間に一定の閾
値以上の電圧を印加すると、液晶分子３３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ ⊥）３４
がすべて電界方向に向くよう、液晶分子３３は配
向方向を変えることができる。
（Indium Tin Oxide）等の薄膜からなる透明電
極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層３２がガラス面に垂直になるように
配向したSmC＊ 相の液晶が封入されている。太
線で示した線３３が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子３３は基板の面方向に連続的にらせん
構造を形成している。このらせん構造の中心軸３
５と液晶分子３３の軸方向とのなす角度をΘとし
て表す。この液晶分子３３は、その分子に直交し
た方向に双極子モーメント（Ｐ ⊥）３４を有して
いる。基板３１ａと３１ｂ上の電極間に一定の閾
値以上の電圧を印加すると、液晶分子３３のらせ
ん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ ⊥）３４
がすべて電界方向に向くよう、液晶分子３３は配
向方向を変えることができる。
液晶分子３３は、細長い形状を有しており、そ
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
つて例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特
性が変わる液晶光学素子となることは、容易に理
解される。
の長軸方向と短軸方向で屈折率異方性を示し、従
つて例えばガラス面の上下に互いにクロスニコル
の偏光子を置けば、電圧印加極性によつて光学特
性が変わる液晶光学素子となることは、容易に理
解される。
本発明の液晶光学素子で好ましく用いられる液
晶セルは、例えば10μ以下とすることができる。
このように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造はほどけ、非らせん構造とな
り、その双極子モーメントPa又はPbは上向き２
４ａ又は下向き２４ｂのどちらかの状態をとる。
この液晶分子軸２３ａの分子軸と２３ｂのなす角
度の1/2の角度をチルト角このチルト角はら
せん構造をとる時のコーンのなす頂角の1/2の値
に等しい。このようなセルに、一定の閾値以上の
極性の異なる電界EaまたはEbを電圧印加手段２
１ａと２１ｂにより付与すると、双極子モーメン
トは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して
上向き２４ａ又は下向き２４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、１つの安定配向２３ａか
あるいは他の安定配向２３ｂの何れか一方に配向
する。
晶セルは、例えば10μ以下とすることができる。
このように液晶層が薄くなるにしたがい、第２図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶
分子のらせん構造はほどけ、非らせん構造とな
り、その双極子モーメントPa又はPbは上向き２
４ａ又は下向き２４ｂのどちらかの状態をとる。
この液晶分子軸２３ａの分子軸と２３ｂのなす角
度の1/2の角度をチルト角このチルト角はら
せん構造をとる時のコーンのなす頂角の1/2の値
に等しい。このようなセルに、一定の閾値以上の
極性の異なる電界EaまたはEbを電圧印加手段２
１ａと２１ｂにより付与すると、双極子モーメン
トは、電界Ea又はEbの電界ベクトルに対応して
上向き２４ａ又は下向き２４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、１つの安定配向２３ａか
あるいは他の安定配向２３ｂの何れか一方に配向
する。
このような強誘電性を液晶光学素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Eaを印加すると液晶分子は１の安
定配向２３ａに配向するが、この状態は電界を切
つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加
すると、液晶分子は他の安定配向２３ｂに配向し
てその分子の向きを変えるが、やはり電界を切つ
てもこの状態に留つている。
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Eaを印加すると液晶分子は１の安
定配向２３ａに配向するが、この状態は電界を切
つても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加
すると、液晶分子は他の安定配向２３ｂに配向し
てその分子の向きを変えるが、やはり電界を切つ
てもこの状態に留つている。
このような応答速度の速さと、双安定性が有効
に実現されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好
ましい。
に実現されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好
ましい。
このような強誘電性を有する液晶で素子を形成
するに当つて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC〓相を有する層が基板面に対して
垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配
向したモノドメイン性の高いセルを形成すること
が困難なことである。
するに当つて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC〓相を有する層が基板面に対して
垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配
向したモノドメイン性の高いセルを形成すること
が困難なことである。
ところで、従来より大面積の液晶セルを製造す
る上で、基板表面に一軸性の配向処理を施す方法
が知られている。この一軸性の配向処理法として
は基板表面をビロード、布や紙で一方向にラビン
グする方向あるいは基板表面にSiOやSiO2を斜方
蒸着する方法などが挙げられる。
る上で、基板表面に一軸性の配向処理を施す方法
が知られている。この一軸性の配向処理法として
は基板表面をビロード、布や紙で一方向にラビン
グする方向あるいは基板表面にSiOやSiO2を斜方
蒸着する方法などが挙げられる。
［作用］
本発明の注入方法で液晶セルに液晶を注入する
場合、ある短い時間で液晶は一定速度と仮定でき
る。この場合セル内に圧力勾配が存在して、しか
もその圧力勾配は注入口から奥に行くにしたがつ
て線型に減少していると共に液晶の進入する速度
は圧力勾配に比例していると考えられるので、液
晶セルの外部を加圧して外圧を大きくする程液晶
セルはすみやかに注入されるものと推定される。
場合、ある短い時間で液晶は一定速度と仮定でき
る。この場合セル内に圧力勾配が存在して、しか
もその圧力勾配は注入口から奥に行くにしたがつ
て線型に減少していると共に液晶の進入する速度
は圧力勾配に比例していると考えられるので、液
晶セルの外部を加圧して外圧を大きくする程液晶
セルはすみやかに注入されるものと推定される。
［実施例］
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
第１図Ａおよび第１図Ｂに示す装置を使用して
下記の方法で、200mm×300mmのセル内空間を有す
るセル厚1μｍの液晶セルに、液晶材料として
DOBAMBC（デシロキシベンジリデン−P′−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート）を注入して
液晶素子を得た。
下記の方法で、200mm×300mmのセル内空間を有す
るセル厚1μｍの液晶セルに、液晶材料として
DOBAMBC（デシロキシベンジリデン−P′−アミ
ノ−２−メチルブチルシンナメート）を注入して
液晶素子を得た。
先ず真空容器内に液晶セルを収容し、0.2Torr
に減圧した後、75℃に加熱したスメクチツク相の
液晶DOBAMBCで液晶セルの注入を封止した。
に減圧した後、75℃に加熱したスメクチツク相の
液晶DOBAMBCで液晶セルの注入を封止した。
次いで、大気圧に戻して液晶セルを取り出し、
加圧容器に収容し、１気圧のN2ガスを用いて加
圧し、120℃に加熱して液晶をISO（等方相）で注
入した。その結果、約16時間で液晶セルへの注入
を完了した。
加圧容器に収容し、１気圧のN2ガスを用いて加
圧し、120℃に加熱して液晶をISO（等方相）で注
入した。その結果、約16時間で液晶セルへの注入
を完了した。
又、本発明では、液状体の注入時の相状態とし
ては、スメクチツクＡ相、コレステリツク相、ネ
マチツク相、カイラルスメクチツクＣ相又は等方
相であることが望ましい。特に、第１図Ｂの液晶
だめ１０内の液状体としては、低粘度の等方相液
体又はネマチツク相又はコレステリツク相が適し
ている。
ては、スメクチツクＡ相、コレステリツク相、ネ
マチツク相、カイラルスメクチツクＣ相又は等方
相であることが望ましい。特に、第１図Ｂの液晶
だめ１０内の液状体としては、低粘度の等方相液
体又はネマチツク相又はコレステリツク相が適し
ている。
［発明の効果］
本発明は液晶セルに液晶を注入する場合、真空
系内で液晶セル内を低圧にした後、高圧系内にお
いて加圧下での液晶を注入を行うので、液晶セル
中への液晶の注入速度が促進され、注入時間を大
巾に短縮することができ、また大量処理を可能に
する等極めて優れた効果がある。
系内で液晶セル内を低圧にした後、高圧系内にお
いて加圧下での液晶を注入を行うので、液晶セル
中への液晶の注入速度が促進され、注入時間を大
巾に短縮することができ、また大量処理を可能に
する等極めて優れた効果がある。
第１図Ａおよび第１図Ｂは本発明の液晶素子の
製造方法に使用する装置の１例を示す説明図、第
２図は非らせん構造の強誘電性液晶を用いた液晶
素子の模式図および第３図はらせん構造の強誘電
性液晶を用いた液晶素子の模式的図である。 １……液晶セル、２……真空容器、３……ロー
タリーポンプ、４……液晶注入口、５……電源、
６……ヒーター、７……液晶槽、８……加圧容
器、９……液晶セル保持台、１０……液晶だめ、
１１……温度変均用フアン、１２……容器ふたの
加圧ロツク、１３……窒素ガスボンベ、２１ａ，
２１ｂ……電圧印加手段、Ea，Eb……電界、２
３ａ，２３ｂ……液晶分子軸、２４ａ，Pa……
上向き双極子モーメント、２４ｂ，Pb……下向
き双極子モーメント、３１ａ，３１ｂ……基板、
３２……液晶分子層、３３……液晶分子、３４，
PL……双極子モーメント、３５……中心軸、
……チルト角。
製造方法に使用する装置の１例を示す説明図、第
２図は非らせん構造の強誘電性液晶を用いた液晶
素子の模式図および第３図はらせん構造の強誘電
性液晶を用いた液晶素子の模式的図である。 １……液晶セル、２……真空容器、３……ロー
タリーポンプ、４……液晶注入口、５……電源、
６……ヒーター、７……液晶槽、８……加圧容
器、９……液晶セル保持台、１０……液晶だめ、
１１……温度変均用フアン、１２……容器ふたの
加圧ロツク、１３……窒素ガスボンベ、２１ａ，
２１ｂ……電圧印加手段、Ea，Eb……電界、２
３ａ，２３ｂ……液晶分子軸、２４ａ，Pa……
上向き双極子モーメント、２４ｂ，Pb……下向
き双極子モーメント、３１ａ，３１ｂ……基板、
３２……液晶分子層、３３……液晶分子、３４，
PL……双極子モーメント、３５……中心軸、
……チルト角。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 注入口を設けたセルを第１の容器内に収
容し、該第１の容器の内部を減圧することによ
つて、セル内を低圧状態とする第１の工程、 (b) 前記第１の容器内で、前記セルの内部と外部
とを遮断する様に、十分に低い粘度までに加熱
させ、該加熱下の相状態を生じたカイラルスメ
クチツク液晶物質によつて、前記注入口を封止
する第２の工程、 (c) 前記第２の工程の注入口がカイラルスメクチ
ツク液晶物質によつて封止された状態を維持し
て、該セルを前記第１の容器から取り出す第３
の工程、及び (d) 前記第３の工程のセルを第２の容器に収容
し、該第２の容器内で、セル内の圧力より該セ
ルの外部の圧力を高圧となし、注入口を封止し
ているカイラルスメクチツク液晶物質がセル内
に注入されるのに十分に低い粘度の相状態まで
加熱して、セル内にカイラルスメクチツク液晶
物質を注入する第４の工程 を有することを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8080786A JPS62237422A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8080786A JPS62237422A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237422A JPS62237422A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH0518403B2 true JPH0518403B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=13728737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8080786A Granted JPS62237422A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62237422A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3911359A1 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-11 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum befuellen einer fluessigkristallzelle |
| JP2814171B2 (ja) * | 1992-08-19 | 1998-10-22 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP8080786A patent/JPS62237422A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62237422A (ja) | 1987-10-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |