JPH05185731A - 情報記録媒体及びそれを用いる情報記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 記録感度、消去比が高く、Ｃ／Ｎ劣化がない
書換え可能な情報記録媒体および情報記録方法を提供す
ること。 【構成】 基板上１に、記録層３、耐熱保護層２および
４、光学的反射層５を有し、特に耐熱保護層４が硬質炭
素膜、又はグラファイト層であり、記録層がＡｇ_αＩｎ
_βＴｅ_γＳｂ_δ（ただし、５≦α≦２２、６≦β≦２
４、１３≦γ≦４４、１８≦δ≦７７、α＋β＋γ＋δ
＝１００）で表わされるものである情報記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は情報記録媒体、特に相変
化型情報記録媒体であって、光ビームを照射することに
より記録層材料に相変化を生じさせ、情報の記録、再生
を行い、かつ、書換えが可能である情報記録媒体に関す
るものであり、光メモリー関連機器、特に書換え可能な
コンパクトディスク（ＣＤ）に応用される。

【０００２】

【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光メモリー媒体の一
つとして、結晶−非晶質相間あるいは結晶−結晶相間の
転移を利用する、いわゆる相変化型光情報記録媒体がよ
く知られている。特に光磁気メモリーでは困難な単一ビ
ームによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の
光学系もより単純であることなどから最近その研究開発
が活発になされている。その代表的な記録材料として
は、ＵＳＰ ３，５３０，４４１に開示されているよう
な、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｇｅ−Ｔｅ−
Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−
Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわ
ゆるカルコゲン系合金材料があげられる。又、安定性、
高速結晶化などの向上を目的としてＧｅ−Ｔｅ系にＡｕ
（特開昭６１−２１９６９２）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭
６１−２７０１９０）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９
０)等を添加した材料の提案や、記録／消去の繰返し性
能向上を目的として、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂの組成比
を特定した材料（特開昭６２−７３４３８)の提案など
もなされている。しかしながら、そのいずれもが相変化
型書換え可能光メモリー媒体として要求される諸特性の
すべてを満足しうるものとはいえない。

【０００３】また、特開昭６３−２５１２９０号公報に
は、結晶状態が実質的に三元以上の多元化合物単相から
なる記録層を形成した光情報記録媒体（以降「光記録媒
体」と略記することがある）が提案されている。ここで
の“実質的に三元以上の多元化合物単相”とは、三元以
上の化学量論組成をもった化合物（例えばＩｎ₃ＳｂＴ
ｅ₂など）を記録層中に９０原子％以上含むものとされ
ている。そして、このような記録層を用いることによ
り、高速記録、高速消去が可能となるとしている。だ
が、このものでは記録、消去に要するレ−ザ−パワ−は
未だ充分ではなく、消去比も低い（消し残りが大きい）
等の欠点を有している。更に、特開平１−２７７３３８
号公報には（Ｓｂ_a Ｔｅ_1-a ）_1-Y Ｍ_Y （ここで０．４
≦ａ＜０．７、Ｙ≦０．２であり、ＭはＡｇ、Ａｌ、Ａ
ｓ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｐ
ｔ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれる
少なくとも１種である。）で表される組成の合金からな
る記録層を有する光記録媒体が提案されている。この系
の基本はＳｂ₂Ｔｅ₃であり、Ｓｂ過剰にすることによ
り、高速消去、繰返し特性を向上させ、Ｍの添加により
高速消去を促進させている。加えて、ＤＣ光による消去
率も大きいとしている。しかし、この文献にはオ−バ−
ライト時の消去率は示されておらず（本発明者らの検討
結果では消し残りが認められた）、記録感度も不十分で
ある。

【０００４】同様に、特開昭６０−１７７４４６号公報
では記録層に（Ｉｎ_1-X Ｓｂ_X ）_1-Y Ｍ_Y （０．５５≦
Ｘ≦０．８０、０≦Ｙ≦０．２０であり、ＭはＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓ
ｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｂｉである。）なる合金を用い、ま
た、特開昭６３−２２８４３３号公報では記録層にＧｅ
Ｔｅ−Ｓｂ₂Ｔｅ₃−Ｓｂ（過剰）なる合金を用いている
が、いずれも感度、消去比等の特性を満足するものでは
ない。これまでみてきたように、光記録媒体において
は、特に記録感度、消去感度の向上、オ−バ−ライト時
の消し残りによる消去比低下の防止、並びに記録部、未
記録部の長寿命化が解決すべき最重要課題となってい
る。これらの問題点を解決する手段の一つとして、記録
層の上下に化学的に安定した耐熱性の良好な保護層を設
ける技術が提案されている（特開昭６１−５４５０、６
３−２５９８５５）。耐熱保護層に要求される機能とし
ては、レーザー光に対する透明性、動作温度に対し高融
点であること、機械的強度が高いこと、化学的安定性に
富むこと等が挙げられるが、相変化型記録層、特にカル
コゲン系化合物を用いた記録層の場合、カルコゲン元素
が活性であるため、化学的に不活性な保護材料が極めて
重要な意味を持つ。

【０００５】この点で一般的に用いられている酸化物系
誘電体材料等は未だ充分その要求に応えているとは言え
ない。更に耐熱保護層は放熱層（熱伝達層）としての機
能も備えている。一般に放熱層は熱伝導率が小さすぎる
場合、アモルファス化に必要な急冷効果が得られず、ま
た、大きすぎる場合、熱の有効利用ができず、すなわ
ち、結晶化に必要な徐冷条件がととのわず、記録・消去
感度の低下をもたらした。この様に放熱層は記録膜に適
応した熱伝導率に制御する必要がある。しかし、上記材
料群では広範囲な熱伝導率の制御は困難であった。例え
ば線速度が３ｍ／ｓ以下、特にコンパクトディスクの規
格になっている１．２〜１．４ｍ／ｓ程度の低線速度の
場合、記録時（レーザー光吸収時）に生じる熱の冷却速
度が不充分となりやすく、そのため、良好な記録マーク
が得られなくなる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】（１）本発明は従来技
術における以上の問題を全て解消し、高い記録感度及び
消去比を有し、しかも記録・消去の繰返しによるＣ／Ｎ
劣化もなく、長寿命の記録が可能な上、複雑なシステム
も必要としない書換え可能型情報記録媒体、および、
（２）書換え可能なコンパクトディスクを提供しようと
するものである。

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの情
報記録媒体およびそれを用いる情報記録方法である。こ
の構成を具体的に説明すると、下部耐熱保護層は必ずし
も必要なものではないが、基板が例えばポリカーボネー
ト樹脂の様に耐熱性の低い材料の場合には、下部耐熱保
護層を設けることが望ましい。

【０００７】上記記録層とその上に積層する上部耐熱保
護層との組合せにより、１．２〜１．４ｍ／秒という低
線速度においても、記録（アモルファス化）時の急冷条
件及び消去（結晶化）時の徐冷条件を同時に満足するこ
とができ、良好な記録・再生特性が得られる。本発明の
記録層は各種気相成長法、例えば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法等によって形成でき
る。気相成長法以外にゾルゲル法のような湿式プロセス
も適用可能である。記録層の膜厚としては２００〜１０
０００Å、好適には４００〜３０００Åとするのが良
い。２００Åより薄いと光吸収能が著しく低下し、記録
層としての役割を果たさなくなる。また１００００Åよ
り厚いと高速で均一な相変化が起こりにくくなる。

【０００８】基板の材料は通常ガラス、セラミックス、
あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト等の点
で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹
脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエ
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、フ
ッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等があげられる
が、加工性、光学特性等の点でポリカーボネート樹脂、
アクリル系樹脂が好ましい。下部耐熱性保護層の材料と
しては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂等の金属酸
化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの
窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ₂Ｓ₃、ＴａＳ₄等の硫化物、Ｓｉ
Ｃ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボンあるいはそれらの混合物が
あげられる。これらの材料は単体で保護層とすることも
できるが、お互いの混合物としてもよい。また、必要に
応じて不純物を含んでいてもよい。但し耐熱保護層の融
点は記録層の融点よりも高いことが必要である。このよ
うな耐熱性保護層は各種気相成長法、例えば真空蒸着
法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ
法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法等によ
って形成できる。

【０００９】耐熱性保護層の膜厚としては200〜5000
Å、好適には500〜3000Åとするのがよい。200Åより薄
くなると耐熱性保護層としての機能を果たさなくなり、
逆に5000Åよりも厚くなると、感度の低下をきたした
り、界面剥離を生じやすくなる。又、必要に応じて保護
層を多層化することもできる。反射層としてはＡｌ、Ａ
ｕなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いるこ
とができる。このような反射層は各種気相成長法、例え
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、
光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法等によって形成できる。ここで上部耐熱保護層に用い
る硬質炭素膜は、炭素原子及び水素原子を主要な組織形
成元素として非晶質及び微結晶質の少なくとも一方を硬
質炭素膜（ｉ−Ｃ膜、ダイヤモンド状炭素膜、アモルフ
ァスダイヤモンド膜、ダイヤモンド薄膜とも呼ばれる）
からなっている。硬質炭素膜の一つの特徴は気相成長膜
であるがために、後述するように、その諸物性が製膜条
件によって広範囲に制御できることである。

【００１０】なお、この硬質炭素膜中には、さらに物性
制御範囲を広げるために、構成元素の一つとして少なく
とも周期律表第III 族元素を全構成原子に対し５原子％
以下、同じく第IV族元素を３５原子％以下、同じく第Ｖ
族元素を５原子％以下、アルカリ土類金属元素を５原子
％以下、アルカリ金属元素を５原子％、窒素原子を５原
子％以下、酸素原子を５原子％以下、カルコゲン系元素
を３５原子％以下、またはハロゲン系元素を３５原子％
以下の量で含有させても良い。これら元素又は原子の量
は元素分析の常法例えばオージェ分析によって測定する
ことができる。また、この量の多少は原料ガスに含まれ
る他の化合物の量や成膜条件で調節可能である。こうし
た硬質炭素膜を形成するためには有機化合物ガス、特に
炭化水素ガスが用いられる。これら原料における相状態
は常温常圧において必ずしも気相である必要はなく、加
熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化
し得るものであれば、液相でも固相でも使用可能であ
る。原料ガスとしての炭化水素ガスについては、例えば
ＣＨ₄、Ｃ₂Ｈ₈、Ｃ₄Ｈ₂₀等のパラフィン系炭化水素、Ｃ
₂Ｈ₄等のオレフィン系炭化水素、ジオレフィン系炭化水
素、アセチレン系炭化水素、さらには芳香族炭化水素な
どすべての炭化水素を少なくとも含むガスが使用可能で
ある。

【００１１】また、炭化水素以外でも、例えばアルコー
ル類、ケトン類、エーテル類、エステル類などであって
少なくとも炭素元素を含む化合物であれば使用可能であ
る。本発明における原料ガスからの硬質炭素膜の形成方
法としては、成膜活性種が直流、低周波、高周波或いは
マイクロ波等を用いたプラズマ法により生成されるプラ
ズマ状態を経て形成される方法が好ましいが、より大面
積化、均一性向上及び／又は低温製膜の目的で低圧下で
堆積を行わせしめるのには磁界効果を利用する方法が更
に好ましい。また、高温における熱分解によっても活性
種を形成できる。その他にも、イオン化蒸着法或いはイ
オンビーム蒸着法等により生成されるイオン状態を経て
形成されてもよいし、真空蒸着法或いはスパッタリング
法等により生成される中性粒子から形成されてもよい
し、さらには、これらの組合せにより形成されてもよ
い。

【００１２】こうして作製される硬質炭素膜の堆積条件
の一例はＣＶＤ法の場合、概ね次のとおりである。 ＲＦ出力：０．１〜５０Ｗ／ｃｍ² 圧力 ：１０^-3〜１０Ｔｏｒｒ 堆積温度：室温〜９５０℃で行うことができるが、好ま
しくは室温〜３００℃。 このプラズマ状態により原料ガスがラジカルとイオンと
に分解され反応することによって、基板上に炭素原子Ｃ
と水素原子Ｈとからなるアモルファス（非晶質）及び微
結晶質（結晶の大きさは数１０Å〜数μｍ）の少なくと
も一方を含む硬質炭素膜が堆積する。硬質炭素膜の諸特
性を表１に示す。

【００１３】

【表１】

【００１４】注）測定法； 比抵抗（ρ）：コプレナー型セルによるＩ−Ｖ特性より
求める。 光学的バンドギャップ（Ｅｇｏｐｔ）：分光特性から吸
収係数（α）を求め、（αｈν）¹/² ＝Ｂ（ｈν’−Ｅ
ｇｏｐｔ）の関係より決定する。 膜中水素量（Ｃ_H ）：赤外吸収スペクトルから２９００
ｃｍ^-1付近のピークを積分し、吸収断面積Ａをかけて求
める。すなわち、Ｃ_H ＝Ａ・∫α（ｗ）／ｗ・ｄｗ ＳＰ³／ＳＰ²比：赤外吸収スペクトルを、ＳＰ³、ＳＰ²
にそれぞれ帰属されるガウス関数に分解し、その面積比
より求める。 ビッカース硬度（Ｈ）：マイクロビッカース計による。 屈折率（ｎ）：エリプソメーターによる。

【００１５】こうして形成される硬質炭素膜はＩＲ吸収
法及びラマン分光法による分析の結果、炭素原子がＳＰ
³の混成軌道とＳＰ²の混成軌道とを形成した原子間結合
が混在していることが明らかになっている。ＳＰ³結合
とＳＰ²結合の比率は、ＩＲスペクトルをピーク分離す
ることで概ね推定できる。ＩＲスペクトルには、２８０
０〜３１５０ｃｍ^-1に多くのモードのスペクトルが重な
って測定されるが、それぞれの波数に対応するピークの
帰属は明らかになっており、ガウス分布によってピーク
分離を行い、それぞれのピーク面積を算出し、その比率
を求めればＳＰ³／ＳＰ²を知ることができる。また、前
記の硬質炭素膜は、Ｘ線及び電子回析分布によれば、ア
モルファス状態（ａ−Ｃ：Ｈ）、及び／又は数１０Å〜
数μｍ程度の微結晶粒を含むアモルファス状態にあるこ
とが判る。

【００１６】一般に量産に適しているプラズマＣＶＤ法
の場合には、ＲＦ出力が小さいほど膜の比抵抗値および
硬度が増加し、また、低圧力なほど活性種の寿命が増加
するために、基板温度の低温化、大面積での均一化が図
られ、かつ比抵抗、硬度が増加する傾向にある。更に低
圧力ではプラズマ密度が減少するため、磁場閉じ込め効
果を利用する方法は、比抵抗の増加には特に効果的であ
る。更にまた、この方法（プラズマＣＶＤ法）は常温〜
１５０℃程度の比較的低い温度条件でも同様に良質の硬
質炭素膜を形成できるという特徴を有しているため、情
報記録媒体製造プロセスの低温化には最適である。従っ
て、使用する基板材料の選択自由度が広がり、基板温度
をコントロールし易いために大面積に均一な膜が得られ
るという特長をもっている。硬質炭素膜の構造、物性は
表１に示したように、広範囲に制御可能であるため、特
性を自由に設計できる利点もある。さらに膜の硬度が高
いため、損傷が少なく、この点からも歩留まりが向上す
る。硬質炭素膜の膜厚は、２００〜６０００Åであるこ
とがより好ましい。硬質炭素膜のピンホールによる素子
の欠陥数は膜厚が減少にともなって増加し、３００Å以
下では特に顕著になること（欠陥率は１％を越える）、
及び、膜厚の面内分布の均一性（ひいては素子特性の均
一性）が確保できなくなる（膜厚制御の精度は３０Å程
度が限度で、膜厚のバラツキが１０％を越える）ことか
ら、膜厚は３００Å以上であることがより望ましい。

【００１７】また、ストレスによる硬質炭素膜の剥離が
起こりにくくするため、膜厚は４０００Å以下であるこ
とがより望ましい。これらを総合して考慮すると、硬質
炭素膜の膜厚は３００〜４０００Åであることが一層好
ましい。この上部耐熱保護層の材料として硬質炭素膜に
代りグラファイトを用いる場合、そのグラファイトの物
性は融点３０００℃以上、密度２．０〜２．５ｇ／ｃｍ
³、熱伝導率０．１〜０．５ｃａｌ／ｃｍ・Ｓ・℃であ
るものが適当である。また、その組成は純粋なグラファ
イトである必要はなく、一部にダイヤモンド構造、欠
陥、不純物等を含んでいてもよい。この上部耐熱保護層
の形成法は下部耐熱保護層の作製法と同様の方法が適用
できるが、スパッタリング法が好適な製法である。

【００１８】

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例Ｉ−１ ピッチ１．６μｍ、深さ７００Åの溝付き、厚さ１．２
ｍｍ、直径１２００ｍｍφのポリカーボネート基板上に
表２に示す構成により、下部耐熱保護層、記録層、上部
耐熱保護層及び反射層を順次積層した。

【００１９】

【表２】

【００２０】光ディスクの評価は８３０ｎｍの半導体レ
ーザー光をＮ．Ａ．＝０．５の対物レンズを通して、基
板側から照射し、媒体面で約１μｍφのスポット径にし
ぼり込むことにより行った。製膜直後の記録膜は非晶質
である。測定に際し、最初に媒体面で５ｍＷのＤＣ光で
ディスク全面を十分に結晶化させ、それを初期（未記
録）状態とした。この時のディスクの回転線速度は１．
３ｍ／ｓ一定とした。次に書込みパワーを３〜１０ｍＷ
まで１ｍＷずつ変化させ、６９０ｎｓのパルス巾にて記
録性能を評価した。再生光は１．０ｍＷ一定とした。そ
の結果５〜１０ｍＷでＣ／Ｎ４５ｄＢ以上の信号が得ら
れた。更に５ｍＷのＤＣ光にて消去したところ、記録マ
ークはほぼ完全に消去され、消し残りは認められなかっ
た。 実施例Ｉ−２ 記録層材料の組成をＡｇ₁₀Ｉｎ₁₀Ｔｅ₂₀Ｓｂ₆₀と変えた
以外は実施例Ｉ−１と全く同様にしてディスクを作製
し、同様の評価を行った。

【００２１】比較例Ｉ−１ 記録層材料の組成をＡｇ₅Ｉｎ₅Ｔｅ₁₀Ｓｂ₈₀とした以外
は実施例Ｉ−１と同様の層構成とし、同様の評価を行っ
た。 比較例Ｉ−２ 上部保護層を下部保護層と同じ［ＺｎＳ＋ＳｉＯ₂（２
０％）］複合誘電層とした以外は実施例Ｉ−１と同様の
層構成のディスクを作製し、同様の評価を行った。 比較例Ｉ−３ 記録層をＡｇ₂₅Ｉｎ₂₅Ｔｅ₃₅Ｓｂ₁₅とした以外は実施例
Ｉ−１と同じ評価を行った。それらの結果を表３に整理
した。

【００２２】

【表３】

【００２３】実施例II−１ 上部耐熱保護層の材料をグラファイトに替えた以外は実
施例Ｉ−１と同じ条件で光ディスクを作製し、同じ条件
で試験をした結果、実施例Ｉ−１と同じく、５〜１０Ｗ
でＣ／Ｎ４５ｄＢ以上の信号が得られた。更に、５ｍＷ
のＤＣ光で消去したところ、記録マークはほぼ完全に消
去され、消し残りは認められなかった。 実施例II−２ 記録層材料の組成をＡｇ₁₀Ｉｎ₂₀Ｔｅ₂₀Ｓｂ₅₀と変えた
以外は実施例II−１と全く同様にしてディスクを作製
し、同様の評価を行った。

【００２４】比較例II−１ 記録層材料の組成をＡｇ₅Ｉｎ₅Ｔｅ₁₀Ｓｂ₈₀とした以外
は実施例II−１と同様の層構成とし、同様の評価を行っ
た。 比較例II−２ 記録層をＡｇ₁₀Ｉｎ₁₀Ｔｅ₂₀Ｓｂ₆₀、上部の保護層を下
部の保護層と同じ［ＺｎＳ＋ＳｉＯ₂（２０％）］複合
誘電層とした以外は実施例II−１と同様の層構成のディ
スクを作製し、同様の評価を行った。 比較例II−３ 記録層をＡｇ₁₅Ｉｎ₃₀Ｔｅ₃₀Ｓｂ₂₅とした以外は実施例
II−１と同じ評価を行った。それらの結果を表４に整理
した。

【００２５】

【表４】

【００２６】

【発明の効果】以上説明した本発明の効果を要約すると
下記のとおりである。 （１）結晶−アモルファス転移特性の良好な記録層材料
と、熱伝導率の良好な上部耐熱保護層との組合せによ
り、１．２〜１．４ｍ／秒という低線速度下でも優れた
記録・消去性能を有する相変化形情報記録媒体を獲得で
きた。 （２）書換え可能なコンパクトディスクが提供可能とな
った。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録媒体の構成の一例を示す断面
の模式図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 光学的反射層

フロントページの続き (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザー光の照射により情報の記録、消
   去、再生を行なう書換え可能な情報記録媒体において、
   基板上に、記録層、上部耐熱保護層、光学的反射層を順
   次積層したものであり、この耐熱保護層が、炭素原子及
   び水素原子を主要な構成元素とする硬質炭素膜であり、
   かつ、記録層が下記一般式で表わされる相変化形記録材
   料を主成分として含有することを特徴とする情報記録媒
   体。 一般式 Ａｇ_αＩｎ_βＴｅ_γＳｂ_δ ただし、５≦α≦２２ ６≦β≦２４ １３≦γ≦４４ １８≦δ≦７７ α＋β＋γ＋δ＝１００
2. 【請求項２】 上部耐熱保護層が、炭素原子及び水素原
   子を主要な構成元素とする硬質炭素膜に替りグラファイ
   トを主成分とする膜であることを特徴とする請求項１記
   載の情報記録媒体。
3. 【請求項３】 基板と記録層との間に更に下部耐熱保護
   層を有することを特徴とする請求項１または２記載の情
   報記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載の情報記
   録媒体を１．２〜１．４ｍ／秒の定線速度で回転させな
   がら、記録層に基板側からレーザー光を照射して信号を
   記録することを特徴とする情報記録方法。