JPH0518677B2 - - Google Patents
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- JPH0518677B2 JPH0518677B2 JP60180977A JP18097785A JPH0518677B2 JP H0518677 B2 JPH0518677 B2 JP H0518677B2 JP 60180977 A JP60180977 A JP 60180977A JP 18097785 A JP18097785 A JP 18097785A JP H0518677 B2 JPH0518677 B2 JP H0518677B2
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- Japan
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- less
- toughness
- weld metal
- wire
- welding
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- Nonmetallic Welding Materials (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は低温用鋼用潜弧ワイヤに関し、更に詳
しくは低温用鋼の潜弧溶接において、優れた低温
靱性を有するTi−Ｂ系溶接金属を得ることがで
きる潜弧ワイヤに関するものである。 （従来の技術） 近年、海底エネルギーの開発にあたり、石油掘
削装置等の重要構造物の建造が活発に行われてい
る。そして、年々構造物は大型化し、且つ寒冷地
で使用される構造物が増加している。このような
背景の下に、高能率で優れた品質の溶接技術の開
発が要望されている。各種構造用鋼の溶接には主
に被覆アーク溶接法。ガスシールド溶接法および
潜弧溶接が適用されている。このうち、潜弧溶接
法はとりわけ、溶接電流を高くする事ができ、多
電極溶接法も適用しやすいので、極めて高能率な
方法として、多方面で利用されている。 ところで、代表的な溶接金属の低温靱性を改善
する方法として、溶接学会誌Vol.50.No.2（昭和56
年２月号）の174〜181頁に示されているように
Ti−Ｂを添加して溶接金属を均一で微細なアシ
ユキユラーフエライト（以後AFとしるす）組織
にする方法が広く用いられている。さらに、最近
の石油情勢により、従来の−40℃から−60℃とよ
り低温でしかも45KJ／cm以上の両面一層、両面
多層溶接の大入熱溶接においても良好な低温靱性
が得られることを要求するフアブリケータが多く
なつてきた。 （発明が解決しようとする問題点） 上記の大入熱溶接の場合、Ti−Ｂ系溶接材料
を用いても次のパスで再熱された部分（以後再熱
部としるす）で靱性が出しにくく、本発明者らの
検討によれば再熱部の靱性低下の主な原因は高炭
素マルテンサイト（以後Ｍ＊としるす）の生成に
よるところが大きいと思われた。従つてマルテン
サイトの生成を助長する溶接金属中のＣ量を低く
することが有効であると考えられた。事実、Ｃ量
の低い潜弧溶接ワイヤを使用することにより、溶
接金属中のＣ量を低くすることが再熱部の靱性は
良好になることをみいだした。しかし、単純にＣ
量を低くしただけでは溶接のままの部分（以後
AWとしるす）や1050℃以上に再熱された部分
（以後粗粒化域としるす）はかえつて靱性が低下
するためこれについてはさらに改良の余地があ
る。 本発明は以上の如き実状に鑑み、低温用鋼の潜
弧溶接に際しAW部でも再熱部でも優れた低温靱
性を有するTi−Ｂ系溶融金属が得られる潜弧溶
接ワイヤを提供することを目的とするものであ
る。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは溶接継手全体にわたつて、低温靱
性の良好な化学成分の溶接金属を得ることができ
るような低温用鋼溶接用潜弧溶接ワイヤの開発を
目的として、これらの溶接金属を種々観察した。
その結果、靱性低下の主な原因は、Ｃを低めるこ
とにより通常はＣの脱酸反応により低められてい
るＯ量が増加し、Ｂが酸化したり、Si，Mnも酸
化し、Tiの酸化物の形態が変わる等して、Ti−
Ｂを有効に作用させることができなくなり、初析
フエライト（以後PFとしるす）の析出が増加し、
且つAFの析出が困難になるためであることをみ
いだした。したがつて、Ti−Ｂを有効に作用さ
せるためには溶接金属中のＯを低く抑えなければ
ならない。このための方法を検討した結果、これ
らのワイヤ中に脱酸剤を添加することが有効で脱
酸剤の効果を種々検討した結果Alが最も適して
いることが判明した。これは、脱酸力が適性であ
るばかりでなく、AFの生成にはAlとTi，Mnの
結晶型酸化物が有効な酸化物として作用するため
で、さらに、靱性が改善されているものと思われ
る。 本発明はかかる知見に基づきなされたものであ
つて、その要旨は、 重量％でＣ：0.07％以下、Si：0.05％未満、
Al：0.002〜０・50％を必須成分とし、Ｐ：0.020
％以下、Ｓ：0.020％以下、Ｎ：0.0050％以下、
Ｏ：0.0150％以下に制限し、且つMn：0.5〜3.0
％、Ni：0.5〜12％、Cu：0.02〜3.0％、Mo：0.1
〜２％の内１種以上を含有し、またはこれにさら
にTi：0.05〜0.5％、Ｂ：0.005〜0.1％の内１種以
上を含有し、残部がFe及び不可避的不純物であ
り、且つ、CEが0.2〜1.0であることを特徴とする
低温用鋼用Ti−Ｂ系潜弧溶接ワイヤにある。 ただし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。） である。 即ち、本発明ワイヤはTi−Ｂタイプのフラツ
クス即ち、Ti酸化物とＢ酸化物を含んだフラツ
クスとの組合せにより、最も効果を上げることが
できるが、Ti酸化物を含有しないフラツクスと
組合せる場合にはワイヤ中にTi，Ｂの一方また
は両方を添加する。 （作用） 最初に本発明ワイヤの基本成分について述べ
る。 まず、Ｃは低ければ低いほど良いが少なくとも
0.07％以下でなければ溶接金属中のＭ＊の析出を
十分に抑えることはできない。 次に、Siは脱酸剤として作用しＯを低め靱性を
向上させるが、多すぎると靱性を劣化させるので
0.05％未満にしなければならない。 またAlはTi，Mn，Si，Ｂより脱酸力が強く、
REM，Mg，Caより脱酸力が弱い。このため、
AlはREM等のようにアーク中で全部が酸化せ
ず、かなりの部分が溶融池に移行してから溶融池
の酸素と反応し、酸化するので溶接金属中のＯ量
を低く抑えるとともに、溶融池におけるＢの酸化
を防止し、AFの生成に有効なAl−Ti−Mn系酸
化物を生成することでTi−Ｂの効果がより一層
発揮され、さらに靱性を良好にすることができる
が溶接金属中でAlが多すぎるとAlのみが酸化を
生じずAFができないことから靱性を劣化させ、
また、酸化したAlが溶接金属中に過度に歩留ま
つて返つて０量を増加させることを勘案とする適
正範囲は0.002〜0.50％である。 一方、Ｐは粒界に偏析し、結晶粒間の結合力を
弱め靱性を劣化させるのでできるだけ低く制限し
なければならないが0.020％以下であれば有害と
ならない。 次にＳもＰと同様に靱性を劣化させるので
0.020％以下に制限する必要がある。 また、Ｎは靱性に特に有害で少なくとも0.0050
％以下に抑えなければならない。 さらにＯは溶接金属中ではTi酸化物を形成し
AFを生成するためにある程度必要であるが、そ
のＯは溶融池で溶融スラグより十分に供給される
のでワイヤ中に添加する必要はなく、且つ、ワイ
ヤ中のＯが多いと添加した成分がアーク中で酸化
損耗するのでできるだけ低く制限する必要があ
り、少なくとも0.0150％以下にしなければならな
い。 以上が本発明の基本成分であるが本発明におい
ては溶接金属の焼き入れ性を適性に保持し、均一
微細なミクロ組織を生成させて低温靱性を向上さ
せるためにMn，Ni，Cu，Moの内１種以上を添
加しなければならない。 まず、Mnは脱酸と溶接金属の焼き入れ性を適
度に与えAFの析出を促し溶接金属の靱性を向上
させるのに必要でその適正範囲は0.5〜3.0％であ
る。0.5％未満の添加ではAFの生成が十分でなく
3.0％を超えて添加すると上部ベーナイト（以後
UBとしるす）が生成し靱性が劣化する。 次にNiは溶接金属に焼き入れ性を適度に与え
且つフエライトの地を強化し、溶接金属の塑性変
形能を増加して、靱性を向上させるのに必要な成
分でその適正範囲は0.5〜12％である。0.5％未満
ではその効果が少なく、12％超えて添加すると溶
接金属に高温割れの危険が大きくなる。 またCuはＭ＊の生成を助長せずに焼き入れ性
を保持し靱性を向上させるのに適した成分でその
適正範囲は0.02〜3.0％である。0.02％未満の添加
ではその効果が少なく3.0％を超えて添加すると
溶接金属に高温割れの危険が大きくなる。 さらにMoは特に大入熱溶接において溶接金属
の焼き入れ性を保持するのに有効な成分でその適
正範囲は0.1〜2.0％である。0.1％未満ではその効
果が十分ではなく、2.0％を超えて添加するとUB
が生成して靱性を劣化させる。 さらに、溶接金属の焼き入れ性が不足すると
PFが析出し又、焼き入れ性が過大となるとUBが
析出し靱性が劣化する。焼き入れ性はIIWの炭素
当量であるCEによつてあらわされ、CEが0.2〜
1.0の範囲でなければならない。すなわち、CEが
0.2未満では溶接金属の焼き入れ性が不足してPF
が生成し、またCEが1.0を超えるとUBが生成し
靱性が劣化する。 だたし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。） 即ち、Tiはアークや溶融プール中で酸化還元
反応によつて一部はマトリツクス中に溶解し残り
は酸化物となるが、この酸化物がAFの生成核と
なり靱性を向上させるので0.05％以上添加する必
要がある。しかしマトリツクス中に溶解したTi
が多すぎると却つて靱性を劣化させるのでTiの
添加量は0.5％以下でなければならない。 また、Ｂもアークや溶融プール中で酸化還元反
応によつて酸化物とマトリツクス中に溶解した形
で溶接金属中に存在するが、さらに一部は鋼中の
ＮとBNを形成することによつてＮを無害化して
靱性を向上させるので0.005％以上添加する。ま
た、マトリツクス中に溶解したＢも粒界に偏析し
てPFの生成を抑制することにより靱性を向上さ
せるが過剰になると、Ｍ＊の生成を助長するので
適正範囲は0.1％以下でなければならない。 以上の成分組成を有するワイヤとTi酸化物及
びＢ酸化物を含有するフラツクス（ワイヤ中に
TiあるいはＢが添加されている場合には必ずし
も含有する必要はない）を共に用いることにより
Ｃ：0.07％以下、Si：0.1〜0.3％、Ａ：0.002〜
0.05％、Ｐ：0.020％以下、Ｓ：0.020％以下、
Ｎ：0.005％以下、Ｏ：0.012〜0.045％であり、且
つMn：0.5〜2.5％、Ni：0.2〜6.5％、Cu：0.02〜
1.2％、Mo：0.03〜0.7％の内１種以上を含有し、
且つCEが0.2〜0.6の成分組成である溶接金属を得
ることが可能となり、かかる溶接金属のAW部、
再熱部は共に−60℃における衝撃試験においても
優れた低温靱性を示す。但し、CEは前記の式と
同じIIWの炭素当量式で求めるものである。 なお、このワイヤは原料となる金属を溶解した
後、鋳造、鍛造、圧延後、1.0〜7.0mm程度に伸
線、メツキして製造することができる。 次に実施例をもつてさらに本発明の効果を具体
的に述べる。 （実施例） 本発明と比較例のワイヤの化学成分を第１表に
示す。
しくは低温用鋼の潜弧溶接において、優れた低温
靱性を有するTi−Ｂ系溶接金属を得ることがで
きる潜弧ワイヤに関するものである。 （従来の技術） 近年、海底エネルギーの開発にあたり、石油掘
削装置等の重要構造物の建造が活発に行われてい
る。そして、年々構造物は大型化し、且つ寒冷地
で使用される構造物が増加している。このような
背景の下に、高能率で優れた品質の溶接技術の開
発が要望されている。各種構造用鋼の溶接には主
に被覆アーク溶接法。ガスシールド溶接法および
潜弧溶接が適用されている。このうち、潜弧溶接
法はとりわけ、溶接電流を高くする事ができ、多
電極溶接法も適用しやすいので、極めて高能率な
方法として、多方面で利用されている。 ところで、代表的な溶接金属の低温靱性を改善
する方法として、溶接学会誌Vol.50.No.2（昭和56
年２月号）の174〜181頁に示されているように
Ti−Ｂを添加して溶接金属を均一で微細なアシ
ユキユラーフエライト（以後AFとしるす）組織
にする方法が広く用いられている。さらに、最近
の石油情勢により、従来の−40℃から−60℃とよ
り低温でしかも45KJ／cm以上の両面一層、両面
多層溶接の大入熱溶接においても良好な低温靱性
が得られることを要求するフアブリケータが多く
なつてきた。 （発明が解決しようとする問題点） 上記の大入熱溶接の場合、Ti−Ｂ系溶接材料
を用いても次のパスで再熱された部分（以後再熱
部としるす）で靱性が出しにくく、本発明者らの
検討によれば再熱部の靱性低下の主な原因は高炭
素マルテンサイト（以後Ｍ＊としるす）の生成に
よるところが大きいと思われた。従つてマルテン
サイトの生成を助長する溶接金属中のＣ量を低く
することが有効であると考えられた。事実、Ｃ量
の低い潜弧溶接ワイヤを使用することにより、溶
接金属中のＣ量を低くすることが再熱部の靱性は
良好になることをみいだした。しかし、単純にＣ
量を低くしただけでは溶接のままの部分（以後
AWとしるす）や1050℃以上に再熱された部分
（以後粗粒化域としるす）はかえつて靱性が低下
するためこれについてはさらに改良の余地があ
る。 本発明は以上の如き実状に鑑み、低温用鋼の潜
弧溶接に際しAW部でも再熱部でも優れた低温靱
性を有するTi−Ｂ系溶融金属が得られる潜弧溶
接ワイヤを提供することを目的とするものであ
る。 （問題点を解決するための手段） 本発明者らは溶接継手全体にわたつて、低温靱
性の良好な化学成分の溶接金属を得ることができ
るような低温用鋼溶接用潜弧溶接ワイヤの開発を
目的として、これらの溶接金属を種々観察した。
その結果、靱性低下の主な原因は、Ｃを低めるこ
とにより通常はＣの脱酸反応により低められてい
るＯ量が増加し、Ｂが酸化したり、Si，Mnも酸
化し、Tiの酸化物の形態が変わる等して、Ti−
Ｂを有効に作用させることができなくなり、初析
フエライト（以後PFとしるす）の析出が増加し、
且つAFの析出が困難になるためであることをみ
いだした。したがつて、Ti−Ｂを有効に作用さ
せるためには溶接金属中のＯを低く抑えなければ
ならない。このための方法を検討した結果、これ
らのワイヤ中に脱酸剤を添加することが有効で脱
酸剤の効果を種々検討した結果Alが最も適して
いることが判明した。これは、脱酸力が適性であ
るばかりでなく、AFの生成にはAlとTi，Mnの
結晶型酸化物が有効な酸化物として作用するため
で、さらに、靱性が改善されているものと思われ
る。 本発明はかかる知見に基づきなされたものであ
つて、その要旨は、 重量％でＣ：0.07％以下、Si：0.05％未満、
Al：0.002〜０・50％を必須成分とし、Ｐ：0.020
％以下、Ｓ：0.020％以下、Ｎ：0.0050％以下、
Ｏ：0.0150％以下に制限し、且つMn：0.5〜3.0
％、Ni：0.5〜12％、Cu：0.02〜3.0％、Mo：0.1
〜２％の内１種以上を含有し、またはこれにさら
にTi：0.05〜0.5％、Ｂ：0.005〜0.1％の内１種以
上を含有し、残部がFe及び不可避的不純物であ
り、且つ、CEが0.2〜1.0であることを特徴とする
低温用鋼用Ti−Ｂ系潜弧溶接ワイヤにある。 ただし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。） である。 即ち、本発明ワイヤはTi−Ｂタイプのフラツ
クス即ち、Ti酸化物とＢ酸化物を含んだフラツ
クスとの組合せにより、最も効果を上げることが
できるが、Ti酸化物を含有しないフラツクスと
組合せる場合にはワイヤ中にTi，Ｂの一方また
は両方を添加する。 （作用） 最初に本発明ワイヤの基本成分について述べ
る。 まず、Ｃは低ければ低いほど良いが少なくとも
0.07％以下でなければ溶接金属中のＭ＊の析出を
十分に抑えることはできない。 次に、Siは脱酸剤として作用しＯを低め靱性を
向上させるが、多すぎると靱性を劣化させるので
0.05％未満にしなければならない。 またAlはTi，Mn，Si，Ｂより脱酸力が強く、
REM，Mg，Caより脱酸力が弱い。このため、
AlはREM等のようにアーク中で全部が酸化せ
ず、かなりの部分が溶融池に移行してから溶融池
の酸素と反応し、酸化するので溶接金属中のＯ量
を低く抑えるとともに、溶融池におけるＢの酸化
を防止し、AFの生成に有効なAl−Ti−Mn系酸
化物を生成することでTi−Ｂの効果がより一層
発揮され、さらに靱性を良好にすることができる
が溶接金属中でAlが多すぎるとAlのみが酸化を
生じずAFができないことから靱性を劣化させ、
また、酸化したAlが溶接金属中に過度に歩留ま
つて返つて０量を増加させることを勘案とする適
正範囲は0.002〜0.50％である。 一方、Ｐは粒界に偏析し、結晶粒間の結合力を
弱め靱性を劣化させるのでできるだけ低く制限し
なければならないが0.020％以下であれば有害と
ならない。 次にＳもＰと同様に靱性を劣化させるので
0.020％以下に制限する必要がある。 また、Ｎは靱性に特に有害で少なくとも0.0050
％以下に抑えなければならない。 さらにＯは溶接金属中ではTi酸化物を形成し
AFを生成するためにある程度必要であるが、そ
のＯは溶融池で溶融スラグより十分に供給される
のでワイヤ中に添加する必要はなく、且つ、ワイ
ヤ中のＯが多いと添加した成分がアーク中で酸化
損耗するのでできるだけ低く制限する必要があ
り、少なくとも0.0150％以下にしなければならな
い。 以上が本発明の基本成分であるが本発明におい
ては溶接金属の焼き入れ性を適性に保持し、均一
微細なミクロ組織を生成させて低温靱性を向上さ
せるためにMn，Ni，Cu，Moの内１種以上を添
加しなければならない。 まず、Mnは脱酸と溶接金属の焼き入れ性を適
度に与えAFの析出を促し溶接金属の靱性を向上
させるのに必要でその適正範囲は0.5〜3.0％であ
る。0.5％未満の添加ではAFの生成が十分でなく
3.0％を超えて添加すると上部ベーナイト（以後
UBとしるす）が生成し靱性が劣化する。 次にNiは溶接金属に焼き入れ性を適度に与え
且つフエライトの地を強化し、溶接金属の塑性変
形能を増加して、靱性を向上させるのに必要な成
分でその適正範囲は0.5〜12％である。0.5％未満
ではその効果が少なく、12％超えて添加すると溶
接金属に高温割れの危険が大きくなる。 またCuはＭ＊の生成を助長せずに焼き入れ性
を保持し靱性を向上させるのに適した成分でその
適正範囲は0.02〜3.0％である。0.02％未満の添加
ではその効果が少なく3.0％を超えて添加すると
溶接金属に高温割れの危険が大きくなる。 さらにMoは特に大入熱溶接において溶接金属
の焼き入れ性を保持するのに有効な成分でその適
正範囲は0.1〜2.0％である。0.1％未満ではその効
果が十分ではなく、2.0％を超えて添加するとUB
が生成して靱性を劣化させる。 さらに、溶接金属の焼き入れ性が不足すると
PFが析出し又、焼き入れ性が過大となるとUBが
析出し靱性が劣化する。焼き入れ性はIIWの炭素
当量であるCEによつてあらわされ、CEが0.2〜
1.0の範囲でなければならない。すなわち、CEが
0.2未満では溶接金属の焼き入れ性が不足してPF
が生成し、またCEが1.0を超えるとUBが生成し
靱性が劣化する。 だたし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。） 即ち、Tiはアークや溶融プール中で酸化還元
反応によつて一部はマトリツクス中に溶解し残り
は酸化物となるが、この酸化物がAFの生成核と
なり靱性を向上させるので0.05％以上添加する必
要がある。しかしマトリツクス中に溶解したTi
が多すぎると却つて靱性を劣化させるのでTiの
添加量は0.5％以下でなければならない。 また、Ｂもアークや溶融プール中で酸化還元反
応によつて酸化物とマトリツクス中に溶解した形
で溶接金属中に存在するが、さらに一部は鋼中の
ＮとBNを形成することによつてＮを無害化して
靱性を向上させるので0.005％以上添加する。ま
た、マトリツクス中に溶解したＢも粒界に偏析し
てPFの生成を抑制することにより靱性を向上さ
せるが過剰になると、Ｍ＊の生成を助長するので
適正範囲は0.1％以下でなければならない。 以上の成分組成を有するワイヤとTi酸化物及
びＢ酸化物を含有するフラツクス（ワイヤ中に
TiあるいはＢが添加されている場合には必ずし
も含有する必要はない）を共に用いることにより
Ｃ：0.07％以下、Si：0.1〜0.3％、Ａ：0.002〜
0.05％、Ｐ：0.020％以下、Ｓ：0.020％以下、
Ｎ：0.005％以下、Ｏ：0.012〜0.045％であり、且
つMn：0.5〜2.5％、Ni：0.2〜6.5％、Cu：0.02〜
1.2％、Mo：0.03〜0.7％の内１種以上を含有し、
且つCEが0.2〜0.6の成分組成である溶接金属を得
ることが可能となり、かかる溶接金属のAW部、
再熱部は共に−60℃における衝撃試験においても
優れた低温靱性を示す。但し、CEは前記の式と
同じIIWの炭素当量式で求めるものである。 なお、このワイヤは原料となる金属を溶解した
後、鋳造、鍛造、圧延後、1.0〜7.0mm程度に伸
線、メツキして製造することができる。 次に実施例をもつてさらに本発明の効果を具体
的に述べる。 （実施例） 本発明と比較例のワイヤの化学成分を第１表に
示す。
【表】
なお、Ｗ２を除くワイヤには微量以上のCuが
含まれているがこれは通常のワイヤには防錆と通
電性を良くするために銅メツキが施されているた
めである。Ｗ２には実験的に銅メツキを施さなか
つた。また、ワイヤ径はいずれも4.8mmである。 フラツクスはNB−55Eを両面一層溶接に、NB
−55Lを両面多層溶接に使用した。これらのフラ
ツクスはいずれも市販のTi−Ｂ系のボンドフラ
ツクスであり、また、Ｆ１はTi，Ｂを含まない
フラツクスである。これらのフラツクスの成分組
成を第２表に示す。
含まれているがこれは通常のワイヤには防錆と通
電性を良くするために銅メツキが施されているた
めである。Ｗ２には実験的に銅メツキを施さなか
つた。また、ワイヤ径はいずれも4.8mmである。 フラツクスはNB−55Eを両面一層溶接に、NB
−55Lを両面多層溶接に使用した。これらのフラ
ツクスはいずれも市販のTi−Ｂ系のボンドフラ
ツクスであり、また、Ｆ１はTi，Ｂを含まない
フラツクスである。これらのフラツクスの成分組
成を第２表に示す。
【表】
供試鋼板を第３表に示す。
【表】
Ｐ１，Ｐ２はいずれも制御圧延鋼でＰ１は50キ
ロ鋼、Ｐ２は60キロ鋼である。 第４表は溶接条件を示している。
ロ鋼、Ｐ２は60キロ鋼である。 第４表は溶接条件を示している。
【表】
第１図に試験片の採取位置を示す。図において
ａは両面一層溶接部、ｂは両面多層溶接部よりの
試験片採取要領をそれぞれ示し、１はAW部の衝
撃試験片、２は再熱部の衝撃試験片、３は化学分
析用の試料を示す。 第５表に試験結果を示す。
ａは両面一層溶接部、ｂは両面多層溶接部よりの
試験片採取要領をそれぞれ示し、１はAW部の衝
撃試験片、２は再熱部の衝撃試験片、３は化学分
析用の試料を示す。 第５表に試験結果を示す。
【表】
【表】
本発明によるワイヤを使用したものはいずれも
良好な値を示しているのに対し、WR１のワイヤ
を使用したものはＣ量が高くＡも添加されてい
ないので、再熱部にＭ＊を生成し、再熱部を含む
部分の衝撃値が、WR２のワイヤを使用したもの
はＡが添加されていないので溶接金属中のＯ量
が増加し、PFが析出してAW部の靱性値が劣化
している。WR３のワイヤを使用したものはCE
が高すぎてUBが生成してAW部、再熱部共に靱
性が劣化している。また、WR４のワイヤを使用
したものはＡが高すぎてAW部、再熱部共に靱
性が劣化している。 （発明の効果） 以上の実施例からも明らかなごとく本発明によ
れば溶接金属に極めて優れた低温靱性を与えるこ
とができる溶接ワイヤの提供が可能となり、産業
上の効果は極めて顕著である。
良好な値を示しているのに対し、WR１のワイヤ
を使用したものはＣ量が高くＡも添加されてい
ないので、再熱部にＭ＊を生成し、再熱部を含む
部分の衝撃値が、WR２のワイヤを使用したもの
はＡが添加されていないので溶接金属中のＯ量
が増加し、PFが析出してAW部の靱性値が劣化
している。WR３のワイヤを使用したものはCE
が高すぎてUBが生成してAW部、再熱部共に靱
性が劣化している。また、WR４のワイヤを使用
したものはＡが高すぎてAW部、再熱部共に靱
性が劣化している。 （発明の効果） 以上の実施例からも明らかなごとく本発明によ
れば溶接金属に極めて優れた低温靱性を与えるこ
とができる溶接ワイヤの提供が可能となり、産業
上の効果は極めて顕著である。
第１図ａは両面一層溶接部ｂは両面多層溶接部
からの試験片採取要領をそれぞれ示す図である。 １……AW部の衝撃試験片の採取位置、２……
再熱部試験片の採取位置、３……化学分析用試料
の採取位置。
からの試験片採取要領をそれぞれ示す図である。 １……AW部の衝撃試験片の採取位置、２……
再熱部試験片の採取位置、３……化学分析用試料
の採取位置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％でＣ：0.07％以下、Si：0.05％未満、
Al：0.002〜0.50％を必須成分とし、 Ｐ：0.020％以下、Ｓ：0.020％以下、Ｎ：
0.0050％以下、Ｏ：0.0150％以下に制限し、 且つMn：0.5〜3.0％、Ni：0.5〜12％、Cu：
0.02〜3.0％、Mo：0.1〜２％の内１種以上を含有
し、残部がFe及び不可避的不純物であり、且つ、
CEが0.2〜1.0であることを特徴とする低温用鋼用
Ti−Ｂ系潜弧溶接ワイヤ。 ただし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。） ２ 重量％でＣ：0.07％以下、Si：0.05％未満、
Al：0.002〜0.50％を必須成分とし、 Ｐ：0.020％以下、Ｓ：0.020％以下、Ｎ：
0.0050％以下、Ｏ：0.0150％以下に制限し、 且つMn：0.5〜3.0％、Ni：0.5〜12％、Cu：
0.02〜3.0％、Mo：0.1〜２％の内１種以上を含有
し、且つTi：0.05〜0.5％、Ｂ：0.005〜0.1％の内
１種以上を含有し、残部がFe及び不可避的不純
物であり、且つ、CEが0.2〜1.0であることを特徴
とする低温用鋼用Ti−Ｂ系潜弧溶接ワイヤ。た
だし、CEはIIWの炭素当量で CE＝Ｃ＋１／6Mn＋１／15（Cu＋Ni）＋１／５
（Cr＋Mo＋Ｖ） （ただし、重量％で計算を行う。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18097785A JPS6240996A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 低温用鋼用潜弧ワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18097785A JPS6240996A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 低温用鋼用潜弧ワイヤ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240996A JPS6240996A (ja) | 1987-02-21 |
| JPH0518677B2 true JPH0518677B2 (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16092585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18097785A Granted JPS6240996A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 低温用鋼用潜弧ワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240996A (ja) |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
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| KR101795970B1 (ko) * | 2016-10-11 | 2017-11-09 | 주식회사 포스코 | 플럭스 코어드 와이어용 냉연강판 및 그 제조방법 |
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Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5911658A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18097785A patent/JPS6240996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240996A (ja) | 1987-02-21 |
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