JPH05188008A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPH05188008A JPH05188008A JP513692A JP513692A JPH05188008A JP H05188008 A JPH05188008 A JP H05188008A JP 513692 A JP513692 A JP 513692A JP 513692 A JP513692 A JP 513692A JP H05188008 A JPH05188008 A JP H05188008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- defect
- scattered light
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 61
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は欠陥箇所をレーザ光により高速に
検査でき、欠陥と異物を区別することが可能な欠陥検査
装置を提供することを主要な特徴とする。 【構成】 欠陥検査用レーザ光源１から出射されたレー
ザ光を集光レンズ２で集光し、ガラス基板４上のＩＴＯ
パターン３に照射し、その反射光をミラー５でマスク６
に導き、マスク６を通過した光を集光レンズ７で集光
し、受光素子８で受光する。ＩＴＯパターン３が正常で
あれば、ＩＴＯパターン３からの回折光が生じ、その回
折光の０次光成分をマスク６で遮蔽し、その他の回折光
を受光素子８で検出する。欠陥パターンの場合には、欠
陥からの散乱光の発生により正常パターンからの散乱光
成分が減少し、欠陥からの散乱光検出レベルが低下し、
その低下を検出する。異物の場合には、不規則性の散乱
光パターンを示すので、正常パターンからの散乱光検出
レベルは異物からの散乱光成分が加わり増加し、欠陥と
異物の区別が可能となる。
検査でき、欠陥と異物を区別することが可能な欠陥検査
装置を提供することを主要な特徴とする。 【構成】 欠陥検査用レーザ光源１から出射されたレー
ザ光を集光レンズ２で集光し、ガラス基板４上のＩＴＯ
パターン３に照射し、その反射光をミラー５でマスク６
に導き、マスク６を通過した光を集光レンズ７で集光
し、受光素子８で受光する。ＩＴＯパターン３が正常で
あれば、ＩＴＯパターン３からの回折光が生じ、その回
折光の０次光成分をマスク６で遮蔽し、その他の回折光
を受光素子８で検出する。欠陥パターンの場合には、欠
陥からの散乱光の発生により正常パターンからの散乱光
成分が減少し、欠陥からの散乱光検出レベルが低下し、
その低下を検出する。異物の場合には、不規則性の散乱
光パターンを示すので、正常パターンからの散乱光検出
レベルは異物からの散乱光成分が加わり増加し、欠陥と
異物の区別が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は欠陥検査装置に関し、
特に、液晶パネル用ガラス基板上に生成されたＩＴＯパ
ターンの欠陥を検査するような欠陥検査装置に関する。
特に、液晶パネル用ガラス基板上に生成されたＩＴＯパ
ターンの欠陥を検査するような欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近では、各種電子機器に液晶表示パネ
ルが多く用いられつつある。しかも、液晶表示パネルに
表示される情報量が多くなってきており、表示密度の高
い液晶表示パネルが要求されている。表示密度を高める
ためには、液晶表示器と端子との間の配線パターンを細
かくし、しかも隣接するパターンとの間隔を狭くする必
要がある。
ルが多く用いられつつある。しかも、液晶表示パネルに
表示される情報量が多くなってきており、表示密度の高
い液晶表示パネルが要求されている。表示密度を高める
ためには、液晶表示器と端子との間の配線パターンを細
かくし、しかも隣接するパターンとの間隔を狭くする必
要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、液晶パター
ンの密度を高めると、パターンのエッチング工程でエッ
チング不十分なために隣接するパターン同士が電気的に
接続されてしまうことがある。このような欠陥の特に単
純マトリックスパターンにおいて、隣接するパターン同
士が細いパターンで接続されてしまったような欠陥につ
いては、前段に設けたプローバ方式検査装置からの検査
結果（プローバ方式検査装置は、パターンライン間の検
査のみで、ライン間のどの位置に欠陥があるかまでは特
定できない。）をもとに、パターンライン間の欠陥位置
を検出するための検査に使用される。
ンの密度を高めると、パターンのエッチング工程でエッ
チング不十分なために隣接するパターン同士が電気的に
接続されてしまうことがある。このような欠陥の特に単
純マトリックスパターンにおいて、隣接するパターン同
士が細いパターンで接続されてしまったような欠陥につ
いては、前段に設けたプローバ方式検査装置からの検査
結果（プローバ方式検査装置は、パターンライン間の検
査のみで、ライン間のどの位置に欠陥があるかまでは特
定できない。）をもとに、パターンライン間の欠陥位置
を検出するための検査に使用される。
【０００４】従来の検査方法は、欠陥箇所の検出に、Ｃ
ＣＤカメラを用い、画像処理により欠陥を検出する方
式、またはパターン間の抵抗を測定し、欠陥位置を検出
する方式が取られている。しかしながら、ＣＣＤカメラ
を用いた画像処理方式では、常にフォーカッシングを行
ないながら欠陥位置を検出する必要があるのと、画像処
理自体に時間がかかり、検査時間が長くなってしまうと
いう欠点がある。また、パターン間の抵抗を測定する方
式では、パターン間に欠陥が１箇所の場合は問題はない
が、欠陥が数箇所存在する場合には、欠陥位置の検出が
できないという欠点があった。
ＣＤカメラを用い、画像処理により欠陥を検出する方
式、またはパターン間の抵抗を測定し、欠陥位置を検出
する方式が取られている。しかしながら、ＣＣＤカメラ
を用いた画像処理方式では、常にフォーカッシングを行
ないながら欠陥位置を検出する必要があるのと、画像処
理自体に時間がかかり、検査時間が長くなってしまうと
いう欠点がある。また、パターン間の抵抗を測定する方
式では、パターン間に欠陥が１箇所の場合は問題はない
が、欠陥が数箇所存在する場合には、欠陥位置の検出が
できないという欠点があった。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、欠
陥箇所をレーザ光により高速に検査でき、さらに欠陥と
異物を区別することが可能な欠陥検査装置を提供するこ
とである。
陥箇所をレーザ光により高速に検査でき、さらに欠陥と
異物を区別することが可能な欠陥検査装置を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１にかかる発明
は、被検査対象物の欠陥を検査する欠陥検査装置であっ
て、被検査対象物にレーザ光を照射するレーザ光源と、
被検査対象物からの反射光の内、正常パターンからの０
次光成分を遮蔽し、その他の散乱光成分を検出して欠陥
検出を行なうマスクとを備えて構成される。
は、被検査対象物の欠陥を検査する欠陥検査装置であっ
て、被検査対象物にレーザ光を照射するレーザ光源と、
被検査対象物からの反射光の内、正常パターンからの０
次光成分を遮蔽し、その他の散乱光成分を検出して欠陥
検出を行なうマスクとを備えて構成される。
【０００７】請求項２にかかる発明は、被検査対象物の
欠陥および異物の散乱光パターンの特徴と、マスクの遮
蔽効果を利用することによって欠陥と異物の判別を行な
う。
欠陥および異物の散乱光パターンの特徴と、マスクの遮
蔽効果を利用することによって欠陥と異物の判別を行な
う。
【０００８】請求項３にかかる発明は、マスクを回転さ
せることによって異なるパターン形状をも検査可能にす
る。
せることによって異なるパターン形状をも検査可能にす
る。
【０００９】
【作用】この発明にかかる欠陥検査装置は、被検査対象
物にレーザ光を照射し、被検査対象物からの反射光の
内、正常パターンからの０次光成分を遮蔽し、その他の
散乱光成分を検出して欠陥検出を行なう。
物にレーザ光を照射し、被検査対象物からの反射光の
内、正常パターンからの０次光成分を遮蔽し、その他の
散乱光成分を検出して欠陥検出を行なう。
【００１０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の全体の構成を示
す図であり、図２は被検査対象のＩＴＯパターンが９０
度方向が異なった場合の欠陥検査用光学系を示す図であ
る。
す図であり、図２は被検査対象のＩＴＯパターンが９０
度方向が異なった場合の欠陥検査用光学系を示す図であ
る。
【００１１】まず、図１を参照して、欠陥検査用レーザ
光源１は、欠陥検査溶のレーザ光を出射するために設け
られ、出射されたレーザ光は集光レンズ２で集光され、
ガラス基板４上に形成されたＩＴＯパターン３に照射さ
れる。ＩＴＯパターン３で反射されたレーザ光はミラー
５によって反射され、マスク６に導かれる。マスク６は
ＩＴＯパターン３の欠陥からの散乱光および欠陥検査用
レーザ光の０次光成分を遮蔽する。マスク６は回転可能
に取付けられていて、被検査対象物のＩＴＯパターン３
の方向（縦，横）がたとえば図２に示すように９０°変
わっても欠陥からの散乱光および欠陥検査用レーザ光の
０次光成分を遮蔽することができる。正常パターンから
の散乱光および異物からの散乱光は集光レンズ７を介し
て受光素子８上に集光される。受光素子８は正常パター
ンからの散乱光および異物からの散乱光を検出する。な
お、ガラス基板４はＸＹテーブル９によってＸ−Ｙ方向
に移動可能にされている。
光源１は、欠陥検査溶のレーザ光を出射するために設け
られ、出射されたレーザ光は集光レンズ２で集光され、
ガラス基板４上に形成されたＩＴＯパターン３に照射さ
れる。ＩＴＯパターン３で反射されたレーザ光はミラー
５によって反射され、マスク６に導かれる。マスク６は
ＩＴＯパターン３の欠陥からの散乱光および欠陥検査用
レーザ光の０次光成分を遮蔽する。マスク６は回転可能
に取付けられていて、被検査対象物のＩＴＯパターン３
の方向（縦，横）がたとえば図２に示すように９０°変
わっても欠陥からの散乱光および欠陥検査用レーザ光の
０次光成分を遮蔽することができる。正常パターンから
の散乱光および異物からの散乱光は集光レンズ７を介し
て受光素子８上に集光される。受光素子８は正常パター
ンからの散乱光および異物からの散乱光を検出する。な
お、ガラス基板４はＸＹテーブル９によってＸ−Ｙ方向
に移動可能にされている。
【００１２】図３は各散乱光パターンと検出レベルを示
す図であり、特に、図３（ａ）は正常なＩＴＯパターン
とその散乱光パターンの例および散乱光検出レベルを示
し、図３（ｂ）は欠陥ＩＴＯパターンとその散乱光パタ
ーンの例および散乱光検出レベルを示し、図３（ｃ）は
異物の例とその散乱光パターンの例および散乱光検出レ
ベルを示している。なお、図３に示した散乱光検出レベ
ルは、異物検出用しきい値および欠陥検出用しきい値の
例を示している。
す図であり、特に、図３（ａ）は正常なＩＴＯパターン
とその散乱光パターンの例および散乱光検出レベルを示
し、図３（ｂ）は欠陥ＩＴＯパターンとその散乱光パタ
ーンの例および散乱光検出レベルを示し、図３（ｃ）は
異物の例とその散乱光パターンの例および散乱光検出レ
ベルを示している。なお、図３に示した散乱光検出レベ
ルは、異物検出用しきい値および欠陥検出用しきい値の
例を示している。
【００１３】次に、図１ないし図３を参照して、この発
明の一実施例の動作について説明する。図１に示した光
学系の配置により、欠陥検査用レーザ光源１からレーザ
光が出射され、集光レンズ２で集光され、ＩＴＯパター
ン３に照射される。ＩＴＯパターン３からの反射光はミ
ラー５によってマスク６に導かれ、マスク６を通過した
光が集光レンズ７を介して受光素子８によって検出され
る。この場合、図３（ａ）ないし（ｃ）に示したよう
に、各場合によって散乱光パターンに違いが生じる。こ
の散乱光パターンの違いと、マスク６の遮蔽効果を組合
わせることにより、正常パターン，欠陥パターンおよび
異物を判別することが可能となる。
明の一実施例の動作について説明する。図１に示した光
学系の配置により、欠陥検査用レーザ光源１からレーザ
光が出射され、集光レンズ２で集光され、ＩＴＯパター
ン３に照射される。ＩＴＯパターン３からの反射光はミ
ラー５によってマスク６に導かれ、マスク６を通過した
光が集光レンズ７を介して受光素子８によって検出され
る。この場合、図３（ａ）ないし（ｃ）に示したよう
に、各場合によって散乱光パターンに違いが生じる。こ
の散乱光パターンの違いと、マスク６の遮蔽効果を組合
わせることにより、正常パターン，欠陥パターンおよび
異物を判別することが可能となる。
【００１４】すなわち、正常パターンの場合には、被検
査対象物面上のＩＴＯパターン３から回折光が生じる。
この回折光の０次光成分をマスク６で遮蔽し、その他の
回折光を受光素子８で検出することにより、図３（ａ）
に示したような検出レベルの信号を得ることができる。
査対象物面上のＩＴＯパターン３から回折光が生じる。
この回折光の０次光成分をマスク６で遮蔽し、その他の
回折光を受光素子８で検出することにより、図３（ａ）
に示したような検出レベルの信号を得ることができる。
【００１５】一方、欠陥パターンの場合には、図３
（ｂ）に示したような散乱光の散乱パターンとなる。こ
れは欠陥の形状により若干の差はあるが、ＩＴＯパター
ン３の導通欠陥の場合、マスク６の遮蔽範囲内方向に強
い散乱を示すという特徴がある。このとき、欠陥からの
散乱光の発生により、正常パターンからの散乱光成分が
減少し、欠陥からの散乱光検出レベル例として示したよ
うに、欠陥の部分で検出レベルが低下する。この検出レ
ベルの低下を欠陥検出用しきい値例として示したような
しきい値を設定し、検出レベルと比較することにより、
欠陥の検査を行なうことが可能となる。
（ｂ）に示したような散乱光の散乱パターンとなる。こ
れは欠陥の形状により若干の差はあるが、ＩＴＯパター
ン３の導通欠陥の場合、マスク６の遮蔽範囲内方向に強
い散乱を示すという特徴がある。このとき、欠陥からの
散乱光の発生により、正常パターンからの散乱光成分が
減少し、欠陥からの散乱光検出レベル例として示したよ
うに、欠陥の部分で検出レベルが低下する。この検出レ
ベルの低下を欠陥検出用しきい値例として示したような
しきい値を設定し、検出レベルと比較することにより、
欠陥の検査を行なうことが可能となる。
【００１６】異物の場合には、形状に規則性がないの
と、突起しているために、図３（ｃ）に示したような不
規則性の散乱光パターンを示す。このとき、異物による
散乱光の発生により正常パターンからの散乱光検出レベ
ルは、異物からの散乱光成分が加わり増加する。よっ
て、欠陥の場合とは全く逆の現象を示すことになり、欠
陥と異物の区別が可能となる。異物の検出を行ないたい
場合は、異物検出用しきい値例として示したようなしき
い値を設定し、散乱光検出レベルと比較することにより
異物の検出が可能となる。
と、突起しているために、図３（ｃ）に示したような不
規則性の散乱光パターンを示す。このとき、異物による
散乱光の発生により正常パターンからの散乱光検出レベ
ルは、異物からの散乱光成分が加わり増加する。よっ
て、欠陥の場合とは全く逆の現象を示すことになり、欠
陥と異物の区別が可能となる。異物の検出を行ないたい
場合は、異物検出用しきい値例として示したようなしき
い値を設定し、散乱光検出レベルと比較することにより
異物の検出が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、被検
査対象物にレーザ光を照射し、この反射光の内正常パタ
ーンからの０次光成分を遮蔽し、その他の散乱光成分を
検出して欠陥検出を行なうようにしたので、欠陥箇所を
レーザ光により高速に検査することができる。さらに、
欠陥と異物を区別することが可能となるため、光学検査
方式、特に散乱光検査方式において問題となる異物によ
る影響を軽減することが可能となる。また、異物の数を
計数することも容易となる。
査対象物にレーザ光を照射し、この反射光の内正常パタ
ーンからの０次光成分を遮蔽し、その他の散乱光成分を
検出して欠陥検出を行なうようにしたので、欠陥箇所を
レーザ光により高速に検査することができる。さらに、
欠陥と異物を区別することが可能となるため、光学検査
方式、特に散乱光検査方式において問題となる異物によ
る影響を軽減することが可能となる。また、異物の数を
計数することも容易となる。
【図１】この発明の一実施例の全体の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】被検査対象のＩＴＯパターンが９０度方向が異
なった場合の欠陥検査光学系を示す図である。
なった場合の欠陥検査光学系を示す図である。
【図３】各散乱光パターンと検出レベルを示す図であ
る。
る。
１ 欠陥検査用レーザ光源 ２，７ 集光レンズ ３ ＩＴＯパターン ４ ガラス基板 ５ ミラー ６ マスク ８ 受光素子 ９ ＸＹテーブル
Claims (3)
- 【請求項１】 被検査対象物の欠陥を検出する欠陥検査
装置であって、 前記被検査対象物にレーザ光を照射するレーザ光源、お
よび前記被検査対象物からの反射光の内、正常パターン
からの０次光成分を遮蔽し、その他の散乱光成分を検出
して欠陥検出を行なうマスクを備えたことを特徴とす
る、欠陥検査装置。 - 【請求項２】 前記被検査対象物の欠陥および異物の散
乱光パターンの特徴と、前記マスクの遮蔽効果を利用す
ることによって欠陥と異物の判別を行なうことを特徴と
する、請求項１の欠陥検査装置。 - 【請求項３】 前記マスクを回転させることによって異
なるパターン形状を検査可能にすることを特徴とする、
請求項１の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513692A JPH05188008A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP513692A JPH05188008A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188008A true JPH05188008A (ja) | 1993-07-27 |
Family
ID=11602897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP513692A Withdrawn JPH05188008A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05188008A (ja) |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP513692A patent/JPH05188008A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0127686B1 (ko) | 결함용 레티클 검사장치 및 방법 | |
| US3658420A (en) | Photomask inspection by spatial filtering | |
| US4922308A (en) | Method of and apparatus for detecting foreign substance | |
| KR970000780B1 (ko) | 이물 검사 장치 | |
| JPS6182147A (ja) | 表面検査方法及び装置 | |
| JP3287227B2 (ja) | 微小異物検出方法及びその検出装置 | |
| JPH10221267A (ja) | 微小欠陥検査方法およびその装置並びに露光方法および半導体基板の製造方法 | |
| JP3087384B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH06249791A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2001060607A (ja) | 異物欠陥検査装置 | |
| JP3362033B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH05188008A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP3102493B2 (ja) | 異物検査方法及びその装置 | |
| JP2007107960A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP3280401B2 (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
| JP2011180145A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP3241403B2 (ja) | 異物検査装置およびその方法 | |
| Cuthbert et al. | A microelectronic mask inspection system based on single spot laser scan techniques | |
| JP3446754B2 (ja) | 微小異物検出方法及びその検出装置 | |
| JPH052262A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP3166320B2 (ja) | レジスト塗膜の異物検査方法及び装置 | |
| JP3020546B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2559470B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JPH0431748A (ja) | 透明板状体の欠点検査方法 | |
| JPS61230048A (ja) | 異物検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |