JPH05190715A - 沸騰冷却装置 - Google Patents
沸騰冷却装置Info
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- JPH05190715A JPH05190715A JP4006921A JP692192A JPH05190715A JP H05190715 A JPH05190715 A JP H05190715A JP 4006921 A JP4006921 A JP 4006921A JP 692192 A JP692192 A JP 692192A JP H05190715 A JPH05190715 A JP H05190715A
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- JP
- Japan
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- refrigerant
- semiconductor chip
- heat
- boiling
- heating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱体の発熱によって冷媒が沸騰開始する前
の発熱体温度のオーバーシュートを抑制することができ
るような沸騰冷却装置を提供することを目的としてい
る。 【構成】 冷媒４が封入されている容器１内に基板２に
縦実装された半導体チップ３を配設し、また、容器１内
の上部に熱交換器５を配設して、容器１内の下部に冷媒
加熱体７を配設する。そして、冷媒加熱体７の加熱によ
り発熱される冷媒４の気泡６が半導体チップ３の表面に
付着して沸騰核が形成されることにより、半導体チップ
３の表面での冷媒４の発泡開始を促進して半導体チップ
３の発熱によって冷媒４が沸騰開始する前の半導体チッ
プ３の温度のオーバーシュートを抑制することができ
る。
の発熱体温度のオーバーシュートを抑制することができ
るような沸騰冷却装置を提供することを目的としてい
る。 【構成】 冷媒４が封入されている容器１内に基板２に
縦実装された半導体チップ３を配設し、また、容器１内
の上部に熱交換器５を配設して、容器１内の下部に冷媒
加熱体７を配設する。そして、冷媒加熱体７の加熱によ
り発熱される冷媒４の気泡６が半導体チップ３の表面に
付着して沸騰核が形成されることにより、半導体チップ
３の表面での冷媒４の発泡開始を促進して半導体チップ
３の発熱によって冷媒４が沸騰開始する前の半導体チッ
プ３の温度のオーバーシュートを抑制することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体チップ等
の発熱体の冷却に用いられる沸騰冷却装置に関する。
の発熱体の冷却に用いられる沸騰冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ等の発熱体は動作時に発熱
するので、信頼性の向上と性能を維持するために冷却装
置によって冷却が行われる。
するので、信頼性の向上と性能を維持するために冷却装
置によって冷却が行われる。
【０００３】そして、近年、半導体チップの発熱量の増
加に対処するために、例えばフロロカーボン等の冷媒の
沸騰による沸騰熱伝達によって冷却を行う沸騰冷却装置
が用いられている。
加に対処するために、例えばフロロカーボン等の冷媒の
沸騰による沸騰熱伝達によって冷却を行う沸騰冷却装置
が用いられている。
【０００４】図５は、従来の沸騰冷却装置の一例を示す
概略図である。この図に示すように、容器１の内壁面に
取付けた基板２には複数個（図では３個）の半導体チッ
プ３が縦実装されており、各半導体チップ３は容器１内
に封入されているフロロカーボン等の冷媒４に浸漬され
ている。また、容器１内の上部には熱交換器５が配設さ
れており、冷媒４は容器１内の熱交換器５の下まで注入
されている。
概略図である。この図に示すように、容器１の内壁面に
取付けた基板２には複数個（図では３個）の半導体チッ
プ３が縦実装されており、各半導体チップ３は容器１内
に封入されているフロロカーボン等の冷媒４に浸漬され
ている。また、容器１内の上部には熱交換器５が配設さ
れており、冷媒４は容器１内の熱交換器５の下まで注入
されている。
【０００５】従来の沸騰冷却装置は上記のように構成さ
れており、半導体チップ３が発熱すると、冷媒４が沸騰
して気化することにより気泡６が発生する。容器１内を
上昇する冷媒４の気泡６は、熱交換器５により熱交換さ
れて液化された後重力により容器１内に落下する。
れており、半導体チップ３が発熱すると、冷媒４が沸騰
して気化することにより気泡６が発生する。容器１内を
上昇する冷媒４の気泡６は、熱交換器５により熱交換さ
れて液化された後重力により容器１内に落下する。
【０００６】このように、沸騰冷却装置では、半導体チ
ップ３の発熱により冷媒４が沸騰することによって発生
する気泡（蒸気）６を熱交換器５で熱交換することによ
り、冷却が行われる。
ップ３の発熱により冷媒４が沸騰することによって発生
する気泡（蒸気）６を熱交換器５で熱交換することによ
り、冷却が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したよ
うな従来の沸騰冷却装置では、半導体チップ３の発熱に
よって冷媒４が沸騰を開始する時に、発熱している半導
体チップ３の温度がオーバーシュートする。そして、従
来の沸騰冷却装置では、半導体チップ３の発熱により熱
せられた冷媒４はやがて沸騰を始めるが、半導体チップ
３の表面での発泡点の生成が不安定なために、冷媒３が
沸騰を開始する前の半導体チップ３の温度のオーバーシ
ュートの抑制が難しかった。
うな従来の沸騰冷却装置では、半導体チップ３の発熱に
よって冷媒４が沸騰を開始する時に、発熱している半導
体チップ３の温度がオーバーシュートする。そして、従
来の沸騰冷却装置では、半導体チップ３の発熱により熱
せられた冷媒４はやがて沸騰を始めるが、半導体チップ
３の表面での発泡点の生成が不安定なために、冷媒３が
沸騰を開始する前の半導体チップ３の温度のオーバーシ
ュートの抑制が難しかった。
【０００８】このように、オーバーシュートが発生する
と、冷媒４が沸騰を開始する前に、半導体チップ３の発
熱による温度上昇が半導体チップ３の使用温度（限界温
度）を超える恐れがあった。
と、冷媒４が沸騰を開始する前に、半導体チップ３の発
熱による温度上昇が半導体チップ３の使用温度（限界温
度）を超える恐れがあった。
【０００９】本発明は上記した課題を解決する目的でな
され、冷媒の沸騰開始前の発熱体温度のオーバーシュー
トを抑制して発熱体の冷却を良好に行うことができる沸
騰冷却装置を提供しようとするものである。
され、冷媒の沸騰開始前の発熱体温度のオーバーシュー
トを抑制して発熱体の冷却を良好に行うことができる沸
騰冷却装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記した課題を解決する
ための請求項１記載の本発明は、発熱体の熱で冷媒を沸
騰させて気化し、気化した冷媒を熱交換手段によって熱
交換することにより前記発熱体の冷却を行う沸騰冷却装
置において、前記冷媒の沸騰開始を促進するための冷媒
加熱手段を設けたことを特徴としている。
ための請求項１記載の本発明は、発熱体の熱で冷媒を沸
騰させて気化し、気化した冷媒を熱交換手段によって熱
交換することにより前記発熱体の冷却を行う沸騰冷却装
置において、前記冷媒の沸騰開始を促進するための冷媒
加熱手段を設けたことを特徴としている。
【００１１】また、請求項２記載の本発明は、発熱体の
熱で冷媒を沸騰させて気化し、気化した冷媒を熱交換手
段によって熱交換することにより前記発熱体の冷却を行
う沸騰冷却装置において、前記冷媒の沸騰開始を促進す
るための冷媒加熱手段と、前記発熱体に熱的に接続され
前記冷媒加熱手段の加熱によって発生する前記冷媒の気
泡を捕捉する気泡捕捉手段とを具備したことを特徴とし
ている。
熱で冷媒を沸騰させて気化し、気化した冷媒を熱交換手
段によって熱交換することにより前記発熱体の冷却を行
う沸騰冷却装置において、前記冷媒の沸騰開始を促進す
るための冷媒加熱手段と、前記発熱体に熱的に接続され
前記冷媒加熱手段の加熱によって発生する前記冷媒の気
泡を捕捉する気泡捕捉手段とを具備したことを特徴とし
ている。
【００１２】
【作用】請求項１記載の本発明によれば、冷媒加熱手段
の加熱によって発生する冷媒の気泡が発熱体の表面に付
着することによって沸騰核が形成されるので、発熱して
いる発熱体の表面での冷媒の発泡開始を促進することが
できる。
の加熱によって発生する冷媒の気泡が発熱体の表面に付
着することによって沸騰核が形成されるので、発熱して
いる発熱体の表面での冷媒の発泡開始を促進することが
できる。
【００１３】また、請求項２記載の本発明によれば、冷
媒加熱手段の加熱によって発生する冷媒の気泡が、発熱
体に熱的に接続されている気泡捕捉手段に捕捉されるこ
とによって沸騰核が形成されることにより、発熱体の発
熱による熱が伝達されている前記気泡捕捉手段の表面で
の冷媒の発泡開始を促進することができる。
媒加熱手段の加熱によって発生する冷媒の気泡が、発熱
体に熱的に接続されている気泡捕捉手段に捕捉されるこ
とによって沸騰核が形成されることにより、発熱体の発
熱による熱が伝達されている前記気泡捕捉手段の表面で
の冷媒の発泡開始を促進することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。尚、従来と同一部材には同一符号を付して
説明する。
に説明する。尚、従来と同一部材には同一符号を付して
説明する。
【００１５】＜第１実施例＞図１は、本発明の第１実施
例に係る沸騰冷却装置を示す断面図である。この図に示
すように、容器１の内壁面には複数個（図では３個）の
半導体チップ３が縦実装されている基板２が取付けられ
ており、容器１内の上部には熱交換器５が配設され、下
部には沸騰開始用の冷媒加熱体７が配設されている。ま
た、容器１内には半導体チップ３を浸漬するようにして
熱交換器５の下までフロロカーボン等の冷媒４が封入さ
れている。
例に係る沸騰冷却装置を示す断面図である。この図に示
すように、容器１の内壁面には複数個（図では３個）の
半導体チップ３が縦実装されている基板２が取付けられ
ており、容器１内の上部には熱交換器５が配設され、下
部には沸騰開始用の冷媒加熱体７が配設されている。ま
た、容器１内には半導体チップ３を浸漬するようにして
熱交換器５の下までフロロカーボン等の冷媒４が封入さ
れている。
【００１６】熱交換器５は、内部に液体を流す液冷構造
や、ヒートパイプや金属等の良熱電導体にフィンを接続
した放熱構造となっている。
や、ヒートパイプや金属等の良熱電導体にフィンを接続
した放熱構造となっている。
【００１７】冷媒加熱体７は、内部にヒータ等の発熱手
段（図示省略）を有しており、冷媒加熱体７の発熱温度
は外部から任意に制御することができる。
段（図示省略）を有しており、冷媒加熱体７の発熱温度
は外部から任意に制御することができる。
【００１８】本実施例に係る沸騰冷却装置は上記のよう
に構成されており、半導体チップ３の発熱あるいは発熱
密度よりも大きくなるように冷媒加熱体７を外部からの
制御によって発熱させる。冷媒加熱体７の発熱によっ
て、冷媒加熱体７の表面から冷媒４の気泡６が発生す
る。この時点では、まだ半導体チップ３の表面からは冷
媒４の気泡は発生していない。
に構成されており、半導体チップ３の発熱あるいは発熱
密度よりも大きくなるように冷媒加熱体７を外部からの
制御によって発熱させる。冷媒加熱体７の発熱によっ
て、冷媒加熱体７の表面から冷媒４の気泡６が発生す
る。この時点では、まだ半導体チップ３の表面からは冷
媒４の気泡は発生していない。
【００１９】そして、冷媒加熱体７で発生した気泡６が
上昇して半導体チップ３の表面に付着して沸騰核を形成
することにより、発熱している半導体チップ３の表面で
の冷媒４の発泡開始を促進することができるので、半導
体チップ３の発熱によって冷媒４が沸騰開始する前の半
導体チップ３の温度のオーバーシュートを抑制すること
ができる。
上昇して半導体チップ３の表面に付着して沸騰核を形成
することにより、発熱している半導体チップ３の表面で
の冷媒４の発泡開始を促進することができるので、半導
体チップ３の発熱によって冷媒４が沸騰開始する前の半
導体チップ３の温度のオーバーシュートを抑制すること
ができる。
【００２０】また、半導体チップ３の下側の側面３ａに
冷媒加熱体７で発生した気泡６が付着した場合でも、こ
の位置で沸騰核が形成されることにより、半導体チップ
３の側面３ａからの冷媒４の気泡開始を促進することが
できる。
冷媒加熱体７で発生した気泡６が付着した場合でも、こ
の位置で沸騰核が形成されることにより、半導体チップ
３の側面３ａからの冷媒４の気泡開始を促進することが
できる。
【００２１】また、半導体チップ３の発熱による冷媒４
の気泡（蒸気）６は上昇して、熱交換器５により熱交換
されて液化された後重力により容器１内に落下する。
の気泡（蒸気）６は上昇して、熱交換器５により熱交換
されて液化された後重力により容器１内に落下する。
【００２２】＜第２実施例＞図２は、本発明の第２実施
例に係る沸騰冷却装置を示す断面図である。本実施例で
は、図１で示した沸騰冷却装置の縦実装されている各半
導体チップ３の表面に、気泡捕捉体８を熱的に接続した
構成であり、他の構成は図１で示した沸騰冷却装置と同
様である。
例に係る沸騰冷却装置を示す断面図である。本実施例で
は、図１で示した沸騰冷却装置の縦実装されている各半
導体チップ３の表面に、気泡捕捉体８を熱的に接続した
構成であり、他の構成は図１で示した沸騰冷却装置と同
様である。
【００２３】気泡捕捉体８は、図３に示すように、半導
体チップ３の表面に熱的に接続されている伝熱軸９と、
伝熱軸９の周囲に接続されている複数個の円形状のフィ
ン１０とで構成されており、伝熱軸９とフィン１０は良
熱伝導部材（例えば、銅、アルミニウム、窒化アルミ
等）によって形成されている。伝熱軸９の冷媒加熱体７
と対向する面（図では伝熱軸９の下側の側面）には、伝
熱軸９の軸線方向に沿って凹部９ａが形成されている。
体チップ３の表面に熱的に接続されている伝熱軸９と、
伝熱軸９の周囲に接続されている複数個の円形状のフィ
ン１０とで構成されており、伝熱軸９とフィン１０は良
熱伝導部材（例えば、銅、アルミニウム、窒化アルミ
等）によって形成されている。伝熱軸９の冷媒加熱体７
と対向する面（図では伝熱軸９の下側の側面）には、伝
熱軸９の軸線方向に沿って凹部９ａが形成されている。
【００２４】本実施例に係る沸騰冷却装置は上記のよう
に構成されており、本実施例においても前記実施例同
様、半導体チップ３の発熱よりも大きくなるようにして
冷媒加熱体７を外部からの制御によって発熱させる。冷
媒加熱体７の発熱によって、冷媒加熱体７の表面から冷
媒４の気泡６が発生する。この時点では、まだ半導体チ
ップ３の表面からは冷媒の気泡は発生していない。
に構成されており、本実施例においても前記実施例同
様、半導体チップ３の発熱よりも大きくなるようにして
冷媒加熱体７を外部からの制御によって発熱させる。冷
媒加熱体７の発熱によって、冷媒加熱体７の表面から冷
媒４の気泡６が発生する。この時点では、まだ半導体チ
ップ３の表面からは冷媒の気泡は発生していない。
【００２５】冷媒加熱体７で発生した冷媒４の気泡６は
上昇して、半導体チップ３に接続されている気泡捕捉体
８を構成する伝熱軸９の凹部９ａおよびフィン１０で捕
捉されることによって沸騰核が形成される。この沸騰核
によって、半導体チップ３の発熱による熱が伝達されて
いる気泡捕捉体８の表面での冷媒４の発泡開始を促進す
ることができるので、半導体チップ３の発熱によって冷
媒４が沸騰開始する前の半導体チップ３の温度のオーバ
ーシュートを抑制することができる。
上昇して、半導体チップ３に接続されている気泡捕捉体
８を構成する伝熱軸９の凹部９ａおよびフィン１０で捕
捉されることによって沸騰核が形成される。この沸騰核
によって、半導体チップ３の発熱による熱が伝達されて
いる気泡捕捉体８の表面での冷媒４の発泡開始を促進す
ることができるので、半導体チップ３の発熱によって冷
媒４が沸騰開始する前の半導体チップ３の温度のオーバ
ーシュートを抑制することができる。
【００２６】また、半導体チップ３の発熱による冷媒４
の気泡（蒸気）６はフィン１０の間を通って上昇し、熱
交換器５により熱交換されて液化された後重力により容
器１内に落下する。
の気泡（蒸気）６はフィン１０の間を通って上昇し、熱
交換器５により熱交換されて液化された後重力により容
器１内に落下する。
【００２７】＜第３実施例＞図４は、本発明の第３実施
例に係る沸騰冷却装置の半導体チップに接続される気泡
捕捉体を示す概略図である。本実施例では、半導体チッ
プ３の表面に熱的に接続される気泡捕捉体８は、両端が
固定部材１１ａ，１１ｂに接続されている複数本の細い
ピン１２で構成されている。一方の固定部材１１ａは、
半導体チップ３の表面に熱的に接続されている。ピン１
２は、所定の間隔で固定部材１１ａ，１１ｂ間に配列さ
れている。他の構成は図２で示した沸騰冷却装置と同様
である。
例に係る沸騰冷却装置の半導体チップに接続される気泡
捕捉体を示す概略図である。本実施例では、半導体チッ
プ３の表面に熱的に接続される気泡捕捉体８は、両端が
固定部材１１ａ，１１ｂに接続されている複数本の細い
ピン１２で構成されている。一方の固定部材１１ａは、
半導体チップ３の表面に熱的に接続されている。ピン１
２は、所定の間隔で固定部材１１ａ，１１ｂ間に配列さ
れている。他の構成は図２で示した沸騰冷却装置と同様
である。
【００２８】本実施例においても前記実施例同様、冷媒
加熱体７の発熱によって冷媒加熱体７の表面から発生す
る冷媒４の気泡６が上昇して、気泡捕捉体８を構成する
ピン１２の間で捕捉されて沸騰核が形成される。そし
て、この沸騰核によって、半導体チップ３の発熱による
熱が伝達されている気泡捕捉体８の表面での冷媒４の発
泡開始を促進することにより、半導体チップ３の温度の
オーバーシュートを抑制することができる。
加熱体７の発熱によって冷媒加熱体７の表面から発生す
る冷媒４の気泡６が上昇して、気泡捕捉体８を構成する
ピン１２の間で捕捉されて沸騰核が形成される。そし
て、この沸騰核によって、半導体チップ３の発熱による
熱が伝達されている気泡捕捉体８の表面での冷媒４の発
泡開始を促進することにより、半導体チップ３の温度の
オーバーシュートを抑制することができる。
【００２９】また、半導体チップ３の発熱による冷媒４
の気泡（蒸気）６は、ピン１２の間を通って上昇し、熱
交換器５により熱交換されて液化された後重力により容
器１内に落下する。
の気泡（蒸気）６は、ピン１２の間を通って上昇し、熱
交換器５により熱交換されて液化された後重力により容
器１内に落下する。
【００３０】また、前記した第２，第３実施例では、容
器１内に封入した冷媒４に浸漬されるようにして半導体
チップ３を実装したが、半導体チップ３を容器１の外に
実装し、半導体チップ３の表面に熱的に接続される気泡
捕捉体８だけを容器１内の冷媒４が封入されている位置
に配設する構成でもよい。
器１内に封入した冷媒４に浸漬されるようにして半導体
チップ３を実装したが、半導体チップ３を容器１の外に
実装し、半導体チップ３の表面に熱的に接続される気泡
捕捉体８だけを容器１内の冷媒４が封入されている位置
に配設する構成でもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たように本発明によれば、冷媒加熱手段の加熱によって
発生される冷媒の気泡により沸騰核を形成し、この沸騰
核によって発熱体により加熱される冷媒の気泡開始を促
進することができるので、発熱体の発熱によって冷媒が
沸騰開始する前の発熱体温度のオーバーシュートが抑制
されることにより、発熱体の冷却を良好に行うことがで
きる。
たように本発明によれば、冷媒加熱手段の加熱によって
発生される冷媒の気泡により沸騰核を形成し、この沸騰
核によって発熱体により加熱される冷媒の気泡開始を促
進することができるので、発熱体の発熱によって冷媒が
沸騰開始する前の発熱体温度のオーバーシュートが抑制
されることにより、発熱体の冷却を良好に行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る沸騰冷却装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る沸騰冷却装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２に示した沸騰冷却装置の気泡捕捉体を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】本発明の第３実施例に係る沸騰冷却装置の要部
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図５】従来の沸騰冷却装置を示す断面図である。
１ 容器 ２ 基板 ３ 半導体チップ（発熱体） ４ 冷媒 ５ 熱交換器 ６ 気泡 ７ 冷媒加熱体（冷媒加熱手段） ８ 気泡捕捉体（気泡捕捉手段） ９ 伝熱軸 １０ フィン １１ ピン
Claims (2)
- 【請求項１】 発熱体の熱で冷媒を沸騰させて気化し、
気化した冷媒を熱交換手段によって熱交換することによ
り前記発熱体の冷却を行う沸騰冷却装置において、前記
冷媒の沸騰開始を促進するための冷媒加熱手段を設けた
ことを特徴とする沸騰冷却装置。 - 【請求項２】 発熱体の熱で冷媒を沸騰させて気化し、
気化した冷媒を熱交換手段によって熱交換することによ
り前記発熱体の冷却を行う沸騰冷却装置において、前記
冷媒の沸騰開始を促進するための冷媒加熱手段と、前記
発熱体に熱的に接続され前記冷媒加熱手段の加熱によっ
て発生する前記冷媒の気泡を捕捉する気泡捕捉手段とを
具備したことを特徴とする沸騰冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006921A JPH05190715A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 沸騰冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006921A JPH05190715A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 沸騰冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190715A true JPH05190715A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11651711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006921A Pending JPH05190715A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 沸騰冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190715A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015146381A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 株式会社デンソー | 冷却器 |
| JP2022504024A (ja) * | 2018-11-16 | 2022-01-13 | ティーエムジーコア，エルエルシー | 液浸冷却プラットフォーム |
| JP2025515187A (ja) * | 2022-05-06 | 2025-05-13 | シェンジェン エンビクール テクノロジー カンパニー リミテッド | 冷却装置 |
| JP2025106266A (ja) * | 2018-11-16 | 2025-07-15 | モディーン エルエルシー | 液浸冷却プラットフォーム |
| US12384419B2 (en) | 2021-11-12 | 2025-08-12 | Modine LLC | Distributed computing network comprised of autonomous vehicles carrying liquid immersion cooling platforms |
| US12408308B2 (en) | 2018-11-16 | 2025-09-02 | Modine LLC | Hydrofire rods for liquid immersion cooling platform |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006921A patent/JPH05190715A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015146381A (ja) * | 2014-02-03 | 2015-08-13 | 株式会社デンソー | 冷却器 |
| JP2022504024A (ja) * | 2018-11-16 | 2022-01-13 | ティーエムジーコア，エルエルシー | 液浸冷却プラットフォーム |
| JP2025106266A (ja) * | 2018-11-16 | 2025-07-15 | モディーン エルエルシー | 液浸冷却プラットフォーム |
| US12408308B2 (en) | 2018-11-16 | 2025-09-02 | Modine LLC | Hydrofire rods for liquid immersion cooling platform |
| US12384419B2 (en) | 2021-11-12 | 2025-08-12 | Modine LLC | Distributed computing network comprised of autonomous vehicles carrying liquid immersion cooling platforms |
| JP2025515187A (ja) * | 2022-05-06 | 2025-05-13 | シェンジェン エンビクール テクノロジー カンパニー リミテッド | 冷却装置 |
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