JPH05190729A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05190729A JPH05190729A JP4023363A JP2336392A JPH05190729A JP H05190729 A JPH05190729 A JP H05190729A JP 4023363 A JP4023363 A JP 4023363A JP 2336392 A JP2336392 A JP 2336392A JP H05190729 A JPH05190729 A JP H05190729A
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- plating
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- semiconductor device
- thick
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Molten Solder (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の予備メッキやクリーム半田等を塗布し
なくても、そのまま表面実装ができるようにする。 【構成】 基板に表面実装されるリード３の面側にだ
け、防錆用の半田薄メッキ５に加えて実装用の半田厚メ
ッキ４を施した。
なくても、そのまま表面実装ができるようにする。 【構成】 基板に表面実装されるリード３の面側にだ
け、防錆用の半田薄メッキ５に加えて実装用の半田厚メ
ッキ４を施した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パッケージの側面より
延出されたリードに半田メッキを施して成る半導体装置
に関するものである。
延出されたリードに半田メッキを施して成る半導体装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置はＩＣチップを保護
するために、そのＩＣチップの全体を樹脂モールド等し
てなるパッケージで覆われ、このパッケージの側面より
リードが延出された状態になっている。また、このリー
ドは錆等の腐食を防ぐために、表面全体に半田メッキ等
の処理がされる。
するために、そのＩＣチップの全体を樹脂モールド等し
てなるパッケージで覆われ、このパッケージの側面より
リードが延出された状態になっている。また、このリー
ドは錆等の腐食を防ぐために、表面全体に半田メッキ等
の処理がされる。
【０００３】図４は、従来の半導体装置の一例をリード
部周辺を一部断面して示す側面図である。図４におい
て、この半導体装置５１では、パッケージ５２の側面よ
り複数のリード５３が延出され、このリード５３の全面
に防錆用として半田メッキ５４が約１０μｍ（「マイク
ロメートル」以下同じ。）の厚さで略均一施されてい
る。
部周辺を一部断面して示す側面図である。図４におい
て、この半導体装置５１では、パッケージ５２の側面よ
り複数のリード５３が延出され、このリード５３の全面
に防錆用として半田メッキ５４が約１０μｍ（「マイク
ロメートル」以下同じ。）の厚さで略均一施されてい
る。
【０００４】その従来の半田メッキは、例えば図５に示
すような半田メッキ装置を用いてなされている。すなわ
ち、この半田メッキ装置は、半田メッキ液５５を入れた
メッキ槽５６を備え、ラック６０にリード５３を掛けて
メッキ槽５６内の半田メッキ液５５に浸した状態で、カ
ソードブスバー５７よりマイナス電流を印加すると同時
に、アノードスバー５８よりアノード電流を半田陽極５
９に印加し、電解処理することによってメッキ処理を行
うようになっている。
すような半田メッキ装置を用いてなされている。すなわ
ち、この半田メッキ装置は、半田メッキ液５５を入れた
メッキ槽５６を備え、ラック６０にリード５３を掛けて
メッキ槽５６内の半田メッキ液５５に浸した状態で、カ
ソードブスバー５７よりマイナス電流を印加すると同時
に、アノードスバー５８よりアノード電流を半田陽極５
９に印加し、電解処理することによってメッキ処理を行
うようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半田メッキの方法では、高電流密度を印加することがメ
ッキ液５５の特性上不可能で、処理能力が低く、約１０
μｍの半田メッキ５４を施すのにも約１０分程の時間を
要している。このため生産性が悪いと言う問題点があっ
た。
半田メッキの方法では、高電流密度を印加することがメ
ッキ液５５の特性上不可能で、処理能力が低く、約１０
μｍの半田メッキ５４を施すのにも約１０分程の時間を
要している。このため生産性が悪いと言う問題点があっ
た。
【０００６】そこで、生産性を向上させるのに、ラック
５６に大量のリード５３を掛けることも考えられるが、
このようにすると膜厚・電着成分が均一とならず、基板
への表面実装時などの後加工時には、膜厚の厚い部分で
ブリッジが発生して短絡し易く問題となる。
５６に大量のリード５３を掛けることも考えられるが、
このようにすると膜厚・電着成分が均一とならず、基板
への表面実装時などの後加工時には、膜厚の厚い部分で
ブリッジが発生して短絡し易く問題となる。
【０００７】また、従来の半田メッキの方法を用いた半
導体装置では、メッキ処理をするのに多くの時間を要す
るので、生産性を考えると余り厚く半田メッキをするこ
とができない。さらに、この半田メッキ方法では、必要
とする部分だけ厚く半田メッキしたりすることができ
ず、リード表面の全体が略均一に半田メッキされること
になる。このため、各リード５３間の隙間がなくなり、
基板への表面実装時にブリッジ等が発生して短絡し易く
なる危険性がある。
導体装置では、メッキ処理をするのに多くの時間を要す
るので、生産性を考えると余り厚く半田メッキをするこ
とができない。さらに、この半田メッキ方法では、必要
とする部分だけ厚く半田メッキしたりすることができ
ず、リード表面の全体が略均一に半田メッキされること
になる。このため、各リード５３間の隙間がなくなり、
基板への表面実装時にブリッジ等が発生して短絡し易く
なる危険性がある。
【０００８】したがって、従来の半導体装置では、この
リード５３に設けた半田メッキ５４を、実装用の半田材
として使用するようなことはしておらず、基板への表面
実装には別途クリーム半田等を塗布して半田処理を行う
方法が採られている。このため、作業工数が多くなり、
作業性が悪いと言う問題点があった。
リード５３に設けた半田メッキ５４を、実装用の半田材
として使用するようなことはしておらず、基板への表面
実装には別途クリーム半田等を塗布して半田処理を行う
方法が採られている。このため、作業工数が多くなり、
作業性が悪いと言う問題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は基板の予備メッキやクリーム半田
等を塗布しなくても表面実装が可能な半導体装置を提供
することにある。
のであり、その目的は基板の予備メッキやクリーム半田
等を塗布しなくても表面実装が可能な半導体装置を提供
することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、パッケージの側面より延出されたリードの略
全面に半田メッキを施してなる半導体装置において、前
記リードの基板に表面実装される面側にだけ、防錆用の
半田薄メッキに加えて実装用の半田厚メッキを施して成
る構成としたものである。
本発明は、パッケージの側面より延出されたリードの略
全面に半田メッキを施してなる半導体装置において、前
記リードの基板に表面実装される面側にだけ、防錆用の
半田薄メッキに加えて実装用の半田厚メッキを施して成
る構成としたものである。
【００１１】
【作用】この構成によれば、実装用の半田厚メッキを使
用して基板への表面実装が可能になるので、従来必要と
していた基板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処
理等を用いなくても表面実装が行え、作業工数を減らす
ことができる。また、基板に半田実装される面側にだけ
半田厚メッキをしているので、表面実装時のブリッジ発
生率を低下させることができる。
用して基板への表面実装が可能になるので、従来必要と
していた基板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処
理等を用いなくても表面実装が行え、作業工数を減らす
ことができる。また、基板に半田実装される面側にだけ
半田厚メッキをしているので、表面実装時のブリッジ発
生率を低下させることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施例をリード部周辺を一部断面して示す側面図であ
る。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施例をリード部周辺を一部断面して示す側面図であ
る。
【００１３】図１において、この半導体装置１では、図
示せぬＩＣチップが樹脂材をモールドしてなるパッケー
ジ２で覆われてなり、このパッケージ２の側面よりリー
ド３が延出された状態になっている。
示せぬＩＣチップが樹脂材をモールドしてなるパッケー
ジ２で覆われてなり、このパッケージ２の側面よりリー
ド３が延出された状態になっている。
【００１４】上記リード３には、図示せぬ基板に表面実
装される面側に約３０〜５０μｍの厚みをした半田厚メ
ッキ４が施され、さらにその外側から約３μｍの厚みを
した半田薄メッキ５が防錆用として施された状態になっ
ている。
装される面側に約３０〜５０μｍの厚みをした半田厚メ
ッキ４が施され、さらにその外側から約３μｍの厚みを
した半田薄メッキ５が防錆用として施された状態になっ
ている。
【００１５】このように構成された半導体装置１では、
基板に表面実装する場合、半田厚メッキ４が施されたリ
ード面が基板の回路上に当接する状態で配置され、この
状態で半田厚メッキ４の部分を加熱して溶かすと、この
半田厚メッキ４の部分を従来における基板への予備半田
処理またはクリーム半田塗布処理の代用品として使用す
ることができる。したがって、従来必要としていたこれ
らの処理を省くことができるので、作業性の向上が図れ
る。また、この構造の場合では、半田厚メッキ４は基板
に半田付される面にだけ設けているので、実装時に他の
部分にまで溶け出してブリッジが発生することもなく、
短絡事故をなくし、信頼性の向上が図れる。さらに、耐
腐食用として半田メッキされている半田薄メッキ５の厚
みを小さくすることができるので、これに伴って無駄な
メッキ材の使用を少なくすることができ、コストを下げ
ることができる。
基板に表面実装する場合、半田厚メッキ４が施されたリ
ード面が基板の回路上に当接する状態で配置され、この
状態で半田厚メッキ４の部分を加熱して溶かすと、この
半田厚メッキ４の部分を従来における基板への予備半田
処理またはクリーム半田塗布処理の代用品として使用す
ることができる。したがって、従来必要としていたこれ
らの処理を省くことができるので、作業性の向上が図れ
る。また、この構造の場合では、半田厚メッキ４は基板
に半田付される面にだけ設けているので、実装時に他の
部分にまで溶け出してブリッジが発生することもなく、
短絡事故をなくし、信頼性の向上が図れる。さらに、耐
腐食用として半田メッキされている半田薄メッキ５の厚
みを小さくすることができるので、これに伴って無駄な
メッキ材の使用を少なくすることができ、コストを下げ
ることができる。
【００１６】次に、上記リード３に、上記半田厚メッキ
４および半田薄メッキ５を施す方法について説明する。
図２は、リード３に半田厚メッキ４と半田薄メッキ５を
施す工程１〜３を作業順に示しているものである。
（１）すなわち、「工程１］では、まだメッキ４，５が
されていない半導体装置が用意され、（２）「工程２」
ではリード３の表面実装される面に半田厚メッキ４が施
され、（３）「工程３」では半田薄メッキ５がリード３
の外表面全体に施される。
４および半田薄メッキ５を施す方法について説明する。
図２は、リード３に半田厚メッキ４と半田薄メッキ５を
施す工程１〜３を作業順に示しているものである。
（１）すなわち、「工程１］では、まだメッキ４，５が
されていない半導体装置が用意され、（２）「工程２」
ではリード３の表面実装される面に半田厚メッキ４が施
され、（３）「工程３」では半田薄メッキ５がリード３
の外表面全体に施される。
【００１７】また、「工程２」における半田厚メッキ４
では、ジェット噴流方式による半田メッキ処理が施され
る。
では、ジェット噴流方式による半田メッキ処理が施され
る。
【００１８】図３は、そのジェット噴流方式によるメッ
キ処理装置を概略的に示すものである。すなわち、この
メッキ処理装置は、パッケージ２の両側より延出されて
いる一対のリード３を両端に掛け渡した状態で載せられ
る開口６を有したスパージャー７と、このスパージャー
７上に載せられた半導体装置を上側より押さえる押し板
８と、リード３にマイナス電流を印加する通電治具９
と、スパージャー７内に配置されてリード３に向かって
メッキ液１０を噴出させるノズル１１等で構成されてい
る。そして、このメッキ処理装置では、半導体装置がス
パージャー７上に載せられ、押し板８で抑えられると、
リード３の上面が押し板８で覆われた状態で配置され
る。また、通電治具９にマイナス電流を印加すると同時
にノズル１１側にアノード電流を印加させ、メッキ液１
０をリード３に向かって噴流させる。すると、リード３
に噴流されたメッキ液１０が電解処理され、リード３に
半田厚メッキ４がなされる。
キ処理装置を概略的に示すものである。すなわち、この
メッキ処理装置は、パッケージ２の両側より延出されて
いる一対のリード３を両端に掛け渡した状態で載せられ
る開口６を有したスパージャー７と、このスパージャー
７上に載せられた半導体装置を上側より押さえる押し板
８と、リード３にマイナス電流を印加する通電治具９
と、スパージャー７内に配置されてリード３に向かって
メッキ液１０を噴出させるノズル１１等で構成されてい
る。そして、このメッキ処理装置では、半導体装置がス
パージャー７上に載せられ、押し板８で抑えられると、
リード３の上面が押し板８で覆われた状態で配置され
る。また、通電治具９にマイナス電流を印加すると同時
にノズル１１側にアノード電流を印加させ、メッキ液１
０をリード３に向かって噴流させる。すると、リード３
に噴流されたメッキ液１０が電解処理され、リード３に
半田厚メッキ４がなされる。
【００１９】なお、このジェット噴流方式による半田メ
ッキ方式では、液噴流速度によっても異なるが、１×１
０4Ａ／ｍ2以上の高電流密度の通電が可能であり、また
液噴流速度５ｍ／秒程度・１×１０4Ａ／ｍ2で電解処理
を行えば約６秒で６μｍのメッキ処理ができる。したが
って、３０〜５０μｍの半田厚メッキ４を行うのに従来
の方法では数十分掛かっていたのもこの方法によれば数
十秒で処理することができる。さらに、膜厚・成分のバ
ラツキも少なく、±1.5％以内で制御できる。
ッキ方式では、液噴流速度によっても異なるが、１×１
０4Ａ／ｍ2以上の高電流密度の通電が可能であり、また
液噴流速度５ｍ／秒程度・１×１０4Ａ／ｍ2で電解処理
を行えば約６秒で６μｍのメッキ処理ができる。したが
って、３０〜５０μｍの半田厚メッキ４を行うのに従来
の方法では数十分掛かっていたのもこの方法によれば数
十秒で処理することができる。さらに、膜厚・成分のバ
ラツキも少なく、±1.5％以内で制御できる。
【００２０】一方、上記「工程３」における半田薄半田
メッキ５では、図５に示したメッキ設備を使用して従来
と同じ方法でメッキ処理されることになる。しかし、こ
こでのメッキ処理は、防食用として３μｍ程度の全面メ
ッキで済むことになるので、従来６μｍ程度メッキして
いたのに比べて約半分の時間で処理できることになる。
メッキ５では、図５に示したメッキ設備を使用して従来
と同じ方法でメッキ処理されることになる。しかし、こ
こでのメッキ処理は、防食用として３μｍ程度の全面メ
ッキで済むことになるので、従来６μｍ程度メッキして
いたのに比べて約半分の時間で処理できることになる。
【００２１】なお、上記実施例では、リード３に半田厚
メッキ４を施した後に半田薄メッキ５を施す手順で説明
したが、半田薄メッキ５を施した後に表面実装側だけに
半田厚メッキ４を施す順番にしても差し支えないもので
ある。
メッキ４を施した後に半田薄メッキ５を施す手順で説明
したが、半田薄メッキ５を施した後に表面実装側だけに
半田厚メッキ４を施す順番にしても差し支えないもので
ある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置によれば、実装用の半田厚メッキを使用して基板
への表面実装が可能になるので、従来必要としていた基
板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処理等を用い
なくても表面実装が行え、作業工数を減らして作業性を
向上させることができる。また、基板に半田実装される
面側にだけ半田厚メッキをしているので、表面実装時の
ブリッジ発生率を低下させることができ、信頼性が向上
する。
体装置によれば、実装用の半田厚メッキを使用して基板
への表面実装が可能になるので、従来必要としていた基
板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処理等を用い
なくても表面実装が行え、作業工数を減らして作業性を
向上させることができる。また、基板に半田実装される
面側にだけ半田厚メッキをしているので、表面実装時の
ブリッジ発生率を低下させることができ、信頼性が向上
する。
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例をリード部
周辺を一部断面して示す側面図である。
周辺を一部断面して示す側面図である。
【図２】同上半導体装置のリードに半田メッキ処理を施
す処理手順を説明するための図である。
す処理手順を説明するための図である。
【図３】ジェット噴流方式による半田メッキ処理装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【図４】従来の半導体装置の一例をリード部周辺を一部
断面して示す側面図である。
断面して示す側面図である。
【図５】従来のラック方式による半田メッキ処理装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
１ 半導体装置 ２ パッケージ ３ リード ４ 半田厚メッキ ５ 半田薄メッキ
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体装置及びそのリードへの半田メ
ッキ方法並びに半田メッキ処理装置
ッキ方法並びに半田メッキ処理装置
【特許請求の範囲】
【諸求項２】 半導体装置のパッケージの側面より延出
されたリードに半田メッキを施す半田メッキ方法におい
て、 前記パッケージの両側よりに出されている一対のリード
を基板に実装される面側を下に向けて、この両端を開口
部に掛け渡した状態で配置するとともに、前記リードの
上面側を覆って押さえ、前記リードの下面に向かってメ
ッキ液を噴流させて、前記リードの下面に半田厚メッキ
を施す工程と、前記リード全体に薄メッキを施す工程と
を用いてなることを特徴とする半導体装置のリードへの
半田メッキ方法。
されたリードに半田メッキを施す半田メッキ方法におい
て、 前記パッケージの両側よりに出されている一対のリード
を基板に実装される面側を下に向けて、この両端を開口
部に掛け渡した状態で配置するとともに、前記リードの
上面側を覆って押さえ、前記リードの下面に向かってメ
ッキ液を噴流させて、前記リードの下面に半田厚メッキ
を施す工程と、前記リード全体に薄メッキを施す工程と
を用いてなることを特徴とする半導体装置のリードへの
半田メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パッケージの側面より
延出されたリードに半田メッキを施して成る半導体装置
及びそのリードへの半田メッキ方法並びに半田メッキ処
理装置に関するものである。
延出されたリードに半田メッキを施して成る半導体装置
及びそのリードへの半田メッキ方法並びに半田メッキ処
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体装置はＩＣチップを保護
するために、そのＩＣチップの全体を樹脂モールド等し
てなるパッケージで覆われ、このパッケージの側面より
リードが延出された状態になっている。また、このリー
ドは錆等の腐食を防ぐのに、表面全体に半田メッキ等の
処理がされる。
するために、そのＩＣチップの全体を樹脂モールド等し
てなるパッケージで覆われ、このパッケージの側面より
リードが延出された状態になっている。また、このリー
ドは錆等の腐食を防ぐのに、表面全体に半田メッキ等の
処理がされる。
【０００３】図４は、従来の半導体装置の一例をリード
部周辺を一部断面して示す側面図である。図４におい
て、この半導体装置５１では、パッケージ５２の側面よ
り複数のリード５３が延出され、このリード５３の全面
に防錆用の半田メッキ５４が約１０μｍ（「マイクロメ
ートル」以下同じ。）の厚さで略均一に施されている。
部周辺を一部断面して示す側面図である。図４におい
て、この半導体装置５１では、パッケージ５２の側面よ
り複数のリード５３が延出され、このリード５３の全面
に防錆用の半田メッキ５４が約１０μｍ（「マイクロメ
ートル」以下同じ。）の厚さで略均一に施されている。
【０００４】その従来の半田メッキは、例えば図５に示
すような半田メッキ装置を用いてなされている。すなわ
ち、この半田メッキ装置は、半田メッキ液５５を入れた
メッキ槽５６を備え、ラック６０にリード５３を掛けて
メッキ槽５６内の半田メッキ液５５に浸し、この状態で
カソードブスバー５７よりマイナス電流を印加すると同
時に、アノードスバー５８よりアノード電流を半田陽極
５９に印加し、電解処理してメッキを行うようになって
いる。
すような半田メッキ装置を用いてなされている。すなわ
ち、この半田メッキ装置は、半田メッキ液５５を入れた
メッキ槽５６を備え、ラック６０にリード５３を掛けて
メッキ槽５６内の半田メッキ液５５に浸し、この状態で
カソードブスバー５７よりマイナス電流を印加すると同
時に、アノードスバー５８よりアノード電流を半田陽極
５９に印加し、電解処理してメッキを行うようになって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半田メッキの方法では、高電流密度を印加することがメ
ッキ液５５の特性上不可能で、処理能力が低く、約１０
μｍの半田メッキ５４を施すのにも約１０分程の時間を
要している。このため生産性が悪いと言う問題点があっ
た。
半田メッキの方法では、高電流密度を印加することがメ
ッキ液５５の特性上不可能で、処理能力が低く、約１０
μｍの半田メッキ５４を施すのにも約１０分程の時間を
要している。このため生産性が悪いと言う問題点があっ
た。
【０００６】そこで、生産性を向上させるのに、ラック
５６に大量のリード５３を一度に掛けることも考えられ
るが、このようにすると膜厚・電着成分が均一となら
ず、基板への表面実装時などの後加工時には、膜厚の厚
い部分でブリッジが発生して短絡し易くなる問題があっ
た。
５６に大量のリード５３を一度に掛けることも考えられ
るが、このようにすると膜厚・電着成分が均一となら
ず、基板への表面実装時などの後加工時には、膜厚の厚
い部分でブリッジが発生して短絡し易くなる問題があっ
た。
【０００７】また、従来の半田メッキの方法を用いた半
導体装置では、メッキ処理をするのに多くの時間を要す
るので、生産性を考えると余り厚く半田メッキをするこ
とができない。さらに、この半田メッキ方法では、必要
とする部分だけ厚く半田メッキしたりすることができ
ず、リード表面の全体が略均一に半田メッキされること
になる。このため、各リード５３間の隙間がなくなり、
基板への表面実装時にブリッジ等が発生して短絡し易く
なる危険性がある。
導体装置では、メッキ処理をするのに多くの時間を要す
るので、生産性を考えると余り厚く半田メッキをするこ
とができない。さらに、この半田メッキ方法では、必要
とする部分だけ厚く半田メッキしたりすることができ
ず、リード表面の全体が略均一に半田メッキされること
になる。このため、各リード５３間の隙間がなくなり、
基板への表面実装時にブリッジ等が発生して短絡し易く
なる危険性がある。
【０００８】したがって、従来の半導体装置では、この
リード５３に設けた半田メッキ５４を、実装用の半田材
として使用することはしておらず、基板への表面実装に
は別途クリーム半田等を塗布して半田処理を行う方法が
採られている。このため、作業工数が多くなり、作業性
が悪いと言う問題点があった。
リード５３に設けた半田メッキ５４を、実装用の半田材
として使用することはしておらず、基板への表面実装に
は別途クリーム半田等を塗布して半田処理を行う方法が
採られている。このため、作業工数が多くなり、作業性
が悪いと言う問題点があった。
【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は基板の予備メッキやクリーム半田
等を塗布しなくても表面実装が可能な半導体装置及びそ
のリードへの半田メッキ方法並びに半田メッキ処理装置
を提供することにある。
のであり、その目的は基板の予備メッキやクリーム半田
等を塗布しなくても表面実装が可能な半導体装置及びそ
のリードへの半田メッキ方法並びに半田メッキ処理装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、パッケージの側面より延出されたリードの略
全面に半田メッキを施してなる半導体装置において、前
記リードの基板に表面実装される面側にだけ、防錆用の
半田薄メッキに加えて実装用の半田厚メッキを施して成
る構成としたものである。また、半導体装置のリードに
上記構造のように半田メッキを施す方怯としては、前記
パッケージの両側より延出されている一対のリードを基
板に実装される面側を下に向けて、この両端を開口部に
掛け渡した状態で配置するとともに、前記リードの上面
を覆って押さえ、前記リードの下面に向かってメッキ液
を噴流させて、前記リードの下面に半田厚メッキを施す
工程と、前記リード全体に薄メッキを施す工程とを用い
ることによって容易に達成することができる。この場
合、半田厚メッキを施す工程と半田薄メッキを施す工程
は、どちらの工程が先であっても良い。さらに、リード
の基板に実装される面に半田厚メッキを施す半田メッキ
処理装置としては、パッケージの両側より延出されてい
る一対のリードが基板に実施される面側を下に向けて、
この両端を掛け渡した状態で載せられる開口部を有した
スパージャーと、前記スパージャー上に載せられた半導
体装置を上側より押さえる押し板部材と、前記リードに
マイナス電流を印加する通電冶具と、前記スパージャー
内に配置されて前記リードの下面に向かってメッキ液を
噴流させるノズルとを備えることによって容易に達成す
ることができる。
本発明は、パッケージの側面より延出されたリードの略
全面に半田メッキを施してなる半導体装置において、前
記リードの基板に表面実装される面側にだけ、防錆用の
半田薄メッキに加えて実装用の半田厚メッキを施して成
る構成としたものである。また、半導体装置のリードに
上記構造のように半田メッキを施す方怯としては、前記
パッケージの両側より延出されている一対のリードを基
板に実装される面側を下に向けて、この両端を開口部に
掛け渡した状態で配置するとともに、前記リードの上面
を覆って押さえ、前記リードの下面に向かってメッキ液
を噴流させて、前記リードの下面に半田厚メッキを施す
工程と、前記リード全体に薄メッキを施す工程とを用い
ることによって容易に達成することができる。この場
合、半田厚メッキを施す工程と半田薄メッキを施す工程
は、どちらの工程が先であっても良い。さらに、リード
の基板に実装される面に半田厚メッキを施す半田メッキ
処理装置としては、パッケージの両側より延出されてい
る一対のリードが基板に実施される面側を下に向けて、
この両端を掛け渡した状態で載せられる開口部を有した
スパージャーと、前記スパージャー上に載せられた半導
体装置を上側より押さえる押し板部材と、前記リードに
マイナス電流を印加する通電冶具と、前記スパージャー
内に配置されて前記リードの下面に向かってメッキ液を
噴流させるノズルとを備えることによって容易に達成す
ることができる。
【００１１】
【作用】これによれば、リード全体に施された半田薄メ
ッキを防錆用とし、リードの下面に施された半田厚メッ
キ部分を表面実装時の半田として使用することができ
る。すなわち、半田厚メッキを実装用の半田メッキに使
用して基板への表面実装が可能になるので、従来必要と
していた基板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処
理等を用いなくても表面実装が行え、作業工数を減らす
ことができる。また、基板に半田実装される面側にだけ
半田厚メッキをしているので、表面実装時のブリッジ発
生率を低下させることができる。
ッキを防錆用とし、リードの下面に施された半田厚メッ
キ部分を表面実装時の半田として使用することができ
る。すなわち、半田厚メッキを実装用の半田メッキに使
用して基板への表面実装が可能になるので、従来必要と
していた基板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処
理等を用いなくても表面実装が行え、作業工数を減らす
ことができる。また、基板に半田実装される面側にだけ
半田厚メッキをしているので、表面実装時のブリッジ発
生率を低下させることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施例をリード部周辺を一部断面して示す側面図であ
る。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一
実施例をリード部周辺を一部断面して示す側面図であ
る。
【００１３】図１において、この半導体装置１では、図
示せぬＩＣチップが樹脂材をモールドしてなるパッケー
ジ２で覆われてなり、このパッケージ２の側面よりリー
ド３が延出された状態になっている。
示せぬＩＣチップが樹脂材をモールドしてなるパッケー
ジ２で覆われてなり、このパッケージ２の側面よりリー
ド３が延出された状態になっている。
【００１４】上記リード３には、図示せぬ基板に対して
表面実装される面側に約３０〜５０μｍの厚みをした半
田厚メッキ４が施され、さらにその外側から約３μｍの
厚みをした半田薄メッキ５が防錆用として施された状態
になっている。
表面実装される面側に約３０〜５０μｍの厚みをした半
田厚メッキ４が施され、さらにその外側から約３μｍの
厚みをした半田薄メッキ５が防錆用として施された状態
になっている。
【００１５】このように構成された半導体装置１では、
基板に表面実装する場合、半田厚メッキ４が施されたリ
ード面が基板の回路上に当接する状態で配置し、この状
態で半田厚メッキ４の部分を加熱して溶かすと、この半
田厚メッキ４の部分を従来における基板への予備半田処
理またはクリーム半田塗布処理の代用品として使用する
ことができる。したがって、従来必要としていたこれら
の処理を省くことができるので、作業性の向上が図れ
る。また、この構造の場合では、半田厚メッキ４は基板
に半田付される面にだけ設けているので、実装時に他の
部分にまで溶け出してブリッジが発生することもなく、
短絡事故をなくし、信頼性の向上が図れる。さらに、耐
腐食用として半田メッキされている半田薄メッキ５の厚
みを小さくすることができるので、これに伴って無駄な
メッキ材の使用を少なくすることができ、コストを下げ
ることができる。
基板に表面実装する場合、半田厚メッキ４が施されたリ
ード面が基板の回路上に当接する状態で配置し、この状
態で半田厚メッキ４の部分を加熱して溶かすと、この半
田厚メッキ４の部分を従来における基板への予備半田処
理またはクリーム半田塗布処理の代用品として使用する
ことができる。したがって、従来必要としていたこれら
の処理を省くことができるので、作業性の向上が図れ
る。また、この構造の場合では、半田厚メッキ４は基板
に半田付される面にだけ設けているので、実装時に他の
部分にまで溶け出してブリッジが発生することもなく、
短絡事故をなくし、信頼性の向上が図れる。さらに、耐
腐食用として半田メッキされている半田薄メッキ５の厚
みを小さくすることができるので、これに伴って無駄な
メッキ材の使用を少なくすることができ、コストを下げ
ることができる。
【００１６】次に、上記リード３に、上記半田厚メッキ
４および半田薄メッキ５を施す方法について説明する。
図２は、リード３に半田厚メッキ４と半田薄メッキ５を
施す工程１〜３を作業順に示しているものである。
（１）すなわち、「工程１］では、まだメッキ４，５が
されていない半導体装置が用意され、（２）「工程２」
ではリード３の表面実装される面に半田厚メッキ４が施
され、（３）「工程３」では半田薄メッキ５がリード３
の外表面全体に施される。
４および半田薄メッキ５を施す方法について説明する。
図２は、リード３に半田厚メッキ４と半田薄メッキ５を
施す工程１〜３を作業順に示しているものである。
（１）すなわち、「工程１］では、まだメッキ４，５が
されていない半導体装置が用意され、（２）「工程２」
ではリード３の表面実装される面に半田厚メッキ４が施
され、（３）「工程３」では半田薄メッキ５がリード３
の外表面全体に施される。
【００１７】また、「工程２」における半田厚メッキ４
では、ジェット噴流方式による半田メッキ処理が施され
る。
では、ジェット噴流方式による半田メッキ処理が施され
る。
【００１８】図３は、そのジェット噴流方式によるメッ
キ処理装置を概略的に示すものである。すなわち、この
メッキ処理装置は、パッケージ２の両側より延出されて
いる一対のリード３を両端に掛け渡した状態で載せられ
る開口６を有したスパージャー７と、このスパージャー
７上に載せられた半導体装置を上側より押さえる押し板
８と、リード３にマイナス電流を印加する通電治具９
と、スパージャー７内に配置されてリード３に向かって
メッキ液１０を噴出させるノズル１１等で構成されてい
る。そして、このメッキ処理装置では、半導体装置がス
パージャー７上に載せられ、押し板８で抑えられると、
リード３の上面が押し板８で覆われた状態で配置され
る。また、通電治具９にマイナス電流を印加すると同時
にノズル１１側にアノード電流を印加させ、メッキ液１
０をリード３に向かって噴流させる。すると、リード３
に噴流されたメッキ液１０が電解処理され、リード３に
半田厚メッキ４がなされる。
キ処理装置を概略的に示すものである。すなわち、この
メッキ処理装置は、パッケージ２の両側より延出されて
いる一対のリード３を両端に掛け渡した状態で載せられ
る開口６を有したスパージャー７と、このスパージャー
７上に載せられた半導体装置を上側より押さえる押し板
８と、リード３にマイナス電流を印加する通電治具９
と、スパージャー７内に配置されてリード３に向かって
メッキ液１０を噴出させるノズル１１等で構成されてい
る。そして、このメッキ処理装置では、半導体装置がス
パージャー７上に載せられ、押し板８で抑えられると、
リード３の上面が押し板８で覆われた状態で配置され
る。また、通電治具９にマイナス電流を印加すると同時
にノズル１１側にアノード電流を印加させ、メッキ液１
０をリード３に向かって噴流させる。すると、リード３
に噴流されたメッキ液１０が電解処理され、リード３に
半田厚メッキ４がなされる。
【００１９】なお、このジェット噴流方式による半田メ
ッキ方式では、液噴流速度によっても異なるが、１×１
０４Ａ／ｍ２以上の高電流密度の通電が可能であり、ま
た液噴流速度５ｍ／秒程度・１×１０４Ａ／ｍ２で電解
処理を行えば約６秒で６μｍのメッキ処理ができる。し
たがって、３０〜５０μｍの半田厚メッキ４を行うのに
従来の方法では数十分かかっていたのも、この方法によ
れば数十秒で処理することができる。さらに、膜厚・成
分のバラツキも少なく、±１．５％以内で制御できる。
ッキ方式では、液噴流速度によっても異なるが、１×１
０４Ａ／ｍ２以上の高電流密度の通電が可能であり、ま
た液噴流速度５ｍ／秒程度・１×１０４Ａ／ｍ２で電解
処理を行えば約６秒で６μｍのメッキ処理ができる。し
たがって、３０〜５０μｍの半田厚メッキ４を行うのに
従来の方法では数十分かかっていたのも、この方法によ
れば数十秒で処理することができる。さらに、膜厚・成
分のバラツキも少なく、±１．５％以内で制御できる。
【００２０】一方、上記「工程３」における半田薄半田
メッキ５では、図５に示したメッキ設備を使用して従来
と同じ方法でメッキ処理されることになる。しかし、こ
こでのメッキ処理は、防食用として３μｍ程度の全面メ
ッキで済むことになるので、従来６μｍ程度メッキして
いたのに比べて約半分の時間で処理できることになる。
メッキ５では、図５に示したメッキ設備を使用して従来
と同じ方法でメッキ処理されることになる。しかし、こ
こでのメッキ処理は、防食用として３μｍ程度の全面メ
ッキで済むことになるので、従来６μｍ程度メッキして
いたのに比べて約半分の時間で処理できることになる。
【００２１】なお、上記実施例では、リード３に半田厚
メッキ４を施した後に半田薄メッキ５を施す手順で説明
したが、半田薄メッキ５を施した後に表面実装側だけに
半田厚メッキ４を施す順番にしても差し支えないもので
ある。
メッキ４を施した後に半田薄メッキ５を施す手順で説明
したが、半田薄メッキ５を施した後に表面実装側だけに
半田厚メッキ４を施す順番にしても差し支えないもので
ある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置によれば、実装用の半田厚メッキを使用して基板
への表面実装が可能になるので、従来必要としていた基
板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処理等を用い
なくても表面実装が行え、作業工数を減らして作業性を
向上させることができる。また、基板に半田実装される
面側にだけ半田厚メッキをしているので、表面実装時の
ブリッジ発生率を低下させることができ、信頼性が向上
する。
体装置によれば、実装用の半田厚メッキを使用して基板
への表面実装が可能になるので、従来必要としていた基
板の予備半田処理や、クリーム半田の塗布処理等を用い
なくても表面実装が行え、作業工数を減らして作業性を
向上させることができる。また、基板に半田実装される
面側にだけ半田厚メッキをしているので、表面実装時の
ブリッジ発生率を低下させることができ、信頼性が向上
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例をリード部
周辺を一部断面して示す側面図である。
周辺を一部断面して示す側面図である。
【図２】同上半導体装置のリードに半田メッキ処理を施
す処理手順を説明するための図である。
す処理手順を説明するための図である。
【図３】ジェット噴流方式による半田メッキ処理装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【図４】従来の半導体装置の一例をリード部周辺を一部
断面して示す側面図である。
断面して示す側面図である。
【図５】従来のラック方式による半田メッキ処理装置の
一例を示す概略断面図である。
一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】 １ 半導体装置 ２ パッケージ ３ リード ４ 半田厚メッキ ５ 半田薄メッキ７ スパージャー ９ 通電冶具 １１ ノズル
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージの側面より延出されたリード
の略全面に半田メッキを施してなる半導体装置におい
て、 前記リードの基板に表面実装される面側にだけ、防錆用
の半田薄メッキに加えて実装用の半田厚メッキを施して
成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023363A JPH05190729A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4023363A JPH05190729A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190729A true JPH05190729A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12108488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4023363A Pending JPH05190729A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108666A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Techwin Co Ltd | 半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4023363A patent/JPH05190729A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108666A (ja) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Techwin Co Ltd | 半導体リードフレームと、それを備える半導体パッケージと、それをメッキする方法 |
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