JPH0519192A - 光走査装置 - Google Patents
光走査装置Info
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- JPH0519192A JPH0519192A JP19877591A JP19877591A JPH0519192A JP H0519192 A JPH0519192 A JP H0519192A JP 19877591 A JP19877591 A JP 19877591A JP 19877591 A JP19877591 A JP 19877591A JP H0519192 A JPH0519192 A JP H0519192A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光偏向器の反射鏡の膜構成及び反射鏡への入
射光束の偏光状態を適切に設定することにより被走査面
上を高精度に光走査することができる光走査装置を得る
こと。 【構成】 光源部１より出射した直線偏光の光束を光偏
向器４で偏向させた後、走査レンズ５を介して被走査面
６上に導光して光走査する光走査装置において、該光偏
向器は反射鏡の回転又は振動により光束を偏向してお
り、該反射鏡はＡｌを主成分とする材質より成り、その
偏向反射面上にはＡｌ2 Ｏ3 層が形成されており、該光
源部からの直線偏光の光束が該偏向反射面に対して略Ｐ
偏光の状態で入射するようにしたこと。
射光束の偏光状態を適切に設定することにより被走査面
上を高精度に光走査することができる光走査装置を得る
こと。 【構成】 光源部１より出射した直線偏光の光束を光偏
向器４で偏向させた後、走査レンズ５を介して被走査面
６上に導光して光走査する光走査装置において、該光偏
向器は反射鏡の回転又は振動により光束を偏向してお
り、該反射鏡はＡｌを主成分とする材質より成り、その
偏向反射面上にはＡｌ2 Ｏ3 層が形成されており、該光
源部からの直線偏光の光束が該偏向反射面に対して略Ｐ
偏光の状態で入射するようにしたこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光走査装置に関し、特に
感光体や静電記録体等の像担持体である被走査面を光走
査することにより、画像形成するようにした例えば電子
写真プロセスを有するレーザービームプリンターやカラ
ーレーザービームプリンター、マルチカラーレーザービ
ームプリンター等の装置に好適な光走査装置に関するも
のである。
感光体や静電記録体等の像担持体である被走査面を光走
査することにより、画像形成するようにした例えば電子
写真プロセスを有するレーザービームプリンターやカラ
ーレーザービームプリンター、マルチカラーレーザービ
ームプリンター等の装置に好適な光走査装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりレーザービームプリンター等の
光走査装置においては、特公昭６２−３６２１０号公報
で開示されているように回転多面鏡を介して像担持体面
上を光変調された光束（レーザ光束）で光走査すること
により画像情報の書き込みや読み出し等を行なってい
る。
光走査装置においては、特公昭６２−３６２１０号公報
で開示されているように回転多面鏡を介して像担持体面
上を光変調された光束（レーザ光束）で光走査すること
により画像情報の書き込みや読み出し等を行なってい
る。
【０００３】図８は従来の光走査装置の要部概略図であ
る。図８において半導体レーザ等の光源部１より出射し
た光束をコリメーターレンズ２により平行光束とし副走
査方向にのみ屈折力を持つシリンドリカルレンズ８３で
集光し、回転多面鏡等から成る光偏向器４の偏向反射面
４ａへ線状に入射させている。コリメーターレンズ２と
シリンドリカルレンズ８３は結像光学系を構成してい
る。該偏向反射面４ａで反射偏向させた光束を走査レン
ズ８７を構成する球面より成る負の屈折力のレンズ８７
ａと直交する２方向で互いに屈折力が異なるトーリック
面を有するレンズ８７ｂとに依って被走査面８９上に導
光しスポットを形成する。そして前記偏向器４を回転軸
８２を中心にモーター８５により矢印８６方向に回転さ
せることにより被走査面８９上における偏向走査面を矢
印９０方向（主走査方向）に光走査している。
る。図８において半導体レーザ等の光源部１より出射し
た光束をコリメーターレンズ２により平行光束とし副走
査方向にのみ屈折力を持つシリンドリカルレンズ８３で
集光し、回転多面鏡等から成る光偏向器４の偏向反射面
４ａへ線状に入射させている。コリメーターレンズ２と
シリンドリカルレンズ８３は結像光学系を構成してい
る。該偏向反射面４ａで反射偏向させた光束を走査レン
ズ８７を構成する球面より成る負の屈折力のレンズ８７
ａと直交する２方向で互いに屈折力が異なるトーリック
面を有するレンズ８７ｂとに依って被走査面８９上に導
光しスポットを形成する。そして前記偏向器４を回転軸
８２を中心にモーター８５により矢印８６方向に回転さ
せることにより被走査面８９上における偏向走査面を矢
印９０方向（主走査方向）に光走査している。
【０００４】回転多面鏡には多くの場合、材質としてア
ルミニウム（Ａｌ）、プラスチック、ガラス等が用いら
れている。そしてその反射面に蒸着膜を施すことによっ
て反射率を増加させたり、表面の酸化を防止している。
ルミニウム（Ａｌ）、プラスチック、ガラス等が用いら
れている。そしてその反射面に蒸着膜を施すことによっ
て反射率を増加させたり、表面の酸化を防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】光走査装置に用いてい
る半導体レーザは、一般的にその構造より直線偏光の光
束を放射している。そして該光束の発散角度は偏光方向
とそれと直交方向では異なっている。
る半導体レーザは、一般的にその構造より直線偏光の光
束を放射している。そして該光束の発散角度は偏光方向
とそれと直交方向では異なっている。
【０００６】又、感光体面上を光走査して画像情報を形
成する際、特開昭５２−１１９３３１号公報に開示され
ているように、光偏向器により光束が走査される主走査
方向のスポット径を副走査方向（光軸を含み前記主走査
方向に直交する方向）のスポット径より小さく設定した
方が画質が良くなる。
成する際、特開昭５２−１１９３３１号公報に開示され
ているように、光偏向器により光束が走査される主走査
方向のスポット径を副走査方向（光軸を含み前記主走査
方向に直交する方向）のスポット径より小さく設定した
方が画質が良くなる。
【０００７】上記２つの要件を考慮した場合、後述する
図１に示した開口絞り３が円形開口絞りの場合、半導体
レーザの発散角度の大きい方向（レーザの接合面に直交
する方向）を走査方向に設定すればスポット径を小さく
絞り込めることや、矩形、楕円の開口絞りの場合、レー
ザの利用効率を考えると有利である為に、この方向で使
用されてきた。
図１に示した開口絞り３が円形開口絞りの場合、半導体
レーザの発散角度の大きい方向（レーザの接合面に直交
する方向）を走査方向に設定すればスポット径を小さく
絞り込めることや、矩形、楕円の開口絞りの場合、レー
ザの利用効率を考えると有利である為に、この方向で使
用されてきた。
【０００８】即ち、レーザー光源を用いて被走査面上で
副走査方向に長いスポット形状の光束となるようにレー
ザ光源を配置するとレーザ光源の性質上、放射される光
束の偏光面が副走査方向に振動する光束となってくる。
この光束は光偏向器の偏向反射面に対してＳ偏光として
入射するようになる。
副走査方向に長いスポット形状の光束となるようにレー
ザ光源を配置するとレーザ光源の性質上、放射される光
束の偏光面が副走査方向に振動する光束となってくる。
この光束は光偏向器の偏向反射面に対してＳ偏光として
入射するようになる。
【０００９】多くの場合、光偏向器としての回転多面鏡
の反射面には真空蒸着法によって反射増加膜等を付けて
いる為に、その製造誤差による膜厚の違いや製造方法に
よる部分的な膜厚の違いが反射特性のばらつきとなって
くる。
の反射面には真空蒸着法によって反射増加膜等を付けて
いる為に、その製造誤差による膜厚の違いや製造方法に
よる部分的な膜厚の違いが反射特性のばらつきとなって
くる。
【００１０】この為に高精度の蒸着設備を必要とした
り、多層膜構成にして基本の反射率を上げることにより
影響を小さくしたり特殊な蒸着方法で行なったりする必
要があった。この為コストアップになったり膜の自由度
を下げる要因となっていた。特に偏向反射面に対してＳ
偏光で入射させる場合には膜厚の誤差に対する反射率の
入射角依存性が大きくなるという問題点があった。
り、多層膜構成にして基本の反射率を上げることにより
影響を小さくしたり特殊な蒸着方法で行なったりする必
要があった。この為コストアップになったり膜の自由度
を下げる要因となっていた。特に偏向反射面に対してＳ
偏光で入射させる場合には膜厚の誤差に対する反射率の
入射角依存性が大きくなるという問題点があった。
【００１１】本発明はレーザ光源からの偏光光束が光偏
向器の偏向反射面にＰ偏光となるように入射させ、これ
により光偏向器の材質にアルミニウムを用いたときに、
その反射面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形
成し、反射率の向上を図ったときに酸化アルミニウムの
膜厚のバラツキによる反射率の変動や入射角度による反
射率の変動等を少なくし被走査面上を均一な光量の光束
で高精度に光走査することができる光走査装置の提供を
目的とする。
向器の偏向反射面にＰ偏光となるように入射させ、これ
により光偏向器の材質にアルミニウムを用いたときに、
その反射面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形
成し、反射率の向上を図ったときに酸化アルミニウムの
膜厚のバラツキによる反射率の変動や入射角度による反
射率の変動等を少なくし被走査面上を均一な光量の光束
で高精度に光走査することができる光走査装置の提供を
目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光走査装置は、
光源部より出射した直線偏光の光束を光偏向器で偏向さ
せた後、走査レンズを介して被走査面上に導光して光走
査する光走査装置において、該光偏向器は反射鏡の回転
又は振動により光束を偏向しており、該反射鏡はＡｌを
主成分とする材質より成り、その偏向反射面上にはＡｌ
2 Ｏ3 層が形成されており、該光源部からの直線偏光の
光束が該偏向反射面に対して略Ｐ偏光の状態で入射する
ようにしたことを特徴としている。
光源部より出射した直線偏光の光束を光偏向器で偏向さ
せた後、走査レンズを介して被走査面上に導光して光走
査する光走査装置において、該光偏向器は反射鏡の回転
又は振動により光束を偏向しており、該反射鏡はＡｌを
主成分とする材質より成り、その偏向反射面上にはＡｌ
2 Ｏ3 層が形成されており、該光源部からの直線偏光の
光束が該偏向反射面に対して略Ｐ偏光の状態で入射する
ようにしたことを特徴としている。
【００１３】特に本発明では、前記反射面に設けたＡｌ
2 Ｏ3層の光学膜厚ｎｄの範囲は前記光源部からの光束
の波長をλとしたとき、λ／１１．１〜λ／５．０ある
いはλ／４．１１〜λ／２．８９あるいはλ／１．７３
〜λ／１．４７あるいはλ／１．２８〜λ／１．２０で
あることや、前記偏向反射面に設けたＡｌ2 Ｏ3 層は陽
極酸化法により形成したものであることや、前記光源部
は半導体レーザを有し、主走査断面内における該半導体
レーザの発光側の実効的Ｆナンバーが４以上となるよう
にしたこと等を特徴としている。
2 Ｏ3層の光学膜厚ｎｄの範囲は前記光源部からの光束
の波長をλとしたとき、λ／１１．１〜λ／５．０ある
いはλ／４．１１〜λ／２．８９あるいはλ／１．７３
〜λ／１．４７あるいはλ／１．２８〜λ／１．２０で
あることや、前記偏向反射面に設けたＡｌ2 Ｏ3 層は陽
極酸化法により形成したものであることや、前記光源部
は半導体レーザを有し、主走査断面内における該半導体
レーザの発光側の実効的Ｆナンバーが４以上となるよう
にしたこと等を特徴としている。
【００１４】
【実施例】図１は本発明をレーザービームプリンターに
適用したときの実施例１の要部概略図であり、偏向面
（偏向器の偏向反射面で偏向された光束が経時的に形成
する光線束面）に平行な主走査断面内での機能を説明す
るための図である。
適用したときの実施例１の要部概略図であり、偏向面
（偏向器の偏向反射面で偏向された光束が経時的に形成
する光線束面）に平行な主走査断面内での機能を説明す
るための図である。
【００１５】図１において光源部１（例えば半導体レー
ザー等）より出射した発散光束（光ビーム）はコリメー
ターレンズ２によって平行光束とし、絞り３を介して偏
光方向が主走査断面（後述する光偏向器４で偏向される
光束によって形成される平面）内と平行となるようにし
て回転多面鏡より成る光偏向器４の偏向反射面４ａにＰ
偏光の光束として入射させている。
ザー等）より出射した発散光束（光ビーム）はコリメー
ターレンズ２によって平行光束とし、絞り３を介して偏
光方向が主走査断面（後述する光偏向器４で偏向される
光束によって形成される平面）内と平行となるようにし
て回転多面鏡より成る光偏向器４の偏向反射面４ａにＰ
偏光の光束として入射させている。
【００１６】即ち、回転多面鏡の偏向反射面における入
射光束がＰ偏光、偏光方向が反射断面（入射光、反射
光、屈折光が含まれる平面）に平行である。言い換えれ
ば半導体レーザから出射し回転多面鏡に入射する光束の
偏光方向は偏向面に対し平行である。
射光束がＰ偏光、偏光方向が反射断面（入射光、反射
光、屈折光が含まれる平面）に平行である。言い換えれ
ば半導体レーザから出射し回転多面鏡に入射する光束の
偏光方向は偏向面に対し平行である。
【００１７】偏向反射面４ａに入射した光束は偏向反射
面４ａで反射偏向されｆ−θ特性を有する走査レンズ５
に入射している。走査レンズ５に入射した光束は集光さ
れ被走査面６上に光スポットを形成する。そして光偏向
器４を、回転軸４ｂを軸に矢印４ｃの方向にモータによ
り回転させることにより被走査面６の主走査面上を矢印
６ａのように光走査している。
面４ａで反射偏向されｆ−θ特性を有する走査レンズ５
に入射している。走査レンズ５に入射した光束は集光さ
れ被走査面６上に光スポットを形成する。そして光偏向
器４を、回転軸４ｂを軸に矢印４ｃの方向にモータによ
り回転させることにより被走査面６の主走査面上を矢印
６ａのように光走査している。
【００１８】本実施例において有効な光ビームの走査角
を図中に示すように２ωとする。偏向走査された光ビー
ムはｆ−θレンズ５によってｆ−θ特性を補正され、走
査面６上に結像され、直線状に走査されることになる。
を図中に示すように２ωとする。偏向走査された光ビー
ムはｆ−θレンズ５によってｆ−θ特性を補正され、走
査面６上に結像され、直線状に走査されることになる。
【００１９】ここで回転多面鏡４に入射する前の光ビー
ムと有効偏向角（走査角）２ωの中心とが成す角度を図
１のようにαと規定する。
ムと有効偏向角（走査角）２ωの中心とが成す角度を図
１のようにαと規定する。
【００２０】ここで有効走査内での回転多面鏡４の偏向
反射面４ａの法線に対する光ビームの入射角及び反射角
は回転多面鏡の回転とともに変化し、その変化する範囲
は （α−ε）／２〜（α＋ε）／２ と書くことができる。ここで回転多面鏡の面数を６面、
ε＝４５°、α＝６５°とすると、図２に示されるよう
な偏向反射面に対する入射角θは１０°〜５５°とこの
間で角度が変化することになる。
反射面４ａの法線に対する光ビームの入射角及び反射角
は回転多面鏡の回転とともに変化し、その変化する範囲
は （α−ε）／２〜（α＋ε）／２ と書くことができる。ここで回転多面鏡の面数を６面、
ε＝４５°、α＝６５°とすると、図２に示されるよう
な偏向反射面に対する入射角θは１０°〜５５°とこの
間で角度が変化することになる。
【００２１】ここで実施例１の半導体レーザーは直線偏
光しており、回転多面鏡の偏向反射面に対してはＰの偏
向成分で入射している。
光しており、回転多面鏡の偏向反射面に対してはＰの偏
向成分で入射している。
【００２２】従って半導体レーザーの発散角度（ＦＦ
Ｐ）の狭い方向の角度θ11が主走査方向になる。開口絞
り３に対する主走査方向のコリメーターレンズ２のＦナ
ンバーＦＮｏは５．５に設定している。又回転多面鏡４
はその材質が主にアルミニウムで構成され、その鏡面部
（反射面）の表面には酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 の膜
が形成されており、その光学膜厚は１０８ｎｍに設定し
ている。
Ｐ）の狭い方向の角度θ11が主走査方向になる。開口絞
り３に対する主走査方向のコリメーターレンズ２のＦナ
ンバーＦＮｏは５．５に設定している。又回転多面鏡４
はその材質が主にアルミニウムで構成され、その鏡面部
（反射面）の表面には酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 の膜
が形成されており、その光学膜厚は１０８ｎｍに設定し
ている。
【００２３】図３に回転多面鏡の使用される入射角度１
０°〜５５°の範囲における偏向反射面の反射率の角度
依存性の計算値を示す。同図に示すように本実施例では
角度依存性が約０．３％と良好な性能を示している。又
膜厚の変化に対する反射率の変化の様子は比較的ゆるや
かである。比較の為図４にＰ偏光における入射角の最
大、最小及び中心での膜厚の変化に対する反射面の反射
率のそれぞれの変化の様子を示す。
０°〜５５°の範囲における偏向反射面の反射率の角度
依存性の計算値を示す。同図に示すように本実施例では
角度依存性が約０．３％と良好な性能を示している。又
膜厚の変化に対する反射率の変化の様子は比較的ゆるや
かである。比較の為図４にＰ偏光における入射角の最
大、最小及び中心での膜厚の変化に対する反射面の反射
率のそれぞれの変化の様子を示す。
【００２４】同じ条件での偏向反射面にＳ偏光で使用し
た場合の膜厚の変化に対する反射率の変化の様子を図５
に示す。曲線の変化の様子より明らかなように反射率の
角度依存性が小さくなる所は膜厚が１６３ｎｍと２８６
ｎｍ付近に存在するが膜厚に対する反射率の変化が図４
で示したＰ偏光で使用した方が小さい。
た場合の膜厚の変化に対する反射率の変化の様子を図５
に示す。曲線の変化の様子より明らかなように反射率の
角度依存性が小さくなる所は膜厚が１６３ｎｍと２８６
ｎｍ付近に存在するが膜厚に対する反射率の変化が図４
で示したＰ偏光で使用した方が小さい。
【００２５】半導体レーザーを光偏向器の偏向反射面に
対してＰ偏光で使用した場合、半導体レーザーの発光部
より発散される角度（ＦＦＰ角度）は狭い方向に設定す
ることになる。ＦＦＰ角度がバラツキ、開口絞り上の光
量分布の比率が変化すると走査面上のスポット径が変化
する。この為に主走査方向の半導体レーザーのＦＦＰ角
度が７°〜２０°（最大光量に対して５０％になる角
度）の範囲では、半導体レーザー側の主走査方向のＦナ
ンバーを４以上に設定することにより走査面上の主走査
方向のスポットがＦＦＰ角度によって変化するのを軽減
している。
対してＰ偏光で使用した場合、半導体レーザーの発光部
より発散される角度（ＦＦＰ角度）は狭い方向に設定す
ることになる。ＦＦＰ角度がバラツキ、開口絞り上の光
量分布の比率が変化すると走査面上のスポット径が変化
する。この為に主走査方向の半導体レーザーのＦＦＰ角
度が７°〜２０°（最大光量に対して５０％になる角
度）の範囲では、半導体レーザー側の主走査方向のＦナ
ンバーを４以上に設定することにより走査面上の主走査
方向のスポットがＦＦＰ角度によって変化するのを軽減
している。
【００２６】Ａｌの偏向反射面上に蒸着するＡｌ2 Ｏ3
の膜厚ｄとしては図４に示すように実施例１の場合は１
０８ｎｍ（０．１４λ、λ＝７８０ｎｍ）である。偏向
反射面に対する入射角の条件として図１の角度α、ωで
通常良く使われる範囲α＝４０°〜９０°、ω＝２５°
〜６０°では反射面の法線に対する入射角は０°〜７５
°の範囲の中の一部で使用される。これより酸化アルミ
ニウムＡｌ2 Ｏ3 膜の光学膜厚の厚みをλ／１１．１〜
λ／５．０（λ：使用波長）の範囲に設定することによ
り反射率の入射角依存性が小さく、かつ膜厚のバラツキ
に対する反射特性の変化の影響を小さくしている。尚、
光学膜厚が４０ｎｍ以下になるとＡｌ2Ｏ3 の保護膜と
しての効果が弱まってくる為に４０ｎｍ以上の膜厚で使
用するのが望ましい。
の膜厚ｄとしては図４に示すように実施例１の場合は１
０８ｎｍ（０．１４λ、λ＝７８０ｎｍ）である。偏向
反射面に対する入射角の条件として図１の角度α、ωで
通常良く使われる範囲α＝４０°〜９０°、ω＝２５°
〜６０°では反射面の法線に対する入射角は０°〜７５
°の範囲の中の一部で使用される。これより酸化アルミ
ニウムＡｌ2 Ｏ3 膜の光学膜厚の厚みをλ／１１．１〜
λ／５．０（λ：使用波長）の範囲に設定することによ
り反射率の入射角依存性が小さく、かつ膜厚のバラツキ
に対する反射特性の変化の影響を小さくしている。尚、
光学膜厚が４０ｎｍ以下になるとＡｌ2Ｏ3 の保護膜と
しての効果が弱まってくる為に４０ｎｍ以上の膜厚で使
用するのが望ましい。
【００２７】アルミニウムの表面に酸化アルミニウムを
成膜する方法としては真空蒸着法による方法が一般的で
あるが、本実施例においては陽極酸化法による成膜が好
ましい。陽極酸化法は、上記に示した範囲のような２０
０ｎｍ以下の成膜が原理的にも成膜時間よりコストを考
えた場合に効果が大きい。陽極酸化法の場合、成膜する
時に反射鏡の形状や多量生産する場合には多数個ワーク
を配置すると部分的に電流密度のムラが発生することに
より、膜厚がシフトしたり膜厚の勾配が発生するが、こ
のような方法にも適用することが可能である次に本発明
の実施例２としての諸数値を示す。構成は図１の実施例
と同じである。本実施例では図１の各要素の配置におい
てα＝９０°、ω＝５４°、波長λ＝７８０ｎｍ、反射
鏡４ａへの入射角範囲は１８°〜７２°、反射鏡の材質
はＡｌであり、反射面にはＡｌ2 Ｏ3 を蒸着し、このと
きの光学膜厚は９０ｎｍ（０．１１５λ）としている。
本実施例におけるＰ偏光の反射率の角度依存性を図６に
示す。
成膜する方法としては真空蒸着法による方法が一般的で
あるが、本実施例においては陽極酸化法による成膜が好
ましい。陽極酸化法は、上記に示した範囲のような２０
０ｎｍ以下の成膜が原理的にも成膜時間よりコストを考
えた場合に効果が大きい。陽極酸化法の場合、成膜する
時に反射鏡の形状や多量生産する場合には多数個ワーク
を配置すると部分的に電流密度のムラが発生することに
より、膜厚がシフトしたり膜厚の勾配が発生するが、こ
のような方法にも適用することが可能である次に本発明
の実施例２としての諸数値を示す。構成は図１の実施例
と同じである。本実施例では図１の各要素の配置におい
てα＝９０°、ω＝５４°、波長λ＝７８０ｎｍ、反射
鏡４ａへの入射角範囲は１８°〜７２°、反射鏡の材質
はＡｌであり、反射面にはＡｌ2 Ｏ3 を蒸着し、このと
きの光学膜厚は９０ｎｍ（０．１１５λ）としている。
本実施例におけるＰ偏光の反射率の角度依存性を図６に
示す。
【００２８】図７にＰ偏光における陽極酸化膜の光学膜
厚（ｎｄ）の変化に対する偏向反射面の反射率のそれぞ
れの変化の様子を示す。縦軸はＰ成分の反射率Ｒｐ、横
軸は陽極酸化膜の光学膜厚（ｎｄ）である。
厚（ｎｄ）の変化に対する偏向反射面の反射率のそれぞ
れの変化の様子を示す。縦軸はＰ成分の反射率Ｒｐ、横
軸は陽極酸化膜の光学膜厚（ｎｄ）である。
【００２９】ここで、Ｐ偏光成分反射率のバラツキが５
％の領域に入っている光学膜厚（ｎｄ）の範囲は７０ｎ
ｍ〜１５６ｎｍ（λ／１１．１〜λ／５．０）あるいは
１９０ｎｍ〜２７０ｎｍ（λ／４．１１〜λ／２．８
９）あるいは４５１ｎｍ〜５３１ｎｍ（λ／１．７３〜
λ／１．４７）あるいは６０９ｎｍ〜６５０ｎｍ（λ／
１．２８〜λ／１．２０）である。
％の領域に入っている光学膜厚（ｎｄ）の範囲は７０ｎ
ｍ〜１５６ｎｍ（λ／１１．１〜λ／５．０）あるいは
１９０ｎｍ〜２７０ｎｍ（λ／４．１１〜λ／２．８
９）あるいは４５１ｎｍ〜５３１ｎｍ（λ／１．７３〜
λ／１．４７）あるいは６０９ｎｍ〜６５０ｎｍ（λ／
１．２８〜λ／１．２０）である。
【００３０】更に、Ｐ偏光成分反射率のバラツキが３％
の領域に入っている光学膜厚（ｎｄ）の範囲は８３ｎｍ
〜１１０ｎｍ（λ／９．４〜λ／７．０９）あるいは２
１６ｎｍ〜２４３ｎｍ（λ／３．６１〜λ／３．２１）
あるいは４７９ｎｍ〜５１０ｎｍ（λ／１．６３〜λ／
１．５３）である。
の領域に入っている光学膜厚（ｎｄ）の範囲は８３ｎｍ
〜１１０ｎｍ（λ／９．４〜λ／７．０９）あるいは２
１６ｎｍ〜２４３ｎｍ（λ／３．６１〜λ／３．２１）
あるいは４７９ｎｍ〜５１０ｎｍ（λ／１．６３〜λ／
１．５３）である。
【００３１】以上、光偏向器として回転多面鏡を例に説
明したが、例えばガルバノミラーのように１面のみのミ
ラーに関しても同様に適応できる。
明したが、例えばガルバノミラーのように１面のみのミ
ラーに関しても同様に適応できる。
【００３２】上述した実施例に示される本発明の光偏向
器によれば、レーザ光源からの直線偏光の光束が光偏向
器の偏向反射面にＰ偏光となるように入射させ、これに
より光偏向器の材質にアルミニウムを用いたときに、そ
の反射面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形成
し、反射率の向上を図ったときに、酸化アルミニウムの
膜厚のバラツキによる反射率の変動や入射角度による反
射率の変動等を少なくし、被走査面上を均一な光量の光
束で高精度に走査することができる光走査装置を達成す
ることができる。
器によれば、レーザ光源からの直線偏光の光束が光偏向
器の偏向反射面にＰ偏光となるように入射させ、これに
より光偏向器の材質にアルミニウムを用いたときに、そ
の反射面に酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形成
し、反射率の向上を図ったときに、酸化アルミニウムの
膜厚のバラツキによる反射率の変動や入射角度による反
射率の変動等を少なくし、被走査面上を均一な光量の光
束で高精度に走査することができる光走査装置を達成す
ることができる。
【００３３】このＰ偏光入射の場合、酸化アルミニウム
の光学膜厚（ｎｄ）の範囲は７０ｎｍ〜１５６ｎｍ（λ
／１１．１〜λ／５．０）あるいは１９０ｎｍ〜２７０
ｎｍ（λ／４．１１〜λ／２．８９）あるいは４５１ｎ
ｍ〜５３１ｎｍ（λ／１．７３〜λ／１．４７）あるい
は６０９ｎｍ〜６５０ｎｍ（λ／１．２８〜λ／１．２
０）である。
の光学膜厚（ｎｄ）の範囲は７０ｎｍ〜１５６ｎｍ（λ
／１１．１〜λ／５．０）あるいは１９０ｎｍ〜２７０
ｎｍ（λ／４．１１〜λ／２．８９）あるいは４５１ｎ
ｍ〜５３１ｎｍ（λ／１．７３〜λ／１．４７）あるい
は６０９ｎｍ〜６５０ｎｍ（λ／１．２８〜λ／１．２
０）である。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば前述の如くレーザ光源か
らの偏光光束が光偏向器の偏向反射面にＰ偏光となるよ
うに入射させ、これにより光偏向器の材質にアルミニウ
ムを用いたときに、その偏向反射面に酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形成し、反射率の向上を図ったと
きに酸化アルミニウムの膜厚のバラツキによる反射率の
変動や入射角度による反射率の変動等を少なくし被走査
面上を均一な光量の光束で高精度に光走査することがで
きる光走査装置を達成することができる。
らの偏光光束が光偏向器の偏向反射面にＰ偏光となるよ
うに入射させ、これにより光偏向器の材質にアルミニウ
ムを用いたときに、その偏向反射面に酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜を形成し、反射率の向上を図ったと
きに酸化アルミニウムの膜厚のバラツキによる反射率の
変動や入射角度による反射率の変動等を少なくし被走査
面上を均一な光量の光束で高精度に光走査することがで
きる光走査装置を達成することができる。
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 入射角と反射角の説明図
【図３】 本発明に係る反射面の入射角に対する反射率
特性の説明図
特性の説明図
【図４】 本発明に係る反射面の膜厚変化に対する反射
率特性の説明図
率特性の説明図
【図５】 Ｓ偏光の膜厚変化に対する反射率特性の説明
図
図
【図６】 本発明の実施例２に係る反射面の入射角に対
する反射率特性の説明図
する反射率特性の説明図
【図７】 Ｐ偏光の膜厚変化に対する反射率特性の説明
図
図
【図８】 従来の光走査装置の要部概略図
１ 光源部
２ コリメーターレンズ
３ 絞り
４ 光偏向器
５ 走査レンズ
６ 被走査面
４ａ 偏向反射面
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 東小薗 司朗
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ
ノン株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 光源部より出射した直線偏光の光束を光
偏向器で偏向させた後、走査レンズを介して被走査面上
に導光して光走査する光走査装置において、該光偏向器
は反射鏡の回転又は振動により光束を偏向しており、該
反射鏡はＡｌを主成分とする材質より成り、その偏向反
射面上にはＡｌ2 Ｏ3 層が形成されており、該光源部か
らの直線偏光の光束が該偏向反射面に対して略Ｐ偏光の
状態で入射するようにしたことを特徴とする光走査装
置。 - 【請求項２】 前記反射面に設けたＡｌ2 Ｏ3 層の光学
膜厚ｎｄの範囲は前記光源部からの光束の波長をλとし
たとき、λ／１１．１〜λ／５．０あるいはλ／４．１
１〜λ／２．８９あるいはλ／１．７３〜λ／１．４７
あるいはλ／１．２８〜λ／１．２０であることを特徴
とする請求項１の光走査装置。 - 【請求項３】 前記偏向反射面に設けたＡｌ2 Ｏ3 層は
陽極酸化法により形成したものであることを特徴とする
請求項１の光走査装置。 - 【請求項４】 前記光源部は半導体レーザを有し、主走
査断面内における該半導体レーザの発光側の実効的Ｆナ
ンバーが４以上となるようにしたことを特徴とする請求
項１の光走査装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19877591A JP2979754B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 光走査装置 |
| DE69124859T DE69124859T2 (de) | 1990-07-26 | 1991-07-25 | Lichtablenker |
| EP91112514A EP0468502B1 (en) | 1990-07-26 | 1991-07-25 | Light deflector |
| US08/474,969 US5604620A (en) | 1990-07-26 | 1995-06-07 | Light deflector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19877591A JP2979754B2 (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 光走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519192A true JPH0519192A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2979754B2 JP2979754B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16396723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19877591A Expired - Lifetime JP2979754B2 (ja) | 1990-07-26 | 1991-07-12 | 光走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979754B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847389B2 (en) | 2003-05-02 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical beam scanning device and image forming apparatus |
| JP2010266866A (ja) * | 2010-05-24 | 2010-11-25 | Canon Inc | ポリゴンミラー、光走査装置ならびに電子写真装置 |
| JP2023034385A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | キヤノン株式会社 | 光走査装置及び画像形成装置 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP19877591A patent/JP2979754B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847389B2 (en) | 2003-05-02 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical beam scanning device and image forming apparatus |
| US7095431B2 (en) | 2003-05-02 | 2006-08-22 | Takashi Shiraishi | Optical beam scanning device and image forming apparatus |
| US7304659B2 (en) | 2003-05-02 | 2007-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical beam scanning device and image forming apparatus |
| JP2010266866A (ja) * | 2010-05-24 | 2010-11-25 | Canon Inc | ポリゴンミラー、光走査装置ならびに電子写真装置 |
| JP2023034385A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | キヤノン株式会社 | 光走査装置及び画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2979754B2 (ja) | 1999-11-15 |
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