JPH0519220A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPH0519220A JPH0519220A JP3173706A JP17370691A JPH0519220A JP H0519220 A JPH0519220 A JP H0519220A JP 3173706 A JP3173706 A JP 3173706A JP 17370691 A JP17370691 A JP 17370691A JP H0519220 A JPH0519220 A JP H0519220A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 進行波型光変調素子において、光波と変調波
との伝搬速度差を減少させ、変調効率および変調帯域幅
を増大させる。 【構成】 誘電率の小さな基板１１上に電気光学効果を
有する薄膜１２を形成し、薄膜１２の中央付近に溝１３
を作製する。次に、薄膜１２に光導波路１５を形成し、
薄膜１２上に溝１３を挟むように１対の金属あるいは超
伝導体でできた進行波型電極１４を形成する。 【作用】 進行波型電極１４を伝搬する変調波の実効誘
電率が減少するため、変調波の伝搬速度が増加し、変調
波と導波路１５中の光波との伝搬速度差が減少する。そ
のため、変調帯域幅が増大し、さらに変調効率が増し、
駆動電圧を低減できる。特に、超伝導体を進行波型電極
１４に用いたときの効果は大きい。
との伝搬速度差を減少させ、変調効率および変調帯域幅
を増大させる。 【構成】 誘電率の小さな基板１１上に電気光学効果を
有する薄膜１２を形成し、薄膜１２の中央付近に溝１３
を作製する。次に、薄膜１２に光導波路１５を形成し、
薄膜１２上に溝１３を挟むように１対の金属あるいは超
伝導体でできた進行波型電極１４を形成する。 【作用】 進行波型電極１４を伝搬する変調波の実効誘
電率が減少するため、変調波の伝搬速度が増加し、変調
波と導波路１５中の光波との伝搬速度差が減少する。そ
のため、変調帯域幅が増大し、さらに変調効率が増し、
駆動電圧を低減できる。特に、超伝導体を進行波型電極
１４に用いたときの効果は大きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導波路形光変調素子に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気光学結晶などを用いたいわゆる外部
型光変調器は、従来の半導体レーザの直接変調に比べ
て、はるかに高速、広帯域の光変調が可能であることが
知られている。
型光変調器は、従来の半導体レーザの直接変調に比べ
て、はるかに高速、広帯域の光変調が可能であることが
知られている。
【０００３】このような外部型光変調器をさらに高周波
域で動作させる際に、光の走行時間が変調信号の１周期
に比べて無視できない程の周波数（概ね，１ＧＨｚを越
える程度の周波数領域）では、変調用電極として進行波
型構造がよく利用される。このような進行波型光変調器
では変調波と光とを同一方向に伝搬させるために、通常
の変調方式に比べて高周波域まで比較的高効率な変調が
可能である。さらに、変調波と光波との速度が一致（速
度整合）しているならば、電極長を長くすることによっ
て変調効率を上げることができ、また、理想的には帯域
幅に制限のない光変調素子が実現できる。
域で動作させる際に、光の走行時間が変調信号の１周期
に比べて無視できない程の周波数（概ね，１ＧＨｚを越
える程度の周波数領域）では、変調用電極として進行波
型構造がよく利用される。このような進行波型光変調器
では変調波と光とを同一方向に伝搬させるために、通常
の変調方式に比べて高周波域まで比較的高効率な変調が
可能である。さらに、変調波と光波との速度が一致（速
度整合）しているならば、電極長を長くすることによっ
て変調効率を上げることができ、また、理想的には帯域
幅に制限のない光変調素子が実現できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般に
は、電気光学材料のマイクロ波周波数域での誘電率は非
常に大きく、そのため、進行波電極によって伝搬する変
調波の速度ｖmと導波路中を伝搬する光の速度ｖlとの間
には大きな差が生じる。この速度差δｖ＝ｖl−ｖmは変
調器の効率を著しく低下させ、変調帯域幅を制限する要
因となる。また、変調器長を長くし過ぎると逆に変調度
が低下してしまうために、変調器長を長くして効率を向
上させることも不可能である。この速度差δｖを小さく
するためには、変調波の実効誘電率を下げて、その速度
を大きくする必要がある。従来、このためにいくつかの
方法が提案されている。例えばエレクトロニクス レタース゛第２５巻
第１３８２頁(K. Kawano et.al., Electronics Letter
s, vol.25, p.1382, (1989))等に記載されているよう
に、電極上に金属でできたシールド板を設けたものは完
全な速度整合が可能であることが実証されているが、構
造が複雑で、作製が困難である。また、例えばIEEE シ゛ャ
ーナル オフ゛ クァンタムエレクトロミクス第QE-22巻第９０２頁(H.Haga e
t.al., IEEE Journal of Quantum Electronics, vol.QE
-22, p.902, (1986))等に記載されているように、電極
間の電気光学結晶表面にエッチングなどで溝をつけたも
のは、作製は容易ではあるが、完全な速度整合は不可能
である。
は、電気光学材料のマイクロ波周波数域での誘電率は非
常に大きく、そのため、進行波電極によって伝搬する変
調波の速度ｖmと導波路中を伝搬する光の速度ｖlとの間
には大きな差が生じる。この速度差δｖ＝ｖl−ｖmは変
調器の効率を著しく低下させ、変調帯域幅を制限する要
因となる。また、変調器長を長くし過ぎると逆に変調度
が低下してしまうために、変調器長を長くして効率を向
上させることも不可能である。この速度差δｖを小さく
するためには、変調波の実効誘電率を下げて、その速度
を大きくする必要がある。従来、このためにいくつかの
方法が提案されている。例えばエレクトロニクス レタース゛第２５巻
第１３８２頁(K. Kawano et.al., Electronics Letter
s, vol.25, p.1382, (1989))等に記載されているよう
に、電極上に金属でできたシールド板を設けたものは完
全な速度整合が可能であることが実証されているが、構
造が複雑で、作製が困難である。また、例えばIEEE シ゛ャ
ーナル オフ゛ クァンタムエレクトロミクス第QE-22巻第９０２頁(H.Haga e
t.al., IEEE Journal of Quantum Electronics, vol.QE
-22, p.902, (1986))等に記載されているように、電極
間の電気光学結晶表面にエッチングなどで溝をつけたも
のは、作製は容易ではあるが、完全な速度整合は不可能
である。
【０００５】したがって、作製の容易な構造で、このよ
うな変調波と光波との速度整合がとれる変調器を実現す
ることが、きわめて重要である。
うな変調波と光波との速度整合がとれる変調器を実現す
ることが、きわめて重要である。
【０００６】また、変調効率および帯域幅を制限するも
う１つの大きな要因としては、進行波型電極中での変調
波の減衰の影響がある。この影響は、特に速度整合条件
が満たされているときには、特性劣化の主たる要因とな
る。この問題の解決のためには、従来の金属アルミニウ
ムや金などに代わる、さらに高周波損失の小さな材料を
電極に用いることが重要である。
う１つの大きな要因としては、進行波型電極中での変調
波の減衰の影響がある。この影響は、特に速度整合条件
が満たされているときには、特性劣化の主たる要因とな
る。この問題の解決のためには、従来の金属アルミニウ
ムや金などに代わる、さらに高周波損失の小さな材料を
電極に用いることが重要である。
【０００７】そこで本発明の光変調素子は、高効率で広
帯域の光変調素子を提供することを目的とする。
帯域の光変調素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光変調素子は中
央部の溝を持ち、かつ、電気光学効果を有する薄膜を、
上記薄膜よりも誘電率の低い基板上に形成し、上記薄膜
中に形成された光導波路、および、上記薄膜表面上に形
成された１対の進行波型電極とを有することを特徴とす
る。また、電気光学効果を有する薄膜上に、上記薄膜よ
りも屈折率の低い緩衝膜を形成し、上記緩衝膜上に１対
の進行波型電極を形成してもよい。
央部の溝を持ち、かつ、電気光学効果を有する薄膜を、
上記薄膜よりも誘電率の低い基板上に形成し、上記薄膜
中に形成された光導波路、および、上記薄膜表面上に形
成された１対の進行波型電極とを有することを特徴とす
る。また、電気光学効果を有する薄膜上に、上記薄膜よ
りも屈折率の低い緩衝膜を形成し、上記緩衝膜上に１対
の進行波型電極を形成してもよい。
【０００９】
【作用】本発明に掛かる光変調素子は、基板の誘電率が
電気光学効果を有する薄膜の誘電率よりも低いため、進
行波型電極中を伝搬する変調波の実効誘電率を小さく
し、変調波の速度を導波路中を伝搬する光の速度に近づ
ける、あるいは、等しくすることが可能である。これに
よって、変調効率を著しく向上させることができ、変調
帯域幅を広げることができる。
電気光学効果を有する薄膜の誘電率よりも低いため、進
行波型電極中を伝搬する変調波の実効誘電率を小さく
し、変調波の速度を導波路中を伝搬する光の速度に近づ
ける、あるいは、等しくすることが可能である。これに
よって、変調効率を著しく向上させることができ、変調
帯域幅を広げることができる。
【００１０】また、変調器の長さを長くすることが可能
となり、これによって、高効率の変調、低電圧駆動が可
能となる。
となり、これによって、高効率の変調、低電圧駆動が可
能となる。
【００１１】また、緩衝膜を用いることによって超伝導
薄膜、特に、金属酸化物超伝導薄膜による進行波型電極
を電気光学効果を有する薄膜上に容易に形成することが
可能となり、これによって、損失が極めて少ない進行波
型電極が実現でき、変調器を長くした場合の変調効率お
よび帯域幅を著しく改善される。
薄膜、特に、金属酸化物超伝導薄膜による進行波型電極
を電気光学効果を有する薄膜上に容易に形成することが
可能となり、これによって、損失が極めて少ない進行波
型電極が実現でき、変調器を長くした場合の変調効率お
よび帯域幅を著しく改善される。
【００１２】
【実施例】本発明に適応される電気光学効果を有する薄
膜としては、例えばノンドープまたはＭｇドープニオブ
酸リチウム結晶、Ｌｉ（Ｎｂ1-xＴａx）Ｏ3結晶、ある
いは、タンタル酸リチウム結晶等を用いることができ
る。
膜としては、例えばノンドープまたはＭｇドープニオブ
酸リチウム結晶、Ｌｉ（Ｎｂ1-xＴａx）Ｏ3結晶、ある
いは、タンタル酸リチウム結晶等を用いることができ
る。
【００１３】また、本発明に適応できる光導波路として
は、例えばチタン拡散、銅拡散、外拡散またはイオン交
換光導波路を用いることができる。
は、例えばチタン拡散、銅拡散、外拡散またはイオン交
換光導波路を用いることができる。
【００１４】進行波型電極としては、超伝導体を用いれ
ば、さらに有効である。また、進行波型電極としてＡ−
Ｂ−Ｃｕ−Ｏ複合化合物を用いることもできる。但し、
ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系列元素（原子番号５
７、５９〜６０、６２〜７１）の内少なくとも１種、Ｂ
はＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少なくとも１種、か
つ、Ａ、Ｂ、Ｃｕは０．５≦（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５
で示される元素濃度比率を有する。また、進行波型電極
として、Ｂi−Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ又はＴｌ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｏ複合化合物を用いればさらに有効である。
ば、さらに有効である。また、進行波型電極としてＡ−
Ｂ−Ｃｕ−Ｏ複合化合物を用いることもできる。但し、
ＡはＳｃ、Ｙ、Ｌａ、およびＬａ系列元素（原子番号５
７、５９〜６０、６２〜７１）の内少なくとも１種、Ｂ
はＢａ、ＳｒなどIIａ族元素の内少なくとも１種、か
つ、Ａ、Ｂ、Ｃｕは０．５≦（Ａ＋Ｂ）／Ｃｕ≦２．５
で示される元素濃度比率を有する。また、進行波型電極
として、Ｂi−Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ又はＴｌ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｏ複合化合物を用いればさらに有効である。
【００１５】また、緩衝膜として、白金、パラジウム、
ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれらの金属合金を
含む材料、もしくは、フッ化カルシウムを用いることが
できる。さらに、電気光学効果を有する薄膜よりも屈折
率の低い誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された
白金、パラジウム、ニッケル等の遷移金属元素あるいは
これらの金属合金を含む材料から成る薄膜とで構成した
２層構造の薄膜を用いることもできる。
ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれらの金属合金を
含む材料、もしくは、フッ化カルシウムを用いることが
できる。さらに、電気光学効果を有する薄膜よりも屈折
率の低い誘電体薄膜と、この誘電体薄膜上に形成された
白金、パラジウム、ニッケル等の遷移金属元素あるいは
これらの金属合金を含む材料から成る薄膜とで構成した
２層構造の薄膜を用いることもできる。
【００１６】本発明の１実施例を図面と共に説明する。
図１は本発明の光変調素子の１実施例の斜視図、図２は
その要部の断面図である。図１において基板１１の表面
上に例えばスパッタリング法により電気光学効果を有す
る薄膜１２が形成され、例えばフォトリソグラフィーお
よびアルゴンイオンエッチング等通常の手法によって、
中央部に溝１３を形成する。さらに、薄膜１２に対し
て、図２に示したように、例えば金属チタンの拡散など
によって光導波路１５を形成する。次に、薄膜１２の上
に、一対の進行波型電極１４を例えば真空蒸着、フォト
リソグラフィー、ドライエッチングなどの通常の手法を
利用して堆積ならびにパターン化をする。
図１は本発明の光変調素子の１実施例の斜視図、図２は
その要部の断面図である。図１において基板１１の表面
上に例えばスパッタリング法により電気光学効果を有す
る薄膜１２が形成され、例えばフォトリソグラフィーお
よびアルゴンイオンエッチング等通常の手法によって、
中央部に溝１３を形成する。さらに、薄膜１２に対し
て、図２に示したように、例えば金属チタンの拡散など
によって光導波路１５を形成する。次に、薄膜１２の上
に、一対の進行波型電極１４を例えば真空蒸着、フォト
リソグラフィー、ドライエッチングなどの通常の手法を
利用して堆積ならびにパターン化をする。
【００１７】ここで、光導波路１５は、いわゆる、マッ
ハツェンダー形干渉計を構成しており、手前側の端から
入力光１９を光導波路１５に入力させると、分岐部１６
によって２つに等分され、直線部１７に導かれる。直線
部１７で、両導波路中の光波の間に位相差が生じると、
合波部１８で干渉し、出力光２０にはその位相差に応じ
た光強度の変化が現れる。
ハツェンダー形干渉計を構成しており、手前側の端から
入力光１９を光導波路１５に入力させると、分岐部１６
によって２つに等分され、直線部１７に導かれる。直線
部１７で、両導波路中の光波の間に位相差が生じると、
合波部１８で干渉し、出力光２０にはその位相差に応じ
た光強度の変化が現れる。
【００１８】実際に変調を行なうためには、進行波型電
極１４の手前側、つまり、光波を入力する側の端に変調
信号の給電のための信号源を接続し、２本の電極間に電
圧を印加する。他方の端には、変調波の反射の抑えるた
めの終端抵抗を接続する。信号電圧が実際に進行波型電
極１４に与えられた場合、電極の間、つまりは光導波路
の直線部１７に、互いに上下逆向きの電界が印下され
る。そのため、光導波路の屈折率が電気光学効果によっ
て電界強度に応じて互いに逆に変化し、それが、光波の
位相を変化させる。そのために、印加した信号電圧に応
じて、出力光２０の強度が変化する。
極１４の手前側、つまり、光波を入力する側の端に変調
信号の給電のための信号源を接続し、２本の電極間に電
圧を印加する。他方の端には、変調波の反射の抑えるた
めの終端抵抗を接続する。信号電圧が実際に進行波型電
極１４に与えられた場合、電極の間、つまりは光導波路
の直線部１７に、互いに上下逆向きの電界が印下され
る。そのため、光導波路の屈折率が電気光学効果によっ
て電界強度に応じて互いに逆に変化し、それが、光波の
位相を変化させる。そのために、印加した信号電圧に応
じて、出力光２０の強度が変化する。
【００１９】ここで、変調波が電極１４中を伝搬する速
度ｖmと、光波が光導波路１５中を伝搬する速度ｖlとの
差が小さいほど、光変調の特性は向上する。図３には、
この変調特性向上の目安として、本発明の変調素子にお
けるδｖの値を、基板１１の比誘電率εを横軸にして計
算で求めたものを示す。ここでは本発明の光変調素子の
一例として薄膜１２にはニオブ酸リチウムを用い、厚さ
５μｍとし、溝１３の幅は４μｍ、電極１４の幅、およ
び、間隔は５μｍ、厚さは２．５μｍと仮定した。図３
からわかるように、比誘電率が３．５程度の基板を用い
ると完全な速度整合が実現できることがわかる。また、
薄膜１２を薄くするか、あるいは、電極１４を厚くする
と、さらに、高い比誘電率を有する基板においても完全
な速度整合が可能となる。参考のために、ニオブ酸リチ
ウムの基板上に進行波型電極を形成する従来の構造の変
調素子でのδｖを計算してみると、約６．３×１０7ｍ
／ｓとなる。したがって、本発明の変調素子では、仮に
比誘電率３．５以上の基板を用いたとしても、図３から
わかるように速度差δｖは通常の変調器のδｖよりはは
るかに小さくなることがわかる。実際には、基板１１の
材料として、その誘電率が薄膜１２のそれより小さなも
のを用いれば、このような効果が発揮される。これらの
ことより、本発明の光変調素子の有効性がわかる。
度ｖmと、光波が光導波路１５中を伝搬する速度ｖlとの
差が小さいほど、光変調の特性は向上する。図３には、
この変調特性向上の目安として、本発明の変調素子にお
けるδｖの値を、基板１１の比誘電率εを横軸にして計
算で求めたものを示す。ここでは本発明の光変調素子の
一例として薄膜１２にはニオブ酸リチウムを用い、厚さ
５μｍとし、溝１３の幅は４μｍ、電極１４の幅、およ
び、間隔は５μｍ、厚さは２．５μｍと仮定した。図３
からわかるように、比誘電率が３．５程度の基板を用い
ると完全な速度整合が実現できることがわかる。また、
薄膜１２を薄くするか、あるいは、電極１４を厚くする
と、さらに、高い比誘電率を有する基板においても完全
な速度整合が可能となる。参考のために、ニオブ酸リチ
ウムの基板上に進行波型電極を形成する従来の構造の変
調素子でのδｖを計算してみると、約６．３×１０7ｍ
／ｓとなる。したがって、本発明の変調素子では、仮に
比誘電率３．５以上の基板を用いたとしても、図３から
わかるように速度差δｖは通常の変調器のδｖよりはは
るかに小さくなることがわかる。実際には、基板１１の
材料として、その誘電率が薄膜１２のそれより小さなも
のを用いれば、このような効果が発揮される。これらの
ことより、本発明の光変調素子の有効性がわかる。
【００２０】以下に本発明の内容をさらに深く理解させ
るために、具体的実施例を示す。 実施例１ サファイア単結晶を図１の基板１１に用い、ニオブ酸リ
チウム粉末をターゲットに用い、アルゴンと酸素の混合
ガス中で高周波マグネトロンスパッタリング法によっ
て、電気光学効果を有する薄膜１２を約３μｍ形成し
た。次に、フォトレジスト（マイクロポッジト１３５
０）を回転塗布し、露光現像の後、これをエッチングマ
スクにして、アルゴンイオンビームエッチングによっ
て、薄膜１２に幅５μｍの溝１３を形成した。次に、フ
ォトレジスト（マイクロポッジト１３５０）を用いたリ
フトオフ法により金属チタン蒸着膜によるによる幅４μ
ｍの光導波路１５に相当するパターン（膜厚３０ｎｍ）
を形成し、基板１１ごと９８０℃の酸素雰囲気中に４時
間置き、金属チタンを熱拡散させ光導波路１５を形成し
た。さらに、真空蒸着、フォトリソグラフィー、およ
び、ウエットエッチングの手法により、金属アルミニウ
ムによる図１のような進行波型電極１４を形成した。電
極１４の幅は１０μｍ、厚さは２μｍ、長さは１ｃｍと
した。
るために、具体的実施例を示す。 実施例１ サファイア単結晶を図１の基板１１に用い、ニオブ酸リ
チウム粉末をターゲットに用い、アルゴンと酸素の混合
ガス中で高周波マグネトロンスパッタリング法によっ
て、電気光学効果を有する薄膜１２を約３μｍ形成し
た。次に、フォトレジスト（マイクロポッジト１３５
０）を回転塗布し、露光現像の後、これをエッチングマ
スクにして、アルゴンイオンビームエッチングによっ
て、薄膜１２に幅５μｍの溝１３を形成した。次に、フ
ォトレジスト（マイクロポッジト１３５０）を用いたリ
フトオフ法により金属チタン蒸着膜によるによる幅４μ
ｍの光導波路１５に相当するパターン（膜厚３０ｎｍ）
を形成し、基板１１ごと９８０℃の酸素雰囲気中に４時
間置き、金属チタンを熱拡散させ光導波路１５を形成し
た。さらに、真空蒸着、フォトリソグラフィー、およ
び、ウエットエッチングの手法により、金属アルミニウ
ムによる図１のような進行波型電極１４を形成した。電
極１４の幅は１０μｍ、厚さは２μｍ、長さは１ｃｍと
した。
【００２１】できあがった変調素子に、セミリジッドケ
ーブルを用いてマイクロ波発振源からの出力信号を１９
から印加し、６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザを光源
に用いて実験を行なった。その結果、従来の構造の光変
調素子に比較して、高い周波数まで、高効率で変調でき
ることがわかり、本発明の有効性が確認できた。
ーブルを用いてマイクロ波発振源からの出力信号を１９
から印加し、６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザを光源
に用いて実験を行なった。その結果、従来の構造の光変
調素子に比較して、高い周波数まで、高効率で変調でき
ることがわかり、本発明の有効性が確認できた。
【００２２】ここで、上記実施例１では、薄膜１２上に
直接電極１４を形成していることから、図１のように導
波路を電極１３の直下に形成すれば、光波の電界の一部
分が電極に触れるため、光波の減衰の原因となる。そこ
で、図４に示すように電気光学効果を有する薄膜３２上
に、緩衝膜３６を形成し、その上に電極３４を形成し、
緩衝膜３３として、その屈折率が薄膜３２のそれよりも
小さい誘電体を選べば、導波路３５中の光波の電界が電
極３４までおよぶことはなく、光波の減衰を抑えること
ができる。さらに、通常、緩衝膜３６の屈折率が小さい
ときには、マイクロ波での誘電率も薄膜３２のそれより
も小さい場合が普通である。この場合、変調波の実効誘
電率は、緩衝膜３６のない図１の構造よりもさらに小さ
くなり、速度整合を実現することがさらに容易になると
いう特徴も併せて持つことを確認している。この場合、
ＳｉＯ2などの材料は、比較的、誘電率、屈折率ともに
低く、薄膜化も容易であるので、緩衝膜には有効な材料
の１つである。
直接電極１４を形成していることから、図１のように導
波路を電極１３の直下に形成すれば、光波の電界の一部
分が電極に触れるため、光波の減衰の原因となる。そこ
で、図４に示すように電気光学効果を有する薄膜３２上
に、緩衝膜３６を形成し、その上に電極３４を形成し、
緩衝膜３３として、その屈折率が薄膜３２のそれよりも
小さい誘電体を選べば、導波路３５中の光波の電界が電
極３４までおよぶことはなく、光波の減衰を抑えること
ができる。さらに、通常、緩衝膜３６の屈折率が小さい
ときには、マイクロ波での誘電率も薄膜３２のそれより
も小さい場合が普通である。この場合、変調波の実効誘
電率は、緩衝膜３６のない図１の構造よりもさらに小さ
くなり、速度整合を実現することがさらに容易になると
いう特徴も併せて持つことを確認している。この場合、
ＳｉＯ2などの材料は、比較的、誘電率、屈折率ともに
低く、薄膜化も容易であるので、緩衝膜には有効な材料
の１つである。
【００２３】実施例１で示した本発明の光変調素子で
は、電極１４に金属アルミニウムを用いたことから、完
全な速度整合が実現できていても、電極中を伝搬する変
調波の減衰、および、減衰率の周波数依存性のために、
変調効率および変調帯域幅が制限される。電極１４に高
周波抵抗の小さな材料を用いれば、この影響を抑えるこ
とができる。超伝導体は高周波抵抗がきわめて小さく、
特に最近、液体窒素温度以上で超伝導性を示す高温超伝
導材料が発見され、実用性が増している。本発明の変調
素子でも、高温超伝導体を電極１４に利用すれば、液体
窒素温度程度に冷やすだけで、その特性がさらに飛躍的
に向上する。しかし、従来、特殊な材料（例えば、Ｍｇ
Ｏ、チタン酸ストロンチウムなど）を基板に用いる場合
をのぞいて、良好な特性の高温超伝導体薄膜を基板上に
直接、形成することは不可能であった。しかし、本発明
の光変調素子によれば、適当な緩衝膜を基板上に形成
し、その上に、高温超伝導体を薄膜化すれば良好な超伝
導薄膜が得られる。それを基に、新たな光変調素子を発
明した。以下に、本発明の別の実施例を図面と共に説明
する。
は、電極１４に金属アルミニウムを用いたことから、完
全な速度整合が実現できていても、電極中を伝搬する変
調波の減衰、および、減衰率の周波数依存性のために、
変調効率および変調帯域幅が制限される。電極１４に高
周波抵抗の小さな材料を用いれば、この影響を抑えるこ
とができる。超伝導体は高周波抵抗がきわめて小さく、
特に最近、液体窒素温度以上で超伝導性を示す高温超伝
導材料が発見され、実用性が増している。本発明の変調
素子でも、高温超伝導体を電極１４に利用すれば、液体
窒素温度程度に冷やすだけで、その特性がさらに飛躍的
に向上する。しかし、従来、特殊な材料（例えば、Ｍｇ
Ｏ、チタン酸ストロンチウムなど）を基板に用いる場合
をのぞいて、良好な特性の高温超伝導体薄膜を基板上に
直接、形成することは不可能であった。しかし、本発明
の光変調素子によれば、適当な緩衝膜を基板上に形成
し、その上に、高温超伝導体を薄膜化すれば良好な超伝
導薄膜が得られる。それを基に、新たな光変調素子を発
明した。以下に、本発明の別の実施例を図面と共に説明
する。
【００２４】図４は本発明の光変調素子の斜視図、図５
はこの光変調素子の要部断面図である。図４において基
板３１の表面上に例えばスパッタリング法により電気光
学効果を有する薄膜３２が形成され、例えばフォトリソ
グラフィーおよびアルゴンイオンエッチング等の手法に
よって、中央部に溝３３を形成する。さらに、薄膜３２
に対して、例えば、金属チタンの拡散などによって光導
波路３５を形成する。次に、例えば、スパッタリング法
で、緩衝膜３６を作製する。このとき、適当なメタルマ
スクを用いて、不要な部分には緩衝膜が付着しないよう
にする。薄膜３２の上に、酸化物超伝導体による一対の
進行波型電極３４を、例えばスパッタリング法で堆積さ
せ、フォトリソグラフィー、ドライエッチングなどの手
法を利用してパターン化をする。
はこの光変調素子の要部断面図である。図４において基
板３１の表面上に例えばスパッタリング法により電気光
学効果を有する薄膜３２が形成され、例えばフォトリソ
グラフィーおよびアルゴンイオンエッチング等の手法に
よって、中央部に溝３３を形成する。さらに、薄膜３２
に対して、例えば、金属チタンの拡散などによって光導
波路３５を形成する。次に、例えば、スパッタリング法
で、緩衝膜３６を作製する。このとき、適当なメタルマ
スクを用いて、不要な部分には緩衝膜が付着しないよう
にする。薄膜３２の上に、酸化物超伝導体による一対の
進行波型電極３４を、例えばスパッタリング法で堆積さ
せ、フォトリソグラフィー、ドライエッチングなどの手
法を利用してパターン化をする。
【００２５】このような手法によって作製された光変調
素子は、超伝導電極３４の超伝導転移温度以下の温度で
動作させると、変調波の減衰はきわめて小さくなり、そ
のため、通常の金属を電極３４に用いた場合に比較し
て、さらに高効率で、変調帯域幅の広い変調が実現でき
ることを本発明者らは確認している。
素子は、超伝導電極３４の超伝導転移温度以下の温度で
動作させると、変調波の減衰はきわめて小さくなり、そ
のため、通常の金属を電極３４に用いた場合に比較し
て、さらに高効率で、変調帯域幅の広い変調が実現でき
ることを本発明者らは確認している。
【００２６】以下に本発明の内容をさらに深く理解させ
るために、具体的実施例を示す。 実施例２ サファイア単結晶を図３の基板３１に用い、ニオブ酸リ
チウム粉末をターゲットに用い、アルゴンと酸素の混合
ガス中で高周波マグネトロンスパッタリング法によっ
て、電気光学効果を有する薄膜３２を約３μｍ形成し
た。次に、フォトレジスト（マイクロポッジト１３５
０）を回転塗布し、露光現像の後、これをエッチングマ
スクにして、アルゴンイオンビームエッチングによっ
て、薄膜３２に幅５μｍの溝３３を形成した。次に、フ
ォトレジスト（マイクロポッジト１３５０）を用いたリ
フトオフ法により金属チタン蒸着膜によるによる幅４μ
ｍの光導波路３５のパターン（膜厚３０ｎｍ）を形成
し、基板ごと９８０℃の酸素雰囲気中に４時間置き、金
属チタンを熱拡散させ光導波路３５を形成した。
るために、具体的実施例を示す。 実施例２ サファイア単結晶を図３の基板３１に用い、ニオブ酸リ
チウム粉末をターゲットに用い、アルゴンと酸素の混合
ガス中で高周波マグネトロンスパッタリング法によっ
て、電気光学効果を有する薄膜３２を約３μｍ形成し
た。次に、フォトレジスト（マイクロポッジト１３５
０）を回転塗布し、露光現像の後、これをエッチングマ
スクにして、アルゴンイオンビームエッチングによっ
て、薄膜３２に幅５μｍの溝３３を形成した。次に、フ
ォトレジスト（マイクロポッジト１３５０）を用いたリ
フトオフ法により金属チタン蒸着膜によるによる幅４μ
ｍの光導波路３５のパターン（膜厚３０ｎｍ）を形成
し、基板ごと９８０℃の酸素雰囲気中に４時間置き、金
属チタンを熱拡散させ光導波路３５を形成した。
【００２７】つぎに、ＳｉＯ2薄膜を１００ｎｍ、さら
にその上に白金を同じく１００ｎｍ、高周波スパッタリ
ングによって堆積させ、２層構造の緩衝膜３６を形成し
た。ここで、白金膜の堆積の際には、膜の結晶性を向上
させるため、試料を約５００℃に加熱した。この緩衝膜
３６は、適当なメタルマスクを用いて、不要な部分には
付着しないようにした。さらに、進行波型電極３４の形
成には、焼結したＹＢａＣｕＯターゲットを用いた高周
波プレーナマグネトロンスッパタにより行った。スパッ
タ条件は、Ａｒガスの圧力が０．５Ｐａ、スパッタ電力
は１５０Ｗ、スパッタ時間は１時間で、薄膜の厚さ５０
０ｎｍ、堆積中の基板３１の温度は６００℃であった。
薄膜の超伝導転移温度は９５Ｋであった。これにより、
適当な緩衝膜３６の利用により、良好な特性の超伝導薄
膜の形成が可能であることが確認できた。また、酸化物
超伝導薄膜のパターン化には試料表面全面に超伝導薄膜
を堆積させた後、その上にフォトレジストを塗布し電極
パターンのフォトマスクを利用して露光現像の後、ドラ
イエッチング法により超伝導薄膜をエッチングし、パタ
ーン化した。厚さ以外の電極３４の寸法は、先の具体的
実施例１と同様である。
にその上に白金を同じく１００ｎｍ、高周波スパッタリ
ングによって堆積させ、２層構造の緩衝膜３６を形成し
た。ここで、白金膜の堆積の際には、膜の結晶性を向上
させるため、試料を約５００℃に加熱した。この緩衝膜
３６は、適当なメタルマスクを用いて、不要な部分には
付着しないようにした。さらに、進行波型電極３４の形
成には、焼結したＹＢａＣｕＯターゲットを用いた高周
波プレーナマグネトロンスッパタにより行った。スパッ
タ条件は、Ａｒガスの圧力が０．５Ｐａ、スパッタ電力
は１５０Ｗ、スパッタ時間は１時間で、薄膜の厚さ５０
０ｎｍ、堆積中の基板３１の温度は６００℃であった。
薄膜の超伝導転移温度は９５Ｋであった。これにより、
適当な緩衝膜３６の利用により、良好な特性の超伝導薄
膜の形成が可能であることが確認できた。また、酸化物
超伝導薄膜のパターン化には試料表面全面に超伝導薄膜
を堆積させた後、その上にフォトレジストを塗布し電極
パターンのフォトマスクを利用して露光現像の後、ドラ
イエッチング法により超伝導薄膜をエッチングし、パタ
ーン化した。厚さ以外の電極３４の寸法は、先の具体的
実施例１と同様である。
【００２８】試料を、真空チャンバー内にある、クライ
オスタットのコールドヘッドに固定し、室温から約１０
Ｋまでの範囲で温度を変化させた。マイクロ波伝送用の
セミリジッドケーブルの、心線および接地線を進行波電
極の入力光４０の側の端に接続し、光源にＨｅ−Ｎｅレ
ーザを用い、波長６３３ｎｍの光波を光導波路３５に入
力した。変調信号の周波数および試料の温度を変化させ
た時の変調度の変化を出力光から観測した結果、電極３
４に使った超伝導材料の転移温度以下の温度では、図１
の構造の変調素子よりもさらに、変調効率、帯域幅とも
に改善され、きわめて良好な特性を有する変調器が実現
できることが確認できた。
オスタットのコールドヘッドに固定し、室温から約１０
Ｋまでの範囲で温度を変化させた。マイクロ波伝送用の
セミリジッドケーブルの、心線および接地線を進行波電
極の入力光４０の側の端に接続し、光源にＨｅ−Ｎｅレ
ーザを用い、波長６３３ｎｍの光波を光導波路３５に入
力した。変調信号の周波数および試料の温度を変化させ
た時の変調度の変化を出力光から観測した結果、電極３
４に使った超伝導材料の転移温度以下の温度では、図１
の構造の変調素子よりもさらに、変調効率、帯域幅とも
に改善され、きわめて良好な特性を有する変調器が実現
できることが確認できた。
【００２９】上記実施例２では、緩衝膜３６として、Ｓ
ｉＯ2と白金の２層膜を利用したが、ＳｉＯ2膜について
は、光導波路中の光波の減衰を抑えるためのもので、電
気光学効果を有する薄膜よりも屈折率の低い誘電体であ
れば何れでも利用でき、例えばＡｌ2Ｏ3等も有効な材料
である。また、白金膜の代わりとしては、パラジウム、
ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれらの金属合金を
含む材料、もしくは、フッ化カルシウムを用いた場合も
同様に良好な超伝導薄膜が形成でき、良好な特性を持つ
光変調素子が得られる。
ｉＯ2と白金の２層膜を利用したが、ＳｉＯ2膜について
は、光導波路中の光波の減衰を抑えるためのもので、電
気光学効果を有する薄膜よりも屈折率の低い誘電体であ
れば何れでも利用でき、例えばＡｌ2Ｏ3等も有効な材料
である。また、白金膜の代わりとしては、パラジウム、
ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれらの金属合金を
含む材料、もしくは、フッ化カルシウムを用いた場合も
同様に良好な超伝導薄膜が形成でき、良好な特性を持つ
光変調素子が得られる。
【００３０】さらに、光導波路３５上に直接電極３４が
位置しないとき、あるいは、電極３４の長さが短く、光
波の減衰が問題にならない場合等には、緩衝膜３６とし
て、上記のような２層構造を用いる必要はなく、白金、
パラジウム、ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれら
の金属合金を含む材料、もしくは、フッ化カルシウム等
の単一層を用いることができる。
位置しないとき、あるいは、電極３４の長さが短く、光
波の減衰が問題にならない場合等には、緩衝膜３６とし
て、上記のような２層構造を用いる必要はなく、白金、
パラジウム、ニッケル等の遷移金属元素あるいはこれら
の金属合金を含む材料、もしくは、フッ化カルシウム等
の単一層を用いることができる。
【００３１】さらに実施例２では、Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系
金属酸化物超伝導体の内、Ａ元素としてＹ、Ｂ元素とし
てＢａのものを用いた例を述べたが、Ａ元素として、Ｓ
ｃやＬａさらにはランタン系の元素（原子番号５７、５
９〜６０、６２〜７１）でも、超伝導転移温度が変化す
る程度で本質的な発明の特性を変化させることはない。
金属酸化物超伝導体の内、Ａ元素としてＹ、Ｂ元素とし
てＢａのものを用いた例を述べたが、Ａ元素として、Ｓ
ｃやＬａさらにはランタン系の元素（原子番号５７、５
９〜６０、６２〜７１）でも、超伝導転移温度が変化す
る程度で本質的な発明の特性を変化させることはない。
【００３２】また、Ｂ元素においても、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂ
ａ等IIａ族元素の変化は、超伝導転移温度を１０Ｋ程度
変化させるが、本質的に本発明の特性を変えることはな
い。
ａ等IIａ族元素の変化は、超伝導転移温度を１０Ｋ程度
変化させるが、本質的に本発明の特性を変えることはな
い。
【００３３】さらに、進行波型電極材料として、Ｂi−
Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ系、Ｔl−Ｂa−Ｃa−Ｃu−Ｏ系超伝
導体においてもその結晶構造など知られていないことが
多いが、本発明者らは、Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系と同様、従
来のマグネトロンスパッタリング法を用い、基板温度や
雰囲気、高周波電力などを正確に制御すれば、電気光学
結晶上の緩衝膜の上に超伝導皮膜を形成でき、Ａ−Ｂ−
Ｃｕ−Ｏ系を用いた場合と同様に、良好な特性の光変調
素子を実現できることを確認した。その際の超伝導転移
温度はＡ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系よりも高い１００Ｋ前後、あ
るいは、それ以上のものが得られることから、その利用
価値も高い。
Ｓr−Ｃa−Ｃu−Ｏ系、Ｔl−Ｂa−Ｃa−Ｃu−Ｏ系超伝
導体においてもその結晶構造など知られていないことが
多いが、本発明者らは、Ａ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系と同様、従
来のマグネトロンスパッタリング法を用い、基板温度や
雰囲気、高周波電力などを正確に制御すれば、電気光学
結晶上の緩衝膜の上に超伝導皮膜を形成でき、Ａ−Ｂ−
Ｃｕ−Ｏ系を用いた場合と同様に、良好な特性の光変調
素子を実現できることを確認した。その際の超伝導転移
温度はＡ−Ｂ−Ｃｕ−Ｏ系よりも高い１００Ｋ前後、あ
るいは、それ以上のものが得られることから、その利用
価値も高い。
【００３４】さらに、酸化物以外の通常の金属超伝導体
を電極に用いることも可能である。この場合、特に緩衝
膜を用いなくとも良好な特性を有する超伝導薄膜を形成
できる場合もある。但し、通常、金属超伝導体の超伝導
転移温度は２０Ｋ以下であり、素子を極低温に冷やす必
要があるが、金属酸化物超伝導体による電極に比べて作
製が容易である。
を電極に用いることも可能である。この場合、特に緩衝
膜を用いなくとも良好な特性を有する超伝導薄膜を形成
できる場合もある。但し、通常、金属超伝導体の超伝導
転移温度は２０Ｋ以下であり、素子を極低温に冷やす必
要があるが、金属酸化物超伝導体による電極に比べて作
製が容易である。
【００３５】次に、実施例１、２に共通の補足説明を行
なう。電気光学効果を有する薄膜１２もしくは３２とし
て、高周波マグネトロンスパッタリング法で堆積させた
ノンドープのニオブ酸リチウムについて説明したが、こ
の他に、Ｍｇドープニオブ酸リチウム、あるいは、Ｌｉ
（Ｎｂ1-xＴａx）Ｏ3、あるいは、タンタル酸リチウム
を用いても同様に良好な特性を有する光変調素子が実現
できた。
なう。電気光学効果を有する薄膜１２もしくは３２とし
て、高周波マグネトロンスパッタリング法で堆積させた
ノンドープのニオブ酸リチウムについて説明したが、こ
の他に、Ｍｇドープニオブ酸リチウム、あるいは、Ｌｉ
（Ｎｂ1-xＴａx）Ｏ3、あるいは、タンタル酸リチウム
を用いても同様に良好な特性を有する光変調素子が実現
できた。
【００３６】また、光導波路として、チタン拡散の他
に、銅拡散、外拡散またはイオン交換光導波路を用いて
も同様に良好な特性を有する光変調素子が実現できた。
に、銅拡散、外拡散またはイオン交換光導波路を用いて
も同様に良好な特性を有する光変調素子が実現できた。
【００３７】また、本発明の光変調素子はマッハツェン
ダー干渉計によって、光強度変調をのみを行なうが、こ
のような干渉計を構成せずに、進行波型電極１４もしく
は３４の下の直線導波路部１７もしくは３８のどちらか
一方に入力光１９もしくは４０を直接導き、その出力光
を直接取り出せば、より簡単な構造で位相変調素子とし
て動作させることができる。この光位相変調は、将来の
コヒーレント光通信システムなどにおいては有用であ
る。
ダー干渉計によって、光強度変調をのみを行なうが、こ
のような干渉計を構成せずに、進行波型電極１４もしく
は３４の下の直線導波路部１７もしくは３８のどちらか
一方に入力光１９もしくは４０を直接導き、その出力光
を直接取り出せば、より簡単な構造で位相変調素子とし
て動作させることができる。この光位相変調は、将来の
コヒーレント光通信システムなどにおいては有用であ
る。
【００３８】
【発明の効果】本発明の光変調素子は、基板上の電気光
学効果を有する薄膜に溝を設け、薄膜中に形成した導波
路と、溝を介して形成した１対の進行波型電極とを有
し、基板の誘電率が電気光学効果を有する薄膜の誘電率
よりも低いため、従来の構造の導波路型光変調素子に比
べて、高効率で、帯域幅の広い光変調が実現できる。
学効果を有する薄膜に溝を設け、薄膜中に形成した導波
路と、溝を介して形成した１対の進行波型電極とを有
し、基板の誘電率が電気光学効果を有する薄膜の誘電率
よりも低いため、従来の構造の導波路型光変調素子に比
べて、高効率で、帯域幅の広い光変調が実現できる。
【００３９】また、電極に超伝導体を使い、電極と導波
路との間に緩衝膜を設けることによって、きわめて、高
効率で広い帯域幅を持つことから、光通信システムなど
のための、高効率の広帯域光変調素子として極めて有用
である。
路との間に緩衝膜を設けることによって、きわめて、高
効率で広い帯域幅を持つことから、光通信システムなど
のための、高効率の広帯域光変調素子として極めて有用
である。
【００４０】また、本発明の変調素子で高温超伝導体を
利用したものでは、液体窒素温度に冷やすことによって
動作させることができ、さらに、上記高温超伝導体は超
伝導転移温度が室温になる可能性もあり、将来の実用の
範囲は広く、本発明の工業的価値は高い。
利用したものでは、液体窒素温度に冷やすことによって
動作させることができ、さらに、上記高温超伝導体は超
伝導転移温度が室温になる可能性もあり、将来の実用の
範囲は広く、本発明の工業的価値は高い。
【００４１】さらに、これら本発明の変調素子は、構造
が簡単で、作製も容易である。
が簡単で、作製も容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の光変調素子の斜視図
【図２】本発明の一実施例の要部の断面図
【図３】本発明の光変調素子の一実施例における、基板
の非誘電率εに対する、変調波と光波の速度差δｖの関
係を表したグラフ
の非誘電率εに対する、変調波と光波の速度差δｖの関
係を表したグラフ
【図４】本発明の光変調素子の他の実施例の斜視図
【図５】上記実施例の要部の断面図
１１ 基板
１２ 電気光学効果を有する薄膜
１３ 溝
１４ 進行波型電極
１５ 光導波路
１６ 分岐部
１７ 直線部
１８ 合波部
１９ 入力光
２０ 出力光
３１ 基板
３２ 電気光学効果を有する薄膜
３３ 溝
３４ 進行波型電極
３５ 光導波路
３６ 緩衝膜
３７ 分岐部
３８ 直線部
３９ 合波部
４０ 入力光
４１ 出力光
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に形成された電気光学効果を有す
る薄膜が溝を持ち、前記薄膜中に形成された光導波路
と、前記薄膜上に前記溝を挟むように形成された１対の
進行波型電極とを有し、前記基板の誘電率が前記薄膜の
誘電率よりも低いことを特徴とする光変調素子。 - 【請求項２】 基板上に形成された電気光学効果を有す
る薄膜が溝を持ち、前記薄膜中に形成された光導波路、
前記薄膜上に形成された緩衝膜、及び前記緩衝膜上で前
記溝を挟むように形成された１対の進行波型電極を有
し、前記基板の誘電率が上記薄膜の誘電率よりも低いこ
とを特徴とする光変調素子。 - 【請求項３】 緩衝膜が、電気光学効果を有する薄膜よ
りも屈折率の低い誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形
成された遷移金属元素あるいは遷移金属元素の金属合金
の何れかを含む材料から成る薄膜とで構成した２層構造
の薄膜であることを特徴とする、請求項２記載の光変調
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173706A JP2924316B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173706A JP2924316B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光変調素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519220A true JPH0519220A (ja) | 1993-01-29 |
| JP2924316B2 JP2924316B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15965625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173706A Expired - Fee Related JP2924316B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924316B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014006348A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Tdk Corp | 光変調器 |
| EP4006629A4 (en) * | 2019-11-29 | 2023-08-09 | Suzhou Lycore Technologies Co., Ltd. | DISTRIBUTED OPTICAL PHASE MODULATOR |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3173706A patent/JP2924316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014006348A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Tdk Corp | 光変調器 |
| EP4006629A4 (en) * | 2019-11-29 | 2023-08-09 | Suzhou Lycore Technologies Co., Ltd. | DISTRIBUTED OPTICAL PHASE MODULATOR |
| US12025865B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-07-02 | Suzhou Lycore Technologies Co., Ltd. | Distributed optical phase modulator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2924316B2 (ja) | 1999-07-26 |
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