JPH0519319A - 金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法 - Google Patents
金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法Info
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- JPH0519319A JPH0519319A JP3169860A JP16986091A JPH0519319A JP H0519319 A JPH0519319 A JP H0519319A JP 3169860 A JP3169860 A JP 3169860A JP 16986091 A JP16986091 A JP 16986091A JP H0519319 A JPH0519319 A JP H0519319A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、金属微粒子を非晶質薄膜中に多量
にドープした非線形光学材料を高速堆積できる製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 非晶質薄膜を形成する手段と金属微粒子を形
成する手段とを交互に行なう製造方法において、非晶質
薄膜を形成する手段として、ＳｉＯ2ターゲット２をア
ルゴンガスでスパッタして形成する。その後に、金属微
粒子を形成する手段として、有機金属錯体を製造装置１
に供給し、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器
３を有機金属錯体に照射することによって金属微粒子を
形成する。この工程を繰り返し製造した金属微粒子分散
非晶質薄膜中のＡｕのド−プ量は５原子％で、粒子径は
５〜９ｎｍであった。
にドープした非線形光学材料を高速堆積できる製造方法
を提供することを目的とする。 【構成】 非晶質薄膜を形成する手段と金属微粒子を形
成する手段とを交互に行なう製造方法において、非晶質
薄膜を形成する手段として、ＳｉＯ2ターゲット２をア
ルゴンガスでスパッタして形成する。その後に、金属微
粒子を形成する手段として、有機金属錯体を製造装置１
に供給し、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器
３を有機金属錯体に照射することによって金属微粒子を
形成する。この工程を繰り返し製造した金属微粒子分散
非晶質薄膜中のＡｕのド−プ量は５原子％で、粒子径は
５〜９ｎｍであった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形光学材料の製造方
法に関するもので、とくに金属微粒子分散非晶質薄膜に
関するものである。
法に関するもので、とくに金属微粒子分散非晶質薄膜に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属微粒子をガラス中にドープすること
により、光学非線形性、とくに３次の非線形感受率が大
きくなることが、オプティクス レターズ 第１０巻第
１０号第５１１頁（Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖ
ｏｌ．１０，Ｎｏ．１０，ｐ．５１１（１９８５））に
記載されている。金属微粒子としては、Ａｕ、Ａｇが用
いられており、金属微粒子ドープガラスの製造方法とし
ては、金属塩の還元法が使用されている。
により、光学非線形性、とくに３次の非線形感受率が大
きくなることが、オプティクス レターズ 第１０巻第
１０号第５１１頁（Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖ
ｏｌ．１０，Ｎｏ．１０，ｐ．５１１（１９８５））に
記載されている。金属微粒子としては、Ａｕ、Ａｇが用
いられており、金属微粒子ドープガラスの製造方法とし
ては、金属塩の還元法が使用されている。
【０００３】また、溶融法を用いる場合、金属微粒子を
ガラスの原料に混入して成形し、その後熱処理して特定
の金属を析出させて、金、銀、銅などの金属コロイドが
析出した着色ガラスと呼ばれる金属微粒子ドープガラス
を製造していた。
ガラスの原料に混入して成形し、その後熱処理して特定
の金属を析出させて、金、銀、銅などの金属コロイドが
析出した着色ガラスと呼ばれる金属微粒子ドープガラス
を製造していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
金属塩還元法および溶融法で製造したＡｕ微粒子ドープ
ガラスの３次の非線形感受率は１０-13〜１０ー12ｅｓｕ
の値であり、他の非線形光学材料に比べて非常に小さい
課題があった。これは、従来の製造方法でドープ量を増
加させると、均一にドープする事ができず、金属微粒子
のドープ量は５ｐｐｍ以下であったため、３次の非線形
感受率の値が小さくなったと考えられる。
金属塩還元法および溶融法で製造したＡｕ微粒子ドープ
ガラスの３次の非線形感受率は１０-13〜１０ー12ｅｓｕ
の値であり、他の非線形光学材料に比べて非常に小さい
課題があった。これは、従来の製造方法でドープ量を増
加させると、均一にドープする事ができず、金属微粒子
のドープ量は５ｐｐｍ以下であったため、３次の非線形
感受率の値が小さくなったと考えられる。
【０００５】また金属微粒子をＡｕ以外のＡｇ、Ｃｕに
した非線形光学材料では、微粒子分散媒体のガラスが酸
化物であるため、ガラス中に分散させると、金属微粒子
が酸化されて特性を劣化させているという課題もあっ
た。
した非線形光学材料では、微粒子分散媒体のガラスが酸
化物であるため、ガラス中に分散させると、金属微粒子
が酸化されて特性を劣化させているという課題もあっ
た。
【０００６】本発明は、係る課題に鑑みてなされたもの
であり、金属微粒子を非晶質薄膜中に多量にドープした
非線形光学材料を高速堆積できる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
であり、金属微粒子を非晶質薄膜中に多量にドープした
非線形光学材料を高速堆積できる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】非晶質薄膜を形成する手
段と金属微粒子を形成する手段とを交互に行なう製造方
法において、金属微粒子を形成する手段として、有機金
属錯体を用い、水素プラズマを有機金属錯体に照射する
ことによって金属微粒子を形成する金属微粒子分散非晶
質薄膜の製造方法で、係る従来の課題を解決した。
段と金属微粒子を形成する手段とを交互に行なう製造方
法において、金属微粒子を形成する手段として、有機金
属錯体を用い、水素プラズマを有機金属錯体に照射する
ことによって金属微粒子を形成する金属微粒子分散非晶
質薄膜の製造方法で、係る従来の課題を解決した。
【０００８】
【作用】非晶質薄膜と金属微粒子とをそれぞれ独立に交
互に成膜するので、金属材料が非晶質材料と反応するこ
とがない。また、有機金属錯体を用いるので、気相で供
給することができ、また金属塩の還元法や溶融法に比べ
反応温度を下げることが可能である。さらに、気相で供
給しているので、膜厚の分布がなく基板上に均一形成で
きる。
互に成膜するので、金属材料が非晶質材料と反応するこ
とがない。また、有機金属錯体を用いるので、気相で供
給することができ、また金属塩の還元法や溶融法に比べ
反応温度を下げることが可能である。さらに、気相で供
給しているので、膜厚の分布がなく基板上に均一形成で
きる。
【０００９】水素プラズマを有機金属錯体に照射して、
有機金属錯体を還元させて金属微粒子を形成するので、
有機金属錯体中に含まれる炭素や酸素を炭化水素または
水に化学変化させることができるため、金属微粒子を酸
化されることがない。
有機金属錯体を還元させて金属微粒子を形成するので、
有機金属錯体中に含まれる炭素や酸素を炭化水素または
水に化学変化させることができるため、金属微粒子を酸
化されることがない。
【００１０】
【実施例】本発明の金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方
法は、金属微粒子の形成工程と非晶質薄膜の形成工程と
を交互に行う。
法は、金属微粒子の形成工程と非晶質薄膜の形成工程と
を交互に行う。
【００１１】本発明の非晶質薄膜中に分散させる金属微
粒子は、非線形光学効果を発現できる金属であれば何れ
でも良いが、特に金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、Ｐｔ（白金）のうち少なくとも一つを用いれば、
光の波長領域が近紫外光領域から可視光領域となるた
め、使用光源が入手し易く好ましい。
粒子は、非線形光学効果を発現できる金属であれば何れ
でも良いが、特に金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）、Ｐｔ（白金）のうち少なくとも一つを用いれば、
光の波長領域が近紫外光領域から可視光領域となるた
め、使用光源が入手し易く好ましい。
【００１２】また、これらの金属微粒子は、例えばβー
ジケトン等の有機金属錯体に水素プラズマを照射する
と、多量の気体を低い温度で発生でき、また水素プラズ
マで容易に還元できる。本発明に好ましいβ−ジケトン
型有機金属錯体としては例えば、金の有機金属錯体であ
るジメチル金ヘキサフルオロアセチルアセトネイト（Ａ
ｕ（ＣＨ3）2（Ｃ5ＨＦ6Ｏ2）、以下ＤＭＧ（ｈｆａ
ｃ）と略す。）や銅の有機金属錯体であるビス（ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト）銅（Ｃｕ（Ｃ5ＨＦ
6Ｏ2）2、以下Ｃｕ（ＨＦＡ）2と略す。）等がある。
ジケトン等の有機金属錯体に水素プラズマを照射する
と、多量の気体を低い温度で発生でき、また水素プラズ
マで容易に還元できる。本発明に好ましいβ−ジケトン
型有機金属錯体としては例えば、金の有機金属錯体であ
るジメチル金ヘキサフルオロアセチルアセトネイト（Ａ
ｕ（ＣＨ3）2（Ｃ5ＨＦ6Ｏ2）、以下ＤＭＧ（ｈｆａ
ｃ）と略す。）や銅の有機金属錯体であるビス（ヘキサ
フルオロアセチルアセトナト）銅（Ｃｕ（Ｃ5ＨＦ
6Ｏ2）2、以下Ｃｕ（ＨＦＡ）2と略す。）等がある。
【００１３】本発明の非晶質薄膜には、金属の非線形光
学効果を発現できる波長領域より大きな光学的禁制帯幅
を有するものであればよく。とくに窒化ほう素、燐化ほ
う素、砒化ほう素、窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、窒化アルミニウムを用いると金属微粒子の分散性
が良好である。
学効果を発現できる波長領域より大きな光学的禁制帯幅
を有するものであればよく。とくに窒化ほう素、燐化ほ
う素、砒化ほう素、窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニ
ウム、窒化アルミニウムを用いると金属微粒子の分散性
が良好である。
【００１４】本発明の有機金属錯体に水素プラズマを照
射するプラズマ源としては、例えばＥＣＲプラズマ発生
器、高周波放電もしくは直流放電等通常の水素プラズマ
発生が適応可能である。
射するプラズマ源としては、例えばＥＣＲプラズマ発生
器、高周波放電もしくは直流放電等通常の水素プラズマ
発生が適応可能である。
【００１５】また、本発明の金属微粒子分散非晶質薄膜
の製造方法としては、例えばスパッタ法、プラズマＣＶ
Ｄ法、電子ビーム蒸着法等通常の手法が適応できる。
の製造方法としては、例えばスパッタ法、プラズマＣＶ
Ｄ法、電子ビーム蒸着法等通常の手法が適応できる。
【００１６】以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
本実施例で用いた製造装置の概略構成図を図１に示す。
製造装置１は、ＳｉＯ 2のターゲット２、水素プラズマ
発生用のＥＣＲプラズマ発生器３、シャッタ４、基板
５、金の有機金属錯体であるＤＭＧ（ｈｆａｃ）供給口
６、ＳｉＯ2のターゲットに供給する高周波電源７によ
って構成されている。また、水素プラズマ発生用のＥＣ
Ｒプラズマ発生器３は、マイクロ波導入口８と磁場発生
用電磁石９、水素ガス供給口１０によって構成され、マ
イクロ波は２．４５ＧＨｚを用い、磁場強度はＥＣＲ条
件を満たす０．０８７５Ｔである。ＤＭＧ（ｈｆａｃ）
は、温度２４〜４３℃に設定し、Ｈ2ガスバブリングに
より供給した。基板５は石英ガラスを用いた。
製造装置１は、ＳｉＯ 2のターゲット２、水素プラズマ
発生用のＥＣＲプラズマ発生器３、シャッタ４、基板
５、金の有機金属錯体であるＤＭＧ（ｈｆａｃ）供給口
６、ＳｉＯ2のターゲットに供給する高周波電源７によ
って構成されている。また、水素プラズマ発生用のＥＣ
Ｒプラズマ発生器３は、マイクロ波導入口８と磁場発生
用電磁石９、水素ガス供給口１０によって構成され、マ
イクロ波は２．４５ＧＨｚを用い、磁場強度はＥＣＲ条
件を満たす０．０８７５Ｔである。ＤＭＧ（ｈｆａｃ）
は、温度２４〜４３℃に設定し、Ｈ2ガスバブリングに
より供給した。基板５は石英ガラスを用いた。
【００１７】まず、ＳｉＯ2非晶質薄膜を形成する場
合、スパッタガスとしてアルゴンを用いて、圧力を５Ｐ
ａにした。ＳｉＯ2ターゲット２に供給した高周波電力
は２５０Ｗであった。ＳｉＯ2薄膜の膜厚を１０ｎｍ形
成した後、シャッタ４を用いて基板上にＳｉＯ2薄膜を
形成するのを停止する。その後、ＤＭＧ（ｈｆａｃ）供
給口６より製造装置１にＨ2と共にＤＭＧ（ｈｆａｃ）
を供給する。Ｈ2は２ｓｃｃｍ供給した。ＥＣＲプラズ
マ発生器３に水素ガス供給口１０よりＨ2ガスを１ｓｃ
ｃｍ供給し、水素プラズマを形成した。マイクロ波電力
は１００Ｗであった。Ａｕの膜厚を５ｎｍ形成した後、
ＤＭＧ（ｈｆａｃ）の供給とＥＣＲプラズマ発生器３を
停止する。これらの工程を１００回繰り返し、金属微粒
子分散非晶質薄膜を１．５μｍ形成した。この金属微粒
子分散非晶質薄膜を３００℃の電気炉中で１時間加熱し
た。得られた金属微粒子分散非晶質薄膜中のＡｕのドー
プ量は５原子％であり粒子径は５〜９ｎｍであった。
合、スパッタガスとしてアルゴンを用いて、圧力を５Ｐ
ａにした。ＳｉＯ2ターゲット２に供給した高周波電力
は２５０Ｗであった。ＳｉＯ2薄膜の膜厚を１０ｎｍ形
成した後、シャッタ４を用いて基板上にＳｉＯ2薄膜を
形成するのを停止する。その後、ＤＭＧ（ｈｆａｃ）供
給口６より製造装置１にＨ2と共にＤＭＧ（ｈｆａｃ）
を供給する。Ｈ2は２ｓｃｃｍ供給した。ＥＣＲプラズ
マ発生器３に水素ガス供給口１０よりＨ2ガスを１ｓｃ
ｃｍ供給し、水素プラズマを形成した。マイクロ波電力
は１００Ｗであった。Ａｕの膜厚を５ｎｍ形成した後、
ＤＭＧ（ｈｆａｃ）の供給とＥＣＲプラズマ発生器３を
停止する。これらの工程を１００回繰り返し、金属微粒
子分散非晶質薄膜を１．５μｍ形成した。この金属微粒
子分散非晶質薄膜を３００℃の電気炉中で１時間加熱し
た。得られた金属微粒子分散非晶質薄膜中のＡｕのドー
プ量は５原子％であり粒子径は５〜９ｎｍであった。
【００１８】実施例２
本実施例で用いた製造装置の概略構成図を図２に示す。
図１で示した製造装置中で同じものについては番号を同
じにした。製造装置１１は、非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置１２、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラ
ズマ発生器３、シャッタ４、基板５、銅の有機金属錯体
であるＣｕ（ＨＦＡ）2供給口１３、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）供給口１４に構成されている。非晶質薄膜を形成
するプラズマＣＶＤ装置１２としては、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法を用いた。基本構成としては、マイクロ波導入
口８と磁場発生用電磁石９、窒素ガス供給口１５によっ
て構成され、マイクロ波は２．４５ＧＨｚを用い、磁場
強度はＥＣＲ条件を満たす０．０８７５Ｔである。ま
た、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器３は、
実施例１示したものと同じなので省略する。Ｃｕ（ＨＦ
Ａ）2は、温度９５〜１２０℃に設定し、Ｈ2ガスバブリ
ングにより供給した。基板５は石英ガラスを用いた。
図１で示した製造装置中で同じものについては番号を同
じにした。製造装置１１は、非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置１２、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラ
ズマ発生器３、シャッタ４、基板５、銅の有機金属錯体
であるＣｕ（ＨＦＡ）2供給口１３、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4）供給口１４に構成されている。非晶質薄膜を形成
するプラズマＣＶＤ装置１２としては、ＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法を用いた。基本構成としては、マイクロ波導入
口８と磁場発生用電磁石９、窒素ガス供給口１５によっ
て構成され、マイクロ波は２．４５ＧＨｚを用い、磁場
強度はＥＣＲ条件を満たす０．０８７５Ｔである。ま
た、水素プラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器３は、
実施例１示したものと同じなので省略する。Ｃｕ（ＨＦ
Ａ）2は、温度９５〜１２０℃に設定し、Ｈ2ガスバブリ
ングにより供給した。基板５は石英ガラスを用いた。
【００１９】まず、窒素珪素非晶質薄膜を形成する場
合、窒素ガスとモノシランの圧力を０．０５Ｐａ、０．
０１Ｐａにした。マイクロ波電力を１００Ｗであった。
窒化珪素非晶質薄膜の膜厚を５ｎｍ形成した後、窒素ガ
スとモノシランの供給とマイクロ波電力を停止する。そ
の後、Ｃｕ（ＨＦＡ）2供給口１３より製造装置１１に
Ｈ2と共にＣｕ（ＨＦＡ）2を供給する。Ｈ2は４ｓｃｃ
ｍ供給した。ＥＣＲプラズマ発生器３に水素ガス供給口
１０よりＨ2ガスを１ｓｃｃｍ供給し、水素プラズマを
形成した。マイクロ波電力は１００Ｗであった。Ｃｕの
膜厚を３ｎｍ形成した後、Ｃｕ（ＨＦＡ）2の供給とＥ
ＣＲプラズマ発生器３を停止する。これらの工程を２０
０回繰り返し、金属微粒子分散非晶質薄膜を１．６μｍ
形成した。この金属微粒子分散非晶質薄膜を３００℃の
電気炉中で１時間加熱した。得られた金属微粒子分散非
晶質薄膜中のＣｕのドープ量は１０原子％であり粒子径
は３〜１０ｎｍであった。
合、窒素ガスとモノシランの圧力を０．０５Ｐａ、０．
０１Ｐａにした。マイクロ波電力を１００Ｗであった。
窒化珪素非晶質薄膜の膜厚を５ｎｍ形成した後、窒素ガ
スとモノシランの供給とマイクロ波電力を停止する。そ
の後、Ｃｕ（ＨＦＡ）2供給口１３より製造装置１１に
Ｈ2と共にＣｕ（ＨＦＡ）2を供給する。Ｈ2は４ｓｃｃ
ｍ供給した。ＥＣＲプラズマ発生器３に水素ガス供給口
１０よりＨ2ガスを１ｓｃｃｍ供給し、水素プラズマを
形成した。マイクロ波電力は１００Ｗであった。Ｃｕの
膜厚を３ｎｍ形成した後、Ｃｕ（ＨＦＡ）2の供給とＥ
ＣＲプラズマ発生器３を停止する。これらの工程を２０
０回繰り返し、金属微粒子分散非晶質薄膜を１．６μｍ
形成した。この金属微粒子分散非晶質薄膜を３００℃の
電気炉中で１時間加熱した。得られた金属微粒子分散非
晶質薄膜中のＣｕのドープ量は１０原子％であり粒子径
は３〜１０ｎｍであった。
【００２０】なお、本実施例では水素プラズマ発生器３
とプラズマＣＶＤ装置１１は、個々に設けて作製した
が、同一の装置で行なってもよい。
とプラズマＣＶＤ装置１１は、個々に設けて作製した
が、同一の装置で行なってもよい。
【００２１】実施例３
実施例１または２に示した方法により作製した金属微粒
子分散非晶質薄膜の３次の非線形感受率χ(3)を測定し
た。その結果、ＡｕをＳｉＯ2薄膜にドープした金属微
粒子分散非晶質薄膜のχ(3)は、２．０×１０-9ｅｓｕ
（励起波長０．５３μｍ）であり、Ｃｕを窒化珪素非晶
質薄膜にドープした金属微粒子分散非晶質薄膜のχ(3)
は５．０×１０-10ｅｓｕ（励起波長０．６５μｍ）で
あった。
子分散非晶質薄膜の３次の非線形感受率χ(3)を測定し
た。その結果、ＡｕをＳｉＯ2薄膜にドープした金属微
粒子分散非晶質薄膜のχ(3)は、２．０×１０-9ｅｓｕ
（励起波長０．５３μｍ）であり、Ｃｕを窒化珪素非晶
質薄膜にドープした金属微粒子分散非晶質薄膜のχ(3)
は５．０×１０-10ｅｓｕ（励起波長０．６５μｍ）で
あった。
【００２２】また、実施例１で作製したＡｕの金属微粒
子分散非晶質薄膜を用いてファブリペロー型共振器を製
作し、１ｐｓｅｃ以下の非常に高速のスイッチング速度
を得た。
子分散非晶質薄膜を用いてファブリペロー型共振器を製
作し、１ｐｓｅｃ以下の非常に高速のスイッチング速度
を得た。
【００２３】なお、本実施例１または２ではＡｕ、Ｃｕ
の有機金属錯体を用いたが、Ａｇ、Ｐｔをしてもよい。
実施例１または２の方法を用いてＡｇを窒化珪素非晶質
薄膜にドープした金属微粒子分散非晶質薄膜を作製した
３次の非線形感受率χ(3)は、１．０×１０-10ｅｓｕ
（励起波長０．４μｍ）であった。
の有機金属錯体を用いたが、Ａｇ、Ｐｔをしてもよい。
実施例１または２の方法を用いてＡｇを窒化珪素非晶質
薄膜にドープした金属微粒子分散非晶質薄膜を作製した
３次の非線形感受率χ(3)は、１．０×１０-10ｅｓｕ
（励起波長０．４μｍ）であった。
【００２４】本実施例１または２では非晶質薄膜を形成
する手段として、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法を用い
たが、電子ビーム蒸着法を用いてもよい。また、水素プ
ラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器とプラズマＣＶＤ
装置としてはＥＣＲプラズマを用いたが、高周波放電や
直流放電を用いてもよい。
する手段として、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法を用い
たが、電子ビーム蒸着法を用いてもよい。また、水素プ
ラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器とプラズマＣＶＤ
装置としてはＥＣＲプラズマを用いたが、高周波放電や
直流放電を用いてもよい。
【００２５】本実施例１または２では非晶質材料として
窒化珪素、酸化珪素を用いたが、窒化ほう素、燐化ほう
素、砒化ほう素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム
を用いてもよい。
窒化珪素、酸化珪素を用いたが、窒化ほう素、燐化ほう
素、砒化ほう素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム
を用いてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、非晶質薄膜を形成
する手段と金属微粒子を形成する手段とを交互に行なう
製造方法において、金属微粒子を形成する手段として、
有機金属錯体を用い、水素プラズマを有機金属錯体に照
射する金属微粒子を形成する本発明の製造方法よれば、
金属微粒子の表面を酸化されずに形成でき、金属微粒子
材料と非晶質材料の界面を明確にできるので量子効果を
示すことが可能であり、また高担持率の均一な粒径の金
属微粒子を担持した半導体金属微粒子分散非晶質薄膜を
作製することができる。
する手段と金属微粒子を形成する手段とを交互に行なう
製造方法において、金属微粒子を形成する手段として、
有機金属錯体を用い、水素プラズマを有機金属錯体に照
射する金属微粒子を形成する本発明の製造方法よれば、
金属微粒子の表面を酸化されずに形成でき、金属微粒子
材料と非晶質材料の界面を明確にできるので量子効果を
示すことが可能であり、また高担持率の均一な粒径の金
属微粒子を担持した半導体金属微粒子分散非晶質薄膜を
作製することができる。
【００２７】以上のように本発明は優れた効果を有する
ものであり、本発明の工業的価値は高い。
ものであり、本発明の工業的価値は高い。
【図１】本発明の一実施例で用いた製造装置の概略構成
図。
図。
【図２】本発明の他の実施例で用いた製造装置の概略構
成図
成図
１ 製造装置
２ ＳｉＯ2のターゲット
３ 水素プラズマ発生用のＥＣＲプラズマ発生器
４ シャッタ
５ 基板
６ ＤＭＧ（ｈｆａｃ）供給口
７ ＳｉＯ2のターゲットに供給する高周波電源
８ マイクロ波導入口
９ 磁場発生用電磁石
１０ 水素ガス供給口
１６ Ｈ2ガス
１７ ＤＭＧ（ｈｆａｃ）
１８ 金属微粒子分散非晶質薄膜
１９ 基板ホルダー
２０ 石英ガラス
１１ 製造装置
１２ 非晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
１３ Ｃｕ（ＨＦＡ）2供給口
１４ モノシラン（ＳｉＨ4）供給口
１５ 窒素ガス供給口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 三露 常男
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】水素プラズマを有機金属錯体に照射し金属
微粒子を形成する工程と、非晶質薄膜を形成する工程と
を交互に行うことを特徴とする金属微粒子分散非晶質薄
膜の製造方法。 - 【請求項２】有機金属錯体として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｐｔのうち少なくとも一つのβージケトンの有機金属錯
体を用いることを特徴とする、請求項１記載の金属微粒
子分散非晶質薄膜の製造方法。 - 【請求項３】非晶質薄膜を形成する手段として、スパッ
タ法、プラズマＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法の一つを用
いることを特徴とする、請求項１に記載の金属微粒子分
散非晶質薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3169860A JPH0519319A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3169860A JPH0519319A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519319A true JPH0519319A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15894286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3169860A Pending JPH0519319A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 金属微粒子分散非晶質薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519319A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111926298A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-11-13 | 钢铁研究总院 | 一种非线性光学贵金属/二氧化硅纳米团簇膜及其制备方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP3169860A patent/JPH0519319A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111926298A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-11-13 | 钢铁研究总院 | 一种非线性光学贵金属/二氧化硅纳米团簇膜及其制备方法 |
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