JPH05194943A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH05194943A JPH05194943A JP4203318A JP20331892A JPH05194943A JP H05194943 A JPH05194943 A JP H05194943A JP 4203318 A JP4203318 A JP 4203318A JP 20331892 A JP20331892 A JP 20331892A JP H05194943 A JPH05194943 A JP H05194943A
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- carbon atoms
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｔｇおよび融点が高く長寿命の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を開発すること。 【構成】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸは明細書に記
載した通りである。）または、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸは明細書に記
載した通りである。）で表される化合物を正孔注入材料
として用いる有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。
ルミネッセンス素子を開発すること。 【構成】一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸは明細書に記
載した通りである。）または、一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸは明細書に記
載した通りである。）で表される化合物を正孔注入材料
として用いる有機エレクトロルミネッセンス素子であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくはガラス転移温度（Ｔｇ）お
よび融点の高い正孔注入材料を用いた、長寿命の有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。
センス素子に関し、詳しくはガラス転移温度（Ｔｇ）お
よび融点の高い正孔注入材料を用いた、長寿命の有機エ
レクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】エレ
クトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、自己発光の
ため視認性が高く、また、完全固体素子であり、耐衝撃
性に優れるという特徴を有していることから、現在、無
機・有機化合物を用いた様々な素子が提案され、かつ、
実用化が試みられている。これらの素子のうち、有機Ｅ
Ｌ素子は印加電圧を大幅に低下させることができるの
で、各種材料や素子の開発が進められている。前記有機
ＥＬ素子の構成については、様々なものがあるがＩＴＯ
／正孔注入層／発光層／陰極の素子構成における正孔注
入層の材料として、芳香族第３級アミンを用いることが
開示されている（特開昭６３−２９５６９５号公報）。
この芳香族第３級アミンの特に好ましい例としては、Ｑ
1 −Ｇ−Ｑ2 の構造式で表されている。ここで、Ｑ1 と
Ｑ2 はそれぞれ独立に芳香族第３級アミンであり、Ｇは
アリーレン，シクロアルキレンあるいはアルキレン基の
ような連結基または炭素−炭素結合基である。この素子
構成により２０Ｖ以上の印加電圧で数百ｃｄ／ｍ 2 の高
輝度を可能とした。しかし、ここで用いられる正孔注入
材料である例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−シクロヘキサン等
を用いた正孔注入層は、時間とともに再結晶化が生じる
ため、素子のピンホールの形成や通電劣化が時間ととも
に進行し、長寿命の素子を得るためには問題があった。
これは、正孔注入材料として用いた芳香族第３級アミン
の融点が２００℃以下と低く、また非晶状態においては
ガラス転移温度（Ｔｇ）が９０℃以下であり、その結
果、耐熱性が小さく、熱的劣化が室温においても進行す
るためであった。また、スチリルアミン誘導体を正孔注
入層として用いた技術が開示されている（特開平３−５
４２８９号公報）が、これもまた正孔注入層のＴｇが９
０℃以下であり上記問題点は解決されていなかった。さ
らに、素子材料としてジスチリルベンゼン誘導体を用い
た技術が開示されている（特開平３−１６３１８７号公
報）が、これも正孔注入層のＴｇが９０℃以下であり上
記問題点は解決されていなかった。
クトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、自己発光の
ため視認性が高く、また、完全固体素子であり、耐衝撃
性に優れるという特徴を有していることから、現在、無
機・有機化合物を用いた様々な素子が提案され、かつ、
実用化が試みられている。これらの素子のうち、有機Ｅ
Ｌ素子は印加電圧を大幅に低下させることができるの
で、各種材料や素子の開発が進められている。前記有機
ＥＬ素子の構成については、様々なものがあるがＩＴＯ
／正孔注入層／発光層／陰極の素子構成における正孔注
入層の材料として、芳香族第３級アミンを用いることが
開示されている（特開昭６３−２９５６９５号公報）。
この芳香族第３級アミンの特に好ましい例としては、Ｑ
1 −Ｇ−Ｑ2 の構造式で表されている。ここで、Ｑ1 と
Ｑ2 はそれぞれ独立に芳香族第３級アミンであり、Ｇは
アリーレン，シクロアルキレンあるいはアルキレン基の
ような連結基または炭素−炭素結合基である。この素子
構成により２０Ｖ以上の印加電圧で数百ｃｄ／ｍ 2 の高
輝度を可能とした。しかし、ここで用いられる正孔注入
材料である例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４
−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−シクロヘキサン等
を用いた正孔注入層は、時間とともに再結晶化が生じる
ため、素子のピンホールの形成や通電劣化が時間ととも
に進行し、長寿命の素子を得るためには問題があった。
これは、正孔注入材料として用いた芳香族第３級アミン
の融点が２００℃以下と低く、また非晶状態においては
ガラス転移温度（Ｔｇ）が９０℃以下であり、その結
果、耐熱性が小さく、熱的劣化が室温においても進行す
るためであった。また、スチリルアミン誘導体を正孔注
入層として用いた技術が開示されている（特開平３−５
４２８９号公報）が、これもまた正孔注入層のＴｇが９
０℃以下であり上記問題点は解決されていなかった。さ
らに、素子材料としてジスチリルベンゼン誘導体を用い
た技術が開示されている（特開平３−１６３１８７号公
報）が、これも正孔注入層のＴｇが９０℃以下であり上
記問題点は解決されていなかった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、Ｔｇおよび
融点が高いジスチリルベンゼン誘導体を正孔注入材料に
用いることにより、長寿命の有機ＥＬ素子が得られるこ
とを見出した。
上記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、Ｔｇおよび
融点が高いジスチリルベンゼン誘導体を正孔注入材料に
用いることにより、長寿命の有機ＥＬ素子が得られるこ
とを見出した。
【０００４】本発明はかかる知見に基づいて完成したも
のである。すなわち本発明は、一般式（Ｉ）
のである。すなわち本発明は、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化４】
【０００６】（式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立に
炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリー
ル基，炭素数６〜２０のアルキル基置換アリール基，炭
素数６〜２０のアリールオキシ基置換アリール基または
炭素数６〜２０のアルコキシ基置換アリール基を示す。
Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数１
〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール
オキシ基を示す。また、Ｘは式
炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリー
ル基，炭素数６〜２０のアルキル基置換アリール基，炭
素数６〜２０のアリールオキシ基置換アリール基または
炭素数６〜２０のアルコキシ基置換アリール基を示す。
Ｒ7 およびＲ8 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１０
のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数１
〜１０のアルコキシ基または炭素数６〜２０のアリール
オキシ基を示す。また、Ｘは式
【０００７】
【化５】
【０００８】（ここで、Ｒ3 〜Ｒ6 はそれぞれ独立に水
素，炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０
のアルコキシ基を示す。）で表される２価の基を示
す。）または、一般式（II）
素，炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０
のアルコキシ基を示す。）で表される２価の基を示
す。）または、一般式（II）
【０００９】
【化６】
【００１０】（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸ
は前記と同じである。）で表される化合物を正孔注入材
料として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供するものである。
は前記と同じである。）で表される化合物を正孔注入材
料として用いることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供するものである。
【００１１】本発明において、正孔注入材料として用い
られる化合物は、上記一般式（Ｉ）または（II）で表さ
れる化合物である。ここで、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ独立
に炭素数１〜１０のアルキル基（メチル基，エチル基，
ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−
ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブチル基，イソペン
チル基，t-ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル
基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基
等）、炭素数６〜２０のアリール基（フェニル基，ナフ
チル基，ビフェニル基，アントラニル基，フェナントラ
ニル基等）、炭素数６〜２０のアルキル基置換アリール
基（トリル基，ジメチルフェニル基，エチルフェニル
基，メチルナフチル基，ジメチルナフチル基等）、炭素
数６〜２０のアルコキシ基置換アリール基（メトキシフ
ェニル基，エトキシフェニル基，メトキシナフチル基，
エトキシナフチル基等）、炭素数６〜２０のアリールオ
キシ基置換アリール基（フェノキシフェニル基，ナフソ
オキシフェニル基，フェノキシナフチル基，フェノキシ
アントラニル基等）を示し、Ｒ7 ，Ｒ8 はそれぞれ独立
に水素，炭素数１〜１０のアルキル基（メチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル
基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブチル基，
イソペンチル基，tert−ペンチル基，ネオペンチル基，
イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，
デシル基等）、炭素数６〜２０のアリール基（フェニル
基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラニル基，フェ
ナントラニル基等）、炭素数１〜１０のアルコキシ基
（メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，ｉ−プ
ロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｉ−ブトキシ基，sec −
ブトキシ基，tert−ブトキシ基，t-ペントキシ基等）ま
たは炭素数６〜１０のアリールオキシ基（フェノキシ
基，ナフチルオキシ基等）をを示す。さらに、Ｘは式
られる化合物は、上記一般式（Ｉ）または（II）で表さ
れる化合物である。ここで、Ｒ1 ，Ｒ2 はそれぞれ独立
に炭素数１〜１０のアルキル基（メチル基，エチル基，
ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−
ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブチル基，イソペン
チル基，t-ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル
基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基
等）、炭素数６〜２０のアリール基（フェニル基，ナフ
チル基，ビフェニル基，アントラニル基，フェナントラ
ニル基等）、炭素数６〜２０のアルキル基置換アリール
基（トリル基，ジメチルフェニル基，エチルフェニル
基，メチルナフチル基，ジメチルナフチル基等）、炭素
数６〜２０のアルコキシ基置換アリール基（メトキシフ
ェニル基，エトキシフェニル基，メトキシナフチル基，
エトキシナフチル基等）、炭素数６〜２０のアリールオ
キシ基置換アリール基（フェノキシフェニル基，ナフソ
オキシフェニル基，フェノキシナフチル基，フェノキシ
アントラニル基等）を示し、Ｒ7 ，Ｒ8 はそれぞれ独立
に水素，炭素数１〜１０のアルキル基（メチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル
基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル基，tert−ブチル基，
イソペンチル基，tert−ペンチル基，ネオペンチル基，
イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，
デシル基等）、炭素数６〜２０のアリール基（フェニル
基，ナフチル基，ビフェニル基，アントラニル基，フェ
ナントラニル基等）、炭素数１〜１０のアルコキシ基
（メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，ｉ−プ
ロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｉ−ブトキシ基，sec −
ブトキシ基，tert−ブトキシ基，t-ペントキシ基等）ま
たは炭素数６〜１０のアリールオキシ基（フェノキシ
基，ナフチルオキシ基等）をを示す。さらに、Ｘは式
【００１２】
【化７】
【００１３】で表される２価の基を示す。ここで、Ｒ3
〜Ｒ6 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１０のアルキ
ル基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロ
ピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル
基，tert−ブチル基，イソペンチル基，t-ペンチル基，
ネオペンチル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチ
ル基，ノニル基，デシル基等）、または炭素数１〜１０
のアルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポ
キシ基，ｉ−プロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｉ−ブト
キシ基，sec −ブトキシ基，tert−ブトキシ基，イソペ
ンチルオキシ基，t-ペンチルオキシ基，ネオペンチルオ
キシ基，イソヘキシルオキシ基，ヘプチルオキシ基，オ
クチルオキシ基，ノニルオキシ基，デシルオキシ基等）
を示す。
〜Ｒ6 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１０のアルキ
ル基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロ
ピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，sec −ブチル
基，tert−ブチル基，イソペンチル基，t-ペンチル基，
ネオペンチル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチ
ル基，ノニル基，デシル基等）、または炭素数１〜１０
のアルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポ
キシ基，ｉ−プロポキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｉ−ブト
キシ基，sec −ブトキシ基，tert−ブトキシ基，イソペ
ンチルオキシ基，t-ペンチルオキシ基，ネオペンチルオ
キシ基，イソヘキシルオキシ基，ヘプチルオキシ基，オ
クチルオキシ基，ノニルオキシ基，デシルオキシ基等）
を示す。
【００１４】本発明で用いられる一般式（Ｉ）または一
般式（II）で表される化合物は、１分子中に２つのメチ
リディン（−ＨＣ＝ＣＨ−）単位を有し、このメチリデ
ィン単位の幾何異性によって、４通りの組合わせ、すな
わち、シス−シス，トランス−シス，シス−トランスお
よびトランス−トランスの構造がある。本発明の正孔注
入材料は、それらのいずれのものであってもよいし、幾
何異性体の混合したものでもよい。特に好ましくは、全
てトランス体のものである。
般式（II）で表される化合物は、１分子中に２つのメチ
リディン（−ＨＣ＝ＣＨ−）単位を有し、このメチリデ
ィン単位の幾何異性によって、４通りの組合わせ、すな
わち、シス−シス，トランス−シス，シス−トランスお
よびトランス−トランスの構造がある。本発明の正孔注
入材料は、それらのいずれのものであってもよいし、幾
何異性体の混合したものでもよい。特に好ましくは、全
てトランス体のものである。
【００１５】本発明のＥＬ素子における一般式（Ｉ）ま
たは一般式（II）で表される化合物では、Ｘとして上述
したような２価の基を用い、またＴｇが９０℃を超える
ような構造を選択することが好ましい。例えば、結合位
置については、フェニレン基では１，４結合位、ビフェ
ニレンでは４，４’結合位またはターフェニレン基では
４，４''' 結合位であり、共役系を切る２価の基として
は、
たは一般式（II）で表される化合物では、Ｘとして上述
したような２価の基を用い、またＴｇが９０℃を超える
ような構造を選択することが好ましい。例えば、結合位
置については、フェニレン基では１，４結合位、ビフェ
ニレンでは４，４’結合位またはターフェニレン基では
４，４''' 結合位であり、共役系を切る２価の基として
は、
【００１６】
【化８】
【００１７】等が挙げられる。このような一般式（Ｉ）
または（II）で表される正孔注入材料の具体例としては
または（II）で表される正孔注入材料の具体例としては
【００１８】
【化９】
【００１９】
【化１０】
【００２０】
【化１１】
【００２１】
【化１２】
【００２２】
【化１３】
【００２３】
【化１４】
【００２４】
【化１５】
【００２５】
【化１６】
【００２６】
【化１７】
【００２７】
【化１８】
【００２８】
【化１９】
【００２９】等が挙げられる。上記一般式（Ｉ）または
（II）で表される化合物Ｈ１〜Ｈ３０は、ホスホン酸エ
ステルとアルデヒドの混合溶液（溶媒：エタノール，ベ
ンゼン，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ），ジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）等）を塩基（ＮａＨ，ＮａＮＨ2 ，ＲＯＭ
（Ｒ：アルキル基，Ｍ：Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ等））の存在下
で反応させ、高収率のオレフィンを与えるWittig-Horne
r反応により容易に合成することができる (Horner L,;
HoffmannH.; Wippel H.G.; Chem. Be r.,(1959) 92, 24
99参照）。
（II）で表される化合物Ｈ１〜Ｈ３０は、ホスホン酸エ
ステルとアルデヒドの混合溶液（溶媒：エタノール，ベ
ンゼン，テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド（ＤＭＦ），ジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）等）を塩基（ＮａＨ，ＮａＮＨ2 ，ＲＯＭ
（Ｒ：アルキル基，Ｍ：Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ等））の存在下
で反応させ、高収率のオレフィンを与えるWittig-Horne
r反応により容易に合成することができる (Horner L,;
HoffmannH.; Wippel H.G.; Chem. Be r.,(1959) 92, 24
99参照）。
【００３０】本発明で用いられる正孔注入材料は、上記
一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物からなり、
これは正孔注入層の材料としては勿論、発光層の材料と
しても利用することができる。本発明の有機ＥＬ素子に
おける正孔注入層は、上記正孔注入材料よりなり、陽極
より注入された正孔を、発光層に伝達する機能を持つ。
この層をＥＬ素子の陽極と発光層間に挟むことにより低
電圧でより多くの正孔が発光層に注入され、素子の輝度
は向上する。この正孔注入層の正孔注入材料は、電場を
与えられた二個の電極間に配置されて陽極からの正孔の
注入を容易にすると共に、正孔を適切に発光層へ伝達す
ることができる化合物である。正孔注入層を陽極と発光
層との間に挟むことにより、より低い電界で多くの正孔
が発光層に注入される。さらに、陰極や電子注入層から
発光層に注入された電子は、発光層と正孔注入層の界面
に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付近
に蓄積され発光効率が向上する。ここで好ましい正孔注
入材料は、１０4 〜１０6 ボルト／ｃｍの電場を与えら
れた電極間に層が配置された場合、少なくとも１０-6ｃ
ｍ2 ／ボルト・秒の正孔移動度をもつ。
一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物からなり、
これは正孔注入層の材料としては勿論、発光層の材料と
しても利用することができる。本発明の有機ＥＬ素子に
おける正孔注入層は、上記正孔注入材料よりなり、陽極
より注入された正孔を、発光層に伝達する機能を持つ。
この層をＥＬ素子の陽極と発光層間に挟むことにより低
電圧でより多くの正孔が発光層に注入され、素子の輝度
は向上する。この正孔注入層の正孔注入材料は、電場を
与えられた二個の電極間に配置されて陽極からの正孔の
注入を容易にすると共に、正孔を適切に発光層へ伝達す
ることができる化合物である。正孔注入層を陽極と発光
層との間に挟むことにより、より低い電界で多くの正孔
が発光層に注入される。さらに、陰極や電子注入層から
発光層に注入された電子は、発光層と正孔注入層の界面
に存在する電子の障壁により、この発光層内の界面付近
に蓄積され発光効率が向上する。ここで好ましい正孔注
入材料は、１０4 〜１０6 ボルト／ｃｍの電場を与えら
れた電極間に層が配置された場合、少なくとも１０-6ｃ
ｍ2 ／ボルト・秒の正孔移動度をもつ。
【００３１】本発明の有機ＥＬ素子における積層構造
は、（１）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰
極の順に積層，（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
の順に積層，（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極の
順に積層あるいは（４）陽極／発光層／陰極をこの順序
で積層したものが好ましい。なお、これらの有機ＥＬ素
子は、支持基板上に形成することが好ましい。本発明の
有機ＥＬ素子において使用できる基板は、透明性を有す
るものが好ましく、一般にガラス，透明プラスチック，
石英等が充当される。このＥＬ素子における正極として
は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例
としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，
ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。該正極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより作製することができ
る。この電極より発光を取り出す場合には、透過率を１
０％より大きくすることが望ましく、また、電極として
のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚
は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは
１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。一方、陰極として
は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属，合金，電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが用いられる。このような電極物質の具体例として
は、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシ
ウム，リチウム，マグネシウム／銅混合物，Ａｌ／Ａｌ
2 Ｏ3 ，インジウムなどが挙げられる。該陰極は、これ
らの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が
好ましく、膜厚は通常１０〜５００ｎｍ，好ましくは５
０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過さ
せるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一
方が、透明または半透明であれば発光効率が向上し好都
合である。
は、（１）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰
極の順に積層，（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
の順に積層，（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極の
順に積層あるいは（４）陽極／発光層／陰極をこの順序
で積層したものが好ましい。なお、これらの有機ＥＬ素
子は、支持基板上に形成することが好ましい。本発明の
有機ＥＬ素子において使用できる基板は、透明性を有す
るものが好ましく、一般にガラス，透明プラスチック，
石英等が充当される。このＥＬ素子における正極として
は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例
としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，
ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。該正極は、
これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法に
より、薄膜を形成させることにより作製することができ
る。この電極より発光を取り出す場合には、透過率を１
０％より大きくすることが望ましく、また、電極として
のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚
は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは
１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。一方、陰極として
は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属，合金，電気
伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするも
のが用いられる。このような電極物質の具体例として
は、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシ
ウム，リチウム，マグネシウム／銅混合物，Ａｌ／Ａｌ
2 Ｏ3 ，インジウムなどが挙げられる。該陰極は、これ
らの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法によ
り、薄膜を形成させることにより、作製することができ
る。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が
好ましく、膜厚は通常１０〜５００ｎｍ，好ましくは５
０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光を透過さ
せるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一
方が、透明または半透明であれば発光効率が向上し好都
合である。
【００３２】また、本発明では、発光層の発光材料につ
いて特に制限されることはなく、従来公知の化合物の中
から任意のものを選択して用いることができる。なお、
上記一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物を発光
層の一部に混入することもできる。
いて特に制限されることはなく、従来公知の化合物の中
から任意のものを選択して用いることができる。なお、
上記一般式（Ｉ）または（II）で表される化合物を発光
層の一部に混入することもできる。
【００３３】発光材料としては、例えば、多環縮合芳香
族化合物、ベンゾオキサゾール系，ベンゾチアゾール
系，ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物
等薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。ここ
で、上記多環縮合芳香族化合物としては、例えばアント
ラセン，ナフタレン，フェナントレン，ピレン，クリセ
ン，ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約８個の縮
合環を含む他の縮合環発光物質等を挙げることができ
る。
族化合物、ベンゾオキサゾール系，ベンゾチアゾール
系，ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、金属キレー
ト化オキサノイド化合物、ジスチリルベンゼン系化合物
等薄膜形成性の良い化合物を用いることができる。ここ
で、上記多環縮合芳香族化合物としては、例えばアント
ラセン，ナフタレン，フェナントレン，ピレン，クリセ
ン，ペリレン骨格を含む縮合環発光物質や、約８個の縮
合環を含む他の縮合環発光物質等を挙げることができ
る。
【００３４】上記ベンゾオキサゾール系，ベンゾチアゾ
ール系，ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤として
は、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に記載され
ているものを用いることができ、その代表例としては、
２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾ
オキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール；４，
４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサ
ゾリル）スチルベン；４，４’−ビス（５，７−ジ−
（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリ
ル）スチルベン；２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペン
チル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−
ビス（５−（α，α，−ジメチルベンジル）−２−ベン
ゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス（５，７−
ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾ
リル）−３，４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス
（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；
４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニ
ル；５−メチル−２−（２−（４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサゾリル）フェニル）ビニル）ベンゾオキサ
ゾール；２−（２−（４−クロロフェニル）ビニル）ナ
フト（１，２−ｄ）オキサゾール等のベンゾオキサゾー
ル系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビス
ベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−（２−
（４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル）ビニル）
ベンゾイミダゾール；２−（２−（４−カルボキシフェ
ニル）ビニル）ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾ
ール系等の蛍光増白剤が挙げられる。
ール系，ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤として
は、例えば特開昭５９−１９４３９３号公報に記載され
ているものを用いることができ、その代表例としては、
２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾ
オキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール；４，
４’−ビス（５，７−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサ
ゾリル）スチルベン；４，４’−ビス（５，７−ジ−
（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリ
ル）スチルベン；２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペン
チル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−
ビス（５−（α，α，−ジメチルベンジル）−２−ベン
ゾオキサゾリル）チオフェン；２，５−ビス（５，７−
ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾ
リル）−３，４−ジフェニルチオフェン；２，５−ビス
（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン；
４，４’−ビス（２−ベンゾオキサゾリル）ビフェニ
ル；５−メチル−２−（２−（４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサゾリル）フェニル）ビニル）ベンゾオキサ
ゾール；２−（２−（４−クロロフェニル）ビニル）ナ
フト（１，２−ｄ）オキサゾール等のベンゾオキサゾー
ル系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビス
ベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−（２−
（４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル）ビニル）
ベンゾイミダゾール；２−（２−（４−カルボキシフェ
ニル）ビニル）ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾ
ール系等の蛍光増白剤が挙げられる。
【００３５】上記金属キレート化オキサノイド化合物と
しては、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報に記載
されているものを用いることができる。その代表例とし
ては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ビス
（８−キノリノール）マグネシウム，ビス（ベンゾ
（ｆ）−８−キノリノール）亜鉛，ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）アルミニウムオキシド，トリス
（８−キノリノール）インジウム，トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム，８−キノリノール
リチウム，トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガ
リウム，ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシ
ウム，ポリ（亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−
キノリノニル）メタン）等の８−ヒドロキシキノリン系
金属鎖体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられ
る。
しては、例えば特開昭６３−２９５６９５号公報に記載
されているものを用いることができる。その代表例とし
ては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ビス
（８−キノリノール）マグネシウム，ビス（ベンゾ
（ｆ）−８−キノリノール）亜鉛，ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）アルミニウムオキシド，トリス
（８−キノリノール）インジウム，トリス（５−メチル
−８−キノリノール）アルミニウム，８−キノリノール
リチウム，トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガ
リウム，ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシ
ウム，ポリ（亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−
キノリノニル）メタン）等の８−ヒドロキシキノリン系
金属鎖体やジリチウムエピンドリジオン等が挙げられ
る。
【００３６】他には、欧州特許第０３７３５８２号明細
書に記載のジスチリルベンゼン誘導体，同０３８８７６
８号明細書に記載のジメチリデン誘導体、特開平２−１
９１６９４号公報のクマリン誘導体、特開平２−２５２
７９３号公報のジスチリルピラジン誘導体、特開平２−
１９６８８５号公報のペリレン誘導体、特開平２−２５
５７８９号公報のナフタレン誘導体、特開平２−２８９
６７６号公報および同２−８８６８９号公報のフタロペ
リノン誘導体、特開平２−２５０２９２号公報のスチリ
ルアミン誘導体および同２−２８９６７５号公報のシク
ロペンタジエン誘導体等、目的とする発光色および性能
等から適宜選択することができる。上記の有機化合物か
らなる発光層は、所望に応じて２層以上の積層構造でも
よく、米国特許第４，７６９，２９２号明細書に開示さ
れているように蛍光物質を加えて形成してもよい。この
場合上記有機化合物は薄膜状の層であり、発光領域の機
能の注入機能および発光機能の一部を受持ち、一方、蛍
光物質はその有機化合物の層の中に微量（数モル％以
下）存在させ、電子と正孔の再結合に応答して発光する
といった発光機能の一部を担っている。さらに、発光領
域に用いる有機化合物は薄膜性を有していない化合物で
あってもよく、このような化合物の例としては、１，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエン；１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエン；テトラフェニル
シクロペンタジエン等が挙げられる。しかし、これらの
薄膜性を有しない材料は、素子の寿命が短い欠点を有す
る。一方、本発明の有機ＥＬ素子では、電子注入層はな
くてもよいが、電子注入層を有するものが更に好まし
く、発光性能が一段と向上する。電子注入層は電子を伝
達する化合物よりなる。電子注入層を形成する電子注入
材料の好ましい例としては、
書に記載のジスチリルベンゼン誘導体，同０３８８７６
８号明細書に記載のジメチリデン誘導体、特開平２−１
９１６９４号公報のクマリン誘導体、特開平２−２５２
７９３号公報のジスチリルピラジン誘導体、特開平２−
１９６８８５号公報のペリレン誘導体、特開平２−２５
５７８９号公報のナフタレン誘導体、特開平２−２８９
６７６号公報および同２−８８６８９号公報のフタロペ
リノン誘導体、特開平２−２５０２９２号公報のスチリ
ルアミン誘導体および同２−２８９６７５号公報のシク
ロペンタジエン誘導体等、目的とする発光色および性能
等から適宜選択することができる。上記の有機化合物か
らなる発光層は、所望に応じて２層以上の積層構造でも
よく、米国特許第４，７６９，２９２号明細書に開示さ
れているように蛍光物質を加えて形成してもよい。この
場合上記有機化合物は薄膜状の層であり、発光領域の機
能の注入機能および発光機能の一部を受持ち、一方、蛍
光物質はその有機化合物の層の中に微量（数モル％以
下）存在させ、電子と正孔の再結合に応答して発光する
といった発光機能の一部を担っている。さらに、発光領
域に用いる有機化合物は薄膜性を有していない化合物で
あってもよく、このような化合物の例としては、１，４
−ジフェニル−１，３−ブタジエン；１，１，４，４−
テトラフェニル−１，３−ブタジエン；テトラフェニル
シクロペンタジエン等が挙げられる。しかし、これらの
薄膜性を有しない材料は、素子の寿命が短い欠点を有す
る。一方、本発明の有機ＥＬ素子では、電子注入層はな
くてもよいが、電子注入層を有するものが更に好まし
く、発光性能が一段と向上する。電子注入層は電子を伝
達する化合物よりなる。電子注入層を形成する電子注入
材料の好ましい例としては、
【００３７】
【化２０】
【００３８】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、特
開昭５７−１４９２５９号，同５８−５５４５０号，同
６３−１０４０６１号公報等に記載されているアントラ
キノジメタン誘導体、Polymer Preprints, Japan Vol.
37, No. ３(1988),p.681等に記載されている
開昭５７−１４９２５９号，同５８−５５４５０号，同
６３−１０４０６１号公報等に記載されているアントラ
キノジメタン誘導体、Polymer Preprints, Japan Vol.
37, No. ３(1988),p.681等に記載されている
【００３９】
【化２１】
【００４０】などのジフェニルキノン誘導体、などのチ
オピランジオキシド誘導体、J. J. APPl. Phys., 27, L
269(1988)等に記載されている
オピランジオキシド誘導体、J. J. APPl. Phys., 27, L
269(1988)等に記載されている
【００４１】
【化２２】
【００４２】などのチオピランジオキシド誘導体、J.
J. Appl. Phys., 27, L 269(1988)等に記載されている
J. Appl. Phys., 27, L 269(1988)等に記載されている
【００４３】
【化２３】
【００４４】で表される化合物、特開昭６０−６９６５
７号，同６１−１４３７６４号，同６１−１４８１５９
号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘導
体、特開昭６１−２２５１５１号，同６１−２３３７５
０号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導
体およびアントロン誘導体などをあげることができる。
また、次の一般式（III)および（IV）
７号，同６１−１４３７６４号，同６１−１４８１５９
号公報等に記載されているフレオレニリデンメタン誘導
体、特開昭６１−２２５１５１号，同６１−２３３７５
０号公報等に記載されているアントラキノジメタン誘導
体およびアントロン誘導体などをあげることができる。
また、次の一般式（III)および（IV）
【００４５】
【化２４】
【００４６】（式中、Ａｒ3 〜Ａｒ5 およびＡｒ7 はそ
れぞれ独立にアリール基を示し、Ａｒ 6 はアリーレン基
を示す。これらのアリール基およびアリーレン基は置換
されていても、置換されていなくてもよい。）で表され
る化合物を挙げることができる。ここで、アリール基と
しては、フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アン
トラニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、
アリーレン基としては、フェニレン基，ナフチレン基，
ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン
基，ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基として
は、炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のア
ルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この一般式
（III)および（IV）で表される化合物は、薄膜形成性の
ものが好ましい。この一般式（III)および（IV）で表さ
れる化合物の具体例としては、
れぞれ独立にアリール基を示し、Ａｒ 6 はアリーレン基
を示す。これらのアリール基およびアリーレン基は置換
されていても、置換されていなくてもよい。）で表され
る化合物を挙げることができる。ここで、アリール基と
しては、フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アン
トラニル基，ペリレニル基，ピレニル基等が挙げられ、
アリーレン基としては、フェニレン基，ナフチレン基，
ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン
基，ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基として
は、炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のア
ルコキシ基またはシアノ基等が挙げられる。この一般式
（III)および（IV）で表される化合物は、薄膜形成性の
ものが好ましい。この一般式（III)および（IV）で表さ
れる化合物の具体例としては、
【００４７】
【化２５】
【００４８】
【化２６】
【００４９】
【化２７】
【００５０】等が挙げられる。このような素子材料を用
いて、前述した（１）陽極／正孔注入層／発光層／電子
注入層／陰極の構成の有機ＥＬ素子を作成するには、例
えば次の如き手順にしたがえばよい。即ち、まず、基板
上に電極を蒸着もしくはスパッタ法にて製膜する。この
際、膜状の電極の膜厚は、一般に１０ｎｍ〜１μｍ、特
に２００ｎｍ以下が、発光の透過率を高める上で好まし
い。次に、この電極の上に正孔注入材料を薄膜状に形成
して正孔注入層とする。この際の薄膜化方法は、スピン
コート，キャスト，蒸着法等があるが、均一な膜が得や
すいこと、およびピンホールが生成しないことから、と
りわけ真空蒸着法が好ましい。薄膜化に際して蒸着法を
採用する場合、その蒸着の条件は、例えばボート加熱温
度５０〜４００℃，真空度１０-5〜１０-3Ｐa ，蒸着速
度0.０１〜５０ｎｍ／秒，基板温度−５０〜＋３００℃
の範囲で膜厚５ｎｍ〜５μｍとなるように選定すればよ
い。なお、上述した条件は、化合物の種類および分子堆
積膜の目的とする結晶構造，会合構造等により異なり、
一義的に定めることはできないが、ボートの加熱温度を
化合物が分解しない温度にとどめることが好ましい。こ
の正孔注入層の形成後、発光材料を例えば真空蒸着法に
より、上記発光層の上に積層薄膜化する。この際の蒸着
条件は、前記発光層の形成の際の条件と同様である。次
いで、電子注入層も同様にして形成する。その後、対向
電極を蒸着法やスパッタ法にて膜厚５０〜２００ｎｍで
形成すれば、目的の有機ＥＬ素子が作成される。ここ
で、正孔注入層／発光層／電子注入層の順序を、電子注
入層／発光層／正孔注入層に変えて、電極／電子注入層
／発光層／正孔注入層／電極の順に作製してもよい。
いて、前述した（１）陽極／正孔注入層／発光層／電子
注入層／陰極の構成の有機ＥＬ素子を作成するには、例
えば次の如き手順にしたがえばよい。即ち、まず、基板
上に電極を蒸着もしくはスパッタ法にて製膜する。この
際、膜状の電極の膜厚は、一般に１０ｎｍ〜１μｍ、特
に２００ｎｍ以下が、発光の透過率を高める上で好まし
い。次に、この電極の上に正孔注入材料を薄膜状に形成
して正孔注入層とする。この際の薄膜化方法は、スピン
コート，キャスト，蒸着法等があるが、均一な膜が得や
すいこと、およびピンホールが生成しないことから、と
りわけ真空蒸着法が好ましい。薄膜化に際して蒸着法を
採用する場合、その蒸着の条件は、例えばボート加熱温
度５０〜４００℃，真空度１０-5〜１０-3Ｐa ，蒸着速
度0.０１〜５０ｎｍ／秒，基板温度−５０〜＋３００℃
の範囲で膜厚５ｎｍ〜５μｍとなるように選定すればよ
い。なお、上述した条件は、化合物の種類および分子堆
積膜の目的とする結晶構造，会合構造等により異なり、
一義的に定めることはできないが、ボートの加熱温度を
化合物が分解しない温度にとどめることが好ましい。こ
の正孔注入層の形成後、発光材料を例えば真空蒸着法に
より、上記発光層の上に積層薄膜化する。この際の蒸着
条件は、前記発光層の形成の際の条件と同様である。次
いで、電子注入層も同様にして形成する。その後、対向
電極を蒸着法やスパッタ法にて膜厚５０〜２００ｎｍで
形成すれば、目的の有機ＥＬ素子が作成される。ここ
で、正孔注入層／発光層／電子注入層の順序を、電子注
入層／発光層／正孔注入層に変えて、電極／電子注入層
／発光層／正孔注入層／電極の順に作製してもよい。
【００５１】また、（２）陽極／正孔注入層／発光層／
陰極の構成のＥＬ素子を作成するには、まず電極，正孔
注入輸送層，発光層，対向電極を上記（１）の有機ＥＬ
素子と同様に形成すれば、目的とする上記（２）の構成
の有機ＥＬ素子が作成される。
陰極の構成のＥＬ素子を作成するには、まず電極，正孔
注入輸送層，発光層，対向電極を上記（１）の有機ＥＬ
素子と同様に形成すれば、目的とする上記（２）の構成
の有機ＥＬ素子が作成される。
【００５２】さらに、（３）陽極／発光層／陰極の構成
の有機ＥＬ素子を作成するには、前述の（１）の構成の
有機ＥＬ素子を作成する際に、正孔注入層および電子注
入層の形成を省略すればよい。また、一対の電極間に正
孔注入材料，発光材料，電子注入材料を混合させた形で
電極間に挟持させ発光層とした、陽極／発光層／陰極か
らなる素子の場合の作製方法としては、例えば適当な基
板の上に、陽極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入
材料，発光材料，電子注入材料，ポリビニルカルバゾー
ル等の結着剤等からなる溶液を塗布するか、またはこの
溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させるものがあ
る。ここで、作製した発光層上に、さらに発光層の材料
となる素子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質から
なる薄膜を形成させてもよい。
の有機ＥＬ素子を作成するには、前述の（１）の構成の
有機ＥＬ素子を作成する際に、正孔注入層および電子注
入層の形成を省略すればよい。また、一対の電極間に正
孔注入材料，発光材料，電子注入材料を混合させた形で
電極間に挟持させ発光層とした、陽極／発光層／陰極か
らなる素子の場合の作製方法としては、例えば適当な基
板の上に、陽極用物質からなる薄膜を形成し、正孔注入
材料，発光材料，電子注入材料，ポリビニルカルバゾー
ル等の結着剤等からなる溶液を塗布するか、またはこの
溶液から浸漬塗工法により薄膜を形成させ発光層とし、
その上に陰極用物質からなる薄膜を形成させるものがあ
る。ここで、作製した発光層上に、さらに発光層の材料
となる素子材料を真空蒸着し、その上に陰極用物質から
なる薄膜を形成させてもよい。
【００５３】以上のようにして得られた本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、印加電圧が交流の場合（交流駆動）には、陽
極側にプラスの電圧が印加されているバイアス状態の時
のみ発光が観測される。また、印加電圧が直流の場合
（直流駆動）には、陽極側にプラスの電圧を印加するこ
とにより常に発光が観測される。
Ｌ素子は、印加電圧が交流の場合（交流駆動）には、陽
極側にプラスの電圧が印加されているバイアス状態の時
のみ発光が観測される。また、印加電圧が直流の場合
（直流駆動）には、陽極側にプラスの電圧を印加するこ
とにより常に発光が観測される。
【００５４】
【実施例】次に本発明を合成例，実施例および比較例に
よりさらに詳しく説明する。 合成例１
よりさらに詳しく説明する。 合成例１
【００５５】
【化２８】
【００５６】で表されるホスホン酸エステル1.８ｇをア
ルゴン雰囲気下でＤＭＳＯ２０ミリリットルに溶解し、
カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔＢｕＯＫ）1.０ｇを加え
た。その後、Ｎ−エチルカルバゾール−３−カルボキシ
アルデヒド2.０ｇを加え、室温で５時間攪拌した。得ら
れた反応物へメタノール１００ミリリットルを加た結
果、黄色の粉末が析出した。この粉末にＩ2 を含むベン
ゼン溶液を加え再結晶させたところ、0.８ｇの黄色の粉
末を得た。得られた生成物の融点は３００℃以上であっ
た。
ルゴン雰囲気下でＤＭＳＯ２０ミリリットルに溶解し、
カリウム−ｔ−ブトキシド（ｔＢｕＯＫ）1.０ｇを加え
た。その後、Ｎ−エチルカルバゾール−３−カルボキシ
アルデヒド2.０ｇを加え、室温で５時間攪拌した。得ら
れた反応物へメタノール１００ミリリットルを加た結
果、黄色の粉末が析出した。この粉末にＩ2 を含むベン
ゼン溶液を加え再結晶させたところ、0.８ｇの黄色の粉
末を得た。得られた生成物の融点は３００℃以上であっ
た。
【００５７】また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭＲ
スペクトル），赤外吸収（ＩＲ）スペクトルおよび元素
分析の測定結果を以下に示す。 1 Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ2 ，標準：テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）＝6.９〜8.５（ｍ，２６Ｈ：中心ビフェニ
レン環およびカルバゾール環のＨ） δ（ｐｐｍ）＝4.３（ｑ，４Ｈ：エチル基のメチレン
（−ＣＨ2 −）） δ（ｐｐｍ）＝1.４（ｔ，６Ｈ：エチル基のメチル（−
ＣＨ3 −）） ＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠剤法） νC=C ；１６００ｃｍ-1 （Ｃ＝Ｃの伸縮振動） δC-H ； ９７５ｃｍ-1 （Ｃ−Ｈの面外変角振動） 元素分析（カッコ内は理論値） Ｃ：８8.８２％（８9.１５） Ｈ： 5.９８％（ 6.１２） Ｎ： 4.４５％（ 4.７３） 元素構成：Ｃ44Ｈ36Ｎ2 上記の測定結果より、得られた化合物は
スペクトル），赤外吸収（ＩＲ）スペクトルおよび元素
分析の測定結果を以下に示す。 1 Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ2 ，標準：テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）＝6.９〜8.５（ｍ，２６Ｈ：中心ビフェニ
レン環およびカルバゾール環のＨ） δ（ｐｐｍ）＝4.３（ｑ，４Ｈ：エチル基のメチレン
（−ＣＨ2 −）） δ（ｐｐｍ）＝1.４（ｔ，６Ｈ：エチル基のメチル（−
ＣＨ3 −）） ＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠剤法） νC=C ；１６００ｃｍ-1 （Ｃ＝Ｃの伸縮振動） δC-H ； ９７５ｃｍ-1 （Ｃ−Ｈの面外変角振動） 元素分析（カッコ内は理論値） Ｃ：８8.８２％（８9.１５） Ｈ： 5.９８％（ 6.１２） Ｎ： 4.４５％（ 4.７３） 元素構成：Ｃ44Ｈ36Ｎ2 上記の測定結果より、得られた化合物は
【００５８】
【化２９】
【００５９】であることが確認された。
【００６０】合成例２
【００６１】
【化３０】
【００６２】で表されるホスホン酸エステル1.８ｇをア
ルゴン雰囲気下でＤＭＳＯ２０ミリリットルに溶解し、
ｔＢｕＯＫ1.０ｇを加えた。その後、Ｎ−エチルカルバ
ゾール−３−カルボキシアルデヒド2.０ｇを加え、室温
で５時間攪拌した。得られた反応物へメタノール１００
ミリリットルを加た結果、白色の粉末が析出した。この
粉末にＩ2 を含むベンゼン溶液を加え再結晶させたとこ
ろ、0.８ｇの白色の粉末を得た。得られた生成物の融点
は２３７〜２３８℃であった。
ルゴン雰囲気下でＤＭＳＯ２０ミリリットルに溶解し、
ｔＢｕＯＫ1.０ｇを加えた。その後、Ｎ−エチルカルバ
ゾール−３−カルボキシアルデヒド2.０ｇを加え、室温
で５時間攪拌した。得られた反応物へメタノール１００
ミリリットルを加た結果、白色の粉末が析出した。この
粉末にＩ2 を含むベンゼン溶液を加え再結晶させたとこ
ろ、0.８ｇの白色の粉末を得た。得られた生成物の融点
は２３７〜２３８℃であった。
【００６３】また、プロトン核磁気共鳴（ 1Ｈ−ＮＭ
Ｒ）スペクトル，赤外吸収（ＩＲ）スペクトルおよび元
素分析の測定結果を以下に示す。 1 Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ2 ，標準：テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）＝6.９〜8.１（ｍ，２８Ｈ：芳香族環およ
びカルバゾール環のＨ） δ（ｐｐｍ）＝4.２５（ｑ，
４Ｈ：エチル基のメチレン（−ＣＨ2 −）） δ（ｐｐｍ）＝1.４（ｔ，６Ｈ：エチル基のメチル（−
ＣＨ3 −）） ＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠剤法） νC=C ；１６００ｃｍ-1 （Ｃ＝Ｃの伸縮振動） δC-H ； ９７５ｃｍ-1 （Ｃ−Ｈの面外変角振動） 元素分析（カッコ内は理論値） Ｃ：８6.５３％（８6.８１） Ｈ： 5.７２％（ 5.９６） Ｎ： 4.３２％（ 4.６０） 元素構成：Ｃ44Ｈ36Ｎ2 Ｏ 上記の測定結果より、得られた化合物は
Ｒ）スペクトル，赤外吸収（ＩＲ）スペクトルおよび元
素分析の測定結果を以下に示す。 1 Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：ＣＤＣｌ2 ，標準：テトラメチ
ルシラン（ＴＭＳ）） δ（ｐｐｍ）＝6.９〜8.１（ｍ，２８Ｈ：芳香族環およ
びカルバゾール環のＨ） δ（ｐｐｍ）＝4.２５（ｑ，
４Ｈ：エチル基のメチレン（−ＣＨ2 −）） δ（ｐｐｍ）＝1.４（ｔ，６Ｈ：エチル基のメチル（−
ＣＨ3 −）） ＩＲスペクトル（ＫＢｒ錠剤法） νC=C ；１６００ｃｍ-1 （Ｃ＝Ｃの伸縮振動） δC-H ； ９７５ｃｍ-1 （Ｃ−Ｈの面外変角振動） 元素分析（カッコ内は理論値） Ｃ：８6.５３％（８6.８１） Ｈ： 5.７２％（ 5.９６） Ｎ： 4.３２％（ 4.６０） 元素構成：Ｃ44Ｈ36Ｎ2 Ｏ 上記の測定結果より、得られた化合物は
【００６４】
【化３１】
【００６５】であることが確認された。
【００６６】合成例３〜２０ 下記第１表に示したホスホン酸エステル，アルデヒド，
溶媒および塩基を用いたこと以外は、合成例１と同様の
反応を行った。
溶媒および塩基を用いたこと以外は、合成例１と同様の
反応を行った。
【００６７】
【表１】
【００６８】
【表２】
【００６９】
【表３】
【００７０】
【表４】
【００７１】
【表５】
【００７２】
【表６】
【００７３】参考例１（正孔注入材料の耐性試験） 本発明で用いる正孔注入材料（Ｈ１），（Ｈ２），（Ｈ
１５），（Ｈ１６）とその他の正孔注入材料（米国特許
第４，１２７，４１２号明細書参照）である１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−シクロヘキ
サン（ＴＰＡＣ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）の融点お
よびＴｇを、融点測定機および示差走査熱量計（ＤＳ
Ｃ）を用いて測定した。得られた結果を第２表に示す。
１５），（Ｈ１６）とその他の正孔注入材料（米国特許
第４，１２７，４１２号明細書参照）である１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−シクロヘキ
サン（ＴＰＡＣ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）の融点お
よびＴｇを、融点測定機および示差走査熱量計（ＤＳ
Ｃ）を用いて測定した。得られた結果を第２表に示す。
【００７４】
【表７】
【００７５】参考例２（熱的劣化測定１） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板をイソプロ
ピルアルコールを用いて３分間超音波洗浄を行った後、
乾燥窒素を吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さら
に、このガラス基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー
（サムコインターナショナル製）で３分間処理し、基板
表面の有機物を除去した。このガラス基板を市販の蒸着
装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定
し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに正孔注入材料（Ｈ
２）を２００ｍｇ入れ、真空槽を1.５×１０-4Ｐａまで
減圧した。その後、前記ボートを３３０℃まで加熱し、
Ｈ２を蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚６０ｎｍの層を製膜した。このときの基
板温度は室温であった。得られた薄膜を空気中に放置し
た結果、３週間後も再結晶が生じないことを確認した。
ピルアルコールを用いて３分間超音波洗浄を行った後、
乾燥窒素を吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さら
に、このガラス基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー
（サムコインターナショナル製）で３分間処理し、基板
表面の有機物を除去した。このガラス基板を市販の蒸着
装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定
し、モリブテン製の抵抗加熱ボートに正孔注入材料（Ｈ
２）を２００ｍｇ入れ、真空槽を1.５×１０-4Ｐａまで
減圧した。その後、前記ボートを３３０℃まで加熱し、
Ｈ２を蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に
蒸着して、膜厚６０ｎｍの層を製膜した。このときの基
板温度は室温であった。得られた薄膜を空気中に放置し
た結果、３週間後も再結晶が生じないことを確認した。
【００７６】参考例３（熱的劣化測定２） モリブテン製の抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００ｍｇ入
れ、前記ボートを２２０℃まで加熱したこと以外は、参
考例２と同様にして製膜した。得られた薄膜を空気中に
放置した結果、約２週間後、透明薄膜中に白濁点が生じ
始めた。この白濁点を光学顕微鏡で観察したところ結晶
成長であることがわかり、再結晶が生じていることが判
明した。上記参考例１〜３で得られた結果より、本発明
で用いられる正孔注入材料は、融点およびＴｇが高く熱
的劣化が小さいことがわかる。
れ、前記ボートを２２０℃まで加熱したこと以外は、参
考例２と同様にして製膜した。得られた薄膜を空気中に
放置した結果、約２週間後、透明薄膜中に白濁点が生じ
始めた。この白濁点を光学顕微鏡で観察したところ結晶
成長であることがわかり、再結晶が生じていることが判
明した。上記参考例１〜３で得られた結果より、本発明
で用いられる正孔注入材料は、融点およびＴｇが高く熱
的劣化が小さいことがわかる。
【００７７】実施例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール，純水，イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー（サムコインタ
ーナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真
空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートに８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体
（Ａｌｑ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボ
ートに正孔注入材料（Ｈ２：ＢＣｚＶＢｉ）を２００ｍ
ｇ入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その
後、Ｈ２入りの前記ボートを３３０℃まで加熱し、Ｈ２
を蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着
して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このとき
の基板温度は室温であった。次いで、これを真空槽より
取り出すことなく、正孔注入層上に、もう一つのボート
よりＡｌｑを発光層として５０ｎｍ積層蒸着した。この
ときのボート温度は２４０〜２５０℃、蒸着速度は0.２
〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。得られた積
層を真空槽より取り出し、ステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入
れ、また別のタングステン製の抵抗加熱フィラメントに
Ａｇ５００ｍｇを装着した。その後、真空槽を２×１０
-4Ｐａまで減圧し、上記ボートを加熱しＡｇを蒸着速度
0.１〜0.２ｎｍ／秒、同時にもう一方のボートも加熱し
マグネシウムを蒸着速度１〜２ｎｍ／秒で蒸着した。こ
のようにして、マグネシウムとＡｇの混合金属電極を発
光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。この混
合金属電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として直流８Ｖを
印加した結果電流が２３ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、緑色の
均一光を得た。分光測定の結果、発光輝度は７００ｃｄ
／ｍ2 ，発光効率は1.２ルーメン／Ｗであった。また、
この素子を窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結
果、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2 の半減期は６００時間で
あった。
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール，純水，イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー（サムコインタ
ーナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真
空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートに８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体
（Ａｌｑ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボ
ートに正孔注入材料（Ｈ２：ＢＣｚＶＢｉ）を２００ｍ
ｇ入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その
後、Ｈ２入りの前記ボートを３３０℃まで加熱し、Ｈ２
を蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着
して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このとき
の基板温度は室温であった。次いで、これを真空槽より
取り出すことなく、正孔注入層上に、もう一つのボート
よりＡｌｑを発光層として５０ｎｍ積層蒸着した。この
ときのボート温度は２４０〜２５０℃、蒸着速度は0.２
〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温であった。得られた積
層を真空槽より取り出し、ステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入
れ、また別のタングステン製の抵抗加熱フィラメントに
Ａｇ５００ｍｇを装着した。その後、真空槽を２×１０
-4Ｐａまで減圧し、上記ボートを加熱しＡｇを蒸着速度
0.１〜0.２ｎｍ／秒、同時にもう一方のボートも加熱し
マグネシウムを蒸着速度１〜２ｎｍ／秒で蒸着した。こ
のようにして、マグネシウムとＡｇの混合金属電極を発
光層上に１５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。この混
合金属電極を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として直流８Ｖを
印加した結果電流が２３ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、緑色の
均一光を得た。分光測定の結果、発光輝度は７００ｃｄ
／ｍ2 ，発光効率は1.２ルーメン／Ｗであった。また、
この素子を窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結
果、初期輝度１００ｃｄ／ｍ2 の半減期は６００時間で
あった。
【００７８】実施例２〜１９ 正孔注入材料として、第３表に示した化合物を用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し
た。実施例１と同様にして行った評価試験の結果を第３
表に示す。
と以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し
た。実施例１と同様にして行った評価試験の結果を第３
表に示す。
【００７９】
【表８】
【００８０】比較例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール，純水，イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー（サムコインタ
ーナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真
空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００ｍｇ入れ、また別の
モリブデン製ボートにＡｌｑを２００ｍｇ入れて真空槽
を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤ入りの
前記ボートを２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.
１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６
０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層上に、もう一つのボートよりＡｌｑを
発光層として５０ｎｍ積層蒸着した。このときのボート
温度は２４０〜２５０℃、蒸着速度は0.２〜0.４ｎｍ／
秒、基板温度は室温であった。得られた積層を真空槽よ
り取り出し、ステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定した。次にモリブテン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また別の
タングステン製の抵抗加熱フィラメントにＡｇ５００ｍ
ｇを装着した。その後、真空槽を２×１０-4Ｐａまで減
圧し、上記ボートを加熱しＡｇを蒸着速度0.１〜0.２ｎ
ｍ／秒、同時にもう一方のボートも加熱しマグネシウム
を蒸着速度１〜２ｎｍ／秒で蒸着した。このようにし
て、マグネシウムとＡｇの混合金属電極を発光層上に１
５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。この混合金属電極
を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として直流６Ｖを印加した結
果電流が３２ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、緑色の均一光を得
た。分光測定の結果、発光輝度は９００ｃｄ／ｍ2 ，発
光効率は1.５ルーメン／Ｗであった。また、この素子を
窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結果、初期輝度
１００ｃｄ／ｍ2 の半減期は１００時間であった。この
比較例は、初期の発光効率は優れているが、通電による
劣化および熱的劣化により素子寿命が短いという欠点を
有する。
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール，純水，イソプロピルアルコー
ルを用いて順に超音波洗浄を行った後、乾燥窒素を吹き
つけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、この透明支
持基板をＵＶ／Ｏ3 ドライストリッパー（サムコインタ
ーナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機物を
除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真
空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブテン製
の抵抗加熱ボートにＴＰＤを２００ｍｇ入れ、また別の
モリブデン製ボートにＡｌｑを２００ｍｇ入れて真空槽
を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤ入りの
前記ボートを２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.
１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６
０ｎｍの正孔注入層を製膜した。このときの基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層上に、もう一つのボートよりＡｌｑを
発光層として５０ｎｍ積層蒸着した。このときのボート
温度は２４０〜２５０℃、蒸着速度は0.２〜0.４ｎｍ／
秒、基板温度は室温であった。得られた積層を真空槽よ
り取り出し、ステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定した。次にモリブテン製の抵抗
加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また別の
タングステン製の抵抗加熱フィラメントにＡｇ５００ｍ
ｇを装着した。その後、真空槽を２×１０-4Ｐａまで減
圧し、上記ボートを加熱しＡｇを蒸着速度0.１〜0.２ｎ
ｍ／秒、同時にもう一方のボートも加熱しマグネシウム
を蒸着速度１〜２ｎｍ／秒で蒸着した。このようにし
て、マグネシウムとＡｇの混合金属電極を発光層上に１
５０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。この混合金属電極
を陰極、ＩＴＯ電極を陽極として直流６Ｖを印加した結
果電流が３２ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、緑色の均一光を得
た。分光測定の結果、発光輝度は９００ｃｄ／ｍ2 ，発
光効率は1.５ルーメン／Ｗであった。また、この素子を
窒素ガス雰囲気中にて寿命試験を行った結果、初期輝度
１００ｃｄ／ｍ2 の半減期は１００時間であった。この
比較例は、初期の発光効率は優れているが、通電による
劣化および熱的劣化により素子寿命が短いという欠点を
有する。
【００８１】
【発明の効果】以上の如く、本発明の有機ＥＬ素子は、
通電劣化，熱的劣化およびピンホール形成を防ぎ、素子
の長寿命化を可能にしたものである。従って、本発明の
有機ＥＬ素子は、各種機器のディスプレイ，発光素子等
の表示用素子として有効な利用が期待される。
通電劣化，熱的劣化およびピンホール形成を防ぎ、素子
の長寿命化を可能にしたものである。従って、本発明の
有機ＥＬ素子は、各種機器のディスプレイ，発光素子等
の表示用素子として有効な利用が期待される。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 はそれぞれ独立に炭素数１〜１
０のアルキル基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数
６〜２０のアルキル基置換アリール基，炭素数６〜２０
のアリールオキシ基置換アリール基または炭素数６〜２
０のアルコキシ基置換アリール基を示す。Ｒ7 およびＲ
8 はそれぞれ独立に水素，炭素数１〜１０のアルキル
基，炭素数６〜２０のアリール基，炭素数１〜１０のア
ルコキシ基または炭素数６〜２０のアリールオキシ基を
示す。また、Ｘは式 【化２】 （ここで、Ｒ3 〜Ｒ6 はそれぞれ独立に水素，炭素数１
〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ
基を示す。）で表される２価の基を示す。）または、一
般式（II） 【化３】 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ7 ，Ｒ8 およびＸは前記と同じ
である。）で表される化合物を正孔注入材料として用い
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項２】 請求項１記載の化合物からなる薄膜を正
孔注入層として用いる有機エレクトロルミネッセンス素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203318A JPH05194943A (ja) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-195250 | 1991-08-05 | ||
| JP19525091 | 1991-08-05 | ||
| JP4203318A JPH05194943A (ja) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05194943A true JPH05194943A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=26509009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203318A Pending JPH05194943A (ja) | 1991-08-05 | 1992-07-30 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05194943A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0610514A4 (en) * | 1992-08-28 | 1994-10-12 | Idemitsu Kosan Co | CHARGING INJECTION AID AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE CONTAINING IT. |
| WO1995025149A1 (fr) * | 1994-03-16 | 1995-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Element organique electroluminescent |
| JPH0896959A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP0836366A1 (en) * | 1996-10-08 | 1998-04-15 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| US5821003A (en) * | 1994-03-16 | 1998-10-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US6265088B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-07-24 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device |
| US6783872B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-08-31 | Fujitsu Limited | Dinaphtopyrene compound, and organic EL element and organic EL display using the same |
| US6803126B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-10-12 | Fujitsu Limited | Organic EL element and organic EL display |
| US6805977B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-10-19 | Fujitsu Limited | Condensed eight-ring aromatic compound, and organic EL element and organic EL display using the same |
| US7060370B2 (en) | 2002-02-06 | 2006-06-13 | Fuji Photo Film., Ltd. | Organic EL element and organic EL display |
| US7250227B2 (en) | 2003-01-30 | 2007-07-31 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent element, material for positive hole injecting layer, and organic electroluminescent display |
| US7402344B2 (en) | 2003-03-24 | 2008-07-22 | Sony Corporation | Organic electroluminescent devices and aminostyrylnaphthalene compounds |
| JPWO2008069061A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2010-03-18 | 出光興産株式会社 | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| JP2010065033A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-25 | Gracel Display Inc | 新規の有機電界発光化合物およびこれを使用する有機電界発光素子 |
| CN112513004A (zh) * | 2018-08-16 | 2021-03-16 | 东京化成工业株式会社 | 新型芳香胺化合物以及用于形成钙钛矿太阳能电池空穴传输层的组分 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203318A patent/JPH05194943A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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