JPH05196973A - 光スイッチ - Google Patents
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- JPH05196973A JPH05196973A JP4170782A JP17078292A JPH05196973A JP H05196973 A JPH05196973 A JP H05196973A JP 4170782 A JP4170782 A JP 4170782A JP 17078292 A JP17078292 A JP 17078292A JP H05196973 A JPH05196973 A JP H05196973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光スィッチ、特に小光量の光でスイッチング
可能なフォトクロミック型光スイッチを提供する。 【構成】 光学的に結合する２本の導波路の間にフォト
クロミック材料を含んだ媒質が存在してなることを特徴
とする。具体的には結合型の結合部の２本の導波路の
間、又は交差型の２本の交差する光導波路の接合部にフ
ォトクロミック材料含有の媒質が存在する光スイッチ、
あるいは導波路を含む層にフォトクロミック材料を存在
させておき、この層の上部にスリットを有するフォトマ
スク層を設けて結合部または接合部にのみ作動光が当た
るようにした光スイッチである。本発明の構成によれ
ば、従来より小光量の作動光でスィッチング可能であ
り、ハイパワー光源を要せず、非常にコンパクトなスィ
ッチングシステムを実現する。
可能なフォトクロミック型光スイッチを提供する。 【構成】 光学的に結合する２本の導波路の間にフォト
クロミック材料を含んだ媒質が存在してなることを特徴
とする。具体的には結合型の結合部の２本の導波路の
間、又は交差型の２本の交差する光導波路の接合部にフ
ォトクロミック材料含有の媒質が存在する光スイッチ、
あるいは導波路を含む層にフォトクロミック材料を存在
させておき、この層の上部にスリットを有するフォトマ
スク層を設けて結合部または接合部にのみ作動光が当た
るようにした光スイッチである。本発明の構成によれ
ば、従来より小光量の作動光でスィッチング可能であ
り、ハイパワー光源を要せず、非常にコンパクトなスィ
ッチングシステムを実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光スイッチ、特に小光量
の光でスイッチング可能なフォトクロミック型光スイッ
チに関するものである。
の光でスイッチング可能なフォトクロミック型光スイッ
チに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光スイッチとしては、ＬｉＮｂＯ
3 等の電気光学結晶上に導波路を形成したものや、Ｇａ
Ａｓ等の半導体基板上に導波路と電極を形成し、導波路
上の一部分に電圧を印加、あるいは電流を注入する等に
より、その部分の屈折率を変化させ、光路の切替えを行
なうものなどの導波路型光スイッチが知られている。こ
れらの導波路型光スイッチとしては、光機能デバイスに
関する調査研究報告書Ｉ（日本電子工業振興協会編、昭
和63年発行：以下「文献１」と略す）の第92頁に記載さ
れるように、図１１に示すような構造が知られている。
なかでも、光方向結合器型光スイッチと全反射型光スイ
ッチは実用化を目指して広く研究が行われている。
3 等の電気光学結晶上に導波路を形成したものや、Ｇａ
Ａｓ等の半導体基板上に導波路と電極を形成し、導波路
上の一部分に電圧を印加、あるいは電流を注入する等に
より、その部分の屈折率を変化させ、光路の切替えを行
なうものなどの導波路型光スイッチが知られている。こ
れらの導波路型光スイッチとしては、光機能デバイスに
関する調査研究報告書Ｉ（日本電子工業振興協会編、昭
和63年発行：以下「文献１」と略す）の第92頁に記載さ
れるように、図１１に示すような構造が知られている。
なかでも、光方向結合器型光スイッチと全反射型光スイ
ッチは実用化を目指して広く研究が行われている。
【０００３】この中の全反射型光スイッチの典型的な例
としては、文献１の第96頁に記載される、図１２に示す
ようなＸ型の導波路交差部にｎ型半導体を埋め込み、電
界変調によって交差部の屈折率を増大させることにより
全反射によるスイッチングを達成させている。
としては、文献１の第96頁に記載される、図１２に示す
ようなＸ型の導波路交差部にｎ型半導体を埋め込み、電
界変調によって交差部の屈折率を増大させることにより
全反射によるスイッチングを達成させている。
【０００４】一方フォトクロミック材料を用いた光スイ
ッチについては、フォトクロミック材料の吸収の変化を
利用したＯＮ／ＯＦＦ型のスイッチが従来から知られて
いたが、近年、同材料のフォトクロミズ効果に伴う屈折
率変化を利用した光スイッチが開発されつつあり、１９
９１年電子情報通信学会春季大会講演要旨集Ｃ−２９２
（１９９１）〔以下「文献２」と略す〕において、光フ
ァイバカプラを使用したフォトクロミック型光スイッチ
が提案されている。これは図１３に示す構造を有するも
のである。また図１４には図１３の結合部の概略断面図
を示す。図１３，図１４において、１は作動光源、２は
フィルター、３は光ファイバを融着させた結合部、４は
結合部の断面、５はフォトクロミック材料を含むクラツ
ド層、１４はフォトクロミック材料を表す。
ッチについては、フォトクロミック材料の吸収の変化を
利用したＯＮ／ＯＦＦ型のスイッチが従来から知られて
いたが、近年、同材料のフォトクロミズ効果に伴う屈折
率変化を利用した光スイッチが開発されつつあり、１９
９１年電子情報通信学会春季大会講演要旨集Ｃ−２９２
（１９９１）〔以下「文献２」と略す〕において、光フ
ァイバカプラを使用したフォトクロミック型光スイッチ
が提案されている。これは図１３に示す構造を有するも
のである。また図１４には図１３の結合部の概略断面図
を示す。図１３，図１４において、１は作動光源、２は
フィルター、３は光ファイバを融着させた結合部、４は
結合部の断面、５はフォトクロミック材料を含むクラツ
ド層、１４はフォトクロミック材料を表す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】文献１、図１２に示さ
れているような全反射型光スイッチにおいては、Ｉｎ
Ｐ、ＧａＡｓ等の半導体基板内にコアを作製したり他の
半導体を埋め込んだりする等の処理が必要であるため、
作製に大きな手間がかかり、コストも高い。また、半導
体自体の屈折率が高いため、石英ガラスの導波路あるい
は光ファイバと接続させる際に、界面反射による接続損
失が大きいという問題があった。
れているような全反射型光スイッチにおいては、Ｉｎ
Ｐ、ＧａＡｓ等の半導体基板内にコアを作製したり他の
半導体を埋め込んだりする等の処理が必要であるため、
作製に大きな手間がかかり、コストも高い。また、半導
体自体の屈折率が高いため、石英ガラスの導波路あるい
は光ファイバと接続させる際に、界面反射による接続損
失が大きいという問題があった。
【０００６】一方、文献２、図１３に示されているよう
なフォトクロミック型光スイッチは製造が簡単であり、
光ファイバとの接続性に優れる等の利点があるものの、
図１４の断面図に示すように２本の光ファイバを融着し
て結合部３を形成しているため、従来の方式ではフォト
クロミック材料１４を添加した屈折率可変媒体（クラツ
ド層）５を結合部の周囲に塗布し、結合部周囲の屈折率
変化によるスイッチング効果を利用していた。しかしな
がら、実際にはスイッチング光の光パワーが最も多く通
過する領域は、結合部の２本の導波部分に挟まれた領域
である。上記のような光ファイバを融着したスイッチで
は、この領域にフォトクロミック材料を配置できないた
め、屈折率可変媒体５の厚みを最低でも１０μｍ以上と
らないと、スイッチングを十分に生じさせることができ
ない。ところが、フォトクロミック材料は原理上フォト
クロミック反応を生じせしめる作動光の波長域とその近
傍の波長域に強い吸収を持つため、濃度を上げたり厚膜
化したりすると内部まで光が届きにくくなるので、スイ
ッチの作動に非常に大量の作動光を必要とするという問
題が生じていた。
なフォトクロミック型光スイッチは製造が簡単であり、
光ファイバとの接続性に優れる等の利点があるものの、
図１４の断面図に示すように２本の光ファイバを融着し
て結合部３を形成しているため、従来の方式ではフォト
クロミック材料１４を添加した屈折率可変媒体（クラツ
ド層）５を結合部の周囲に塗布し、結合部周囲の屈折率
変化によるスイッチング効果を利用していた。しかしな
がら、実際にはスイッチング光の光パワーが最も多く通
過する領域は、結合部の２本の導波部分に挟まれた領域
である。上記のような光ファイバを融着したスイッチで
は、この領域にフォトクロミック材料を配置できないた
め、屈折率可変媒体５の厚みを最低でも１０μｍ以上と
らないと、スイッチングを十分に生じさせることができ
ない。ところが、フォトクロミック材料は原理上フォト
クロミック反応を生じせしめる作動光の波長域とその近
傍の波長域に強い吸収を持つため、濃度を上げたり厚膜
化したりすると内部まで光が届きにくくなるので、スイ
ッチの作動に非常に大量の作動光を必要とするという問
題が生じていた。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決して、少
量の作動光でスイッチング可能な光スイッチを提供しよ
うとするものである。
量の作動光でスイッチング可能な光スイッチを提供しよ
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、光学的に結合
する２本の光導波路の間にフォトクロミック材料を含む
媒質が存在してなる光スイッチにより上記課題を解決で
きる。本発明の光スイッチとして光方向性結合器の光結
合部を構成する２本の導波路の間にフォトクロミック材
料を含んだ媒質が存在してなる光スイッチが挙げられ、
例えば図１に示すような基板上に、第１の導波路の結合
部とテーパ部とを含む薄膜層、クラッド層、第２の導波
路の結合部とテーパ部を含む薄膜層を順に形成した導波
路型光方向性結合器において、該クラッド部にフォトク
ロミック材料を含んだ媒質が存在してなる光スイッチで
あり、更には図３に示すような基板上に２本の導波路の
結合部とテーパ部を有する薄膜層が形成され、該薄膜層
内に２本の導波路の結合部をさえぎるようにフォトクロ
ミック材料を含んだ媒質が存在する中間層を形成した光
スイッチである。また、本発明は同様の構造として図５
に示すような平面型光方向性結合器の２本の導波路を含
む層にフォトクロミック材料が存在し、且つ該光導波路
層の上部に両導波路の結合部のみ光が透過するようなフ
ォトマスク部を有し、該フォトマスクの上部に該フォト
クロミック材料に対して活性な波長を含むスイッチング
光源が配置されてなる光スイッチも提供する。
する２本の光導波路の間にフォトクロミック材料を含む
媒質が存在してなる光スイッチにより上記課題を解決で
きる。本発明の光スイッチとして光方向性結合器の光結
合部を構成する２本の導波路の間にフォトクロミック材
料を含んだ媒質が存在してなる光スイッチが挙げられ、
例えば図１に示すような基板上に、第１の導波路の結合
部とテーパ部とを含む薄膜層、クラッド層、第２の導波
路の結合部とテーパ部を含む薄膜層を順に形成した導波
路型光方向性結合器において、該クラッド部にフォトク
ロミック材料を含んだ媒質が存在してなる光スイッチで
あり、更には図３に示すような基板上に２本の導波路の
結合部とテーパ部を有する薄膜層が形成され、該薄膜層
内に２本の導波路の結合部をさえぎるようにフォトクロ
ミック材料を含んだ媒質が存在する中間層を形成した光
スイッチである。また、本発明は同様の構造として図５
に示すような平面型光方向性結合器の２本の導波路を含
む層にフォトクロミック材料が存在し、且つ該光導波路
層の上部に両導波路の結合部のみ光が透過するようなフ
ォトマスク部を有し、該フォトマスクの上部に該フォト
クロミック材料に対して活性な波長を含むスイッチング
光源が配置されてなる光スイッチも提供する。
【０００９】本発明の他の光スイッチとして、２本の交
差する光導波路の接合部に、フォトクロミック材料を含
む媒質が存在してなる光スイッチがあり、例えば図７に
示すような、基板上に、交差する２本の導波路を有する
薄膜層が形成され、該薄膜層内に２本の導波路の接合部
をよぎるようにフォトクロミック材料を含む媒質が存在
する中間層を形成したスイッチが提供される。また、更
に同様の本発明による交差型スイッチとして、図９に示
すような、２本の交差する光導波路を含む層にフォトク
ロミック材料をを存在させ、該光導波路層の上部に接合
部のみ光が透過するようなフォトマスク部を有し、該フ
ォトマスクの上部に該フォトクロミック材料に対して活
性な波長を含むスイッチング光源が配置されてなる光ス
イッチも提供される。
差する光導波路の接合部に、フォトクロミック材料を含
む媒質が存在してなる光スイッチがあり、例えば図７に
示すような、基板上に、交差する２本の導波路を有する
薄膜層が形成され、該薄膜層内に２本の導波路の接合部
をよぎるようにフォトクロミック材料を含む媒質が存在
する中間層を形成したスイッチが提供される。また、更
に同様の本発明による交差型スイッチとして、図９に示
すような、２本の交差する光導波路を含む層にフォトク
ロミック材料をを存在させ、該光導波路層の上部に接合
部のみ光が透過するようなフォトマスク部を有し、該フ
ォトマスクの上部に該フォトクロミック材料に対して活
性な波長を含むスイッチング光源が配置されてなる光ス
イッチも提供される。
【００１０】本発明においては、上記フォトクロミック
材料を含む媒質が、通信波長帯において５×１０-4以上
の屈折率変化を持ち、かつ通信波長帯における吸収が殆
どないものであることが特に望ましい。また、本発明に
おいては、上記フォトクロミック材料を含む媒質が、高
分子中にフォトミック材料を分散させたものであること
が特に好ましい。
材料を含む媒質が、通信波長帯において５×１０-4以上
の屈折率変化を持ち、かつ通信波長帯における吸収が殆
どないものであることが特に望ましい。また、本発明に
おいては、上記フォトクロミック材料を含む媒質が、高
分子中にフォトミック材料を分散させたものであること
が特に好ましい。
【００１１】
【作用】以下、図面を参照して本発明の光スイッチを詳
細に説明する。図１は本発明の一具体例であって、６は
基板、７は第１の導波路を含む薄膜層（クラッド層）、
８は第１の導波路（コア）、９はフォトクロミック材料
を含むクラッド層、１０は第２の導波路を含む薄膜層、
１１は第２の導波路（コア）、１２は両導波路の結合
部、１３はフォトクロミック動作用の光源である。ま
た、本発明において「テーパ部」とは、「結合部の両脇
に存在する、２本の導波路の間隔が互いに広がってゆく
部分」を意味する。図２は図１に示した本発明の光スイ
ッチの断面図である。図２よりわかるように、本発明に
よる光スイッチはフォトクロミック材料１４を結合部の
両導波路８，１１の間に配した構造としたため、非常に
効率良くスイッングを達成することができる。従って、
フォトクロミック材料の濃度、膜厚を薄くすることがで
き、その結果、作動光が小光量でもスイッチングを達成
することができる。
細に説明する。図１は本発明の一具体例であって、６は
基板、７は第１の導波路を含む薄膜層（クラッド層）、
８は第１の導波路（コア）、９はフォトクロミック材料
を含むクラッド層、１０は第２の導波路を含む薄膜層、
１１は第２の導波路（コア）、１２は両導波路の結合
部、１３はフォトクロミック動作用の光源である。ま
た、本発明において「テーパ部」とは、「結合部の両脇
に存在する、２本の導波路の間隔が互いに広がってゆく
部分」を意味する。図２は図１に示した本発明の光スイ
ッチの断面図である。図２よりわかるように、本発明に
よる光スイッチはフォトクロミック材料１４を結合部の
両導波路８，１１の間に配した構造としたため、非常に
効率良くスイッングを達成することができる。従って、
フォトクロミック材料の濃度、膜厚を薄くすることがで
き、その結果、作動光が小光量でもスイッチングを達成
することができる。
【００１２】図３は本発明の他の具体例であって、６は
基板、２６はフォトクロミック材料を含む中間層、２７
は導波路を含む薄膜層、８は第１の導波路（コア）、１
１は第２の導波路（コア）、１２は両導波路の結合部で
ある。図４は、図３に示した本発明の光スイッチの断面
図である。図４よりわかるように、本発明による光スイ
ッチはフォトクロミック材料14を結合部の両導波路８，
１１の間に配した構造としたため、非常に効率良くスイ
ッチングを達成することができる。但し、図３，図４の
ようにフォトクロミック材料を含む中間層を導波路を含
む薄膜層２７中に形成するには、該薄膜層２７を一度削
り、フォトクロミック層を埋め込む必要があるため、製
造工程が複雑になる。
基板、２６はフォトクロミック材料を含む中間層、２７
は導波路を含む薄膜層、８は第１の導波路（コア）、１
１は第２の導波路（コア）、１２は両導波路の結合部で
ある。図４は、図３に示した本発明の光スイッチの断面
図である。図４よりわかるように、本発明による光スイ
ッチはフォトクロミック材料14を結合部の両導波路８，
１１の間に配した構造としたため、非常に効率良くスイ
ッチングを達成することができる。但し、図３，図４の
ようにフォトクロミック材料を含む中間層を導波路を含
む薄膜層２７中に形成するには、該薄膜層２７を一度削
り、フォトクロミック層を埋め込む必要があるため、製
造工程が複雑になる。
【００１３】より簡単に、結合部の導波路間にフォトク
ロミック材料を含むクラッド層を設ける手法としては、
前記図１のように２本の導波路の間にフォトクロミック
材料を含んだクラッド層をサンドイッチ状に形成する手
法を採用すればよい。この手法によれば、導波路を含む
薄膜層をけずることなくフォトクロミック材料を含むク
ラッド層を積層により形成できるため、製造はより簡便
になる。
ロミック材料を含むクラッド層を設ける手法としては、
前記図１のように２本の導波路の間にフォトクロミック
材料を含んだクラッド層をサンドイッチ状に形成する手
法を採用すればよい。この手法によれば、導波路を含む
薄膜層をけずることなくフォトクロミック材料を含むク
ラッド層を積層により形成できるため、製造はより簡便
になる。
【００１４】図５も本発明の他の具体例であって、２１
はフォトクロミック材料を含みかつコアが形成されてい
る薄膜層、２４は光を通さないフォトマスク層、２５は
結合部１２の上面に形成されているスリットである。こ
の例も図３の光スイッチと同様に同一平面上に導波路を
配した構造で、簡便に光スイッチを作製できる。図５に
示すように基板６上に２本の導波路８，１１の結合部と
テーパとを有する薄膜層２１を形成し、導波路８，１１
を含む薄膜層２１全体に予めフォトクロミック材料１４
を含ませておき、該薄膜層２１の上面にフォトマスク層
２４を作製して、スリット２５により結合部１２の導波
路間のみにスイッチング光が当たるようにする。この手
法によれば、フォトクロミック材料１４を薄膜層２１の
一部に埋め込むという処理を行わずに、本質的に図３と
同様のスイッチング効果を得ることができる。
はフォトクロミック材料を含みかつコアが形成されてい
る薄膜層、２４は光を通さないフォトマスク層、２５は
結合部１２の上面に形成されているスリットである。こ
の例も図３の光スイッチと同様に同一平面上に導波路を
配した構造で、簡便に光スイッチを作製できる。図５に
示すように基板６上に２本の導波路８，１１の結合部と
テーパとを有する薄膜層２１を形成し、導波路８，１１
を含む薄膜層２１全体に予めフォトクロミック材料１４
を含ませておき、該薄膜層２１の上面にフォトマスク層
２４を作製して、スリット２５により結合部１２の導波
路間のみにスイッチング光が当たるようにする。この手
法によれば、フォトクロミック材料１４を薄膜層２１の
一部に埋め込むという処理を行わずに、本質的に図３と
同様のスイッチング効果を得ることができる。
【００１５】さらに、図７も本発明の他の具体例であっ
て、交差する光導波路２２，２３の接合部にフォトクロ
ミック材料１４を埋め込んだものである。６は基板、２
６はフォトクロミック材料を含む中間層、２７は導波路
を含む薄膜層、２２は第１の導波路（コア）、２３は第
２の導波路（コア）を示す。図８に示す断面図よりわか
るように、本構造もフォトクロミック材料１４を両導波
路２２，２３の間に配した構造となっているので、非常
に効率良くスイッチングを達成することができる。従っ
て、図１３に示した光スイッチと比較して、フォトクロ
ミック材料の濃度、膜厚を薄くすることができ、その結
果、作動光が小光量でもスイッチングを達成することが
できる。但し、図７のようにフォトクロミック材料を含
む中間層を導波路を含む薄膜層中に形成するには、該薄
膜層を一度削り、フォトクロミック層を埋め込む必要が
あるため、製造工程が複雑になる。
て、交差する光導波路２２，２３の接合部にフォトクロ
ミック材料１４を埋め込んだものである。６は基板、２
６はフォトクロミック材料を含む中間層、２７は導波路
を含む薄膜層、２２は第１の導波路（コア）、２３は第
２の導波路（コア）を示す。図８に示す断面図よりわか
るように、本構造もフォトクロミック材料１４を両導波
路２２，２３の間に配した構造となっているので、非常
に効率良くスイッチングを達成することができる。従っ
て、図１３に示した光スイッチと比較して、フォトクロ
ミック材料の濃度、膜厚を薄くすることができ、その結
果、作動光が小光量でもスイッチングを達成することが
できる。但し、図７のようにフォトクロミック材料を含
む中間層を導波路を含む薄膜層中に形成するには、該薄
膜層を一度削り、フォトクロミック層を埋め込む必要が
あるため、製造工程が複雑になる。
【００１６】上記図７と同様のタイプで簡便に光スイッ
チを作製する手法としては、図９、図１０に示す本発明
の他の具体例がある。２１はフォトクロミック材料を含
みかつコアが形成されている薄膜層、２４は光を通さな
いフォトマスク層、２５は結合部１２の上面に形成され
ているスリットである。この手法では、導波路を含む薄
膜層２１全体に予めフォトクロミック材料１４を含ませ
ておき、該薄膜層２１の上面にフォトマスク層２４を作
製して、結合部の導波路間のみにスイッチ光が当たるよ
うにする。本手法によれば、フォトクロミック材料を薄
膜層の一部埋め込むという処理を行わずに、本質的に図
７と同様のスイッチング効果を得ることができる。
チを作製する手法としては、図９、図１０に示す本発明
の他の具体例がある。２１はフォトクロミック材料を含
みかつコアが形成されている薄膜層、２４は光を通さな
いフォトマスク層、２５は結合部１２の上面に形成され
ているスリットである。この手法では、導波路を含む薄
膜層２１全体に予めフォトクロミック材料１４を含ませ
ておき、該薄膜層２１の上面にフォトマスク層２４を作
製して、結合部の導波路間のみにスイッチ光が当たるよ
うにする。本手法によれば、フォトクロミック材料を薄
膜層の一部埋め込むという処理を行わずに、本質的に図
７と同様のスイッチング効果を得ることができる。
【００１７】本発明に用いられるフォトクロミック材料
は、いわゆるＯＮ／ＯＦＦ型の光スイッチと異なり、通
信に用いられる波長帯の吸収は小さい方が望ましい。こ
れは、吸収が存在すると伝送損失が増大するためであ
る。一般的な光スイッチの用途として用いるには、本発
明の光スイッチにおけるフォトクロミック材料を含むク
ラッド層の通信光透過率は７０％以上が望ましく、９５
％以上ならば理想的である。７０％未満ではスイッチを
通過する際の光信号の減衰が大きくなり、実用上支障を
きたす可能性がある。なお、本発明の光スイッチに用い
られる通信光の波長帯は０．８５μｍ，１．３０μｍ，
１．５５μｍ帯が一般的である。本発明に用いられるフ
ォトクロミック材料を含むクラッド層の屈折率変化は、
十分なスイッチングを達成するために、通信波長帯にお
いて、最低でも５×１０ -4、望ましくは１×１０-3の△
ｎがあることが望ましい。
は、いわゆるＯＮ／ＯＦＦ型の光スイッチと異なり、通
信に用いられる波長帯の吸収は小さい方が望ましい。こ
れは、吸収が存在すると伝送損失が増大するためであ
る。一般的な光スイッチの用途として用いるには、本発
明の光スイッチにおけるフォトクロミック材料を含むク
ラッド層の通信光透過率は７０％以上が望ましく、９５
％以上ならば理想的である。７０％未満ではスイッチを
通過する際の光信号の減衰が大きくなり、実用上支障を
きたす可能性がある。なお、本発明の光スイッチに用い
られる通信光の波長帯は０．８５μｍ，１．３０μｍ，
１．５５μｍ帯が一般的である。本発明に用いられるフ
ォトクロミック材料を含むクラッド層の屈折率変化は、
十分なスイッチングを達成するために、通信波長帯にお
いて、最低でも５×１０ -4、望ましくは１×１０-3の△
ｎがあることが望ましい。
【００１８】本発明に用いられるフォトクロミック材料
としては、上記の条件を満たしているものならば全て使
用可能である。代表的化合物としては、フルギド、アン
トラセン、アゾベンゼン、ヒドラゾン、オキサゾン、ジ
アリールエテン、サリチルアルデヒド、スピロピラン、
ビイミダソリル、シクロファン等の誘導体が挙げられ
る。
としては、上記の条件を満たしているものならば全て使
用可能である。代表的化合物としては、フルギド、アン
トラセン、アゾベンゼン、ヒドラゾン、オキサゾン、ジ
アリールエテン、サリチルアルデヒド、スピロピラン、
ビイミダソリル、シクロファン等の誘導体が挙げられ
る。
【００１９】本発明のフォトクロミック材料含有の媒質
層として使用できる材質として、例えばＰＭＭＡ、ポリ
スチレン、フッ化アクリレート樹脂、ウレタンアクリレ
ート樹脂、ポリフッ化ビニリデン、シリコン樹脂、ラダ
ー型シリコン樹脂等が挙げられる。
層として使用できる材質として、例えばＰＭＭＡ、ポリ
スチレン、フッ化アクリレート樹脂、ウレタンアクリレ
ート樹脂、ポリフッ化ビニリデン、シリコン樹脂、ラダ
ー型シリコン樹脂等が挙げられる。
【００２０】媒質中のフォトクロミック材料の濃度は５
重量％〜５０重量％が本発明において一般的である。本
発明において、スイッチング光源側から見たフォトクロ
ミック材料を含有する媒質の層の厚さは、１０μｍ以下
が望ましい。１０μｍを越えるとスイッチングに時間が
かかりすぎて好ましくない。また、両導波路を挟む媒質
層の暑さは２μｍ以上が望ましい。２μｍ未満では通信
波長帯の波長と膜厚が同等のレベルとなるのでフォトク
ロミックが不完全となる。
重量％〜５０重量％が本発明において一般的である。本
発明において、スイッチング光源側から見たフォトクロ
ミック材料を含有する媒質の層の厚さは、１０μｍ以下
が望ましい。１０μｍを越えるとスイッチングに時間が
かかりすぎて好ましくない。また、両導波路を挟む媒質
層の暑さは２μｍ以上が望ましい。２μｍ未満では通信
波長帯の波長と膜厚が同等のレベルとなるのでフォトク
ロミックが不完全となる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明
する。実施例１ ：屈折率１．４９、膜厚３０μｍのＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート）をシリカガラス上に塗布
した基板６上に、図１に示すように第１の導波路を含む
薄膜層７、フォトクロミック材料を含むクラッド層９、
第２の導波路を含む薄膜層１０を順に形成し、導波路型
光スイッチを作製した。両薄膜層７、１０及び導波路
８、１１の形成は、「電子情報通信学会分科会資料ＯＱ
Ｅ８８−９１，ｐ３７〜３８」に記載されている方法に
従い、フォトマスクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５
９、△ｎ＝０．０１の導波路パターンを持った厚さ５μ
ｍの薄膜層を形成した。クラッド層９は、フォトクロミ
ック化合物であるフルギドを、ポリスチレンとＰＭＭＡ
の混合物中に溶解し、トルエンで希釈してスピンコート
法で第１の導波路を含む薄膜層７の上に塗布することに
より作製した。こうして作製したクラッド層の厚さは５
μｍであり、屈折率変化は、波長１．３μｍにおいて△
ｎ＝１×１０-3、透過率は波長１．３μｍにおいて９０
％であった。
する。実施例１ ：屈折率１．４９、膜厚３０μｍのＰＭＭＡ
（ポリメチルメタクリレート）をシリカガラス上に塗布
した基板６上に、図１に示すように第１の導波路を含む
薄膜層７、フォトクロミック材料を含むクラッド層９、
第２の導波路を含む薄膜層１０を順に形成し、導波路型
光スイッチを作製した。両薄膜層７、１０及び導波路
８、１１の形成は、「電子情報通信学会分科会資料ＯＱ
Ｅ８８−９１，ｐ３７〜３８」に記載されている方法に
従い、フォトマスクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５
９、△ｎ＝０．０１の導波路パターンを持った厚さ５μ
ｍの薄膜層を形成した。クラッド層９は、フォトクロミ
ック化合物であるフルギドを、ポリスチレンとＰＭＭＡ
の混合物中に溶解し、トルエンで希釈してスピンコート
法で第１の導波路を含む薄膜層７の上に塗布することに
より作製した。こうして作製したクラッド層の厚さは５
μｍであり、屈折率変化は、波長１．３μｍにおいて△
ｎ＝１×１０-3、透過率は波長１．３μｍにおいて９０
％であった。
【００２２】以上のように構成された光スイッチの導波
路の片側（図１中のＳ）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側Ｂ
の光パワーＰB を測ったところ、初期状態で出力側の分
岐比はＰA が１、ＰB が０であった。この状態で作動光
源１３より波長３２５ｎｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ 2
の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内でス
イッチングが生じ、出力側の分岐比はＰA が０、ＰB が
１となった。
路の片側（図１中のＳ）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側Ｂ
の光パワーＰB を測ったところ、初期状態で出力側の分
岐比はＰA が１、ＰB が０であった。この状態で作動光
源１３より波長３２５ｎｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ 2
の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内でス
イッチングが生じ、出力側の分岐比はＰA が０、ＰB が
１となった。
【００２３】実施例２：本実施例では図５のタイプの光
スイッチを作製する。屈折率１．４９、膜厚３０μｍの
ＰＭＭＡをシリカガラス上に塗布した基板６上に、フォ
トクロミック化合物であるフルギドとビスフェノールＺ
系ポリカーボネート、アクリル酸メチル、ベンゾインエ
チルエーテル、ハイドロキノンを塩化メチレンに溶解
し、スピンコート法によって、フォトクロミック材料を
含む厚さ５μｍの薄膜層２１を形成した。次いで、フォ
トマスクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５９、△ｎ＝
０．０１の光結合器型導波路パターンを持った２本の導
波路８，１１を薄膜層２１内に作製した。導波路の形成
は、「電子情報通信学会分科会資料ＯＱＥ８８−９１，
ｐ３７〜３８」に記載されている方法に従った。更に、
フォトレジスト材料のポリイミドをスピンコート法によ
って薄膜層２１の上に積層し、フォトマスクを使用して
スリット２５に相当する箇所を残して露光し、未露光部
分を洗い流すことにより、導波路の結合部直上に幅５μ
ｍ、厚さ５μｍのポリイミド層を形成した。次に、その
面に厚さ０．５μｍの銀薄膜を真空蒸着法により形成
し、最後にポリイミド層を洗い流すことにより、図５に
示すような、結合部直上に５μｍ幅のスリット２５を備
えたフォトマスク層２４を持った光スイッチを作製し
た。
スイッチを作製する。屈折率１．４９、膜厚３０μｍの
ＰＭＭＡをシリカガラス上に塗布した基板６上に、フォ
トクロミック化合物であるフルギドとビスフェノールＺ
系ポリカーボネート、アクリル酸メチル、ベンゾインエ
チルエーテル、ハイドロキノンを塩化メチレンに溶解
し、スピンコート法によって、フォトクロミック材料を
含む厚さ５μｍの薄膜層２１を形成した。次いで、フォ
トマスクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５９、△ｎ＝
０．０１の光結合器型導波路パターンを持った２本の導
波路８，１１を薄膜層２１内に作製した。導波路の形成
は、「電子情報通信学会分科会資料ＯＱＥ８８−９１，
ｐ３７〜３８」に記載されている方法に従った。更に、
フォトレジスト材料のポリイミドをスピンコート法によ
って薄膜層２１の上に積層し、フォトマスクを使用して
スリット２５に相当する箇所を残して露光し、未露光部
分を洗い流すことにより、導波路の結合部直上に幅５μ
ｍ、厚さ５μｍのポリイミド層を形成した。次に、その
面に厚さ０．５μｍの銀薄膜を真空蒸着法により形成
し、最後にポリイミド層を洗い流すことにより、図５に
示すような、結合部直上に５μｍ幅のスリット２５を備
えたフォトマスク層２４を持った光スイッチを作製し
た。
【００２４】以上のように構成された光スイッチの導波
路の片端（図５中のＳ）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側Ｂ
の光パワーＰ Bを測ったところ、初期状態で出力側の分
岐比はＰA が１、Ｐ Bが０であった。この状態で作動光
源１３より波長３２５μｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ 2
の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内でス
イッチングが生じ、出力側の分岐光はＰA が０、Ｐ Bが
１となった。
路の片端（図５中のＳ）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側Ｂ
の光パワーＰ Bを測ったところ、初期状態で出力側の分
岐比はＰA が１、Ｐ Bが０であった。この状態で作動光
源１３より波長３２５μｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ 2
の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内でス
イッチングが生じ、出力側の分岐光はＰA が０、Ｐ Bが
１となった。
【００２５】実施例３：本実施例では図９のタイプの光
スイッチを作製する。屈折率１．４９、膜厚３０μｍの
ＰＭＭＡをシリカガラス上に塗布した基板６上に、フォ
トクロミック化合物であるフルギドとビスフェノールＺ
系ポリカーボネート、アクリル酸メチル、ベンゾインエ
チルエーテル及びハイドロキノンを塩化メチレンに溶解
し、スピンコート法によって、フォトクロミック材料を
含む厚さ５μｍの薄膜層を形成した。次いで、フォトマ
スクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５９、△ｎ＝０．
０１の交差型導波路パターンを持った２本の導波路２
２，２３を薄膜層２１内に作製した。導波路の形成は、
「電子情報通信学会分科会資料ＯＱＥ８８−９１，ｐ３
７〜３８」に記載されている方法に従った。更に、フォ
トレジスト材料のポリイミドをスピンコート法によって
薄膜層２１の上に積層し、フォトマスクを使用してスリ
ット２５に相当する箇所を残して露光し、未露光部分を
洗い流すことにより、導波路の交差部の直上に幅５μ
ｍ、厚さ５μｍのポリイミド層を形成した。次に、その
面に厚さ０．５μｍの銀薄膜を真空蒸着法により形成
し、最後にポリイミド層を洗い流すことにより、図９に
示すような、導波路交差部直上に５μｍ幅のスリット２
５を備えたフォトマスク層２４を持った光スイッチを作
製した。
スイッチを作製する。屈折率１．４９、膜厚３０μｍの
ＰＭＭＡをシリカガラス上に塗布した基板６上に、フォ
トクロミック化合物であるフルギドとビスフェノールＺ
系ポリカーボネート、アクリル酸メチル、ベンゾインエ
チルエーテル及びハイドロキノンを塩化メチレンに溶解
し、スピンコート法によって、フォトクロミック材料を
含む厚さ５μｍの薄膜層を形成した。次いで、フォトマ
スクを使用してコア屈折率ｎ1 ＝１．５９、△ｎ＝０．
０１の交差型導波路パターンを持った２本の導波路２
２，２３を薄膜層２１内に作製した。導波路の形成は、
「電子情報通信学会分科会資料ＯＱＥ８８−９１，ｐ３
７〜３８」に記載されている方法に従った。更に、フォ
トレジスト材料のポリイミドをスピンコート法によって
薄膜層２１の上に積層し、フォトマスクを使用してスリ
ット２５に相当する箇所を残して露光し、未露光部分を
洗い流すことにより、導波路の交差部の直上に幅５μ
ｍ、厚さ５μｍのポリイミド層を形成した。次に、その
面に厚さ０．５μｍの銀薄膜を真空蒸着法により形成
し、最後にポリイミド層を洗い流すことにより、図９に
示すような、導波路交差部直上に５μｍ幅のスリット２
５を備えたフォトマスク層２４を持った光スイッチを作
製した。
【００２６】以上のように構成された光スイッチの導波
路の片端（図９中のＳ）から波長０．８５μｍ、光パワ
ーＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側
Ｂの光パワーＰ Bを測ったところ、初期状態で出力側の
分岐比はＰA が１、Ｐ Bが０であった。この状態で作動
光源１３より波長３２５μｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ
2 の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内で
スイッチングが生じ、出力側の分岐光はＰA が０、Ｐ B
が１となった。
路の片端（図９中のＳ）から波長０．８５μｍ、光パワ
ーＰS の光を導入し、出力側Ａの光パワーＰA と出力側
Ｂの光パワーＰ Bを測ったところ、初期状態で出力側の
分岐比はＰA が１、Ｐ Bが０であった。この状態で作動
光源１３より波長３２５μｍ、光パワー１０ｍＷ／ｃｍ
2 の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内で
スイッチングが生じ、出力側の分岐光はＰA が０、Ｐ B
が１となった。
【００２７】比較例：図１５は、光方向性結合器として
光ファイバカプラを用い、その光結合部分の周囲に媒質
としてフォトクロミック化合物を用いた従来の光スイッ
チである。１５、１６は光ファイバカプラの光ファイバ
部分、１７はその２本の光ファイバの一部分を融着，延
伸する等により形成されたテーパ部と結合部、１８はフ
ォトクロミック化合物を含むクラツド層、１９は光路切
替えのための光照射装置、２０は容器である。クラツド
層１８は、フォトクロミック化合物であるフルギドを低
屈折率の未硬化フッ化アクリレート樹脂に溶解し、これ
を容器２０中に流し込み硬化させることにより形成し
た。こうして作製したクラッド層の膜厚は２０μｍであ
り、屈折率変化は波長１．３μｍにおいて△ｎ＝５×１
０-3であった。
光ファイバカプラを用い、その光結合部分の周囲に媒質
としてフォトクロミック化合物を用いた従来の光スイッ
チである。１５、１６は光ファイバカプラの光ファイバ
部分、１７はその２本の光ファイバの一部分を融着，延
伸する等により形成されたテーパ部と結合部、１８はフ
ォトクロミック化合物を含むクラツド層、１９は光路切
替えのための光照射装置、２０は容器である。クラツド
層１８は、フォトクロミック化合物であるフルギドを低
屈折率の未硬化フッ化アクリレート樹脂に溶解し、これ
を容器２０中に流し込み硬化させることにより形成し
た。こうして作製したクラッド層の膜厚は２０μｍであ
り、屈折率変化は波長１．３μｍにおいて△ｎ＝５×１
０-3であった。
【００２８】以上のように構成された光スイッチの片端
（図１５中のＳ′）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS ′の光を導入し、出力側Ａ′の光パワーＰA ′と出
力側Ｂ′の光パワーＰB ′を測ったところ、初期状態で
出力側の分岐比はＰA ′が１、Ｐ B ′が０であった。こ
の状態で作動光源１９より波長３２５ｎｍ、光パワー１
０ｍＷ／ｃｍ2 の光を作動光として入射したところ、１
分以上たってもスイッチングは生じなかった。次に作動
光源１９より波長３２５ｎｍ、光パワー１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内
でスイッチングが生じ、出力側の分岐比はＰA ′が０、
ＰB ′が１となった。
（図１５中のＳ′）から波長１．３μｍ、光パワー
ＰS ′の光を導入し、出力側Ａ′の光パワーＰA ′と出
力側Ｂ′の光パワーＰB ′を測ったところ、初期状態で
出力側の分岐比はＰA ′が１、Ｐ B ′が０であった。こ
の状態で作動光源１９より波長３２５ｎｍ、光パワー１
０ｍＷ／ｃｍ2 の光を作動光として入射したところ、１
分以上たってもスイッチングは生じなかった。次に作動
光源１９より波長３２５ｎｍ、光パワー１００ｍＷ／ｃ
ｍ2 の光を作動光として入射したところ、０．１秒以内
でスイッチングが生じ、出力側の分岐比はＰA ′が０、
ＰB ′が１となった。
【００２９】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明よる光ス
イッチは小光量の作動光でも光スイッチング可能である
ため，作動光の光源にレーザー等のハイパワー且つ高価
な光源を必要とせず、全体として非常にコンパクト且つ
安価なスイッチングシステムを提供することができる。
イッチは小光量の作動光でも光スイッチング可能である
ため，作動光の光源にレーザー等のハイパワー且つ高価
な光源を必要とせず、全体として非常にコンパクト且つ
安価なスイッチングシステムを提供することができる。
【図１】本発明の光スイッチの一具体例の説明図であ
る。
る。
【図２】図１の本発明の光スイッチを概略説明する断面
図である。
図である。
【図３】本発明の光スイッチの一具体例の説明図であ
る。
る。
【図４】図３の本発明の光スイッチを概略説明する断面
図である。
図である。
【図５】本発明の光スイッチの一具体例の説明図であ
る。
る。
【図６】図５の本発明の光スイッチを概略説明する断面
図である。
図である。
【図７】本発明の光スイッチの一具体例の説明図であ
る。
る。
【図８】図７の本発明の光スイッチを概略説明する断面
図である。
図である。
【図９】本発明の光スイッチの一具体例の説明図であ
る。
る。
【図１０】図９の本発明の光スイッチを概略説明する断
面図である。
面図である。
【図１１】光変調器・光スイッチの原理、基本構成、応
用を説明する図表である。
用を説明する図表である。
【図１２】従来のＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ量子井戸構造
交差型光スイッチ／変調器の概略説明図である。
交差型光スイッチ／変調器の概略説明図である。
【図１３】従来のフォトクロミック型光スイッチの外観
を説明する図である。
を説明する図である。
【図１４】従来のフォトクロミック型光スイッチを概略
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図１５】比較例として用いた従来のフォトクロミック
型光スイッチを概略説明する断面図である。
型光スイッチを概略説明する断面図である。
１ 作動光源 ２ フィルター ３ 光ファイバを融着させた結合部 ４ 結合部の断面 ５ フォトクロミック材料を含むクラッド層 ６ 基板 ７ 第１の導波路を含む薄膜層 ８ 第１の導波路 ９ フォトクロミック材料を含むクラッド層 10 第２の導波路を含む薄膜層 11 第２の導波路 12 結合部 13 作動光源 14 フォトクロミック材料 15 光ファイバカプラの光ファイバ部分 16 光ファイバカプラの光ファイバ部分 17 （２本の光ファイバの一部分を融着、延伸する等に
より形成された）テーパ部と結合部 18 フォトクロミック化合物を含むクラッド層 19 光路切替えのための光照射装置 20 容器 21 フォトクロミック材料を含みかつコアが形成されて
いる薄膜層 22 第１の導波路（コア） 23 第２の導波路（コア） 24 フォトマスク層 25 スリット 26 フォトクロミック材料を含む中間層 27 導波路を含む薄膜層
より形成された）テーパ部と結合部 18 フォトクロミック化合物を含むクラッド層 19 光路切替えのための光照射装置 20 容器 21 フォトクロミック材料を含みかつコアが形成されて
いる薄膜層 22 第１の導波路（コア） 23 第２の導波路（コア） 24 フォトマスク層 25 スリット 26 フォトクロミック材料を含む中間層 27 導波路を含む薄膜層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野中 毅 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (8)
- 【請求項１】 光学的に結合する２本の光導波路の間に
フォトクロミック材料を含む媒質が存在してなる光スイ
ッチ。 - 【請求項２】 光方向性結合器の光結合部を構成する２
本の導波路の間にフォトクロミック材料を含んだ媒質が
存在してなる光スイッチ。 - 【請求項３】 基板上に、第１の導波路の結合部とテー
パ部とを含む薄膜層、クラッド層、第２の導波路の結合
部とテーパ部を含む薄膜層を順に形成した導波路型光方
向性結合器において、該クラッド部にフォトクロミック
材料を含んだ媒質が存在してなる請求項１記載の光スイ
ッチ。 - 【請求項４】 平面型光方向性結合器の２本の導波路を
含む層にフォトクロミック材料が存在し、且つ該光導波
路層の上部に両導波路の結合部のみ光が透過するような
フォトマスク部を有し、該フォトマスクの上部に該フォ
トクロミック材料に対して活性な波長を含むスイッチン
グ光源が配置されてなる光スイッチ。 - 【請求項５】 ２本の交差する光導波路の接合部に、フ
ォトクロミック材料を含む媒質が存在してなる光スイッ
チ。 - 【請求項６】 ２本の交差する光導波路を含む層にフォ
トクロミック材料をを存在させ、該光導波路層の上部に
接合部のみ光が透過するようなフォトマスク部を有し、
該フォトマスクの上部に該フォトクロミック材料に対し
て活性な波長を含むスイッチング光源が配置されてなる
光スイッチ。 - 【請求項７】 上記フォトクロミック材料を含む媒質
が、通信波長帯において５×１０-4以上の屈折率変化を
持ち、かつ通信波長帯における吸収が殆どないものであ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか
に記載される光スイッチ。 - 【請求項８】 上記フォトクロミック材料を含む媒質
が、高分子中にフォトミック材料を分散させたものであ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか
に記載される光スイッチ。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP4170782A JPH05196973A (ja) | 1991-09-12 | 1992-06-29 | 光スイッチ |
| EP92115535A EP0532014B1 (en) | 1991-09-12 | 1992-09-10 | Optical switch |
| DE69223885T DE69223885T2 (de) | 1991-09-12 | 1992-09-10 | Optischer Schalter |
| US07/943,874 US5432873A (en) | 1991-09-12 | 1992-09-11 | Optical switch |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311291 | 1991-09-12 | ||
| JP3-233112 | 1991-09-12 | ||
| JP4170782A JPH05196973A (ja) | 1991-09-12 | 1992-06-29 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196973A true JPH05196973A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=26493677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4170782A Pending JPH05196973A (ja) | 1991-09-12 | 1992-06-29 | 光スイッチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| US (1) | US5432873A (ja) |
| EP (1) | EP0532014B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05196973A (ja) |
| DE (1) | DE69223885T2 (ja) |
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| EP0691790A2 (en) | 1994-07-08 | 1996-01-10 | Sony Corporation | Image display apparatus |
| WO2001086616A1 (fr) * | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Iizuka Electric Industry Co., Ltd. | Dispositif d'affichage d'images, procede servant a reparer l'ebrechement de ce dispositif, procede servant a fixer un materiau de reparation de l'ebrechement et procede servant a appliquer un materiau de reparation a l'ebrechement |
| JP2002287101A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光制御素子 |
| JP2009128718A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Keio Gijuku | 光スイッチ |
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| US6924082B1 (en) * | 1996-12-10 | 2005-08-02 | Ciba Specialty Chemicals Corporation | Double-bond shifts of substituted (4n)-annulenes for information storage and data processing |
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| EP1109049A1 (en) | 1999-12-16 | 2001-06-20 | Corning Incorporated | Photothermal optical switch and variable attenuator |
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| US6710366B1 (en) | 2001-08-02 | 2004-03-23 | Ultradots, Inc. | Nanocomposite materials with engineered properties |
| US6819845B2 (en) * | 2001-08-02 | 2004-11-16 | Ultradots, Inc. | Optical devices with engineered nonlinear nanocomposite materials |
| US7005669B1 (en) | 2001-08-02 | 2006-02-28 | Ultradots, Inc. | Quantum dots, nanocomposite materials with quantum dots, devices with quantum dots, and related fabrication methods |
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| US11635570B1 (en) | 2019-02-08 | 2023-04-25 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
| US11391890B1 (en) | 2019-05-15 | 2022-07-19 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
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-
1992
- 1992-06-29 JP JP4170782A patent/JPH05196973A/ja active Pending
- 1992-09-10 DE DE69223885T patent/DE69223885T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-09-10 EP EP92115535A patent/EP0532014B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-11 US US07/943,874 patent/US5432873A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| EP0532014A2 (en) | 1993-03-17 |
| US5432873A (en) | 1995-07-11 |
| DE69223885D1 (de) | 1998-02-12 |
| DE69223885T2 (de) | 1998-04-30 |
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| EP0532014B1 (en) | 1998-01-07 |
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