JPH05198532A - プラズマエッチング装置用電極板 - Google Patents
プラズマエッチング装置用電極板Info
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- JPH05198532A JPH05198532A JP4009155A JP915592A JPH05198532A JP H05198532 A JPH05198532 A JP H05198532A JP 4009155 A JP4009155 A JP 4009155A JP 915592 A JP915592 A JP 915592A JP H05198532 A JPH05198532 A JP H05198532A
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- electrode plate
- plasma etching
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマに対する耐食性が良好で、シリコン
ウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置用
電極板を提供する。 【構成】 ガラス状炭素の板を珪化した珪化炭素材から
なるプラズマエッチング装置用電極板。
ウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置用
電極板を提供する。 【構成】 ガラス状炭素の板を珪化した珪化炭素材から
なるプラズマエッチング装置用電極板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマエッチング装置
用電極板に関する。
用電極板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩの製造工程におけるエッチ
ング処理は、従来液相エッチングが主として行われてい
たが、近年はレジストの密着性が特に必要がない等の特
徴を有する気相エッチング（ドライエッチング）が行わ
れるようになって来ている。中でもフォトレジストの侵
食を避け、精度を向上させることのできるプラズマエッ
チング、即ち、反応管にガスを封入して高周波でプラズ
マを発生させることによるエッチングが行われるように
なって来た。このプラズマエッチングでは、シリコンウ
エハの表面に均一に反応ガスを供給することを目的とし
て電極板が設けられる。この電極板としては、従来ステ
ンレス鋼、表面にアルマイト処理を施した高純度アルミ
ニウム、黒鉛、石英ガラス等が使用されて来た。
ング処理は、従来液相エッチングが主として行われてい
たが、近年はレジストの密着性が特に必要がない等の特
徴を有する気相エッチング（ドライエッチング）が行わ
れるようになって来ている。中でもフォトレジストの侵
食を避け、精度を向上させることのできるプラズマエッ
チング、即ち、反応管にガスを封入して高周波でプラズ
マを発生させることによるエッチングが行われるように
なって来た。このプラズマエッチングでは、シリコンウ
エハの表面に均一に反応ガスを供給することを目的とし
て電極板が設けられる。この電極板としては、従来ステ
ンレス鋼、表面にアルマイト処理を施した高純度アルミ
ニウム、黒鉛、石英ガラス等が使用されて来た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステン
レス鋼、表面にアルマイト処理を施した高純度アルミニ
ウムはプラズマによって腐食され易く、シリコンウエハ
を汚染し易い欠点を持っており、黒鉛はプラズマに対す
る耐食性に劣るため寿命が短く、長期間の使用に耐えな
い。更に、石英ガラスは加工が困難で比較的高価であ
り、また腐食性ガスの種類によって使用が限定される欠
点がある。本発明は、シリコンウエハを汚染することな
く、長期間の使用に耐え、しかも汎用性を有するプラズ
マエッチング装置用電極板を提供することを目的とす
る。
レス鋼、表面にアルマイト処理を施した高純度アルミニ
ウムはプラズマによって腐食され易く、シリコンウエハ
を汚染し易い欠点を持っており、黒鉛はプラズマに対す
る耐食性に劣るため寿命が短く、長期間の使用に耐えな
い。更に、石英ガラスは加工が困難で比較的高価であ
り、また腐食性ガスの種類によって使用が限定される欠
点がある。本発明は、シリコンウエハを汚染することな
く、長期間の使用に耐え、しかも汎用性を有するプラズ
マエッチング装置用電極板を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス状炭素
の板を珪化した珪化炭素材からなるプラズマエッチング
装置用電極板（以下、電極板と呼ぶ）に関する。
の板を珪化した珪化炭素材からなるプラズマエッチング
装置用電極板（以下、電極板と呼ぶ）に関する。
【０００５】本発明において、電極板としてガラス状炭
素を珪化した珪化炭素材を用いる理由は、エッチング処
理によって生ずる灰化物によるシリコンウエハの汚れを
極めて良く防止するからである。また本発明の電極板
は、多数の孔を設けるほかに他の部品を保持するために
も使われるので、平均曲げ強さが１kgf／mm2以上でかつ
密度が２．４ｇ／cm3以上あることが好ましい。密度が
小さいとＳiＣ結晶粒子の結合が弱くなって曲げ強さが
低下する。また、電極板はガラス状炭素板全厚みの７０
％以上を珪化したものが好ましい。
素を珪化した珪化炭素材を用いる理由は、エッチング処
理によって生ずる灰化物によるシリコンウエハの汚れを
極めて良く防止するからである。また本発明の電極板
は、多数の孔を設けるほかに他の部品を保持するために
も使われるので、平均曲げ強さが１kgf／mm2以上でかつ
密度が２．４ｇ／cm3以上あることが好ましい。密度が
小さいとＳiＣ結晶粒子の結合が弱くなって曲げ強さが
低下する。また、電極板はガラス状炭素板全厚みの７０
％以上を珪化したものが好ましい。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。密度１．５
０ｇ／cm3、直径２００mm、厚さ３mmのガラス状炭素の
板に、３mm間隔で直径０．８mmの多数の孔を設けた後珪
化炉に入れ、１７００℃に加熱してＳiＯガスを３時間
通して珪化した。得られた電極板の珪化深さは１．５mm
でガラス状炭素の殆どを珪化し、直径方向の収縮代が
０．０９mm、密度が２．５ｇ／cm3、曲げ強さが２kgf／
mm2であった。
０ｇ／cm3、直径２００mm、厚さ３mmのガラス状炭素の
板に、３mm間隔で直径０．８mmの多数の孔を設けた後珪
化炉に入れ、１７００℃に加熱してＳiＯガスを３時間
通して珪化した。得られた電極板の珪化深さは１．５mm
でガラス状炭素の殆どを珪化し、直径方向の収縮代が
０．０９mm、密度が２．５ｇ／cm3、曲げ強さが２kgf／
mm2であった。
【０００７】この電極板をプラズマエッチング装置に装
着し、ＣＦ4ガスを通じてシリコンウエハのプラズマエ
ッチング処理を実施したところ、シリコンウエハは汚染
されず、極めて均一なエッチング処理を行うことができ
た。なお、電極板は腐食が殆ど認められなかった。
着し、ＣＦ4ガスを通じてシリコンウエハのプラズマエ
ッチング処理を実施したところ、シリコンウエハは汚染
されず、極めて均一なエッチング処理を行うことができ
た。なお、電極板は腐食が殆ど認められなかった。
【０００８】
【発明の効果】本発明の電極板は、プラズマに対する耐
食性が良好で、シリコンウエハを汚染することのない、
極めて優れたものである。
食性が良好で、シリコンウエハを汚染することのない、
極めて優れたものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス状炭素の板を珪化した珪化炭素材
からなるプラズマエッチング装置用電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009155A JPH05198532A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | プラズマエッチング装置用電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4009155A JPH05198532A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | プラズマエッチング装置用電極板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198532A true JPH05198532A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11712734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4009155A Pending JPH05198532A (ja) | 1992-01-22 | 1992-01-22 | プラズマエッチング装置用電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198532A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7137353B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US7163585B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
| US7166166B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7204912B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US7282112B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-10-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7291566B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
| US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
| US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
-
1992
- 1992-01-22 JP JP4009155A patent/JPH05198532A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7282112B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-10-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7566379B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US7163585B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
| US7166166B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7204912B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US7566368B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-07-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7137353B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US8877002B2 (en) | 2002-11-28 | 2014-11-04 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
| US7291566B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
| US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
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