JPH05201184A - Icメモリカード - Google Patents

Icメモリカード

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JPH05201184A
JPH05201184A JP4013749A JP1374992A JPH05201184A JP H05201184 A JPH05201184 A JP H05201184A JP 4013749 A JP4013749 A JP 4013749A JP 1374992 A JP1374992 A JP 1374992A JP H05201184 A JPH05201184 A JP H05201184A
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JP
Japan
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circuit board
memory card
conductive
cover panel
cover
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JP4013749A
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Inventor
Hiroshi Tokuda
浩 徳田
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICメモリカード内の所定の部分間の導通方
法を改善することにより、作業性に富み、電気的接触の
信頼性を向上させる。 【構成】 カバーパネル(3、3’)間やカバーパネル
(3)と回路基板(2)のグランドレベル間の電気的導
通を、従来のコイルバネや板バネの代わりに、導電性ゴ
ムもくしは導電性フォームを使用して行う。 【効果】 組み立ての作業性と、内部の所定の部分間の
導通の信頼性が向上されたICメモリカードが実現でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、組立時の作業性と内部
の電気的接触の信頼性を大幅に改善したICメモリカー
ドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】情報を記憶、ないし予め書き込んだデー
タを本体装置に供給するメディアとして、最近ICメモ
リカードが盛んに用いられている。これらのICメモリ
カードは、それらが装着される本体装置が種々のノイズ
に対する信頼性を保証しなければならないのと同様に、
電磁波ノイズや静電気ノイズなどに対する信頼性が要求
されている。
【0003】このような目的で、例えばカバーパネルに
導電性をもたせ、ICメモリカードを電気的にシールド
することによって、外部から飛来する電磁波によるIC
の誤動作を防ぐ電磁波ノイズ対策や、カバーパネルの電
位を適当な電気抵抗を介して回路基板のグランドレベル
に導通させて、徐々にエネルギーを解放させることによ
り、回路基板のグランドレベル、データバス、アドレス
などのレベル変動を防ぐ静電気ノイズ対策など、種々の
工夫がなされている。
【0004】図3は、このような従来のICメモリカー
ドの代表的な例であり、(a)はその断面図を、また
(b)はカバーパネルをはずしたところの斜視図をあら
わしている。図3(a)では、メモリICを主体とした
電子部品1群が搭載された回路基板2と、外部への電気
的接続をはかるコネクタ6とが、スペーサー4、4’お
よびフレーム5によってその位置を保持され、これらの
表面と裏面は導電性カバーパネル3、3’で覆われてい
る。なお、コネクタは回路基板に端子が露出している謂
るカードエッジ式であったり、これがスライド式のカバ
ーで覆われている謂るシャッター式であったりすること
もある。さらに、スペーサー4、4’にはスペーサー穴
8、8’および9が開けられるとともに、回路基板2に
はスペーサー穴8および8’に対応した位置に基板穴7
が開けられ、これらの位置にそれぞれコイルバネ12お
よび12’がはめ込まれている。
【0005】図3に示すように、コイルバネ12の両端
はそれぞれカバーパネル3および3’の内壁に電気的に
接触することによりカバーパネル間の導通をとるととも
に、コイルバネ12’の両端はそれぞれカバーパネル3
の内壁と回路基板2のグランドレベルに接続されたパッ
ド10に電気的に接触することにより、ICメモリカー
ドに対する電磁波シールド性を保つと同時に、カバーパ
ネル上に帯電した静電荷エネルギーを回路基板のグラン
ドレベルに解放することで静電気ノイズ対策をはかる、
などの対策がなされていたのである。なお、パッド10
はこの目的で回路基板2のグランドレベルに直接に接続
されていてもよいのではあるが、過渡的な変動を抑え、
放電電流を制御する目的で、一般には100KΩないし
1MΩの放電抵抗11を介して回路基板のグランドレベ
ルに接続されることも多い。
【0006】また、図4は、図3(a)に示すコイルバ
ネ12に代わり、回路基板2に取り付けられた板バネ1
3によって、カバーパネル3および3’間の電気的接続
をとった例をあらわしている。図3、図4いずれの例に
於いても、スペーサー4および4’は回路基板2の上下
ともに存在している必要はないのであって、いずれか片
側だけに存在して回路基板2やコネクタ6の位置を保持
したものもある。
【0007】また、導電性カバーパネル3および3’の
材質としては、金属板でもよく、あるいはプラスチック
シートであって、コイルバネ12ないし12’が接触す
る面に金属箔の貼り付けや蒸着法などにより導電層が形
成されたものであることもある。
【0008】このような従来のICメモリカードの構成
は、電磁波や静電気に対する信頼性がはかられ実用に供
せられているが、回路基板に板バネを取り付けたり、回
路基板、コネクタおよびフレームを組み立てた後、コイ
ルバネを所定の穴の位置に仕組む作業が煩わしく、IC
メモリカードの製造工程中の大きなネックとなっていた
と共に、これらコイルバネないし板バネとカバーパネル
との接触性が必ずしも確実とはいえず、信頼性にもやや
乏しいとの難点があり、作業性と接触の信頼性の向上策
が望まれていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来のICメモリカードの欠点に鑑みて種々検討した結
果なされたものであり、その目的とするところは、従来
のコイルバネないし板バネに代わる新規な電気的接触方
法を採用することにより、組み立ての作業性と電気的接
触の信頼性を改善したICメモリカードを提供しようと
するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、メモ
リICを主体とした電子部品群が搭載された回路基板、
該回路基板と外部との電気的接続をはかるコネクタ、該
回路基板とコネクタを保持するフレームおよびスペーサ
ー、ならびに該回路基板、コネクタ、フレームおよびス
ペーサーを覆う2枚のカバーパネルを基本構成要素とす
るICメモリカードに於いて、該カバーパネル間、およ
び該カバーパネルと回路基板のグランドレベルの間が、
導電性ゴムもしくは導電性フォームを介して電気的に導
通されていることを特徴とするICメモリカードであ
る。
【0011】以下、本発明を図をもとに詳細に説明す
る。図1は本発明によるICメモリカードの構造の例で
あり、(a)はその断面図を、(b)はカバーパネルを
はずした斜視図をあらわしている。図1(a)に於い
て、電子部品1群が搭載され、その一端にコネクタ6が
搭載された回路基板2、スペーサー4および4’、フレ
ーム5、回路基板2を貫通してスペーサー4に設けられ
た穴8、8’、スペーサー4’に設けられた穴9、およ
び回路基板2上のパッド10や放電抵抗11などに関す
る構成は、図3に示した従来のICメモリカードと基本
的にかわるところはない。なお、本発明に於いてもコネ
クタは図1に示したもの以外に、カードエッジ式のもの
でもシャッター式のものでもかまわないし、スペーサー
も必ずしも図1に示したものだけに限らず、回路基板2
の上下のいずれか一方にだけ存在しているものでもよ
い。
【0012】本発明に於いては、従来のコイルバネない
し板バネにかわり、カバーパネル3、3’間、もしくは
カバーパネル3とパッド10の間の電気的接続を、導電
性ゴムないし導電性フォームを介して行うことが最大の
特徴である。本発明で用いる導電性ゴムないし導電性フ
ォームの体積固有抵抗は、その目的から小さければ小さ
い程好ましいことはいうまでもないが、105 Ω−cm以
下のものを用いることが望ましい。すなわち、導電性ゴ
ムないし導電性フォームの体積固有抵抗が最大でもこの
値以下であれば、図1に示したスペーサー穴8、8’お
よび基板穴7でつくられる空洞の体積は、通常底面直径
2〜3mm、高さ2〜3mm程度であるため、ここに仕込ま
れるべき導電性ゴムないし導電性フォームの電気抵抗値
は、最大でも1MΩ程度に保たれることになる。
【0013】上下のカバーパネル間の電気抵抗値がこの
程度であれば、カバーパネルの少なくとも一方の電位が
電磁波や静電気などによって変動しても、ほんの初期の
時間を除いて上下のカバーパネルの電位は同レベルに保
たれると共に、放電抵抗値も適度な値であることによっ
て、放電電流を抑制する効果も発揮されるので好まし
く、実用上は充分な導電体として供することができる。
電気抵抗がこの値以上であるとシールド効果が薄れ、カ
バーパネル上のチャージアップないしカバーパネル間の
レベル変動が目立ちはじめて好ましくないため、導電性
ゴムないし導電性フォームの体積固有抵抗として105
Ω−cm以下の材質を選択することが望ましい。
【0014】なお、本発明に於いては必ずしも導電性ゴ
ムや導電性フォームは、図1に示したもののように、ス
ペーサー穴8、8’および基板穴7で形成される空洞
と、スペーサー穴9で形成される空洞のいずれにも存在
することを限定するものではなく、図2に示すようにい
ずれか一方の空洞にのみしか存在しないものでも、従来
に比較して相当の効果が発揮されるのである。
【0015】本発明に使用する導電性ゴムないし導電性
フォームの材質としては、機械的特性や歪特性などが優
れていれば、シリコーン系、SBR系、ブチル系、ニト
リル系、クロロプレン系、ウレタン系などのゴム、ある
いはポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエチレン、ポ
リプロピレンなどのフォーム成形品など、特にその材質
の種類は限定されるものではないが、とりわけ導電性ゴ
ムに於いては、広い温度域で優れた圧縮歪特性を示すと
共に化学的にも安定で、電卓などにも広く使用されてい
るシリコーン系のものが、また、導電性フォームとして
は、適度な弾性と優れた圧縮回復力を示すポリエチレ
ン、ポリスチレンなどを好ましい材質として挙げること
ができる。
【0016】これらの基材に添加され、導電性を付与さ
せる添加剤としては、カーボンブラック、グラファイ
ト、カーボンファイバーなどのいわゆるπ電子移動型の
ものでもかまわないし、金、ニッケル、銅など自由電子
移動型のものでもさしつかえなく、特にその種類を限定
するものではないが、一般的には安価で加工性や成形性
に富み、添加量により抵抗が制御しやすいカーボンブラ
ックが適した材料として挙げることができる。
【0017】また、本発明に用いる導電性ゴムないし導
電性フォームは、最終的にカバーパネルまで組み立てた
状態にて、カバーパネル間ないしカバーパネルとパッド
の間での電気的接触を確実にするため、スペーサー穴
8、8’および基板穴7、あるいはスペーサー穴9で形
成される空洞の高さより0.2mmないし0.5mm程度大きい
ものを用意し、最終的にカバーパネルを貼り合わせた
時、導電性ゴムないし導電性フォームが少し圧縮される
ように詰め込まれることが好ましい。さらにはより電気
的接触の信頼性を得るために、JIS硬度70ないし1
50程度、圧縮歪20%程度の材質を使用すればより好
ましい結果を得ることができる。
【0018】なお、本発明に用いる導電性ゴムや導電性
フォームの形状は、別段円柱ないし直柱形状である必要
はなく、薄くスライスしたものを積層する方法でもかま
わないし、小片をランダムに穴に詰め込む方法でも差し
支えないのであって、カバーパネルを貼り合わせた時、
確実にその両端がカバーパネルの内壁ないし回路基板上
のパッドに接触し、かつ搭載部品のリード端子や周辺の
パッドなどに接触しないものであれば、なんらその形状
や大きさ、詰め込み方法などを特定するものではないの
である。
【0019】本発明ではカバーパネルが金属性のもので
も、あるいはその内面に導電層が形成されたプラスチッ
クシートでも、同様にその効果を発揮できるものである
ことは言うまでもないが、とりわけ後者に於いては、従
来のようなコイルバネないし板バネを使用した場合、そ
れ自体の機械的反発力が大きいために、最終的にカバー
パネルを貼り合わせて組み立てた後、カバーパネルの浮
きが目立つことがあったのに対して、本発明による方法
によると、導電性ゴムないし導電性フォームの反発力は
コイルバネや板バネのそれに比較して小さいため、組み
立て後のカバーパネルの浮きもなく、外観上良好な結果
を得ることができると言う利点もある。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例および比較例を挙げ
る。 実施例1、比較例1 1MbitのSRAMチップを主体とした電子部品群を
計8ヶ回路基板上に搭載したICメモリカードに対し
て、図1に示すようにそのスペーサーならびに回路基板
に2箇所の穴を設けた。この穴の大きさは直径2.5mm、
高さはカバーパネル間で2.6mm、回路基板とカバーパネ
ル間で1.1mmであった。これらの穴に、直径2.0mmで高
さがそれぞれ3.0mmおよび1.5mmであり、ポリエチレン
を基材としカーボンブラックを添加剤とした、体積固有
抵抗2×104 Ω−cmの導電性フォームを組み立て時に
仕込み、さらに厚さ200μmのステンレス製シートを
カバーパネルとして貼り合わせたICメモリカードと、
比較例として、高さが3.0mmと1.5mmでターン数8回の
リン青銅製コイルバネを、それぞれの穴に仕込んだ以外
はこれと同様な従来のICメモリカードを各々20枚準
備した。
【0021】なお、カバーパネルは厚さ200μmのス
テンレスシートであって、貼り合わせには感熱接着シー
トを用いて温度115℃、圧力200g/cm2 で60秒
加圧加熱した後、同じ圧力下で常温まで冷却した。これ
らICメモリカードの組み立て時間は、1枚当り前者で
11分、後者で17分との差があった。
【0022】これらのICメモリカードのカバーパネル
に対して、放電時定数100Ω、150pFである放電
試験機のプローブを+15KVの電圧にチャージアップ
させ、カバーパネルの任意の位置に各10回、ついで−
15KVの電圧で各10回、合計20回放電させた後で
本体装置に装着してアクセスしたところ、いずれのIC
メモリカードも正常に動作し、異常は認められなかっ
た。次いで、これらのICメモリカードを本体装置に装
着し、アクセスした状態のままで周波数144MHz、
および430MHzで発振出力1Wの電波を、そのアン
テナとICメモリカードとの距離が1mの位置から放射
させたところ、これもまたいずれのICメモリカードに
於いても正常な動作を維持し、なんら異常は認められな
かった。
【0023】実施例2 内部の電気的接触用導電体として、シリコーンゴムを基
材とし、カーボンファイバーを添加した、体積固有抵抗
が1×105 Ω−cmの導電性ゴムを用いたこと以外は、
実施例1と同様なICメモリカードを20枚用意した。
その組み立て時間は1枚当り10分であった。また、実
施例1と同様な試験を行ったところ、放電試験、電波試
験ともなんら異常は認められなかった。
【0024】実施例3 カバーパネルが厚さ150μmのポリカーボネートシー
トであり、その片面に厚さ50μmのアルミニウム箔が
貼り付けられたものであったこと以外は実施例1と同様
なICメモリカードを20枚作製した。この試料につい
ても、組み立て時間、放電試験、電波試験いずれも実施
例1と同様な結果を得た。さらに、これらのICメモリ
カードを50℃で48Hr放置したところ、導電性ゴム
を仕込んだ位置に対応するカバーパネル部の浮きは認め
られず、外観的にも良好であった。
【0025】比較例2 ポリエチレン導電体フォームの体積固有抵抗が1×10
6 Ω−cmであったこと以外は、実施例1と同様なICメ
モリカードを20枚準備したところ、組み立て時間は1
枚当り11分と同じであったが、実施例1と同様な放電
試験を行った後、5枚が本体装置に装着しても正常なア
クセスができなくなった。さらに電波試験を行ったとこ
ろ、8枚が試験中に誤動作した。
【0026】比較例3 実施例3と同じカバーパネルを使用したこと以外は、実
施例1と同じ従来のICメモリカードを20枚準備し
た。これを実施例3と同じように、組み立て後50℃で
48Hr放置したところ、コイルバネに対応する位置の
カバーパネルに浮きが16枚発生した。
【0027】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
はコイルバネや板バネの代わりに、導電性ゴムや導電性
フォームをICメモリカード内部の電気的接触用に用い
ることにより、従来の方式に比較して大幅な作業性の向
上と、電気的接触の信頼性向上を実現することができ、
製造上のメリットが大きいと共に、とりわけカバーパネ
ルに剛性のないプラスチックシートを用いたICメモリ
カードに於いて、カバーパネルの浮きを抑制するなど、
その効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるICメモリカードの構造の例であ
り、(a)は断面図、(b)はカバーパネルをはずした
状態の斜視図である。
【図2】本発明によるICメモリカードの構造の他の例
を示す断面図である。
【図3】従来のICメモリカードの構造の例であり、
(a)は断面図、(b)はカバーパネルをはずした状態
の斜視図である。
【図4】従来のICメモリカードの構造の他の例を示す
断面図である。
【符号の説明】
1 電子部品 2 回路基板 3、3’ カバーパネル 4、4’ スペーサー 5 フレーム 7 基板穴 8、8’、9 スペーサー穴 10 パッド 12、12’ コイルバネ 13 板バネ 14、14’ 導電材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリICを主体とした電子部品群が搭
    載された回路基板、該回路基板と外部との電気的接続を
    はかるコネクタ、該回路基板とコネクタを保持するフレ
    ームおよびスペーサー、ならびに該回路基板、コネク
    タ、フレームおよびスペーサーを覆う2枚のカバーパネ
    ルを基本構成要素とするICメモリカードに於いて、該
    カバーパネル間、および該カバーパネルと回路基板のグ
    ランドレベルの間が、導電性ゴムもしくは導電性フォー
    ムを介して電気的に導通されていることを特徴とするI
    Cメモリカード。
JP4013749A 1992-01-29 1992-01-29 Icメモリカード Pending JPH05201184A (ja)

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