JPH05202471A - マグネトロンスパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタリング装置Info
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- JPH05202471A JPH05202471A JP1273992A JP1273992A JPH05202471A JP H05202471 A JPH05202471 A JP H05202471A JP 1273992 A JP1273992 A JP 1273992A JP 1273992 A JP1273992 A JP 1273992A JP H05202471 A JPH05202471 A JP H05202471A
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- Japan
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- target
- magnet
- sputtering apparatus
- magnetron sputtering
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット表面近傍の空間で互いに交叉させ
た電界と磁界との協働により高いスパッタリング速度が
得られるスパッタリング装置に関し、特にターゲット表
面近傍の空間の磁界を簡単に変えられるスパッタリング
装置の提供を目的とする。 【構成】 プラスイオンを表面に衝突させて粒子17を表
面から放出するターゲット16と、このターゲット16の裏
面側に配設されて、ターゲット16に入り込む電界と交叉
する磁界をこのターゲット16の表面上の空間に形成する
磁石15を含んでなるマグネトロンスパッタリング装置に
おいて、磁石21が複数の磁石本体21a で構成されるとと
もに、それぞれの磁石本体21a は独立にターゲット16の
方向に任意の距離を連続的に移動できるように構成す
る。
た電界と磁界との協働により高いスパッタリング速度が
得られるスパッタリング装置に関し、特にターゲット表
面近傍の空間の磁界を簡単に変えられるスパッタリング
装置の提供を目的とする。 【構成】 プラスイオンを表面に衝突させて粒子17を表
面から放出するターゲット16と、このターゲット16の裏
面側に配設されて、ターゲット16に入り込む電界と交叉
する磁界をこのターゲット16の表面上の空間に形成する
磁石15を含んでなるマグネトロンスパッタリング装置に
おいて、磁石21が複数の磁石本体21a で構成されるとと
もに、それぞれの磁石本体21a は独立にターゲット16の
方向に任意の距離を連続的に移動できるように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ターゲット表面近傍の
空間で互いに交叉させた電界と磁界との協働により高い
スパッタリング速度が得られるスパッタリング装置、特
にターゲット表面近傍の空間の磁界を簡単に変えられる
スパッタリング装置に関する。
空間で互いに交叉させた電界と磁界との協働により高い
スパッタリング速度が得られるスパッタリング装置、特
にターゲット表面近傍の空間の磁界を簡単に変えられる
スパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来のマグネトロンスパッタリン
グ装置について図２を参照して説明する。図２は、従来
のマグネトロンスパッタリング装置を説明するための図
で、同図(a) はマグネトロンスパッタリング装置の模式
的な要部側断面図、同図(b) は磁石の平面図、同図(c)
は磁石本体の固定方法を示す要部側面図である。
グ装置について図２を参照して説明する。図２は、従来
のマグネトロンスパッタリング装置を説明するための図
で、同図(a) はマグネトロンスパッタリング装置の模式
的な要部側断面図、同図(b) は磁石の平面図、同図(c)
は磁石本体の固定方法を示す要部側面図である。
【０００３】従来のマグネトロンスパッタリング装置10
は、同図(a) 〜(c) に示す如く、金属、例えば、アルミ
ニウム製のカソードボディ11と、インシュレータ13を介
して固定したカソードボディ11を側壁の一部とするチャ
ンバー12と、カソードボディ11の表面に固定されてチャ
ンバー12内に配設されたターゲット16と、カソードボデ
ィ11を介してターゲット16にマイナス電圧若しくは高周
波電圧を印加する電源14と、カソードボディ11の裏面側
に配置されてターゲット16表面近傍の空間に磁界を形成
する磁石、すなわち磁石本体、例えば、複数の棒磁石15
a を磁性体で平板状のヨーク15b に植立してなる磁石15
とを含んで構成されていた。
は、同図(a) 〜(c) に示す如く、金属、例えば、アルミ
ニウム製のカソードボディ11と、インシュレータ13を介
して固定したカソードボディ11を側壁の一部とするチャ
ンバー12と、カソードボディ11の表面に固定されてチャ
ンバー12内に配設されたターゲット16と、カソードボデ
ィ11を介してターゲット16にマイナス電圧若しくは高周
波電圧を印加する電源14と、カソードボディ11の裏面側
に配置されてターゲット16表面近傍の空間に磁界を形成
する磁石、すなわち磁石本体、例えば、複数の棒磁石15
a を磁性体で平板状のヨーク15b に植立してなる磁石15
とを含んで構成されていた。
【０００４】そして、この従来のマグネトロンスパッタ
リング装置10を稼働させた際に、磁石15が形成する磁界
は、ターゲット16に入り込む電界とこのターゲット16表
面近傍の空間で交叉し、ターゲット16表面近傍の空間に
おけるプラズマ密度とその分布とを大きな割合で決定す
る。
リング装置10を稼働させた際に、磁石15が形成する磁界
は、ターゲット16に入り込む電界とこのターゲット16表
面近傍の空間で交叉し、ターゲット16表面近傍の空間に
おけるプラズマ密度とその分布とを大きな割合で決定す
る。
【０００５】また、前述のプラズマ密度とその分布は、
ターゲット16から飛散した粒子17(例えば、原子、分子
等) の基板19への堆積速度であるスパッタリング速度や
ターゲット16表面のエロージョン領域16a 、すなわち、
粒子17の大部分を放出するターゲット16表面の特定領域
を決定する。
ターゲット16から飛散した粒子17(例えば、原子、分子
等) の基板19への堆積速度であるスパッタリング速度や
ターゲット16表面のエロージョン領域16a 、すなわち、
粒子17の大部分を放出するターゲット16表面の特定領域
を決定する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、スパッタリ
ング速度やターゲット16のエロージョン領域16a は、こ
のターゲット16から放出された粒子17が基板19に堆積し
てなる堆積膜18の膜厚分布や膜質に大きな影響を与え
る。
ング速度やターゲット16のエロージョン領域16a は、こ
のターゲット16から放出された粒子17が基板19に堆積し
てなる堆積膜18の膜厚分布や膜質に大きな影響を与え
る。
【０００７】したがって、かかる堆積膜18の膜厚分布や
膜質を改変する一つの手段として、磁石15の棒磁石15a
を交換 (磁極の強さの異なる別の棒磁石15a に交換) し
てターゲット16表面近傍の空間に形成する磁界の強さや
分布を変えていた。
膜質を改変する一つの手段として、磁石15の棒磁石15a
を交換 (磁極の強さの異なる別の棒磁石15a に交換) し
てターゲット16表面近傍の空間に形成する磁界の強さや
分布を変えていた。
【０００８】ところが、従来の磁石15は、図２(c) に示
すように、磁性体で平板状のヨーク15b に複数の棒磁石
15a を植立した状態で、この棒磁石15a とヨーク15b と
に設けた螺子孔15a',15b' にボルト15c を螺入して構成
していたために、棒磁石15aの交換作業は大変面倒であ
った。
すように、磁性体で平板状のヨーク15b に複数の棒磁石
15a を植立した状態で、この棒磁石15a とヨーク15b と
に設けた螺子孔15a',15b' にボルト15c を螺入して構成
していたために、棒磁石15aの交換作業は大変面倒であ
った。
【０００９】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は、ターゲット表面
近傍の空間に形成される磁界を簡単に変えることのでき
るスパッタリング装置を提供することにある。
になされたものであって、その目的は、ターゲット表面
近傍の空間に形成される磁界を簡単に変えることのでき
るスパッタリング装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１に示す
ように、プラスイオンを表面に衝突させて粒子17を表面
から放出するターゲット16と、このターゲット16の裏面
側に配設されて、ターゲット16に入り込む電界と交叉す
る磁界をこのターゲット16の表面上の空間に形成する磁
石15を含んでなるマグネトロンスパッタリング装置にお
いて、磁石21が複数の磁石本体21a で構成されるととも
に、それぞれの磁石本体21aは独立にターゲット16の方
向に任意の距離を連続的に移動できるように構成したこ
とを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置により
達成される。
ように、プラスイオンを表面に衝突させて粒子17を表面
から放出するターゲット16と、このターゲット16の裏面
側に配設されて、ターゲット16に入り込む電界と交叉す
る磁界をこのターゲット16の表面上の空間に形成する磁
石15を含んでなるマグネトロンスパッタリング装置にお
いて、磁石21が複数の磁石本体21a で構成されるととも
に、それぞれの磁石本体21aは独立にターゲット16の方
向に任意の距離を連続的に移動できるように構成したこ
とを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置により
達成される。
【００１１】
【作用】本発明のマグネトロンスパッタリング装置にお
いては、その磁石21を複数の磁石本体21a で構成すると
ともに、それぞれの磁石本体21a を独立にターゲット16
の方向に任意の距離を連続的に移動できるように構成、
たとえば、図１に示すように、磁性体で平板状のヨーク
21b に棒磁石21a を植立した状態で、棒磁石21aとヨー
ク21b とに設けた螺子孔21a',21b' に軸部の長いボルト
21c を螺入するとともに、このボルト21c のヨーク21b
の螺子孔21b'の螺入深さを変えることにより棒磁石21a
とターゲット16間の距離を調整し、ターゲット16表面近
傍の空間に形成される磁界の強さや分布を変えるように
構成している。
いては、その磁石21を複数の磁石本体21a で構成すると
ともに、それぞれの磁石本体21a を独立にターゲット16
の方向に任意の距離を連続的に移動できるように構成、
たとえば、図１に示すように、磁性体で平板状のヨーク
21b に棒磁石21a を植立した状態で、棒磁石21aとヨー
ク21b とに設けた螺子孔21a',21b' に軸部の長いボルト
21c を螺入するとともに、このボルト21c のヨーク21b
の螺子孔21b'の螺入深さを変えることにより棒磁石21a
とターゲット16間の距離を調整し、ターゲット16表面近
傍の空間に形成される磁界の強さや分布を変えるように
構成している。
【００１２】したがって、如上のようにターゲット16表
面近傍の空間に形成される磁界の強さとその分布は、ボ
ルト21c のヨーク21b の螺子孔21b'の螺入深さを変えだ
けで簡単に変えられることになる。
面近傍の空間に形成される磁界の強さとその分布は、ボ
ルト21c のヨーク21b の螺子孔21b'の螺入深さを変えだ
けで簡単に変えられることになる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例のマグネトロンスパ
ッタリング装置について図１を参照して説明する。図１
は、本発明の一実施例のマグネトロンスパッタリング装
置を説明するための図であって、同図(a) はマグネトロ
ンスパッタリング装置の模式的な要部側断面図、同図
(b) は磁石の平面図、同図(c) は磁石本体の固定方法を
示す要部側面図である。
ッタリング装置について図１を参照して説明する。図１
は、本発明の一実施例のマグネトロンスパッタリング装
置を説明するための図であって、同図(a) はマグネトロ
ンスパッタリング装置の模式的な要部側断面図、同図
(b) は磁石の平面図、同図(c) は磁石本体の固定方法を
示す要部側面図である。
【００１４】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例のマグネトロンスパッタリング
装置20は、同図(a) 〜(c) に示すように、図２により説
明した従来のマグネトロンスパッタリング装置10の磁石
15を本発明に係る磁石21に代えて構成したものである。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例のマグネトロンスパッタリング
装置20は、同図(a) 〜(c) に示すように、図２により説
明した従来のマグネトロンスパッタリング装置10の磁石
15を本発明に係る磁石21に代えて構成したものである。
【００１５】この磁石21は、同図(c) に示す如く磁性体
で平板状のヨーク21b に磁石本体、例えば棒磁石21a を
磁石を植立した状態でこの棒磁石21a とヨーク21b とに
設けた螺子孔21a',21b' に軸部の長いボルト21c を螺入
して構成したものである。
で平板状のヨーク21b に磁石本体、例えば棒磁石21a を
磁石を植立した状態でこの棒磁石21a とヨーク21b とに
設けた螺子孔21a',21b' に軸部の長いボルト21c を螺入
して構成したものである。
【００１６】したがって、このボルト21c のヨーク21b
の螺子孔21b'の螺入深さを矢印Ａのように変えることに
より棒磁石21a とターゲット16間の距離は変わり、ター
ゲット16表面近傍の空間に形成される磁界の強さや分布
も変わることとなる。
の螺子孔21b'の螺入深さを矢印Ａのように変えることに
より棒磁石21a とターゲット16間の距離は変わり、ター
ゲット16表面近傍の空間に形成される磁界の強さや分布
も変わることとなる。
【００１７】このように本発明の一実施例のマグネトロ
ンスパッタリング装置20は、その磁石21の棒磁石21a を
交換することなくボルト21c のヨーク21b の螺子孔21b'
の螺入深さを変えるだけでターゲット16表面近傍の空間
に形成される磁界の強さや分布を変えられることとな
る。
ンスパッタリング装置20は、その磁石21の棒磁石21a を
交換することなくボルト21c のヨーク21b の螺子孔21b'
の螺入深さを変えるだけでターゲット16表面近傍の空間
に形成される磁界の強さや分布を変えられることとな
る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ターゲッ
ト表面近傍の空間に形成する磁界の強さや分布を容易に
変えることのできるマグネトロンスパッタリング装置の
提供を可能にする。
ト表面近傍の空間に形成する磁界の強さや分布を容易に
変えることのできるマグネトロンスパッタリング装置の
提供を可能にする。
【００１９】したがって、本発明のマグネトロンスパッ
タリング装置においては、ターゲット表面近傍の空間に
形成する磁界の強さや分布を短時間で変えられるからそ
の稼働率が大幅に向上することとなる。
タリング装置においては、ターゲット表面近傍の空間に
形成する磁界の強さや分布を短時間で変えられるからそ
の稼働率が大幅に向上することとなる。
【図１】は、本発明の一実施例のマグネトロンスパッタ
リング装置を説明するための図、
リング装置を説明するための図、
【図２】は、従来のマグネトロンスパッタリング装置を
説明するための図である。
説明するための図である。
10は、マグネトロンスパッタリング装置、 11は、カソードボディ、 12は、チャンバー、 13は、インシュレータ、 14は、電源、 15は、磁石、 15a は、棒磁石 (磁石本体) 、 15a'は、螺子孔、 15b は、ヨーク、 15b'は、螺子孔、 15c は、ボルト、 16は、ターゲット、 17は、粒子、 18は、堆積膜、 19は、基板、 20は、マグネトロンスパッタリング装置、 21は、磁石、 21a は、棒磁石 (磁石本体) 、 21a'は、螺子孔、 21b は、ヨーク、 21b'は、螺子孔、 21c は、ボルトをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 プラスイオンを表面に衝突させて粒子(1
7)を表面から放出するターゲット(16)と、 このターゲット(16)の裏面側に配設されて、ターゲット
(16)に入り込む電界と交叉する磁界をこのターゲット(1
6)の表面上の空間に形成する磁石(15)を含んでなるマグ
ネトロンスパッタリング装置において、 前記磁石(21)が複数の磁石本体(21a) で構成されるとと
もに、それぞれの磁石本体(21a) は独立にターゲット(1
6)の方向に任意の距離を連続的に移動できるように構成
したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273992A JPH05202471A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1273992A JPH05202471A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05202471A true JPH05202471A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=11813800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1273992A Withdrawn JPH05202471A (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05202471A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855744A (en) * | 1996-07-19 | 1999-01-05 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering |
| CN1095832C (zh) * | 2000-12-12 | 2002-12-11 | 吉林大学 | Dl－苏式－对甲砜基苯基丝氨酸酯的拆分 |
| JP2002363740A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
| WO2009048075A1 (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-16 | Canon Anelva Corporation | プラズマ処理装置 |
| JP2009209385A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット及び磁石着脱方法 |
| US12542264B2 (en) * | 2017-08-31 | 2026-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sputter target magnet |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP1273992A patent/JPH05202471A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5855744A (en) * | 1996-07-19 | 1999-01-05 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering |
| EP0820088A3 (en) * | 1996-07-19 | 2000-10-25 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Non-planar magnet tracking device for magnetron sputtering apparatus |
| CN1095832C (zh) * | 2000-12-12 | 2002-12-11 | 吉林大学 | Dl－苏式－对甲砜基苯基丝氨酸酯的拆分 |
| JP2002363740A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Anelva Corp | スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 |
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| JP2009209385A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット及び磁石着脱方法 |
| US12542264B2 (en) * | 2017-08-31 | 2026-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sputter target magnet |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |