JPH05204010A - 短波レーザー光発生光学的素子 - Google Patents
短波レーザー光発生光学的素子Info
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- JPH05204010A JPH05204010A JP4166077A JP16607792A JPH05204010A JP H05204010 A JPH05204010 A JP H05204010A JP 4166077 A JP4166077 A JP 4166077A JP 16607792 A JP16607792 A JP 16607792A JP H05204010 A JPH05204010 A JP H05204010A
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- C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
- C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C229/00—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton
- C07C229/52—Compounds containing amino and carboxyl groups bound to the same carbon skeleton having amino and carboxyl groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the same carbon skeleton
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
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- G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
- G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 χ(2) 活性強誘電体液晶からなる導波層を有
する光学的周波数変換素子。 【構成】 導波層による周波数変換により短波レーザー
光を効果的に発生させるための光学的素子において、前
記導波層が、導かれたレーザービームの擬位相整合を可
能にする周期的構造を有する強誘電体層χ(2) 活性単量
体又は重合体液晶材料からなり、三次元的構造の周期的
長さが前記材料のコーヒーレンス長さlc＝π／Δβの２
倍に等しい〔式中、Δβ＝βo(２ω）−２βo(ω）、こ
こでω＝基本波の角周波数、０＝零次モード、β＝モー
ドの伝播定数〕光学的素子。
する光学的周波数変換素子。 【構成】 導波層による周波数変換により短波レーザー
光を効果的に発生させるための光学的素子において、前
記導波層が、導かれたレーザービームの擬位相整合を可
能にする周期的構造を有する強誘電体層χ(2) 活性単量
体又は重合体液晶材料からなり、三次元的構造の周期的
長さが前記材料のコーヒーレンス長さlc＝π／Δβの２
倍に等しい〔式中、Δβ＝βo(２ω）−２βo(ω）、こ
こでω＝基本波の角周波数、０＝零次モード、β＝モー
ドの伝播定数〕光学的素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導波層を用いた周波数
変換による短波レーザー光を効果的に発生させるための
光学的素子及びその層を製造するのに適した化合物に関
する。
変換による短波レーザー光を効果的に発生させるための
光学的素子及びその層を製造するのに適した化合物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニック又は光機械的部品を、
非線形光学的（nlo)効果を基にした電気光学的又は純粋
に光学的な部品によって置き換えることが、現在数多く
の用途での開発の傾向になっている。なぜなら、原理的
に後者は前者よりも速く作動し、高い信頼性を持って一
層経済的に作動するからである。これらの用途の多くで
は、例えば、高データー密度を有する光学的記憶装置で
は、500 μm より小さい範囲で発光する小型で耐衝撃性
レーザー光源を必要とする。短波レーザーダイオードは
入手できず、これまで実現されていなかったので、長い
間慣用的レーザーダイオードからの長い波長の光を効果
的に短い波長の光に非線形光学的材料、特に周波数倍増
（第二高調波発生：ＳＨＧ）、周波数加算等により変換
する試みが行われてきた。集積光学的装置でnlo 活性材
料によりレーザーダイオードの集積を可能にする方法
は、特に魅力のあるものであろう。
非線形光学的（nlo)効果を基にした電気光学的又は純粋
に光学的な部品によって置き換えることが、現在数多く
の用途での開発の傾向になっている。なぜなら、原理的
に後者は前者よりも速く作動し、高い信頼性を持って一
層経済的に作動するからである。これらの用途の多くで
は、例えば、高データー密度を有する光学的記憶装置で
は、500 μm より小さい範囲で発光する小型で耐衝撃性
レーザー光源を必要とする。短波レーザーダイオードは
入手できず、これまで実現されていなかったので、長い
間慣用的レーザーダイオードからの長い波長の光を効果
的に短い波長の光に非線形光学的材料、特に周波数倍増
（第二高調波発生：ＳＨＧ）、周波数加算等により変換
する試みが行われてきた。集積光学的装置でnlo 活性材
料によりレーザーダイオードの集積を可能にする方法
は、特に魅力のあるものであろう。
【０００３】照射した長い波長の光と、発生した短い波
長の光に対する「位相整合」条件がnlo 活性媒体で満足
される場合にのみ効果的な周波数変換を得ることができ
る。このことは、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＬｉＮｂＯ3 等の如
き適当な非線形複屈折結晶を用いて達成することができ
る。
長の光に対する「位相整合」条件がnlo 活性媒体で満足
される場合にのみ効果的な周波数変換を得ることができ
る。このことは、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＬｉＮｂＯ3 等の如
き適当な非線形複屈折結晶を用いて達成することができ
る。
【０００４】変換効率は、基本波の電力密度の平方に依
存し、入手できるレーザーダイオードの光強度は比較的
小さいので、実現できない程大きく高価なnlo 結晶が必
要になる。それらの条件は、もし変換が上述の結晶の代
わりに導波構造体中で行うことができるならば、遥かに
都合のよいものになる。導波構造体中で、光は小さな断
面に圧縮され、それによって数桁電力密度が増大する。
更に、導波管の形状により、位相整合条件を満足させ易
くなる。次の三つの方法は、可能な位相整合法である：
存し、入手できるレーザーダイオードの光強度は比較的
小さいので、実現できない程大きく高価なnlo 結晶が必
要になる。それらの条件は、もし変換が上述の結晶の代
わりに導波構造体中で行うことができるならば、遥かに
都合のよいものになる。導波構造体中で、光は小さな断
面に圧縮され、それによって数桁電力密度が増大する。
更に、導波管の形状により、位相整合条件を満足させ易
くなる。次の三つの方法は、可能な位相整合法である：
【０００５】１．導波体中の種々のモードの分散性の利
用。もし導波体が適切な形状になっているならば、位相
整合条件は、低次モードで導波された場合には基本波に
対して満足され、高次モードで導波された場合には第二
高調波に対して満足される。しかし、変換効率は、二つ
のモードの間の重複積分の平方に依存し、異なった次元
のモードに対しては小さくなる。
用。もし導波体が適切な形状になっているならば、位相
整合条件は、低次モードで導波された場合には基本波に
対して満足され、高次モードで導波された場合には第二
高調波に対して満足される。しかし、変換効率は、二つ
のモードの間の重複積分の平方に依存し、異なった次元
のモードに対しては小さくなる。
【０００６】２．異方性導波体の複屈折の利用。この方
法は、複屈折結晶中での状態に相当し、適当な複屈折を
持つ材料にしか適用できない。この場合、同じ次元のモ
ードの間の変換（例えば、ＴＥ→ＴＭ）が可能であり、
そのため重複積分の大きな値を得ることができる。
法は、複屈折結晶中での状態に相当し、適当な複屈折を
持つ材料にしか適用できない。この場合、同じ次元のモ
ードの間の変換（例えば、ＴＥ→ＴＭ）が可能であり、
そのため重複積分の大きな値を得ることができる。
【０００７】３．周期的構造体の利用。擬位相整合法と
して知られているこの方法では、導波材料の非線形性は
周期的に変調されている。この方法は極性(poled）構造
体（例えば極性nlo 重合体）で行うのは比較的容易なた
め、最近重要になってきている。周期的構造体では、同
じ次元のモード間でも変換が起き〔例えば、ＴＥo
（ω）→ＴＥo （２ω）〕、従って、極めて効率的であ
る。
して知られているこの方法では、導波材料の非線形性は
周期的に変調されている。この方法は極性(poled）構造
体（例えば極性nlo 重合体）で行うのは比較的容易なた
め、最近重要になってきている。周期的構造体では、同
じ次元のモード間でも変換が起き〔例えば、ＴＥo
（ω）→ＴＥo （２ω）〕、従って、極めて効率的であ
る。
【０００８】当分野の現在の状態では、前述の導波体に
潜在的に適したχ(2) 活性材料は、次の種類に入る： １．単結晶無機層 一つの典型的な例はＬｉＮｂＯ3 であり、これは特に詳
しく研究されており、就中、その大きな非線形係数ｄ31
＝−5.95ppm ／Ｖ及びｄ33≡−37pm／Ｖのため研究され
ており、屡々nlo 物質を判定するための基準材料として
用いられている。しかし、一つの欠点は、ＬｉＮｂＯ3
層は製造しにくく、非常に高価なことである。
潜在的に適したχ(2) 活性材料は、次の種類に入る： １．単結晶無機層 一つの典型的な例はＬｉＮｂＯ3 であり、これは特に詳
しく研究されており、就中、その大きな非線形係数ｄ31
＝−5.95ppm ／Ｖ及びｄ33≡−37pm／Ｖのため研究され
ており、屡々nlo 物質を判定するための基準材料として
用いられている。しかし、一つの欠点は、ＬｉＮｂＯ3
層は製造しにくく、非常に高価なことである。
【０００９】２．χ(2) 活性ラングミュアー・ブロジェ
ット(Langmuir-Blodgett) 多層 これらは、特に温度に対し不安定である欠点を有する。
ット(Langmuir-Blodgett) 多層 これらは、特に温度に対し不安定である欠点を有する。
【００１０】３．分極χ(2) 活性重合体 これらの欠点は、それらのnlo 係数が時間に対し不安定
なことである。
なことである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導波
層が前述の欠点を持たない新規な周波数変換光学的素子
を与えることである。
層が前述の欠点を持たない新規な周波数変換光学的素子
を与えることである。
【００１２】これは、前述の種類の光学的素子におい
て、導波層が、導かれたレーザービームの擬位相整合を
可能にする周期的構造を有する強誘電体χ(2) 活性単量
体又は重合体液晶材料からなり、三次元的構造の周期的
長さが前記材料のコーヒーレンス長さlc＝π／Δβの２
倍に等しい〔式中、Δβ＝βo(２ω）−２βo(ω）、こ
こでω＝基本波の角周波数、０＝零次モード、β＝モー
ドの伝播定数〕光学的素子を与える本発明により達成さ
れる。
て、導波層が、導かれたレーザービームの擬位相整合を
可能にする周期的構造を有する強誘電体χ(2) 活性単量
体又は重合体液晶材料からなり、三次元的構造の周期的
長さが前記材料のコーヒーレンス長さlc＝π／Δβの２
倍に等しい〔式中、Δβ＝βo(２ω）−２βo(ω）、こ
こでω＝基本波の角周波数、０＝零次モード、β＝モー
ドの伝播定数〕光学的素子を与える本発明により達成さ
れる。
【００１３】本発明の別の態様として、材料を、その複
屈折性によりnlo テンソルのｄ21成分を位相整合させる
のに用いることができる。
屈折性によりnlo テンソルのｄ21成分を位相整合させる
のに用いることができる。
【００１４】別の態様として、強誘電体液晶材料が、Ｓ
＊c 相を形成するか、又は電場内で双極子的に配向する
ことができる高次配向強誘電体相を形成する。
＊c 相を形成するか、又は電場内で双極子的に配向する
ことができる高次配向強誘電体相を形成する。
【００１５】別の態様として、強誘電体材料が、境界力
により二安定方式で均一に配向されているＳ＊c 相を形
成する。これは、大きな螺旋ピッチを有する材料、又は
短いピッチの二安定強誘電体ＳＢＦ材料による表面安定
化強誘電体ＳＳＦ構造で起きる。表示装置（ＬＣＤ）に
関係のある強誘電体液晶の電気光学的性質は完全に研究
されている。例えば、液晶表示装置は、「表面安定化強
誘電体効果」（ＳＳＦ）〔クラーク（Clark) N.A. その
他、Appl. Phys. Lett. 36, 899 (1980)参照〕及び「短
ピッチ二安定化強誘電体効果」（ＳＢＦ）〔フュンシュ
リング(Funfschilling）J.その他、Jpn. J. Appl. Phy
s. 30, 741 (1991)参照〕に基づいている。
により二安定方式で均一に配向されているＳ＊c 相を形
成する。これは、大きな螺旋ピッチを有する材料、又は
短いピッチの二安定強誘電体ＳＢＦ材料による表面安定
化強誘電体ＳＳＦ構造で起きる。表示装置（ＬＣＤ）に
関係のある強誘電体液晶の電気光学的性質は完全に研究
されている。例えば、液晶表示装置は、「表面安定化強
誘電体効果」（ＳＳＦ）〔クラーク（Clark) N.A. その
他、Appl. Phys. Lett. 36, 899 (1980)参照〕及び「短
ピッチ二安定化強誘電体効果」（ＳＢＦ）〔フュンシュ
リング(Funfschilling）J.その他、Jpn. J. Appl. Phy
s. 30, 741 (1991)参照〕に基づいている。
【００１６】強誘電体液晶材料は、Ｓ＊c 相を形成する
キラルnlo 活性分子の混合物からなるのが好ましい。
キラルnlo 活性分子の混合物からなるのが好ましい。
【００１７】双極子配向は、ガラス転移温度より低く冷
却することにより固定されるのが好ましい。
却することにより固定されるのが好ましい。
【００１８】別の態様として、光学的素子はポッケル(P
ockel)装置として作動し、即ち、1300〜430 nmのスペク
トル範囲で電気光学的スイッチ又は光変調器として作動
する。
ockel)装置として作動し、即ち、1300〜430 nmのスペク
トル範囲で電気光学的スイッチ又は光変調器として作動
する。
【００１９】nlo 材料は、相順序1-Ｃhol-ＳmA−Ｓ＊c-
ガラスを有するのが好ましい。任意に素子は、Ｓ＊c 相
で作動し、そのため電場が印加された時、χ(2) 性が働
くようになるが、電場のスイッチを切ると消える。
ガラスを有するのが好ましい。任意に素子は、Ｓ＊c 相
で作動し、そのため電場が印加された時、χ(2) 性が働
くようになるが、電場のスイッチを切ると消える。
【００２０】特に光学的素子は850 〜1300nm、好ましく
は900 〜1300nmの波長を有するレーザー光の周波数を２
倍にするために用いることができ、任意に850 〜1300nm
の範囲で発光するレーザーダイオードに結合し、周波数
倍増モジュールを形成することができる。
は900 〜1300nmの波長を有するレーザー光の周波数を２
倍にするために用いることができ、任意に850 〜1300nm
の範囲で発光するレーザーダイオードに結合し、周波数
倍増モジュールを形成することができる。
【００２１】別の態様として、双極的に配向した軸は導
波面に対し直角である。
波面に対し直角である。
【００２２】二次非線形装置で用いるための強誘電体液
晶は次の非常に魅力的な性質を有する。それらは分極nl
o 重合体を基にした装置の製造し易さと、χ(2) 活性単
結晶の固有の非中心対称構造等を合わせ持っている。
晶は次の非常に魅力的な性質を有する。それらは分極nl
o 重合体を基にした装置の製造し易さと、χ(2) 活性単
結晶の固有の非中心対称構造等を合わせ持っている。
【００２３】原理的に、低分子量及び高分子量の両方の
強誘電体液晶が、χ(2) 活性材料の候補になっている。
なぜなら、強誘電体相、例えば、キラルスメクチックＣ
相（Ｓ＊c)では、ＮＬＯ活性の前提条件である非中心対
称構造を有するからである。Ｓ＊c 相では、適当な条件
下でこれらの物質は螺旋構造を形成し、それは例えば弱
い電場を適用することにより平面状双極子構造へ転化さ
せることができる。その場合、配向した双極子は液晶配
向子に対し直角になるであろう。そのような構造は高度
の配向を示し、それによって高度のＮＬＯ活性を与え
る。
強誘電体液晶が、χ(2) 活性材料の候補になっている。
なぜなら、強誘電体相、例えば、キラルスメクチックＣ
相（Ｓ＊c)では、ＮＬＯ活性の前提条件である非中心対
称構造を有するからである。Ｓ＊c 相では、適当な条件
下でこれらの物質は螺旋構造を形成し、それは例えば弱
い電場を適用することにより平面状双極子構造へ転化さ
せることができる。その場合、配向した双極子は液晶配
向子に対し直角になるであろう。そのような構造は高度
の配向を示し、それによって高度のＮＬＯ活性を与え
る。
【００２４】低分子量強誘電体液晶のχ(2) 活性薄膜
は、今まで重要或は実用的であるとは考えられてこなか
った。この考えは、強誘電体液晶混合物についての今ま
で公表されたＳＨＧデーターが失望させるものであった
ことに起因する。これらは、工業的には全く利用できな
い程低い非線形係数（例えば、ｄ22＝0.027 pm／Ｖ；ｄ
23＝0.07pm／Ｖ；ｄ16＝0.0026pm／Ｖ；文献４）を示し
ている。
は、今まで重要或は実用的であるとは考えられてこなか
った。この考えは、強誘電体液晶混合物についての今ま
で公表されたＳＨＧデーターが失望させるものであった
ことに起因する。これらは、工業的には全く利用できな
い程低い非線形係数（例えば、ｄ22＝0.027 pm／Ｖ；ｄ
23＝0.07pm／Ｖ；ｄ16＝0.0026pm／Ｖ；文献４）を示し
ている。
【００２５】強誘電体液晶混合物は、Ｓ＊c 相を形成す
るキラルメソ型(chiral nesogenic)分子か、又はＳｃ相
を形成するメソ型分子とＳ＊c 相を誘発することができ
るキラルドープ剤との組合せからなる。
るキラルメソ型(chiral nesogenic)分子か、又はＳｃ相
を形成するメソ型分子とＳ＊c 相を誘発することができ
るキラルドープ剤との組合せからなる。
【００２６】効果的なχ(2) 活性強誘電体液晶材料は、
大きな二次超分極性を有するnlo 活性構造素子を前述の
キラル物質に配合し、非線形性に関係のある軸が強誘電
体液晶構造形態中で双極子的になるようにすることによ
り得られることが発見された。
大きな二次超分極性を有するnlo 活性構造素子を前述の
キラル物質に配合し、非線形性に関係のある軸が強誘電
体液晶構造形態中で双極子的になるようにすることによ
り得られることが発見された。
【００２７】既に知られているように、ＡΠＤ型（式
中、Ａは電子受容体であり、Πは本来の場所から移動し
た電子系との橋を示し、Ｄは電子供与体を表す）を有す
る分子は、供与体・受容体軸に沿って超分極することが
できる。パラニトロアニリンはこの種の分子の一例であ
る。
中、Ａは電子受容体であり、Πは本来の場所から移動し
た電子系との橋を示し、Ｄは電子供与体を表す）を有す
る分子は、供与体・受容体軸に沿って超分極することが
できる。パラニトロアニリンはこの種の分子の一例であ
る。
【００２８】強誘電体液晶相を形成するメソ型分子は、
棒型（長さ＞＞幅）である。従って、配向子に対し横切
るように導入されたnlo 活性分子群は小さくなければな
らない。さもないとこれらの分子群は液晶相を破壊する
であろう。同じことはキラルnlo ドープ剤についても当
てはまる。この条件のため、得ることができる超分極性
に限度がある。
棒型（長さ＞＞幅）である。従って、配向子に対し横切
るように導入されたnlo 活性分子群は小さくなければな
らない。さもないとこれらの分子群は液晶相を破壊する
であろう。同じことはキラルnlo ドープ剤についても当
てはまる。この条件のため、得ることができる超分極性
に限度がある。
【００２９】また、nlo 分子の透明スペクトル範囲の短
波長限界と非線形性値との間には直接の関係が存在す
る。青スペクトル範囲への周波数変換を行わせるために
は、材料はこの領域で透明でなければならない。
波長限界と非線形性値との間には直接の関係が存在す
る。青スペクトル範囲への周波数変換を行わせるために
は、材料はこの領域で透明でなければならない。
【００３０】５−アミノ−２−ニトロ−１，４−フェニ
レンは、nlo 活性構造素子として優れていることが判明
している。驚いたことにこのnlo 構造素子が、適当に設
計されたスメクチック型分子中に適切に配合されると、
Ｓ＊c 相が得られることが判明した。また、もしnlo 単
位が、液晶分子又はキラルドープ剤分子のキラル基に近
接して配合されるならば、nlo 基の非線形性に関係のあ
る軸に、Ｓ＊c 相中、高度に配向した双極子配向が与え
られることが判明した。
レンは、nlo 活性構造素子として優れていることが判明
している。驚いたことにこのnlo 構造素子が、適当に設
計されたスメクチック型分子中に適切に配合されると、
Ｓ＊c 相が得られることが判明した。また、もしnlo 単
位が、液晶分子又はキラルドープ剤分子のキラル基に近
接して配合されるならば、nlo 基の非線形性に関係のあ
る軸に、Ｓ＊c 相中、高度に配向した双極子配向が与え
られることが判明した。
【００３１】ＳＨＧ測定（1064nm−532 nm変換）から、
これらの材料の非線形係数ｄ22及びｄ21に対し、夫々10
pm／Ｖ及び５pm／Ｖ程度の値が得られている。これらの
値は、今まで公表されたデーターの中で最も大きなもの
よりも100 倍も大きく、ＬｉＮｂＯ3 についての値に匹
敵する程大きい。これらの高非線形係数は、自然分極に
ついて観察された大きな値（700nＣ／cm2 まで）に相当
する。測定データーの分析により、スメクチック層中の
分子の完全に近い双極子配向が示されている。前に記述
した性質を有する新しい種類の分子が見出された。新し
い化合物の新しい優れたＮＬＯ特性は、次に記載するそ
れら分子構造概念から得られたものである。
これらの材料の非線形係数ｄ22及びｄ21に対し、夫々10
pm／Ｖ及び５pm／Ｖ程度の値が得られている。これらの
値は、今まで公表されたデーターの中で最も大きなもの
よりも100 倍も大きく、ＬｉＮｂＯ3 についての値に匹
敵する程大きい。これらの高非線形係数は、自然分極に
ついて観察された大きな値（700nＣ／cm2 まで）に相当
する。測定データーの分析により、スメクチック層中の
分子の完全に近い双極子配向が示されている。前に記述
した性質を有する新しい種類の分子が見出された。新し
い化合物の新しい優れたＮＬＯ特性は、次に記載するそ
れら分子構造概念から得られたものである。
【００３２】それら物質は次の一般式を有するp-ニトロ
アニリン誘電体である：
アニリン誘電体である：
【化７】 〔式中、 Ｘ1 、Ｘ2 ： 一方は−ＮＯ2 を表し、他方は−ＮＲ5
Ｒ6 を表し、ここでＲ5 及びＲ6 は夫々独立にＨ又は低
級アルキルを表す； Ｒ3 、Ｒ4 ： 夫々独立にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ
Ｈ2 、ＮＯ2 、ＣＮ、低級アルキル、又は低級アルコキ
シを表し、但し、Ｘ1 はＲ4 とは異なり、Ｘ2 はＲ3 と
は異なるものとする； Ｒ1 ： キラルアルキル又はシクロアルキルを表し、そ
の場合、互いに独立に一つ又は二つの隣り合っていない
−ＣＨ2 基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−Ｈ
Ｃ＝ＣＨ−によって置換されていてもよく、脂肪族残基
では−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていてもよく、また、
Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル又は低級アルコキシによ
ってモノ又はポリ置換されていてもよく、但しキラル性
の中心がアルキル鎖中では第一又は第二Ｃ原子上に位置
し、シクロアルキル残基の場合には炭素原子の上に位置
するものとする； Ａ1 ： １〜４個の６員環を表し、それらは互いに結合
しているか、又は一つの共有結合によりp-ニトロ−アニ
リン環に結合しているか、且つ（又は）一つ又は任意に
複数の点で−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ
2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ−、−ＳＯＣ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ＝
ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ＝ＣＨ−、又
はブチレンにより結合されており、ここで−ＣＨ2 ＣＨ
2-基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は
−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい。Ａ1 中の６員環は、互いに独立に、非置換、又は
Ｆ、Ｃｌ、低級アルキル又は低級アルコキシで任意にモ
ノ、ジ、又はポリ置換されている１，４−フェニレン
で、一つ又は二つの−ＣＨ−基が窒素によって置き換え
られていてもよい１，４−フェニレン、又は一つまたは
二つの−ＣＨ2-基（好ましくは隣り合っていない）がＯ
又はＳによって置き換えられていてもよく、又は−ＣＨ
2 ＣＨ2-基が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えられてい
てもよい１，４−シクロヘキシレン、又はナフタレン−
２，５−ジイル、デカリン−２，６−ジイル、テトラリ
ン−２，６−ジイル、チアジアゾリル、又はオキソジア
ゾリルを表す； Ｚ1 ： 一つの共有結合、−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ
−、−ＯＣＨ2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ
−、−ＳＯＣ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝
Ｎ−、−Ｎ＝ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ
＝ＣＨ−、又はブチレンを表し、ここで−ＣＨ2 ＣＨ2-
基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−
Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい； Ａ2 ： 構成単位
Ｒ6 を表し、ここでＲ5 及びＲ6 は夫々独立にＨ又は低
級アルキルを表す； Ｒ3 、Ｒ4 ： 夫々独立にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ
Ｈ2 、ＮＯ2 、ＣＮ、低級アルキル、又は低級アルコキ
シを表し、但し、Ｘ1 はＲ4 とは異なり、Ｘ2 はＲ3 と
は異なるものとする； Ｒ1 ： キラルアルキル又はシクロアルキルを表し、そ
の場合、互いに独立に一つ又は二つの隣り合っていない
−ＣＨ2 基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−Ｈ
Ｃ＝ＣＨ−によって置換されていてもよく、脂肪族残基
では−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていてもよく、また、
Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル又は低級アルコキシによ
ってモノ又はポリ置換されていてもよく、但しキラル性
の中心がアルキル鎖中では第一又は第二Ｃ原子上に位置
し、シクロアルキル残基の場合には炭素原子の上に位置
するものとする； Ａ1 ： １〜４個の６員環を表し、それらは互いに結合
しているか、又は一つの共有結合によりp-ニトロ−アニ
リン環に結合しているか、且つ（又は）一つ又は任意に
複数の点で−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ
2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ−、−ＳＯＣ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ＝
ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ＝ＣＨ−、又
はブチレンにより結合されており、ここで−ＣＨ2 ＣＨ
2-基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は
−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい。Ａ1 中の６員環は、互いに独立に、非置換、又は
Ｆ、Ｃｌ、低級アルキル又は低級アルコキシで任意にモ
ノ、ジ、又はポリ置換されている１，４−フェニレン
で、一つ又は二つの−ＣＨ−基が窒素によって置き換え
られていてもよい１，４−フェニレン、又は一つまたは
二つの−ＣＨ2-基（好ましくは隣り合っていない）がＯ
又はＳによって置き換えられていてもよく、又は−ＣＨ
2 ＣＨ2-基が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えられてい
てもよい１，４−シクロヘキシレン、又はナフタレン−
２，５−ジイル、デカリン−２，６−ジイル、テトラリ
ン−２，６−ジイル、チアジアゾリル、又はオキソジア
ゾリルを表す； Ｚ1 ： 一つの共有結合、−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ
−、−ＯＣＨ2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ
−、−ＳＯＣ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝
Ｎ−、−Ｎ＝ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ
＝ＣＨ−、又はブチレンを表し、ここで−ＣＨ2 ＣＨ2-
基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−
Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい； Ａ2 ： 構成単位
【化８】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前に述べた意味を
有する）を表す； n ： ０又は１を表す； Ｒ2 ： キラル又はアキラルアルキル又はシクロアルキ
ルを表し、その場合、互いに独立に、一つ以上の隣り合
っていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、又は−
ＨＣ＝ＣＨ−によって置き換えられていてもよく、脂肪
族残基では−Ｃ≡Ｃ−又は１，４−フェニレンによって
も置換されていてもよく、それらはＦ、Ｃｌ、ＣＮ、低
級アルキル又は低級アルコキシによってモノ又はポリ置
換されていてもよく、但しキラル性の中心がアルキル鎖
中では第一又は第二Ｃ原子上に位置し、シクロアルキル
残基の場合には環中の炭素原子の上に位置するものと
し、又はn が０を表す場合、Ｒ2 も基：
有する）を表す； n ： ０又は１を表す； Ｒ2 ： キラル又はアキラルアルキル又はシクロアルキ
ルを表し、その場合、互いに独立に、一つ以上の隣り合
っていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、又は−
ＨＣ＝ＣＨ−によって置き換えられていてもよく、脂肪
族残基では−Ｃ≡Ｃ−又は１，４−フェニレンによって
も置換されていてもよく、それらはＦ、Ｃｌ、ＣＮ、低
級アルキル又は低級アルコキシによってモノ又はポリ置
換されていてもよく、但しキラル性の中心がアルキル鎖
中では第一又は第二Ｃ原子上に位置し、シクロアルキル
残基の場合には環中の炭素原子の上に位置するものと
し、又はn が０を表す場合、Ｒ2 も基：
【化９】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す〕。
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す〕。
【００３３】式Ｉの好ましい化合物は、Ｒ2 がキラル又
はアキラルアルキル又はシクロアルキルを表し、その場
合、互いに独立に一つ又は二つの隣り合っていない−Ｃ
Ｈ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−によっ
て置き換えられていてもよく、脂肪族残基では−Ｃ≡Ｃ
−によっても置き換えられていてもよく、また、Ｆ、Ｃ
ｌ、ＣＮ、低級アルキル又は低級アルコキシによってモ
ノ又はポリ置換されていてもよく、但しキラル性の中心
がアルキル鎖中では第一又は第二Ｃ原子上に位置し、シ
クロアルキル残基の場合には環中の炭素原子の上に位置
するものとし、又はn が０を表す場合、Ｒ2 も基：
はアキラルアルキル又はシクロアルキルを表し、その場
合、互いに独立に一つ又は二つの隣り合っていない−Ｃ
Ｈ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−によっ
て置き換えられていてもよく、脂肪族残基では−Ｃ≡Ｃ
−によっても置き換えられていてもよく、また、Ｆ、Ｃ
ｌ、ＣＮ、低級アルキル又は低級アルコキシによってモ
ノ又はポリ置換されていてもよく、但しキラル性の中心
がアルキル鎖中では第一又は第二Ｃ原子上に位置し、シ
クロアルキル残基の場合には環中の炭素原子の上に位置
するものとし、又はn が０を表す場合、Ｒ2 も基：
【化１０】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に、
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す化合物であ
る。
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に、
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す化合物であ
る。
【００３４】上記式Ｉの化合物では、残基Ｒ1 とＲ4 、
及び（又は）(n＝１の場合）Ｒ2 とＲ3 、又はＲ2 とＲ
4 とはもし望むならば交換することができる。
及び（又は）(n＝１の場合）Ｒ2 とＲ3 、又はＲ2 とＲ
4 とはもし望むならば交換することができる。
【００３５】用語「キラル又はアキラルアルキル又はシ
クロアルキルで、その場合、互いに独立に、一つ以上の
隣り合っていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、
又は−ＨＣ＝ＣＨ−によって置き換えられていてもよ
く、脂肪族残基では−Ｃ≡Ｃ−、又は１，４−フェニレ
ンによって置換されていてもよく、また、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
Ｎ、低級アルキル又は低級アルコキシによってモノ又は
ポリ置換されていてもよい」とは、本出願の範囲内で、
１〜16、好ましくは４〜12個の炭素原子を有する直鎖又
は分岐鎖残基、例えば、アルキル、アルコキシ、アルコ
キシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケ
ニルオキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキ
シカルボニルアルコキシ、アルカノイルオキシ、１−ハ
ロアルキル、２−ハロアルキル、２−ハロアルコキシ、
２−ハロアルコキシカルボニル、１−シアノアルキル、
２−シアノアルキル、２−シアノアルコキシ、２−シア
ノアルコキシカルボニル、１−メチルアルキル、２−メ
チルアルキル、２−メチルアルコキシ、２−メチルアル
コキシカルボニル、１−メトキシアルキル、２−メトキ
シアルキル、２−メトキシアルコキシ、２−メトキシア
ルコキシカルボニル、８−アクリロイルオキシオクタノ
キシ、９−アクリロイルオキシノナノキシ、10−アクリ
ロイルオキシデカノキシ、11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ、12−アクリロイルオキシドデカノキシ、８
−メタアクリロイルオキシオクタノキシ、９−メタアク
リロイルオキシノナノキシ、10−メタアクリロイルオキ
シデカノキシ、11−メタアクリロイルオキシウンデカノ
キシ、12−メタアクリロイルオキシドデカノキシ、８−
（２−クロロアクリロイルオキシ）オクタノキシ、９−
（２−クロロアクリロイルオキシ）ノナノキシ、10−
（２−クロロアクリロイルオキシ）デカノキシ、11−
（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカノキシ、12
−（２−クロロアクリロイルオキシ）ドデカノキシ、８
−ビニルオキシオクタノキシ、９−ビニルオキシノナノ
キシ、10−ビニルオキシデカノキシ、11−ビニルオキシ
ウンデカノキシ、12−ビニルオキシドデカノキシ、８−
ビニルオキシカルボニルオクタノキシ、９−ビニルオキ
シカルボニルノナノキシ、10−ビニルオキシカルボニル
デカノキシ、11−ビニルオキシカルボニルウンデカノキ
シ、12−ビニルオキシカルボニルドデカノキシ、８−
（４−スチリル）オキシオクタノキシ、９−（４−スチ
リル）オキシノナノキシ、10−（４−スチリル）オキシ
デカノキシ、11−（４−スチリル）オキシウンデカノキ
シ、12−（４−スチリル）オキシドデカノキシ、８−
（４−スチリル）メチレンオキシオクタノキシ、９−
（４−スチリル）メチレンオキシノナノキシ、10−（４
−スチリル）メチレンオキシデカノキシ、11−（４−ス
チリル）メチレンオキシウンデカノキシ、12−（４−ス
チリル）メチレンオキシドデカノキシ、７−オクテニル
オキシ、８−ノネニルオキシ、９−デセニルオキシ、10
−ウンデセニルオキシ、11−ドデセニルオキシ等、及び
４〜７−員環飽和、任意にキラル環、例えば、シクロペ
ンチル、シクロヘキシル、２−オキシラニル、２−テト
ラヒドロプラン、２−テトラヒドロピラニル、２−メチ
ルシクロヘキシル、２−メチルシクロペンチル等が含ま
れる。
クロアルキルで、その場合、互いに独立に、一つ以上の
隣り合っていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、
又は−ＨＣ＝ＣＨ−によって置き換えられていてもよ
く、脂肪族残基では−Ｃ≡Ｃ−、又は１，４−フェニレ
ンによって置換されていてもよく、また、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ
Ｎ、低級アルキル又は低級アルコキシによってモノ又は
ポリ置換されていてもよい」とは、本出願の範囲内で、
１〜16、好ましくは４〜12個の炭素原子を有する直鎖又
は分岐鎖残基、例えば、アルキル、アルコキシ、アルコ
キシアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケ
ニルオキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキ
シカルボニルアルコキシ、アルカノイルオキシ、１−ハ
ロアルキル、２−ハロアルキル、２−ハロアルコキシ、
２−ハロアルコキシカルボニル、１−シアノアルキル、
２−シアノアルキル、２−シアノアルコキシ、２−シア
ノアルコキシカルボニル、１−メチルアルキル、２−メ
チルアルキル、２−メチルアルコキシ、２−メチルアル
コキシカルボニル、１−メトキシアルキル、２−メトキ
シアルキル、２−メトキシアルコキシ、２−メトキシア
ルコキシカルボニル、８−アクリロイルオキシオクタノ
キシ、９−アクリロイルオキシノナノキシ、10−アクリ
ロイルオキシデカノキシ、11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ、12−アクリロイルオキシドデカノキシ、８
−メタアクリロイルオキシオクタノキシ、９−メタアク
リロイルオキシノナノキシ、10−メタアクリロイルオキ
シデカノキシ、11−メタアクリロイルオキシウンデカノ
キシ、12−メタアクリロイルオキシドデカノキシ、８−
（２−クロロアクリロイルオキシ）オクタノキシ、９−
（２−クロロアクリロイルオキシ）ノナノキシ、10−
（２−クロロアクリロイルオキシ）デカノキシ、11−
（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカノキシ、12
−（２−クロロアクリロイルオキシ）ドデカノキシ、８
−ビニルオキシオクタノキシ、９−ビニルオキシノナノ
キシ、10−ビニルオキシデカノキシ、11−ビニルオキシ
ウンデカノキシ、12−ビニルオキシドデカノキシ、８−
ビニルオキシカルボニルオクタノキシ、９−ビニルオキ
シカルボニルノナノキシ、10−ビニルオキシカルボニル
デカノキシ、11−ビニルオキシカルボニルウンデカノキ
シ、12−ビニルオキシカルボニルドデカノキシ、８−
（４−スチリル）オキシオクタノキシ、９−（４−スチ
リル）オキシノナノキシ、10−（４−スチリル）オキシ
デカノキシ、11−（４−スチリル）オキシウンデカノキ
シ、12−（４−スチリル）オキシドデカノキシ、８−
（４−スチリル）メチレンオキシオクタノキシ、９−
（４−スチリル）メチレンオキシノナノキシ、10−（４
−スチリル）メチレンオキシデカノキシ、11−（４−ス
チリル）メチレンオキシウンデカノキシ、12−（４−ス
チリル）メチレンオキシドデカノキシ、７−オクテニル
オキシ、８−ノネニルオキシ、９−デセニルオキシ、10
−ウンデセニルオキシ、11−ドデセニルオキシ等、及び
４〜７−員環飽和、任意にキラル環、例えば、シクロペ
ンチル、シクロヘキシル、２−オキシラニル、２−テト
ラヒドロプラン、２−テトラヒドロピラニル、２−メチ
ルシクロヘキシル、２−メチルシクロペンチル等が含ま
れる。
【００３６】用語「低級アルキル」及び「低級アルコキ
シ」とは、本発明の範囲内で、夫々１〜４個の炭素原子
を有する直鎖アルキル及びアルコキシ基、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、
プロピルオキシ、又はブチルオキシを表し、特にメチ
ル、エチル、メトキシ、又はエトキシを表す。
シ」とは、本発明の範囲内で、夫々１〜４個の炭素原子
を有する直鎖アルキル及びアルコキシ基、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、メトキシ、エトキシ、
プロピルオキシ、又はブチルオキシを表し、特にメチ
ル、エチル、メトキシ、又はエトキシを表す。
【００３７】用語「非置換、又はＦ、Ｃｌ、低級アルキ
ル及び（又は）低級アルコキシにより置換されている
１，４−フェニレンで、一つ又は二つのＣＨ基が窒素に
より任意に置き換えられていてもよい１，４−フェニレ
ン」とは、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４
−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレ
ン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２−メチル−
１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピラ
ジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、
ピリダジン−３，６−ジイル等の如き基が含まれる。好
ましい基は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，
４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニ
レン、ピリジン−２，５−ジイル、ピラジン−２，５−
ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル等である。
ル及び（又は）低級アルコキシにより置換されている
１，４−フェニレンで、一つ又は二つのＣＨ基が窒素に
より任意に置き換えられていてもよい１，４−フェニレ
ン」とは、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４
−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレ
ン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２−メチル−
１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピラ
ジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、
ピリダジン−３，６−ジイル等の如き基が含まれる。好
ましい基は、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，
４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニ
レン、ピリジン−２，５−ジイル、ピラジン−２，５−
ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル等である。
【００３８】用語「一つ又は二つの隣り合っていない−
ＣＨ2-がＯ又はＳによって置き換えられていてもよく、
又は−ＣＨ2 ＣＨ2-基が−ＣＨ＝ＣＨ−により置き換え
られていてもよい１，４−シクロヘキシレン」とは、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサ
ン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−ジイ
ル等を含む。
ＣＨ2-がＯ又はＳによって置き換えられていてもよく、
又は−ＣＨ2 ＣＨ2-基が−ＣＨ＝ＣＨ−により置き換え
られていてもよい１，４−シクロヘキシレン」とは、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサ
ン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−ジイ
ル等を含む。
【００３９】用語「テトラリン−２，６−ジイル」と
は、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６
−ジイルを表す。用語「トランス−デカリン−２，６−
ジイル」とは、トランス−デカヒドロナフタレンから誘
導された２，６−二置換基、特に（4aαＨ，8aβＨ）−
デカヒドロナフタレン−２α，６β−ジイル等を含む。
は、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６
−ジイルを表す。用語「トランス−デカリン−２，６−
ジイル」とは、トランス−デカヒドロナフタレンから誘
導された２，６−二置換基、特に（4aαＨ，8aβＨ）−
デカヒドロナフタレン−２α，６β−ジイル等を含む。
【００４０】本発明により与えられる非線形光学的化合
物は、全て既知の液晶構造単位と組合されて前に述べた
優れた性質をこの種の化合物に与える多置換p-ニトロア
ニリノ基を有する。適当な置換模様を有するp-ニトロア
ニリンは、市販されており、それ自体既知の方法で製造
することができる。これらの製造方法は、次の方式１及
び２、及び実施例１〜５に記載されている。
物は、全て既知の液晶構造単位と組合されて前に述べた
優れた性質をこの種の化合物に与える多置換p-ニトロア
ニリノ基を有する。適当な置換模様を有するp-ニトロア
ニリンは、市販されており、それ自体既知の方法で製造
することができる。これらの製造方法は、次の方式１及
び２、及び実施例１〜５に記載されている。
【００４１】方式１
【化１１】 ＤＣＣ＝Ｎ, Ｎ′−ジシクロカルボジイミド ＤＭＡＰ＝４−（ジメチルアミノ）ピリジン
【００４２】方式２
【化１２】
【００４３】これらの方式で、個々の置換基は前に述べ
た意味を有する。
た意味を有する。
【００４４】式Ｉは、それ自身Ｓ＊c 相を形成し、従っ
て、χ(2) 活性導波材料としてそのまま用いることがで
きる分子を含む。
て、χ(2) 活性導波材料としてそのまま用いることがで
きる分子を含む。
【００４５】第二群はそれ自身ではＳ＊c 相を形成しな
いが、キラルドープ剤として、適当なＳｃマトリックス
混合物中にＳ＊c 相を誘発する分子によって形成され
る。
いが、キラルドープ剤として、適当なＳｃマトリックス
混合物中にＳ＊c 相を誘発する分子によって形成され
る。
【００４６】式Ｉの化合物は、強誘電体相を有するＬＣ
側鎖重合体を形成するための単量体として用いることが
できる。この目的から、次の一般式の化合物を用いるの
が好ましい：
側鎖重合体を形成するための単量体として用いることが
できる。この目的から、次の一般式の化合物を用いるの
が好ましい：
【化１３】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、Ｒ5 はキラル又はアキラルアルキル
を表し、その場合、互いに独立に、一つ以上の−ＣＨ2-
基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、
又は１，４−フェニレンによって置き換えられていても
よく、また、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル及び低級ア
ルコキシによってモノ又はポリ置換されていてもよ
い）。
述べた意味を有し、Ｒ5 はキラル又はアキラルアルキル
を表し、その場合、互いに独立に、一つ以上の−ＣＨ2-
基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、
又は１，４−フェニレンによって置き換えられていても
よく、また、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル及び低級ア
ルコキシによってモノ又はポリ置換されていてもよ
い）。
【００４７】重合体χ(2) 活性材料を形成するのに特に
好ましい化合物は、式Ｉａで、Ｒ5 が末端位置に、例え
ば、次の重合可能な基の一つを有する化合物である：
好ましい化合物は、式Ｉａで、Ｒ5 が末端位置に、例え
ば、次の重合可能な基の一つを有する化合物である：
【式１４】
【００４８】従って、例えば、アクリル酸誘導体、スチ
リル誘導体等を重合することにより、又はアルケンとポ
リ（メチル水素シロキサン）との重合体状反応により製
造することができるＬＣ側鎖重合体も本発明の目的を形
成する。
リル誘導体等を重合することにより、又はアルケンとポ
リ（メチル水素シロキサン）との重合体状反応により製
造することができるＬＣ側鎖重合体も本発明の目的を形
成する。
【００４９】驚いたことに、これらnlo 活性強誘電体液
晶物質及びそれら物質の混合物の中で、低い温度でガラ
ス状態へ変化し、その方法で高い温度でＳ＊c 相で誘発
された双極子配列で固定される例が見出された。明らか
にこれらの低分子量nlo 活性強誘電体液晶ガラスの形
は、特に工業的用途にとって魅力のあるものである。な
ぜなら、nlo 特性がその材料の配向固定後でも維持され
るからである。
晶物質及びそれら物質の混合物の中で、低い温度でガラ
ス状態へ変化し、その方法で高い温度でＳ＊c 相で誘発
された双極子配列で固定される例が見出された。明らか
にこれらの低分子量nlo 活性強誘電体液晶ガラスの形
は、特に工業的用途にとって魅力のあるものである。な
ぜなら、nlo 特性がその材料の配向固定後でも維持され
るからである。
【００５０】式Ｉ、特に式Ｉａの化合物から製造された
ＬＣ側鎖重合体は、一般にそれら単量体に対応する性質
を有する。即ち、それらは強誘電体Ｓｃ＊相及び非線形
光学的性質を有する。
ＬＣ側鎖重合体は、一般にそれら単量体に対応する性質
を有する。即ち、それらは強誘電体Ｓｃ＊相及び非線形
光学的性質を有する。
【００５１】提案された物質及び重合体の別の用途は、
表面安定化された強誘電体（ＳＳＦ）構造形態の二安定
性を利用することによる。既に知られているように、充
分に大きな螺旋ピッチを有する強誘電体液晶は、適当に
製造されたセル中で二つの安定なスイッチング状態をと
る。必要な大きな螺旋ピッチは、強誘電体液晶混合物中
の補償により実現することができる。この場合、周波数
変換の効率的発生に有利な双極子次元の均一な配向を、
短い電気パルスの作用により利用することができる。反
対極性の電気パルスは、膜を位相整合していない配向へ
反転させる。
表面安定化された強誘電体（ＳＳＦ）構造形態の二安定
性を利用することによる。既に知られているように、充
分に大きな螺旋ピッチを有する強誘電体液晶は、適当に
製造されたセル中で二つの安定なスイッチング状態をと
る。必要な大きな螺旋ピッチは、強誘電体液晶混合物中
の補償により実現することができる。この場合、周波数
変換の効率的発生に有利な双極子次元の均一な配向を、
短い電気パルスの作用により利用することができる。反
対極性の電気パルスは、膜を位相整合していない配向へ
反転させる。
【００５２】最近発見された表面二安定強誘電体（ＳＢ
Ｆ）構造形態を同じように利用することができる。但し
この場合には小さな螺旋ピッチが必要になる。この条件
は前述のnlo 物質の多くにより満足される。
Ｆ）構造形態を同じように利用することができる。但し
この場合には小さな螺旋ピッチが必要になる。この条件
は前述のnlo 物質の多くにより満足される。
【００５３】非二安定形状、例えば「変形螺旋強誘電
体」（ＤＨＦ）型〔ベレスネフ(Beresnev)L.A.その他、
Liquid Crystals 5, 1171 (1989)参照〕のものも、本発
明によりχ(2) 活性層として利用することができると考
えられる。この場合には、比較的低い電圧を適用するこ
とにより、その材料に双極子配向を与えることができ、
それによってχ(2) 活性にすることができる。この配向
は電場が適用されている間だけ維持されている。電圧を
切ると、その層はχ(2) 不活性状態に緩和する。
体」（ＤＨＦ）型〔ベレスネフ(Beresnev)L.A.その他、
Liquid Crystals 5, 1171 (1989)参照〕のものも、本発
明によりχ(2) 活性層として利用することができると考
えられる。この場合には、比較的低い電圧を適用するこ
とにより、その材料に双極子配向を与えることができ、
それによってχ(2) 活性にすることができる。この配向
は電場が適用されている間だけ維持されている。電圧を
切ると、その層はχ(2) 不活性状態に緩和する。
【００５４】Ｓ＊c 相に可能な前に述べた用途は、高次
配向強誘電体相（Ｉ＊、Ｆ＊、Ｇ＊、Ｈ＊、Ｊ＊、Ｋ
＊）にも適用できることは当業者に明らかであろう。
配向強誘電体相（Ｉ＊、Ｆ＊、Ｇ＊、Ｈ＊、Ｊ＊、Ｋ
＊）にも適用できることは当業者に明らかであろう。
【００５５】本発明による光学的素子の態様を、図面を
参照して次に記載する。
参照して次に記載する。
【００５６】図１には、液晶セルの構造を有し、透明電
極２、６が被覆された２枚のガラス板１、７を有する光
学的非線形導波素子が示されている。低屈折率を有する
重合体表面処理被覆層３、５が電極層の上に付着されて
いる。強誘電体液晶４が二つのそのように被覆された板
の間に配置されている。液晶の厚さは隔離部材（図示さ
れていない）により固定されている。被覆層は液晶層を
均一に配向し、液晶中に光学的波を導くにも用いられ
る。光を液晶層４中に導入するための光学的格子８及び
光を導出するための光学的格子９が被覆層３中に刻み込
まれている。
極２、６が被覆された２枚のガラス板１、７を有する光
学的非線形導波素子が示されている。低屈折率を有する
重合体表面処理被覆層３、５が電極層の上に付着されて
いる。強誘電体液晶４が二つのそのように被覆された板
の間に配置されている。液晶の厚さは隔離部材（図示さ
れていない）により固定されている。被覆層は液晶層を
均一に配向し、液晶中に光学的波を導くにも用いられ
る。光を液晶層４中に導入するための光学的格子８及び
光を導出するための光学的格子９が被覆層３中に刻み込
まれている。
【００５７】製造中、被覆した板の間の空間には、強誘
電体液晶混合物が充填され、電場内で均一に配向され
る。強誘電体相中で、d.c.電場が適用されると、強誘電
体液晶分子の横双極子を板の面に直角に配列する。d.c.
電場を印加したまま混合物をガラス温度より低く冷却す
ると、双極子配向した層がガラス状態に凍結される。
電体液晶混合物が充填され、電場内で均一に配向され
る。強誘電体相中で、d.c.電場が適用されると、強誘電
体液晶分子の横双極子を板の面に直角に配列する。d.c.
電場を印加したまま混合物をガラス温度より低く冷却す
ると、双極子配向した層がガラス状態に凍結される。
【００５８】赤又はＩＲで発光するレーザーダイオード
からの光を、被覆層中に刻み込んだ格子の一つによって
導波素子内に導入すると、その光はＴＥ特性モードの異
常光として伝播する。もし層の厚さ及び伝播方向が配向
子(direceor)の方向に対し正しく選択されているなら
ば、ＴＥモードの有効伝播定数β（ω）を、非線形係数
ｄ21により発生する第二高調波が位相整合した層を通っ
て移動し、ＴＭ状波の形になるような値に調節すること
ができる。セルの終端では、基本波と周波数が２倍にな
った波とが、被覆層中に刻み込まれた第二の光学的格子
を通って導出される。
からの光を、被覆層中に刻み込んだ格子の一つによって
導波素子内に導入すると、その光はＴＥ特性モードの異
常光として伝播する。もし層の厚さ及び伝播方向が配向
子(direceor)の方向に対し正しく選択されているなら
ば、ＴＥモードの有効伝播定数β（ω）を、非線形係数
ｄ21により発生する第二高調波が位相整合した層を通っ
て移動し、ＴＭ状波の形になるような値に調節すること
ができる。セルの終端では、基本波と周波数が２倍にな
った波とが、被覆層中に刻み込まれた第二の光学的格子
を通って導出される。
【００５９】ここに記載したような格子による導入とは
別の方法として、文献から知られているようなプリズム
面接合方法を用いることもできる。
別の方法として、文献から知られているようなプリズム
面接合方法を用いることもできる。
【００６０】図２は周期的に分極した構造を持つ液晶層
を有する光学的導波素子が示されている。図１に示した
ように、それは透明電極２、６が被覆された２枚のガラ
ス板１、７を有する。しかし、電極は、液晶層の空間的
に交互になった極性化に用いられる格子構造を有する。
低屈折率の重合体表面処理被覆層３、５が、電極層の上
に配置されている。強誘電体液晶４がそれら被覆された
板の間に配置されている。液晶層４に光を出し入れする
ための光学的格子８、９が被覆層３中に刻み込まれてい
る。
を有する光学的導波素子が示されている。図１に示した
ように、それは透明電極２、６が被覆された２枚のガラ
ス板１、７を有する。しかし、電極は、液晶層の空間的
に交互になった極性化に用いられる格子構造を有する。
低屈折率の重合体表面処理被覆層３、５が、電極層の上
に配置されている。強誘電体液晶４がそれら被覆された
板の間に配置されている。液晶層４に光を出し入れする
ための光学的格子８、９が被覆層３中に刻み込まれてい
る。
【００６１】期間は、２lc＝２π／Δβの長さを有す
る。ここでΔβ＝β（２ω）−２β（ω）で、ωは基本
波の角周波数を表し、βは伝播定数である。
る。ここでΔβ＝β（２ω）−２β（ω）で、ωは基本
波の角周波数を表し、βは伝播定数である。
【００６２】この擬位相整合法により、最大nlo 係数ｄ
22を用いることができる。光は図１に関して記述した方
法により導入される。
22を用いることができる。光は図１に関して記述した方
法により導入される。
【００６３】本発明を次の実施例により一層詳細に例示
する。各々の場合において、キラル化合物の光学的に正
反対のものは、同じ相転移温度及び同じ絶対的捩れ値を
持つが、反対の符号を有する。
する。各々の場合において、キラル化合物の光学的に正
反対のものは、同じ相転移温度及び同じ絶対的捩れ値を
持つが、反対の符号を有する。
【００６４】相転移を特徴付けるのに用いられる省略記
号は、次の意味を有する： Ｃは結晶を表す； Ｓはスメクチックを表す； ＳA 、ＳB 、ＳC 等はスメクチックＡ、Ｂ、Ｃ、等を表
す； Ｓ＊c 、Ｓ＊ｆ、等はキラルスメクチックＣ、Ｆ等を表
す； Ｎはネマチックを表す； Ｃh はコレステリックを表す； Ｉは等方性を表す。
号は、次の意味を有する： Ｃは結晶を表す； Ｓはスメクチックを表す； ＳA 、ＳB 、ＳC 等はスメクチックＡ、Ｂ、Ｃ、等を表
す； Ｓ＊c 、Ｓ＊ｆ、等はキラルスメクチックＣ、Ｆ等を表
す； Ｎはネマチックを表す； Ｃh はコレステリックを表す； Ｉは等方性を表す。
【００６５】実施例１ 0.06g の５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−
オクチルオキシ］安息香酸、0.1gの４−（５−ヘプチル
−２−ピリミジニル）フェノール、及び0.04gの４−
（ジメチルアミノ）ピリジンを10mlのジクロロメタン中
に溶解し、その溶液を0.07g のＮ, Ｎ′−ジシクロヘキ
シルカルボジイミドで、撹拌しながら10分間で少しずつ
処理した。混合物を室温で40時間撹拌し、濾過し、濃縮
した。シリカゲル上の残留物の酢酸エチル−ジクロロメ
タン（体積１：８）によるクロマトグラフ及びジエチル
エーテル／ヘキサン（体積１：１）による再結晶によ
り、融点105 ℃の５−アミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸４−（５−ヘ
プチル−２−ピリミジニル）フェニル0.09g が得られ
た。
オクチルオキシ］安息香酸、0.1gの４−（５−ヘプチル
−２−ピリミジニル）フェノール、及び0.04gの４−
（ジメチルアミノ）ピリジンを10mlのジクロロメタン中
に溶解し、その溶液を0.07g のＮ, Ｎ′−ジシクロヘキ
シルカルボジイミドで、撹拌しながら10分間で少しずつ
処理した。混合物を室温で40時間撹拌し、濾過し、濃縮
した。シリカゲル上の残留物の酢酸エチル−ジクロロメ
タン（体積１：８）によるクロマトグラフ及びジエチル
エーテル／ヘキサン（体積１：１）による再結晶によ
り、融点105 ℃の５−アミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸４−（５−ヘ
プチル−２−ピリミジニル）フェニル0.09g が得られ
た。
【００６６】出発材料として用いられた５−アミノ−２
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸は、次のようにして調製された： a) 10g の４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸及び37
0 mlのエチルアルコールの溶液を調製し、次に塩化水素
ガスを５時間導入した。反応混合物を1300mlの氷水に注
ぎ、分離した固体を濾過し、50％のエチルアルコールで
洗浄し、乾燥した。これにより8.5gの融点68.5〜69.5℃
の４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸エチルが黄色の
結晶として得られた。
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸は、次のようにして調製された： a) 10g の４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸及び37
0 mlのエチルアルコールの溶液を調製し、次に塩化水素
ガスを５時間導入した。反応混合物を1300mlの氷水に注
ぎ、分離した固体を濾過し、50％のエチルアルコールで
洗浄し、乾燥した。これにより8.5gの融点68.5〜69.5℃
の４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸エチルが黄色の
結晶として得られた。
【００６７】b) ４g の４−ヒドロキシ−３−ニトロ安
息香酸エチル、5.4gのベンゼンスルホン酸（Ｓ）−２−
オクチル、6.9gの炭酸カリウム、及び110 mlのエチルメ
チルケトンを加熱して一晩還流した。次に冷却した反応
混合物を水中に注ぎ、50mlのジエチルエーテルを１回毎
に用いて３回抽出した。一緒にした有機相を500 mlの水
で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮し
た。シリカゲル上の残留物のジクロロメタンによるクロ
マトグラフにより、5.6gの３−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが黄色の油として
得られた。
息香酸エチル、5.4gのベンゼンスルホン酸（Ｓ）−２−
オクチル、6.9gの炭酸カリウム、及び110 mlのエチルメ
チルケトンを加熱して一晩還流した。次に冷却した反応
混合物を水中に注ぎ、50mlのジエチルエーテルを１回毎
に用いて３回抽出した。一緒にした有機相を500 mlの水
で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮し
た。シリカゲル上の残留物のジクロロメタンによるクロ
マトグラフにより、5.6gの３−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが黄色の油として
得られた。
【００６８】c) 1.7gの３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］安息香酸エチル及び50mlのエチルア
ルコールの混合物を0.1gの酸化白金（II）上で水素の吸
収が終わるまで水素化した。触媒を濾過して除去し、濾
液を濃縮した。シリカゲル上の残留物のジクロロメタン
によるクロマトグラフにより、1.5gの３−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが無色
の油として得られた。
−オクチルオキシ］安息香酸エチル及び50mlのエチルア
ルコールの混合物を0.1gの酸化白金（II）上で水素の吸
収が終わるまで水素化した。触媒を濾過して除去し、濾
液を濃縮した。シリカゲル上の残留物のジクロロメタン
によるクロマトグラフにより、1.5gの３−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが無色
の油として得られた。
【００６９】d) 0.5gの３−アミノ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］安息香酸エチル、3.4 mlのメタノー
ル、1.7 mlの水、及び0.4gの水酸化カリウムの溶液を加
熱して４時間還流した。次にメタノールの殆どを蒸留除
去し、反応混合物を最初に50mlの水で処理し、次に濃硫
酸で僅かに酸性にした。分離した固体を濾過し、乾燥し
た。これにより0.44g の［α］20 D ＝−29.3°である３
−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸が得られた。
−オクチルオキシ］安息香酸エチル、3.4 mlのメタノー
ル、1.7 mlの水、及び0.4gの水酸化カリウムの溶液を加
熱して４時間還流した。次にメタノールの殆どを蒸留除
去し、反応混合物を最初に50mlの水で処理し、次に濃硫
酸で僅かに酸性にした。分離した固体を濾過し、乾燥し
た。これにより0.44g の［α］20 D ＝−29.3°である３
−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸が得られた。
【００７０】e) １g の３−アミノ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］安息香酸及び12mlの無水酢酸の溶液
を90℃に１時間加熱し、次に100 mlの水で処理した。形
成された固体を冷却した反応混合物から分離し、乾燥し
た。これにより0.9gの３−アセチルアミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸を得た。
−オクチルオキシ］安息香酸及び12mlの無水酢酸の溶液
を90℃に１時間加熱し、次に100 mlの水で処理した。形
成された固体を冷却した反応混合物から分離し、乾燥し
た。これにより0.9gの３−アセチルアミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸を得た。
【００７１】f) 0.4 mlの硝酸及び0.3 mlの酢酸の溶液
を0.1gの３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸で少しずつ０℃で処理し、この温
度で10分間撹拌し、次に20℃で10分間撹拌し、次に６g
の氷水に注いだ。分離した固体を濾過し、次に濃炭酸カ
リウム溶液中に溶解した。50mlの酢酸エチルを１回毎に
用いて溶液を２回抽出した。一緒にした有機相を50mlの
水を１回毎に用いて２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥
し、濾過し、濃縮した。これにより５−アセチルアミノ
−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安
息香酸が得られ、それを更に精製することなく次の工程
で用いた。
を0.1gの３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸で少しずつ０℃で処理し、この温
度で10分間撹拌し、次に20℃で10分間撹拌し、次に６g
の氷水に注いだ。分離した固体を濾過し、次に濃炭酸カ
リウム溶液中に溶解した。50mlの酢酸エチルを１回毎に
用いて溶液を２回抽出した。一緒にした有機相を50mlの
水を１回毎に用いて２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥
し、濾過し、濃縮した。これにより５−アセチルアミノ
−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安
息香酸が得られ、それを更に精製することなく次の工程
で用いた。
【００７２】同様なやり方で次の化合物を製造すること
ができる： ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−（ノニルオキシ）−４′−ビフェ
ニリル、m.p.（Ｃ−Ｉ）140 〜142 ℃； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸p-（トランス−５−デシル−ｍ−ジオ
キサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸p-（トランス−５−［（Ｅ）−１−ヘ
プテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）フェニル； ５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロ安息香酸p-
（トランス−５−［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジ
オキサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−２−ニトロ安息香酸p-（トランス−５−［（Ｅ）−１
−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イル）フェニ
ル； ５−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−２−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプテニル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン
−２−イル］フェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−（p-オクチルフェニル）−２−ピ
ラジニル； ５−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−２−ニトロ安息香酸５−［p-（トランス−４−ペナチ
ルシクロヘキシル）フェニル］−２−ピラジニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−［２−（p-オクチルフェニル）エ
チニル］フェニル； ５−アミノ−４−［５−ヘキセノキシ−（Ｒ）−プロピ
オニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸４−［２−
（p-オクチルフェニル）エチニル］フェニル； ５−アミノ−４−［７−オクテノキシ−（Ｒ）−プロピ
オニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸４′−（７
−オクテノキシ）−４−ビフェニル； ５−アミノ−４−［オクト−７−エノキシ−（Ｒ）−プ
ロピオニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-［３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキ
シ］フェニル； ５−アミノ−４−［オクト−３−エノキシ−（Ｒ）−プ
ロピオニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-［３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキ
シ］フェニル。
ができる： ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−（ノニルオキシ）−４′−ビフェ
ニリル、m.p.（Ｃ−Ｉ）140 〜142 ℃； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸p-（トランス−５−デシル−ｍ−ジオ
キサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸p-（トランス−５−［（Ｅ）−１−ヘ
プテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）フェニル； ５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロ安息香酸p-
（トランス−５−［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジ
オキサン−２−イル）フェニル； ５−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−２−ニトロ安息香酸p-（トランス−５−［（Ｅ）−１
−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イル）フェニ
ル； ５−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−２−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプテニル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン
−２−イル］フェニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−（p-オクチルフェニル）−２−ピ
ラジニル； ５−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−２−ニトロ安息香酸５−［p-（トランス−４−ペナチ
ルシクロヘキシル）フェニル］−２−ピラジニル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−［２−（p-オクチルフェニル）エ
チニル］フェニル； ５−アミノ−４−［５−ヘキセノキシ−（Ｒ）−プロピ
オニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸４−［２−
（p-オクチルフェニル）エチニル］フェニル； ５−アミノ−４−［７−オクテノキシ−（Ｒ）−プロピ
オニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸４′−（７
−オクテノキシ）−４−ビフェニル； ５−アミノ−４−［オクト−７−エノキシ−（Ｒ）−プ
ロピオニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-［３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキ
シ］フェニル； ５−アミノ−４−［オクト−３−エノキシ−（Ｒ）−プ
ロピオニル−２−オキシ］−２−ニトロ安息香酸p-［３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキ
シ］フェニル。
【００７３】実施例２ 実施例１と同様なやり方で、５−ジメチルアミノ−２−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
４−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェノール、
Ｎ, Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、４−（ジ
メチルアミノ）ピリジン、及びジクロロメタンの混合物
を反応させた。これにより５−ジメチルアミノ−２−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸４
−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニルが融点
60〜62℃及び［α］20 D ＝＋３°の黄色の結晶として得
られた。
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
４−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェノール、
Ｎ, Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、４−（ジ
メチルアミノ）ピリジン、及びジクロロメタンの混合物
を反応させた。これにより５−ジメチルアミノ−２−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸４
−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニルが融点
60〜62℃及び［α］20 D ＝＋３°の黄色の結晶として得
られた。
【００７４】出発材料として用いられた５−ジメチルア
ミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸は、次のようにして調製された： a) ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸４−（５−ヘプチル−２−ピリミ
ジニル）フェニルの合成と同様にして５−アミノ−２−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
のエステル化が行われた。これにより５−アミノ−２−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
エチルが得られた。
ミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸は、次のようにして調製された： a) ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸４−（５−ヘプチル−２−ピリミ
ジニル）フェニルの合成と同様にして５−アミノ−２−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
のエステル化が行われた。これにより５−アミノ−２−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
エチルが得られた。
【００７５】b) 0.05g の５−アミノ−２−ニトロ−４
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチル、0.
13g の炭酸水素ナトリウム、2.5 mlのエチルアルコー
ル、及び0.5 mlの沃化メチルの混合物を加熱して72時間
還流した。反応混合物を濾過し、次に濃縮した。シリカ
ゲル上の残留物のジクロロメタンによるクロマトグラフ
により、５−ジメチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが得ら
れ、それを更に精製することなく次の工程で用いた。
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチル、0.
13g の炭酸水素ナトリウム、2.5 mlのエチルアルコー
ル、及び0.5 mlの沃化メチルの混合物を加熱して72時間
還流した。反応混合物を濾過し、次に濃縮した。シリカ
ゲル上の残留物のジクロロメタンによるクロマトグラフ
により、５−ジメチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルが得ら
れ、それを更に精製することなく次の工程で用いた。
【００７６】c) ５−ジメチルアミノ−２−ニトロ−４
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルのケ
ン化を、３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。これ
により５−ジメチルアミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルのケ
ン化を、３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。これ
により５−ジメチルアミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
【００７７】同様なやり方で次の化合物を製造すること
ができる： ４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５
−ジメチルアミノ−２−ニトロ安息香酸４′−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−
４−ビフェニル； ５−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキ
サノイルオキシ］−２−ニトロ安息香酸４′−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−
４−ビフェニル。
ができる： ４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５
−ジメチルアミノ−２−ニトロ安息香酸４′−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−
４−ビフェニル； ５−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキ
サノイルオキシ］−２−ニトロ安息香酸４′−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−
４−ビフェニル。
【００７８】実施例３ 実施例１と同様なやり方で、２−アミノ−５−ニトロ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸、４−
（６−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェノール、Ｎ,
Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、４−（ジメチ
ルアミノ）ピリジン、及びジクロロメタンを反応させ
た。これにより融点105 ℃及び［α］20 D ＝＋19°の２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］安息香酸４−（５−ヘプチル−２−ピリミジニ
ル）フェニルが得られた。
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸、４−
（６−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェノール、Ｎ,
Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド、４−（ジメチ
ルアミノ）ピリジン、及びジクロロメタンを反応させ
た。これにより融点105 ℃及び［α］20 D ＝＋19°の２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］安息香酸４−（５−ヘプチル−２−ピリミジニ
ル）フェニルが得られた。
【００７９】出発材料として用いられた２−アミノ−５
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸は、次のようにして調製された： a) 20g の４−トルイジン及び400gの濃硫酸（ｄ＝1.8
4）の溶液を、15g の硝酸（ｄ＝1.48）及び硫酸（ｄ＝
1.84）の溶液で０℃で滴下して処理した。反応温度は０
℃より低く維持された。転化が完了した後、反応混合物
を０℃で更に１時間撹拌し、次に反応温度が25℃より高
く上昇しないようなやり方で1200mlの氷水に注いだ。反
応混合物を更に4000mlの水で希釈し、次に炭酸ナトリウ
ム溶液で中和した。分離した固体を濾過し、水で少しず
つ洗浄し、乾燥し、次にエチルアルコールで再結晶し
た。これにより23g の黄色の結晶として４−メチル−３
−ニトロアニリンが得られた。
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸は、次のようにして調製された： a) 20g の４−トルイジン及び400gの濃硫酸（ｄ＝1.8
4）の溶液を、15g の硝酸（ｄ＝1.48）及び硫酸（ｄ＝
1.84）の溶液で０℃で滴下して処理した。反応温度は０
℃より低く維持された。転化が完了した後、反応混合物
を０℃で更に１時間撹拌し、次に反応温度が25℃より高
く上昇しないようなやり方で1200mlの氷水に注いだ。反
応混合物を更に4000mlの水で希釈し、次に炭酸ナトリウ
ム溶液で中和した。分離した固体を濾過し、水で少しず
つ洗浄し、乾燥し、次にエチルアルコールで再結晶し
た。これにより23g の黄色の結晶として４−メチル−３
−ニトロアニリンが得られた。
【００８０】b) 10g の４−メチル−３−ニトロアニリ
ン及び40mlの無水酢酸の溶液を加熱して15分間還流させ
た。冷却した反応混合物を200 mlを水で処理し、０℃に
冷却し、次に０℃で30分間撹拌した。分離した固体を濾
過し、乾燥した。これにより11g の４−アセチルアミノ
−２−ニトロトルエンが得られた。
ン及び40mlの無水酢酸の溶液を加熱して15分間還流させ
た。冷却した反応混合物を200 mlを水で処理し、０℃に
冷却し、次に０℃で30分間撹拌した。分離した固体を濾
過し、乾燥した。これにより11g の４−アセチルアミノ
−２−ニトロトルエンが得られた。
【００８１】c) 10g の４−アセチルアミノ−２−ニト
ロトルエン、８g の硫酸マグネシウム、及び500gの水の
懸濁物を加熱して還流させ、次に24g の過マンガン酸カ
リウム及び８g の硫酸マグネシウムで少しずつ20分以内
で処理した。反応混合物を加熱して1.5 時間還流させ、
次に熱いうちに濾過して抽出残留物を除去した。冷却し
た反応混合物を僅かに酸性にし、分離した固体を濾過
し、乾燥した。これにより5.6gの融点217 〜220 ℃の４
−アセチルアミノ−２−ニトロ安息香酸を得た。
ロトルエン、８g の硫酸マグネシウム、及び500gの水の
懸濁物を加熱して還流させ、次に24g の過マンガン酸カ
リウム及び８g の硫酸マグネシウムで少しずつ20分以内
で処理した。反応混合物を加熱して1.5 時間還流させ、
次に熱いうちに濾過して抽出残留物を除去した。冷却し
た反応混合物を僅かに酸性にし、分離した固体を濾過
し、乾燥した。これにより5.6gの融点217 〜220 ℃の４
−アセチルアミノ−２−ニトロ安息香酸を得た。
【００８２】d) ４−アセチルアミノ−２−ニトロ安息
香酸のケン化を、５−アミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより融点244 〜245 ℃の
４−アミノ−２−ニトロ安息香酸が得られた。
香酸のケン化を、５−アミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより融点244 〜245 ℃の
４−アミノ−２−ニトロ安息香酸が得られた。
【００８３】e) ３g の４−アミノ−２−ニトロ安息香
酸、５mlの水、及び3.6 mlの濃硫酸の温かい溶液を０℃
に冷却し、最初に8.5gの氷水で処理し、次に1.3gの硝酸
ナトリウム及び2.8 mlの水の溶液で０℃で10分以内で処
理した。反応混合物をこの温度で１時間撹拌し、次に1.
8gの尿素で処理し、濾過した。濾液を、12mlの濃硫酸と
8.3 mlの水との沸騰溶液に10分間に亙り滴下した。反応
混合物を加熱して３時間還流させ、次に室温へ冷却し
た。分離した固体を濾過し、これにより１g の４−ヒド
ロキシ−２−ニトロ安息香酸を融点230 ℃（分解）の黄
色の結晶として得た。
酸、５mlの水、及び3.6 mlの濃硫酸の温かい溶液を０℃
に冷却し、最初に8.5gの氷水で処理し、次に1.3gの硝酸
ナトリウム及び2.8 mlの水の溶液で０℃で10分以内で処
理した。反応混合物をこの温度で１時間撹拌し、次に1.
8gの尿素で処理し、濾過した。濾液を、12mlの濃硫酸と
8.3 mlの水との沸騰溶液に10分間に亙り滴下した。反応
混合物を加熱して３時間還流させ、次に室温へ冷却し
た。分離した固体を濾過し、これにより１g の４−ヒド
ロキシ−２−ニトロ安息香酸を融点230 ℃（分解）の黄
色の結晶として得た。
【００８４】f) ４−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸
のエステル化を、４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸
エチルの合成の場合と同様にして行なった。これにより
４−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸エチルが得られ
た。
のエステル化を、４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸
エチルの合成の場合と同様にして行なった。これにより
４−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸エチルが得られ
た。
【００８５】g) ４−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸
のエステル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と同様にして
行なった。これにより［α］20 D ＝−9.4 °の２−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチ
ルが得られた。
のエステル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と同様にして
行なった。これにより［α］20 D ＝−9.4 °の２−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチ
ルが得られた。
【００８６】h) ２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸エチルの水素化を、３−アミノ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルの
合成の場合と同様にして行なった。これにより２−アミ
ノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチ
ルを無色の油として得た。
チルオキシ］安息香酸エチルの水素化を、３−アミノ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルの
合成の場合と同様にして行なった。これにより２−アミ
ノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸エチ
ルを無色の油として得た。
【００８７】i) ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸のケン化を、３−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより融点が94〜95.5℃の
２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息
香酸が得られた。
チルオキシ］安息香酸のケン化を、３−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより融点が94〜95.5℃の
２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息
香酸が得られた。
【００８８】j) ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸のアセチル化を、３−アセチルア
ミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の
合成の場合と同様にして行なった。［α］20 D ＝−4.4
°。
チルオキシ］安息香酸のアセチル化を、３−アセチルア
ミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の
合成の場合と同様にして行なった。［α］20 D ＝−4.4
°。
【００８９】k) ２−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］安息香酸の硝化を、５−アセチル
アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。これ
により２−アセチルアミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
２−オクチルオキシ］安息香酸の硝化を、５−アセチル
アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。これ
により２−アセチルアミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
【００９０】l) ２−アセチルアミノ−５−ニトロ−４
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸のケン化
を、５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なっ
た。これにより２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸のケン化
を、５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なっ
た。これにより２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸が得られた。
【００９１】同様なやり方で次の化合物を製造すること
ができる： ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−（ノニルオキシ）−４′−ビフェ
ニリル、融点133 〜134 ℃； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプチル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン−
２−イル］フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［オクチルオキシ−
（Ｒ）−プロピオニル−２−オキシ］安息香酸４′−
（デセ−９−ニルオキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−５−ニトロ安息香酸ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミ
ジニル）フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−ヘプチルオキシフェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−ペンチル−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−（トランス−５−デシル−ｍ−ジ
オキサン−２−イル）フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］フェニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−
［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェ
ニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−［３−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキシル］フェニ
ル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−［３−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）メトキシ］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプチル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン−
２−イル］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−（ヘプチルオキシ）フェニ
ル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸５−［ｐ−（10−ウンデ
セニルオキシ）フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸５−
［ｐ−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［（Ｅ）−４−オクチルスチリ
ル］フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−［２−（ｐ−オクチルフェニル）
エチニル］フェニル； ２−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキ
サノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−（10−ウ
ンデセノキシ）−４−ビフェニリル； ２−ジメチルアミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フル
オロ−３−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息
香酸４′−［（Ｓ）−３−メチルペンチル］−４−ビフ
ェニリル； ヒドロキノン ビス［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエート］； ビフェニル ４，４′−ビス［２−アミノ−５−ニトロ
−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエー
ト］； ビフェニル ４，４′−ビス［２−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニ
トロベンゾエート］；
ができる： ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−（ノニルオキシ）−４′−ビフェ
ニリル、融点133 〜134 ℃； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプチル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン−
２−イル］フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［オクチルオキシ−
（Ｒ）−プロピオニル−２−オキシ］安息香酸４′−
（デセ−９−ニルオキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−４−［（Ｓ）−２−メチルブチルオキシ］
−５−ニトロ安息香酸ｐ−（５−ヘプチル−２−ピリミ
ジニル）フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−ヘプチルオキシフェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−ペンチル−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−（トランス−５−デシル−ｍ−ジ
オキサン−２−イル）フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル］フェニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−
［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェ
ニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−［４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル］−４−ビフェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−［３−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）プロポキシル］フェニ
ル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−［３−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）メトキシ］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４−［５−（トランス−
５−ヘプチル−ｍ−ジオキサン−２−イル）ピリジン−
２−イル］フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸ｐ−（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）フェニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−（トランス−５−
［（Ｅ）−１−ヘプテニル］−ｍ−ジオキサン−２−イ
ル）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−（ヘプチルオキシ）フェニ
ル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイル
オキシ］−５−ニトロ安息香酸５−［ｐ−（10−ウンデ
セニルオキシ）フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオロ−３
−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸５−
［ｐ−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸５−［ｐ−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］−２−ピラジニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［（Ｅ）−４−オクチルスチリ
ル］フェニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４−［２−（ｐ−オクチルフェニル）
エチニル］フェニル； ２−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオロヘキ
サノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−（10−ウ
ンデセノキシ）−４−ビフェニリル； ２−ジメチルアミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フル
オロ−３−メチルバレロイルオキシ］−５−ニトロ安息
香酸４′−［（Ｓ）−３−メチルペンチル］−４−ビフ
ェニリル； ヒドロキノン ビス［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエート］； ビフェニル ４，４′−ビス［２−アミノ−５−ニトロ
−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエー
ト］； ビフェニル ４，４′−ビス［２−アミノ−４−
［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニ
トロベンゾエート］；
【００９２】実施例４ ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−オクチ
ルオキシ］フェニル］ベンゾエートの４−ヒドロキシ−
４′−ノニルオキシビフェニルによるエステル化を、５
−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］安息香酸４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジニ
ル）フェニルの合成の場合と同様に行なった。これによ
り４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−
オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ノニ
ルオキシフェニル）フェニルが得た。m.p.（Ｃ−Ｉ）9
0.1℃、転移温度（ＳC −ＳA ）132 ℃、転移温度（Ｓ
A −Ｃh ）186 ℃、透明点（Ｃh −Ｉ）190.6 ℃。
ルオキシ］フェニル］ベンゾエートの４−ヒドロキシ−
４′−ノニルオキシビフェニルによるエステル化を、５
−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］安息香酸４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジニ
ル）フェニルの合成の場合と同様に行なった。これによ
り４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−
オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ノニ
ルオキシフェニル）フェニルが得た。m.p.（Ｃ−Ｉ）9
0.1℃、転移温度（ＳC −ＳA ）132 ℃、転移温度（Ｓ
A −Ｃh ）186 ℃、透明点（Ｃh −Ｉ）190.6 ℃。
【００９３】出発材料として用いられた４−［２−アミ
ノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］
フェニル］安息香酸は次のようにして調製された： a) 二酸化炭素及び臭素のガス状混合物を、120 〜140
℃に加熱した溶融ｍ−ニトロフェノール10.5g 中に、計
算された重量増加に達するまで導入した。純粋な二酸化
炭素を導入して反応混合物から残留臭素を除去した。反
応混合物を10％塩酸水溶液により２回再結晶化した。こ
れにより４−ブロモ−３−ニトロフェノール８g が得ら
れた。
ノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］
フェニル］安息香酸は次のようにして調製された： a) 二酸化炭素及び臭素のガス状混合物を、120 〜140
℃に加熱した溶融ｍ−ニトロフェノール10.5g 中に、計
算された重量増加に達するまで導入した。純粋な二酸化
炭素を導入して反応混合物から残留臭素を除去した。反
応混合物を10％塩酸水溶液により２回再結晶化した。こ
れにより４−ブロモ−３−ニトロフェノール８g が得ら
れた。
【００９４】b) ４−ブロモ−３−ニトロフェノールの
エーテル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチ
ルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と同様にして行
なった。これにより１−ブロモ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゼンが得られた。
エーテル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチ
ルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と同様にして行
なった。これにより１−ブロモ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゼンが得られた。
【００９５】c) 25.4g の２−（ｐ−ブロモフェニル）
−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを100 mlの無水
テトラヒドロフラン中に入れた溶液を、窒素中で2.7gの
マグネシウム削り屑に滴下し、反応の結果混合物が僅か
に沸騰するようにした。添加終了後、混合物を加熱して
更に２時間還流させた。転化率は95％（ガスクロマトグ
ラフによる）であった。
−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを100 mlの無水
テトラヒドロフラン中に入れた溶液を、窒素中で2.7gの
マグネシウム削り屑に滴下し、反応の結果混合物が僅か
に沸騰するようにした。添加終了後、混合物を加熱して
更に２時間還流させた。転化率は95％（ガスクロマトグ
ラフによる）であった。
【００９６】20mlのグリニャール試薬溶液を、窒素雰囲
気−70℃で、10mlの硼酸トリイソプロピルと0.5 mlの無
水テトラヒドロフランとの混合物へ激しく撹拌しながら
滴下した。添加終了後、反応混合物をゆっくり室温へ温
め、更に30分間撹拌した。次に反応混合物を10mlの10％
塩酸中へ注入した。その溶液を固体炭酸ナトリウムでｐ
Ｈ９へ調節し、100 mlの酢酸エチルで３回抽出した。一
緒にした有機相を100mlの水で２回洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。シリカゲル上の残留
物の酢酸エチル・エタノール（体積２：１）混合物によ
るクロマトグラフにより、４−［２−（４，４−ジメチ
ル−２−オキサゾリル）］フェニル硼酸が得られた。
気−70℃で、10mlの硼酸トリイソプロピルと0.5 mlの無
水テトラヒドロフランとの混合物へ激しく撹拌しながら
滴下した。添加終了後、反応混合物をゆっくり室温へ温
め、更に30分間撹拌した。次に反応混合物を10mlの10％
塩酸中へ注入した。その溶液を固体炭酸ナトリウムでｐ
Ｈ９へ調節し、100 mlの酢酸エチルで３回抽出した。一
緒にした有機相を100mlの水で２回洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。シリカゲル上の残留
物の酢酸エチル・エタノール（体積２：１）混合物によ
るクロマトグラフにより、４−［２−（４，４−ジメチ
ル−２−オキサゾリル）］フェニル硼酸が得られた。
【００９７】d) 0.6gの４−［２−（４，４−ジメチル
−２−オキサゾリル）］フェニル硼酸を、1.14mlのメタ
ノール及び2.88mlの２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液の中に入
れたものを、0.684gの１−ブロモ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゼン、80mgのＰd
(ＰＰｈ3)4 及び4.6 mlのトルエンの混合物へ添加し
た。反応混合物を80℃へ48時間激しく撹拌しながら加熱
した。冷却後、10mlの２ＭのＮa2ＣＯ3 溶液及び１mlの
濃アンモニア水を添加し、反応混合物を20mlの塩化メチ
レンで抽出した。有機相を分離し、硫酸マグネシウム上
で乾燥し、濃縮した。シリカゲル上の残留物の酢酸エチ
ル・シクロヘキサン（体積２：３）の混合物によるクロ
マトグラフにより、最終的に0.79g の２−［２′−ニト
ロ−４′−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−４−ビフ
ェニリル］−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを得
た。
−２−オキサゾリル）］フェニル硼酸を、1.14mlのメタ
ノール及び2.88mlの２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液の中に入
れたものを、0.684gの１−ブロモ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゼン、80mgのＰd
(ＰＰｈ3)4 及び4.6 mlのトルエンの混合物へ添加し
た。反応混合物を80℃へ48時間激しく撹拌しながら加熱
した。冷却後、10mlの２ＭのＮa2ＣＯ3 溶液及び１mlの
濃アンモニア水を添加し、反応混合物を20mlの塩化メチ
レンで抽出した。有機相を分離し、硫酸マグネシウム上
で乾燥し、濃縮した。シリカゲル上の残留物の酢酸エチ
ル・シクロヘキサン（体積２：３）の混合物によるクロ
マトグラフにより、最終的に0.79g の２−［２′−ニト
ロ−４′−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−４−ビフ
ェニリル］−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを得
た。
【００９８】e) 0.62g の２−［２′−ニトロ−４′−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−４−ビフェニリル］
−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを、15mlの３Ｎ
塩酸中で撹拌しながら95℃に加熱した。冷却後、沈澱物
を濾過し、10mlの水で洗浄した。次に沈澱物を、メタノ
ール及び水（体積１：１）中に入れた20％水酸化ナトリ
ウム溶液15ml中で激しく撹拌しながら70℃へ40分間加熱
した。冷却後、反応混合物を濃塩酸で中和した。沈澱し
た固体を濾過した。真空中での乾燥により、0.48g の４
−［４′−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−２′−ニ
トロフェニル］安息香酸が得られた。
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−４−ビフェニリル］
−４，４−ジメチル−２−オキサゾリンを、15mlの３Ｎ
塩酸中で撹拌しながら95℃に加熱した。冷却後、沈澱物
を濾過し、10mlの水で洗浄した。次に沈澱物を、メタノ
ール及び水（体積１：１）中に入れた20％水酸化ナトリ
ウム溶液15ml中で激しく撹拌しながら70℃へ40分間加熱
した。冷却後、反応混合物を濃塩酸で中和した。沈澱し
た固体を濾過した。真空中での乾燥により、0.48g の４
−［４′−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］−２′−ニ
トロフェニル］安息香酸が得られた。
【００９９】f) ４−［４′−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］−２′−ニトロフェニル］安息香酸の還元を、
３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息
香酸エチルの合成の場合と同様にして行なった。これに
より４−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸が得られた。
オキシ］−２′−ニトロフェニル］安息香酸の還元を、
３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息
香酸エチルの合成の場合と同様にして行なった。これに
より４−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１００】g) ４−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸のアセチル化
を、３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。
これにより４−［２−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸のアセチル化
を、３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行なった。
これにより４−［２−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１０１】h) ４−［２−アセチルアミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の
硝化を、５−アセチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより４−［２−アセチル
アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸が得られた。
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の
硝化を、５−アセチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合
と同様にして行なった。これにより４−［２−アセチル
アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１０２】i) ４−［２−アセチルアミノ−５−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸のアミド官能基のケン化を、５−アミノ−２−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の
合成の場合と同様にして行なった。これにより４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸が得られた。
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸のアミド官能基のケン化を、５−アミノ−２−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の
合成の場合と同様にして行なった。これにより４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１０３】同様なやり方で次の化合物を製造すること
ができる：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニル、
m.p.（Ｃ−Ｉ）175 〜176.1 ℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ヘプチ
ルオキシフェニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）95〜96.1℃、転移温
度（ＳA −Ｉ）74℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ペンチ
ルフェニル）フェニル、m.p.（Ｃ−ＳA ）142℃、転移
温度（ＳA −Ｃh )160.8℃、転移温度（Ｃh −Ｉ)168.1
℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（２−トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フェニル、m.
p.（Ｃ−ＳA ）、転移温度（ＳA −Ｃh )132℃、転移温
度（Ｃh −Ｉ)139℃、単変転移温度（Ｓ＊c −ＳA ）62
℃； １，４−フェニレン ビス［４−［２−アミノ−５−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］
ベンゾエート］、m.p.（Ｃ−ＳA )175℃、転移温度（Ｓ
A −Ｃh )186℃、転移温度（Ｃh −Ｉ)201℃。
ができる：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニル、
m.p.（Ｃ−Ｉ）175 〜176.1 ℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ヘプチ
ルオキシフェニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）95〜96.1℃、転移温
度（ＳA −Ｉ）74℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（４−ペンチ
ルフェニル）フェニル、m.p.（Ｃ−ＳA ）142℃、転移
温度（ＳA −Ｃh )160.8℃、転移温度（Ｃh −Ｉ)168.1
℃； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（２−トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フェニル、m.
p.（Ｃ−ＳA ）、転移温度（ＳA −Ｃh )132℃、転移温
度（Ｃh −Ｉ)139℃、単変転移温度（Ｓ＊c −ＳA ）62
℃； １，４−フェニレン ビス［４−［２−アミノ−５−ニ
トロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］
ベンゾエート］、m.p.（Ｃ−ＳA )175℃、転移温度（Ｓ
A −Ｃh )186℃、転移温度（Ｃh −Ｉ)201℃。
【０１０４】実施例５ ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸の４−ヒドロキシ−
４′−オクチルオキシビフェニルによるエステル化を、
５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジ
ニル）フェニルの場合と同様に行なった。これにより
４′−（オクチルオキシ）４−ビフェニル−４−［５−
アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］ベンゾエートが得られた。m.p.（Ｃ−Ｉ）177.8 〜
180.5 ℃、転移温度（ＳA −Ｃh ）128 ℃、透明点（Ｃ
h −Ｉ）150 ℃。
クチルオキシ］フェニル］安息香酸の４−ヒドロキシ−
４′−オクチルオキシビフェニルによるエステル化を、
５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（５−ヘプチル−２−ピリミジ
ニル）フェニルの場合と同様に行なった。これにより
４′−（オクチルオキシ）４−ビフェニル−４−［５−
アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］ベンゾエートが得られた。m.p.（Ｃ−Ｉ）177.8 〜
180.5 ℃、転移温度（ＳA −Ｃh ）128 ℃、透明点（Ｃ
h −Ｉ）150 ℃。
【０１０５】出発材料として用いられた４−［５−アミ
ノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］
フェニル］安息香酸は次のようにして調製された： a) ４−（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸を、４−
ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸エチルの合成の場合と
同様にエタノールでエステル化した。これにより４−
（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸エチルが得られ
た。
ノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］
フェニル］安息香酸は次のようにして調製された： a) ４−（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸を、４−
ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸エチルの合成の場合と
同様にエタノールでエステル化した。これにより４−
（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸エチルが得られ
た。
【０１０６】b) ４−（４−ヒドロキシフェニル）安息
香酸エチルのエーテル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と
同様にして行なった。これにより４−［４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸エチルが得ら
れた。
香酸エチルのエーテル化を、３−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］安息香酸エチルの合成の場合と
同様にして行なった。これにより４−［４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸エチルが得ら
れた。
【０１０７】c) ４−［４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸エチルのケン化を、３−アミ
ノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合
成の場合と同様にして行なった。これにより４−［４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が
得られた。
キシ］フェニル］安息香酸エチルのケン化を、３−アミ
ノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸の合
成の場合と同様にして行なった。これにより４−［４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が
得られた。
【０１０８】d) ３g の４−［４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］フェニル］安息香酸を110 mlの氷酢酸中に
95℃で溶解した。９mlの発煙硝酸と９mlの氷酢酸との混
合物をその溶液に滴下した。反応混合物を、90〜95℃に
撹拌しながら更に１時間加熱し、次に10分間沸騰するま
で加熱した。それによって約40mlの酢酸が留出した。反
応混合物を室温へ冷却し、250 mlの氷水に注ぎ、得られ
た固体を濾過した。50％のエチルアルコールによる再結
晶で、2.6gの４−［３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
チルオキシ］フェニル］安息香酸を110 mlの氷酢酸中に
95℃で溶解した。９mlの発煙硝酸と９mlの氷酢酸との混
合物をその溶液に滴下した。反応混合物を、90〜95℃に
撹拌しながら更に１時間加熱し、次に10分間沸騰するま
で加熱した。それによって約40mlの酢酸が留出した。反
応混合物を室温へ冷却し、250 mlの氷水に注ぎ、得られ
た固体を濾過した。50％のエチルアルコールによる再結
晶で、2.6gの４−［３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１０９】e) ４−［３−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の還元を、３−
アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
エチルの合成の場合と同様にして行なった。これにより
４−［３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸が得られた。
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の還元を、３−
アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香酸
エチルの合成の場合と同様にして行なった。これにより
４−［３−アミノ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１１０】f) ４−［３−アミノ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸のアミノ基のア
セチル化を、３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−
オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行
なった。これにより４−［３−アセチルアミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が
得られた。
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸のアミノ基のア
セチル化を、３−アセチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−
オクチルオキシ］安息香酸の合成の場合と同様にして行
なった。これにより４−［３−アセチルアミノ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が
得られた。
【０１１１】g) 220 mgの４−［３−アセチルアミノ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸を、氷で冷却した2.8 mlの硝酸−氷酢酸（体積２：
５）の混合物へ少しずつ添加した。添加が完了した後、
反応混合物を０℃で更に20分間撹拌し、次に100 mlを氷
水に注いだ。沈澱した固体を濾過し、水で洗浄した。得
られた４−［５−アセチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
を、更に精製することなく後の反応で用いた。
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸を、氷で冷却した2.8 mlの硝酸−氷酢酸（体積２：
５）の混合物へ少しずつ添加した。添加が完了した後、
反応混合物を０℃で更に20分間撹拌し、次に100 mlを氷
水に注いだ。沈澱した固体を濾過し、水で洗浄した。得
られた４−［５−アセチルアミノ−２−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
を、更に精製することなく後の反応で用いた。
【０１１２】h) ４−［５−アセチルアミノ−２−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸のアセチルアミノ基のケン化を、５−アミノ−２
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸の合成の場合と同様にして行なった。これにより160m
g の４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸のアセチルアミノ基のケン化を、５−アミノ−２
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］安息香
酸の合成の場合と同様にして行なった。これにより160m
g の４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸が得られた。
【０１１３】同様なやり方で次の化合物を製造すること
ができる： ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−［２−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フェニ
ル、m.p.（Ｃ−Ｉ）166.5 〜167.6 ℃； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチル］フェニル］安息香酸４′−（４−ペンチルフェ
ニル）フェニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）187.2 〜188.3 ℃； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチル］フェニル］安息香酸４′−ヘプチルオキシフェ
ニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）136.5 〜138.9 ℃；
ができる： ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−［２−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フェニ
ル、m.p.（Ｃ−Ｉ）166.5 〜167.6 ℃； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチル］フェニル］安息香酸４′−（４−ペンチルフェ
ニル）フェニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）187.2 〜188.3 ℃； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチル］フェニル］安息香酸４′−ヘプチルオキシフェ
ニル、m.p.（Ｃ−Ｉ）136.5 〜138.9 ℃；
【０１１４】実施例６ ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝の製造：
１g の４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−
アクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニルと2.4 mg
のα，α′−アゾイソブチロニトリルを2.8 mlのトルエ
ン中に入れた溶液をアルゴンで０℃で10分間脱ガスし、
次に閉じた容器中で70℃に48時間加熱した。重合混合物
を室温へ冷却した後、分離した重合体を濾過し、10mlの
テトラヒドロフラン中に溶解した。溶液を300 mlのメタ
ノールへゆっくり滴下し、それによって重合体が沈澱し
た。この溶解／沈澱手順を更に４回繰り返し、濾液を真
空中で乾燥し、0.57g のポリ｛４−［２−アミノ−５−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニ
ル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシウンデカノ
キシ）フェニル｝を得た。ガラス転移温度：55℃、転移
温度（Ｓｃ＊−ＳA ）：109 ℃、転移温度（ＳA −Ｉ)
：128 ℃。
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝の製造：
１g の４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）
−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−
アクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニルと2.4 mg
のα，α′−アゾイソブチロニトリルを2.8 mlのトルエ
ン中に入れた溶液をアルゴンで０℃で10分間脱ガスし、
次に閉じた容器中で70℃に48時間加熱した。重合混合物
を室温へ冷却した後、分離した重合体を濾過し、10mlの
テトラヒドロフラン中に溶解した。溶液を300 mlのメタ
ノールへゆっくり滴下し、それによって重合体が沈澱し
た。この溶解／沈澱手順を更に４回繰り返し、濾液を真
空中で乾燥し、0.57g のポリ｛４−［２−アミノ−５−
ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニ
ル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシウンデカノ
キシ）フェニル｝を得た。ガラス転移温度：55℃、転移
温度（Ｓｃ＊−ＳA ）：109 ℃、転移温度（ＳA −Ｉ)
：128 ℃。
【０１１５】出発材料として用いた単量体４−［２−ア
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシ
ウンデカノキシ）フェニルは、次のようにして製造され
た： a) ４−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノー
ル： ５g の11−ブロムウンデカノール及び５g のヒド
ロキノンを200 mlの２−ブタノン中に入れた混合物及び
４g の炭酸カリウムを加熱して48時間還流させた。反応
混合物を濾過し、溶媒を蒸留除去した。残留物を400 ml
の酢酸エチルに溶解し、100 mlの10％（ｗ／ｖ）炭酸カ
リウム水溶液を１回で用いて４回洗浄し、次に２回水で
洗浄した。溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸
発した。少量の酢酸エチルにより再結晶化し、４g の４
−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノールを得
た。m.p.：99〜100.5 ℃。
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシ
ウンデカノキシ）フェニルは、次のようにして製造され
た： a) ４−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノー
ル： ５g の11−ブロムウンデカノール及び５g のヒド
ロキノンを200 mlの２−ブタノン中に入れた混合物及び
４g の炭酸カリウムを加熱して48時間還流させた。反応
混合物を濾過し、溶媒を蒸留除去した。残留物を400 ml
の酢酸エチルに溶解し、100 mlの10％（ｗ／ｖ）炭酸カ
リウム水溶液を１回で用いて４回洗浄し、次に２回水で
洗浄した。溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、蒸
発した。少量の酢酸エチルにより再結晶化し、４g の４
−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノールを得
た。m.p.：99〜100.5 ℃。
【０１１６】b) ４−（11−アクリロイルオキシウンデ
カノキシ）フェノール： ５g の４−（11−ヒドロキシ
ウンデカノキシ）フェノール、12g のアクリル酸、及び
0.85g のｐ−トルエンスルホン酸を250 mlのクロロホル
ムに溶解した。反応混合物を水分離器で還流下で48時間
加熱した。冷却した後、反応混合物を100 mlの10％（ｗ
／ｖ）炭酸水素ナトリウム溶液を１回毎に用いて２回洗
浄し、次に100 mlの水を毎回用いて３回洗浄した。有機
相を硫酸ナトリウムで乾燥した後、クロロホルムを蒸留
除去し、これにより5.2gの４−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）フェノールを得た。m.p.72〜74℃。
カノキシ）フェノール： ５g の４−（11−ヒドロキシ
ウンデカノキシ）フェノール、12g のアクリル酸、及び
0.85g のｐ−トルエンスルホン酸を250 mlのクロロホル
ムに溶解した。反応混合物を水分離器で還流下で48時間
加熱した。冷却した後、反応混合物を100 mlの10％（ｗ
／ｖ）炭酸水素ナトリウム溶液を１回毎に用いて２回洗
浄し、次に100 mlの水を毎回用いて３回洗浄した。有機
相を硫酸ナトリウムで乾燥した後、クロロホルムを蒸留
除去し、これにより5.2gの４−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）フェノールを得た。m.p.72〜74℃。
【０１１７】c) ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４
−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニ
ル：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニルによるエス
テル化は、［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（５−
ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニルの合成の場合と
同様にして行われた。これにより2.6 g の４−［２−ア
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシ
ウンデカノキシ）フェニルが得られた。転移温度（ＫＩ
−ＫII）56.5〜58℃、m.p.（ＫII−Ｉ）68℃。
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４
−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニ
ル：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２
−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸の４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニルによるエス
テル化は、［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（５−
ヘプチル−２−ピリミジニル）フェニルの合成の場合と
同様にして行われた。これにより2.6 g の４−［２−ア
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキシ
ウンデカノキシ）フェニルが得られた。転移温度（ＫＩ
−ＫII）56.5〜58℃、m.p.（ＫII−Ｉ）68℃。
【０１１８】同様なやり方で次の単量体を製造すること
ができる： ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロ
イルオキシウンデカノキシ）フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−メタクリ
ロイルオキシウンデカノキシ）フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−フ
ルオロヘキサノイルオキシ］フェニル］安息香酸４−
［11−（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカノキ
シ］フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ビニルオ
キシウンデカノキシ）フェニル； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（10−ビ
ニルオキシカルボニルデカノキシ）フェニル｝４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）
オキシウンデカノキシ］フェニル； ４−［５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオ
ロ−３−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロフェニ
ル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）オキシウンデ
カノキシ］フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−ス
チリル）メチレンオキシウンデカノキシ］フェニル； ４−［２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４
−（10−ウンデセニルオキシ）フェニル； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロ
イルオキシウンデカノキシ）フェニル。
ができる： ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロ
イルオキシウンデカノキシ）フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−メタクリ
ロイルオキシウンデカノキシ）フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−フ
ルオロヘキサノイルオキシ］フェニル］安息香酸４−
［11−（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカノキ
シ］フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ビニルオ
キシウンデカノキシ）フェニル； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（10−ビ
ニルオキシカルボニルデカノキシ）フェニル｝４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）
オキシウンデカノキシ］フェニル； ４−［５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−フルオ
ロ−３−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロフェニ
ル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）オキシウンデ
カノキシ］フェニル； ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−ス
チリル）メチレンオキシウンデカノキシ］フェニル； ４−［２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４
−（10−ウンデセニルオキシ）フェニル； ４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロ
イルオキシウンデカノキシ）フェニル。
【０１１９】同様なやり方で次の重合体を製造すること
ができる： ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−メ
タクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−フルオロヘキサノイルオキシ］フェニル］安息香酸
４−［11−（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカ
ノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ビ
ニルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（10−ビ
ニルオキシカルボニルデカノキシ）フェニル｝ポリ｛４
−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチ
リル）オキシウンデカノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−
フルオロ−３−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロ
フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）オキシ
ウンデカノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−
（４−スチリル）メチレンオキシウンデカノキシ］フェ
ニル｝； ポリ｛メチル ［ｐ−ウンデシルオキシフェニル ４−
［２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］ベンゾエー
ト］シロキサン｝； ポリ｛４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝。
ができる： ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−メ
タクリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−フルオロヘキサノイルオキシ］フェニル］安息香酸
４−［11−（２−クロロアクリロイルオキシ）ウンデカ
ノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ビ
ニルオキシウンデカノキシ）フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（10−ビ
ニルオキシカルボニルデカノキシ）フェニル｝ポリ｛４
−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オク
チルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチ
リル）オキシウンデカノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［５−アミノ−４−［（２Ｓ，３Ｓ）−２−
フルオロ−３−メチルバレロイルオキシ］−２−ニトロ
フェニル］安息香酸４−［11−（４−スチリル）オキシ
ウンデカノキシ］フェニル｝； ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−［11−
（４−スチリル）メチレンオキシウンデカノキシ］フェ
ニル｝； ポリ｛メチル ［ｐ−ウンデシルオキシフェニル ４−
［２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］ベンゾエー
ト］シロキサン｝； ポリ｛４−［５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４−（11−ア
クリロイルオキシウンデカノキシ）フェニル｝。
【０１２０】実施例７ ポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（11−
アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４−ビフェニリ
ル｝の製造： ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリルの重合を、４−［２−アミノ−５−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸４−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）
フェニルの重合の場合と同じようにして行なった。これ
により0.63g のポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−
４−ビフェニリル｝が得られた。ガラス転移温度：90
℃、転移温度（Ｓｃ＊−Ｓ A ）：約140 ℃、転移温度
（ＳA −Ｔ）：270 ℃。
２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸４′−（11−
アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４−ビフェニリ
ル｝の製造： ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリルの重合を、４−［２−アミノ−５−ニト
ロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安
息香酸４−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）
フェニルの重合の場合と同じようにして行なった。これ
により0.63g のポリ｛４−［２−アミノ−５−ニトロ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−
４−ビフェニリル｝が得られた。ガラス転移温度：90
℃、転移温度（Ｓｃ＊−Ｓ A ）：約140 ℃、転移温度
（ＳA −Ｔ）：270 ℃。
【０１２１】出発材料として用いた単量体４−［２−ア
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリルは、次のように
して製造された： a) ４−ヒドロキシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカ
ノキシ）ビフェニル：４−ヒドロキシ−４′−（11−ヒ
ドロキシウンデカノキシ）ビフェニルの合成は、４−
（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノール（実施例
６a)の合成の場合と同様にして行なった。これにより４
−ヒドロキシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカノキ
シ）ビフェニルが得られた。m.p.144 〜146 ℃。
ミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリルは、次のように
して製造された： a) ４−ヒドロキシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカ
ノキシ）ビフェニル：４−ヒドロキシ−４′−（11−ヒ
ドロキシウンデカノキシ）ビフェニルの合成は、４−
（11−ヒドロキシウンデカノキシ）フェノール（実施例
６a)の合成の場合と同様にして行なった。これにより４
−ヒドロキシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカノキ
シ）ビフェニルが得られた。m.p.144 〜146 ℃。
【０１２２】b) ４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニル：４−ヒドロ
キシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）ビフェ
ニルのエステル化は、４−（11−ヒドロキシウンデカノ
キシ）フェノール（実施例６b)のエステル化の場合と同
様にして行なった。これにより４′−（11−アクリロイ
ルオキシウンデカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニル
が得られた。m.p.91〜92℃。
デカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニル：４−ヒドロ
キシ−４′−（11−ヒドロキシウンデカノキシ）ビフェ
ニルのエステル化は、４−（11−ヒドロキシウンデカノ
キシ）フェノール（実施例６b)のエステル化の場合と同
様にして行なった。これにより４′−（11−アクリロイ
ルオキシウンデカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニル
が得られた。m.p.91〜92℃。
【０１２３】c) ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリル：４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニルの４−［２−
アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸によるエステル化は、４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）フェニルの合成の場合と同様にして
行なった。これにより４−［２−アミノ−５−ニトロ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−
４−ビフェニリルが得られた。m.p.110 ℃、転移温度
（ＳA −Ｉ）：137 ℃、単変転移温度（Ｓｃ＊−
ＳA ）：84℃。
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリル：４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ヒドロキシビフェニルの４−［２−
アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキ
シ］フェニル］安息香酸によるエステル化は、４−［２
−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオ
キシ］フェニル］安息香酸４−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）フェニルの合成の場合と同様にして
行なった。これにより４−［２−アミノ−５−ニトロ−
４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香
酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−
４−ビフェニリルが得られた。m.p.110 ℃、転移温度
（ＳA −Ｉ）：137 ℃、単変転移温度（Ｓｃ＊−
ＳA ）：84℃。
【０１２４】同様なやり方で次の単量体を製造すること
ができる：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ビフェニリル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［トランス−５−［10−（２−ク
ロロアクリロイルオキシ）デシル］−ｍ−ジオキサン−
２−イル）フェニル； ２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フル
オロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸５−
（ｐ−ウンデセ−10−ニルオキシフェニル−２−ピラジ
ニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−メタクリロイルオキシウ
ンデカノキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−６−メチル−４−［（Ｒ）−２−フルオロ
ヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−［８
−（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］
−４−ビフェニリル； ２−アミノ−６−フルオロ−４−［（Ｒ）−２−フルオ
ロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸［ｐ−
（11−アクリロイルオキシウンデシル）−２−ピリミジ
ニル］フェニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−４−メチル
−５−オクチル−ｍ−ジオキサン−２−イル］−５−ニ
トロフェニル トランス−４−［ｐ−［８−（２−クロ
ロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］フェニル］シ
クロヘキシル］メチル エーテル； ４−（10−メタクリロイルオキシデシル）安息香酸
（Ｅ）−ｐ−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオ
ロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロスチリル］フェニ
ル；
ができる：４−［２−アミノ−５−ニトロ−４−
［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］安息香酸
４′−（11−アクリロイルオキシウンデカノキシ）−４
−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ビフェニリル； ５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウン
デカノキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸ｐ−［トランス−５−［10−（２−ク
ロロアクリロイルオキシ）デシル］−ｍ−ジオキサン−
２−イル）フェニル； ２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−４−［（Ｒ）−２−フル
オロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸５−
（ｐ−ウンデセ−10−ニルオキシフェニル−２−ピラジ
ニル； ２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチル
オキシ］安息香酸４′−（11−メタクリロイルオキシウ
ンデカノキシ）−４−ビフェニリル； ２−アミノ−６−メチル−４−［（Ｒ）−２−フルオロ
ヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′−［８
−（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］
−４−ビフェニリル； ２−アミノ−６−フルオロ−４−［（Ｒ）−２−フルオ
ロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸［ｐ−
（11−アクリロイルオキシウンデシル）−２−ピリミジ
ニル］フェニル； ２−アミノ−４−［（２Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−４−メチル
−５−オクチル−ｍ−ジオキサン−２−イル］−５−ニ
トロフェニル トランス−４−［ｐ−［８−（２−クロ
ロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］フェニル］シ
クロヘキシル］メチル エーテル； ４−（10−メタクリロイルオキシデシル）安息香酸
（Ｅ）−ｐ−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フルオ
ロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロスチリル］フェニ
ル；
【０１２５】前記単量体から同様なやり方で次の重合体
を製造することができる：ポリ｛４−［２−アミノ−５
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニ
ル］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカ
ノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸ｐ−［トランス−５−［10−
（２−クロロアクリロイルオキシ）デシル］−ｍ−ジオ
キサン−２−イル）フェニル； ポリ｛メチル ［５−（ｐ−ウンデシルオキシフェニ
ル）−２−ピラジニル２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−４
−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５−
ニトロベンゾエート］シロキサン｝； ポリ｛４−（11−メタクリロイルオキシウンデカノキ
シ）ビフェニリル ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］ベンゾエ
ート−co−４′−（11−メタクリロイルオキシウンデカ
ノキシ）−４−ビフェニリル ２−アミノ−５−ニトロ
−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエート｝
（１：１）； ポリ｛２−アミノ−６−メチル−４−［（Ｒ）−２−フ
ルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′
−［８−（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオ
キシ］ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−６−フルオロ−４−［（Ｒ）−２−
フルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸
［ｐ−（11−アクリロイルオキシウンデシル）−２−ピ
リミジニル］フェニル｝； ポリ｛２−アミノ−４−［（２Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−４−
メチル−５−オクチル−ｍ−ジオキサン−２−イル］−
５−ニトロフェニル ［トランス−４−［ｐ−［８−
（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］フ
ェニル］シクロヘキシル］メチル エーテル｝； ポリ｛４−（10−メタクリロイルオキシデシル）安息香
酸（Ｅ）−ｐ−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フル
オロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロスチリル］フェ
ニル｝；
を製造することができる：ポリ｛４−［２−アミノ−５
−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニ
ル］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキシウンデカ
ノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛５−アミノ−２−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸４′−（11−アクリロイルオキ
シウンデカノキシ）−４−ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−５−ニトロ−４−［（Ｒ）−２−オ
クチルオキシ］安息香酸ｐ−［トランス−５−［10−
（２−クロロアクリロイルオキシ）デシル］−ｍ−ジオ
キサン−２−イル）フェニル； ポリ｛メチル ［５−（ｐ−ウンデシルオキシフェニ
ル）−２−ピラジニル２−Ｎ, Ｎ−ジメチルアミノ−４
−［（Ｒ）−２−フルオロヘキサノイルオキシ］−５−
ニトロベンゾエート］シロキサン｝； ポリ｛４−（11−メタクリロイルオキシウンデカノキ
シ）ビフェニリル ４−［２−アミノ−５−ニトロ−４
−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］フェニル］ベンゾエ
ート−co−４′−（11−メタクリロイルオキシウンデカ
ノキシ）−４−ビフェニリル ２−アミノ−５−ニトロ
−４−［（Ｒ）−２−オクチルオキシ］ベンゾエート｝
（１：１）； ポリ｛２−アミノ−６−メチル−４−［（Ｒ）−２−フ
ルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸４′
−［８−（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオ
キシ］ビフェニリル｝； ポリ｛２−アミノ−６−フルオロ−４−［（Ｒ）−２−
フルオロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロ安息香酸
［ｐ−（11−アクリロイルオキシウンデシル）−２−ピ
リミジニル］フェニル｝； ポリ｛２−アミノ−４−［（２Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−４−
メチル−５−オクチル−ｍ−ジオキサン−２−イル］−
５−ニトロフェニル ［トランス−４−［ｐ−［８−
（２−クロロアクリロイルオキシ）オクチルオキシ］フ
ェニル］シクロヘキシル］メチル エーテル｝； ポリ｛４−（10−メタクリロイルオキシデシル）安息香
酸（Ｅ）−ｐ−［２−アミノ−４−［（Ｒ）−２−フル
オロヘキサノイルオキシ］−５−ニトロスチリル］フェ
ニル｝；
【図１】導波素子の概略的断面図である。
【図２】別の導波素子構造体の概略的断面図である。
１ ガラス板 ２ 透明電極 ３ 重合体表面処理被覆層 ４ 強誘電体液晶 ５ 重合体表面処理被覆層 ６ 透明電極 ７ ガラス板 ８ 格子 ９ 格子
フロントページの続き (72)発明者 シン ファ チェン ドイツ連邦共和国ベルリン，シュトラーセ デス 17．ユニ，122／123 (72)発明者 ユルグ フュンフスキリング スイス国バーゼル，ヴァイエルホフシュト ラーセ 138 (72)発明者 ロルフ − ペーター ヘール ドイツ連邦共和国フライブルグ，メルツハ ウゼルシュトラーセ 78 (72)発明者 マーチン シャット スイス国ゼルティスベルグ，リーエスタレ ルシュトラーセ 77 (72)発明者 クラウス シュミット ドイツ連邦共和国ローラック，ガルテンシ ュトラーセ 16ベー
Claims (20)
- 【請求項１】 導波層による周波数変換により短波レー
ザー光を効果的に発生させるための光学的素子におい
て、前記導波層が、導かれたレーザービームの擬位相整
合を可能にする周期的構造を有する強誘電体層χ(2) −
活性単量体又は重合体液晶材料からなり、三次元的構造
の周期的長さが前記材料のコーヒーレンス長さlc＝π／
Δβの２倍に等しい〔式中、Δβ＝βo(２ω）−２βo
(ω）、ここでω＝基本波の角周波数、０＝零次モー
ド、β＝モードの伝播定数〕光学的素子。 - 【請求項２】 材料を、その複屈折性によりnlo テンソ
ルのｄ21成分の位相整合のために用いることができる請
求項１に記載の光学的素子。 - 【請求項３】 材料が、キラル分子と、長軸に対し横断
するように配合されたニトロアニリン誘導体及びＳc 相
を形成する液晶分子との混合物を含む請求項１又は２に
記載の光学的素子。 - 【請求項４】 強誘電体液晶材料が、Ｓ＊c 相を形成す
るか、又は電場内で双極子的に配向することができる高
次配向強誘電体相を形成する請求項１〜３のいずれか１
項に記載の光学的素子。 - 【請求項５】 強誘電体ＬＣ材料が、境界力により二安
定方式で均一に配向されているＳ＊c 相を形成する請求
項１〜３のいずれか１項に記載の光学的素子。 - 【請求項６】 双極子配向が、ガラス温度より低く冷却
することにより固定される請求項１〜４のいずれか１項
に記載の光学的素子。 - 【請求項７】 強誘電体液晶材料が、Ｓ＊c 相を形成す
るキラルnlo-活性分子の混合物からなる請求項１又は２
に記載の光学的素子。 - 【請求項８】 ポッケル効果を用いることにより、1300
〜430 nmのスペクトル範囲で電気光学的スイッチ又は光
変調器として作動する請求項１又は２に記載の光学的素
子。 - 【請求項９】 混合物が相順序1-Ｃhol-ＳmA−Ｓ＊c-ガ
ラスを有する請求項１、２、３、又は７のいずれか１項
に記載の光学的素子。 - 【請求項１０】 素子がＳ＊c 相で作動し、そのため電
場が印加された時、χ(2) 性が作動するようになるが、
電場のスイッチを切ると消える請求項１又は２に記載の
光学的素子。 - 【請求項１１】 850 〜1300nmの波長を有するレーザー
光の周波数を２倍にするための請求項１又は２に記載の
光学的素子。 - 【請求項１２】 双極的に配向した軸が導波面に対し直
角である請求項１又は２に記載の光学的素子。 - 【請求項１３】 850 〜1300nmの範囲で発光し、請求項
１又は２に記載の光学的素子に光学的に結合されたレー
ザーダイオードを有する周波数倍増モジュール。 - 【請求項１４】 一般式： 【化１】 〔式中、 Ｘ1 、Ｘ2 ： 一方は−ＮＯ2 を表し、他方は−ＮＲ5
Ｒ6 を表し、ここでＲ5 及びＲ6 は夫々独立にＨ又は低
級アルキルを表す； Ｒ3 、Ｒ4 ： 夫々独立にＨ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｎ
Ｈ2 、ＮＯ2 、ＣＮ、低級アルキル、又は低級アルコキ
シを表し、但し、Ｘ1 はＲ4 とは異なり、Ｘ2 はＲ3 と
は異なる； Ｒ1 ： キラルアルキル又はシクロアルキルを表し、そ
の場合、互いに独立に一つ以上の隣り合っていない−Ｃ
Ｈ2 基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝
ＣＨ−によって置換されていてもよく、脂肪族残基では
−Ｃ≡Ｃ−によって置換されていてもよく、それらは
Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル又は低級アルコキシによ
ってモノ又はポリ置換されていてもよく、但しキラル性
の中心がアルキル鎖中では第一又は第二Ｃ原子上に位置
し、シクロアルキル残基の場合には炭素原子の上に位置
するものとする； Ａ1 ： １〜４個の６員環を表し、それらは互いに結合
しているか、又は一つの共有結合によりp-ニトロ−アニ
リン環に結合しているか、且つ（又は）一つ又は任意に
複数の点で−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ
2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ−、−ＳＯＣ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ＝
ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ＝ＣＨ−、又
はブチレンにより結合されており、ここで−ＣＨ2 ＣＨ
2-基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は
−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい。Ａ1 中の６員環は、互いに独立に、非置換、又は
Ｆ、Ｃｌ、低級アルキル又は低級アルコキシで任意にモ
ノ、ジ、又はポリ置換されている１，４−フェニレン
で、一つ又は二つの−ＣＨ−基が窒素によって置き換え
られていてもよい１，４−フェニレン、又は、一つまた
は二つの−ＣＨ2-基（好ましくは隣り合っていない）が
Ｏ又はＳによって置き換えられていてもよく、或は−Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2-基が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えられて
いてもよい１，４−シクロヘキシレン、又はナフタレン
−２，５−ジイル、デカリン−２，６−ジイル、テトラ
リン−２，６−ジイル、チアジアゾイル、又はオキソジ
アゾイルを表す； Ｚ1 ： 一つの共有結合、−ＣＨ2-ＣＨ2-、−ＣＨ2 Ｏ
−、−ＯＣＨ2-、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＣＯＳ
−、−ＳＯＣ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ＝
Ｎ−、−Ｎ＝ＮＯ−、−ＯＮ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ、−Ｎ
＝ＣＨ−、又はブチレンを表し、ここで−ＣＨ2 ＣＨ2-
基は−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−
Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていてもよく、且つ（又
は）−ＣＨ2-基はＯ又はＳにより置き換えられていても
よい； Ａ2 ： 構成単位 【化２】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ3 及びＲ4 は前に述べた意味を
有する）を表す； n ： ０又は１を表す； Ｒ2 ： キラル又はアキラルアルキル又はシクロアルキ
ルを表し、その場合、互いに独立に一つ以上の隣り合っ
ていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、又は−Ｈ
Ｃ＝ＣＨ−によって置き換えられていてもよく、脂肪族
残基では−Ｃ≡Ｃ−又は１，４−フェニレンによっても
置換されていてもよく、それらはＦ、Ｃｌ、ＣＮ、低級
アルキル又は低級アルコキシによってモノ又はポリ置換
されていてもよく、但しキラル性の中心がアルキル鎖中
では第一又は第二Ｃ原子上に位置し、シクロアルキル残
基の場合には環中の炭素原子の上に位置するものとし、
又はn が０を表す場合、Ｒ2 も基： 【化３】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す；〕の化合
物。 - 【請求項１５】 Ｒ2 がキラル又はアキラルアルキルを
又はシクロアルキルを表し、その場合、互いに独立に一
つ又は二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基が、Ｏ、Ｓ、
−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−によって置き換えられてい
てもよく、脂肪族残基では−Ｃ≡Ｃ−によっても置き換
えられていてもよく、また、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アル
キル又は低級アルコキシによってモノ又は多置換されて
いてもよく、但しキラル性の中心がアルキル鎖中では第
一又は第二Ｃ原子上に位置し、シクロアルキル残基の場
合には環中の炭素原子の上に位置するものとし、又はn
が０を表す場合、Ｒ2 も基： 【化４】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、m は６〜16の整数を表し、一つ又は
二つの隣り合っていない−ＣＨ2-基は、互いに独立に
Ｏ、Ｓ、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又は−Ｃ≡Ｃ−
によって置き換えられていてもよい）を表す請求項14に
記載の式Ｉの化合物。 - 【請求項１６】 一般式： 【化５】 （式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｒ1 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＡ1 は前に
述べた意味を有し、Ｒ5 はキラル又はアキラルアルキル
を表し、その場合、互いに独立に一つ以上の−ＣＨ2-基
は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＨＣ＝ＣＨ−、又
は１，４−フェニレンによって置き換えられていてもよ
く、更にＦ、Ｃｌ、ＣＮ、低級アルキル及び低級アルコ
キシによってモノ又はポリ置換されていてもよい）で表
わされる請求項14に記載の非線形光学的化合物。 - 【請求項１７】 Ｒ5 が末端位置に次の重合可能な基： 【化６】 の一つを有する請求項14又は16に記載の非線形光学的化
合物。 - 【請求項１８】 非線形重合体を形成するために、請求
項16又は17に記載の非線形光学的化合物の使用。 - 【請求項１９】 請求項１〜12のいずれか１項に記載の
光学的素子に、請求項14〜17のいずれか１項に記載の非
線形光学的化合物の使用。 - 【請求項２０】 請求項１〜12のいずれか１項に記載の
光学的素子に、請求項18に記載の非線形光学的重合体の
使用。
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| US9235097B2 (en) * | 2012-02-03 | 2016-01-12 | Micron Technology, Inc. | Active alignment of optical fiber to chip using liquid crystals |
| US10929667B2 (en) * | 2017-10-13 | 2021-02-23 | Corning Incorporated | Waveguide-based optical systems and methods for augmented reality systems |
| US12493220B2 (en) * | 2022-09-06 | 2025-12-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Optical dimming devices with chiral ferroelectric nematic liquid crystal |
Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63204235A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 非線形光学素子 |
| JPS6490413A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Idemitsu Kosan Co | Non-linear optical device |
| JPH01269926A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Nippon Oil Co Ltd | 非線形光学材料 |
| JPH0229721A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Canon Inc | 非線形光学素子 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6490413A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-06 | Idemitsu Kosan Co | Non-linear optical device |
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