JPH0520505B2 - - Google Patents
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- JPH0520505B2 JPH0520505B2 JP1170492A JP17049289A JPH0520505B2 JP H0520505 B2 JPH0520505 B2 JP H0520505B2 JP 1170492 A JP1170492 A JP 1170492A JP 17049289 A JP17049289 A JP 17049289A JP H0520505 B2 JPH0520505 B2 JP H0520505B2
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- Japan
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- mist
- chamber
- fog
- film forming
- spray
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、霧化した原料溶液を、加熱された基
板に吹き付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置
において、原料溶液の霧を供給する装置に関す
る。 ［従来の技術］ 太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等
に用いられる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジ
ウム錫の薄膜により形成される。この透明導電膜
は、霧供給装置によつて生じた原料溶液の霧を、
霧導入路から加熱された基板に向けて放出し、加
熱された基板上で反応、成膜させる。 この方法で透明導電膜を形成する場合に用いら
れている従来の霧化薄膜形成装置の一例を、第５
図に基づいて説明する。 この霧化薄膜形成装置では、霧供給装置１によ
つて原料供給源２３と給気器２とから薄膜の原料
溶液とキヤリアガス（多くは空気）とを噴霧ノズ
ル１７に送り、ここで上記原料溶液を噴霧し、こ
れらを霧導入路３の導入口３ａから放出させる。
霧導入路３の導入口３ａの上方には、成膜室４が
設けられ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上
記基板６は、その表面が上記成膜室４の天面を形
成するよう、成膜室４の上を順次連なりながら第
５図において、左から右へと保持されながら搬送
される。この成膜室４で天面を形成する位置にあ
る基板６は、均熱板７を介して背後のヒーター８
によつて所定の温度に加熱される。 この装置には、基板入口１９側からガラス板等
の基板６を導入し、成膜室４を経て基板出口２０
から導出されるよう順次搬送される。成膜室４で
は、霧導入路３の導入口３ａが下側から基板４の
下面に向けて設けられ、これから成膜室４に放出
された霧状の原料溶液は、排出口５に向けて緩や
かに流れ、その間に基板６の表面に接触する。そ
して、基板６の表面で、溶液中の原料が空気中の
酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基
板６の表面に酸化物の薄膜が形成される。また、
基板６の表面の成膜に寄与しなかつた霧は、排出
口５から排出される。 従来、このような霧化薄膜形成装置において、
原料溶液を霧化し、これを霧導入路３に供給する
装置１は、上記霧導入路３と通じる閉じられた空
間を形成する霧箱１３と、その中に霧を噴霧する
先端部が配置された噴霧ノズル１７とから構成さ
れている。そして、パイプ１８を通じて原料供給
源２３から送られて来る原料溶液と、給気器２側
から送られて来るキヤリアガスとにより、噴霧ノ
ズル１７において上記原料溶液を霧化して噴霧
し、これを霧箱１３の中から霧導入路３を通して
成膜室４へと供給している。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の薄膜形成用霧供給装置を
用いた場合において、薄膜の成膜速度を高めて、
薄膜の生産性を向上させるため、原料溶液を単位
時間当り多量に供給し、噴霧ノズル１７から多く
の原料溶液を噴霧させると、形成される霧の粒子
の分布が大きい方へシフトし、大きい粒子の割合
が増加する。大きな粒子は、霧箱１３の中で除去
されるため、噴霧ノズル１７から噴霧させる原料
溶液の量を多くした割には霧導入路３から成膜室
４へ供給される霧の量はあまり増加せず、成膜速
度が上がらない。また、大きな粒子の霧が多量に
存在すると、霧箱１３内で十分除去されず、大き
な粒子を多量に含む霧が成膜室４へ送られる。こ
のような、粒子の粗い霧が基板６の表面に接触し
て、同表面に薄膜が成膜されると、特に大きな粒
子の霧は液滴の状態のまま基板６に接触するた
め、水分や空気との接触、反応が十分なされない
まま薄膜が形成され、欠陥の多い薄膜が形成され
る。このため、上記従来の霧供給装置では、薄膜
の品質を低下させることなく、その成膜速度を上
げることができないという課題があつた。 そこで、噴霧ノズルを複数本使用し、各々の噴
霧ノズルから霧箱１３内に霧を噴霧することで、
総体的に多量の霧を得る試みもなされた。しかし
ながら、霧箱１３内は閉じられた空間となつてい
るため、その中に複数の噴霧ノズルを設置し、噴
霧すると、各々の噴霧ノズルから噴出された霧が
相互に干渉し、結局粒子の粗い霧が発生してしま
うという課題があつた。 そこで、本発明は、上記の従来技術における問
題点に鑑み、複数の噴霧ノズルから霧を噴霧する
場合に、相互噴霧ノズルからの霧の干渉を防止す
ると共に、細かい霧を効率良く選別して成膜室へ
供給することができる霧供給装置を提供すること
にある。 ［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、成膜室４内に成膜
面を下方へ向けて設置され、加熱された基板６の
成膜面に薄膜の原料溶液の霧を供給する装置であ
つて、霧箱１３と、該霧箱１３内に霧を噴射する
噴霧ノズル１７と、霧箱１３の上部に設けられ、
同霧箱１３内の霧を上記成膜室１４内に導入に霧
導入路３とを有する霧化薄膜形成用霧供給装置に
おいて、霧箱１３内を上記霧導入路３に通じる霧
溜室１５と、噴霧ノズル１７の噴霧端が挿入され
た霧還流室２２とに区画すると共に、これら霧溜
室１５と霧還流室２２とを霧復流路１６を介して
連絡し、先端側が上記霧溜室１５側に向けて開口
されると共に、基端側が霧還流室２２側に開口し
ており、かつ基端側からから先端側に向けて次第
に径の増大する霧導管２１を霧還流室２２内に２
組設け、これら各霧導管２１の先端側に向けてそ
の基端側に各々１つずつの噴霧ノズル１７の噴霧
端が配置されていることを特徴とする霧化薄膜形
成用霧供給装置である。 ［作用］ 噴霧ノズル１７から噴霧された原料溶液の霧の
粒子を観察すると、霧の噴霧経路の中心から離れ
た位置では粒径の大きな霧の粒子が多く存在する
ことが着目される。また、噴霧経路の中心付近に
おいても、粗い粒子の霧が含まれるが、これらは
細かい霧に比べて噴出速度が速いため、より遠く
へ吹き飛ばされる。 上記の本発明の霧化薄膜形成用霧供給装置によ
れば、噴霧ノズル１７から霧箱１３内に噴霧され
た霧状原料溶液は、まず霧導管２１を通るが、そ
のとき、噴霧経路の周囲にある比較的粗い粒子の
霧が上記霧導管２１の壁面に当り、液滴となつて
霧の中から除去される。さらに、噴霧経路の中心
にある粗い粒子の霧は、霧導管２１の先端から遠
方へと飛散し、霧導管２１の正面にある霧溜室１
５の壁面に当り、やはり液滴となつて霧の中から
除去される。 霧溜室１５に送られた比較的粒子の細かい霧
は、霧溜室１５の上方に浮揚し、霧導入路３から
成膜室４へと送られる。また、その一部は、霧導
管２１の基端側と先端側の流路断面積の違いによ
り形成される圧力差によりその先端側に引かれる
ため、霧復流路１６を介して霧還流室２２へと入
り、新たに噴霧された霧と共に霧導管２１を介し
て霧溜室１５へと還流される。この霧の還流の状
態を第２図と第４図に矢印で示した。 そしてこの場合に、複数の噴霧ノズル１７から
は、特に粗い霧が噴霧されない範囲で各々原料溶
液を噴霧する。これにより、霧導入路３からは、
複数の噴霧ノズル１７を使用して噴霧する場合
に、それらからの噴霧量に見合うだけの原料溶液
の霧であつて、上記のような粒子の細かい霧を成
膜室４へ供給できる。 さらに、霧箱１３内に２組の霧導管２１を配置
し、各々の霧導管２１に向けて各々１つずつ噴霧
ノズル１７の噴霧端を配置しているので、噴霧ノ
ズル１７，１７から噴射される霧が霧導管２１，
２１で互いに隔離されるため、噴霧される霧の干
渉が起こり難い。このため、原料溶液の霧を粗大
化することなく、霧導入路３からの霧の導入量を
倍増させることができる。 ［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて具体的に説明する。 第１図と第２図に示すように、薄膜形成用の霧
供給装置は、箱形の霧箱１３を有しており、この
中は板状の仕切１４により、霧溜室１５と霧還流
室２２とに仕切られている。霧溜室１５の上には
霧導入路３が起立するように接続されている。 霧還流室２２の中には、基端から先端側へいく
に従つて次第に口径が大きくなるホーン状の霧導
管２１が設置され、その径の大きな開口部側は上
記仕切１４の中央部に保持され、霧溜室１５に向
けて開口している。この霧導管２１の先端の開口
部の前には、霧溜室１５の壁面が起立している。
また、この霧導管２１の基端側は、霧還流室２２
の中にあり、そこには上記霧箱１３の外側からそ
の中に差し込まれた噴霧ノズル１７の噴霧端が挿
入されている。この噴霧ノズル１７には、パイプ
１８を通して原料溶液とキヤリアガスとが送ら
れ、その噴霧端から霧導管２１の中に霧が噴霧さ
れる。 仕切１４の上記霧導管２１の先端側の周りに
は、霧溜室１５と霧還流室２２とを通じさせる貫
通孔状の霧復流路１６が形成されている。 この実施例では、各々１つずつの噴霧ノズル１
７，１７を備えた２組のホーン状の霧導管２１，
２１が霧還流室２２に並列に配置されている。 次に、上記第１図と第２図で示す霧化薄膜形成
用霧供給装置により、ガラス基板６上に透明導電
膜として酸化錫膜を形成し、その膜厚と比抵抗を
100個について各々測定し、それらの平均値を表
１に示した。また、比較のため、上記従来の霧供
給装置を用いて薄膜を形成し、同様にしてその膜
厚と比抵抗を測定した結果を表１に示した。 なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モル％
のNH4Ｆと５％のアルコールとの混合溶液を用
い、実施例の場合は、この溶液を２つの噴霧用ノ
ズル１７，１７から何れも総計毎時2.0の割合
で霧化した。また、比較例の場合は、上記溶液を
１つの噴霧ノズル１７から毎時１の割合で霧化
した。そして基板６は、成膜室４を３分で通過す
るよう搬送した。
板に吹き付け、薄膜を形成する霧化薄膜形成装置
において、原料溶液の霧を供給する装置に関す
る。 ［従来の技術］ 太陽電池、液晶表示装置、プラズマ表示装置等
に用いられる透明導電膜は、酸化錫や酸化インジ
ウム錫の薄膜により形成される。この透明導電膜
は、霧供給装置によつて生じた原料溶液の霧を、
霧導入路から加熱された基板に向けて放出し、加
熱された基板上で反応、成膜させる。 この方法で透明導電膜を形成する場合に用いら
れている従来の霧化薄膜形成装置の一例を、第５
図に基づいて説明する。 この霧化薄膜形成装置では、霧供給装置１によ
つて原料供給源２３と給気器２とから薄膜の原料
溶液とキヤリアガス（多くは空気）とを噴霧ノズ
ル１７に送り、ここで上記原料溶液を噴霧し、こ
れらを霧導入路３の導入口３ａから放出させる。
霧導入路３の導入口３ａの上方には、成膜室４が
設けられ、そこに霧化された原料溶液が漂う。上
記基板６は、その表面が上記成膜室４の天面を形
成するよう、成膜室４の上を順次連なりながら第
５図において、左から右へと保持されながら搬送
される。この成膜室４で天面を形成する位置にあ
る基板６は、均熱板７を介して背後のヒーター８
によつて所定の温度に加熱される。 この装置には、基板入口１９側からガラス板等
の基板６を導入し、成膜室４を経て基板出口２０
から導出されるよう順次搬送される。成膜室４で
は、霧導入路３の導入口３ａが下側から基板４の
下面に向けて設けられ、これから成膜室４に放出
された霧状の原料溶液は、排出口５に向けて緩や
かに流れ、その間に基板６の表面に接触する。そ
して、基板６の表面で、溶液中の原料が空気中の
酸素、或いは原料溶液中の水分と反応し、上記基
板６の表面に酸化物の薄膜が形成される。また、
基板６の表面の成膜に寄与しなかつた霧は、排出
口５から排出される。 従来、このような霧化薄膜形成装置において、
原料溶液を霧化し、これを霧導入路３に供給する
装置１は、上記霧導入路３と通じる閉じられた空
間を形成する霧箱１３と、その中に霧を噴霧する
先端部が配置された噴霧ノズル１７とから構成さ
れている。そして、パイプ１８を通じて原料供給
源２３から送られて来る原料溶液と、給気器２側
から送られて来るキヤリアガスとにより、噴霧ノ
ズル１７において上記原料溶液を霧化して噴霧
し、これを霧箱１３の中から霧導入路３を通して
成膜室４へと供給している。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の薄膜形成用霧供給装置を
用いた場合において、薄膜の成膜速度を高めて、
薄膜の生産性を向上させるため、原料溶液を単位
時間当り多量に供給し、噴霧ノズル１７から多く
の原料溶液を噴霧させると、形成される霧の粒子
の分布が大きい方へシフトし、大きい粒子の割合
が増加する。大きな粒子は、霧箱１３の中で除去
されるため、噴霧ノズル１７から噴霧させる原料
溶液の量を多くした割には霧導入路３から成膜室
４へ供給される霧の量はあまり増加せず、成膜速
度が上がらない。また、大きな粒子の霧が多量に
存在すると、霧箱１３内で十分除去されず、大き
な粒子を多量に含む霧が成膜室４へ送られる。こ
のような、粒子の粗い霧が基板６の表面に接触し
て、同表面に薄膜が成膜されると、特に大きな粒
子の霧は液滴の状態のまま基板６に接触するた
め、水分や空気との接触、反応が十分なされない
まま薄膜が形成され、欠陥の多い薄膜が形成され
る。このため、上記従来の霧供給装置では、薄膜
の品質を低下させることなく、その成膜速度を上
げることができないという課題があつた。 そこで、噴霧ノズルを複数本使用し、各々の噴
霧ノズルから霧箱１３内に霧を噴霧することで、
総体的に多量の霧を得る試みもなされた。しかし
ながら、霧箱１３内は閉じられた空間となつてい
るため、その中に複数の噴霧ノズルを設置し、噴
霧すると、各々の噴霧ノズルから噴出された霧が
相互に干渉し、結局粒子の粗い霧が発生してしま
うという課題があつた。 そこで、本発明は、上記の従来技術における問
題点に鑑み、複数の噴霧ノズルから霧を噴霧する
場合に、相互噴霧ノズルからの霧の干渉を防止す
ると共に、細かい霧を効率良く選別して成膜室へ
供給することができる霧供給装置を提供すること
にある。 ［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、成膜室４内に成膜
面を下方へ向けて設置され、加熱された基板６の
成膜面に薄膜の原料溶液の霧を供給する装置であ
つて、霧箱１３と、該霧箱１３内に霧を噴射する
噴霧ノズル１７と、霧箱１３の上部に設けられ、
同霧箱１３内の霧を上記成膜室１４内に導入に霧
導入路３とを有する霧化薄膜形成用霧供給装置に
おいて、霧箱１３内を上記霧導入路３に通じる霧
溜室１５と、噴霧ノズル１７の噴霧端が挿入され
た霧還流室２２とに区画すると共に、これら霧溜
室１５と霧還流室２２とを霧復流路１６を介して
連絡し、先端側が上記霧溜室１５側に向けて開口
されると共に、基端側が霧還流室２２側に開口し
ており、かつ基端側からから先端側に向けて次第
に径の増大する霧導管２１を霧還流室２２内に２
組設け、これら各霧導管２１の先端側に向けてそ
の基端側に各々１つずつの噴霧ノズル１７の噴霧
端が配置されていることを特徴とする霧化薄膜形
成用霧供給装置である。 ［作用］ 噴霧ノズル１７から噴霧された原料溶液の霧の
粒子を観察すると、霧の噴霧経路の中心から離れ
た位置では粒径の大きな霧の粒子が多く存在する
ことが着目される。また、噴霧経路の中心付近に
おいても、粗い粒子の霧が含まれるが、これらは
細かい霧に比べて噴出速度が速いため、より遠く
へ吹き飛ばされる。 上記の本発明の霧化薄膜形成用霧供給装置によ
れば、噴霧ノズル１７から霧箱１３内に噴霧され
た霧状原料溶液は、まず霧導管２１を通るが、そ
のとき、噴霧経路の周囲にある比較的粗い粒子の
霧が上記霧導管２１の壁面に当り、液滴となつて
霧の中から除去される。さらに、噴霧経路の中心
にある粗い粒子の霧は、霧導管２１の先端から遠
方へと飛散し、霧導管２１の正面にある霧溜室１
５の壁面に当り、やはり液滴となつて霧の中から
除去される。 霧溜室１５に送られた比較的粒子の細かい霧
は、霧溜室１５の上方に浮揚し、霧導入路３から
成膜室４へと送られる。また、その一部は、霧導
管２１の基端側と先端側の流路断面積の違いによ
り形成される圧力差によりその先端側に引かれる
ため、霧復流路１６を介して霧還流室２２へと入
り、新たに噴霧された霧と共に霧導管２１を介し
て霧溜室１５へと還流される。この霧の還流の状
態を第２図と第４図に矢印で示した。 そしてこの場合に、複数の噴霧ノズル１７から
は、特に粗い霧が噴霧されない範囲で各々原料溶
液を噴霧する。これにより、霧導入路３からは、
複数の噴霧ノズル１７を使用して噴霧する場合
に、それらからの噴霧量に見合うだけの原料溶液
の霧であつて、上記のような粒子の細かい霧を成
膜室４へ供給できる。 さらに、霧箱１３内に２組の霧導管２１を配置
し、各々の霧導管２１に向けて各々１つずつ噴霧
ノズル１７の噴霧端を配置しているので、噴霧ノ
ズル１７，１７から噴射される霧が霧導管２１，
２１で互いに隔離されるため、噴霧される霧の干
渉が起こり難い。このため、原料溶液の霧を粗大
化することなく、霧導入路３からの霧の導入量を
倍増させることができる。 ［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて具体的に説明する。 第１図と第２図に示すように、薄膜形成用の霧
供給装置は、箱形の霧箱１３を有しており、この
中は板状の仕切１４により、霧溜室１５と霧還流
室２２とに仕切られている。霧溜室１５の上には
霧導入路３が起立するように接続されている。 霧還流室２２の中には、基端から先端側へいく
に従つて次第に口径が大きくなるホーン状の霧導
管２１が設置され、その径の大きな開口部側は上
記仕切１４の中央部に保持され、霧溜室１５に向
けて開口している。この霧導管２１の先端の開口
部の前には、霧溜室１５の壁面が起立している。
また、この霧導管２１の基端側は、霧還流室２２
の中にあり、そこには上記霧箱１３の外側からそ
の中に差し込まれた噴霧ノズル１７の噴霧端が挿
入されている。この噴霧ノズル１７には、パイプ
１８を通して原料溶液とキヤリアガスとが送ら
れ、その噴霧端から霧導管２１の中に霧が噴霧さ
れる。 仕切１４の上記霧導管２１の先端側の周りに
は、霧溜室１５と霧還流室２２とを通じさせる貫
通孔状の霧復流路１６が形成されている。 この実施例では、各々１つずつの噴霧ノズル１
７，１７を備えた２組のホーン状の霧導管２１，
２１が霧還流室２２に並列に配置されている。 次に、上記第１図と第２図で示す霧化薄膜形成
用霧供給装置により、ガラス基板６上に透明導電
膜として酸化錫膜を形成し、その膜厚と比抵抗を
100個について各々測定し、それらの平均値を表
１に示した。また、比較のため、上記従来の霧供
給装置を用いて薄膜を形成し、同様にしてその膜
厚と比抵抗を測定した結果を表１に示した。 なお、原料溶液は、15％のSnCl4と200モル％
のNH4Ｆと５％のアルコールとの混合溶液を用
い、実施例の場合は、この溶液を２つの噴霧用ノ
ズル１７，１７から何れも総計毎時2.0の割合
で霧化した。また、比較例の場合は、上記溶液を
１つの噴霧ノズル１７から毎時１の割合で霧化
した。そして基板６は、成膜室４を３分で通過す
るよう搬送した。
【表】
この結果から明かなように、上記実施例では、
比較例に比べて抵抗値が低く、約1.9倍の膜厚を
有する酸化錫膜を形成することができた。 ［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、噴霧され
た霧のうち粒子の粗い霧が除去され、残りの細か
い粒子の霧が可能な限り多く霧導入路３から成膜
室４に送られるため、成膜室４に細かい霧を多量
に送ることができる。また、複数の噴霧ノズル１
７から噴出される霧の干渉を防止し、霧が粗大化
するのを防止することができる。これにより、良
質の薄膜を効率良く成膜することが可能となる。
比較例に比べて抵抗値が低く、約1.9倍の膜厚を
有する酸化錫膜を形成することができた。 ［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によれば、噴霧され
た霧のうち粒子の粗い霧が除去され、残りの細か
い粒子の霧が可能な限り多く霧導入路３から成膜
室４に送られるため、成膜室４に細かい霧を多量
に送ることができる。また、複数の噴霧ノズル１
７から噴出される霧の干渉を防止し、霧が粗大化
するのを防止することができる。これにより、良
質の薄膜を効率良く成膜することが可能となる。
第１図は、本発明の実施例を示す霧化薄膜形成
用霧供給装置の一部切欠の斜視図、第２図は、同
霧供給装置の横断平面図、第３図は、従来例を示
す霧化薄膜形成装置の概略縦断側面図である。 １……霧供給装置、３……霧導入路、３ａ……
霧導入路の導入口、４……成膜室、７……均熱
板、８……ヒータ、１５……霧溜室、１６……霧
復流路、１７……噴霧ノズル、２１……霧導管、
２２……霧還流路。
用霧供給装置の一部切欠の斜視図、第２図は、同
霧供給装置の横断平面図、第３図は、従来例を示
す霧化薄膜形成装置の概略縦断側面図である。 １……霧供給装置、３……霧導入路、３ａ……
霧導入路の導入口、４……成膜室、７……均熱
板、８……ヒータ、１５……霧溜室、１６……霧
復流路、１７……噴霧ノズル、２１……霧導管、
２２……霧還流路。
Claims (1)
- １ 成膜室４内に成膜面を下方へ向けて設置さ
れ、加熱された基板６の成膜面に薄膜の原料溶液
の霧を供給する装置であつて、霧箱１３と、該霧
箱１３内に霧を噴射する噴霧ノズル１７と、霧箱
１３の上部に設けられ、同霧箱１３内の霧を上記
成膜室１４内に導入に霧導入路３とを有する霧化
薄膜形成用霧供給装置において、霧箱１３内を上
記霧導入路３に通じる霧溜室１５と、噴霧ノズル
１７の噴霧端が挿入された霧還流室２２とに区画
すると共に、これら霧溜室１５と霧還流室２２と
を霧復流路１６を介して連絡し、先端側が上記霧
溜室１５側に向けて開口されると共に、基端側が
霧還流室２２側に開口しており、かつ基端側から
から先端側に向けて次第に径の増大する霧導管２
１を霧還流室２２内に２組設け、これら各霧導管
２１の先端側に向けてその基端側に各々１つずつ
の噴霧ノズル１７の噴霧端が配置されていること
を特徴とする霧化薄膜形成用霧供給装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170492A JPH0336279A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成用霧供給装置 |
| EP90112300A EP0405527B1 (en) | 1989-06-30 | 1990-06-27 | Atomizer for forming a thin film |
| DE90112300T DE69003182T2 (de) | 1989-06-30 | 1990-06-27 | Zerstäuber zur Bildung einer dünnen Schicht. |
| AU58031/90A AU622816B2 (en) | 1989-06-30 | 1990-06-29 | Atomizer for forming a thin film |
| US07/726,622 US5114076A (en) | 1989-06-30 | 1991-06-27 | Atomizer for forming a thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1170492A JPH0336279A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成用霧供給装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22476892A Division JP2534977B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 霧化薄膜形成用霧供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336279A JPH0336279A (ja) | 1991-02-15 |
| JPH0520505B2 true JPH0520505B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=15905969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1170492A Granted JPH0336279A (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 霧化薄膜形成用霧供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336279A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032143A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Fujikura Ltd. | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2007077433A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Fujikura Ltd | 成膜装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3814322A (en) * | 1973-07-12 | 1974-06-04 | Amchem Prod | Mist coating of strip material |
| GB8319227D0 (en) * | 1983-07-15 | 1983-08-17 | Ici Plc | Electrostatic spraying |
| JPS6428378A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Taiyo Yuden Kk | Device for forming thin film with mist |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1170492A patent/JPH0336279A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032143A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Fujikura Ltd. | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2007077433A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Fujikura Ltd | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336279A (ja) | 1991-02-15 |
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