JPH05205940A - 超電導装置 - Google Patents
超電導装置Info
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- JPH05205940A JPH05205940A JP3297945A JP29794591A JPH05205940A JP H05205940 A JPH05205940 A JP H05205940A JP 3297945 A JP3297945 A JP 3297945A JP 29794591 A JP29794591 A JP 29794591A JP H05205940 A JPH05205940 A JP H05205940A
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- superconducting
- ceramic
- hollow
- ceramics
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物超伝導材料を用いて、任意の形状の超
伝導装置を得る。 【構成】 金属あるいは金属間化合物からなる支持体に
酸化物超伝導材料をコーティングすることによって、前
記酸化物超伝導材料が本質的に有する脆弱な性質を補い
つつ、任意の形状を有する超伝導装置を得る。
伝導装置を得る。 【構成】 金属あるいは金属間化合物からなる支持体に
酸化物超伝導材料をコーティングすることによって、前
記酸化物超伝導材料が本質的に有する脆弱な性質を補い
つつ、任意の形状を有する超伝導装置を得る。
Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明はセラミック系超電導材料を
応用した電力蓄積装置に関する。
応用した電力蓄積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超電導材料はＮｂ−Ｇｅ（例えば
Ｎｂ3 Ｇｅ）等の金属材料が用いられている。この材料
は金属であるため、延性、展性または曲げ性を高く有
し、超電導マグネット用コイル、また電力蓄積用コイル
として用いることが可能である。
Ｎｂ3 Ｇｅ）等の金属材料が用いられている。この材料
は金属であるため、延性、展性または曲げ性を高く有
し、超電導マグネット用コイル、また電力蓄積用コイル
として用いることが可能である。
【０００３】しかし、この金属の超電導材料はＴｃ（超
電導臨界温度を以下Ｔｃという）オンセットが小さく、
２３Ｋまたはそれ以下でしかなかった。しかしその工業
的応用を考えるならば、このＴｃが１００Ｋまたはそれ
以上を有し、Ｔｃｏ（電気抵抗が零となる温度）が液体
窒素温度である７７Ｋまたはそれ以上であることがきわ
めて重要である。
電導臨界温度を以下Ｔｃという）オンセットが小さく、
２３Ｋまたはそれ以下でしかなかった。しかしその工業
的応用を考えるならば、このＴｃが１００Ｋまたはそれ
以上を有し、Ｔｃｏ（電気抵抗が零となる温度）が液体
窒素温度である７７Ｋまたはそれ以上であることがきわ
めて重要である。
【０００４】最近、かかる超電導材料として、銅の酸化
物セラミック材料が注目されている。しかしこの銅の酸
化物セラミックスは延性、展性および曲げ性に乏しい。
加えて成型した後の加工がきわめて困難であるという他
の欠点を有する。
物セラミック材料が注目されている。しかしこの銅の酸
化物セラミックスは延性、展性および曲げ性に乏しい。
加えて成型した後の加工がきわめて困難であるという他
の欠点を有する。
【０００５】
【従来の問題点】このため、銅の酸化物セラミックスを
用いて、リング状またはコイル状に設けるとともに、そ
の始点と終点とを同時に超電導セラミックスで連結し、
電力蓄積装置とする試みはまったくない。加えて、コイ
ル構造を有しつつ、同時にセラミックスを機械的に金属
で補強する手段も、また自らに冷媒を有し冷却する構造
もまったく知られていない。
用いて、リング状またはコイル状に設けるとともに、そ
の始点と終点とを同時に超電導セラミックスで連結し、
電力蓄積装置とする試みはまったくない。加えて、コイ
ル構造を有しつつ、同時にセラミックスを機械的に金属
で補強する手段も、また自らに冷媒を有し冷却する構造
もまったく知られていない。
【０００６】
【問題を解決すべき手段】本発明は超電導セラミックス
をリング状またはコイル状に設け、その始点と終点とを
超電導セラミックスで連結する電力蓄積装置である。さ
らに本発明はこのセラミックスに金属または金属化合物
の支持体を添わしめ、機械的補強に加えて、このセラミ
ックスが非超電導状態となった時も電流を流し得る手段
としている。さらにこの中空の支持体の内部に超電導セ
ラミック材料となるべき材料を混合または溶かした、ま
たはゲル状にした溶液を中空パイプの一方を一次的に塞
いで他方より注入する。
をリング状またはコイル状に設け、その始点と終点とを
超電導セラミックスで連結する電力蓄積装置である。さ
らに本発明はこのセラミックスに金属または金属化合物
の支持体を添わしめ、機械的補強に加えて、このセラミ
ックスが非超電導状態となった時も電流を流し得る手段
としている。さらにこの中空の支持体の内部に超電導セ
ラミック材料となるべき材料を混合または溶かした、ま
たはゲル状にした溶液を中空パイプの一方を一次的に塞
いで他方より注入する。
【０００７】次にこの中空パイプ全体を加熱し、液体成
分である溶媒全体を気化して除去する。するとこの超電
導セラミック材料は中空パイプの内壁にコーティングさ
れる。これを加熱し、焼成させるとともに、酸化または
還元を繰り返し行うことにより、超電導性を有するセラ
ミック材料、例えば銅の酸化物セラミックスである（Ａ
1-x Ｂｘ）ｙＣｕＯｚ ｘ＝０．０１〜０．３，ｙ＝
１．３〜２．２，ｚ＝２．０〜４．５で示される分子構
造を有し、ＡがＹ（イットリューム），Ｇａ（ガリュー
ム），Ｚｒ（ジルコニューム），Ｎｂ（ニオブ），Ｇｅ
（ゲルマニューム），Ｙｂ（イッテルビューム）または
その他のランタノイドより１つまたは複数種選ばれ、Ｂ
はＲａ（ラジューム），Ｂａ（バリューム）またはＳｒ
（ストロンチューム），Ｃａ（カルシューム），Ｍｇ
（マグネシューム），Ｂｅ（ベリリューム）より１つま
たは複数種選ばれ、セラミックスを形成する。
分である溶媒全体を気化して除去する。するとこの超電
導セラミック材料は中空パイプの内壁にコーティングさ
れる。これを加熱し、焼成させるとともに、酸化または
還元を繰り返し行うことにより、超電導性を有するセラ
ミック材料、例えば銅の酸化物セラミックスである（Ａ
1-x Ｂｘ）ｙＣｕＯｚ ｘ＝０．０１〜０．３，ｙ＝
１．３〜２．２，ｚ＝２．０〜４．５で示される分子構
造を有し、ＡがＹ（イットリューム），Ｇａ（ガリュー
ム），Ｚｒ（ジルコニューム），Ｎｂ（ニオブ），Ｇｅ
（ゲルマニューム），Ｙｂ（イッテルビューム）または
その他のランタノイドより１つまたは複数種選ばれ、Ｂ
はＲａ（ラジューム），Ｂａ（バリューム）またはＳｒ
（ストロンチューム），Ｃａ（カルシューム），Ｍｇ
（マグネシューム），Ｂｅ（ベリリューム）より１つま
たは複数種選ばれ、セラミックスを形成する。
【０００８】本発明で用いられるセラミックスは上記以
外の元素をＡ，Ｂまたは添加不純物として加えることが
可能である。
外の元素をＡ，Ｂまたは添加不純物として加えることが
可能である。
【０００９】本発明において、中空金属支持体の内壁に
第１の層として超電導セラミック材料がコーティングさ
れるが、さらにその上側にこの第１の層のセラミック材
料を十分固化した後、第２層のセラミック材料をコーテ
ィングすべく、同一工程を繰り返しすることは有効であ
る。またその場合、それぞれのコーティング層でＡまた
はＢの種類、Ｘ，Ｙ，Ｚの値の一部を変更してもよい。
第１の層として超電導セラミック材料がコーティングさ
れるが、さらにその上側にこの第１の層のセラミック材
料を十分固化した後、第２層のセラミック材料をコーテ
ィングすべく、同一工程を繰り返しすることは有効であ
る。またその場合、それぞれのコーティング層でＡまた
はＢの種類、Ｘ，Ｙ，Ｚの値の一部を変更してもよい。
【００１０】本発明において、さらにこれを繰り返して
多層構造としてもよいことはいうまでもない。
多層構造としてもよいことはいうまでもない。
【００１１】
【作用】本発明の超電導電力蓄積装置により、初めて安
価な大電力用バッテリを作ることが可能となった。特に
その応用として、太陽電池等の光電変換装置で発電した
電気エネルギを蓄積させ得る。さらにこの蓄積装置が需
要地と数百〜数千Kmも離れている場合、この蓄積装置に
電気エネルギを充電して、それをトラック、船等により
輸送することにより、電気エネルギという目に見えない
エネルギを移送し得る。かつ本発明の蓄積装置は化学反
応を用いないため、長期使用においても何らの化学的な
劣化もない。
価な大電力用バッテリを作ることが可能となった。特に
その応用として、太陽電池等の光電変換装置で発電した
電気エネルギを蓄積させ得る。さらにこの蓄積装置が需
要地と数百〜数千Kmも離れている場合、この蓄積装置に
電気エネルギを充電して、それをトラック、船等により
輸送することにより、電気エネルギという目に見えない
エネルギを移送し得る。かつ本発明の蓄積装置は化学反
応を用いないため、長期使用においても何らの化学的な
劣化もない。
【００１２】また本発明のコイル状の始点と終点を互い
に電気的に抵抗が零であるセラミックスで連結すること
により、エンドレスコイルとし得る。このコイルは電流
損失のないコイル、即ち電気エネルギの蓄積用装置とし
て用いることが可能となる。以下図面に従って本発明の
実施例を示す。
に電気的に抵抗が零であるセラミックスで連結すること
により、エンドレスコイルとし得る。このコイルは電流
損失のないコイル、即ち電気エネルギの蓄積用装置とし
て用いることが可能となる。以下図面に従って本発明の
実施例を示す。
【００１３】
〔実施例〕この実施例では（Ａ1-x Ｂｘ）ｙＣｕＯｚに
おいてＡとしてＹをＹ2 Ｏ3 ，ＢとしてＢａをＢａＣＯ
3 またＣｕとしてＣｕＯを用いた。それぞれ高純度化学
社製の９９．９５％以上のものを用いた。これらをｘ＝
０．０５，ｘ＝０．０７５及びｘ＝０．１，ｙ＝１．
８，ｙ＝２．０，ｙ＝２．２とした。これらを混合して
９種類の混合物を作った。これらを一度３Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で加圧しタブレットとし７００℃、3 時間さらに
１０００℃、１０時間で大気中で仮焼成した。さらにこ
れらを再び粉砕した。そしてその平均粒径が１００μｍ
以下、例えば１０μｍ程度となるようにした。この混合
物をカプセル内に封入し、再びこれを５Ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力でプレスし、タブレット状とした。そしてこれを１
０００℃、１０時間酸化性雰囲気例えば大気中で本焼成
した。するとこの構造はペルプスカイト構造もみられる
が、変形K2NiF4型がＸ線解析像から観察された。
おいてＡとしてＹをＹ2 Ｏ3 ，ＢとしてＢａをＢａＣＯ
3 またＣｕとしてＣｕＯを用いた。それぞれ高純度化学
社製の９９．９５％以上のものを用いた。これらをｘ＝
０．０５，ｘ＝０．０７５及びｘ＝０．１，ｙ＝１．
８，ｙ＝２．０，ｙ＝２．２とした。これらを混合して
９種類の混合物を作った。これらを一度３Ｋｇ／ｃｍ2
の圧力で加圧しタブレットとし７００℃、3 時間さらに
１０００℃、１０時間で大気中で仮焼成した。さらにこ
れらを再び粉砕した。そしてその平均粒径が１００μｍ
以下、例えば１０μｍ程度となるようにした。この混合
物をカプセル内に封入し、再びこれを５Ｋｇ／ｃｍ2 の
圧力でプレスし、タブレット状とした。そしてこれを１
０００℃、１０時間酸化性雰囲気例えば大気中で本焼成
した。するとこの構造はペルプスカイト構造もみられる
が、変形K2NiF4型がＸ線解析像から観察された。
【００１４】次にこの本焼成したＴｃオンセットが４０
Ｋ以上好ましくは９０Ｋ，Ｔｃｏが好ましくは７７Ｋ以
上あることを電圧−電流−温度特性より確認する。
Ｋ以上好ましくは９０Ｋ，Ｔｃｏが好ましくは７７Ｋ以
上あることを電圧−電流−温度特性より確認する。
【００１５】再びこのタブレットを微粉末とした。そし
てこの平均粒径が１００μｍ以下〜５μｍ例えば３０μ
ｍになるようにした。この工程において、この粉砕の
際、その結晶構造が基本的に破壊しないように努めた。
てこの平均粒径が１００μｍ以下〜５μｍ例えば３０μ
ｍになるようにした。この工程において、この粉砕の
際、その結晶構造が基本的に破壊しないように努めた。
【００１６】この粉末を液体、例えばフロン液またはア
ルコール例えばエタノールその他の液体中に混合、また
は溶かした。
ルコール例えばエタノールその他の液体中に混合、また
は溶かした。
【００１７】この溶液を中空の支持体である図１に示し
た金属パイプ（２）、例えば銅または銅の化合物（例え
ばＮｉＣｕ化合物）の内部に他方を塞いで注いだ。この
パイプをセラミック粒子が内壁に均一な厚さに付着すべ
く、回転、上下振動をしつつ全体を１００〜４００℃の
温度に加熱した。
た金属パイプ（２）、例えば銅または銅の化合物（例え
ばＮｉＣｕ化合物）の内部に他方を塞いで注いだ。この
パイプをセラミック粒子が内壁に均一な厚さに付着すべ
く、回転、上下振動をしつつ全体を１００〜４００℃の
温度に加熱した。
【００１８】かくしてこの中空パイプの内部の溶媒を除
去することができ、その内壁にセラミック粒をコーティ
ング（３）した。
去することができ、その内壁にセラミック粒をコーティ
ング（３）した。
【００１９】この時内壁とより密着させやすくするた
め、エポキシ系、アクリル系の樹脂をとかした溶媒、例
えばトルエン等を用いてもよい。
め、エポキシ系、アクリル系の樹脂をとかした溶媒、例
えばトルエン等を用いてもよい。
【００２０】この後この内壁に付着し乾燥させたセラミ
ックスに対して、その中空部に酸素または酸素とアルゴ
ンの混合気体を導入して、酸化させつつ５００〜１１０
０℃、例えば６００℃３時間さらに８００℃５時間の加
熱焼成を行った。
ックスに対して、その中空部に酸素または酸素とアルゴ
ンの混合気体を導入して、酸化させつつ５００〜１１０
０℃、例えば６００℃３時間さらに８００℃５時間の加
熱焼成を行った。
【００２１】かかる工程をさらに１〜５回繰り返すこと
により、このセラミック材を５０μｍ〜１cm（代表的に
は０．５〜５ｍｍ）の平均厚さにパイプ内に付着させる
ことが可能となった。かくして図１に示す如き中空支持
体（２）の内側に超電導セラミックス（３）を中空
（４）を有して本発明の超電導セラミックスを用いたパ
イプ（１）を作ることができた。
により、このセラミック材を５０μｍ〜１cm（代表的に
は０．５〜５ｍｍ）の平均厚さにパイプ内に付着させる
ことが可能となった。かくして図１に示す如き中空支持
体（２）の内側に超電導セラミックス（３）を中空
（４）を有して本発明の超電導セラミックスを用いたパ
イプ（１）を作ることができた。
【００２２】この実施例において、パイプは円環型中空
支持体を用いた。しかしその形状は角型中空支持体を用
いてもよい。また他の形とすることも可能である。
支持体を用いた。しかしその形状は角型中空支持体を用
いてもよい。また他の形とすることも可能である。
【００２３】かかる超電導セラミックパイプにおいて、
Ｔｃはタブレット等で作られた時のＴｃよりは５〜２０
Ｋ低い値となってしまった。しかしこれは初期のタブレ
ットでのＴｃを向上させるとともにより改良が可能であ
る。
Ｔｃはタブレット等で作られた時のＴｃよりは５〜２０
Ｋ低い値となってしまった。しかしこれは初期のタブレ
ットでのＴｃを向上させるとともにより改良が可能であ
る。
【００２４】本発明はかかるセラミックスを用いてエン
ドレスコイル構造の電力蓄積装置を作った。
ドレスコイル構造の電力蓄積装置を作った。
【００２５】図２にその縦断面図を示す。このエンドレ
スコイルは太陽電池等で発電した電気エネルギのバッテ
リとして用いることができる。
スコイルは太陽電池等で発電した電気エネルギのバッテ
リとして用いることができる。
【００２６】図面より明らかなごとく、予め中空を実施
例１と同様に有するパイプをコイル（７）形状に作る。
さらにこの始点（５），終点（６）も同様に中空パイプ
（４）で連結する。このエンドレスコイルは注入口
（８）を有する。この注入口は電気エネルギの入力およ
び出力端子として用いることができる。
例１と同様に有するパイプをコイル（７）形状に作る。
さらにこの始点（５），終点（６）も同様に中空パイプ
（４）で連結する。このエンドレスコイルは注入口
（８）を有する。この注入口は電気エネルギの入力およ
び出力端子として用いることができる。
【００２７】ここに実施例１と同様の方法で超電導セラ
ミックスを混合またはとかした溶液を注ぎ込む。
ミックスを混合またはとかした溶液を注ぎ込む。
【００２８】これを乾燥し、不要溶媒を気体として
（８），（８’）より放出し、パイプの内部を乾燥させ
る。さらに実施例１と同様に酸化物気体を導入し、セラ
ミックスを乾燥させる。
（８），（８’）より放出し、パイプの内部を乾燥させ
る。さらに実施例１と同様に酸化物気体を導入し、セラ
ミックスを乾燥させる。
【００２９】かくして内部が中空、かつその内壁に超電
導セラミックスがコーティングされたパイプ（１）を用
いたエンドレスコイル（７）を作ることができた。この
Ｔｃｏは実験では４５Ｋであった。しかし超電導材料の
選択によりＴｃｏを向上させ得る。また、この中空部に
液体水素を導入することにより、このエンドレスコイル
をして抵抗零の閉回路を作る例とし得たため、電気エネ
ルギ蓄積装置として用いることができた。この実施例に
おいて、電気エネルギの入力、出力部には失電力用ダイ
オードを設け、充電、放電させた時に無限大の電流が流
れないようにした。
導セラミックスがコーティングされたパイプ（１）を用
いたエンドレスコイル（７）を作ることができた。この
Ｔｃｏは実験では４５Ｋであった。しかし超電導材料の
選択によりＴｃｏを向上させ得る。また、この中空部に
液体水素を導入することにより、このエンドレスコイル
をして抵抗零の閉回路を作る例とし得たため、電気エネ
ルギ蓄積装置として用いることができた。この実施例に
おいて、電気エネルギの入力、出力部には失電力用ダイ
オードを設け、充電、放電させた時に無限大の電流が流
れないようにした。
【００３０】〔実施例２〕この実施例は（Ａ1-X Ｂｘ）
ｙＣｕＯｚ・（Ａ1-X ' Ｂ’ｘ’）ｙ’Ｃｕｚ’におい
て、ＡとしてＹｂ、Ｂ，Ｂ’としてＢａおよびＳｒを用
いた。ｘ，ｘ’として０．０７５，ｙ，ｙ’として２．
０を調整した。するとパイプ形状とした後もＴｃｏを７
４Ｋに保つことができた。その他は実施例１と同様であ
る。
ｙＣｕＯｚ・（Ａ1-X ' Ｂ’ｘ’）ｙ’Ｃｕｚ’におい
て、ＡとしてＹｂ、Ｂ，Ｂ’としてＢａおよびＳｒを用
いた。ｘ，ｘ’として０．０７５，ｙ，ｙ’として２．
０を調整した。するとパイプ形状とした後もＴｃｏを７
４Ｋに保つことができた。その他は実施例１と同様であ
る。
【００３１】〔実施例３〕この実施例は実施例１と同じ
成分を用い、仮焼成をした。材料を粉砕し、微粉末とし
た後、型に入れ、ドーナツ型または指輪型のリッグ構造
として再プレスし、本焼成を行った。
成分を用い、仮焼成をした。材料を粉砕し、微粉末とし
た後、型に入れ、ドーナツ型または指輪型のリッグ構造
として再プレスし、本焼成を行った。
【００３２】ここに外部より磁場を用いてエネルギを加
えた。 するとこのリング内を電流が無限時間流れ、電
力蓄積をさせ得る磁場を発生する。このエネルギの取り
出しは、このリングの磁場を切るようにして取り出すこ
とができる。
えた。 するとこのリング内を電流が無限時間流れ、電
力蓄積をさせ得る磁場を発生する。このエネルギの取り
出しは、このリングの磁場を切るようにして取り出すこ
とができる。
【００３３】
【発明の効果】本実施例はかかるパイプ形状とした後、
これらをその内部の中空部に冷却材である液体、例えば
液体窒素または液体水素を封入し、連続的にこのパイプ
を内部より最も温度が重要なセラミックスを直接冷やす
手段と同時になり得る。
これらをその内部の中空部に冷却材である液体、例えば
液体窒素または液体水素を封入し、連続的にこのパイプ
を内部より最も温度が重要なセラミックスを直接冷やす
手段と同時になり得る。
【００３４】また、この外側の金属を銅または銅の化合
物とすることにより、外部との溶接も可能であり、電気
装置の一部として用いることが可能である。この金属ま
たは金属化合物として銅または銅化合物とすることによ
り、特にその部品としての用途をひろげることができ
る。
物とすることにより、外部との溶接も可能であり、電気
装置の一部として用いることが可能である。この金属ま
たは金属化合物として銅または銅化合物とすることによ
り、特にその部品としての用途をひろげることができ
る。
【図１】本発明の超電導セラミックパイプ。
【図２】本発明のパイプを用いた電気蓄積装置のー例。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】 超電導装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の利用分野】本発明はセラミック系超電導材料を
利用した超伝導装置に関する。
利用した超伝導装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超電導材料はＮｂ−Ｇｅ（例えば
Ｎｂ３Ｇｅ）等の金属材料が用いられている。この材料
は金属であるため、延性、展性または曲げ性を高く有
し、超電導マグネット用コイル、また電力蓄積用コイル
として用いることが可能である。
Ｎｂ３Ｇｅ）等の金属材料が用いられている。この材料
は金属であるため、延性、展性または曲げ性を高く有
し、超電導マグネット用コイル、また電力蓄積用コイル
として用いることが可能である。
【０００３】しかし、この金属の超電導材料はＴｃ（超
電導臨界温度を以下Ｔｃという）オンセットが小さく、
２３Ｋまたはそれ以下でしかなかった。しかしその工業
的応用を考えるならば、このＴｃが１００Ｋまたはそれ
以上を有し、Ｔｃｏ（電気抵抗が零となる温度）が液体
窒素温度である７７Ｋまたはそれ以上であることがきわ
めて重要である。
電導臨界温度を以下Ｔｃという）オンセットが小さく、
２３Ｋまたはそれ以下でしかなかった。しかしその工業
的応用を考えるならば、このＴｃが１００Ｋまたはそれ
以上を有し、Ｔｃｏ（電気抵抗が零となる温度）が液体
窒素温度である７７Ｋまたはそれ以上であることがきわ
めて重要である。
【０００４】最近、かかる超電導材料として、銅の酸化
物セラミック材料が注目されている。しかしこの銅の酸
化物セラミックスは延性、展性および曲げ性に乏しい。
加えて成型した後の加工がきわめて困難であるという他
の欠点を有する。
物セラミック材料が注目されている。しかしこの銅の酸
化物セラミックスは延性、展性および曲げ性に乏しい。
加えて成型した後の加工がきわめて困難であるという他
の欠点を有する。
【０００５】
【従来の問題点】このため、銅の酸化物セラミックスよ
りなる超電導セラミックスを用いて、任意の形状の超電
導装置を作成することは、従来は困難であった。加え
て、超電導セラミックスを機械的に金属で補強する手段
も構造もまったく知られていない。
りなる超電導セラミックスを用いて、任意の形状の超電
導装置を作成することは、従来は困難であった。加え
て、超電導セラミックスを機械的に金属で補強する手段
も構造もまったく知られていない。
【０００６】
【問題を解決すべき手段】本発明は超電導セラミックス
を任意の形状に設けた超電導装置であって、前記超電導
装置は金属の支持体の外側または内側に銅の酸化物セラ
ミックスよりなる超電導セラミックスがコーティングさ
れて設けられたことを特徴とする超電導装置である。さ
らに本発明においては、このセラミックスに金属または
金属化合物の支持体を添わしめ、機械的補強に加えて、
このセラミックスが非超電導状態となった時も電流を流
し得る手段としている。
を任意の形状に設けた超電導装置であって、前記超電導
装置は金属の支持体の外側または内側に銅の酸化物セラ
ミックスよりなる超電導セラミックスがコーティングさ
れて設けられたことを特徴とする超電導装置である。さ
らに本発明においては、このセラミックスに金属または
金属化合物の支持体を添わしめ、機械的補強に加えて、
このセラミックスが非超電導状態となった時も電流を流
し得る手段としている。
【０００７】もし、前記支持体が中空パイプ形状を有し
ていた場合、超電導セラミックス材料の粉末を有機溶媒
と混合した原料等を前記パイプ内部に注ぎ込み、内部に
均一に超電導セラミックス材料からなる膜を均一に形成
する。次にこの中空パイプ全体を加熱し、液体成分であ
る溶媒全体を気化して除去する。するとこの超電導セラ
ミック材料は中空パイプの内壁にコーティングされる。
これを加熱し、焼成させるとともに、酸化または還元を
繰り返し行うことにより、超電導性を有するセラミック
材料、例えば銅の酸化物セラミックスである（Ａ１−ｘ
Ｂｘ）ｙＣｕＯｚ ｘ＝０．０１〜０．３，ｙ＝１．３
〜２．２，ｚ＝２．０〜４．５で示される分子構造を有
し、ＡがＹ（イットリューム），Ｇａ（ガリューム），
Ｚｒ（ジルコニューム），Ｎｂ（ニオブ），Ｇｅ（ゲル
マニューム），Ｙｂ（イッテルビューム）またはその他
のランタノイドより１つまたは複数種選ばれ、ＢはＲａ
（ラジューム），Ｂａ（バリューム）またはＳｒ（スト
ロンチューム），Ｃａ（カルシューム），Ｍｇ（マグネ
シューム），Ｂｅ（ベリリューム）より１つまたは複数
種選ばれ、セラミックスを形成する。
ていた場合、超電導セラミックス材料の粉末を有機溶媒
と混合した原料等を前記パイプ内部に注ぎ込み、内部に
均一に超電導セラミックス材料からなる膜を均一に形成
する。次にこの中空パイプ全体を加熱し、液体成分であ
る溶媒全体を気化して除去する。するとこの超電導セラ
ミック材料は中空パイプの内壁にコーティングされる。
これを加熱し、焼成させるとともに、酸化または還元を
繰り返し行うことにより、超電導性を有するセラミック
材料、例えば銅の酸化物セラミックスである（Ａ１−ｘ
Ｂｘ）ｙＣｕＯｚ ｘ＝０．０１〜０．３，ｙ＝１．３
〜２．２，ｚ＝２．０〜４．５で示される分子構造を有
し、ＡがＹ（イットリューム），Ｇａ（ガリューム），
Ｚｒ（ジルコニューム），Ｎｂ（ニオブ），Ｇｅ（ゲル
マニューム），Ｙｂ（イッテルビューム）またはその他
のランタノイドより１つまたは複数種選ばれ、ＢはＲａ
（ラジューム），Ｂａ（バリューム）またはＳｒ（スト
ロンチューム），Ｃａ（カルシューム），Ｍｇ（マグネ
シューム），Ｂｅ（ベリリューム）より１つまたは複数
種選ばれ、セラミックスを形成する。
【０００８】本発明で用いられるセラミックスは上記以
外の元素をＡ，Ｂまたは添加不純物として加えることが
可能である。
外の元素をＡ，Ｂまたは添加不純物として加えることが
可能である。
【０００９】本発明において、中空金属支持体の内壁に
第１の層として超電導セラミック材料がコーティングさ
れるが、さらにその上側にこの第１の層のセラミック材
料を十分固化した後、第２層のセラミック材料をコーテ
ィングすべく、同一工程を繰り返しすることは有効であ
る。またその場合、それぞれのコーティング層でＡまた
はＢの種類、Ｘ，Ｙ，Ｚの値の一部を変更してもよい。
第１の層として超電導セラミック材料がコーティングさ
れるが、さらにその上側にこの第１の層のセラミック材
料を十分固化した後、第２層のセラミック材料をコーテ
ィングすべく、同一工程を繰り返しすることは有効であ
る。またその場合、それぞれのコーティング層でＡまた
はＢの種類、Ｘ，Ｙ，Ｚの値の一部を変更してもよい。
【００１０】本発明において、さらにこれを繰り返して
多層構造としてもよいことはいうまでもない。
多層構造としてもよいことはいうまでもない。
【００１１】
【作用】本発明によって、延性、展性および曲げ性に乏
しく、加えて成型した後の加工がきわめて困難であると
いう欠点を有する超電導セラミックス材料を用いて、任
意の形状を有する超電導装置を作成することが可能にな
った。本装置は形状が任意なだけではなく、金属支持体
を有するため、超電導性が破壊された際にも電流のパス
が確保されており、信頼性の非常に高いものである。
しく、加えて成型した後の加工がきわめて困難であると
いう欠点を有する超電導セラミックス材料を用いて、任
意の形状を有する超電導装置を作成することが可能にな
った。本装置は形状が任意なだけではなく、金属支持体
を有するため、超電導性が破壊された際にも電流のパス
が確保されており、信頼性の非常に高いものである。
【００１２】また本発明の装置の形状を線状とした場
合、抵抗ゼロの超電導線が作成可能であり、これは従来
以上の大電流を流すことが可能となるし、コイル状とし
て始点と終点を互いに電気的に抵抗が零であるセラミッ
クスで連結することにより、エンドレスコイルとし得
る。このコイルは電流損失のないコイル、即ち電気エネ
ルギの蓄積用装置として用いることが可能となる。以下
図面に従って本発明の実施例を示す。
合、抵抗ゼロの超電導線が作成可能であり、これは従来
以上の大電流を流すことが可能となるし、コイル状とし
て始点と終点を互いに電気的に抵抗が零であるセラミッ
クスで連結することにより、エンドレスコイルとし得
る。このコイルは電流損失のないコイル、即ち電気エネ
ルギの蓄積用装置として用いることが可能となる。以下
図面に従って本発明の実施例を示す。
【００１３】
【実施例】 〔実施例１〕この実施例では（Ａ１−ｘＢｘ）ｙＣｕＯ
ｚにおいてＡとしてＹをＹ２Ｏ３，ＢとしてＢａをＢａ
ＣＯ３またＣｕとしてＣｕＯを用いた。それぞれ高純度
化学社製の９９．９５％以上のものを用いた。これらを
ｘ＝０．０５，ｘ＝０．０７５及びｘ＝０．１，ｙ＝
１．８，ｙ＝２．０，ｙ＝２．２とした。これらを混合
して９種類の混合物を作った。これらを一度３Ｋｇ／ｃ
ｍ２の圧力で加圧しタブレットとし７００℃、３時間さ
らに１０００℃、１０時間で大気中で仮焼成した。さら
にこれらを再び粉砕した。そしてその平均粒径が１００
μｍ以下、例えば１０μｍ程度となるようにした。この
混合物をカプセル内に封入し、再びこれを５Ｋｇ／ｃｍ
２の圧力でプレスし、タブレット状とした。そしてこれ
を１０００℃、１０時間酸化性雰囲気例えば大気中で本
焼成した。するとこの構造はペロブスカイト構造もみら
れるが、変形Ｋ２ＮｉＦ４型がＸ線解析像から観察され
た。
ｚにおいてＡとしてＹをＹ２Ｏ３，ＢとしてＢａをＢａ
ＣＯ３またＣｕとしてＣｕＯを用いた。それぞれ高純度
化学社製の９９．９５％以上のものを用いた。これらを
ｘ＝０．０５，ｘ＝０．０７５及びｘ＝０．１，ｙ＝
１．８，ｙ＝２．０，ｙ＝２．２とした。これらを混合
して９種類の混合物を作った。これらを一度３Ｋｇ／ｃ
ｍ２の圧力で加圧しタブレットとし７００℃、３時間さ
らに１０００℃、１０時間で大気中で仮焼成した。さら
にこれらを再び粉砕した。そしてその平均粒径が１００
μｍ以下、例えば１０μｍ程度となるようにした。この
混合物をカプセル内に封入し、再びこれを５Ｋｇ／ｃｍ
２の圧力でプレスし、タブレット状とした。そしてこれ
を１０００℃、１０時間酸化性雰囲気例えば大気中で本
焼成した。するとこの構造はペロブスカイト構造もみら
れるが、変形Ｋ２ＮｉＦ４型がＸ線解析像から観察され
た。
【００１４】次にこの本焼成したＴｃオンセットが４０
Ｋ以上好ましくは９０Ｋ，Ｔｃｏが好ましくは７７Ｋ以
上あることを電圧−電流−温度特性より確認する。
Ｋ以上好ましくは９０Ｋ，Ｔｃｏが好ましくは７７Ｋ以
上あることを電圧−電流−温度特性より確認する。
【００１５】再びこのタブレットを微粉末とした。そし
てこの平均粒径が１００μｍ以下〜５μｍ例えば３０μ
ｍになるようにした。この工程において、この粉砕の
際、その結晶構造が基本的に破壊しないように努めた。
てこの平均粒径が１００μｍ以下〜５μｍ例えば３０μ
ｍになるようにした。この工程において、この粉砕の
際、その結晶構造が基本的に破壊しないように努めた。
【００１６】この粉末を液体、例えばフロン液またはア
ルコール例えばエタノールその他の液体中に混合、また
は溶かした。
ルコール例えばエタノールその他の液体中に混合、また
は溶かした。
【００１７】この溶液を中空の支持体である図１に示し
た金属パイプ（２）、例えば銅または銅の化合物（例え
ばＮｉＣｕ化合物）の内部に他方を塞いで注いだ。この
パイプをセラミック粒子が内壁に均一な厚さに付着すべ
く、回転、上下振動をしつつ全体を１００〜４００℃の
温度に加熱した。
た金属パイプ（２）、例えば銅または銅の化合物（例え
ばＮｉＣｕ化合物）の内部に他方を塞いで注いだ。この
パイプをセラミック粒子が内壁に均一な厚さに付着すべ
く、回転、上下振動をしつつ全体を１００〜４００℃の
温度に加熱した。
【００１８】かくしてこの中空パイプの内部の溶媒を除
去することができ、その内壁にセラミック粒をコーティ
ング（３）した。
去することができ、その内壁にセラミック粒をコーティ
ング（３）した。
【００１９】この時内壁とより密着させやすくするた
め、エポキシ系、アクリル系の樹脂をとかした溶媒、例
えばトルエン等を用いてもよい。
め、エポキシ系、アクリル系の樹脂をとかした溶媒、例
えばトルエン等を用いてもよい。
【００２０】この後この内壁に付着し乾燥させたセラミ
ックスに対して、その中空部に酸素または酸素とアルゴ
ンの混合気体を導入して、酸化させつつ５００〜１１０
０℃、例えば６００℃３時間さらに８００℃５時間の加
熱焼成を行った。
ックスに対して、その中空部に酸素または酸素とアルゴ
ンの混合気体を導入して、酸化させつつ５００〜１１０
０℃、例えば６００℃３時間さらに８００℃５時間の加
熱焼成を行った。
【００２１】かかる工程をさらに１〜５回繰り返すこと
により、このセラミック材を５０μｍ〜１ｃｍ（代表的
には０．５〜５ｍｍ）の平均厚さにパイプ内に付着させ
ることが可能となった。かくして図１に示す如き中空支
持体（２）の内側に超電導セラミックス（３）を中空
（４）を有して本発明の超電導セラミックスを用いたパ
イプ（１）を作ることができた。
により、このセラミック材を５０μｍ〜１ｃｍ（代表的
には０．５〜５ｍｍ）の平均厚さにパイプ内に付着させ
ることが可能となった。かくして図１に示す如き中空支
持体（２）の内側に超電導セラミックス（３）を中空
（４）を有して本発明の超電導セラミックスを用いたパ
イプ（１）を作ることができた。
【００２２】この実施例において、パイプは円環型中空
支持体を用いた。しかしその形状は角型中空支持体を用
いてもよい。また他の形とすることも可能である。
支持体を用いた。しかしその形状は角型中空支持体を用
いてもよい。また他の形とすることも可能である。
【００２３】かかる超電導セラミックパイプにおいて、
Ｔｃはタブレット等で作られた時のＴｃよりは５〜２０
Ｋ低い値となってしまった。しかしこれは初期のタブレ
ットでのＴｃを向上させるとともにより改良が可能であ
る。
Ｔｃはタブレット等で作られた時のＴｃよりは５〜２０
Ｋ低い値となってしまった。しかしこれは初期のタブレ
ットでのＴｃを向上させるとともにより改良が可能であ
る。
【００２４】本発明はかかるセラミックスを用いてエン
ドレスコイル構造の電力蓄積装置を作った。
ドレスコイル構造の電力蓄積装置を作った。
【００２５】図２にその縦断面図を示す。このエンドレ
スコイルは太陽電池等で発電した電気エネルギのバッテ
リとして用いることができる。
スコイルは太陽電池等で発電した電気エネルギのバッテ
リとして用いることができる。
【００２６】図面より明らかなごとく、予め中空を実施
例１と同様に有するパイプをコイル（７）形状に作る。
さらにこの始点（５），終点（６）も同様に中空パイプ
（４）で連結する。このエンドレスコイルは注入口
（８）を有する。この注入口は電気エネルギの入力およ
び出力端子として用いることができる。
例１と同様に有するパイプをコイル（７）形状に作る。
さらにこの始点（５），終点（６）も同様に中空パイプ
（４）で連結する。このエンドレスコイルは注入口
（８）を有する。この注入口は電気エネルギの入力およ
び出力端子として用いることができる。
【００２７】ここに実施例１と同様の方法で超電導セラ
ミックスを混合またはとかした溶液を注ぎ込む。
ミックスを混合またはとかした溶液を注ぎ込む。
【００２８】これを乾燥し、不要溶媒を気体として
（８），（８’）より放出し、パイプの内部を乾燥させ
る。さらに実施例１と同様に酸化物気体を導入し、セラ
ミックスを乾燥させる。
（８），（８’）より放出し、パイプの内部を乾燥させ
る。さらに実施例１と同様に酸化物気体を導入し、セラ
ミックスを乾燥させる。
【００２９】かくして内部が中空、かつその内壁に超電
導セラミックスがコーティングされたパイプ（１）を用
いたエンドレスコイル（７）を作ることができた。この
Ｔｃｏは実験では４５Ｋであった。しかし超電導材料の
選択によりＴｃｏを向上させ得る。また、この中空部に
液体水素を導入することにより、このエンドレスコイル
をして抵抗零の閉回路を作る例とし得たため、電気エネ
ルギ蓄積装置として用いることができた。この実施例に
おいて、電気エネルギの入力、出力部には失電力用ダイ
オードを設け、充電、放電させた時に無限大の電流が流
れないようにした。
導セラミックスがコーティングされたパイプ（１）を用
いたエンドレスコイル（７）を作ることができた。この
Ｔｃｏは実験では４５Ｋであった。しかし超電導材料の
選択によりＴｃｏを向上させ得る。また、この中空部に
液体水素を導入することにより、このエンドレスコイル
をして抵抗零の閉回路を作る例とし得たため、電気エネ
ルギ蓄積装置として用いることができた。この実施例に
おいて、電気エネルギの入力、出力部には失電力用ダイ
オードを設け、充電、放電させた時に無限大の電流が流
れないようにした。
【００３０】〔実施例２〕この実施例は（Ａ１−ｘＢ
ｘ）ｙＣｕＯｚ・（Ａ１−ｘ’Ｂ’ｘ’）ｙ’Ｃｕｚ’
において、ＡとしてＹｂ、Ｂ，Ｂ’としてＢａおよびＳ
ｒを用いた。ｘ，ｘ’として０．０７５，ｙ，ｙ’とし
て２．０を調整した。するとパイプ形状とした後もＴｃ
ｏを７４Ｋに保つことができた。その他は実施例１と同
様である。
ｘ）ｙＣｕＯｚ・（Ａ１−ｘ’Ｂ’ｘ’）ｙ’Ｃｕｚ’
において、ＡとしてＹｂ、Ｂ，Ｂ’としてＢａおよびＳ
ｒを用いた。ｘ，ｘ’として０．０７５，ｙ，ｙ’とし
て２．０を調整した。するとパイプ形状とした後もＴｃ
ｏを７４Ｋに保つことができた。その他は実施例１と同
様である。
【００３１】〔実施例３〕この実施例は実施例１と同じ
成分を用い、仮焼成をした。材料を粉砕し、微粉末とし
た後、型に入れ、ドーナツ型または指輪型のリッグ構造
として再プレスし、本焼成を行った。
成分を用い、仮焼成をした。材料を粉砕し、微粉末とし
た後、型に入れ、ドーナツ型または指輪型のリッグ構造
として再プレスし、本焼成を行った。
【００３２】ここに外部より磁場を用いてエネルギを加
えた。するとこのリング内を電流が無限時間流れ、電力
蓄積をさせ得る磁場を発生する。このエネルギの取り出
しは、このリングの磁場を切るようにして取り出すこと
ができる。
えた。するとこのリング内を電流が無限時間流れ、電力
蓄積をさせ得る磁場を発生する。このエネルギの取り出
しは、このリングの磁場を切るようにして取り出すこと
ができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明により延性、展性および曲げ性に
乏しく、加えて成型した後の加工がきわめて困難である
という欠点を有する超電導セラミックス材料を用いて、
任意の形状を有する超電導装置を作成することが可能に
なった。本装置は形状が任意なだけではなく、金属支持
体を有するため、超電導性が破壊された際にも電流のパ
スが確保されており、信頼性の非常に高いものである。
乏しく、加えて成型した後の加工がきわめて困難である
という欠点を有する超電導セラミックス材料を用いて、
任意の形状を有する超電導装置を作成することが可能に
なった。本装置は形状が任意なだけではなく、金属支持
体を有するため、超電導性が破壊された際にも電流のパ
スが確保されており、信頼性の非常に高いものである。
【００３４】また、その構成も金属支持体の内側または
外側に超電導セラミックスからなる材料が膜状に１層以
上望ましくは複数層重ねて設けられたものあり、比較的
簡便な構成で達成しているものである。
外側に超電導セラミックスからなる材料が膜状に１層以
上望ましくは複数層重ねて設けられたものあり、比較的
簡便な構成で達成しているものである。
【００３５】本発明によって、超電導セラミックス材料
を用いて、従来の金属超電導材料と同程度に自由な形状
に設けることが可能となった。
を用いて、従来の金属超電導材料と同程度に自由な形状
に設けることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の超電導セラミックパイプ。
【図２】本発明のパイプを用いた電気蓄積装置の一例。
Claims (3)
- 【請求項１】銅の酸化物の超電導セラミックスをリング
状またはコイル状に設け、かつ始点と終点とを互いに連
結して設けられたことを特徴とする超電導セラミック材
料を用いた電力蓄積装置。 - 【請求項２】請求項１において、超電導セラミックスの
外側または内側に金属の支持体を設けたことを特徴とす
る超電導セラミック材料を用いた電力蓄積装置。 - 【請求項３】請求項１において、酸化物セラミックスは
（Ａ1-x ＢX ）ｙＣｕＯｚ ｘ＝０．０１〜０．３，ｙ
＝１．３〜２．２，ｚ＝２．０〜４．５で示される分子
構造を有し、ＡはＹ（イットリュ−ム），Ｇａ（ガリュ
ーム），Ｚｒ（ジルコニューム），Ｎｂ（ニオブ），Ｇ
ｅ（ゲルマニューム），Ｙｂ（イッテルビューム）また
はその他ランタノイドより１つまたは複数の元素が選ば
れ、ＢはＲａ（ラジューム），Ｂａ（バリューム）また
はＳｒ（ストロンチューム），Ｃａ（カルシューム），
Ｍａ（マグネシューム）またはＢｅ（ベリリューム）よ
り１つまたは複数の元素が選ばれた超電導性セラミック
材料であることを特徴とする超電導セラミック材料を用
いたパイプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3297945A JPH0628211B2 (ja) | 1987-03-20 | 1991-10-18 | 超電導装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62067028A JP2617306B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 超電導装置の作製方法 |
| JP3297945A JPH0628211B2 (ja) | 1987-03-20 | 1991-10-18 | 超電導装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62067028A Division JP2617306B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 超電導装置の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205940A true JPH05205940A (ja) | 1993-08-13 |
| JPH0628211B2 JPH0628211B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=13333020
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62067028A Expired - Fee Related JP2617306B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 超電導装置の作製方法 |
| JP3125245A Expired - Lifetime JPH0628210B2 (ja) | 1987-03-20 | 1991-04-27 | 超電導セラミック材料を用いた電力蓄積装置 |
| JP3297945A Expired - Lifetime JPH0628211B2 (ja) | 1987-03-20 | 1991-10-18 | 超電導装置 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62067028A Expired - Fee Related JP2617306B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 超電導装置の作製方法 |
| JP3125245A Expired - Lifetime JPH0628210B2 (ja) | 1987-03-20 | 1991-04-27 | 超電導セラミック材料を用いた電力蓄積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP2617306B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3240323B2 (ja) | 1998-11-30 | 2001-12-17 | 東北大学長 | 補強材と安定化材とを兼ねた超伝導磁石の製造方法 |
| EP1589542A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-10-26 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH | Supraleitendes Kabel und Verfahren zur Herstellung desselben |
| KR100720057B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-05-18 | 학교법인 한국산업기술대학 | 영구전류용 초전도자석 및 제조방법 |
| JP5570776B2 (ja) | 2009-09-24 | 2014-08-13 | トヨタ紡織株式会社 | 車両用シート |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5116757A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sumitomo Chemical Co | Fuenooruruiofukumu haisuino shoriho |
| JPS5666080A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tunnel-junction type josephson element and manufacture thereof |
| JPS5753011A (en) * | 1980-07-15 | 1982-03-29 | Imi Kynoch Ltd | Method of producing superconductor |
| JPS57164504A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Superconductive coil device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213404A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | トロイダル・コイル状超電導エネルギ−貯蔵装置 |
| JPS6123306A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-01-31 | Hitachi Ltd | 超電導コイルの冷却装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62067028A patent/JP2617306B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-27 JP JP3125245A patent/JPH0628210B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-18 JP JP3297945A patent/JPH0628211B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116757A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sumitomo Chemical Co | Fuenooruruiofukumu haisuino shoriho |
| JPS5666080A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Tunnel-junction type josephson element and manufacture thereof |
| JPS5753011A (en) * | 1980-07-15 | 1982-03-29 | Imi Kynoch Ltd | Method of producing superconductor |
| JPS57164504A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Superconductive coil device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628211B2 (ja) | 1994-04-13 |
| JP2617306B2 (ja) | 1997-06-04 |
| JPH0628210B2 (ja) | 1994-04-13 |
| JPH0582341A (ja) | 1993-04-02 |
| JPS63232405A (ja) | 1988-09-28 |
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