JPH0520603A - 磁気記録再生方式 - Google Patents
磁気記録再生方式Info
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- JPH0520603A JPH0520603A JP19574391A JP19574391A JPH0520603A JP H0520603 A JPH0520603 A JP H0520603A JP 19574391 A JP19574391 A JP 19574391A JP 19574391 A JP19574391 A JP 19574391A JP H0520603 A JPH0520603 A JP H0520603A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】膜面に対し実質的に一方向性の斜め磁気異方性
を有する磁気記録媒体を記録する際、ギャップ部の片側
のみに高飽和磁束密度材料を具備したリングヘッドの高
飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭とし、該斜
め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行させ、記録
・再生する。 【効果】磁気特性を大幅に改善することができる。
を有する磁気記録媒体を記録する際、ギャップ部の片側
のみに高飽和磁束密度材料を具備したリングヘッドの高
飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭とし、該斜
め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行させ、記録
・再生する。 【効果】磁気特性を大幅に改善することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録再生方式に関す
る。更に詳細には、本発明は斜め磁気異方性記録媒体に
おいて優れた磁気特性を実現できる磁気記録再生方式に
関する。
る。更に詳細には、本発明は斜め磁気異方性記録媒体に
おいて優れた磁気特性を実現できる磁気記録再生方式に
関する。
【０００２】
【従来の技術】情報社会の発展に伴い、記録技術の分野
に於いてはその大容量化そして高密度化の要求が著しく
高まりつつある。このような情勢の下、光記録、半導体
メモリなど各分野に於いて急速な技術改良が進められて
いる。この動きは、磁気記録の分野においても同様で、
最近では従来の磁性粉塗布型記録媒体から金属膜などの
薄膜型媒体への移行により、一層強力に高密度化を進め
ようという試みがなされ、既に一部実用化が始まってい
る。特に画像記録の分野においては、画質の高精細化、
デジタル化が急速に進歩するものと予想され、磁気テー
プなどに対しても一層の高密度記録技術の開発が強く望
まれている。
に於いてはその大容量化そして高密度化の要求が著しく
高まりつつある。このような情勢の下、光記録、半導体
メモリなど各分野に於いて急速な技術改良が進められて
いる。この動きは、磁気記録の分野においても同様で、
最近では従来の磁性粉塗布型記録媒体から金属膜などの
薄膜型媒体への移行により、一層強力に高密度化を進め
ようという試みがなされ、既に一部実用化が始まってい
る。特に画像記録の分野においては、画質の高精細化、
デジタル化が急速に進歩するものと予想され、磁気テー
プなどに対しても一層の高密度記録技術の開発が強く望
まれている。
【０００３】このような情況を背景に最近では、ベース
フィルム面に対し、Ｃｏ−Ｎｉ合金を斜め蒸着した斜め
磁気異方性薄膜（Metal-Evaporated tape 略してＭＥテ
ープと呼ぶ）がハイバンド８mmＶＴＲ用テープとして開
発され、既に商品化が始まっている。この材料は高密度
記録性能に優れ、これまでに開発されてきた幾多の記録
媒体材料の中でも、その性能面に於いて、最も優れた特
性を示す材料の一つである。
フィルム面に対し、Ｃｏ−Ｎｉ合金を斜め蒸着した斜め
磁気異方性薄膜（Metal-Evaporated tape 略してＭＥテ
ープと呼ぶ）がハイバンド８mmＶＴＲ用テープとして開
発され、既に商品化が始まっている。この材料は高密度
記録性能に優れ、これまでに開発されてきた幾多の記録
媒体材料の中でも、その性能面に於いて、最も優れた特
性を示す材料の一つである。
【０００４】通常、ＭＥテープの記録再生用磁気ヘッド
としては、ギャップ部両端に高飽和磁束密度センダス
ト、Ｃｏ基非晶質スパッタ膜を設けたいわゆるMetal-In
-Gap（略してＭＩＧ）タイプのリングヘッドが用いられ
ている。しかし、こうした磁気ヘッドと斜蒸着テープ
（ＭＥテープ）を組み合わせたとしても、将来の画質の
高精細化、デジタル化に充分追従できる程の記録特性を
実現することは困難であった。
としては、ギャップ部両端に高飽和磁束密度センダス
ト、Ｃｏ基非晶質スパッタ膜を設けたいわゆるMetal-In
-Gap（略してＭＩＧ）タイプのリングヘッドが用いられ
ている。しかし、こうした磁気ヘッドと斜蒸着テープ
（ＭＥテープ）を組み合わせたとしても、将来の画質の
高精細化、デジタル化に充分追従できる程の記録特性を
実現することは困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術が持つ欠点を解決し、斜め磁気異方性記録媒体にお
いて、優れた記録特性を発揮させる磁気記録再生方式を
提供することを目的とする。
技術が持つ欠点を解決し、斜め磁気異方性記録媒体にお
いて、優れた記録特性を発揮させる磁気記録再生方式を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、膜面に対し実質的に一方向性の斜め磁
気異方性を有する磁気記録媒体を記録する際、ギャップ
部の片側のみに高飽和磁束密度材料を具備したリングヘ
ッドの高飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭と
し、該斜め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行さ
せ、記録・再生することを特徴とする磁気記録再生方式
を提供する。
に、本発明では、膜面に対し実質的に一方向性の斜め磁
気異方性を有する磁気記録媒体を記録する際、ギャップ
部の片側のみに高飽和磁束密度材料を具備したリングヘ
ッドの高飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭と
し、該斜め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行さ
せ、記録・再生することを特徴とする磁気記録再生方式
を提供する。
【０００７】
【作用】前記のように、本発明の磁気記録再生方式で
は、ギャップ部の片側のみに高飽和磁束密度材料を具備
したリングヘッド（以下「片側ＭＩＧヘッド」と呼ぶ）
の高飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭とし、
斜め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行させるこ
とにより優れたＳ／Ｎ比および磁気特性を達成する。
は、ギャップ部の片側のみに高飽和磁束密度材料を具備
したリングヘッド（以下「片側ＭＩＧヘッド」と呼ぶ）
の高飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭とし、
斜め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行させるこ
とにより優れたＳ／Ｎ比および磁気特性を達成する。
【０００８】このように片側ＭＩＧヘッドの高飽和磁束
密度材料側のギャップエッジを先頭とし、斜め磁気異方
性記録媒体に対して順方向に走行させると磁気特性が改
善される正確なメカニズムは未だ解明されていないので
推測の域を出ないが、図１（ａ）に示されるように、磁
気異方性主軸方位４の上側から高飽和磁束密度材料側エ
ッジ２で記録書込みされると、次に低飽和磁束密度材料
側エッジ１は磁気異方性主軸方位４の下方部分の所しか
通過しないので、前に書込まれた情報はあまり消磁され
ずにそのまま残り、ヘッド通過後に残留する記録磁化は
大きくなるものと考えられる。一方、図１（ｂ）に示さ
れるように、リングヘッドの高飽和磁束密度材料側のギ
ャップエッジを先頭とし、斜め磁気異方性記録媒体に対
して逆方向に走行させた場合、先頭エッジ２で記録層３
の磁化困難軸に近い方向に強く深く記録されるが、磁化
困難軸に近いため大きな残留磁化は残らない。その後、
低飽和磁束密度材からなる後端エッジが通過しても、こ
こから発生するベクトル磁界が弱いために、弱い記録磁
化しか残留しないと考えられる。
密度材料側のギャップエッジを先頭とし、斜め磁気異方
性記録媒体に対して順方向に走行させると磁気特性が改
善される正確なメカニズムは未だ解明されていないので
推測の域を出ないが、図１（ａ）に示されるように、磁
気異方性主軸方位４の上側から高飽和磁束密度材料側エ
ッジ２で記録書込みされると、次に低飽和磁束密度材料
側エッジ１は磁気異方性主軸方位４の下方部分の所しか
通過しないので、前に書込まれた情報はあまり消磁され
ずにそのまま残り、ヘッド通過後に残留する記録磁化は
大きくなるものと考えられる。一方、図１（ｂ）に示さ
れるように、リングヘッドの高飽和磁束密度材料側のギ
ャップエッジを先頭とし、斜め磁気異方性記録媒体に対
して逆方向に走行させた場合、先頭エッジ２で記録層３
の磁化困難軸に近い方向に強く深く記録されるが、磁化
困難軸に近いため大きな残留磁化は残らない。その後、
低飽和磁束密度材からなる後端エッジが通過しても、こ
こから発生するベクトル磁界が弱いために、弱い記録磁
化しか残留しないと考えられる。
【０００９】本発明の所期の効果を得るには、リングヘ
ッドの低飽和磁束密度材料側と高飽和磁束密度材料側と
の飽和密度差は少なくとも１．２倍以上あることが必要
である。実用的なレベルとしては、１．４倍以上の差が
あることが好ましい。飽和密度差は大きいに越したこと
はないが、約１００００Ｇ程度で効果が飽和するので、
これ以上の差は単に不経済になるだけである。
ッドの低飽和磁束密度材料側と高飽和磁束密度材料側と
の飽和密度差は少なくとも１．２倍以上あることが必要
である。実用的なレベルとしては、１．４倍以上の差が
あることが好ましい。飽和密度差は大きいに越したこと
はないが、約１００００Ｇ程度で効果が飽和するので、
これ以上の差は単に不経済になるだけである。
【００１０】本発明で使用される片側ＭＩＧヘッドの構
成材料は例えば、低飽和磁束密度側材料として、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、非磁性元素の
リッチなアモルファス合金などが挙げられる。一方、高
飽和磁束密度側材料としてはパーマロイ、センダスト、
Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃ、Ｃｏ系非晶
質合金あるいばこうした合金の窒化物多層膜などが挙げ
られる。このような材料を用いて本発明の片側ＭＩＧヘ
ッドを作製する方法は当業者に周知なのでこれについて
特に説明する必要はないであろう。
成材料は例えば、低飽和磁束密度側材料として、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、非磁性元素の
リッチなアモルファス合金などが挙げられる。一方、高
飽和磁束密度側材料としてはパーマロイ、センダスト、
Ｆｅ−Ｓｉ、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃ、Ｃｏ系非晶
質合金あるいばこうした合金の窒化物多層膜などが挙げ
られる。このような材料を用いて本発明の片側ＭＩＧヘ
ッドを作製する方法は当業者に周知なのでこれについて
特に説明する必要はないであろう。
【００１１】また、上述のような斜め磁気異方性記録膜
を片側ＭＩＧヘッドにより順方向記録することにより、
優れた記録特性を実現するためには、斜め磁気異方性主
軸の実質的方向が、膜面より１０度〜８０度立ち上がっ
ていることが好ましい。立上がり角が１０度未満では原
理的に高密度記録性能に優れた垂直磁化の記録モードを
活かすことができなくなり十分な高密度記録性能が得ら
れない。一方、立上がり角が８０度超では両端に高飽和
磁束密度材を設けたいわゆる両側ＭＩＧヘッドの場合と
殆ど変わらぬ記録再生特性が得られ、何れにしろ飽和記
録が困難であり、顕著な記録特性の改善は見られない。
を片側ＭＩＧヘッドにより順方向記録することにより、
優れた記録特性を実現するためには、斜め磁気異方性主
軸の実質的方向が、膜面より１０度〜８０度立ち上がっ
ていることが好ましい。立上がり角が１０度未満では原
理的に高密度記録性能に優れた垂直磁化の記録モードを
活かすことができなくなり十分な高密度記録性能が得ら
れない。一方、立上がり角が８０度超では両端に高飽和
磁束密度材を設けたいわゆる両側ＭＩＧヘッドの場合と
殆ど変わらぬ記録再生特性が得られ、何れにしろ飽和記
録が困難であり、顕著な記録特性の改善は見られない。
【００１２】斜め磁気異方性記録膜３と片側ＭＩＧヘッ
ド１を組み合わせ、図１(a) の相対位置関係を保ち１個
のヘッドで記録及び再生を行うことができるが、別法と
して、記録のみを図１(a) の配置で行い、信号再生を他
の磁気ヘッド例えば、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）により行えば、記録再生特性は更に一層向上され
る。しかし、この記録再生方法はコストが高くなる。
ド１を組み合わせ、図１(a) の相対位置関係を保ち１個
のヘッドで記録及び再生を行うことができるが、別法と
して、記録のみを図１(a) の配置で行い、信号再生を他
の磁気ヘッド例えば、磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）により行えば、記録再生特性は更に一層向上され
る。しかし、この記録再生方法はコストが高くなる。
【００１３】記録媒体としては、膜面に対し実質的に一
方向性の斜め磁気異方性を有する記録膜であればよい
が、こうした膜は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉあるいはそれらを
主体とする合金を基板面に対し斜めに入射堆積させれば
形成することができる。その製造装置の一例を図２(a)
，(b) に示す。
方向性の斜め磁気異方性を有する記録膜であればよい
が、こうした膜は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉあるいはそれらを
主体とする合金を基板面に対し斜めに入射堆積させれば
形成することができる。その製造装置の一例を図２(a)
，(b) に示す。
【００１４】図２(a) は、斜め蒸着用のバッチ蒸着装置
の概略図で、基板５に対し、蒸発源６からの蒸気流が斜
め方向から入射されるようになっている。また図２(b)
は、長尺テープを作製するための巻取式蒸着装置で、マ
スク１２位置を調整することにより斜め蒸着を実現して
いる。なお、ここでは、蒸着装置の一例を示したが、イ
オンプレーティング、スパッタリングなど他の薄膜形成
法の場合でも、基板に対し金属原子を斜めに入射させれ
ば、斜め磁気異方性膜を得ることができた。また、膜の
磁気特性、機械特性向上のために、真空槽中に、酸素、
窒素、不活性ガスあるいはそれらの混合ガスを導入しな
がら、膜形成を行ってもよい。
の概略図で、基板５に対し、蒸発源６からの蒸気流が斜
め方向から入射されるようになっている。また図２(b)
は、長尺テープを作製するための巻取式蒸着装置で、マ
スク１２位置を調整することにより斜め蒸着を実現して
いる。なお、ここでは、蒸着装置の一例を示したが、イ
オンプレーティング、スパッタリングなど他の薄膜形成
法の場合でも、基板に対し金属原子を斜めに入射させれ
ば、斜め磁気異方性膜を得ることができた。また、膜の
磁気特性、機械特性向上のために、真空槽中に、酸素、
窒素、不活性ガスあるいはそれらの混合ガスを導入しな
がら、膜形成を行ってもよい。
【００１５】本発明に利用できる斜め磁気異方性記録膜
は、上述のような金属系の薄膜に限らず、磁性微粒子を
バインダ中に分散させ、基体上に塗布した媒体（いわゆ
る塗布型媒体）であってもよい。使用される磁性微粒子
としては、γ−Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｆｅ3 Ｏ4 ，Ｃｏ被着γ−
Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ、Ｆｅ合金などの針状粒子等が挙げら
れる。
は、上述のような金属系の薄膜に限らず、磁性微粒子を
バインダ中に分散させ、基体上に塗布した媒体（いわゆ
る塗布型媒体）であってもよい。使用される磁性微粒子
としては、γ−Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｆｅ3 Ｏ4 ，Ｃｏ被着γ−
Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ、Ｆｅ合金などの針状粒子等が挙げら
れる。
【００１６】前者の針状粒子の場合には、その主たる磁
気異方性は形状異方性に因るものであり、このような材
料により斜め磁気異方性を持たせるには、図３の断面概
略図に示すように、針状粒子を実質的に基板面に対し斜
め配向させればよい。なお、この場合、膜厚方向に対
し、均一に粒子が斜め配向している必要は必ずしもな
く、膜全体の平均で斜め磁気異方性が発揮されれば、本
発明の効果は現れる。
気異方性は形状異方性に因るものであり、このような材
料により斜め磁気異方性を持たせるには、図３の断面概
略図に示すように、針状粒子を実質的に基板面に対し斜
め配向させればよい。なお、この場合、膜厚方向に対
し、均一に粒子が斜め配向している必要は必ずしもな
く、膜全体の平均で斜め磁気異方性が発揮されれば、本
発明の効果は現れる。
【００１７】後者の板状粒子の場合には、概ねその磁気
異方性が結晶磁気異方性によるため、結晶主軸の配向方
向を適宜調整することにより、斜め磁気異方性膜を形成
することができる。
異方性が結晶磁気異方性によるため、結晶主軸の配向方
向を適宜調整することにより、斜め磁気異方性膜を形成
することができる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を例証する。
実施例１
厚さ９μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フ
ィルムを基板５とし、図２(b) の巻取蒸着装置を用い
て、Ｃｏ−Ｎｉ合金６の蒸着を行った。なお蒸着時には
ガス導入孔８より酸素ガスを導入することにより、磁気
特性及び機械特性の改善を図った。このようにして作製
したＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜の磁気異方性主軸は、図４に示す
ように平均的に約３５度膜面より立ち上がっていた。な
お、この異方性主軸方位θは、反磁場補正したトルク曲
線から求めた。このようにして作製した斜め磁気異方性
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜を１／２インチテープに切り出し、ド
ラムテスタにより記録特性を測定した。実験に使用した
磁気ヘッドは、表１に示すフェライトヘッド、ＭＩＧヘ
ッド、片側ＭＩＧヘッドである。なおＭＩＧ及び片側Ｍ
ＩＧヘッドに用いた高飽和磁束密度材料は、Ｃｏ−Ｎｂ
−Ｚｒ非晶質体であり、その飽和磁束密度は９３００ガ
ウスであった。一方、低飽和磁束密度材料はＭｎ−Ｚｎ
フェライトであり、その飽和磁束密度は５５００ガウス
であった。
ィルムを基板５とし、図２(b) の巻取蒸着装置を用い
て、Ｃｏ−Ｎｉ合金６の蒸着を行った。なお蒸着時には
ガス導入孔８より酸素ガスを導入することにより、磁気
特性及び機械特性の改善を図った。このようにして作製
したＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜の磁気異方性主軸は、図４に示す
ように平均的に約３５度膜面より立ち上がっていた。な
お、この異方性主軸方位θは、反磁場補正したトルク曲
線から求めた。このようにして作製した斜め磁気異方性
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｏ膜を１／２インチテープに切り出し、ド
ラムテスタにより記録特性を測定した。実験に使用した
磁気ヘッドは、表１に示すフェライトヘッド、ＭＩＧヘ
ッド、片側ＭＩＧヘッドである。なおＭＩＧ及び片側Ｍ
ＩＧヘッドに用いた高飽和磁束密度材料は、Ｃｏ−Ｎｂ
−Ｚｒ非晶質体であり、その飽和磁束密度は９３００ガ
ウスであった。一方、低飽和磁束密度材料はＭｎ−Ｚｎ
フェライトであり、その飽和磁束密度は５５００ガウス
であった。
【００１９】
【表１】
表１
ヘッド番号 構 造 ギャップ長 トラック幅
Ａ フェライトヘッド ０．１９μｍ ２６μｍ
Ｂ ＭＩＧヘッド ０．１８μｍ ２６μｍ
Ｃ 片側ＭＩＧヘッド ０．１９μｍ ２６μｍ
【００２０】評価結果を表２に示す。なお、全てのＣＮ
比の測定結果は、フェライトヘッド（ヘッドＡ）の順方
向記録の値を０ｄＢとし、この値を基準とした。表中、
使用ヘッドのＣ（Ｌ）は、片側ＭＩＧヘッドＣの高飽和
磁束密度側のギャップ端を先頭になるように走行させた
場合、Ｃ（Ｔ）は後端になるように設定した場合を示
す。
比の測定結果は、フェライトヘッド（ヘッドＡ）の順方
向記録の値を０ｄＢとし、この値を基準とした。表中、
使用ヘッドのＣ（Ｌ）は、片側ＭＩＧヘッドＣの高飽和
磁束密度側のギャップ端を先頭になるように走行させた
場合、Ｃ（Ｔ）は後端になるように設定した場合を示
す。
【００２１】
【表２】
表２
ＣＮ比（ｄＢ） 使用ヘッド
ヘッド走行方向 記録密度１０ｋＦＣＩ １００ｋＦＣＩ
Ａ 順方向 ０ ０
Ｂ 順方向 ＋０．６ ＋３．５
Ｂ 逆方向 −０．１ −１．７
Ｃ（Ｌ） 順方向 ＋２．７ ＋６．４
Ｃ（Ｌ） 逆方向 −０．５ −２．３
Ｃ（Ｔ） 順方向 ＋０．５ ＋１．６
【００２２】実施例２
真空蒸着法により、厚さ１０μｍのポリイミドフィルム
基板上に３種の記録層を形成した。それらの構成及び磁
気異方性主軸の傾きθを下記の表３に要約して示す。な
お、表中の媒体ａのみは斜め入射の条件で作製し、他は
垂直入射とした。
基板上に３種の記録層を形成した。それらの構成及び磁
気異方性主軸の傾きθを下記の表３に要約して示す。な
お、表中の媒体ａのみは斜め入射の条件で作製し、他は
垂直入射とした。
【００２３】
【表３】
表３
磁気異方性主軸 試料名
記 録 層 下 地 層 の傾きθ（度）
媒体ａ ０．２μｍ厚Ｃｏ−Ｃｒ層 −−−− ６５
媒体ｂ ０．２μｍ厚Ｃｏ−Ｃｒ層 ０．０３μｍ厚Ｔｉ層 ９０
媒体ｃ ０．２μｍ厚Ｃｏ−Ｃｒ層 ０．１０μｍ厚Ｃｒ層 ０
【００２４】前記の各媒体の記録特性を評価した。記録
特性の評価法は実施例１で使用された方法と同じ方法を
使用した。ただし、磁気ヘッドとしては片側ＭＩＧヘッ
ド（ヘッドＣ）を用い順方向記録した。また、いずれの
場合もヘッドの高飽和磁束密度側のギャップ端が先行端
となるようにした。評価結果を下記の表４に要約して示
す。なお、表中におけるＣＮ比は、媒体ａのＣＮ比を基
準とした。
特性の評価法は実施例１で使用された方法と同じ方法を
使用した。ただし、磁気ヘッドとしては片側ＭＩＧヘッ
ド（ヘッドＣ）を用い順方向記録した。また、いずれの
場合もヘッドの高飽和磁束密度側のギャップ端が先行端
となるようにした。評価結果を下記の表４に要約して示
す。なお、表中におけるＣＮ比は、媒体ａのＣＮ比を基
準とした。
【００２５】
【表４】
表４
媒 体 １０ｋＦＣＩのＣＮ比 １００ｋＦＣＩのＣＮ比
ａ ０ ｄＢ ０ ｄＢ
ｂ −４．７ｄＢ −３．８ｄＢ
ｃ ＋０．２ｄＢ −１０．４ｄＢ
【００２６】実施例３
軸比１０の針状鉄微粒子をバインダ中に分散させ、ＰＥ
Ｔフィルム基体上に塗布、乾燥した。粒子の配向方向は
乾燥前の塗布層に外部磁界を印加させることにより変化
させた。塗布層の斜め磁気異方性の主軸方位はトルクメ
ータにより実施例１に述べたものと同様な方法で測定し
た。記録特性の測定結果を下記の表５に要約して示す。
なお、表中のＣＮ比は、ＭＩＧヘッド（ヘッドＢ）とθ
＝０の媒体を組み合わせた場合の値を０ｄＢとし、この
値を基準とした。
Ｔフィルム基体上に塗布、乾燥した。粒子の配向方向は
乾燥前の塗布層に外部磁界を印加させることにより変化
させた。塗布層の斜め磁気異方性の主軸方位はトルクメ
ータにより実施例１に述べたものと同様な方法で測定し
た。記録特性の測定結果を下記の表５に要約して示す。
なお、表中のＣＮ比は、ＭＩＧヘッド（ヘッドＢ）とθ
＝０の媒体を組み合わせた場合の値を０ｄＢとし、この
値を基準とした。
【００２７】
【表５】
表５
使用ヘッド 磁気異方性主軸方位θ（度） １００ｋＦＣＩのＣＮ比
Ｂ ０ ０ ｄＢ
１５ ＋０．５ｄＢ
６０ ＋０．２ｄＢ
Ｃ（Ｌ） ０ ＋０．１ｄＢ
１５ ＋４．３ｄＢ
６０ ＋２．８ｄＢ
Ｃ（Ｔ） ０ ±０．１ｄＢ
１５ ＋０．１ｄＢ
６０ −０．３ｄＢ
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、膜面に対し一方向
性の斜め磁気異方性を有する磁気記録媒体を記録する
際、片側ＭＩＧヘッドの高飽和磁束密度材料側のエッジ
をリーディングエッジとし、該記録媒体に対し順方向走
行させて記録することにより、記録特性を大幅に向上で
きる。
性の斜め磁気異方性を有する磁気記録媒体を記録する
際、片側ＭＩＧヘッドの高飽和磁束密度材料側のエッジ
をリーディングエッジとし、該記録媒体に対し順方向走
行させて記録することにより、記録特性を大幅に向上で
きる。
【図１】(a) は本発明の磁気記録再生方式を示す模式図
であり、(b) は本発明と異なり、ヘッドを記録媒体に対
して逆方向に走行させて記録再生させた状態を示す模式
図である。
であり、(b) は本発明と異なり、ヘッドを記録媒体に対
して逆方向に走行させて記録再生させた状態を示す模式
図である。
【図２】(a) は本発明の磁気記録再生方式に適した磁気
記録媒体の作製に使用されるバッチ式真空蒸着装置の一
例の模式的断面図であり、(b) は本発明の磁気記録再生
方式に適した磁気記録媒体の作製に使用される連続式真
空蒸着装置の一例の模式的断面図である。
記録媒体の作製に使用されるバッチ式真空蒸着装置の一
例の模式的断面図であり、(b) は本発明の磁気記録再生
方式に適した磁気記録媒体の作製に使用される連続式真
空蒸着装置の一例の模式的断面図である。
【図３】針状磁性体粒子を基板面に対し斜め配向させた
状態を示す模式的断面図である。
状態を示す模式的断面図である。
【図４】実施例１で作製されたＣｏ−Ｎｉ−Ｏ膜の磁気
異方性主軸の方向を示す概念図である。
異方性主軸の方向を示す概念図である。
１ ＭＩＧヘッドの低飽和磁束密度材料側
２ ＭＩＧヘッドの高飽和磁束密度材料側
３ 斜め磁気異方性記録膜
４ 磁気異方性主軸方位
５ 基板
７ 電子銃
８ バリアブルリークバルブ
９ 排気孔
１０ ロール
１１ キャンロール
１３ 針状磁性粒子
１４ バインダ
１５ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 膜面に対し実質的に一方向性の斜め磁気
異方性を有する磁気記録媒体を記録する際、ギャップ部
の片側のみに高飽和磁束密度材料を具備したリングヘッ
ドの高飽和磁束密度材料側のギャップエッジを先頭と
し、該斜め磁気異方性記録媒体に対して順方向に走行さ
せ、記録および／または再生することを特徴とする磁気
記録再生方式。 - 【請求項２】 高飽和磁束密度材料側のギャップエッジ
は他方のギャップエッジに対して少なくとも１．２倍以
上の飽和磁束密度強度差を有することを特徴とする請求
項１の磁気記録再生方式。 - 【請求項３】 磁気異方性主軸の実質的方向が膜面より
１０〜８０°立ち上がっていることを特徴とする請求項
１の磁気記録再生方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19574391A JPH0520603A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 磁気記録再生方式 |
| US08/343,876 US20010050829A1 (en) | 1991-07-10 | 1994-11-17 | Magnetic recording and reproducing system including a ring head of materials having different saturation flux densities |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19574391A JPH0520603A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 磁気記録再生方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520603A true JPH0520603A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16346233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19574391A Pending JPH0520603A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 磁気記録再生方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520603A (ja) |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP19574391A patent/JPH0520603A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000418 |