JPH05206100A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH05206100A JPH05206100A JP1064392A JP1064392A JPH05206100A JP H05206100 A JPH05206100 A JP H05206100A JP 1064392 A JP1064392 A JP 1064392A JP 1064392 A JP1064392 A JP 1064392A JP H05206100 A JPH05206100 A JP H05206100A
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- Japan
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- tube
- phosphoric acid
- quartz tube
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン窒化膜のエッチングに使用するリン
酸ボイル処理槽の加熱部の構造に関し，石英とリン酸と
の反応を防止することによりパーティクルの発生を完全
に抑制してリン酸を高純度に保つ。 【構成】 リン酸ボイル処理槽１１の加熱部１２は，ヒ
ーター管１４，およびこのヒーター管１４を覆うヒータ
ー保護石英管１５から成る。ヒーター管１４の表面に
は，ヒーター管１４とヒーター保護石英管１５の内面と
が接触するのを防止するために，複数個の突起物１６が
設けられている。ヒーター保護石英管１５の表面は，発
泡材１７で覆われている。
酸ボイル処理槽の加熱部の構造に関し，石英とリン酸と
の反応を防止することによりパーティクルの発生を完全
に抑制してリン酸を高純度に保つ。 【構成】 リン酸ボイル処理槽１１の加熱部１２は，ヒ
ーター管１４，およびこのヒーター管１４を覆うヒータ
ー保護石英管１５から成る。ヒーター管１４の表面に
は，ヒーター管１４とヒーター保護石英管１５の内面と
が接触するのを防止するために，複数個の突起物１６が
設けられている。ヒーター保護石英管１５の表面は，発
泡材１７で覆われている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体製造装置，特に
リン酸ボイル処理槽の加熱部の構造に関する。
リン酸ボイル処理槽の加熱部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造プロセスにおいて，シ
リコン窒化膜のエッチングは，加熱した高純度のリン酸
液中にウエハーを浸漬することにより行っている。これ
には，図１（ａ）に示すリン酸ボイル処理槽１１が使用
される。リン酸ボイル処理槽１１内には，高純度のリン
酸１３が満たされる。また，リン酸ボイル処理槽１１
は，図からわかるように，オーバーフロー等の循環式の
構造となっている。リン酸ボイル処理槽１１内に満たさ
れたリン酸１３は，槽１１の底部に設けられた加熱部１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによって所定の温度に加
熱される。
リコン窒化膜のエッチングは，加熱した高純度のリン酸
液中にウエハーを浸漬することにより行っている。これ
には，図１（ａ）に示すリン酸ボイル処理槽１１が使用
される。リン酸ボイル処理槽１１内には，高純度のリン
酸１３が満たされる。また，リン酸ボイル処理槽１１
は，図からわかるように，オーバーフロー等の循環式の
構造となっている。リン酸ボイル処理槽１１内に満たさ
れたリン酸１３は，槽１１の底部に設けられた加熱部１
２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによって所定の温度に加
熱される。
【０００３】図２に，従来の加熱部の断面を示す。図
中，２１はヒーター管，２２はヒーター保護石英管であ
る。図２に示すように，従来の加熱部は，ヒーター管２
１と，ヒーター管２１が直接リン酸と接触するのを防止
するために，ヒーター管２１を覆うヒーター保護石英管
２２とから構成されている。
中，２１はヒーター管，２２はヒーター保護石英管であ
る。図２に示すように，従来の加熱部は，ヒーター管２
１と，ヒーター管２１が直接リン酸と接触するのを防止
するために，ヒーター管２１を覆うヒーター保護石英管
２２とから構成されている。
【０００４】以上の構成を有する加熱部は，ヒーター管
２１が発生する熱により加熱されたヒーター保護石英管
２２の輻射熱によってリン酸をボイルする。
２１が発生する熱により加熱されたヒーター保護石英管
２２の輻射熱によってリン酸をボイルする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】リン酸ボイル処理槽に
設けられた従来の加熱部は，図２からわかるように，ヒ
ーター管２１が，底部において，ヒーター保護石英管２
２の内面と接触している。この結果，ヒーター管２１と
ヒーター保護石英管２２とが接触している部分は，過剰
に加熱されることになり，ヒーター保護石英管２２の外
面がリン酸と反応し，エッチングされると共にＳｉＰ2
Ｏ7 等のパーティクルが発生して，リン酸中に不純物が
溶出する，という問題があった。
設けられた従来の加熱部は，図２からわかるように，ヒ
ーター管２１が，底部において，ヒーター保護石英管２
２の内面と接触している。この結果，ヒーター管２１と
ヒーター保護石英管２２とが接触している部分は，過剰
に加熱されることになり，ヒーター保護石英管２２の外
面がリン酸と反応し，エッチングされると共にＳｉＰ2
Ｏ7 等のパーティクルが発生して，リン酸中に不純物が
溶出する，という問題があった。
【０００６】さらに，ヒーター管２１とヒーター保護石
英管２２との接触部の過剰加熱が長時間続くと，接触部
にピンホールが発生する。これは，リン酸ボイル処理槽
の破壊へとつながり，高温のリン酸が流出する事故が発
生する，という問題もあった。
英管２２との接触部の過剰加熱が長時間続くと，接触部
にピンホールが発生する。これは，リン酸ボイル処理槽
の破壊へとつながり，高温のリン酸が流出する事故が発
生する，という問題もあった。
【０００７】本発明は，上記の問題点を解決して，石英
とリン酸との反応を防止することによりパーティクルの
発生を完全に抑制してリン酸を高純度に保つことのでき
る半導体製造装置，特にリン酸ボイル処理槽の加熱部を
提供することを目的とする。
とリン酸との反応を防止することによりパーティクルの
発生を完全に抑制してリン酸を高純度に保つことのでき
る半導体製造装置，特にリン酸ボイル処理槽の加熱部を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明に係る半導体製造装置は，ヒーター管，お
よび該ヒーター管を覆うヒーター保護石英管から成る，
リン酸ボイル処理槽の加熱部であって，ヒーター管の表
面に設けられ，ヒーター管とヒーター保護石英管の内面
が接触するのを防止する複数個の突起物を有するように
構成する。
めに，本発明に係る半導体製造装置は，ヒーター管，お
よび該ヒーター管を覆うヒーター保護石英管から成る，
リン酸ボイル処理槽の加熱部であって，ヒーター管の表
面に設けられ，ヒーター管とヒーター保護石英管の内面
が接触するのを防止する複数個の突起物を有するように
構成する。
【０００９】さらに，上記構成において，ヒーター保護
石英管の表面を，全面に連続して，あるいは等間隔に断
続して発泡材で覆うように構成する。
石英管の表面を，全面に連続して，あるいは等間隔に断
続して発泡材で覆うように構成する。
【００１０】
【作用】本発明では，ヒーター管の表面に，ヒーター管
とヒーター保護石英管の内面が接触するのを防止するた
めに，複数個の突起物を設けている。この結果，ヒータ
ー保護石英管の過剰加熱部分が無くなるので，ヒーター
保護石英管とリン酸との反応によるＳｉＰ2 Ｏ7 等のパ
ーティクルの発生を完全に抑制することが可能になる。
とヒーター保護石英管の内面が接触するのを防止するた
めに，複数個の突起物を設けている。この結果，ヒータ
ー保護石英管の過剰加熱部分が無くなるので，ヒーター
保護石英管とリン酸との反応によるＳｉＰ2 Ｏ7 等のパ
ーティクルの発生を完全に抑制することが可能になる。
【００１１】また，ヒーター保護石英管のピンホール発
生による高温リン酸流出事故を防止することが可能にな
る。さらに，ヒーター保護石英管の表面を，全面に連続
して，あるいは等間隔に断続して発泡材で覆うことによ
り，リン酸の突沸するのを防止することが可能になる。
生による高温リン酸流出事故を防止することが可能にな
る。さらに，ヒーター保護石英管の表面を，全面に連続
して，あるいは等間隔に断続して発泡材で覆うことによ
り，リン酸の突沸するのを防止することが可能になる。
【００１２】
【実施例】図１は，本発明の一実施例を示す図であり，
図（ａ）は処理槽全体図，図（ｂ）は加熱部拡大図であ
る。
図（ａ）は処理槽全体図，図（ｂ）は加熱部拡大図であ
る。
【００１３】図中，１１はリン酸ボイル処理槽，１２は
加熱部，１３は高純度のリン酸，１４はヒーター管，１
５はヒーター保護石英管，１６は突起物，１７は発泡材
である。 図（ａ）に示すように，リン酸ボイル処理槽
１１内には，高純度のリン酸１３が満たされる。また，
リン酸ボイル処理槽１１は，図からわかるように，オー
バーフロー等の循環式の構造となっている。リン酸ボイ
ル処理槽１１内に満たされたリン酸１３は，槽１１の底
部に設けられた加熱部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
によって所定の温度に加熱される。
加熱部，１３は高純度のリン酸，１４はヒーター管，１
５はヒーター保護石英管，１６は突起物，１７は発泡材
である。 図（ａ）に示すように，リン酸ボイル処理槽
１１内には，高純度のリン酸１３が満たされる。また，
リン酸ボイル処理槽１１は，図からわかるように，オー
バーフロー等の循環式の構造となっている。リン酸ボイ
ル処理槽１１内に満たされたリン酸１３は，槽１１の底
部に設けられた加熱部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ
によって所定の温度に加熱される。
【００１４】図（ｂ）に示すように，ヒーター管１４の
表面に，ヒーター管１４とヒーター保護石英管１５の内
面が接触するのを防止するために，突起物１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。突起物１６は，
石英でできており，ヒーター管１４の中心が常にヒータ
ー保護石英管１５の中心に位置するよう，予めその高さ
を定めておく。
表面に，ヒーター管１４とヒーター保護石英管１５の内
面が接触するのを防止するために，突起物１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄが設けられている。突起物１６は，
石英でできており，ヒーター管１４の中心が常にヒータ
ー保護石英管１５の中心に位置するよう，予めその高さ
を定めておく。
【００１５】これにより，ヒーター管１４とヒーター保
護石英管１５の内面とが接触することがなくなるので，
ヒーター保護石英管１５の過剰加熱部分が無くなるの
で，ヒーター保護石英管１５とリン酸との反応によるＳ
ｉＰ2 Ｏ7 等のパーティクルの発生を完全に抑制するこ
とができる。
護石英管１５の内面とが接触することがなくなるので，
ヒーター保護石英管１５の過剰加熱部分が無くなるの
で，ヒーター保護石英管１５とリン酸との反応によるＳ
ｉＰ2 Ｏ7 等のパーティクルの発生を完全に抑制するこ
とができる。
【００１６】また，ヒーター保護石英管１５のピンホー
ル発生による高温リン酸流出事故を防止することができ
る。さらに，ヒーター保護石英管１５の表面を，石英な
どから成る発泡材１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄで覆
っているので，リン酸が突沸するのを防止することがで
きる。
ル発生による高温リン酸流出事故を防止することができ
る。さらに，ヒーター保護石英管１５の表面を，石英な
どから成る発泡材１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄで覆
っているので，リン酸が突沸するのを防止することがで
きる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば，リン酸液中のパーティ
クルの発生を完全に抑制することが可能になるので，リ
ン酸液を高純度に保つことが可能になる。したがって，
常に安定した高純度のリン酸を使用することができる。
クルの発生を完全に抑制することが可能になるので，リ
ン酸液を高純度に保つことが可能になる。したがって，
常に安定した高純度のリン酸を使用することができる。
【００１８】以上のことから，半導体装置の製造歩留ま
りの向上および薬品の使用寿命の延長が実現する。これ
らの点から，本発明は，半導体装置の製造コストの低減
に寄与するところが大きい。
りの向上および薬品の使用寿命の延長が実現する。これ
らの点から，本発明は，半導体装置の製造コストの低減
に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】従来例を示す図である。
１１ リン酸ボイル処理槽 １２ 加熱部 １３ 高純度のリン酸 １４ ヒーター管 １５ ヒーター保護石英管 １６ 突起物 １７ 発泡材
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒーター管，および該ヒーター管を覆う
ヒーター保護石英管から成る，リン酸ボイル処理槽の加
熱部であって，ヒーター管の表面に設けられ，ヒーター
管とヒーター保護石英管の内面が接触するのを防止する
複数個の突起物を有することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 請求項１において，ヒーター保護石英管
の表面を，全面に連続して，あるいは等間隔に断続して
発泡材で覆ったことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04010643A JP3131483B2 (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04010643A JP3131483B2 (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206100A true JPH05206100A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3131483B2 JP3131483B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=11755901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04010643A Expired - Fee Related JP3131483B2 (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131483B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1760170A2 (en) | 2005-09-05 | 2007-03-07 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| CN107864523A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-30 | 苏州刘爱英科技信息咨询有限公司 | 一种高效电加热管 |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP04010643A patent/JP3131483B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1760170A2 (en) | 2005-09-05 | 2007-03-07 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| US8277893B2 (en) | 2005-09-05 | 2012-10-02 | Japan Pionics Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus |
| CN107864523A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-03-30 | 苏州刘爱英科技信息咨询有限公司 | 一种高效电加热管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3131483B2 (ja) | 2001-01-31 |
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Legal Events
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