JPH05206193A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05206193A
JPH05206193A JP4013378A JP1337892A JPH05206193A JP H05206193 A JPH05206193 A JP H05206193A JP 4013378 A JP4013378 A JP 4013378A JP 1337892 A JP1337892 A JP 1337892A JP H05206193 A JPH05206193 A JP H05206193A
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JP
Japan
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semiconductor element
wire
thin plate
insulating thin
hole
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Withdrawn
Application number
JP4013378A
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Inventor
Yoshihiro Matsumoto
義宏 松本
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子のボンディングパッドと同じ位置
に穴を開けた絶縁性薄板を該半導体素子上に装着し、該
穴を介してボンディングすることにより、ボンディング
ワイヤーが半導体素子に接触あるいは変形する不具合を
生じさせずにパッケージを薄型化する。 【構成】 テフロン製の絶縁性薄板１は、半導体素子２
のボンディングパッドと同じ位置に穴を有している。半
導体素子２上に絶縁性薄板１を装着した後Ａｕ線ワイヤ
ー４にて半導体素子２とリードフレーム３とをボンディ
ングする。その後モールド樹脂５にてモールドする。Ａ
ｕ線ワイヤー４はモールド時に変形しても半導体素子２
に接触することはない。また絶縁性薄板１を介している
ので最短距離でワイヤーボンディングでき、薄型化でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に半導体素子表面に絶縁性薄板をはさみ込んだモールド
パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置のパッケージ
は、プラスチックのモールド樹脂等の非導電性材を成形
することにより、半導体素子をとり囲む構造となってい
る。
【０００３】すなわち、半導体素子は、リードフレーム
のアイランド部にマウントされた後、リードフレームの
内部リード部と、半導体素子の外部との電気的接続をと
るためのアルミパッドとを、Ａｕ線やＡｌ線といった導
電性ワイヤーで接続し、モールド樹脂等の非導電性材で
封止、成形することでパッケージとしている。
【０００４】従って、半導体素子表面と、モールド樹脂
との間には何も挿入されていないのが通常である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子（ペレッ
ト）上のアルミパッドと、リードフレームとの電気的接
続は、通常Ａｕ線、Ａｌ線等の導電性ワイヤーによって
接続することで行なっている。
【０００６】この際、導電性ワイヤーの長さ、太さ、材
質や半導体チップのアルミパッドと、リードフレームの
内部リードとの位置関係によっては、ワイヤーがペレッ
トに接触したり、封入時に張力がかかり切断したり、樹
脂の封入方向にワイヤーが流れたりする問題点がある。
【０００７】さらに、ワイヤーの上述した不具合を避け
るために、ワイヤーにペレットからの一定の高さが必要
で、パッケージの薄型化には不利となる問題点があっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のパ
ッケージでは、半導体素子をリードフレームにマウント
後、半導体素子表面に絶縁性薄板を適当な接着材で装着
する。
【０００９】この絶縁性薄板には、半導体素子のアルミ
パッド部と同じ位置に、アルミパッド（約１００μm
□）より、数μm 大きい穴があいており、この穴を通し
て導電性のワイヤーで半導体素子のアルミパッドとリー
ドフレームの内部リードとを接続させた構造となってい
る。
【００１０】この構造の為、導電性ワイヤーがペレット
に接触することはなく、ワイヤーの高さも低くすること
が可能である。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【００１２】図１は、本発明の実施例１の縦断面図であ
る。また、図２（ａ）は、本実施例で用いた絶縁性薄板
の上方より見た図である。絶縁性薄板の厚さは約２００
μmであり、材質はテフロンである。従って、耐熱性、
耐薬品性に優れている。
【００１３】半導体素子のアルミパッド位置に合わせて
絶縁性薄板１には１２０μm 四方の四角い穴があけられ
ており、この穴を通して半導体素子２のアルミパッド
と、リードフレーム３の内部リードとを、３０μm φの
Ａｕ線ワイヤー４で接続する。
【００１４】絶縁性薄板１の穴の周囲は２０μm 程の導
電性の縁取り７があり、本実施例ではＣｕが蒸着されて
いる（図２（ｂ））。これによってワイヤーが穴の縁で
こすれて切断されにくい構造となっている。
【００１５】図３は、本発明の実施例２で用いた絶縁性
薄板の上方より見た図である。
【００１６】ワイヤーがあたる穴の部分はすべてテフロ
ンでできており、それ以外の部分は、導電性薄板８でで
きている。
【００１７】導電性薄板としては、Ｃｕ板を使用してい
る。
【００１８】本実施例では、導電性薄板８が外部からの
電界及び磁界を緩和する効果を有する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明は半導体素子
の表面に半導体素子のアルミパッドと同じ位置に穴を形
成させた絶縁性薄板を装着し、上述した穴を通して半導
体素子のアルミパッドとリードフレームとの電気的接続
をとる構造としたのでワイヤーがペレットに接続したり
せず、また、ワイヤーを最短距離で接続できるため、樹
脂封入時にワイヤーが流れるといった不具合が起こりに
くい。
【００２０】さらにワイヤーのペレットからの高さを低
くすることができ、パッケージの薄型化にも有利となる
といった効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の縦断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施例１で用いた絶縁性薄板
の上方より見た図である。（ｂ）は本発明の絶縁性薄板
のボンディング用穴部分の拡大図である。
【図３】本発明の実施例２で用いた絶縁性薄板の上方よ
り見た図である。
【符号の説明】
１ 絶縁性薄板 ２ 半導体素子（チップ） ３ リードフレーム ４ Ａｕ線ワイヤー ５ モールド樹脂 ６ ボンディング用穴 ７ 導電性（Ｃｕ）の縁取り ８ 導電性薄板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置のモールドパッケージにおい
    て、半導体素子の表面に半導体素子のアルミパッドと同
    じ位置に穴を形成させた絶縁性薄板を装着し、上述した
    穴を通して半導体素子のアルミパッドとリードフレーム
    とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
JP4013378A 1992-01-28 1992-01-28 半導体装置 Withdrawn JPH05206193A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4013378A JPH05206193A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 半導体装置

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JP4013378A JPH05206193A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 半導体装置

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Publication Number Publication Date
JPH05206193A true JPH05206193A (ja) 1993-08-13

Family

ID=11831437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4013378A Withdrawn JPH05206193A (ja) 1992-01-28 1992-01-28 半導体装置

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JP (1) JPH05206193A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483459B1 (ko) * 1998-08-14 2005-07-07 삼성전자주식회사 Fbga소자
US7739118B2 (en) 2004-06-01 2010-06-15 Nec Corporation Information transmission system and information transmission method

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KR100483459B1 (ko) * 1998-08-14 2005-07-07 삼성전자주식회사 Fbga소자
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Legal Events

Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990408