JPH05206232A - 半導体装置の性能検査装置 - Google Patents

半導体装置の性能検査装置

Info

Publication number
JPH05206232A
JPH05206232A JP4011736A JP1173692A JPH05206232A JP H05206232 A JPH05206232 A JP H05206232A JP 4011736 A JP4011736 A JP 4011736A JP 1173692 A JP1173692 A JP 1173692A JP H05206232 A JPH05206232 A JP H05206232A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
measurement
heating
cooling
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4011736A
Other languages
English (en)
Inventor
Tasuke Tanaka
太助 田中
Shinichi Yoshimoto
眞一 葭本
Noboru Uchida
昇 内田
Hitoshi Nakano
仁 中野
Osami Nagano
修身 永野
Hiroshi Sato
博 佐藤
Tomohiro Taira
朋博 平
Kazuki Nojiri
一機 野尻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4011736A priority Critical patent/JPH05206232A/ja
Publication of JPH05206232A publication Critical patent/JPH05206232A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 テストのスタート時点における雰囲気条件を
設定する時間を短縮する。また、測定時間を短縮したと
きに、測定精度にバラッキを防止する。 【構成】 半導体装置の性能検査装置において、半導体
装置を比熱の大きい絶縁性の液体に入れる手段と、加熱
又は冷却を行いながら測定を行うことが可能な加熱・冷
却手段を備えたものである。 【効果】 比熱の大きい絶縁性液体中にICを浸すこと
により、短時間でICを所定の温度に加熱・冷却するこ
とができる。これにより、温度制御の精度も向上するこ
とができるので、テスティングスループットの向上及び
測定精度の向上をはかることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置(以下、I
Cという)の選別工程において、被測定ICを高温又は
低温の状態にし、測定を行う半導体装置の性能検査装置
に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の性能検査装置におい
ては、ICを密閉した空間の空気中の温度制御で加熱又
は冷却を行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術で
は、テストのスタート時点における雰囲気条件を設定す
るのに時間かかりすぎるという問題があった。例えば、
予備加熱・冷却時間がかかり、温度条件を設定するのに
時間がかかりすぎるという問題があった。
【0004】また、雰囲気条件が一定であっても、それ
に順応する時間が長いため、測定時間を短縮したいと
き、測定精度にバラッキが生じるという問題があった。
【0005】本発明の目的は、テストのスタート時点に
おける雰囲気条件を設定する時間を短縮することが可能
な技術を提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、測定時間を短縮した
ときに、測定精度にバラッキを防止することが可能な技
術を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0009】すなわち、半導体装置の性能検査装置にお
いて、半導体装置を比熱の大きい絶縁性の液体に入れる
手段と、加熱冷却を行いながら測定を行うことが可能な
加熱冷却手段を備えたものである。
【0010】
【作用】前述した手段によれば、半導体装置を比熱が大
きく絶縁性の液体に入れる手段と、加熱冷却を行いなが
ら測定を行うことが可能な加熱冷却手段を備えたことに
より、短時間で精度良く、ICの温度を設定温度に到達
させることができるので、テストのスタート時点におけ
る雰囲気条件の設定時間を短縮することができる。
【0011】これにより、測定時間を短縮したときに、
測定精度にバラッキを防止することができる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
【0013】図1は、本発明の一実施例の半導体装置の
性能検査装置の構成を示す斜視図、図2は、図1の上か
ら見た平面図である。
【0014】図1及び図2において、1はローダロボッ
ト、2は測定部ロボット、3はアンローダロボット、4
はコンタクトソケット、5はターンテーブル(ヒートプ
レス)6は収納受渡ステーション、7は温風ブロー、8
はコンタクトワーク押え、9はヒートカプセル、10は
供給トランスファ、12は収納トランスファ、12は空
トレー収納部、13は供給部、14は空トレー供給部、
15は第1収納部、16は第2収納部、21はテストベ
ッド、22は恒温槽、23は制御卓である。
【0015】前記恒温槽22には、ポリエン化ビフィニ
ール(PCB)を注入しておき、試験工程別に温度を設
定しておく。試験工程別による設定温度は、例えば、0
℃、25℃、85℃である。
【0016】前記恒温槽(液体槽)22の内部には予備
加熱・冷却ユニットが設けられている。この予備加熱・
冷却ユニットは、コンタクトソケット4、ターンテーブ
ル(ヒートプレス)5、収納受渡ステーション6、温風
ブロー7等で構成されている。
【0017】図1及び図2に示すように、ICは供給ト
ランスファ10にセットされ、ローダロボット1により
恒温槽(液体槽)22の内部のターンテーブル5に搬送
される。この搬送されたICは、コンタクトソケット4
にセットされる順番を待つている間に加熱又は冷却され
る。すなわち、加熱、冷却用の恒温槽(液体槽)22と
加熱装置、冷却装置(図示していない)をそれぞれ設
け、加熱又は冷却した恒温槽22の中に被測定ICを浸
して加熱又は冷却することにより、ICは所定の温度に
保たれ、この状態で測定検査される。測定検査が終わる
と、測定部ロボット2により収納受渡ステーション6に
搬送され、アンローダロボット3により第1収納15又
は第2収納部16に搬送される。
【0018】以上の説明からわかるように、本実施例に
よれば、ICを比熱が大きく絶縁性の液体に入れる手段
と、加熱冷却を行いながら測定を行うことが可能な加熱
冷却手段を備えたことにより、短時間で精度良く、IC
の温度を設定温度に到達させることができるので、テス
トのスタート時点における雰囲気条件の設定時間を短縮
することができる。
【0019】これにより、測定時間を短縮したときに、
測定精度にバラッキを防止することができる。
【0020】以上、本発明を実施例にもとづき具体的に
説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは言うまでもない。
【0021】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、比熱の大きい絶縁性液体中にICを浸すことによ
り、短時間でICを所定の温度に加熱・冷却することが
できる。これにより、温度制御の精度も向上することが
できるので、テスティングスループットの向上及び測定
精度の向上をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の半導体装置の性能検査装
置の構成を示す斜視図、
【図2】 図1の上から見た平面図。
【符号の説明】
1…ローダロボット、2…測定部ロボット、3…アンロ
ーダロボット、4…コンタクトソケット、5…ターンテ
ーブル(ヒートプレス)、6…収納受渡ステーション、
7…温風ブロー、8…コンタクトワーク押え、9…ヒー
トカプセル、10…供給トランスファ、12…空トレー
収納部、13…供給部、14…空トレー供給部、15…
第1収納部、16…第2収納部、21…テストベッド、
22…恒温槽、23…制御卓。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 仁 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 永野 修身 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 佐藤 博 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 平 朋博 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 野尻 一機 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 株 式会社日立製作所武蔵工場内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の性能検査装置において、半
    導体装置を比熱の大きい絶縁性の液体に入れる手段と、
    加熱又は冷却を行いながら測定を行うことが可能な加熱
    ・冷却手段を備えたことを特徴とする半導体装置の性能
    検査装置。
JP4011736A 1992-01-27 1992-01-27 半導体装置の性能検査装置 Pending JPH05206232A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4011736A JPH05206232A (ja) 1992-01-27 1992-01-27 半導体装置の性能検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4011736A JPH05206232A (ja) 1992-01-27 1992-01-27 半導体装置の性能検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05206232A true JPH05206232A (ja) 1993-08-13

Family

ID=11786322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4011736A Pending JPH05206232A (ja) 1992-01-27 1992-01-27 半導体装置の性能検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05206232A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999005535A1 (de) * 1997-07-22 1999-02-04 M & R Automatisierung Von Industrieanlagen Gesellschaft Mbh Mess- und sortieranlagen zum messen und sortieren von widerstandskörpern sowie ein verfahren
JP2008180893A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置およびプログラム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999005535A1 (de) * 1997-07-22 1999-02-04 M & R Automatisierung Von Industrieanlagen Gesellschaft Mbh Mess- und sortieranlagen zum messen und sortieren von widerstandskörpern sowie ein verfahren
US6750416B1 (en) 1997-07-22 2004-06-15 M&R Automatisierung Von Industrieanlagen Instrument for measuring and sorting resistors and method therefor
JP2008180893A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置およびプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6889764B2 (en) Cooling device and cooling method
US6552561B2 (en) Apparatus and method for controlling temperature in a device under test using integrated temperature sensitive diode
JP2544015Y2 (ja) Ic試験装置
KR970706501A (ko) 반도체 디바이스 시험장치
US6501290B2 (en) Direct to chuck coolant delivery for integrated circuit testing
JP3780692B2 (ja) Ic検査装置における温度制御方法
JP2000329821A (ja) 半導体試験装置のハンドラ
JP3416668B2 (ja) プロービングカード
JP3258631B2 (ja) 無風処理式環境試験装置及び支持装置
JPH06236908A (ja) プローブ装置
JPH06236909A (ja) プローブ装置
JPH0943310A (ja) Ic試験装置
JPS63226936A (ja) 半導体ウエハ載置台
JP3774057B2 (ja) Ic試験装置
JPH05288800A (ja) 温度特性試験装置
JPH08210881A (ja) 検査方法及び検査装置
JPH0529419A (ja) 半導体装置の昇降温装置
JPS6165173A (ja) 電子部品検査用ソケツト
JPH0653294A (ja) プロービング装置
JP2586089Y2 (ja) 高温用オートハンドラの温度補償機能つき制御器
JPS6124822B2 (ja)
JP2956217B2 (ja) ワイヤボンド用加熱装置及びワイヤボンド用加熱方法
JPS633279A (ja) Icの高低温ハンドリング装置
JPH07294595A (ja) 高低温槽にキャリアが循環するオートハンドラ
JP2002198405A (ja) 半導体測定装置