JPH05206531A - 超伝導デバイスの製造方法 - Google Patents
超伝導デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH05206531A JPH05206531A JP3345939A JP34593991A JPH05206531A JP H05206531 A JPH05206531 A JP H05206531A JP 3345939 A JP3345939 A JP 3345939A JP 34593991 A JP34593991 A JP 34593991A JP H05206531 A JPH05206531 A JP H05206531A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- srtio
- underlayer
- conductive layer
- layer
- superconducting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳｒＴｉＯ3 下地を用いた超伝導デバイスの
製造方法に関し，ＳｒＴｉＯ3 下地とその上に堆積する
酸化物超伝導体や金属とのコンタクト抵抗の低減，およ
びＳｒＴｉＯ3 下地中への導電層や抵抗層の形成を可能
にする。 【構成】 ＳｒＴｉＯ3 下地１１上にレジスト１２を塗
布した後，パターニングして開口部を形成する。表面に
イオンビームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ
3 下地１１の表面に表面導電層１３を形成する。（１）
開口部内に，酸化物超伝導体や金属１４を堆積して，こ
の堆積物１４とＳｒＴｉＯ3 下地１１とを電気的に接続
する。（２）表面にイオンビームを照射して，開口部に
露出したＳｒＴｉＯ3 下地１１の表面に形成された表面
導電層１３を半導体配線層または抵抗層として用いる。
製造方法に関し，ＳｒＴｉＯ3 下地とその上に堆積する
酸化物超伝導体や金属とのコンタクト抵抗の低減，およ
びＳｒＴｉＯ3 下地中への導電層や抵抗層の形成を可能
にする。 【構成】 ＳｒＴｉＯ3 下地１１上にレジスト１２を塗
布した後，パターニングして開口部を形成する。表面に
イオンビームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ
3 下地１１の表面に表面導電層１３を形成する。（１）
開口部内に，酸化物超伝導体や金属１４を堆積して，こ
の堆積物１４とＳｒＴｉＯ3 下地１１とを電気的に接続
する。（２）表面にイオンビームを照射して，開口部に
露出したＳｒＴｉＯ3 下地１１の表面に形成された表面
導電層１３を半導体配線層または抵抗層として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，超伝導デバイスの製造
方法，特にＳｒＴｉＯ3 下地を用いた超伝導デバイスの
製造方法に関する。
方法，特にＳｒＴｉＯ3 下地を用いた超伝導デバイスの
製造方法に関する。
【０００２】超伝導体を用いた電子デバイスは，高速動
作が可能で，消費電力が小さいことから，盛んに研究開
発が行われている。
作が可能で，消費電力が小さいことから，盛んに研究開
発が行われている。
【０００３】
【従来の技術】ＳｒＴｉＯ3 は，不純物としてＴａ，Ｎ
ｂ，Ｚｒなどをドープしたり，高温でアニールして酸素
を抜くことにより，キャリアが生成されてｎ型の半導体
になる。
ｂ，Ｚｒなどをドープしたり，高温でアニールして酸素
を抜くことにより，キャリアが生成されてｎ型の半導体
になる。
【０００４】また，ＳｒＴｉＯ3 は，酸化物超伝導体と
類似のペロブスカイト結晶構造を持ち，格子定数が近
い，酸化物超伝導体薄膜を堆積した時に相互拡散しにく
いことから，高温超伝導体とのヘテロ接合も形成しやす
い。
類似のペロブスカイト結晶構造を持ち，格子定数が近
い，酸化物超伝導体薄膜を堆積した時に相互拡散しにく
いことから，高温超伝導体とのヘテロ接合も形成しやす
い。
【０００５】このような半導体あるいは絶縁体ＳｒＴｉ
Ｏ3 を用いて，次のようなトランジスタが考えられてい
る。 （１）超伝導ＦＥＴ［図７（ａ）］ これは，ｎ−ＳｒＴｉＯ3 基板４１の表面に，互いに離
隔して超伝導体ソース電極４３および超伝導体ドレイン
電極４４を形成し，ソースおよびドレインの間に，ノン
ドープＳｒＴｉＯ3 層４５を介して超伝導体ゲート電極
４６を形成したものである。
Ｏ3 を用いて，次のようなトランジスタが考えられてい
る。 （１）超伝導ＦＥＴ［図７（ａ）］ これは，ｎ−ＳｒＴｉＯ3 基板４１の表面に，互いに離
隔して超伝導体ソース電極４３および超伝導体ドレイン
電極４４を形成し，ソースおよびドレインの間に，ノン
ドープＳｒＴｉＯ3 層４５を介して超伝導体ゲート電極
４６を形成したものである。
【０００６】超伝導体ソース電極４３および超伝導体ド
レイン電極４４と，ｎ−ＳｒＴｉＯ 3 基板４１とのコン
タクトをとるために，超伝導体ソース電極４３および超
伝導体ドレイン電極４４の下部のｎ−ＳｒＴｉＯ3 基板
４１を高濃度にドープして，ｎ+ −ＳｒＴｉＯ3 領域４
２ａ，４２ｂを形成している。
レイン電極４４と，ｎ−ＳｒＴｉＯ 3 基板４１とのコン
タクトをとるために，超伝導体ソース電極４３および超
伝導体ドレイン電極４４の下部のｎ−ＳｒＴｉＯ3 基板
４１を高濃度にドープして，ｎ+ −ＳｒＴｉＯ3 領域４
２ａ，４２ｂを形成している。
【０００７】（２）誘電体ベーストランジスタ［図７
（ｂ）］ これは，ノンドープＳｒＴｉＯ3 基板５１の表面に，低
誘電率絶縁層５４を介して超伝導体エミッタ電極５５を
形成し，このエミッタ電極５５を囲むように，超伝導体
コレクタ電極５３を形成し，ノンドープＳｒＴｉＯ3 基
板５１の裏面に超伝導金属ベース電極５６を形成したも
のである。
（ｂ）］ これは，ノンドープＳｒＴｉＯ3 基板５１の表面に，低
誘電率絶縁層５４を介して超伝導体エミッタ電極５５を
形成し，このエミッタ電極５５を囲むように，超伝導体
コレクタ電極５３を形成し，ノンドープＳｒＴｉＯ3 基
板５１の裏面に超伝導金属ベース電極５６を形成したも
のである。
【０００８】超伝導体コレクタ電極５３とノンドープＳ
ｒＴｉＯ3 基板５１とのコンタクトをとるために，超伝
導体コレクタ電極５３の下部のノンドープＳｒＴｉＯ3
基板５１を高濃度にドープして，ｎ+ −ＳｒＴｉＯ3 領
域５２ａ，５２ｂを形成している。
ｒＴｉＯ3 基板５１とのコンタクトをとるために，超伝
導体コレクタ電極５３の下部のノンドープＳｒＴｉＯ3
基板５１を高濃度にドープして，ｎ+ −ＳｒＴｉＯ3 領
域５２ａ，５２ｂを形成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のＳｒＴｉＯ3 を
用いた超伝導デバイスは，超伝導体ソース電極，超伝導
体ドレイン電極，および超伝導体コレクタ電極と，Ｓｒ
ＴｉＯ3 基板とのコンタクトを良好にするために，超伝
導体ソース電極，超伝導体ドレイン電極，および超伝導
体コレクタ電極の下部のＳｒＴｉＯ3 基板を高濃度にド
ープしていた。
用いた超伝導デバイスは，超伝導体ソース電極，超伝導
体ドレイン電極，および超伝導体コレクタ電極と，Ｓｒ
ＴｉＯ3 基板とのコンタクトを良好にするために，超伝
導体ソース電極，超伝導体ドレイン電極，および超伝導
体コレクタ電極の下部のＳｒＴｉＯ3 基板を高濃度にド
ープしていた。
【００１０】しかし，ＳｒＴｉＯ3 基板を選択的に高濃
度にドープしてコンタクト領域を形成することは，極め
て難しく，また形成されたコンタクト領域のコンタクト
抵抗は，要求を満たすほど低くない，という問題があっ
た。
度にドープしてコンタクト領域を形成することは，極め
て難しく，また形成されたコンタクト領域のコンタクト
抵抗は，要求を満たすほど低くない，という問題があっ
た。
【００１１】本発明は，上記の問題点を解決して，Ｓｒ
ＴｉＯ3 下地とその上に堆積する酸化物超伝導体や金属
とのコンタクト抵抗の低減，およびＳｒＴｉＯ3 下地中
への導電層や抵抗層の形成を可能にする超伝導デバイス
の製造方法，特にＳｒＴｉＯ 3 下地を用いた超伝導デバ
イスの製造方法を提供することを目的とする。
ＴｉＯ3 下地とその上に堆積する酸化物超伝導体や金属
とのコンタクト抵抗の低減，およびＳｒＴｉＯ3 下地中
への導電層や抵抗層の形成を可能にする超伝導デバイス
の製造方法，特にＳｒＴｉＯ 3 下地を用いた超伝導デバ
イスの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明に係る超伝導デバイスの製造方法は，次の
ように構成する。
めに，本発明に係る超伝導デバイスの製造方法は，次の
ように構成する。
【００１３】（１）ＳｒＴｉＯ3 下地上に，電気的に接
続された酸化物超伝導体や金属を堆積する超伝導デバイ
スの製造方法であって，ＳｒＴｉＯ3 下地の表面にイオ
ンビームを選択的に照射して，該ＳｒＴｉＯ3 下地の表
面に表面導電層を形成する工程と，該表面導電層上に酸
化物超伝導体や金属を堆積して，該堆積物とＳｒＴｉＯ
3 下地とを電気的に接続する工程とを含むように構成す
る。
続された酸化物超伝導体や金属を堆積する超伝導デバイ
スの製造方法であって，ＳｒＴｉＯ3 下地の表面にイオ
ンビームを選択的に照射して，該ＳｒＴｉＯ3 下地の表
面に表面導電層を形成する工程と，該表面導電層上に酸
化物超伝導体や金属を堆積して，該堆積物とＳｒＴｉＯ
3 下地とを電気的に接続する工程とを含むように構成す
る。
【００１４】（２）ＳｒＴｉＯ3 下地中に導電層や抵抗
層を形成する超伝導デバイスの製造方法であって，Ｓｒ
ＴｉＯ3 下地の表面にイオンビームを選択的に照射し
て，ＳｒＴｉＯ3 下地の表面に表面導電層を形成する工
程を含むように構成する。
層を形成する超伝導デバイスの製造方法であって，Ｓｒ
ＴｉＯ3 下地の表面にイオンビームを選択的に照射し
て，ＳｒＴｉＯ3 下地の表面に表面導電層を形成する工
程を含むように構成する。
【００１５】
【作用】ＳｒＴｉＯ3 は，アルゴン（Ａｒ）イオンビー
ムなどの高速イオン粒子を表面に照射すると，表面に導
電層が形成される。表面導電層の面抵抗は，イオンビー
ム照射の強さおよび時間によって変化する。イオンビー
ムの加速電圧を２００〜１０００Ｖ，イオン電流密度を
０．２〜１ｍＡ／ｃｍ2 として，１〜２０分間のアルゴ
ン（Ａｒ）イオンビーム照射を行うと，ＳｒＴｉＯ3 表
面の面抵抗は，２ＭΩ〜１００Ωまで変化する。
ムなどの高速イオン粒子を表面に照射すると，表面に導
電層が形成される。表面導電層の面抵抗は，イオンビー
ム照射の強さおよび時間によって変化する。イオンビー
ムの加速電圧を２００〜１０００Ｖ，イオン電流密度を
０．２〜１ｍＡ／ｃｍ2 として，１〜２０分間のアルゴ
ン（Ａｒ）イオンビーム照射を行うと，ＳｒＴｉＯ3 表
面の面抵抗は，２ＭΩ〜１００Ωまで変化する。
【００１６】ＳｒＴｉＯ3 の表面が導電体になる原因と
して，次のことが考えられる。 表面に結晶のダメージが入り，表面電荷層が生成さ
れる。 イオンビームによって，ＳｒＴｉＯ3 表面の酸素が
抜けて酸素欠損の結晶ができ，内部でキャリアが生成さ
れる。
して，次のことが考えられる。 表面に結晶のダメージが入り，表面電荷層が生成さ
れる。 イオンビームによって，ＳｒＴｉＯ3 表面の酸素が
抜けて酸素欠損の結晶ができ，内部でキャリアが生成さ
れる。
【００１７】以上述べた方法を用いて，ＳｒＴｉＯ3 の
表面だけを選択的に高ドープ状態にし，その上に形成さ
れる酸化物超伝導体や金属とのコンタクト抵抗を下げる
ことが可能になる。また，選択的にドープすることによ
り，絶縁体ＳｒＴｉＯ3 中に半導体配線層や抵抗層を形
成することが可能になる。
表面だけを選択的に高ドープ状態にし，その上に形成さ
れる酸化物超伝導体や金属とのコンタクト抵抗を下げる
ことが可能になる。また，選択的にドープすることによ
り，絶縁体ＳｒＴｉＯ3 中に半導体配線層や抵抗層を形
成することが可能になる。
【００１８】以下，図１を用いて具体的に説明する。 （１）コンタクト抵抗の低減 図（ａ）に示すように，ＳｒＴｉＯ3 下地１１上にレジ
スト１２を塗布した後，堆積物の形状の開口部を形成す
るように，レジストをパターニングし，表面にイオンビ
ームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ3 下地１
１の表面に表面導電層１３を形成する。
スト１２を塗布した後，堆積物の形状の開口部を形成す
るように，レジストをパターニングし，表面にイオンビ
ームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ3 下地１
１の表面に表面導電層１３を形成する。
【００１９】次いで，図（ｂ−１）に示すように，表面
導電層１３上に，酸化物超伝導体や金属１４を堆積し
て，この堆積物１４とＳｒＴｉＯ3 下地１１とを電気的
に接続する。
導電層１３上に，酸化物超伝導体や金属１４を堆積し
て，この堆積物１４とＳｒＴｉＯ3 下地１１とを電気的
に接続する。
【００２０】（２）絶縁体ＳｒＴｉＯ3 中への半導体配
線層や抵抗層の形成 図（ａ）に示すように，ＳｒＴｉＯ3 下地１１上にレジ
スト１２を塗布した後，導電層や抵抗層の形状の開口部
を形成するように，レジストをパターニングし，表面に
イオンビームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ
3 下地１１の表面に表面導電層１３を形成する。この表
面導電層１３を，図（ｂ−２）に示すように，半導体配
線層や抵抗層として用いる。
線層や抵抗層の形成 図（ａ）に示すように，ＳｒＴｉＯ3 下地１１上にレジ
スト１２を塗布した後，導電層や抵抗層の形状の開口部
を形成するように，レジストをパターニングし，表面に
イオンビームを照射して，開口部に露出したＳｒＴｉＯ
3 下地１１の表面に表面導電層１３を形成する。この表
面導電層１３を，図（ｂ−２）に示すように，半導体配
線層や抵抗層として用いる。
【００２１】
【実施例】図２〜図６は，本発明を誘電体ベーストラン
ジスタの製造に適用した例の各工程を示す図である。以
下，工程順に説明する。
ジスタの製造に適用した例の各工程を示す図である。以
下，工程順に説明する。
【００２２】［工程１，図２］ＳｒＴｉＯ3 基板２１上
に，エミッタ電極材料として，ＳｉＯ2 （２２）および
Ｎｂ（２３）を，スパッタ法により，それぞれ２ｎｍ，
１００ｎｍの厚さに堆積する。
に，エミッタ電極材料として，ＳｉＯ2 （２２）および
Ｎｂ（２３）を，スパッタ法により，それぞれ２ｎｍ，
１００ｎｍの厚さに堆積する。
【００２３】表面に第１レジスト２４を塗布した後，エ
ミッタ電極の形状にパターニングする。 ［工程２，図２，図３］第１レジスト２４をマスクとし
て，ＲＩＥによりＮｂ（２３）およびＳｉＯ2 （２２）
をエッチングしてエミッタ電極２５を形成する。
ミッタ電極の形状にパターニングする。 ［工程２，図２，図３］第１レジスト２４をマスクとし
て，ＲＩＥによりＮｂ（２３）およびＳｉＯ2 （２２）
をエッチングしてエミッタ電極２５を形成する。
【００２４】第１レジスト２４を剥離した後，全面に第
２レジスト２６を塗布する。第２レジスト２６を，コレ
クタ電極を形成すべき部分が開口するように，パターニ
ングする。
２レジスト２６を塗布する。第２レジスト２６を，コレ
クタ電極を形成すべき部分が開口するように，パターニ
ングする。
【００２５】表面に，アルゴン（Ａｒ）イオンビームを
照射し，開口部に露出したＳｒＴｉＯ3 基板２１の表面
に表面電荷層を生成して，コレクタコンタクト層２７
ａ，２７ｂを形成する。イオンビームの加速電圧は５０
０Ｖ，イオン電流密度は１ｍＡ／ｃｍ2 で，５分間の照
射を行った。
照射し，開口部に露出したＳｒＴｉＯ3 基板２１の表面
に表面電荷層を生成して，コレクタコンタクト層２７
ａ，２７ｂを形成する。イオンビームの加速電圧は５０
０Ｖ，イオン電流密度は１ｍＡ／ｃｍ2 で，５分間の照
射を行った。
【００２６】［工程３，図３，図４］第２レジスト２６
を剥離した後，スパッタ法により，全面にＮｂ（２８）
を堆積する。
を剥離した後，スパッタ法により，全面にＮｂ（２８）
を堆積する。
【００２７】全面に第３レジスト２９を塗布した後，コ
レクタ電極の形状にパターニングする。 ［工程４，図４，図５］第３レジスト２９ａ，２９ｂを
マスクとし，ＲＩＥによりＮｂ（２８）をエッチングし
て，コレクタ電極３０ａ，３０ｂを形成する。
レクタ電極の形状にパターニングする。 ［工程４，図４，図５］第３レジスト２９ａ，２９ｂを
マスクとし，ＲＩＥによりＮｂ（２８）をエッチングし
て，コレクタ電極３０ａ，３０ｂを形成する。
【００２８】全面に第４レジスト３１を塗布した後，エ
ミッタ電極上およびコレクタ電極上のみに残るようにパ
ターニングする。スパッタ法により，全面にＳｉＯ
2 （３２）を堆積する。
ミッタ電極上およびコレクタ電極上のみに残るようにパ
ターニングする。スパッタ法により，全面にＳｉＯ
2 （３２）を堆積する。
【００２９】［工程５，図５，図６］エミッタ電極２５
およびコレクタ電極３０ａ，３０ｂ上の第４レジスト３
１ａ，３１ｂ，３１ｃおよびＳｉＯ2 （３２ｂ，３２
ｄ，３２ｆ）をリフトオフして，エミッタコンタクト孔
およびコレクタコンタクト孔を開口する。
およびコレクタ電極３０ａ，３０ｂ上の第４レジスト３
１ａ，３１ｂ，３１ｃおよびＳｉＯ2 （３２ｂ，３２
ｄ，３２ｆ）をリフトオフして，エミッタコンタクト孔
およびコレクタコンタクト孔を開口する。
【００３０】基板の表面および裏面にＮｂ（３３）をス
パッタ法により堆積した後，パターニングしてエミッタ
電極３３ｂ，コレクタ電極３３ａ，３３ｃ，およびベー
ス電極３３ｄを形成する。
パッタ法により堆積した後，パターニングしてエミッタ
電極３３ｂ，コレクタ電極３３ａ，３３ｃ，およびベー
ス電極３３ｄを形成する。
【００３１】以上の各工程を経て，本発明を適用した誘
電体ベーストランジスタが完成する。
電体ベーストランジスタが完成する。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば，ＳｒＴｉＯ3 下地を用
いた超伝導デバイスの製造方法において，ＳｒＴｉＯ3
下地とその上に堆積する酸化物超伝導体や金属とのコン
タクト抵抗の低減，およびＳｒＴｉＯ3 下地中への導電
層や抵抗層の形成が可能になる。
いた超伝導デバイスの製造方法において，ＳｒＴｉＯ3
下地とその上に堆積する酸化物超伝導体や金属とのコン
タクト抵抗の低減，およびＳｒＴｉＯ3 下地中への導電
層や抵抗層の形成が可能になる。
【図１】本発明の基本構成を示す図である。
【図２】実施例の一工程を示す図である。
【図３】実施例の一工程を示す図である。
【図４】実施例の一工程を示す図である。
【図５】実施例の一工程を示す図である。
【図６】実施例の一工程を示す図である。
【図７】従来例を示す図である。
１１ ＳｒＴｉＯ3 下地 １２ レジスト １３ 表面導電層 １４ 酸化物超伝導体または金属
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｒＴｉＯ3 下地上に，電気的に接続さ
れた酸化物超伝導体や金属を堆積する超伝導デバイスの
製造方法であって， ＳｒＴｉＯ3 下地の表面にイオンビームを選択的に照射
して，該ＳｒＴｉＯ3 下地の表面に表面導電層を形成す
る工程と， 該表面導電層上に酸化物超伝導体や金属を堆積して，該
堆積物とＳｒＴｉＯ3 下地とを電気的に接続する工程と
を含むことを特徴とする超伝導デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 ＳｒＴｉＯ3 下地中に導電層や抵抗層を
形成する超伝導デバイスの製造方法であって， ＳｒＴｉＯ3 下地の表面にイオンビームを選択的に照射
して，ＳｒＴｉＯ3 下地の表面に表面導電層を形成する
工程を含むことを特徴とする超伝導デバイスの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345939A JPH05206531A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 超伝導デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3345939A JPH05206531A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 超伝導デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206531A true JPH05206531A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=18380030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3345939A Withdrawn JPH05206531A (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | 超伝導デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032690A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP3345939A patent/JPH05206531A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032690A (ja) * | 2010-08-02 | 2012-02-16 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
| US8789944B2 (en) | 2010-08-02 | 2014-07-29 | Hoya Lens Manufacturing Philippines Inc. | Optical article and optical article production method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6010773A (ja) | １素子型ｆｅｔ−記憶キヤパシタ回路の形成方法 | |
| JP2002509647A (ja) | チタン酸バリウムストロンチウムの薄膜を製造する方法 | |
| JP3382588B2 (ja) | 超伝導−通常−超伝導ジョセフソン接合中に通常層を作製するためのイオン注入の使用 | |
| JPS61114585A (ja) | 電気的結線構造及びその形成方法 | |
| JPH05206531A (ja) | 超伝導デバイスの製造方法 | |
| CN208078023U (zh) | 亚微米约瑟夫森隧道结 | |
| CN214012946U (zh) | 一种二维半导体晶体管结构 | |
| JPS58166766A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61105870A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05183207A (ja) | 超伝導デバイスの製造方法 | |
| JPH039572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10125864A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08227743A (ja) | 酸化物超電導体用金属電極 | |
| JP4104323B2 (ja) | ジョセフソン接合の作製方法 | |
| JP3203878B2 (ja) | 量子井戸構造体およびその製造方法 | |
| JP2641970B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JP2835244B2 (ja) | 超電導デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2692678B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4056575B2 (ja) | 超伝導素子及びその製造方法 | |
| JP2641966B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JP2641971B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 | |
| JP2990540B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63193581A (ja) | 抵抗制御素子 | |
| JPS6148957A (ja) | Ｍｏｓキヤパシタの製造方法 | |
| JPS60113484A (ja) | ジョセフソン集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |