JPH0520880A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH0520880A JPH0520880A JP3172983A JP17298391A JPH0520880A JP H0520880 A JPH0520880 A JP H0520880A JP 3172983 A JP3172983 A JP 3172983A JP 17298391 A JP17298391 A JP 17298391A JP H0520880 A JPH0520880 A JP H0520880A
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- JP
- Japan
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- data
- address
- semiconductor memory
- unit
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】二重書き構成の半導体記憶装置において、メモ
リエラーが発生した片肺運行状態から正常な状態に戻っ
た時の2つの半導体記憶部のデータ一致時間の短縮を目
的としている。 【構成】第1のデータアドレス部30と、第2のデータ
アドレス部60と、エラーアドレス格納部80とを特に
有する半導体記憶装置で構成されている。 【効果】今後、半導体記憶装置の大容量化が進むと共に
データ一致時間の短縮はさらに大きな効果となってあら
われる。
リエラーが発生した片肺運行状態から正常な状態に戻っ
た時の2つの半導体記憶部のデータ一致時間の短縮を目
的としている。 【構成】第1のデータアドレス部30と、第2のデータ
アドレス部60と、エラーアドレス格納部80とを特に
有する半導体記憶装置で構成されている。 【効果】今後、半導体記憶装置の大容量化が進むと共に
データ一致時間の短縮はさらに大きな効果となってあら
われる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体記憶装置に関し、
特に二重書き構成となっている第1か第2のどちらかの
半導体記憶部にメモリエラーが発生した場合、正常な半
導体記憶部で片肺運行し、メモリエラーが発生した半導
体記憶部の保守を行ったのちの第1の半導体記憶部と第
2の半導体記憶部とのデータの一致方法に関する。
特に二重書き構成となっている第1か第2のどちらかの
半導体記憶部にメモリエラーが発生した場合、正常な半
導体記憶部で片肺運行し、メモリエラーが発生した半導
体記憶部の保守を行ったのちの第1の半導体記憶部と第
2の半導体記憶部とのデータの一致方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体記憶装置では、二
重書き構成を行うとき、第1か第2のどちらかの半導体
記憶部にメモリエラーが発生した場合正常な半導体記憶
部で片肺運行し、メモリエラーが発生した半導体記憶部
の保守を行ったのちは、第1の半導体記憶部と第2の半
導体記憶部とのデータの一致は全部のデータをコピーす
る事によって行っていた。
重書き構成を行うとき、第1か第2のどちらかの半導体
記憶部にメモリエラーが発生した場合正常な半導体記憶
部で片肺運行し、メモリエラーが発生した半導体記憶部
の保守を行ったのちは、第1の半導体記憶部と第2の半
導体記憶部とのデータの一致は全部のデータをコピーす
る事によって行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の二重書
き構成の半導体記憶装置のデータを一致させる為には、
個々のパッケージの電源制御ができなかった為、全部の
データをコピーすることにより行っていたが、この方法
ではデータのコピーに時間がかかるという欠点がある。
き構成の半導体記憶装置のデータを一致させる為には、
個々のパッケージの電源制御ができなかった為、全部の
データをコピーすることにより行っていたが、この方法
ではデータのコピーに時間がかかるという欠点がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体記憶装置
は、第1の半導体記憶部と、上位装置から前記第1の半
導体記憶部への書き込み動作時には前記第1の半導体記
憶部と同一のデータを書き込む第2の半導体記憶部と、
前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へのデータ書
き込み回数をカウントし記憶する第1のカウント部と、
前記上位装置から前記第2の半導体記憶部へのデータ書
き込み回数をカウントし記憶する第2のカウント部と、
前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へデータを書
き込む時の開始アドレスと終了アドレスとを記憶する第
1のデータアドレス部と、前記上位装置から前記第2の
半導体記憶部へデータを書き込む時の開始アドレスと終
了アドレスとを記憶する第2のデータアドレス部と、前
記第1の半導体記憶部と前記第2の半導体記憶部との間
のデータ転送のためのコピーインタフェースと、個々の
メモリパッケージの電源を制御するための電源制御部
と、メモリエラー発生のアドレスを感知し格納するエラ
ーアドレス格納部とを備えると共に、前記上位装置から
前記第1の半導体記憶部へデータが書き込まれた時の開
始アドレスと終了アドレスとを前記第1のデータアドレ
ス部へ記憶しデータの書き込み回数をカウントして前記
第1のカウント部へ記憶する手段と、上位装置から前記
第2の半導体記憶部へデータが書き込まれた時の開始ア
ドレスと終了アドレスとを前記第2のデータアドレス部
へ記憶しデータの書き込み回数をカウントして前記第2
のカウント部へ記憶する手段と、二重書き構成で前記第
1の半導体記憶部か前記第2の半導体記憶部のどちらか
がメモリエラーを起こしたとき前記エラーアドレス格納
部の情報によって前記電源制御部でメモリエラー発生パ
ッケージの電源だけを切断する手段と、二重書き構成で
の片肺運行をしたのち回復した時において前記エラーア
ドレス格納部の情報によってコピーインタフェースを介
して正常な同じアドレスのメモリパッケージからデータ
のコピーを行う手段と、前記第1のカウント部と前記第
2のカウント部とを比較しカウント値に違いがあればカ
ウント値の大きい半導体記憶部から前記コピーインタフ
ェースをとおしてカウントの差分だけ前記第1のデータ
アドレス部と前記第2のデータアドレス部から変化した
データのアドレスを知りデータのコピーを行う手段とを
備えて構成される。
は、第1の半導体記憶部と、上位装置から前記第1の半
導体記憶部への書き込み動作時には前記第1の半導体記
憶部と同一のデータを書き込む第2の半導体記憶部と、
前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へのデータ書
き込み回数をカウントし記憶する第1のカウント部と、
前記上位装置から前記第2の半導体記憶部へのデータ書
き込み回数をカウントし記憶する第2のカウント部と、
前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へデータを書
き込む時の開始アドレスと終了アドレスとを記憶する第
1のデータアドレス部と、前記上位装置から前記第2の
半導体記憶部へデータを書き込む時の開始アドレスと終
了アドレスとを記憶する第2のデータアドレス部と、前
記第1の半導体記憶部と前記第2の半導体記憶部との間
のデータ転送のためのコピーインタフェースと、個々の
メモリパッケージの電源を制御するための電源制御部
と、メモリエラー発生のアドレスを感知し格納するエラ
ーアドレス格納部とを備えると共に、前記上位装置から
前記第1の半導体記憶部へデータが書き込まれた時の開
始アドレスと終了アドレスとを前記第1のデータアドレ
ス部へ記憶しデータの書き込み回数をカウントして前記
第1のカウント部へ記憶する手段と、上位装置から前記
第2の半導体記憶部へデータが書き込まれた時の開始ア
ドレスと終了アドレスとを前記第2のデータアドレス部
へ記憶しデータの書き込み回数をカウントして前記第2
のカウント部へ記憶する手段と、二重書き構成で前記第
1の半導体記憶部か前記第2の半導体記憶部のどちらか
がメモリエラーを起こしたとき前記エラーアドレス格納
部の情報によって前記電源制御部でメモリエラー発生パ
ッケージの電源だけを切断する手段と、二重書き構成で
の片肺運行をしたのち回復した時において前記エラーア
ドレス格納部の情報によってコピーインタフェースを介
して正常な同じアドレスのメモリパッケージからデータ
のコピーを行う手段と、前記第1のカウント部と前記第
2のカウント部とを比較しカウント値に違いがあればカ
ウント値の大きい半導体記憶部から前記コピーインタフ
ェースをとおしてカウントの差分だけ前記第1のデータ
アドレス部と前記第2のデータアドレス部から変化した
データのアドレスを知りデータのコピーを行う手段とを
備えて構成される。
【0005】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0006】図1は本発明の一実施例の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【0007】図1において半導体記憶装置5は第1のカ
ウント部20と第1のデータアドレス部30とを含む第
1の半導体記憶部10と、第2のカウント部50と第2
のデータアドレス部60とを含む第2の半導体記憶部4
0と、エラーアドレス格納部80を含む電源制御部70
とによって構成されている。第1の半導体記憶部10は
データ線aを介して上位装置へ、制御信号線dを介して
電源制御部70へ、コピーインタフェースcを介して第
2の半導体記憶部40へそれぞれ接続されている。ま
た、第2の半導体記憶部40はデータ線bを介して上位
装置へ、制御信号線eを介して電源制御部70へそれぞ
れ接続されている。
ウント部20と第1のデータアドレス部30とを含む第
1の半導体記憶部10と、第2のカウント部50と第2
のデータアドレス部60とを含む第2の半導体記憶部4
0と、エラーアドレス格納部80を含む電源制御部70
とによって構成されている。第1の半導体記憶部10は
データ線aを介して上位装置へ、制御信号線dを介して
電源制御部70へ、コピーインタフェースcを介して第
2の半導体記憶部40へそれぞれ接続されている。ま
た、第2の半導体記憶部40はデータ線bを介して上位
装置へ、制御信号線eを介して電源制御部70へそれぞ
れ接続されている。
【0008】次に、本実施例の動作について説明する。
上位装置から二重書き構成の半導体記憶装置5へデータ
がデータ線a,bを介し半導体記憶部10,40へそれ
ぞれ続けて2回書き込まれたとする。偶々この2回目の
書き込み時に、メモリパッケージ101にメモリエラー
が発生した場合は制御信号線dを使いエラーアドレス格
納部80にメモリパッケージ101のアドレスを格納す
ると共に、電源制御部70によってメモリパッケージ1
01の電源だけを切断する。この状態で半導体記憶部5
は、第2の半導体記憶部40だけの運用である片肺運行
となる。この片肺運行状態で上位装置からデータがデー
タ線bを介して第2の半導体記憶部40へ2回書き込ま
れた後第1の半導体記憶部10が修復されて二重書き状
態に戻った時、電源制御部70がエラーアドレス格納部
80のデータから制御信号線eを使ってメモリパッケー
ジ401からメモリパッケージ101へコピーインタフ
ェースcを介しデータのコピーを行う。その後、第1の
半導体記憶部10と第2の半導体記憶部40とのデータ
を一致させるため第1のカウント部20と第2のカウン
ト部50とを比較する。そしてその差分の書き込み数の
データアドレスだけ第2のデータアドレス部60から知
り、コピーインタフェースcを介し第2の半導体記憶部
40から第1の半導体記憶部10へデータを転送する。
上位装置から二重書き構成の半導体記憶装置5へデータ
がデータ線a,bを介し半導体記憶部10,40へそれ
ぞれ続けて2回書き込まれたとする。偶々この2回目の
書き込み時に、メモリパッケージ101にメモリエラー
が発生した場合は制御信号線dを使いエラーアドレス格
納部80にメモリパッケージ101のアドレスを格納す
ると共に、電源制御部70によってメモリパッケージ1
01の電源だけを切断する。この状態で半導体記憶部5
は、第2の半導体記憶部40だけの運用である片肺運行
となる。この片肺運行状態で上位装置からデータがデー
タ線bを介して第2の半導体記憶部40へ2回書き込ま
れた後第1の半導体記憶部10が修復されて二重書き状
態に戻った時、電源制御部70がエラーアドレス格納部
80のデータから制御信号線eを使ってメモリパッケー
ジ401からメモリパッケージ101へコピーインタフ
ェースcを介しデータのコピーを行う。その後、第1の
半導体記憶部10と第2の半導体記憶部40とのデータ
を一致させるため第1のカウント部20と第2のカウン
ト部50とを比較する。そしてその差分の書き込み数の
データアドレスだけ第2のデータアドレス部60から知
り、コピーインタフェースcを介し第2の半導体記憶部
40から第1の半導体記憶部10へデータを転送する。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、二重書き
構成でメモリエラー発生時に個々のメモリパッケージの
電源制御を行うことにより、片肺運行後正常運行にもど
った時、2つの半導体記憶部のデータの一致を最短時間
で行うことができるという効果がある。
構成でメモリエラー発生時に個々のメモリパッケージの
電源制御を行うことにより、片肺運行後正常運行にもど
った時、2つの半導体記憶部のデータの一致を最短時間
で行うことができるという効果がある。
【図1】本発明の一実施例の構成を示すブロック図。
5 半導体記憶装置 10 第1の半導体記憶部 20 第1のカウント部 30 第1のデータアドレス部 40 第2の半導体記憶部 50 第2のカウント部 60 第2のデータアドレス部 70 電源制御部 80 エラーアドレス格納部 101〜107,401〜407 メモリパッケージ a データ線 b データ線 c コピーインタフェース d 制御信号線 e 制御信号線
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 第1の半導体記憶部と、上位装置から前
記第1の半導体記憶部への書き込み動作時には前記第1
の半導体記憶部と同一のデータを書き込む第2の半導体
記憶部と、前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へ
のデータ書き込み回数をカウントし記憶する第1のカウ
ント部と、前記上位装置から前記第2の半導体記憶部へ
のデータ書き込み回数をカウントし記憶する第2のカウ
ント部と、前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へ
データを書き込む時の開始アドレスと終了アドレスとを
記憶する第1のデータアドレス部と、前記上位装置から
前記第2の半導体記憶部へデータを書き込む時の開始ア
ドレスと終了アドレスとを記憶する第2のデータアドレ
ス部と、前記第1の半導体記憶部と前記第2の半導体記
憶部との間のデータ転送のためのコピーインタフェース
と、個々のメモリパッケージの電源を制御するための電
源制御部と、メモリエラー発生のアドレスを感知し格納
するエラーアドレス格納部とを備えると共に、 前記上位装置から前記第1の半導体記憶部へデータが書
き込まれた時の開始アドレスと終了アドレスとを前記第
1のデータアドレス部へ記憶しデータの書き込み回数を
カウントして前記第1のカウント部へ記憶する手段と、
上位装置から前記第2の半導体記憶部へデータが書き込
まれた時の開始アドレスと終了アドレスとを前記第2の
データアドレス部へ記憶しデータの書き込み回数をカウ
ントして前記第2のカウント部へ記憶する手段と、二重
書き構成で前記第1の半導体記憶部か前記第2の半導体
記憶部のどちらかがメモリエラーを起こしたとき前記エ
ラーアドレス格納部の情報によって前記電源制御部でメ
モリエラー発生パッケージの電源だけを切断する手段
と、二重書き構成での片肺運行をしたのち回復した時に
おいて前記エラーアドレス格納部の情報によってコピー
インタフェースを介して正常な同じアドレスのメモリパ
ッケージからデータのコピーを行う手段と、前記第1の
カウント部と前記第2のカウント部とを比較しカウント
値に違いがあればカウント値の大きい半導体記憶部から
前記コピーインタフェースをとおしてカウントの差分だ
け前記第1のデータアドレス部と前記第2のデータアド
レス部から変化したデータのアドレスを知りデータのコ
ピーを行う手段とを備えて成ることを特徴とする半導体
記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172983A JPH0520880A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3172983A JPH0520880A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520880A true JPH0520880A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15951997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3172983A Pending JPH0520880A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033190A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-08 | Schlumberger Resource Management Services, Inc. | Improved memory integrity for meters |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3172983A patent/JPH0520880A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033190A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-08 | Schlumberger Resource Management Services, Inc. | Improved memory integrity for meters |
| US6219656B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-04-17 | Schlumberger Resource Management Services, Inc. | Memory integrity for meters |
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