JPH05209847A - 蛍光ｘ線分析方法および装置 - Google Patents
蛍光ｘ線分析方法および装置Info
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- JPH05209847A JPH05209847A JP4257131A JP25713192A JPH05209847A JP H05209847 A JPH05209847 A JP H05209847A JP 4257131 A JP4257131 A JP 4257131A JP 25713192 A JP25713192 A JP 25713192A JP H05209847 A JPH05209847 A JP H05209847A
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】シリコン基板に含まれている元素と同一の元素
Ｓｉを含有するＷＳｉｘの薄膜の膜厚とＷの濃度を測定
する蛍光Ｘ線分析方法および装置において、安価な分析
装置で、短時間で精度良く分析を行う。 【構成】被測定試料１に一次Ｘ線Ｂ１を照射し、被測定
試料１からの蛍光Ｘ線Ｂ２を、第１および第２の分光素
子４Ａ，４Ｂにより分光する。第１の分光素子４Ａは、
Ｗ−Ｌα線Ｂ３を分光する。第２の分光素子４Ｂは、Ｗ
−Ｎｘ線Ｂ４を分光する。Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４は、各々、第１および第２の測定器５Ａ，５Ｂ
でＸ線強度が測定される。この測定強度に基づいて、演
算器６で膜厚ｔとＷの濃度を求める。
Ｓｉを含有するＷＳｉｘの薄膜の膜厚とＷの濃度を測定
する蛍光Ｘ線分析方法および装置において、安価な分析
装置で、短時間で精度良く分析を行う。 【構成】被測定試料１に一次Ｘ線Ｂ１を照射し、被測定
試料１からの蛍光Ｘ線Ｂ２を、第１および第２の分光素
子４Ａ，４Ｂにより分光する。第１の分光素子４Ａは、
Ｗ−Ｌα線Ｂ３を分光する。第２の分光素子４Ｂは、Ｗ
−Ｎｘ線Ｂ４を分光する。Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４は、各々、第１および第２の測定器５Ａ，５Ｂ
でＸ線強度が測定される。この測定強度に基づいて、演
算器６で膜厚ｔとＷの濃度を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば、大型のウ
エハの表面に設けた薄膜の膜厚および測定しようとする
元素の濃度の測定に適した蛍光Ｘ線分析方法および装置
に関するものである。
エハの表面に設けた薄膜の膜厚および測定しようとする
元素の濃度の測定に適した蛍光Ｘ線分析方法および装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、タング
ステンシリサイド（以下、「ＷＳｉｘ」と記す。）のよ
うなシリサイドが、ポリシリコン層よりも、抵抗値が小
さく、かつ、高速動作に優れていることから注目を集め
ている。このＷＳｉｘの薄膜は、膜厚だけではなく、シ
リコン基板との密着性などの観点から組成比（ｘ）を測
定し、組成比（タングステンの濃度）の厳密な管理を行
う必要がある。この膜厚と組成比を測定する蛍光Ｘ線分
析方法の一例を図８に示す。
ステンシリサイド（以下、「ＷＳｉｘ」と記す。）のよ
うなシリサイドが、ポリシリコン層よりも、抵抗値が小
さく、かつ、高速動作に優れていることから注目を集め
ている。このＷＳｉｘの薄膜は、膜厚だけではなく、シ
リコン基板との密着性などの観点から組成比（ｘ）を測
定し、組成比（タングステンの濃度）の厳密な管理を行
う必要がある。この膜厚と組成比を測定する蛍光Ｘ線分
析方法の一例を図８に示す。
【０００３】図８において、被測定試料１Ａはモニタ
で、シリコン基板に代えてＡｌ2 Ｏ3のようなセラミッ
ク製の基板１１Ａの表面に、ＷＳｉｘの薄膜１２を有し
ている。この被測定試料１Ａに一次Ｘ線Ｂ１を照射し、
被測定試料１ＡからのＷ−Ｌα線Ｂ３およびＳｉ−Ｋα
線Ｂ５の２種類の蛍光Ｘ線を測定する。ここで、上記両
蛍光Ｘ線Ｂ３，Ｂ５は、それぞれ、膜厚ｔとＷ（タング
ステン）の濃度により、その測定強度が変化するのであ
るが、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強度は膜厚ｔの影響が大きく、
一方、Ｓｉ−Ｋα線Ｂ５の強度は濃度の影響が大きい。
そのため、公知のファンダメンタルパラメータ法によ
り、２つの測定強度から、膜厚ｔおよびＷの濃度を比較
的正確に分析することができる。
で、シリコン基板に代えてＡｌ2 Ｏ3のようなセラミッ
ク製の基板１１Ａの表面に、ＷＳｉｘの薄膜１２を有し
ている。この被測定試料１Ａに一次Ｘ線Ｂ１を照射し、
被測定試料１ＡからのＷ−Ｌα線Ｂ３およびＳｉ−Ｋα
線Ｂ５の２種類の蛍光Ｘ線を測定する。ここで、上記両
蛍光Ｘ線Ｂ３，Ｂ５は、それぞれ、膜厚ｔとＷ（タング
ステン）の濃度により、その測定強度が変化するのであ
るが、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強度は膜厚ｔの影響が大きく、
一方、Ｓｉ−Ｋα線Ｂ５の強度は濃度の影響が大きい。
そのため、公知のファンダメンタルパラメータ法によ
り、２つの測定強度から、膜厚ｔおよびＷの濃度を比較
的正確に分析することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近、製造さ
れるウエハの直径が大きく（たとえば、８インチ）なっ
たのに伴い、セラミックであるＡｌ2 Ｏ3 の基板１１Ａ
が、コスト的に非常に高価になり、そのため、モニタを
使用しないで、膜厚ｔおよび濃度を測定する必要に迫ら
れている。上記モニタを使用しない場合は、シリコン基
板と薄膜の双方に同一の元素Ｓｉが含まれているので、
その分析が困難となる。上記モニタを用いないで分析す
る方法としては、ラザフォードバックスキャタと呼ばれ
るＸ線非破壊検査もなされているが、分析に要する時間
が長いなどの欠点がある。
れるウエハの直径が大きく（たとえば、８インチ）なっ
たのに伴い、セラミックであるＡｌ2 Ｏ3 の基板１１Ａ
が、コスト的に非常に高価になり、そのため、モニタを
使用しないで、膜厚ｔおよび濃度を測定する必要に迫ら
れている。上記モニタを使用しない場合は、シリコン基
板と薄膜の双方に同一の元素Ｓｉが含まれているので、
その分析が困難となる。上記モニタを用いないで分析す
る方法としては、ラザフォードバックスキャタと呼ばれ
るＸ線非破壊検査もなされているが、分析に要する時間
が長いなどの欠点がある。
【０００５】また、シリコン基板上にＷＳｉｘの薄膜を
有する被測定試料に一次Ｘ線を照射し、大きな取出角と
極めて小さな取出角で、それぞれ、Ｗ−Ｌα線の強度を
測定することによっても、膜厚と濃度を測定することが
できる。しかし、膜厚の影響が極めて小さくなる程度ま
で、取出角を小さくすると、分析装置の構造が極めて特
殊なものになり、その結果、分析装置が高価なものにな
る。
有する被測定試料に一次Ｘ線を照射し、大きな取出角と
極めて小さな取出角で、それぞれ、Ｗ−Ｌα線の強度を
測定することによっても、膜厚と濃度を測定することが
できる。しかし、膜厚の影響が極めて小さくなる程度ま
で、取出角を小さくすると、分析装置の構造が極めて特
殊なものになり、その結果、分析装置が高価なものにな
る。
【０００６】この発明は上記従来の問題に鑑みてなされ
たもので、基板に含まれている元素と同一の元素を含有
する薄膜の膜厚と濃度を測定する蛍光Ｘ線分析方法およ
び装置において、安価な分析装置で、短時間で精度の良
い分析を可能にすることを目的とする。
たもので、基板に含まれている元素と同一の元素を含有
する薄膜の膜厚と濃度を測定する蛍光Ｘ線分析方法およ
び装置において、安価な分析装置で、短時間で精度の良
い分析を可能にすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、請求項１の分析方法は、まず、基板に含
まれている元素と同一の第１の元素を含有する薄膜を上
記基板の表面に設けた被測定試料に一次Ｘ線を照射し、
上記薄膜中の基板に含まれていない第２の元素について
の膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線の強度と、上記第
２の元素についての膜厚の影響が上記第１の蛍光Ｘ線よ
りも小さく、かつ、第１の蛍光Ｘ線とは系列の異なる第
２の蛍光Ｘ線の強度とを測定する。これら２つの蛍光Ｘ
線の測定強度に基づいて上記膜厚と濃度を求める。
成するために、請求項１の分析方法は、まず、基板に含
まれている元素と同一の第１の元素を含有する薄膜を上
記基板の表面に設けた被測定試料に一次Ｘ線を照射し、
上記薄膜中の基板に含まれていない第２の元素について
の膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線の強度と、上記第
２の元素についての膜厚の影響が上記第１の蛍光Ｘ線よ
りも小さく、かつ、第１の蛍光Ｘ線とは系列の異なる第
２の蛍光Ｘ線の強度とを測定する。これら２つの蛍光Ｘ
線の測定強度に基づいて上記膜厚と濃度を求める。
【０００８】請求項２の分析方法においては、上記第１
および第２の蛍光Ｘ線として、それぞれ、被測定試料か
ら出射される蛍光Ｘ線のうち上記第２の元素の硬Ｘ線お
よび超軟Ｘ線の強度を測定する。なお、この発明におい
て、超軟Ｘ線とは、Ｍ線およびＭ線よりも波長の長い
（エネルギの小さい）Ｘ線をいい、Ｗの場合には、波長
が４．４Å〜６７．６Åの範囲のＸ線をいう。
および第２の蛍光Ｘ線として、それぞれ、被測定試料か
ら出射される蛍光Ｘ線のうち上記第２の元素の硬Ｘ線お
よび超軟Ｘ線の強度を測定する。なお、この発明におい
て、超軟Ｘ線とは、Ｍ線およびＭ線よりも波長の長い
（エネルギの小さい）Ｘ線をいい、Ｗの場合には、波長
が４．４Å〜６７．６Åの範囲のＸ線をいう。
【０００９】一方、請求項３の分析装置は、一次Ｘ線を
受けた被測定試料からの蛍光Ｘ線のうち測定しようとす
る元素の硬Ｘ線および超軟Ｘ線をそれぞれ分光する第１
および第２の分光素子とを備えている。上記硬Ｘ線およ
び超軟Ｘ線は、それぞれ、第１および第２の測定器によ
り、そのＸ線強度が測定される。
受けた被測定試料からの蛍光Ｘ線のうち測定しようとす
る元素の硬Ｘ線および超軟Ｘ線をそれぞれ分光する第１
および第２の分光素子とを備えている。上記硬Ｘ線およ
び超軟Ｘ線は、それぞれ、第１および第２の測定器によ
り、そのＸ線強度が測定される。
【００１０】これらの発明によれば、薄膜中に含まれて
おり、かつ、基板に含まれていない第２の元素について
の蛍光Ｘ線のうち、硬Ｘ線のような膜厚の影響が大きい
第１の蛍光Ｘ線の強度と、超軟Ｘ線のような膜厚の影響
が小さい第２の蛍光Ｘ線の強度を測定するから、これら
第１および第２の蛍光Ｘ線の測定強度は、それぞれ、膜
厚および濃度に関して敏感な情報を含んでいる。したが
って、この２つの測定強度に基づいて演算することで、
膜厚と第２の元素の濃度を比較的正確に測定することが
できる。
おり、かつ、基板に含まれていない第２の元素について
の蛍光Ｘ線のうち、硬Ｘ線のような膜厚の影響が大きい
第１の蛍光Ｘ線の強度と、超軟Ｘ線のような膜厚の影響
が小さい第２の蛍光Ｘ線の強度を測定するから、これら
第１および第２の蛍光Ｘ線の測定強度は、それぞれ、膜
厚および濃度に関して敏感な情報を含んでいる。したが
って、この２つの測定強度に基づいて演算することで、
膜厚と第２の元素の濃度を比較的正確に測定することが
できる。
【００１１】また、請求項４の分析方法においては、被
測定試料から出射される蛍光Ｘ線のうち、基板および薄
膜中の第１の元素の硬Ｘ線の強度と、薄膜中の第２の元
素の超軟Ｘ線の強度を測定し、これら２つの測定強度に
基づいて薄膜と濃度を求める。
測定試料から出射される蛍光Ｘ線のうち、基板および薄
膜中の第１の元素の硬Ｘ線の強度と、薄膜中の第２の元
素の超軟Ｘ線の強度を測定し、これら２つの測定強度に
基づいて薄膜と濃度を求める。
【００１２】請求項５の分析装置は、一次Ｘ線を受けた
被測定試料からの蛍光Ｘ線のうち第１の元素の硬Ｘ線を
分光する第１の分光素子と、上記一次Ｘ線を受けた被測
定試料からの蛍光Ｘ線のうち測定しようとする第２の元
素の超軟Ｘ線を分光する第２の分光素子とを備えてい
る。上記硬Ｘ線および超軟Ｘ線は、それぞれ、第１およ
び第２の測定器により、そのＸ線強度が測定される。
被測定試料からの蛍光Ｘ線のうち第１の元素の硬Ｘ線を
分光する第１の分光素子と、上記一次Ｘ線を受けた被測
定試料からの蛍光Ｘ線のうち測定しようとする第２の元
素の超軟Ｘ線を分光する第２の分光素子とを備えてい
る。上記硬Ｘ線および超軟Ｘ線は、それぞれ、第１およ
び第２の測定器により、そのＸ線強度が測定される。
【００１３】請求項４もしくは５の発明では、基板およ
び薄膜中の第１の元素の硬Ｘ線の強度を測定するのであ
るが、この硬Ｘ線の強度は、硬Ｘ線が薄膜において吸収
されるので、薄膜の膜厚が薄い場合、膜厚が厚くなるに
従い小さくなる。したがって、上記硬Ｘ線の測定強度に
は、膜厚に関する敏感な情報を含んでいる。一方、第２
元素の超軟Ｘ線の測定強度は、エネルギの小さい超軟Ｘ
線が薄膜中で大きく吸収されるから、薄膜の厚さにかか
わらず薄膜のごく表面からのみ出射されるので、濃度に
関しての敏感な情報を含んでいる。したがって、この２
つの測定強度に基づいて演算することで、膜厚と第２の
元素の濃度を比較的正確に測定することができる。
び薄膜中の第１の元素の硬Ｘ線の強度を測定するのであ
るが、この硬Ｘ線の強度は、硬Ｘ線が薄膜において吸収
されるので、薄膜の膜厚が薄い場合、膜厚が厚くなるに
従い小さくなる。したがって、上記硬Ｘ線の測定強度に
は、膜厚に関する敏感な情報を含んでいる。一方、第２
元素の超軟Ｘ線の測定強度は、エネルギの小さい超軟Ｘ
線が薄膜中で大きく吸収されるから、薄膜の厚さにかか
わらず薄膜のごく表面からのみ出射されるので、濃度に
関しての敏感な情報を含んでいる。したがって、この２
つの測定強度に基づいて演算することで、膜厚と第２の
元素の濃度を比較的正確に測定することができる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面にしたがっ
て説明する。図１において、被測定試料１は、基板１１
に含まれている元素と同一の第１の元素と、基板１１に
含まれていない第２の元素とを含有する薄膜１２を、基
板１１の表面に設けたもので、たとえば、Ｓｉの基板１
１の表面にＷＳｉｘの薄膜１２を有してなるウエハであ
る。この被測定試料１は薄膜１２の膜厚ｔと組成比
（ｘ）つまりＷの濃度が未知の試料である。なお、薄膜
１２の膜厚ｔは、たとえば、４００Å〜２５００Å程度
の範囲である。蛍光Ｘ線分析装置２は、Ｘ線管（Ｘ線
源）３と、第１および第２の分光素子４Ａ，４Ｂと、第
１および第２の測定器５Ａ，５Ｂと、演算器６とを備え
ている。第１および第２の測定器５Ａ，５Ｂは、それぞ
れ、第１および第２のＸ線検出器８Ａ，８Ｂと、第１お
よび第２計数回路部９Ａ，９Ｂとを備えている。
て説明する。図１において、被測定試料１は、基板１１
に含まれている元素と同一の第１の元素と、基板１１に
含まれていない第２の元素とを含有する薄膜１２を、基
板１１の表面に設けたもので、たとえば、Ｓｉの基板１
１の表面にＷＳｉｘの薄膜１２を有してなるウエハであ
る。この被測定試料１は薄膜１２の膜厚ｔと組成比
（ｘ）つまりＷの濃度が未知の試料である。なお、薄膜
１２の膜厚ｔは、たとえば、４００Å〜２５００Å程度
の範囲である。蛍光Ｘ線分析装置２は、Ｘ線管（Ｘ線
源）３と、第１および第２の分光素子４Ａ，４Ｂと、第
１および第２の測定器５Ａ，５Ｂと、演算器６とを備え
ている。第１および第２の測定器５Ａ，５Ｂは、それぞ
れ、第１および第２のＸ線検出器８Ａ，８Ｂと、第１お
よび第２計数回路部９Ａ，９Ｂとを備えている。
【００１５】Ｘ線管３は、被測定試料１の薄膜１２の表
面に向かって、一次Ｘ線Ｂ１を出射するものである。一
次Ｘ線Ｂ１を受けた被測定試料１は、原子が励起され
て、被測定試料１に含まれている元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ
２を発生する。
面に向かって、一次Ｘ線Ｂ１を出射するものである。一
次Ｘ線Ｂ１を受けた被測定試料１は、原子が励起され
て、被測定試料１に含まれている元素固有の蛍光Ｘ線Ｂ
２を発生する。
【００１６】上記両分光素子４Ａ，４Ｂは、真空雰囲気
に保持された分光室７内に収納されている。第１の分光
素子４Ａは、たとえばＬｉＦの分光結晶からなり、被測
定試料１からの蛍光Ｘ線Ｂ２のうち、測定しようとする
元素つまりＷの硬Ｘ線であるＷ−Ｌα線Ｂ３を分光す
る。一方、第２の分光素子４Ｂは、たとえば、シリコン
基板に炭素とニッケルの層を交互に多数積層した人工格
子からなる。この第２の分光素子４Ｂは、被測定試料１
からの蛍光Ｘ線Ｂ２のうち、Ｗの超軟Ｘ線であるＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４を分光する。これら第１および第２の分光素子
４Ａ，４Ｂで分光された、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４は、それぞれ、第１および第２のＸ線検出器８
Ａ，８Ｂに入射する。なお、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の取出角β
２は、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の取出角β１よりも小さく設定さ
れている。
に保持された分光室７内に収納されている。第１の分光
素子４Ａは、たとえばＬｉＦの分光結晶からなり、被測
定試料１からの蛍光Ｘ線Ｂ２のうち、測定しようとする
元素つまりＷの硬Ｘ線であるＷ−Ｌα線Ｂ３を分光す
る。一方、第２の分光素子４Ｂは、たとえば、シリコン
基板に炭素とニッケルの層を交互に多数積層した人工格
子からなる。この第２の分光素子４Ｂは、被測定試料１
からの蛍光Ｘ線Ｂ２のうち、Ｗの超軟Ｘ線であるＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４を分光する。これら第１および第２の分光素子
４Ａ，４Ｂで分光された、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４は、それぞれ、第１および第２のＸ線検出器８
Ａ，８Ｂに入射する。なお、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の取出角β
２は、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の取出角β１よりも小さく設定さ
れている。
【００１７】上記第１および第２のＸ線検出器８Ａ，８
Ｂは、それぞれ、入射したＷ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４を検出して、検出出力ｅ１，ｅ２を第１および
第２計数回路部９Ａ，９Ｂに出力する。第１および第２
計数回路部９Ａ，９Ｂは、それぞれ、検出出力ｅ１，ｅ
２をカウントして、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ
４の強度を測定信号ｘ１，ｘ２として演算器６に出力す
る。演算器６は、上記測定信号ｘ１，ｘ２を受けて、Ｗ
−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強度に基づい
て、薄膜１２の膜厚ｔおよびＷの濃度を求める。
Ｂは、それぞれ、入射したＷ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎ
ｘ線Ｂ４を検出して、検出出力ｅ１，ｅ２を第１および
第２計数回路部９Ａ，９Ｂに出力する。第１および第２
計数回路部９Ａ，９Ｂは、それぞれ、検出出力ｅ１，ｅ
２をカウントして、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ
４の強度を測定信号ｘ１，ｘ２として演算器６に出力す
る。演算器６は、上記測定信号ｘ１，ｘ２を受けて、Ｗ
−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強度に基づい
て、薄膜１２の膜厚ｔおよびＷの濃度を求める。
【００１８】つぎに、ファンダメンタルパラメータ法を
用いた分析方法について簡単に説明する。まず、膜厚ｔ
および濃度が既知の標準試料を複数種類用意し、これら
の標準試料について、図１の分析装置２を用いて、Ｗ−
Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を両測定器５
Ａ，５Ｂにより測定する。これらの測定強度と膜厚ｔお
よび濃度に基づいて、測定強度から理論強度への変換式
を求める。
用いた分析方法について簡単に説明する。まず、膜厚ｔ
および濃度が既知の標準試料を複数種類用意し、これら
の標準試料について、図１の分析装置２を用いて、Ｗ−
Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を両測定器５
Ａ，５Ｂにより測定する。これらの測定強度と膜厚ｔお
よび濃度に基づいて、測定強度から理論強度への変換式
を求める。
【００１９】ついで、膜厚ｔおよび濃度が未知の被測定
試料１について、分析装置２を用いてＷ−Ｌα線Ｂ３お
よびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を測定する。この測定強度を
前述の変換式により理論強度に変換する。この後、膜厚
ｔと濃度によりＸ線強度が一義的に定まる理論強度式
に、適当な膜厚ｔと濃度とを与え、算出された理論強度
が、測定強度を変換した理論強度に合致するか否かを計
算する。合致しなければ、膜厚ｔを変えて再び濃度を与
えて計算を繰り返し、この計算を繰り返すことにより、
膜厚ｔおよび濃度を求める。なお、この演算は、膜厚ｔ
および濃度を未知数とするＷ−Ｌα線Ｂ３の理論強度に
関する第１の方程式と、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の理論強度に関
する第２の方程式からなる連立方程式を解き、膜厚ｔお
よび濃度を求める。
試料１について、分析装置２を用いてＷ−Ｌα線Ｂ３お
よびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を測定する。この測定強度を
前述の変換式により理論強度に変換する。この後、膜厚
ｔと濃度によりＸ線強度が一義的に定まる理論強度式
に、適当な膜厚ｔと濃度とを与え、算出された理論強度
が、測定強度を変換した理論強度に合致するか否かを計
算する。合致しなければ、膜厚ｔを変えて再び濃度を与
えて計算を繰り返し、この計算を繰り返すことにより、
膜厚ｔおよび濃度を求める。なお、この演算は、膜厚ｔ
および濃度を未知数とするＷ−Ｌα線Ｂ３の理論強度に
関する第１の方程式と、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の理論強度に関
する第２の方程式からなる連立方程式を解き、膜厚ｔお
よび濃度を求める。
【００２０】つぎに、この分析方法において、蛍光Ｘ線
Ｂ２のうちＷ−Ｌα線Ｂ３とＷ−Ｎｘ線Ｂ４を用いてい
る理由を説明する。図２に示すように、Ｗ−Ｌα線Ｂ３
は比較的波長が短く（約１．４８Å程度）、つまりエネ
ルギが大きいので、薄膜１２の最深部１２ａから発生し
たものも薄膜１２にあまり吸収されず、そのため、薄膜
１２を透過して、薄膜１２の全層から出射される。した
がって、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強度は、図３の実線で示すよ
うに、薄膜１２の膜厚ｔが大きくなるに従い大きくな
り、膜厚ｔの変化に大きな影響を受ける。一方、図２の
Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４は、波長が極めて長く（約５５Å程
度）、つまりエネルギが極めて小さいので、薄膜１２の
深いところで発生したものが薄膜１２に吸収され、その
ため、薄膜１２の表面層からのみ出射される。したがっ
て、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の強度は、図３の破線で示すよう
に、薄膜１２の膜厚ｔの影響がＷ−Ｌα線Ｂ３よりも極
めて小さく、図４に示すように、Ｗの濃度の影響を大き
く受ける。
Ｂ２のうちＷ−Ｌα線Ｂ３とＷ−Ｎｘ線Ｂ４を用いてい
る理由を説明する。図２に示すように、Ｗ−Ｌα線Ｂ３
は比較的波長が短く（約１．４８Å程度）、つまりエネ
ルギが大きいので、薄膜１２の最深部１２ａから発生し
たものも薄膜１２にあまり吸収されず、そのため、薄膜
１２を透過して、薄膜１２の全層から出射される。した
がって、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強度は、図３の実線で示すよ
うに、薄膜１２の膜厚ｔが大きくなるに従い大きくな
り、膜厚ｔの変化に大きな影響を受ける。一方、図２の
Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４は、波長が極めて長く（約５５Å程
度）、つまりエネルギが極めて小さいので、薄膜１２の
深いところで発生したものが薄膜１２に吸収され、その
ため、薄膜１２の表面層からのみ出射される。したがっ
て、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の強度は、図３の破線で示すよう
に、薄膜１２の膜厚ｔの影響がＷ−Ｌα線Ｂ３よりも極
めて小さく、図４に示すように、Ｗの濃度の影響を大き
く受ける。
【００２１】このように、図３のＷ−Ｌα線Ｂ３の測定
強度は、膜厚ｔの影響が大きいので、膜厚ｔに関する確
かな情報を含んでおり、一方、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強
度は、膜厚ｔの影響が小さいので、濃度に関する確かな
情報を含んでいる。つまり、膜厚ｔの変化はＷ−Ｌα線
Ｂ３の測定強度の大きな変化となって現われ、一方、濃
度の変化はＷ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強度の変化となって現
れる。したがって、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ
４の強度を測定することにより、膜厚ｔおよび濃度を正
確に測定することができる。
強度は、膜厚ｔの影響が大きいので、膜厚ｔに関する確
かな情報を含んでおり、一方、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強
度は、膜厚ｔの影響が小さいので、濃度に関する確かな
情報を含んでいる。つまり、膜厚ｔの変化はＷ−Ｌα線
Ｂ３の測定強度の大きな変化となって現われ、一方、濃
度の変化はＷ−Ｎｘ線Ｂ４の測定強度の変化となって現
れる。したがって、Ｗ−Ｌα線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ
４の強度を測定することにより、膜厚ｔおよび濃度を正
確に測定することができる。
【００２２】ところで、この発明は、必ずしも、Ｗ−Ｌ
α線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を測定する必要は
なく、図１の基板１１に含まれていない第２の元素
（Ｗ）についての膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線
（Ｂ３）の強度と、膜厚の影響が小さく、かつ、第１の
蛍光Ｘ線（Ｂ３）とは系列の異なる第２の蛍光Ｘ線（Ｂ
４）の強度とを測定し、これら２つの測定強度に基づい
て膜厚ｔおよび濃度を求めてもよい。たとえば、薄膜１
２を構成する元素の種類（組成）によっては、硬Ｘ線
（Ｋ線またはＬ線）および超軟Ｘ線（Ｍ線またはＮ線）
の強度を測定して、これら２つの測定強度に基づいて分
析してもよい。その一例として、薄膜１２がＭｏＳｉｘ
である場合には、Ｍｏ−Ｌα線およびＭｏ−Ｍα線の強
度を測定し、これら２つの測定強度に基づいて分析して
もよい。
α線Ｂ３およびＷ−Ｎｘ線Ｂ４の強度を測定する必要は
なく、図１の基板１１に含まれていない第２の元素
（Ｗ）についての膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線
（Ｂ３）の強度と、膜厚の影響が小さく、かつ、第１の
蛍光Ｘ線（Ｂ３）とは系列の異なる第２の蛍光Ｘ線（Ｂ
４）の強度とを測定し、これら２つの測定強度に基づい
て膜厚ｔおよび濃度を求めてもよい。たとえば、薄膜１
２を構成する元素の種類（組成）によっては、硬Ｘ線
（Ｋ線またはＬ線）および超軟Ｘ線（Ｍ線またはＮ線）
の強度を測定して、これら２つの測定強度に基づいて分
析してもよい。その一例として、薄膜１２がＭｏＳｉｘ
である場合には、Ｍｏ−Ｌα線およびＭｏ−Ｍα線の強
度を測定し、これら２つの測定強度に基づいて分析して
もよい。
【００２３】しかし、この実施例のＷＳｉｘの薄膜１２
については、Ｗ−Ｍα線のような軟Ｘ線では、エネルギ
が大きすぎて、その強度が膜厚ｔの影響を大きく受ける
ので、僅かな測定誤差が濃度の大きな誤差となって現れ
る。したがって、ＷＳｉｘの薄膜１２については、Ｗ−
Ｍα線を用いるのは好ましくなく、一般に、Ｎ線および
Ｎ線よりも波長の長い超軟Ｘ線を用いるのが好ましい。
については、Ｗ−Ｍα線のような軟Ｘ線では、エネルギ
が大きすぎて、その強度が膜厚ｔの影響を大きく受ける
ので、僅かな測定誤差が濃度の大きな誤差となって現れ
る。したがって、ＷＳｉｘの薄膜１２については、Ｗ−
Ｍα線を用いるのは好ましくなく、一般に、Ｎ線および
Ｎ線よりも波長の長い超軟Ｘ線を用いるのが好ましい。
【００２４】ところで、上記実施例では、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ
４の取出角β２をＷ−Ｌα線Ｂ３の取出角β１よりも若
干小さく設定している。そのため、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４は、
より一層、ＷＳｉｘの薄膜１２中に吸収され易い。した
がって、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の強度は、膜厚ｔの影響をより
一層受けにくくなるので、より正確な分析結果を得るこ
とができる。
４の取出角β２をＷ−Ｌα線Ｂ３の取出角β１よりも若
干小さく設定している。そのため、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４は、
より一層、ＷＳｉｘの薄膜１２中に吸収され易い。した
がって、Ｗ−Ｎｘ線Ｂ４の強度は、膜厚ｔの影響をより
一層受けにくくなるので、より正確な分析結果を得るこ
とができる。
【００２５】また、上記実施例では、第１の蛍光Ｘ線の
強度として、蛍光Ｘ線Ｂ２のうち第２の元素（Ｗ）の硬
Ｘ線（たとえばＷ−Ｌα線）Ｂ３の強度を測定した。し
かし、この発明では、第１の蛍光Ｘ線として蛍光Ｘ線Ｂ
２のうち第１の元素（Ｓｉ）の硬Ｘ線の強度を測定して
もよい。この原理を図５および図６に基づいて説明す
る。
強度として、蛍光Ｘ線Ｂ２のうち第２の元素（Ｗ）の硬
Ｘ線（たとえばＷ−Ｌα線）Ｂ３の強度を測定した。し
かし、この発明では、第１の蛍光Ｘ線として蛍光Ｘ線Ｂ
２のうち第１の元素（Ｓｉ）の硬Ｘ線の強度を測定して
もよい。この原理を図５および図６に基づいて説明す
る。
【００２６】図５において、第１の元素Ｓｉについての
硬Ｘ線であるＳｉ−Ｋα線Ｂ５には，薄膜１２中のＳｉ
から出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｓと、基板１１中のＳ
ｉから出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｂとがある。上記薄
膜１２からのＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｓは、図６（ａ）のよう
に、薄膜ｔが薄い範囲においては、膜厚ｔが厚くなるの
に従い、そのＸ線強度が大きくなり、薄膜ｔが所定値よ
りも厚くなると、そのＸ線強度が飽和して一定になる。
一方、図６（ｂ）のように、基板１１からのＳｉ−Ｋα
線Ｂ５ｂは、薄膜１２に吸収されるので、膜厚ｔが薄い
範囲においては、膜厚ｔが厚くなるのに従い、そのＸ線
強度が著しく小さくなり、膜厚ｔが所定値よりも厚くな
ると、そのＸ線強度が０になる。そのため、被測定試料
１全体から出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５は、図６（ａ）
と図６（ｂ）を合成した図６（ｃ）のように、膜厚ｔが
ごく薄い（たとえば、10Å〜 5,000Å）範囲において
は、薄膜ｔが厚くなるのに従って、そのＸ線強度が小さ
くなる。したがって、膜厚ｔが薄い場合、Ｓｉ−Ｋα線
Ｂ５の測定強度には、膜厚ｔに関しての確かな情報が含
まれているので、Ｗ−Ｌα線Ｂ３（図１）に代えて、Ｓ
ｉ−Ｋα線Ｂ５のＸ線強度を測定してもよい。
硬Ｘ線であるＳｉ−Ｋα線Ｂ５には，薄膜１２中のＳｉ
から出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｓと、基板１１中のＳ
ｉから出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｂとがある。上記薄
膜１２からのＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｓは、図６（ａ）のよう
に、薄膜ｔが薄い範囲においては、膜厚ｔが厚くなるの
に従い、そのＸ線強度が大きくなり、薄膜ｔが所定値よ
りも厚くなると、そのＸ線強度が飽和して一定になる。
一方、図６（ｂ）のように、基板１１からのＳｉ−Ｋα
線Ｂ５ｂは、薄膜１２に吸収されるので、膜厚ｔが薄い
範囲においては、膜厚ｔが厚くなるのに従い、そのＸ線
強度が著しく小さくなり、膜厚ｔが所定値よりも厚くな
ると、そのＸ線強度が０になる。そのため、被測定試料
１全体から出射されるＳｉ−Ｋα線Ｂ５は、図６（ａ）
と図６（ｂ）を合成した図６（ｃ）のように、膜厚ｔが
ごく薄い（たとえば、10Å〜 5,000Å）範囲において
は、薄膜ｔが厚くなるのに従って、そのＸ線強度が小さ
くなる。したがって、膜厚ｔが薄い場合、Ｓｉ−Ｋα線
Ｂ５の測定強度には、膜厚ｔに関しての確かな情報が含
まれているので、Ｗ−Ｌα線Ｂ３（図１）に代えて、Ｓ
ｉ−Ｋα線Ｂ５のＸ線強度を測定してもよい。
【００２７】この図５の実施例の場合は、図１の第１の
分光素子４ＡがＳｉ−Ｋα線Ｂ５（図５）を分光し、第
１のＸ線検出器８ＡがＳｉ−Ｋα線Ｂ５（図５）を検出
する。その他の構成は、上記図１の実施例と同様であ
り、その詳しい説明および図示を省略する。
分光素子４ＡがＳｉ−Ｋα線Ｂ５（図５）を分光し、第
１のＸ線検出器８ＡがＳｉ−Ｋα線Ｂ５（図５）を検出
する。その他の構成は、上記図１の実施例と同様であ
り、その詳しい説明および図示を省略する。
【００２８】つぎに、図７に示すように、Ｓｉ基板１１
の上に、ＳｉＯ2 の薄膜１２ＡとＷＳｉｘの薄膜１２を
積層した被測定試料１の場合について説明する。
の上に、ＳｉＯ2 の薄膜１２ＡとＷＳｉｘの薄膜１２を
積層した被測定試料１の場合について説明する。
【００２９】この場合において、図７（ａ）のように、
第１の蛍光Ｘ線としてＳｉ−Ｋα線Ｂ５のＸ線強度を測
定すると、Ｓｉ基板１１からのＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｂは、
中間のＳｉＯ2 薄膜１２Ａにおいても吸収される。その
ため、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの膜厚が変化すると、ＷＳｉ
ｘ薄膜１２の厚さが一定でも、全体のＳｉ−Ｋα線Ｂ５
のＸ線強度が変化する。したがって、図７（ａ）の方法
では、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの厚さが既知の場合には、Ｗ
Ｓｉｘ薄膜１２の膜厚ｔとＷの濃度を求め得るが、Ｓｉ
Ｏ2 薄膜１２Ａの厚さが未知である場合には、ＷＳｉｘ
薄膜１２の膜厚ｔとＷの濃度を正確に求めることができ
ない。
第１の蛍光Ｘ線としてＳｉ−Ｋα線Ｂ５のＸ線強度を測
定すると、Ｓｉ基板１１からのＳｉ−Ｋα線Ｂ５ｂは、
中間のＳｉＯ2 薄膜１２Ａにおいても吸収される。その
ため、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの膜厚が変化すると、ＷＳｉ
ｘ薄膜１２の厚さが一定でも、全体のＳｉ−Ｋα線Ｂ５
のＸ線強度が変化する。したがって、図７（ａ）の方法
では、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの厚さが既知の場合には、Ｗ
Ｓｉｘ薄膜１２の膜厚ｔとＷの濃度を求め得るが、Ｓｉ
Ｏ2 薄膜１２Ａの厚さが未知である場合には、ＷＳｉｘ
薄膜１２の膜厚ｔとＷの濃度を正確に求めることができ
ない。
【００３０】これに対し、第１の蛍光Ｘ線として図７
（ｂ）のＷ−Ｌα線Ｂ３のＸ線強度を測定する場合（図
１の実施例の場合）は、Ｗ−Ｌα線Ｂ３がＳｉＯ2 薄膜
１２Ａよりも表面で発生するから、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強
度がＳｉＯ2 薄膜１２Ａの膜厚に影響されない。したが
って、この場合は、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの厚さ等が未知
であっても、つまり、ＷＳｉｘ薄膜１２の下に他の薄膜
などがあっても、ＷＳｉｘ薄膜１２の膜厚ｔと濃度を正
確に測定することができる。
（ｂ）のＷ−Ｌα線Ｂ３のＸ線強度を測定する場合（図
１の実施例の場合）は、Ｗ−Ｌα線Ｂ３がＳｉＯ2 薄膜
１２Ａよりも表面で発生するから、Ｗ−Ｌα線Ｂ３の強
度がＳｉＯ2 薄膜１２Ａの膜厚に影響されない。したが
って、この場合は、ＳｉＯ2 薄膜１２Ａの厚さ等が未知
であっても、つまり、ＷＳｉｘ薄膜１２の下に他の薄膜
などがあっても、ＷＳｉｘ薄膜１２の膜厚ｔと濃度を正
確に測定することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、薄膜中に含まれており、かつ、基板に含まれていな
い第２の元素についての蛍光Ｘ線のうち、硬Ｘ線のよう
な膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線の強度と、Ｍ線ま
たはＭ線よりも波長の長い超軟Ｘ線のような膜厚の影響
が小さい第２の蛍光Ｘ線の強度を測定するので、２つの
測定強度に基づいて、膜厚と濃度を正確に測定すること
ができる。同様に、第１の元素の硬Ｘ線の強度と、第２
の元素の超軟Ｘ線の強度に基づいて、膜厚と濃度を求め
た場合にも、これらを正確に測定することができる。
ば、薄膜中に含まれており、かつ、基板に含まれていな
い第２の元素についての蛍光Ｘ線のうち、硬Ｘ線のよう
な膜厚の影響が大きい第１の蛍光Ｘ線の強度と、Ｍ線ま
たはＭ線よりも波長の長い超軟Ｘ線のような膜厚の影響
が小さい第２の蛍光Ｘ線の強度を測定するので、２つの
測定強度に基づいて、膜厚と濃度を正確に測定すること
ができる。同様に、第１の元素の硬Ｘ線の強度と、第２
の元素の超軟Ｘ線の強度に基づいて、膜厚と濃度を求め
た場合にも、これらを正確に測定することができる。
【００３２】また、演算器により、公知のファンダメン
タルパラメータ法を用いて容易に計算することができる
から、従来のラザフォードバックスキャタによる測定と
異なり、短時間で分析ができる。さらに、取出角を極端
に小さくする必要もないから、分析装置の形状が特殊な
形状になることもないので、分析装置が著しくコストア
ップすることもない。
タルパラメータ法を用いて容易に計算することができる
から、従来のラザフォードバックスキャタによる測定と
異なり、短時間で分析ができる。さらに、取出角を極端
に小さくする必要もないから、分析装置の形状が特殊な
形状になることもないので、分析装置が著しくコストア
ップすることもない。
【図１】この発明の一実施例を示す蛍光Ｘ線分析装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】この発明の原理を示す被測定試料の拡大断面図
である。
である。
【図３】蛍光Ｘ線の強度と、膜厚およびＷの濃度との関
係を示す特性図である。
係を示す特性図である。
【図４】Ｗ−Ｎｘ線の強度と、膜厚およびＷの濃度との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図５】他の実施例の原理を示す被測定試料の拡大断面
図である。
図である。
【図６】Ｓｉ−Ｋα線のＸ線強度と膜厚の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図７】ＷＳｉｘ薄膜の下にＳｉＯ2 薄膜がある場合の
測定原理を示す拡大断面図である。
測定原理を示す拡大断面図である。
【図８】従来の分析方法を示す被測定試料の拡大断面図
である。
である。
１…被測定試料、３…Ｘ線源、４Ａ…第１の分光素子、
４Ｂ…第２の分光素子、５Ａ…第１の測定器、５Ｂ…第
２の測定器、１１…基板、１２…薄膜、Ｂ１…一次Ｘ
線、Ｂ２…蛍光Ｘ線、Ｂ３…硬Ｘ線（第１の蛍光Ｘ
線）、Ｂ４…超軟Ｘ線（第２の蛍光Ｘ線）。
４Ｂ…第２の分光素子、５Ａ…第１の測定器、５Ｂ…第
２の測定器、１１…基板、１２…薄膜、Ｂ１…一次Ｘ
線、Ｂ２…蛍光Ｘ線、Ｂ３…硬Ｘ線（第１の蛍光Ｘ
線）、Ｂ４…超軟Ｘ線（第２の蛍光Ｘ線）。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板に含まれている元素と同一の第１の
元素と、上記基板に含まれていない第２の元素とを含有
する薄膜を上記基板の表面に設けた被測定試料における
上記薄膜の膜厚と第２の元素の濃度を測定する蛍光Ｘ線
分析方法であって、 上記被測定試料に一次Ｘ線を照射し、上記第２の元素に
おける膜厚の影響を大きく受ける第１の蛍光Ｘ線の強度
と、上記第２の元素における膜厚の影響が上記第１の蛍
光Ｘ線よりも小さく、かつ、第１の蛍光Ｘ線とは系列の
異なる第２の蛍光Ｘ線の強度とをそれぞれ測定し、これ
ら２つの蛍光Ｘ線の測定強度に基づいて上記膜厚および
濃度を求める蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項２】 基板に含まれている元素と同一の第１の
元素と、上記基板に含まれていない第２の元素とを含有
する薄膜を上記基板の表面に設けた被測定試料における
上記薄膜の膜厚と第２の元素の濃度を測定する蛍光Ｘ線
分析方法であって、 上記被測定試料に一次Ｘ線を照射し、上記被測定試料か
ら出射される蛍光Ｘ線のうち上記第２の元素の硬Ｘ線の
強度と、上記第２の元素のＭ線またはＭ線よりも波長の
長い超軟Ｘ線の強度をそれぞれ測定し、これら２つの蛍
光Ｘ線の測定強度に基づいて上記膜厚および濃度を求め
る蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項３】 一次Ｘ線を被測定試料に照射するＸ線源
と、上記一次Ｘ線を受けた被測定試料からの蛍光Ｘ線の
うち測定しようとする元素の硬Ｘ線を分光する第１の分
光素子と、上記一次Ｘ線を受けた被測定試料からの蛍光
Ｘ線のうち測定しようとする上記元素のＭ線またはＭ線
よりも波長の長い超軟Ｘ線を分光する第２の分光素子
と、上記硬Ｘ線の強度を測定する第１の測定器と、上記
超軟Ｘ線の強度を測定する第２の測定器とを備えた蛍光
Ｘ線分析装置。 - 【請求項４】 基板に含まれている元素と同一の第１の
元素と、上記基板に含まれていない第２の元素とを含有
する薄膜を上記基板の表面に設けた被測定試料における
上記薄膜の膜厚と第２の元素の濃度を測定する蛍光Ｘ線
分析方法であって、 上記被測定試料に一次Ｘ線を照射し、上記被測定試料か
ら出射される蛍光Ｘ線のうち上記第１の元素の硬Ｘ線の
強度と、上記第２の元素のＭ線またはＭ線よりも波長の
長い超軟Ｘ線の強度をそれぞれ測定し、これら２つの蛍
光Ｘ線の測定強度に基づいて上記膜厚および濃度を求め
る蛍光Ｘ線分析方法。 - 【請求項５】 一次Ｘ線を被測定試料に照射するＸ線源
と、上記一次Ｘ線を受けた被測定試料からの蛍光Ｘ線の
うち第１の元素の硬Ｘ線を分光する第１の分光素子と、
上記一次Ｘ線を受けた被測定試料からの蛍光Ｘ線のうち
測定しようとする第２の元素のＭ線またはＭ線よりも波
長の長い超軟Ｘ線を分光する第２の分光素子と、上記硬
Ｘ線の強度を測定する第１の測定器と、上記超軟Ｘ線の
強度を測定する第２の測定器とを備えた蛍光Ｘ線分析装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4257131A JP2706601B2 (ja) | 1991-10-18 | 1992-08-31 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-299926 | 1991-10-18 | ||
| JP29992691 | 1991-10-18 | ||
| JP4257131A JP2706601B2 (ja) | 1991-10-18 | 1992-08-31 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209847A true JPH05209847A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2706601B2 JP2706601B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=26543070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4257131A Expired - Lifetime JP2706601B2 (ja) | 1991-10-18 | 1992-08-31 | 蛍光ｘ線分析方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706601B2 (ja) |
Cited By (5)
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| NL1012490C2 (nl) * | 1998-07-16 | 2004-07-15 | Panalytic B V | Werkwijze en toestel voor analyse van dunne lagen met röntgen-fluorescentie. |
| US7202095B2 (en) | 2003-01-08 | 2007-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for measuring silicide proportion, method for measuring annealing temperature, method for fabricating semiconductor device and x-ray photo receiver |
| JP2009510479A (ja) * | 2005-10-04 | 2009-03-12 | サーモ ニトン アナライザーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 多層材料の元素組成及び厚みの分析 |
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| JPS63292043A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | D S Sukiyanaa:Kk | 膜厚・組成同時分析装置 |
| JPH01209648A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Shimadzu Corp | Ｘ線マイクロアナライザによる分析方法 |
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- 1992-08-31 JP JP4257131A patent/JP2706601B2/ja not_active Expired - Lifetime
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