JPH05209848A - ビームアナリシス方法 - Google Patents
ビームアナリシス方法Info
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- JPH05209848A JPH05209848A JP4015608A JP1560892A JPH05209848A JP H05209848 A JPH05209848 A JP H05209848A JP 4015608 A JP4015608 A JP 4015608A JP 1560892 A JP1560892 A JP 1560892A JP H05209848 A JPH05209848 A JP H05209848A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron beam
- analysis method
- analysis
- electron
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】試料内でイオンの移動が起こらず精度に優れる
ビームアナリシス方法を得る。 【構成】電子銃１から放出される電子線１１を一定のパ
ターンで走査しながら試料５に照射し、試料内の電荷の
集積を防止して可動イオンの移動を防止する。
ビームアナリシス方法を得る。 【構成】電子銃１から放出される電子線１１を一定のパ
ターンで走査しながら試料５に照射し、試料内の電荷の
集積を防止して可動イオンの移動を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はオージェ電子分光分析
法やＸ線マイクロプローブ分析方法等のビームアナリシ
ス方法に係り、特に試料の帯電を防止して高精度の分析
を行うビームアナリシス方法に関する。
法やＸ線マイクロプローブ分析方法等のビームアナリシ
ス方法に係り、特に試料の帯電を防止して高精度の分析
を行うビームアナリシス方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】オージェ電子分光分析法またはＸ線マイ
クロプローブ分析方法は試料に電子線を照射して試料か
ら放出されるオージェ電子または特性Ｘ線を検出して電
子の運動エネルギーや特性Ｘ線のエネルギーを解析して
この試料中に含まれる元素を分析する。
クロプローブ分析方法は試料に電子線を照射して試料か
ら放出されるオージェ電子または特性Ｘ線を検出して電
子の運動エネルギーや特性Ｘ線のエネルギーを解析して
この試料中に含まれる元素を分析する。
【０００３】オージェ電子は荷電粒子であるために試料
から放出される際、試料を構成する原子により散乱され
やすい。従ってオージェ電子が試料中から脱出できる深
さは運動エネルギーが約２０００ｅＶ以下である電子の
固体中での平均自由工程とほぼ等しく、数ｎｍである。
即ち、オージェ電子分光分析法における情報の検出深さ
はせいぜい数ｎｍである。このことがオージェ電子分光
分析法を本質的に表面分析方法としている。
から放出される際、試料を構成する原子により散乱され
やすい。従ってオージェ電子が試料中から脱出できる深
さは運動エネルギーが約２０００ｅＶ以下である電子の
固体中での平均自由工程とほぼ等しく、数ｎｍである。
即ち、オージェ電子分光分析法における情報の検出深さ
はせいぜい数ｎｍである。このことがオージェ電子分光
分析法を本質的に表面分析方法としている。
【０００４】一方Ｘ線マイクロプローブ分析方法は物質
に対する透過能の大きな特性Ｘ線を用いているため情報
の検出深さは数μｍにおよび本質的にバルクの分析方法
と言える。従ってオージェ電子分光分析法とＸ線マイク
ロプローブ分析方法は試料表面に電子線を照射する点で
は共通しているが情報の検出深さについては相補的な分
析方法となっている。
に対する透過能の大きな特性Ｘ線を用いているため情報
の検出深さは数μｍにおよび本質的にバルクの分析方法
と言える。従ってオージェ電子分光分析法とＸ線マイク
ロプローブ分析方法は試料表面に電子線を照射する点で
は共通しているが情報の検出深さについては相補的な分
析方法となっている。
【０００５】分析の際、Ａｒ+ 等で試料表面を特定の時
間スパッタして表面を分析することを繰り返し、深さ方
向の元素の分析を行うことも可能である。これらの分析
方法においては試料表面に電子線を照射するため絶縁物
や絶縁物に囲まれた試料の分析を行う際試料の表面に電
子線による電荷が蓄積し、この表面が負に帯電する。そ
のため試料に可動イオンが含まれる場合においてはこの
イオンが電子線照射位置に吸引されまたは反発してその
分布が変化し正しい分析を行うことが不可能となる。試
料表面の帯電を防止する方法としては照射電子線の加速
電圧および電流を下げること（方法１）、試料を傾斜す
ること（方法２）、試料表面を金属の編状マスクで被覆
する（実開昭６０−１８３８５６号公報）（方法３）、
イオンビームを照射する（特開昭６３−３７５５１号公
報）（方法４）などの方法が知られている。
間スパッタして表面を分析することを繰り返し、深さ方
向の元素の分析を行うことも可能である。これらの分析
方法においては試料表面に電子線を照射するため絶縁物
や絶縁物に囲まれた試料の分析を行う際試料の表面に電
子線による電荷が蓄積し、この表面が負に帯電する。そ
のため試料に可動イオンが含まれる場合においてはこの
イオンが電子線照射位置に吸引されまたは反発してその
分布が変化し正しい分析を行うことが不可能となる。試
料表面の帯電を防止する方法としては照射電子線の加速
電圧および電流を下げること（方法１）、試料を傾斜す
ること（方法２）、試料表面を金属の編状マスクで被覆
する（実開昭６０−１８３８５６号公報）（方法３）、
イオンビームを照射する（特開昭６３−３７５５１号公
報）（方法４）などの方法が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法１においては加速電圧と電流が小さいため検出される
信号の強度が小さい。方法２においては微小領域の分析
が不可能である。方法３では編目の大きさが大きいと帯
電し、小さいと編目の金属がスパッタされる。また方法
４では外側表面をスパッタするため薄膜表面の正しい情
報が得られない。またＡｒ+ を照射するとＡｒのオージ
ェ電子や特性Ｘ線が観測され正しい分析を行うことが出
来ないといった問題があった。
法１においては加速電圧と電流が小さいため検出される
信号の強度が小さい。方法２においては微小領域の分析
が不可能である。方法３では編目の大きさが大きいと帯
電し、小さいと編目の金属がスパッタされる。また方法
４では外側表面をスパッタするため薄膜表面の正しい情
報が得られない。またＡｒ+ を照射するとＡｒのオージ
ェ電子や特性Ｘ線が観測され正しい分析を行うことが出
来ないといった問題があった。
【０００７】この発明は上述の点に鑑みてなされ、その
目的は電子線を照射したときに試料中のイオンの移動が
起こらないようにして試料の深さ方向や表面の情報が正
しく得られるビームアナリシス方法を提供することにあ
る。
目的は電子線を照射したときに試料中のイオンの移動が
起こらないようにして試料の深さ方向や表面の情報が正
しく得られるビームアナリシス方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一発明に
よれば試料に電子線を照射し、試料から放出される粒子
のエネルギーを解析して試料に含まれる元素の分析を行
うビームアナリシス方法において、分析領域につき電子
線を所定のパターンで走査しながら元素の分析を行うこ
と、また第二発明によれば試料に電子線を照射し、試料
から放出される粒子のエネルギーを解析して試料に含ま
れる元素の分析を行うビームアナリシス方法において、
試料を所定の極性にバイアスして元素の分析を行うこと
により達成される。
よれば試料に電子線を照射し、試料から放出される粒子
のエネルギーを解析して試料に含まれる元素の分析を行
うビームアナリシス方法において、分析領域につき電子
線を所定のパターンで走査しながら元素の分析を行うこ
と、また第二発明によれば試料に電子線を照射し、試料
から放出される粒子のエネルギーを解析して試料に含ま
れる元素の分析を行うビームアナリシス方法において、
試料を所定の極性にバイアスして元素の分析を行うこと
により達成される。
【０００９】
【作用】電子線を所定のパターンで走査しながら元素の
分析を行うと従来の静止した電子線に比し、試料表面に
おいて過度に電荷が蓄積することがなくなる。試料を所
定の極性にバイアスして元素の分析を行うとバイアス電
位により可動イオンの移動が防止される。
分析を行うと従来の静止した電子線に比し、試料表面に
おいて過度に電荷が蓄積することがなくなる。試料を所
定の極性にバイアスして元素の分析を行うとバイアス電
位により可動イオンの移動が防止される。
【００１０】
【実施例】次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は第一発明、第二発明の実施例に係るオージ
ェ電子分光装置を示す配置図である。電子銃１から出射
された電子線１１をレンズ系２で絞って試料５に照射
し、試料５から放出されるオージェ電子３１が検出器３
により検出される。その際電子線１１は試料表面の所定
の分析領域内で螺旋状または鋸歯状に走査される。走査
はレンズ系２により行われる。
する。図１は第一発明、第二発明の実施例に係るオージ
ェ電子分光装置を示す配置図である。電子銃１から出射
された電子線１１をレンズ系２で絞って試料５に照射
し、試料５から放出されるオージェ電子３１が検出器３
により検出される。その際電子線１１は試料表面の所定
の分析領域内で螺旋状または鋸歯状に走査される。走査
はレンズ系２により行われる。
【００１１】ヘリウムボンベ６より圧力調整器７を介し
てヘリウムガスがイオン銃４に送られる。イオン銃より
ヘリウムのイオンビーム４１が試料５に照射され試料の
所定領域がスパッタエッチングされる。これは試料の深
さ方向の元素の分布状態を明らかにする。試料ホルダ３
２は直流電源３３を介して所定の電位にバイアスされ
る。排気装置８はオージェ電子分光装置の内部を真空に
する。
てヘリウムガスがイオン銃４に送られる。イオン銃より
ヘリウムのイオンビーム４１が試料５に照射され試料の
所定領域がスパッタエッチングされる。これは試料の深
さ方向の元素の分布状態を明らかにする。試料ホルダ３
２は直流電源３３を介して所定の電位にバイアスされ
る。排気装置８はオージェ電子分光装置の内部を真空に
する。
【００１２】電子線が走査されないで静止の状態にある
ときは試料の照射位置に電子線が過度に照射され局部的
に負の電荷が蓄積される。この負の電荷は試料内に電位
勾配を発生させ試料内のイオンがこの電位勾配に従って
移動するために試料内の元素分布が変動する。しかしな
がら本発明の方法によるときは、電子線が走査されるた
めに、電子線の電荷が局部的に過度に集中することがな
く、正しいオージェ電子分光分析が可能になる。
ときは試料の照射位置に電子線が過度に照射され局部的
に負の電荷が蓄積される。この負の電荷は試料内に電位
勾配を発生させ試料内のイオンがこの電位勾配に従って
移動するために試料内の元素分布が変動する。しかしな
がら本発明の方法によるときは、電子線が走査されるた
めに、電子線の電荷が局部的に過度に集中することがな
く、正しいオージェ電子分光分析が可能になる。
【００１３】図４は第一発明の実施例に係るオージェ電
子強度のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料は
リンガラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリ
ンガラスの深さと等価である。このとき電子線加速電圧
は１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。
電子線は螺旋状に走査された。図２は第一発明の実施例
に係る電子線の軌跡を示す平面図である。
子強度のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料は
リンガラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリ
ンガラスの深さと等価である。このとき電子線加速電圧
は１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。
電子線は螺旋状に走査された。図２は第一発明の実施例
に係る電子線の軌跡を示す平面図である。
【００１４】図６は従来の方法に係るオージェ電子強度
のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料はリンガ
ラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリンガラ
スの深さと等価である。このとき電子線加速電圧は１０
ｋＶ、電子線電流は５×１０ -8Ａに設定された。電子線
は走査されないし所定の電位にバイアスされることもな
い。
のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料はリンガ
ラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリンガラ
スの深さと等価である。このとき電子線加速電圧は１０
ｋＶ、電子線電流は５×１０ -8Ａに設定された。電子線
は走査されないし所定の電位にバイアスされることもな
い。
【００１５】リンガラスの表面近くでリンＰの濃縮が見
られる。これはリンガラスが電子線の照射により一部分
解してリンのプラスイオンを発生し、このリンイオンが
蓄積した電子線のつくる電場により拡散移動して表面近
くで局所的に濃縮したものである。試料に可動イオンの
持つ電荷と逆の電位を印加すると可動イオンの移動が妨
げられ試料の深さ方向にも正確なオージェ電子分光分析
を行うことが可能となる。
られる。これはリンガラスが電子線の照射により一部分
解してリンのプラスイオンを発生し、このリンイオンが
蓄積した電子線のつくる電場により拡散移動して表面近
くで局所的に濃縮したものである。試料に可動イオンの
持つ電荷と逆の電位を印加すると可動イオンの移動が妨
げられ試料の深さ方向にも正確なオージェ電子分光分析
を行うことが可能となる。
【００１６】図５は第二発明の実施例に係るオージェ電
子強度のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料は
リンガラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリ
ンガラスの深さと等価である。このとき電子線加速電圧
は１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。
試料には直流電源３３を介して−５ｋＶの負の電位が印
加された。この場合は電子線は走査されることなくヘリ
ウムイオンビームによるスパッタエッチングが行われ
た。
子強度のスパッタ時間依存性を示す線図である。試料は
リンガラス（ＰＳＧ）が用いられた。スパッタ時間はリ
ンガラスの深さと等価である。このとき電子線加速電圧
は１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。
試料には直流電源３３を介して−５ｋＶの負の電位が印
加された。この場合は電子線は走査されることなくヘリ
ウムイオンビームによるスパッタエッチングが行われ
た。
【００１７】図７は第一発明、第二発明の異なる実施例
に係るＸ線マイクロアナライザを示す配置図である。電
子銃５１から放出される電子線５２は電磁レンズ５３に
よって集束され試料５４に照射される。この電子線５２
によって試料５４内に励起された特性Ｘ線５５は分光結
晶５６によって分光されＸ線検出器５７により検出され
る。ヘリウムボンベ６１内のヘリウムは圧力調整器６０
を介してイオン源５９に送られイオンビーム６２となっ
て試料５４の表面をスパッタエッチングする。試料ホル
ダ７１は直流電源７２を介して試料５４を所定の電位に
バイアスする。また電子線５２は電磁レンズ５３により
試料５４の表面を二次元的に走査することもできる。
に係るＸ線マイクロアナライザを示す配置図である。電
子銃５１から放出される電子線５２は電磁レンズ５３に
よって集束され試料５４に照射される。この電子線５２
によって試料５４内に励起された特性Ｘ線５５は分光結
晶５６によって分光されＸ線検出器５７により検出され
る。ヘリウムボンベ６１内のヘリウムは圧力調整器６０
を介してイオン源５９に送られイオンビーム６２となっ
て試料５４の表面をスパッタエッチングする。試料ホル
ダ７１は直流電源７２を介して試料５４を所定の電位に
バイアスする。また電子線５２は電磁レンズ５３により
試料５４の表面を二次元的に走査することもできる。
【００１８】図８は第一発明の異なる実施例に係る特性
Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試料はナ
トリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリウムの
ものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の基準点
からの距離を示す。電子線は鋸歯状に走査された。スパ
ッタエッチングは行わない。このとき電子線加速電圧は
１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。分
光結晶はステアレート（ＳＴＥ）である。ナトリウムイ
オンの移動は起こっていない。
Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試料はナ
トリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリウムの
ものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の基準点
からの距離を示す。電子線は鋸歯状に走査された。スパ
ッタエッチングは行わない。このとき電子線加速電圧は
１０ｋＶ、電子線電流は５×１０-8Ａに設定された。分
光結晶はステアレート（ＳＴＥ）である。ナトリウムイ
オンの移動は起こっていない。
【００１９】図３は第一発明の異なる実施例に係る電子
線の軌跡を示す平面図である。図１０は従来の方法に係
る特性Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試
料はナトリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリ
ウムのものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の
基準点からの距離を示す。電子線は走査されない。試料
は所定の電位にもバイアスされない。スパッタエッチン
グも行わない。このとき電子線加速電圧は１０ｋＶ、電
子線電流は５×１０-8Ａに設定された。分光結晶はステ
アレート（ＳＴＥ）である。ナトリウムイオンの移動が
観測され電子線照射位置におけるナトリウム強度の減少
が観測される。
線の軌跡を示す平面図である。図１０は従来の方法に係
る特性Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試
料はナトリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリ
ウムのものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の
基準点からの距離を示す。電子線は走査されない。試料
は所定の電位にもバイアスされない。スパッタエッチン
グも行わない。このとき電子線加速電圧は１０ｋＶ、電
子線電流は５×１０-8Ａに設定された。分光結晶はステ
アレート（ＳＴＥ）である。ナトリウムイオンの移動が
観測され電子線照射位置におけるナトリウム強度の減少
が観測される。
【００２０】図９は第二発明の異なる実施例に係る特性
Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試料はナ
トリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリウムの
ものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の基準点
からの距離を示す。試料は直流電源７２を介して−５ｋ
Ｖの電位にバイアスされた。スパッタエッチングは行わ
ない。このとき電子線加速電圧は１０ｋＶ、電子線電流
は５×１０-8Ａに設定された。分光結晶はステアレート
（ＳＴＥ）である。ナトリウムイオンの移動は起こって
いない。
Ｘ線強度の分析距離依存性を示す線図である。試料はナ
トリウムガラスを用いた。特性Ｘ線強度はナトリウムの
ものを示す。分析距離はナトリウムガラス表面の基準点
からの距離を示す。試料は直流電源７２を介して−５ｋ
Ｖの電位にバイアスされた。スパッタエッチングは行わ
ない。このとき電子線加速電圧は１０ｋＶ、電子線電流
は５×１０-8Ａに設定された。分光結晶はステアレート
（ＳＴＥ）である。ナトリウムイオンの移動は起こって
いない。
【００２１】
【発明の効果】第一発明によれば試料に電子線を照射
し、試料から放出される粒子のエネルギーを解析して試
料に含まれる元素の分析を行うビームアナリシス方法に
おいて、分析領域につき電子線を所定のパターンで走査
しながら元素の分析を行うこと、第二発明によれば試料
に電子線を照射し、試料から放出される粒子のエネルギ
ーを解析して試料に含まれる元素の分析を行うビームア
ナリシス方法において、試料を所定の極性にバイアスし
て元素の分析を行うこととするので、電子線を所定のパ
ターンで走査しながら元素の分析を行う場合は従来の静
止した電子線に比し、試料表面において過度に電荷が蓄
積することがなくなる。また試料を所定の極性にバイア
スして元素の分析を行うとバイアス電位により可動イオ
ンの移動が防止される。このようにして試料内における
可動イオンの移動がなくなって精度に優れるビームアナ
リシスを行うことが可能となる。
し、試料から放出される粒子のエネルギーを解析して試
料に含まれる元素の分析を行うビームアナリシス方法に
おいて、分析領域につき電子線を所定のパターンで走査
しながら元素の分析を行うこと、第二発明によれば試料
に電子線を照射し、試料から放出される粒子のエネルギ
ーを解析して試料に含まれる元素の分析を行うビームア
ナリシス方法において、試料を所定の極性にバイアスし
て元素の分析を行うこととするので、電子線を所定のパ
ターンで走査しながら元素の分析を行う場合は従来の静
止した電子線に比し、試料表面において過度に電荷が蓄
積することがなくなる。また試料を所定の極性にバイア
スして元素の分析を行うとバイアス電位により可動イオ
ンの移動が防止される。このようにして試料内における
可動イオンの移動がなくなって精度に優れるビームアナ
リシスを行うことが可能となる。
【図１】第一発明、第二発明の実施例に係るオージェ電
子分光装置を示す配置図
子分光装置を示す配置図
【図２】第一発明の実施例に係る電子線の軌跡を示す平
面図
面図
【図３】第一発明の異なる実施例に係る電子線の軌跡を
示す平面図
示す平面図
【図４】第一発明の実施例に係るオージェ電子強度のス
パッタ時間依存性を示す線図
パッタ時間依存性を示す線図
【図５】第二発明の実施例に係るオージェ電子強度のス
パッタ時間依存性を示す線図
パッタ時間依存性を示す線図
【図６】従来の方法に係るオージェ電子強度のスパッタ
時間依存性を示す線図
時間依存性を示す線図
【図７】第一発明、第二発明の異なる実施例に係るＸ線
マイクロアナライザを示す配置図
マイクロアナライザを示す配置図
【図８】第一発明の異なる実施例に係る特性Ｘ線強度の
分析距離依存性を示す線図
分析距離依存性を示す線図
【図９】第二発明の異なる実施例に係る特性Ｘ線強度の
分析距離依存性を示す線図
分析距離依存性を示す線図
【図１０】従来の方法に係る特性Ｘ線強度の分析距離依
存性を示す線図
存性を示す線図
１ 電子銃 ２ レンズ系 ３ 検出器 ４ イオン銃 ５ 試料 ６ ヘリウムボンベ ７ 圧力調整器 ８ 排気装置 １１ 電子線 ３１ オージェ電子 ３２ 試料ホルダ ３３ 直流電源 ５１ 電子銃 ５２ 電子線 ５３ 電磁レンズ ５４ 試料 ５５ 特性Ｘ線 ５６ 分光結晶 ５７ Ｘ線検出器 ５８ 真空排気系 ５９ イオン源 ６０ 圧力調整器 ６１ ヘリウムボンベ ６２ イオンビーム ７１ 試料ホルダ ７２ 直流電源
Claims (6)
- 【請求項１】試料に電子線を照射し、試料から放出され
る粒子のエネルギーを解析して試料に含まれる元素の分
析を行うビームアナリシス方法において、分析領域につ
き電子線を所定のパターンで走査しながら元素の分析を
行うことを特徴とするビームアナリシス方法。 - 【請求項２】試料に電子線を照射し、試料から放出され
る粒子のエネルギーを解析して試料に含まれる元素の分
析を行うビームアナリシス方法において、試料を所定の
極性にバイアスして元素の分析を行うことを特徴とする
ビームアナリシス方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載のビームアナリシス
方法において、試料から放出される粒子はオージェ電子
であることを特徴とするビームアナリシス方法。 - 【請求項４】請求項１または２記載のビームアナリシス
方法において、試料から放出される粒子は特性Ｘ線であ
ることを特徴とするビームアナリシス方法。 - 【請求項５】請求項１記載のビームアナリシス方法にお
いて、走査する電子線のパターンは螺旋状であることを
特徴とするビームアナリシス方法。 - 【請求項６】請求項１記載のビームアナリシス方法にお
いて、走査する電子線のパターンは鋸歯状であることを
特徴とするビームアナリシス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015608A JPH05209848A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ビームアナリシス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015608A JPH05209848A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ビームアナリシス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209848A true JPH05209848A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=11893429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015608A Pending JPH05209848A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | ビームアナリシス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05209848A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009063456A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jeol Ltd | 分光分析方法及び装置 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4015608A patent/JPH05209848A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009063456A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Jeol Ltd | 分光分析方法及び装置 |
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